JPH11306967A - プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法Info
- Publication number
- JPH11306967A JPH11306967A JP10114953A JP11495398A JPH11306967A JP H11306967 A JPH11306967 A JP H11306967A JP 10114953 A JP10114953 A JP 10114953A JP 11495398 A JP11495398 A JP 11495398A JP H11306967 A JPH11306967 A JP H11306967A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- barrier
- display panel
- plasma display
- forming layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サンドブラスト法により障壁を形成するに際
し、障壁の下に位置する層の特性を維持して性能の良好
なプラズマディスプレイパネルを得る。 【解決手段】 基板1上に障壁形成層4を形成し、その
上にパターン状のサンドブラスト用マスク5を形成して
から、サンドブラスト加工により障壁形成層4の不要部
分を切削して除去する工程を含むプラズマディスプレイ
パネルの障壁形成方法において、サンドブラストによる
障壁形成層4の切削速度を、障壁形成層4の下に位置す
る層3の切削速度の100倍以上に設定する。露出した
下層3へのダメージを最小限に抑えることができる。
し、障壁の下に位置する層の特性を維持して性能の良好
なプラズマディスプレイパネルを得る。 【解決手段】 基板1上に障壁形成層4を形成し、その
上にパターン状のサンドブラスト用マスク5を形成して
から、サンドブラスト加工により障壁形成層4の不要部
分を切削して除去する工程を含むプラズマディスプレイ
パネルの障壁形成方法において、サンドブラストによる
障壁形成層4の切削速度を、障壁形成層4の下に位置す
る層3の切削速度の100倍以上に設定する。露出した
下層3へのダメージを最小限に抑えることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル(以下、PDPと記す)の製造工程に係わる
ものであり、詳しくはPDPの放電空間を構成する障壁
の形成方法に関するものである。
レイパネル(以下、PDPと記す)の製造工程に係わる
ものであり、詳しくはPDPの放電空間を構成する障壁
の形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、PDPにおける障壁の形成方法と
しては、ガラス基板上にガラスペーストをスクリーン印
刷によりパターン状に重ねて印刷を行い、このペースト
を乾燥、焼成して所望の障壁を形成する方法が一般的で
あったが、この方法は工程が複雑であるとともに良好な
線幅精度が得られ難いことから、最近では、サンドブラ
スト法による障壁形成が主流になっている。この方法
は、ガラス基板上にガラスペーストを所定の厚さで塗布
して乾燥させ、その障壁形成層の上に耐サンドブラスト
性を有するマスクをパターン状に形成してから、このサ
ンドブラスト用マスクを介してサンドブラスト加工を行
うことによりガラスペーストを研削して所望パターンの
障壁をパターニングする方法である。
しては、ガラス基板上にガラスペーストをスクリーン印
刷によりパターン状に重ねて印刷を行い、このペースト
を乾燥、焼成して所望の障壁を形成する方法が一般的で
あったが、この方法は工程が複雑であるとともに良好な
線幅精度が得られ難いことから、最近では、サンドブラ
スト法による障壁形成が主流になっている。この方法
は、ガラス基板上にガラスペーストを所定の厚さで塗布
して乾燥させ、その障壁形成層の上に耐サンドブラスト
性を有するマスクをパターン状に形成してから、このサ
ンドブラスト用マスクを介してサンドブラスト加工を行
うことによりガラスペーストを研削して所望パターンの
障壁をパターニングする方法である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記したサンドブラス
ト法により障壁を形成する場合、障壁形成層がその厚み
分だけ切削されるのに必要な時間をtとすると、障壁と
して好ましい形状を得るために必要な時間は経験的に概
ね2tとなる。すなわち、障壁形成層の下に位置する層
は露出してから時間tだけブラストされることになる。
したがって、サンドブラストにて用いる研磨材は障壁形
成層を切削するだけでなく、その下に位置する誘電体層
や電極へもダメージを与えてしまうという問題点があ
る。
ト法により障壁を形成する場合、障壁形成層がその厚み
分だけ切削されるのに必要な時間をtとすると、障壁と
して好ましい形状を得るために必要な時間は経験的に概
ね2tとなる。すなわち、障壁形成層の下に位置する層
は露出してから時間tだけブラストされることになる。
