JPH09330506A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH09330506A JPH09330506A JP8149010A JP14901096A JPH09330506A JP H09330506 A JPH09330506 A JP H09330506A JP 8149010 A JP8149010 A JP 8149010A JP 14901096 A JP14901096 A JP 14901096A JP H09330506 A JPH09330506 A JP H09330506A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜コイルと磁極との間を熱硬化性樹脂から
なる層間絶縁層により電気的に絶縁する磁気抵抗効果型
薄膜ヘッドの製造方法であって、層間絶縁層の熱処理部
にクラックがほとんど発生しないようにすることを目的
とする。 【解決手段】 熱硬化性樹脂としてフォトレジスト材料
を使用し、該硬化後の膜応力が−10MPa 〜＋25MPa の範
囲内となるように、少なくとも酸素を含んだ雰囲気にて
前記熱硬化性樹脂の熱処理を行って前記層間絶縁層を形
成することを特徴とする。
なる層間絶縁層により電気的に絶縁する磁気抵抗効果型
薄膜ヘッドの製造方法であって、層間絶縁層の熱処理部
にクラックがほとんど発生しないようにすることを目的
とする。 【解決手段】 熱硬化性樹脂としてフォトレジスト材料
を使用し、該硬化後の膜応力が−10MPa 〜＋25MPa の範
囲内となるように、少なくとも酸素を含んだ雰囲気にて
前記熱硬化性樹脂の熱処理を行って前記層間絶縁層を形
成することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータ等の外
部記憶装置として用いられる磁気ディスク装置における
磁気薄膜ヘッドに関し、更に詳しくは、磁気抵抗効果型
薄膜ヘッド及びその製造方法に関する。
部記憶装置として用いられる磁気ディスク装置における
磁気薄膜ヘッドに関し、更に詳しくは、磁気抵抗効果型
薄膜ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの製造
方法の一例を図１、図２及び図３を参照して説明する。
これらの図において、（ａ）は絶縁基板、（ｂ）は下部
シールド、（ｃ）及び（ｅ）はギャップ１及びギャップ
２、（ｄ）は磁気感知素子、（ｆ）は上部シールド兼下
部電極、（ｇ）ギャップ３、（ｈ）はバックギャップ、
（ｉ）は下部層間絶縁層、（ｊ）は薄膜コイル、（ｋ）
は上部層間絶縁層、（ｌ）はコイル端子、（ｍ）は上部
磁極、（ｎ）はコイル引出し線である。
方法の一例を図１、図２及び図３を参照して説明する。
これらの図において、（ａ）は絶縁基板、（ｂ）は下部
シールド、（ｃ）及び（ｅ）はギャップ１及びギャップ
２、（ｄ）は磁気感知素子、（ｆ）は上部シールド兼下
部電極、（ｇ）ギャップ３、（ｈ）はバックギャップ、
（ｉ）は下部層間絶縁層、（ｊ）は薄膜コイル、（ｋ）
は上部層間絶縁層、（ｌ）はコイル端子、（ｍ）は上部
磁極、（ｎ）はコイル引出し線である。
【０００３】絶縁基板(a) 上に軟磁性材料からなる下部
シールド層(b) を所望の形状に形成する。次に、この下
部シールド層（b)上に絶縁材からなるギャップ１の層
(c) を成膜した後、磁界感知素子(d) 及びその電気的引
出し線（図示せず）を形成して、その上に更に絶縁層ギ
ャップ２（e)を形成しリード素子が完成する。次に、上
部シールド兼下部磁極(f) を所望の形状に形成した後、
絶縁材からなるギャップ３（ライトギャップ)(g)を形成
し、同時に、下部磁極(f) と上部磁極(m) とを接続する
ための磁気回路の窓口をなすバックギャップ（h)を形成
する。
シールド層(b) を所望の形状に形成する。次に、この下
部シールド層（b)上に絶縁材からなるギャップ１の層
(c) を成膜した後、磁界感知素子(d) 及びその電気的引
出し線（図示せず）を形成して、その上に更に絶縁層ギ
ャップ２（e)を形成しリード素子が完成する。次に、上
部シールド兼下部磁極(f) を所望の形状に形成した後、
絶縁材からなるギャップ３（ライトギャップ)(g)を形成
し、同時に、下部磁極(f) と上部磁極(m) とを接続する
ための磁気回路の窓口をなすバックギャップ（h)を形成
する。
【０００４】次に、コイル層(j) 、及びこのコイル層
(j) と下部磁極（f)、上部磁極(m) とを絶縁するため
に、コイル層(j) を挟むようにレジスト層間絶縁層を形
成する。この場合において、まず、フォトリゾグラフィ
ーによってレジストを所望の形状にパターニングする。
その後、磁気感知素子(d) の耐熱温度以下の温度で熱処
