JPH11306967A - プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法Info
- Publication number
- JPH11306967A JPH11306967A JP10114953A JP11495398A JPH11306967A JP H11306967 A JPH11306967 A JP H11306967A JP 10114953 A JP10114953 A JP 10114953A JP 11495398 A JP11495398 A JP 11495398A JP H11306967 A JPH11306967 A JP H11306967A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- barrier
- display panel
- plasma display
- forming layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 サンドブラスト法により障壁を形成するに際
し、障壁の下に位置する層の特性を維持して性能の良好
なプラズマディスプレイパネルを得る。 【解決手段】 基板１上に障壁形成層４を形成し、その
上にパターン状のサンドブラスト用マスク５を形成して
から、サンドブラスト加工により障壁形成層４の不要部
分を切削して除去する工程を含むプラズマディスプレイ
パネルの障壁形成方法において、サンドブラストによる
障壁形成層４の切削速度を、障壁形成層４の下に位置す
る層３の切削速度の１００倍以上に設定する。露出した
下層３へのダメージを最小限に抑えることができる。
し、障壁の下に位置する層の特性を維持して性能の良好
なプラズマディスプレイパネルを得る。 【解決手段】 基板１上に障壁形成層４を形成し、その
上にパターン状のサンドブラスト用マスク５を形成して
から、サンドブラスト加工により障壁形成層４の不要部
分を切削して除去する工程を含むプラズマディスプレイ
パネルの障壁形成方法において、サンドブラストによる
障壁形成層４の切削速度を、障壁形成層４の下に位置す
る層３の切削速度の１００倍以上に設定する。露出した
下層３へのダメージを最小限に抑えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰと記す）の製造工程に係わる
ものであり、詳しくはＰＤＰの放電空間を構成する障壁
の形成方法に関するものである。
レイパネル（以下、ＰＤＰと記す）の製造工程に係わる
ものであり、詳しくはＰＤＰの放電空間を構成する障壁
の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＰＤＰにおける障壁の形成方法と
しては、ガラス基板上にガラスペーストをスクリーン印
刷によりパターン状に重ねて印刷を行い、このペースト
を乾燥、焼成して所望の障壁を形成する方法が一般的で
あったが、この方法は工程が複雑であるとともに良好な
線幅精度が得られ難いことから、最近では、サンドブラ
スト法による障壁形成が主流になっている。この方法
は、ガラス基板上にガラスペーストを所定の厚さで塗布
して乾燥させ、その障壁形成層の上に耐サンドブラスト
性を有するマスクをパターン状に形成してから、このサ
ンドブラスト用マスクを介してサンドブラスト加工を行
うことによりガラスペーストを研削して所望パターンの
障壁をパターニングする方法である。
しては、ガラス基板上にガラスペーストをスクリーン印
刷によりパターン状に重ねて印刷を行い、このペースト
を乾燥、焼成して所望の障壁を形成する方法が一般的で
あったが、この方法は工程が複雑であるとともに良好な
線幅精度が得られ難いことから、最近では、サンドブラ
スト法による障壁形成が主流になっている。この方法
は、ガラス基板上にガラスペーストを所定の厚さで塗布
して乾燥させ、その障壁形成層の上に耐サンドブラスト
性を有するマスクをパターン状に形成してから、このサ
ンドブラスト用マスクを介してサンドブラスト加工を行
うことによりガラスペーストを研削して所望パターンの
障壁をパターニングする方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記したサンドブラス
ト法により障壁を形成する場合、障壁形成層がその厚み
分だけ切削されるのに必要な時間をｔとすると、障壁と
して好ましい形状を得るために必要な時間は経験的に概
ね２ｔとなる。すなわち、障壁形成層の下に位置する層
は露出してから時間ｔだけブラストされることになる。
したがって、サンドブラストにて用いる研磨材は障壁形
成層を切削するだけでなく、その下に位置する誘電体層
や電極へもダメージを与えてしまうという問題点があ
る。
ト法により障壁を形成する場合、障壁形成層がその厚み
分だけ切削されるのに必要な時間をｔとすると、障壁と
して好ましい形状を得るために必要な時間は経験的に概
ね２ｔとなる。すなわち、障壁形成層の下に位置する層