したがって、サンドブラストにて用いる研磨材は障壁形
成層を切削するだけでなく、その下に位置する誘電体層
や電極へもダメージを与えてしまうという問題点があ
る。
【0004】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、サンドブ
ラスト法により障壁を形成するに際し、障壁の下に位置
する層の特性を維持して性能の良好なPDPを得ること
ができる障壁形成方法を提供することにある。
されたものであり、その目的とするところは、サンドブ
ラスト法により障壁を形成するに際し、障壁の下に位置
する層の特性を維持して性能の良好なPDPを得ること
ができる障壁形成方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板上に障壁形成層を形成し、その上に
パターン状のサンドブラスト用マスクを形成してから、
サンドブラスト加工により障壁形成層の不要部分を切削
して除去する工程を含むプラズマディスプレイパネルの
障壁形成方法において、サンドブラストによる障壁形成
層の切削速度を、障壁形成層の下に位置する層の切削速
度の100倍以上に設定したことを特徴としている。
に、本発明は、基板上に障壁形成層を形成し、その上に
パターン状のサンドブラスト用マスクを形成してから、
サンドブラスト加工により障壁形成層の不要部分を切削
して除去する工程を含むプラズマディスプレイパネルの
障壁形成方法において、サンドブラストによる障壁形成
層の切削速度を、障壁形成層の下に位置する層の切削速
度の100倍以上に設定したことを特徴としている。
【0006】前記した如きPDPにおいては、障壁形成
層の下に位置する誘電体層や電極の厚さは数〜数十μm
であり、その特性を維持するためには切削量を1μm以
下に押さえる必要がある。一方、障壁形成層の厚さは1
00〜200μmである。そして、障壁形成層の下に位
置する層は、前記したように、障壁形成層がその厚み分
を切削された後、その時間と略同じ時間だけブラストさ
れることが経験的に分かっているので、サンドブラスト
による障壁形成層の切削速度を、障壁形成層の下に位置
する層の切削速度の100倍以上に設定しておけば、下
層の切削量は1μm以下に抑えられる。
層の下に位置する誘電体層や電極の厚さは数〜数十μm
であり、その特性を維持するためには切削量を1μm以
下に押さえる必要がある。一方、障壁形成層の厚さは1
00〜200μmである。そして、障壁形成層の下に位
置する層は、前記したように、障壁形成層がその厚み分
を切削された後、その時間と略同じ時間だけブラストさ
れることが経験的に分かっているので、サンドブラスト
による障壁形成層の切削速度を、障壁形成層の下に位置
する層の切削速度の100倍以上に設定しておけば、下
層の切削量は1μm以下に抑えられる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、比較実験の詳細を述べて本
発明の実施形態について説明する。障壁材料層の切削速
度は、ガラスフリットなどの無機成分の変更、バインダ
ーとして添加する樹脂の種類や量、可塑剤の種類や量な
どで変更することが可能であるが、ここでは樹脂の添加
量を変えて比較実験を行った。
発明の実施形態について説明する。障壁材料層の切削速
度は、ガラスフリットなどの無機成分の変更、バインダ
ーとして添加する樹脂の種類や量、可塑剤の種類や量な
どで変更することが可能であるが、ここでは樹脂の添加
量を変えて比較実験を行った。
【0008】まず、障壁形成層の下に位置する層が誘電
体層である場合について述べる。
体層である場合について述べる。
【0009】図1に示すように、ガラス基板1の上に電
極2を形成し、それを覆って誘電体層3を形成した後、
その誘電体層3の上に障壁形成層4を形成し、さらにそ
の上にパターン状のサンドブラスト用マスク5を形成し
た。
極2を形成し、それを覆って誘電体層3を形成した後、
その誘電体層3の上に障壁形成層4を形成し、さらにそ
の上にパターン状のサンドブラスト用マスク5を形成し
た。
【0010】電極2は、スクリーン印刷によりNiペー
ストをパターニングして焼成することで形成した。ま
た、誘電体層3は、スクリーン印刷によりガラスペース
ト(日本電気硝子製「PLS3232」)を乾燥後膜厚
10μmで塗布して乾燥させた後、ピーク温度570℃
で10分間キープして焼成を行い、乾燥塗膜に含まれる
有機物を分解して形成した。
ストをパターニングして焼成することで形成した。ま
た、誘電体層3は、スクリーン印刷によりガラスペース
ト(日本電気硝子製「PLS3232」)を乾燥後膜厚
10μmで塗布して乾燥させた後、ピーク温度570℃
で10分間キープして焼成を行い、乾燥塗膜に含まれる
有機物を分解して形成した。
【0011】障壁形成層4は、下記組成の混合物にバイ
ンダー樹脂(ダウケミカル製「エトセルSTD−100
FP」)をそれぞれ1.5%、1.8%、2.3%、3
%、5%ずつ添加してなる障壁材料ペーストを作製し、
これらをダイコーターによりそれぞれ誘電体層3の上に
