JPH1131685A - プラズマcvd装置およびそのクリーニング方法 - Google Patents

プラズマcvd装置およびそのクリーニング方法

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正貴 下野
Katsumi Oyama
勝美 大山
Masayuki Hachitani
昌幸 蜂谷
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000315598A (ja) * 1999-03-03 2000-11-14 Anelva Corp プラズマ処理装置
JP2000323298A (ja) * 1999-03-09 2000-11-24 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR100373491B1 (ko) * 2000-06-27 2003-02-25 최대규 플라즈마 건식 가스 세정기
JP2006236867A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Ngk Insulators Ltd プラズマ処理部材
JP2006524422A (ja) * 2003-04-17 2006-10-26 プラズマ コントロール システムズ,エルエルシー プラズマ発生装置、方法、および調整可能デューティサイクルを有するrf駆動回路
JP2007048621A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Sharp Corp プラズマ処理装置
KR101496625B1 (ko) * 2006-07-10 2015-02-26 램 리써치 코포레이션 플라즈마 전위를 제어하기 위한 장치
JP2015124397A (ja) * 2013-12-25 2015-07-06 東京エレクトロン株式会社 コンタクト層の形成方法
JP2015124398A (ja) * 2013-12-25 2015-07-06 東京エレクトロン株式会社 Ti膜の成膜方法
WO2019230526A1 (ja) * 2018-05-31 2019-12-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
WO2020004048A1 (ja) * 2018-06-27 2020-01-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
WO2020017328A1 (ja) * 2018-07-17 2020-01-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR20230021588A (ko) 2021-08-05 2023-02-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라스마 처리 장치
US12027344B2 (en) 2018-06-13 2024-07-02 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000315598A (ja) * 1999-03-03 2000-11-14 Anelva Corp プラズマ処理装置
JP2000323298A (ja) * 1999-03-09 2000-11-24 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR100373491B1 (ko) * 2000-06-27 2003-02-25 최대규 플라즈마 건식 가스 세정기
JP2006524422A (ja) * 2003-04-17 2006-10-26 プラズマ コントロール システムズ,エルエルシー プラズマ発生装置、方法、および調整可能デューティサイクルを有するrf駆動回路
JP2006236867A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Ngk Insulators Ltd プラズマ処理部材
JP2007048621A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Sharp Corp プラズマ処理装置
KR101496625B1 (ko) * 2006-07-10 2015-02-26 램 리써치 코포레이션 플라즈마 전위를 제어하기 위한 장치
JP2015124398A (ja) * 2013-12-25 2015-07-06 東京エレクトロン株式会社 Ti膜の成膜方法
JP2015124397A (ja) * 2013-12-25 2015-07-06 東京エレクトロン株式会社 コンタクト層の形成方法
TWI637443B (zh) * 2013-12-25 2018-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 Contact layer formation method
TWI726837B (zh) * 2013-12-25 2021-05-11 日商東京威力科創股份有限公司 Ti膜之成膜方法
WO2019230526A1 (ja) * 2018-05-31 2019-12-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
US12027344B2 (en) 2018-06-13 2024-07-02 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus
WO2020004048A1 (ja) * 2018-06-27 2020-01-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP2020004822A (ja) * 2018-06-27 2020-01-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
KR20210020134A (ko) * 2018-06-27 2021-02-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법
US11410834B2 (en) 2018-06-27 2022-08-09 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
WO2020017328A1 (ja) * 2018-07-17 2020-01-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR20230021588A (ko) 2021-08-05 2023-02-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라스마 처리 장치

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