JPH1131309A - Ｍｒヘッド及びその製造方法 - Google Patents
Ｍｒヘッド及びその製造方法Info
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- JPH1131309A JPH1131309A JP9185216A JP18521697A JPH1131309A JP H1131309 A JPH1131309 A JP H1131309A JP 9185216 A JP9185216 A JP 9185216A JP 18521697 A JP18521697 A JP 18521697A JP H1131309 A JPH1131309 A JP H1131309A
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 狭ギャップ化に対応した磁気ギャップ膜を安
定に供給する。 【解決手段】 ＭＲヘッドは、磁気シールド膜３，７間
に磁気ギャップ膜４，６が挟まれ、磁気ギャップ膜４，
６間にＭＲ素子５が挟まれてなる再生ヘッド１３と、磁
極７，１１間に層間絶縁膜１０を介してコイル９が挟ま
れ、磁極７，１１の一端に記録ギャップ８が設けられて
なる記録ヘッド１４とを備えている。磁気ギャップ膜
４，６は、応力値が２００Ｍｐａ以下となっているの
で、薄膜化した場合でも絶縁性を向上できる。
定に供給する。 【解決手段】 ＭＲヘッドは、磁気シールド膜３，７間
に磁気ギャップ膜４，６が挟まれ、磁気ギャップ膜４，
６間にＭＲ素子５が挟まれてなる再生ヘッド１３と、磁
極７，１１間に層間絶縁膜１０を介してコイル９が挟ま
れ、磁極７，１１の一端に記録ギャップ８が設けられて
なる記録ヘッド１４とを備えている。磁気ギャップ膜
４，６は、応力値が２００Ｍｐａ以下となっているの
で、薄膜化した場合でも絶縁性を向上できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に書
き込まれた情報をＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）を用い
て読み取るＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）、及び
その製造方法に関する。
き込まれた情報をＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）を用い
て読み取るＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）、及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にＭＲヘッドは、磁気記録媒体から
の漏洩磁束をＭＲ素子（感磁部）に有効に取り入れるた
め、ＭＲ素子の上下に磁気ギャップ膜を介して、磁気シ
ールド膜を配置した構造をとる。更に、ウエハー上に作
製したＭＲヘッドを切り出し研磨して、磁気記録媒体と
対抗する面にＭＲ素子を露出させ、磁気記録媒体からの
漏洩磁束を検出する。
の漏洩磁束をＭＲ素子（感磁部）に有効に取り入れるた
め、ＭＲ素子の上下に磁気ギャップ膜を介して、磁気シ
ールド膜を配置した構造をとる。更に、ウエハー上に作
製したＭＲヘッドを切り出し研磨して、磁気記録媒体と
対抗する面にＭＲ素子を露出させ、磁気記録媒体からの
漏洩磁束を検出する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＭＲヘッドのＭＲ素子
は、極薄膜からなるため、静電破壊しやすいという問題
がある。また、ＭＲヘッドの上下磁気シールド膜とＭＲ
素子の磁気ギャップ膜とは、それぞれ２５０〜３００ｎ
ｍであるが、電極等の段差により絶縁破壊が生じやすい
という問題がある。高密度化が進み、狭トラック及び狭
ギャップ化に対応するには、更に絶縁膜の膜厚が薄くな
ることにより、絶縁耐圧が更に低下することが予想され
る。