理を行い、レジストを硬化させ、下部絶縁層(i) を形成
する。次に銅(Cu)等のめっき法等でコイル層(j) を形成
した後、前記熱処理条件で上部層間絶縁層(k) を硬化・
形成する。
(j) と下部磁極（f)、上部磁極(m) とを絶縁するため
に、コイル層(j) を挟むようにレジスト層間絶縁層を形
成する。この場合において、まず、フォトリゾグラフィ
ーによってレジストを所望の形状にパターニングする。
その後、磁気感知素子(d) の耐熱温度以下の温度で熱処
理を行い、レジストを硬化させ、下部絶縁層(i) を形成
する。次に銅(Cu)等のめっき法等でコイル層(j) を形成
した後、前記熱処理条件で上部層間絶縁層(k) を硬化・
形成する。
【０００５】最後に、バックギャップ(h) 及びコイル引
出し窓口(l) の酸化膜をイオンエッチング等で除去した
後に、上部磁極(m) 及びコイル引出し線(n) をめっき等
で形成してライト素子が完成する。上記の従来の磁気抵
抗効果型薄膜ヘッドの製造方法では、下部層間絶縁層
（ｉ）及び上部層間絶縁層（ｋ）はフォトレジストを熱
処理して硬化させて形成されているが、その処理雰囲気
は窒素(N2)、アルゴン(Ar)等の不活性ガス雰囲気、又は
真空中であり、処理時間は２時間〜３時間であった。
出し窓口(l) の酸化膜をイオンエッチング等で除去した
後に、上部磁極(m) 及びコイル引出し線(n) をめっき等
で形成してライト素子が完成する。上記の従来の磁気抵
抗効果型薄膜ヘッドの製造方法では、下部層間絶縁層
（ｉ）及び上部層間絶縁層（ｋ）はフォトレジストを熱
処理して硬化させて形成されているが、その処理雰囲気
は窒素(N2)、アルゴン(Ar)等の不活性ガス雰囲気、又は
真空中であり、処理時間は２時間〜３時間であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、窒素(N
2)、アルゴン(Ar)等の不活性ガス雰囲気、又は真空中で
熱処理した層間絶縁層(i),(k) は、コイル(j) の形成工
程又は上部磁極(m) の形成工程における、イオンミリン
グ時又は有機溶剤中での超音波洗浄にこれらの層間絶縁
層(i),(k) にクラック（割れ) が発生し易いという問題
点があった。また、磁界感知素子(d) の耐熱性が従来の
熱処理温度（例えば250 ℃〜280 ℃）と比べて低いと
き、その耐熱温度に合わせて層間絶縁層(i),(k) の硬化
熱処理温度を下げなければならないが、上記の雰囲気中
で熱処理温度を下げた場合、これらの層間絶縁層(i),
(k) は更にクラックが発生し易くなるという問題点もあ
る。即ち、図４に示すように、真空中で熱処理して形成
された層間絶縁層(i)(k)の場合は、熱処理前の初期膜厚
が小さい段階でも、応力が大きくクラックの発生領域と
なっている（図４の●印参照）。
2)、アルゴン(Ar)等の不活性ガス雰囲気、又は真空中で
熱処理した層間絶縁層(i),(k) は、コイル(j) の形成工
程又は上部磁極(m) の形成工程における、イオンミリン
グ時又は有機溶剤中での超音波洗浄にこれらの層間絶縁
層(i),(k) にクラック（割れ) が発生し易いという問題
点があった。また、磁界感知素子(d) の耐熱性が従来の
熱処理温度（例えば250 ℃〜280 ℃）と比べて低いと
き、その耐熱温度に合わせて層間絶縁層(i),(k) の硬化
熱処理温度を下げなければならないが、上記の雰囲気中
で熱処理温度を下げた場合、これらの層間絶縁層(i),
(k) は更にクラックが発生し易くなるという問題点もあ
る。即ち、図４に示すように、真空中で熱処理して形成
された層間絶縁層(i)(k)の場合は、熱処理前の初期膜厚
が小さい段階でも、応力が大きくクラックの発生領域と
なっている（図４の●印参照）。
【０００７】また、窒素(N2)雰囲気で熱処理温度を250
℃として１．５時間熱処理した場合も、熱処理前の初期
膜厚が７μｍ以上と厚くなると応力(MPa) が２５MPa 以
上と大きくなってクラックの発生領域となっていること
が分かる（図４の破線及び△印参照）。本発明では、上
記のような問題点に鑑み、熱処理部にかかる応力を低下
させてクラックがほとんど発生しない層間絶縁層を持つ
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供
することを目的とする。
℃として１．５時間熱処理した場合も、熱処理前の初期
膜厚が７μｍ以上と厚くなると応力(MPa) が２５MPa 以
上と大きくなってクラックの発生領域となっていること
が分かる（図４の破線及び△印参照）。本発明では、上
記のような問題点に鑑み、熱処理部にかかる応力を低下
させてクラックがほとんど発生しない層間絶縁層を持つ
