JPH1131685A - プラズマcvd装置およびそのクリーニング方法 - Google Patents
プラズマcvd装置およびそのクリーニング方法Info
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|---|---|---|---|
| JP20379497A JPH1131685A (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | プラズマcvd装置およびそのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20379497A JPH1131685A (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | プラズマcvd装置およびそのクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JPH1131685A5 JPH1131685A5 (enExample) | 2004-09-16 |
Family
ID=16479865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20379497A Pending JPH1131685A (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | プラズマcvd装置およびそのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1131685A (enExample) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000315598A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-11-14 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2000323298A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| KR100373491B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2003-02-25 | 최대규 | 플라즈마 건식 가스 세정기 |
| JP2006236867A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Ngk Insulators Ltd | プラズマ処理部材 |
| JP2006524422A (ja) * | 2003-04-17 | 2006-10-26 | プラズマ コントロール システムズ,エルエルシー | プラズマ発生装置、方法、および調整可能デューティサイクルを有するrf駆動回路 |
| JP2007048621A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Sharp Corp | プラズマ処理装置 |
| KR101496625B1 (ko) * | 2006-07-10 | 2015-02-26 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 전위를 제어하기 위한 장치 |
| JP2015124397A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | コンタクト層の形成方法 |
| JP2015124398A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Ti膜の成膜方法 |
| WO2019230526A1 (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| WO2020004048A1 (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
| WO2020017328A1 (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| KR20230021588A (ko) | 2021-08-05 | 2023-02-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라스마 처리 장치 |
| US12027344B2 (en) | 2018-06-13 | 2024-07-02 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus |
-
1997
- 1997-07-14 JP JP20379497A patent/JPH1131685A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000315598A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-11-14 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2000323298A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| KR100373491B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2003-02-25 | 최대규 | 플라즈마 건식 가스 세정기 |
| JP2006524422A (ja) * | 2003-04-17 | 2006-10-26 | プラズマ コントロール システムズ,エルエルシー | プラズマ発生装置、方法、および調整可能デューティサイクルを有するrf駆動回路 |
| JP2006236867A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Ngk Insulators Ltd | プラズマ処理部材 |
| JP2007048621A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Sharp Corp | プラズマ処理装置 |
| KR101496625B1 (ko) * | 2006-07-10 | 2015-02-26 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 전위를 제어하기 위한 장치 |
| JP2015124398A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Ti膜の成膜方法 |
| JP2015124397A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | コンタクト層の形成方法 |
| TWI637443B (zh) * | 2013-12-25 | 2018-10-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Contact layer formation method |
| TWI726837B (zh) * | 2013-12-25 | 2021-05-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Ti膜之成膜方法 |
| WO2019230526A1 (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US12027344B2 (en) | 2018-06-13 | 2024-07-02 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus |
| WO2020004048A1 (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
| JP2020004822A (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
| KR20210020134A (ko) * | 2018-06-27 | 2021-02-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 |
| US11410834B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-08-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method |
| WO2020017328A1 (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| KR20230021588A (ko) | 2021-08-05 | 2023-02-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라스마 처리 장치 |
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