は、極薄膜からなるため、静電破壊しやすいという問題
がある。また、ＭＲヘッドの上下磁気シールド膜とＭＲ
素子の磁気ギャップ膜とは、それぞれ２５０〜３００ｎ
ｍであるが、電極等の段差により絶縁破壊が生じやすい
という問題がある。高密度化が進み、狭トラック及び狭
ギャップ化に対応するには、更に絶縁膜の膜厚が薄くな
ることにより、絶縁耐圧が更に低下することが予想され
る。
【０００４】しかし、特開昭６２−２１４５０７号公報
及び特開昭６３−１６４０８号公報において論じられて
いるＡｌ2 Ｏ3 からなる磁気ギャップ膜では、１０００
オングストローム以下の薄膜に対してその絶縁耐圧を充
分に保証できないため、薄膜化が困難であった。また、
アルミナ膜の応力値が高い場合、膜中に弱い部分が発生
する。その弱い部分は、薄膜化したときに容易に化学エ
ッチングされるので、膜の劣化につながったり、絶縁耐
圧の低下の原因になったりする。
及び特開昭６３−１６４０８号公報において論じられて
いるＡｌ2 Ｏ3 からなる磁気ギャップ膜では、１０００
オングストローム以下の薄膜に対してその絶縁耐圧を充
分に保証できないため、薄膜化が困難であった。また、
アルミナ膜の応力値が高い場合、膜中に弱い部分が発生
する。その弱い部分は、薄膜化したときに容易に化学エ
ッチングされるので、膜の劣化につながったり、絶縁耐
圧の低下の原因になったりする。
【０００５】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、狭ギャップ化
に対応した磁気ギャップ膜を安定に供給できるＭＲヘッ
ド、及びその製造方法を提供することにある。
に対応した磁気ギャップ膜を安定に供給できるＭＲヘッ
ド、及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、２枚の対向す
る磁気シールド膜間に更に２枚の対向する磁気ギャップ
膜が挟まれ、これらの２枚の磁気ギャップ膜間にＭＲ素
子が挟まれてなる再生ヘッドを備えたＭＲヘッドにおい
て、前記磁気ギャップ膜の応力値が２００Ｍｐａ以下で
あることを特徴とするものである。また、２枚の対向す
る磁極間に層間絶縁膜を介してコイルが挟まれ、前記２
枚の対向する磁極の一端に記録ギャップが設けられてな
る記録ヘッドと、前記再生ヘッドとを備え、この記録ヘ
ッドと前記再生ヘッドとが積層されるとともに、前記２
枚の磁気シールド膜の一方が前記２枚の磁極の一方を兼
用しているＭＲヘッドにおいて、前記磁気ギャップ膜の
応力値が２００Ｍｐａ以下であることを特徴とするもの
としてもよい。更に、前記磁気ギャップ膜は、主にＡｌ
2 Ｏ3 からなる絶縁膜又は、主にＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2
（全体の３０ｗｔ％以上混入されていることが好まし
い）とからなる絶縁膜としてもよい。
る磁気シールド膜間に更に２枚の対向する磁気ギャップ
膜が挟まれ、これらの２枚の磁気ギャップ膜間にＭＲ素
子が挟まれてなる再生ヘッドを備えたＭＲヘッドにおい
て、前記磁気ギャップ膜の応力値が２００Ｍｐａ以下で
あることを特徴とするものである。また、２枚の対向す
る磁極間に層間絶縁膜を介してコイルが挟まれ、前記２
枚の対向する磁極の一端に記録ギャップが設けられてな
る記録ヘッドと、前記再生ヘッドとを備え、この記録ヘ
ッドと前記再生ヘッドとが積層されるとともに、前記２
枚の磁気シールド膜の一方が前記２枚の磁極の一方を兼
用しているＭＲヘッドにおいて、前記磁気ギャップ膜の
応力値が２００Ｍｐａ以下であることを特徴とするもの
としてもよい。更に、前記磁気ギャップ膜は、主にＡｌ
2 Ｏ3 からなる絶縁膜又は、主にＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2
（全体の３０ｗｔ％以上混入されていることが好まし
い）とからなる絶縁膜としてもよい。
【０００７】本発明に係るＭＲヘッドの製造方法は、本