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を達成するた
めに、本発明によれば、薄膜コイルと磁極との間を熱硬
化性樹脂からなる層間絶縁層により電気的に絶縁する磁
気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記熱硬化性樹脂が
フォトレジスト材料からなり、且つ熱処理硬化後の膜応
力が−10MPa 〜＋25MPa の範囲内であるような層間絶縁
層を有することを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドが提供される。
めに、本発明によれば、薄膜コイルと磁極との間を熱硬
化性樹脂からなる層間絶縁層により電気的に絶縁する磁
気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記熱硬化性樹脂が
フォトレジスト材料からなり、且つ熱処理硬化後の膜応
力が−10MPa 〜＋25MPa の範囲内であるような層間絶縁
層を有することを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドが提供される。
【０００９】また、本発明によれば、薄膜コイルと磁極
との間を熱硬化性樹脂からなる層間絶縁層により電気的
に絶縁する磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの製造方法であっ
て、前記熱硬化性樹脂としてフォトレジスト材料を使用
し、該硬化後の膜応力が−10MPa 〜＋25MPa の範囲内と
なるように、少なくとも酸素を含んだ雰囲気にて前記熱
硬化性樹脂の熱処理を行って前記層間絶縁層を形成する
ことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造
方法が提供される。
との間を熱硬化性樹脂からなる層間絶縁層により電気的
に絶縁する磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの製造方法であっ
て、前記熱硬化性樹脂としてフォトレジスト材料を使用
し、該硬化後の膜応力が−10MPa 〜＋25MPa の範囲内と
なるように、少なくとも酸素を含んだ雰囲気にて前記熱
硬化性樹脂の熱処理を行って前記層間絶縁層を形成する
ことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造
方法が提供される。
【００１０】ここで、熱処理の雰囲気としては、酸素９
０％以上である場合でもよい。また、熱処理の雰囲気が
大気中であってもよい。熱処理が施される層間絶縁層の
熱処理前の膜厚が１０μｍ以下であることが望ましい。
熱処理の温度が180 ℃〜210 ℃であることが望ましい。
また、熱処理の時間が２０分以上であることが望まし
い。
０％以上である場合でもよい。また、熱処理の雰囲気が
大気中であってもよい。熱処理が施される層間絶縁層の
熱処理前の膜厚が１０μｍ以下であることが望ましい。
熱処理の温度が180 ℃〜210 ℃であることが望ましい。
また、熱処理の時間が２０分以上であることが望まし
い。
【００１１】上記のように、酸素を含む雰囲気中で熱処
理を行うことによって、レジスト層間絶縁層(i)(k)の表
面の応力が−10MPa 〜＋25MPa の範囲内に止めることが
でき、その結果、熱処理後の工程にクラックが発生しな
くなる。また、上記の熱処理雰囲気における温度を、従
来の250 ℃〜280 ℃から、180 ℃〜210 ℃まで下げて
も、レジスト層間絶縁層(i)(k)の表面の応力を−10MPa
〜＋25MPa の範囲内に止めることが可能であり、したが
ってクラックが発生しない。また、熱処理時間は、250
℃のとき最短で40分で硬化され、従来の熱処理時間が1
〜3 時間であったのと比較して、レジスト層間絶縁層の
形成工程における時間が短縮されることが確認された。
理を行うことによって、レジスト層間絶縁層(i)(k)の表
面の応力が−10MPa 〜＋25MPa の範囲内に止めることが
でき、その結果、熱処理後の工程にクラックが発生しな
くなる。また、上記の熱処理雰囲気における温度を、従
来の250 ℃〜280 ℃から、180 ℃〜210 ℃まで下げて
も、レジスト層間絶縁層(i)(k)の表面の応力を−10MPa
〜＋25MPa の範囲内に止めることが可能であり、したが
ってクラックが発生しない。また、熱処理時間は、250
℃のとき最短で40分で硬化され、従来の熱処理時間が1
〜3 時間であったのと比較して、レジスト層間絶縁層の
形成工程における時間が短縮されることが確認された。
【００１２】酸素雰囲気にて熱処理を行った後、窒素(N