一括塗布して乾燥させることで膜厚100μmで形成し
た。
ンダー樹脂(ダウケミカル製「エトセルSTD−100
FP」)をそれぞれ1.5%、1.8%、2.3%、3
%、5%ずつ添加してなる障壁材料ペーストを作製し、
これらをダイコーターによりそれぞれ誘電体層3の上に
一括塗布して乾燥させることで膜厚100μmで形成し
た。
【0012】 <組成> ガラスフリット:松波硝子工業製「MB−010A」 80重量% フィラー:岩谷化学工業製「α−アルミナR−2」 12重量% 顔料:大日精化工業製「ダイピロキサイドブラック#9500」 8重量%
【0013】サンドブラスト用マスク5は、マスク材と
してドライフィルムレジスト(東京応化工業製「BF−
703」)を使用し、これを障壁形成層4の上にラミネ
ートした後、ラインパターンマスクを介して露光量20
0mJ/cm2 で露光を行ってから、炭酸ナトリウム1
wt%水溶液により液温30℃でスプレー現像を行って
パターニングした。
してドライフィルムレジスト(東京応化工業製「BF−
703」)を使用し、これを障壁形成層4の上にラミネ
ートした後、ラインパターンマスクを介して露光量20
0mJ/cm2 で露光を行ってから、炭酸ナトリウム1
wt%水溶液により液温30℃でスプレー現像を行って
パターニングした。
【0014】そして、乾燥工程を経てから、図2(a)
に示すようにサンドブラスト用マスク5を介してサンド
ブラスト加工を行い、図2(b)に示すように障壁形成
層4の不要部分を切削して除去した。ここでは、研磨材
としてアルミナ(フジミインコーポレーテッド「FO♯
800」)を用い、ノズルと基板との距離120mm、
研磨材噴射量100g/min、噴射圧力2kgf/c
m2 、スキャン速度10mm/secの条件でサンドブ
ラスト加工を行った。続いて、水酸化ナトリウム2wt
%水溶液により液温30℃でスプレー剥離してサンドブ
ラスト用マスク5を除去した。その後、ピーク温度57
0℃、保持時間10分の条件で焼成を行って障壁を形成
した。
に示すようにサンドブラスト用マスク5を介してサンド
ブラスト加工を行い、図2(b)に示すように障壁形成
層4の不要部分を切削して除去した。ここでは、研磨材
としてアルミナ(フジミインコーポレーテッド「FO♯
800」)を用い、ノズルと基板との距離120mm、
研磨材噴射量100g/min、噴射圧力2kgf/c
m2 、スキャン速度10mm/secの条件でサンドブ
ラスト加工を行った。続いて、水酸化ナトリウム2wt
%水溶液により液温30℃でスプレー剥離してサンドブ
ラスト用マスク5を除去した。その後、ピーク温度57
0℃、保持時間10分の条件で焼成を行って障壁を形成
した。
【0015】このようにして得られた背面板を評価した
結果を表1に示す。この評価結果から分かるように、誘
電体層の特性が良好な状態を保ったのは、その切削量が
1μmまでであり、障壁形成層の誘電体層に対する切削
速度比で言うと100倍以上であった。
結果を表1に示す。この評価結果から分かるように、誘
電体層の特性が良好な状態を保ったのは、その切削量が
1μmまでであり、障壁形成層の誘電体層に対する切削
速度比で言うと100倍以上であった。
【0016】
【表1】
【0017】次に、障壁形成層の下に位置する層が電極
である場合について述べる。
である場合について述べる。
【0018】誘電体層を設けない以外は図1の場合と同
様にして、ガラス基板上に電極、障壁形成層、サンドブ
ラスト用マスクを形成し、同様の条件でサンドブラスト
加工を行って障壁を形成した。
様にして、ガラス基板上に電極、障壁形成層、サンドブ
ラスト用マスクを形成し、同様の条件でサンドブラスト
加工を行って障壁を形成した。
【0019】このようにして得られた背面板を評価した
結果を表2に示す。この評価結果から分かるように、電
極の特性が良好な状態を保ったのは、その切削量が1μ
mまでであり、障壁形成層の誘電体層に対する切削速度
比で言うと100倍以上であった。
結果を表2に示す。この評価結果から分かるように、電
極の特性が良好な状態を保ったのは、その切削量が1μ
mまでであり、障壁形成層の誘電体層に対する切削速度
比で言うと100倍以上であった。
【0020】
【表2】
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るPD
Pの障壁形成方法によれば、サンドブラスト加工により
障壁をパターニングするに際し、障壁形成層の切削速度
を、障壁形成層の下に位置する層の切削速度の100倍
以上に設定したことにより、露出した下層へのダメージ
を最低限に抑えることができ、性能の良好なPDPを得
ることができる。
Pの障壁形成方法によれば、サンドブラスト加工により
障壁をパターニングするに際し、障壁形成層の切削速度
を、障壁形成層の下に位置する層の切削速度の100倍
以上に設定したことにより、露出した下層へのダメージ
を最低限に抑えることができ、性能の良好なPDPを得
ることができる。
【図1】サンドブラスト加工を行う前の状態を示す断面
図である。
図である。