発明に係るＭＲヘッドを製造する方法であって、Ａｌ2
Ｏ3 、又はＡｌ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 のターゲットを、Ａ
ｒ及びＯ2 の混合ガス中でスパッタすることにより前記
磁気ギャップ膜を成膜するものである。また、このと
き、６Ｗ／ｃｍ2 以上のスパッタ電力で前記磁気ギャッ
プ膜を成膜することが好ましい。
発明に係るＭＲヘッドを製造する方法であって、Ａｌ2
Ｏ3 、又はＡｌ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 のターゲットを、Ａ
ｒ及びＯ2 の混合ガス中でスパッタすることにより前記
磁気ギャップ膜を成膜するものである。また、このと
き、６Ｗ／ｃｍ2 以上のスパッタ電力で前記磁気ギャッ
プ膜を成膜することが好ましい。
【０００８】磁気ギャップ膜を低応力化することによ
り、膜のピンホール密度の低減につながり、膜の絶縁特
性が向上する。この磁気ギャップ膜の低応力化は、アル
ミナターゲットにＳｉＯ2 を混入する、又はスパッタリ
ング工程においてＡｒガスに酸素を添加させることによ
り更に促進できることがわかった。このように磁気ギャ
ップ膜の絶縁耐圧を向上させることにより、ＭＲ素子に
過電圧がかかって破壊されるいわゆる静電破壊による不
良を防止できる。
り、膜のピンホール密度の低減につながり、膜の絶縁特
性が向上する。この磁気ギャップ膜の低応力化は、アル
ミナターゲットにＳｉＯ2 を混入する、又はスパッタリ
ング工程においてＡｒガスに酸素を添加させることによ
り更に促進できることがわかった。このように磁気ギャ
ップ膜の絶縁耐圧を向上させることにより、ＭＲ素子に
過電圧がかかって破壊されるいわゆる静電破壊による不
良を防止できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係るＭＲヘッド
の一実施形態を示す概略断面図である。図２は、図１の
ＭＲヘッドにおけるＭＲ素子を示す部分拡大図である。
以下、これらの図面に基づき説明する。
の一実施形態を示す概略断面図である。図２は、図１の
ＭＲヘッドにおけるＭＲ素子を示す部分拡大図である。
以下、これらの図面に基づき説明する。
【００１０】本実施形態のＭＲヘッドは、２枚の対向す
る磁気シールド膜３，７間に更に２枚の対向する磁気ギ
ャップ膜４，６が挟まれ、これらの磁気ギャップ膜４，
６間にＭＲ素子５が挟まれてなる再生ヘッド１３と、２
枚の対向する磁極７，１１間に層間絶縁膜１０を介して
コイル９が挟まれ、磁極７，１１の一端に記録ギャップ
８が設けられてなる記録ヘッド１４とを備え、記録ヘッ
ド１４と再生ヘッド１３とが積層されるとともに、磁気
シールド膜７が磁極１１を兼用しているものである。そ
して、磁気ギャップ膜４，６の応力値が２００Ｍｐａ以
下であることを特徴としている。記録ヘッド１４と再生
ヘッド１３とは、基板１上の更に絶縁膜２上に積層され
ている。記録ヘッド１４上は、保護膜１２によって被覆
されている。ＭＲ素子５は、ソフトバイアス膜、中間膜
及びＭＲ膜の３層（図示せず）から構成され、更に磁区
制御膜５ａ及び電極膜５ｂが付設されている。
る磁気シールド膜３，７間に更に２枚の対向する磁気ギ
ャップ膜４，６が挟まれ、これらの磁気ギャップ膜４，
６間にＭＲ素子５が挟まれてなる再生ヘッド１３と、２
枚の対向する磁極７，１１間に層間絶縁膜１０を介して
コイル９が挟まれ、磁極７，１１の一端に記録ギャップ
８が設けられてなる記録ヘッド１４とを備え、記録ヘッ
ド１４と再生ヘッド１３とが積層されるとともに、磁気
シールド膜７が磁極１１を兼用しているものである。そ
して、磁気ギャップ膜４，６の応力値が２００Ｍｐａ以
下であることを特徴としている。記録ヘッド１４と再生
ヘッド１３とは、基板１上の更に絶縁膜２上に積層され
ている。記録ヘッド１４上は、保護膜１２によって被覆
されている。ＭＲ素子５は、ソフトバイアス膜、中間膜