は露出してから時間ｔだけブラストされることになる。
したがって、サンドブラストにて用いる研磨材は障壁形
成層を切削するだけでなく、その下に位置する誘電体層
や電極へもダメージを与えてしまうという問題点があ
る。
【０００４】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、サンドブ
ラスト法により障壁を形成するに際し、障壁の下に位置
する層の特性を維持して性能の良好なＰＤＰを得ること
ができる障壁形成方法を提供することにある。
されたものであり、その目的とするところは、サンドブ
ラスト法により障壁を形成するに際し、障壁の下に位置
する層の特性を維持して性能の良好なＰＤＰを得ること
ができる障壁形成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板上に障壁形成層を形成し、その上に
パターン状のサンドブラスト用マスクを形成してから、
サンドブラスト加工により障壁形成層の不要部分を切削
して除去する工程を含むプラズマディスプレイパネルの
障壁形成方法において、サンドブラストによる障壁形成
層の切削速度を、障壁形成層の下に位置する層の切削速
度の１００倍以上に設定したことを特徴としている。
に、本発明は、基板上に障壁形成層を形成し、その上に
パターン状のサンドブラスト用マスクを形成してから、
サンドブラスト加工により障壁形成層の不要部分を切削
して除去する工程を含むプラズマディスプレイパネルの
障壁形成方法において、サンドブラストによる障壁形成
層の切削速度を、障壁形成層の下に位置する層の切削速
度の１００倍以上に設定したことを特徴としている。
【０００６】前記した如きＰＤＰにおいては、障壁形成
層の下に位置する誘電体層や電極の厚さは数〜数十μｍ
であり、その特性を維持するためには切削量を１μｍ以
下に押さえる必要がある。一方、障壁形成層の厚さは１
００〜２００μｍである。そして、障壁形成層の下に位
置する層は、前記したように、障壁形成層がその厚み分
を切削された後、その時間と略同じ時間だけブラストさ
れることが経験的に分かっているので、サンドブラスト
による障壁形成層の切削速度を、障壁形成層の下に位置
する層の切削速度の１００倍以上に設定しておけば、下
層の切削量は１μｍ以下に抑えられる。
層の下に位置する誘電体層や電極の厚さは数〜数十μｍ
であり、その特性を維持するためには切削量を１μｍ以
下に押さえる必要がある。一方、障壁形成層の厚さは１
００〜２００μｍである。そして、障壁形成層の下に位
置する層は、前記したように、障壁形成層がその厚み分
を切削された後、その時間と略同じ時間だけブラストさ
れることが経験的に分かっているので、サンドブラスト
による障壁形成層の切削速度を、障壁形成層の下に位置
する層の切削速度の１００倍以上に設定しておけば、下
層の切削量は１μｍ以下に抑えられる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、比較実験の詳細を述べて本
発明の実施形態について説明する。障壁材料層の切削速
度は、ガラスフリットなどの無機成分の変更、バインダ
ーとして添加する樹脂の種類や量、可塑剤の種類や量な
どで変更することが可能であるが、ここでは樹脂の添加
量を変えて比較実験を行った。
発明の実施形態について説明する。障壁材料層の切削速
度は、ガラスフリットなどの無機成分の変更、バインダ
ーとして添加する樹脂の種類や量、可塑剤の種類や量な
どで変更することが可能であるが、ここでは樹脂の添加
量を変えて比較実験を行った。
【０００８】まず、障壁形成層の下に位置する層が誘電
体層である場合について述べる。
体層である場合について述べる。
【０００９】図１に示すように、ガラス基板１の上に電
極２を形成し、それを覆って誘電体層３を形成した後、
その誘電体層３の上に障壁形成層４を形成し、さらにそ
の上にパターン状のサンドブラスト用マスク５を形成し
た。
極２を形成し、それを覆って誘電体層３を形成した後、
その誘電体層３の上に障壁形成層４を形成し、さらにそ
の上にパターン状のサンドブラスト用マスク５を形成し
た。
【００１０】電極２は、スクリーン印刷によりＮｉペー
ストをパターニングして焼成することで形成した。ま
た、誘電体層３は、スクリーン印刷によりガラスペース
ト（日本電気硝子製「ＰＬＳ３２３２」）を乾燥後膜厚
１０μｍで塗布して乾燥させた後、ピーク温度５７０℃
で１０分間キープして焼成を行い、乾燥塗膜に含まれる
有機物を分解して形成した。
ストをパターニングして焼成することで形成した。ま
た、誘電体層３は、スクリーン印刷によりガラスペース
ト（日本電気硝子製「ＰＬＳ３２３２」）を乾燥後膜厚
１０μｍで塗布して乾燥させた後、ピーク温度５７０℃
で１０分間キープして焼成を行い、乾燥塗膜に含まれる
有機物を分解して形成した。
【００１１】障壁形成層４は、下記組成の混合物にバイ
ンダー樹脂（ダウケミカル製「エトセルＳＴＤ−１００
ＦＰ」）をそれぞれ１．５％、１．８％、２．３％、３