2)雰囲気にて再度熱処理を行うことが望ましい。この場
合において、窒素(N2)雰囲気での熱処理を酸素雰囲気で
の熱処理温度より低い温度で行う。また、窒素(N2)雰囲
気での熱処理時間が１時間以上２時間以内であることが
望ましい。
2)雰囲気にて再度熱処理を行うことが望ましい。この場
合において、窒素(N2)雰囲気での熱処理を酸素雰囲気で
の熱処理温度より低い温度で行う。また、窒素(N2)雰囲
気での熱処理時間が１時間以上２時間以内であることが
望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１、図２及び図３により本発明
の実施形態について説明する。これらの図において、従
来と同様、（ａ）は絶縁基板、（ｂ）は下部シールド、
（ｃ）及び（ｅ）はギャップ１及びギャップ２、（ｄ）
は磁気感知素子、（ｆ）は上部シールド兼下部電極、
（ｇ）ギャップ３、（ｈ）はバックギャップ、（ｉ）は
下部層間絶縁層、（ｊ）は薄膜コイル、（ｋ）は上部層
間絶縁層、（ｌ）はコイル端子、（ｍ）は上部磁極、
（ｎ）はコイル引出し線である。
の実施形態について説明する。これらの図において、従
来と同様、（ａ）は絶縁基板、（ｂ）は下部シールド、
（ｃ）及び（ｅ）はギャップ１及びギャップ２、（ｄ）
は磁気感知素子、（ｆ）は上部シールド兼下部電極、
（ｇ）ギャップ３、（ｈ）はバックギャップ、（ｉ）は
下部層間絶縁層、（ｊ）は薄膜コイル、（ｋ）は上部層
間絶縁層、（ｌ）はコイル端子、（ｍ）は上部磁極、
（ｎ）はコイル引出し線である。
【００１４】まず、アルミナ(Al2O3) 等の絶縁層を有す
る基板(a) 上に軟磁性材料からなる下部シールド層(b)
を所望の形状にめっき等で形成する。次に、アルミナ
（Al2O 3 ) 等からなキャップ１層(c) を、例えばスパッ
タ膜等で成膜した後、磁界感知素子(d) 及びその電気的
引出し線（図示せず）を形成してその上にアルミナ（Al
2O3 ) 等をスパッタリングにより絶縁層ギャップ2(e)を
形成しリード素子が完成する。
る基板(a) 上に軟磁性材料からなる下部シールド層(b)
を所望の形状にめっき等で形成する。次に、アルミナ
（Al2O 3 ) 等からなキャップ１層(c) を、例えばスパッ
タ膜等で成膜した後、磁界感知素子(d) 及びその電気的
引出し線（図示せず）を形成してその上にアルミナ（Al
2O3 ) 等をスパッタリングにより絶縁層ギャップ2(e)を
形成しリード素子が完成する。
【００１５】次に、上部シールド兼ウエブ磁極(f) をめ
っき等で所望の形状に形成した後、アルミナ( Al2O3 )
等の絶縁材からなるギャップ３（ライトギャップ)(g)を
形成する。また、ここで、下部磁極と上部磁極との磁気
回路の窓口であるバックギャップh)を同時に形成する。
次に、コイル層(j) を形成すると共に、このコイル層
(j) を下部電極(f) 及び上部磁極(m) から電気的に絶縁
するために、コイル層(j) を挟むようにレジスト層間絶
縁層を形成する。この場合において、まず、フォトリゾ
グラフィーによってレジストを所望の形状にパターニン
グする。その後、磁気感知素子の耐熱素子の耐熱温度い
ずれかの温度、例えば240 ℃で、且つ例えば酸素を含む
雰囲気中で、例えば１時間熱処理を生い、レジストを硬
化させ、下部層間絶縁層(i) を形成する。次に銅(Cu)等
のめっき法等でコイル層(j) を形成した後、前記の同じ
熱処理条件で上部層間絶縁層(k) を硬化・形成する。
っき等で所望の形状に形成した後、アルミナ( Al2O3 )
等の絶縁材からなるギャップ３（ライトギャップ)(g)を
形成する。また、ここで、下部磁極と上部磁極との磁気
回路の窓口であるバックギャップh)を同時に形成する。
次に、コイル層(j) を形成すると共に、このコイル層
(j) を下部電極(f) 及び上部磁極(m) から電気的に絶縁
するために、コイル層(j) を挟むようにレジスト層間絶
縁層を形成する。この場合において、まず、フォトリゾ
グラフィーによってレジストを所望の形状にパターニン
グする。その後、磁気感知素子の耐熱素子の耐熱温度い
ずれかの温度、例えば240 ℃で、且つ例えば酸素を含む
雰囲気中で、例えば１時間熱処理を生い、レジストを硬
化させ、下部層間絶縁層(i) を形成する。次に銅(Cu)等
のめっき法等でコイル層(j) を形成した後、前記の同じ
熱処理条件で上部層間絶縁層(k) を硬化・形成する。
【００１６】最後に、バックギャップ(h) 及びコイル引
出し窓口(l) の酸化膜をイオンエッチング等で十分除去
した後に、上部磁極(m) 及びコイル引出し線(n) をめっ
き等で形成してライト素子が完成する。上記の本発明の
実施例において、フォトレジスト材料からなる下部層間
絶縁層(i) 及び上部層間絶縁層(k) を熱処理して硬化す