及びＭＲ膜の３層（図示せず）から構成され、更に磁区
制御膜５ａ及び電極膜５ｂが付設されている。
【００１１】
【実施例１】次に、図１及び図２に基づき、本発明に係
るＭＲヘッドの実施例１を説明する。
るＭＲヘッドの実施例１を説明する。
【００１２】まず、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ等のセラミクス
からなる基板１を用意する。そして、基板１上に、アル
ミナ等からなる絶縁膜２をスパッタ法により１０μｍ形
成する。続いて、めっきＮｉＦｅからなる磁気シールド
膜３を３〜５μｍ積層し、更にその上にアルミナ膜から
なる磁気ギャップ膜４を８００オングストローム形成す
る。続いて、ＭＲ素子５を形成する。ＭＲ素子５は、Ｍ
Ｒ膜にバイアス磁界を印加するためのＣｏＺｒＭｏ等か
らなる２５０オングストロームのソフトバイアス膜、Ｔ
ａ等からなる２００オングストロームの中間膜、ＮｉＦ
ｅからなる２００オングストロームのＭＲ膜の３層から
構成される。通常、ＭＲヘッドでは、バルクハウゼンノ
イズと呼ばれる、磁壁の移動又は消滅に起因するノイズ
の発生が問題となる。このため、本実施例のＭＲヘッド
でも、バルクハウゼンノイズを抑えるための磁区制御膜
（例えばハード膜）５ａを、ＭＲ膜のトラック部を除い
た部分に、例えばリフトオフ法で２００〜４００オング
ストローム形成する。同時に、ＭＲ膜にセンス電流を流
すための電極膜５ｂを２０００オングストローム形成す
る。電極膜５ｂは例えばＡｕ等である。続いて、アルミ
ナ膜からなる磁気ギャップ膜６を８００オングストロー
ム形成する。続いて、めっきＮｉＦｅからなる磁気シー
ルド膜（兼磁極）７を３〜５μｍ形成し、所定の形状に
加工することにより再生ヘッド１３の製造が終了する。
からなる基板１を用意する。そして、基板１上に、アル
ミナ等からなる絶縁膜２をスパッタ法により１０μｍ形
成する。続いて、めっきＮｉＦｅからなる磁気シールド
膜３を３〜５μｍ積層し、更にその上にアルミナ膜から
なる磁気ギャップ膜４を８００オングストローム形成す
る。続いて、ＭＲ素子５を形成する。ＭＲ素子５は、Ｍ
Ｒ膜にバイアス磁界を印加するためのＣｏＺｒＭｏ等か
らなる２５０オングストロームのソフトバイアス膜、Ｔ
ａ等からなる２００オングストロームの中間膜、ＮｉＦ
ｅからなる２００オングストロームのＭＲ膜の３層から
構成される。通常、ＭＲヘッドでは、バルクハウゼンノ
イズと呼ばれる、磁壁の移動又は消滅に起因するノイズ
の発生が問題となる。このため、本実施例のＭＲヘッド
でも、バルクハウゼンノイズを抑えるための磁区制御膜
（例えばハード膜）５ａを、ＭＲ膜のトラック部を除い
た部分に、例えばリフトオフ法で２００〜４００オング
ストローム形成する。同時に、ＭＲ膜にセンス電流を流
すための電極膜５ｂを２０００オングストローム形成す
る。電極膜５ｂは例えばＡｕ等である。続いて、アルミ
ナ膜からなる磁気ギャップ膜６を８００オングストロー
ム形成する。続いて、めっきＮｉＦｅからなる磁気シー
ルド膜（兼磁極）７を３〜５μｍ形成し、所定の形状に
加工することにより再生ヘッド１３の製造が終了する。
【００１３】次に、書き込み専用の誘導型磁気ヘッドで
ある記録ヘッド１４を再生ヘッド１３上に積層する。磁
極７は、磁気シールド膜７で兼ねることができる。した
がって、まず磁極７上に、記録ギャップ８となるアルミ
ナ絶縁層を５０００オングストローム形成する。続い
て、層間絶縁膜１０としてのレジストを３〜５μｍを形
成したあと焼き締め、その後Ｃｕ等の良導体からなる書
き込み用のコイル９を３〜５μｍ形成し、もう一度層間
絶縁膜１０としてのレジストを１０μｍ形成した後、め
っきＮｉＦｅからなる磁極１１を３〜５μｍ、アルミナ
等からなる保護膜１２を１０μｍ以上形成し、所定の形
状に加工することにより記録ヘッド１４の製造が完了す
る。
ある記録ヘッド１４を再生ヘッド１３上に積層する。磁
極７は、磁気シールド膜７で兼ねることができる。した