【図2】サンドブラスト加工を行う手順を示す工程図で
ある。
ある。
1 ガラス基板 2 電極 3 誘電体層 4 障壁形成層 5 サンドブラスト用マスク
Claims (1)
- 【請求項1】 基板上に障壁形成層を形成し、その上に
パターン状のサンドブラスト用マスクを形成してから、
サンドブラスト加工により障壁形成層の不要部分を切削
して除去する工程を含むプラズマディスプレイパネルの
障壁形成方法において、サンドブラストによる障壁形成
層の切削速度を、障壁形成層の下に位置する層の切削速
度の100倍以上に設定したことを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネルの障壁形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10114953A JPH11306967A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10114953A JPH11306967A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11306967A true JPH11306967A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14650742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10114953A Pending JPH11306967A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11306967A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2826776A1 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-03 | Thomson Plasma | Procede de fabrication d'une dalle pour panneau a plasma dotee de barrieres formees par projection d'un materiau abrasif |
WO2003003398A2 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Thomson Plasma | Dalle pour panneau a plasma a barrieres poreuses renforcees |
CN100378895C (zh) * | 2001-02-28 | 2008-04-02 | 友达光电股份有限公司 | 等离子显示器的不对称阻隔壁结构的制作方法 |
-
1998
- 1998-04-24 JP JP10114953A patent/JPH11306967A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100378895C (zh) * | 2001-02-28 | 2008-04-02 | 友达光电股份有限公司 | 等离子显示器的不对称阻隔壁结构的制作方法 |
FR2826776A1 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-03 | Thomson Plasma | Procede de fabrication d'une dalle pour panneau a plasma dotee de barrieres formees par projection d'un materiau abrasif |
WO2003003398A2 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Thomson Plasma | Dalle pour panneau a plasma a barrieres poreuses renforcees |
WO2003003398A3 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-11-06 | Thomson Plasma | Dalle pour panneau a plasma a barrieres poreuses renforcees |
US7339318B2 (en) | 2001-06-29 | 2008-03-04 | Thomson Licensing | Plate for a plasma panel with reinforced porous barriers |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050418 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070627 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071101 |