るにあたって、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行う。
出し窓口(l) の酸化膜をイオンエッチング等で十分除去
した後に、上部磁極(m) 及びコイル引出し線(n) をめっ
き等で形成してライト素子が完成する。上記の本発明の
実施例において、フォトレジスト材料からなる下部層間
絶縁層(i) 及び上部層間絶縁層(k) を熱処理して硬化す
るにあたって、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行う。
【００１７】図４はこれらの層間絶縁層の各熱処理条件
における実験結果を、熱処理前の膜厚と熱処理後の膜応
力との関係で示している。この実験結果から明らかなよ
うに、熱処理後の膜応力が−10MPa 〜＋25MPa の範囲内
であれば、クラックが生じないことが分かる。また、24
0 ℃の酸素雰囲気で４０分熱処理を行った場合（図４の
×印参照）、240 ℃の大気中で４０分熱処理を行った場
合（図４の■印参照）、240 ℃の大気中で４０分熱処理
を行い、その後250 ℃の窒素(N2)雰囲気で1.5時間熱処
理をおこなった場合（図４の○印参照）の何れも、熱処
理後の膜応力が−10MPa 〜＋25MPa の範囲内となって良
好な結果が得られることが分かった。したがって、これ
らの条件下でレジスト層間絶縁層の熱処理を行うことに
より、その後の薄膜磁気ヘッドの製造プロセスにおい
て、層間絶縁層にクラックが発生しなくなる。
における実験結果を、熱処理前の膜厚と熱処理後の膜応
力との関係で示している。この実験結果から明らかなよ
うに、熱処理後の膜応力が−10MPa 〜＋25MPa の範囲内
であれば、クラックが生じないことが分かる。また、24
0 ℃の酸素雰囲気で４０分熱処理を行った場合（図４の
×印参照）、240 ℃の大気中で４０分熱処理を行った場
合（図４の■印参照）、240 ℃の大気中で４０分熱処理
を行い、その後250 ℃の窒素(N2)雰囲気で1.5時間熱処
理をおこなった場合（図４の○印参照）の何れも、熱処
理後の膜応力が−10MPa 〜＋25MPa の範囲内となって良
好な結果が得られることが分かった。したがって、これ
らの条件下でレジスト層間絶縁層の熱処理を行うことに
より、その後の薄膜磁気ヘッドの製造プロセスにおい
て、層間絶縁層にクラックが発生しなくなる。
【００１８】
【発明の効果】以上に説明したような、本発明によれ
ば、上記のように、レジスト層間絶縁層を酸素を含む雰
囲気中で熱処理を行うことによって、レジスト層間絶縁
層の表面の応力を−10MPa 〜＋25MPa の範囲内とするこ
とができ、クラックが発生を防止できる。また、酸素を
含む雰囲気中で熱処理することによる効果として、従来
の温度より低温で、且つ、短時間で従来と同程度の熱処
理をすることができるため、熱硬化の温度のマージンが
大きくなり、耐熱性の低い磁界感知素子用のプロセスに
も適用可能となり、薄膜磁気ヘッドのプロセス上の信頼
性あう向上させることができる。
ば、上記のように、レジスト層間絶縁層を酸素を含む雰
囲気中で熱処理を行うことによって、レジスト層間絶縁
層の表面の応力を−10MPa 〜＋25MPa の範囲内とするこ
とができ、クラックが発生を防止できる。また、酸素を
含む雰囲気中で熱処理することによる効果として、従来
の温度より低温で、且つ、短時間で従来と同程度の熱処
理をすることができるため、熱硬化の温度のマージンが
大きくなり、耐熱性の低い磁界感知素子用のプロセスに
も適用可能となり、薄膜磁気ヘッドのプロセス上の信頼
性あう向上させることができる。
【図１】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造工程を説
明するための図である。
明するための図である。
【図２】完成した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの平面
図である。
図である。
【図３】図２の線Ａ−Ａ’における磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの断面図である。
磁気ヘッドの断面図である。
【図４】熱処理前のレジスト膜の厚さ（初期膜厚）に対
する熱処理後の膜応力を示す図である。
する熱処理後の膜応力を示す図である。