がって、まず磁極７上に、記録ギャップ８となるアルミ
ナ絶縁層を５０００オングストローム形成する。続い
て、層間絶縁膜１０としてのレジストを３〜５μｍを形
成したあと焼き締め、その後Ｃｕ等の良導体からなる書
き込み用のコイル９を３〜５μｍ形成し、もう一度層間
絶縁膜１０としてのレジストを１０μｍ形成した後、め
っきＮｉＦｅからなる磁極１１を３〜５μｍ、アルミナ
等からなる保護膜１２を１０μｍ以上形成し、所定の形
状に加工することにより記録ヘッド１４の製造が完了す
る。
【００１４】ここで、アルミナ膜からなる磁気ギャップ
膜４，６及び記録ギャップ８の応力値を２００Ｍｐａ以
下とした。この応力値以下にすることにより、膜中のピ
ンホール密度が低減し、絶縁性、ケミカルエッチング耐
性が向上することを確認した。
膜４，６及び記録ギャップ８の応力値を２００Ｍｐａ以
下とした。この応力値以下にすることにより、膜中のピ
ンホール密度が低減し、絶縁性、ケミカルエッチング耐
性が向上することを確認した。
【００１５】
【実施例２】実施例１のＭＲヘッドは、磁気ギャップ膜
４，６に低応力アルミナ膜を適用した場合であるが、本
発明は、スピンバルブ構成更にはＧＭＲヘッドにも適用
でき、この構成のヘッドにおいても充分にギャップ絶縁
特性が保証されていることを確認した。
４，６に低応力アルミナ膜を適用した場合であるが、本
発明は、スピンバルブ構成更にはＧＭＲヘッドにも適用
でき、この構成のヘッドにおいても充分にギャップ絶縁
特性が保証されていることを確認した。
【００１６】
【実施例３】本実施例は、図１に示した磁気ギャップ膜
４，６及び記録ギャップ８をＡｌ2Ｏ3 −ＳｉＯ2 構成
とした場合である。図３に、アルミナにＳｉＯ2 を混入
したターゲットを用いて成膜したアルミナ膜の応力値
を、ＳｉＯ2 添加量に対して調べた結果を示す。ＳｉＯ
2 を入れることにより応力値が低減する。例えば３０ｗ
ｔ％のＳｉＯ2 を入れることにより、アルミナ単独の場
合に比較し、応力値を約半分に低減することができた。
この結果、ピンホール密度の低減につながり、薄膜化し
た場合の磁気ギャップ膜の絶縁耐圧の向上につながっ
た。磁気ギャップ膜が薄膜化することにより大きく懸念
されることは、磁気ギャップ膜の静電破壊である。この
静電破壊に対して、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 は非常に有効
であることを確認した。
４，６及び記録ギャップ８をＡｌ2Ｏ3 −ＳｉＯ2 構成
とした場合である。図３に、アルミナにＳｉＯ2 を混入
したターゲットを用いて成膜したアルミナ膜の応力値
を、ＳｉＯ2 添加量に対して調べた結果を示す。ＳｉＯ
2 を入れることにより応力値が低減する。例えば３０ｗ
ｔ％のＳｉＯ2 を入れることにより、アルミナ単独の場
合に比較し、応力値を約半分に低減することができた。
この結果、ピンホール密度の低減につながり、薄膜化し
た場合の磁気ギャップ膜の絶縁耐圧の向上につながっ
た。磁気ギャップ膜が薄膜化することにより大きく懸念
されることは、磁気ギャップ膜の静電破壊である。この
静電破壊に対して、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 は非常に有効
であることを確認した。
【００１７】
【実施例４】本実施例は、アルミナ膜の応力値低減のた
めに、スパッタ電力の影響について調べた場合である。
図４にスパッタ電力とアルミナ膜の応力値との関係につ
いて調べた結果を示す。スパッタ電力を大きくすると、
アルミナ膜の応力値を低減できることがわかる。例えば
６Ｗ／ｃｍ2 以上のスパッタ電力の場合、応力値を２０
０Ｍｐａ以下にでき、ピンホール密度の低減につなが
り、薄膜化した場合のアルミナ膜の絶縁耐圧の向上につ
ながった。
めに、スパッタ電力の影響について調べた場合である。
図４にスパッタ電力とアルミナ膜の応力値との関係につ
いて調べた結果を示す。スパッタ電力を大きくすると、
アルミナ膜の応力値を低減できることがわかる。例えば
６Ｗ／ｃｍ2 以上のスパッタ電力の場合、応力値を２０
０Ｍｐａ以下にでき、ピンホール密度の低減につなが
り、薄膜化した場合のアルミナ膜の絶縁耐圧の向上につ
ながった。
【００１８】
【実施例５】本実施例は、実施例２のＳｉＯ2 −Ａｌ2
Ｏ3 膜の成膜において、通常のＡｒガスに酸素を混入
し、成膜を行なったものである。例えばそのガス流量比
として、５０対１という酸素混入率が小さい場合におい
ても、その絶縁耐圧への効果は大きかった。酸素を混入
することにより、絶縁耐圧を１．５倍大きくすることが
可能となった。酸素を用いることにより、磁性膜への酸
化等の影響が考えられるが、例えば、初期の成膜を通常
Ａｒガスで行い、その後Ａｒ＋酸素混入ガスに切り替え
ることでも充分にその絶縁性は保証されることを確認し
た。
Ｏ3 膜の成膜において、通常のＡｒガスに酸素を混入
し、成膜を行なったものである。例えばそのガス流量比
として、５０対１という酸素混入率が小さい場合におい
ても、その絶縁耐圧への効果は大きかった。酸素を混入
することにより、絶縁耐圧を１．５倍大きくすることが
可能となった。酸素を用いることにより、磁性膜への酸
化等の影響が考えられるが、例えば、初期の成膜を通常
Ａｒガスで行い、その後Ａｒ＋酸素混入ガスに切り替え
ることでも充分にその絶縁性は保証されることを確認し
た。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、磁気ギャップ膜を２０
０Ｍｐａ以下の低応力値のアルミナ絶縁膜とすることに
より、薄膜化した場合においてもその絶縁性を向上でき
ることがわかった。また、このアルミナ膜に３０ｗｔ以
上のＳｉＯ2 を混入することにより、更に低応力値の膜
となり、絶縁性も向上させることができた。薄膜化した
場合においても充分な絶縁耐性を確保できることから製
造歩留まりを向上させることができ、また、静電破壊に
よる損傷に対しても歩留まりを向上させることができ
た。このことから、磁気ギャップ膜を薄くできるので、
高密度磁気ヘッドを達成するためのＭＲヘッドの高性能
化が実現できる。
０Ｍｐａ以下の低応力値のアルミナ絶縁膜とすることに
より、薄膜化した場合においてもその絶縁性を向上でき
ることがわかった。また、このアルミナ膜に３０ｗｔ以
上のＳｉＯ2 を混入することにより、更に低応力値の膜
となり、絶縁性も向上させることができた。薄膜化した
場合においても充分な絶縁耐性を確保できることから製
造歩留まりを向上させることができ、また、静電破壊に
よる損傷に対しても歩留まりを向上させることができ
た。このことから、磁気ギャップ膜を薄くできるので、
高密度磁気ヘッドを達成するためのＭＲヘッドの高性能
化が実現できる。
【図１】本発明に係るＭＲヘッドの一実施形態を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】図１のＭＲヘッドにおけるＭＲ素子を示す部分
拡大図である
拡大図である
【図３】本発明の実施例における、アルミナ膜へのＳｉ
Ｏ2 添加量とアルミナ膜の応力値との関係を示すグラフ
である。
Ｏ2 添加量とアルミナ膜の応力値との関係を示すグラフ
である。
【図４】本発明の実施例における、アルミナ成膜時のス
パッタ電力とアルミナ膜の応力値との関係を示すグラフ
である。
パッタ電力とアルミナ膜の応力値との関係を示すグラフ
である。
１ 基板 ２ 絶縁膜 ３ 磁気シールド膜 ４，６ 磁気ギャップ膜 ５ ＭＲ素子 ７ 磁極兼磁気シールド膜 ８ 記録ギャップ ９ コイル １０ 層間絶縁膜 １１ 磁極 １２ 保護膜
Claims (7)
- 【請求項１】 ２枚の対向する磁気シールド膜間に更に
２枚の対向する磁気ギャップ膜が挟まれ、これらの２枚
の磁気ギャップ膜間にＭＲ素子が挟まれてなる再生ヘッ
ドを備えたＭＲヘッドにおいて、 前記磁気ギャップ膜の応力値が２００Ｍｐａ以下である
ことを特徴とするＭＲヘッド。 - 【請求項２】 ２枚の対向する磁気シールド膜間に更に