（ａ）…絶縁基板 （ｂ）…下部シールド （ｃ）…ギャップ１ （ｄ）…磁気感知素子 （ｅ）…ギャップ２ （ｆ）…上部シールド兼下部電極 （ｇ）…ギャップ３ （ｈ）…バックギャップ （ｉ）…下部層間絶縁層 （ｊ）…薄膜コイル （ｋ）…上部層間絶縁層 （ｌ）…コイル端子 （ｍ）…上部磁極 （ｎ）…コイル引出し線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 栄二 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 渡部 慶二 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 薄膜コイルと磁極との間を熱硬化性樹脂
からなる層間絶縁層により電気的に絶縁する磁気抵抗効
果型薄膜ヘッドにおいて、前記熱硬化性樹脂がフォトレ
ジスト材料からなり、且つ熱処理硬化後の膜応力が−10
MPa 〜＋25MPa の範囲内であるような層間絶縁層を有す
ることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 薄膜コイルと磁極との間を熱硬化性樹脂
からなる層間絶縁層により電気的に絶縁する磁気抵抗効
果型薄膜ヘッドの製造方法であって、前記熱硬化性樹脂
としてフォトレジスト材料を使用し、該硬化後の膜応力
が−10MPa 〜＋25MPa の範囲内となるように、少なくと
も酸素を含んだ雰囲気にて前記熱硬化性樹脂の熱処理を
行って前記層間絶縁層を形成することを特徴とする磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 熱処理の雰囲気が酸素９０％以上である
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 熱処理の雰囲気が大気中であることを特
徴とする請求項２に記載の方法。 - 【請求項５】 熱処理が施される層間絶縁層の熱処理前
の膜厚が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項２
〜４のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】 熱処理の温度が180 ℃〜210 ℃であるこ
とを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の方
法。 - 【請求項７】 熱処理の時間が２０分以上６０分以内で
あることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記
載の方法。 - 【請求項８】 酸素雰囲気にて熱処理を行った後、窒素
(N2)雰囲気にて再度熱処理を行うことを特徴とする請求
項２〜７のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項９】 窒素(N2)雰囲気での熱処理を、酸素雰囲
気での熱処理温度より低い温度で行うことを特徴とする
請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 窒素(N2)雰囲気での熱処理時間が１時
間以上２時間以内であることを特徴とする請求項８又は
９に記載の方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8149010A JPH09330506A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US08/755,543 US5870262A (en) | 1996-06-11 | 1996-11-21 | Magneto resistive effect type head having a stressed insulation layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8149010A JPH09330506A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09330506A true JPH09330506A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15465708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8149010A Pending JPH09330506A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5870262A (ja) |
| JP (1) | JPH09330506A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2947342B2 (ja) * | 1997-07-10 | 1999-09-13 | 日本電気株式会社 | Ｍｒヘッド及びその製造方法 |
| US6631546B1 (en) | 2000-02-01 | 2003-10-14 | International Business Machines Corporation | Self-aligned void filling for mushroomed plating |
| US6958885B1 (en) | 2000-12-21 | 2005-10-25 | Western Digital (Fremont), Inc. | Insulation layer structure for inductive write heads and method of fabrication |
| US6700738B1 (en) * | 2001-03-16 | 2004-03-02 | Kyusik Sin | Read/write head coil tap having upper and lower portions |
| US20050287917A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-12-29 | Sheltman David A | Three axis lock joint |
| US7826175B2 (en) * | 2007-05-03 | 2010-11-02 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head including two magnetic layers and flat spiral coil, and method of manufacturing same |
| US11171085B2 (en) * | 2018-05-18 | 2021-11-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device structure with magnetic layer and method for forming the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536584A (en) * | 1992-01-31 | 1996-07-16 | Hitachi, Ltd. | Polyimide precursor, polyimide and metalization structure using said polyimide |
| US5408373A (en) * | 1993-03-15 | 1995-04-18 | International Business Machines Corporation | Integrated transducer-suspension assembly for vertical recording |
| US5570251A (en) * | 1993-07-07 | 1996-10-29 | Tdk Corporation | Thin film magnetic device with plural valves of magnetostriction |
| JP2626576B2 (ja) * | 1993-12-27 | 1997-07-02 | 日本電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US5640753A (en) * | 1994-03-03 | 1997-06-24 | Seagate Technology, Inc. | Method of fabricating an inverted magnetoresistive head |
| US5580602A (en) * | 1994-09-01 | 1996-12-03 | International Business Machines Corporation | Process for making a thin film magnetic head |
-
1996
- 1996-06-11 JP JP8149010A patent/JPH09330506A/ja active Pending
- 1996-11-21 US US08/755,543 patent/US5870262A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5870262A (en) | 1999-02-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031226 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040113 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040413 |