２枚の対向する磁気ギャップ膜が挟まれ、これらの２枚
の磁気ギャップ膜間にＭＲ素子が挟まれてなる再生ヘッ
ドと、 ２枚の対向する磁極間に層間絶縁膜を介してコイルが挟
まれ、前記２枚の対向する磁極の一端に記録ギャップが
設けられてなる記録ヘッドとを備え、 この記録ヘッドと前記再生ヘッドとが積層されるととも
に、前記２枚の磁気シールド膜の一方が前記２枚の磁極
の一方を兼用しているＭＲヘッドにおいて、 前記磁気ギャップ膜の応力値が２００Ｍｐａ以下である
ことを特徴とするＭＲヘッド。 - 【請求項３】 前記磁気ギャップ膜が主にＡｌ2 Ｏ3 か
らなる絶縁膜である、請求項１又は２記載のＭＲヘッ
ド。 - 【請求項４】 前記磁気ギャップ膜が主にＡｌ2 Ｏ3 と
ＳｉＯ2 とからなる絶縁膜である、請求項１又は２記載
のＭＲヘッド。 - 【請求項５】 前記ＳｉＯ2 が全体の３０ｗｔ％以上混
入されている、請求項４記載のＭＲヘッド。 - 【請求項６】 請求項１，２，３，４又は５記載のＭＲ
ヘッドを製造する方法であって、 Ａｌ2 Ｏ3 、又はＡｌ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 のターゲット
を、Ａｒ及びＯ2 の混合ガス中でスパッタすることによ
り前記磁気ギャップ膜を成膜するＭＲヘッドの製造方
法。 - 【請求項７】 ６Ｗ／ｃｍ2 以上のスパッタ電力で前記
磁気ギャップ膜を成膜する、請求項６記載のＭＲヘッド
の製造方法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP9185216A JP2947342B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | Ｍｒヘッド及びその製造方法 |
| US09/110,887 US6075679A (en) | 1997-07-10 | 1998-07-07 | Magneto-resistive head accommodating a narrow gap |
| US09/543,570 US6251231B1 (en) | 1997-07-10 | 2000-04-05 | Manufacturing process for a magneto-resistive head accommodating a narrow gap |
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|---|---|---|---|
| JP9185216A JP2947342B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | Ｍｒヘッド及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1131309A true JPH1131309A (ja) | 1999-02-02 |
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|---|---|---|---|
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- 1997-07-10 JP JP9185216A patent/JP2947342B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1998-07-07 US US09/110,887 patent/US6075679A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-04-05 US US09/543,570 patent/US6251231B1/en not_active Expired - Lifetime
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