％、５％ずつ添加してなる障壁材料ペーストを作製し、
これらをダイコーターによりそれぞれ誘電体層３の上に
一括塗布して乾燥させることで膜厚１００μｍで形成し
た。
ンダー樹脂（ダウケミカル製「エトセルＳＴＤ−１００
ＦＰ」）をそれぞれ１．５％、１．８％、２．３％、３
％、５％ずつ添加してなる障壁材料ペーストを作製し、
これらをダイコーターによりそれぞれ誘電体層３の上に
一括塗布して乾燥させることで膜厚１００μｍで形成し
た。
【００１２】 ＜組成＞ ガラスフリット：松波硝子工業製「ＭＢ−０１０Ａ」 ８０重量％ フィラー：岩谷化学工業製「α−アルミナＲ−２」 １２重量％ 顔料：大日精化工業製「ダイピロキサイドブラック＃９５００」 ８重量％
【００１３】サンドブラスト用マスク５は、マスク材と
してドライフィルムレジスト（東京応化工業製「ＢＦ−
７０３」）を使用し、これを障壁形成層４の上にラミネ
ートした後、ラインパターンマスクを介して露光量２０
０ｍＪ／ｃｍ2 で露光を行ってから、炭酸ナトリウム１
ｗｔ％水溶液により液温３０℃でスプレー現像を行って
パターニングした。
してドライフィルムレジスト（東京応化工業製「ＢＦ−
７０３」）を使用し、これを障壁形成層４の上にラミネ
ートした後、ラインパターンマスクを介して露光量２０
０ｍＪ／ｃｍ2 で露光を行ってから、炭酸ナトリウム１
ｗｔ％水溶液により液温３０℃でスプレー現像を行って
パターニングした。
【００１４】そして、乾燥工程を経てから、図２（ａ）
に示すようにサンドブラスト用マスク５を介してサンド
ブラスト加工を行い、図２（ｂ）に示すように障壁形成
層４の不要部分を切削して除去した。ここでは、研磨材
としてアルミナ（フジミインコーポレーテッド「ＦＯ♯
８００」）を用い、ノズルと基板との距離１２０ｍｍ、
研磨材噴射量１００ｇ／ｍｉｎ、噴射圧力２ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、スキャン速度１０ｍｍ／ｓｅｃの条件でサンドブ
ラスト加工を行った。続いて、水酸化ナトリウム２ｗｔ
％水溶液により液温３０℃でスプレー剥離してサンドブ
ラスト用マスク５を除去した。その後、ピーク温度５７
０℃、保持時間１０分の条件で焼成を行って障壁を形成
した。
に示すようにサンドブラスト用マスク５を介してサンド
ブラスト加工を行い、図２（ｂ）に示すように障壁形成
層４の不要部分を切削して除去した。ここでは、研磨材
としてアルミナ（フジミインコーポレーテッド「ＦＯ♯
８００」）を用い、ノズルと基板との距離１２０ｍｍ、
研磨材噴射量１００ｇ／ｍｉｎ、噴射圧力２ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、スキャン速度１０ｍｍ／ｓｅｃの条件でサンドブ
ラスト加工を行った。続いて、水酸化ナトリウム２ｗｔ
％水溶液により液温３０℃でスプレー剥離してサンドブ
ラスト用マスク５を除去した。その後、ピーク温度５７
０℃、保持時間１０分の条件で焼成を行って障壁を形成
した。
【００１５】このようにして得られた背面板を評価した
結果を表１に示す。この評価結果から分かるように、誘
電体層の特性が良好な状態を保ったのは、その切削量が
１μｍまでであり、障壁形成層の誘電体層に対する切削
速度比で言うと１００倍以上であった。
結果を表１に示す。この評価結果から分かるように、誘
電体層の特性が良好な状態を保ったのは、その切削量が
１μｍまでであり、障壁形成層の誘電体層に対する切削
速度比で言うと１００倍以上であった。
【００１６】
【表１】
【００１７】次に、障壁形成層の下に位置する層が電極
である場合について述べる。
である場合について述べる。
【００１８】誘電体層を設けない以外は図１の場合と同
様にして、ガラス基板上に電極、障壁形成層、サンドブ
ラスト用マスクを形成し、同様の条件でサンドブラスト
加工を行って障壁を形成した。
様にして、ガラス基板上に電極、障壁形成層、サンドブ
ラスト用マスクを形成し、同様の条件でサンドブラスト
加工を行って障壁を形成した。
【００１９】このようにして得られた背面板を評価した
結果を表２に示す。この評価結果から分かるように、電
極の特性が良好な状態を保ったのは、その切削量が１μ
ｍまでであり、障壁形成層の誘電体層に対する切削速度
比で言うと１００倍以上であった。
結果を表２に示す。この評価結果から分かるように、電
極の特性が良好な状態を保ったのは、その切削量が１μ
ｍまでであり、障壁形成層の誘電体層に対する切削速度
比で言うと１００倍以上であった。
【００２０】
【表２】
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＰＤ
Ｐの障壁形成方法によれば、サンドブラスト加工により
障壁をパターニングするに際し、障壁形成層の切削速度
を、障壁形成層の下に位置する層の切削速度の１００倍
以上に設定したことにより、露出した下層へのダメージ
を最低限に抑えることができ、性能の良好なＰＤＰを得
ることができる。
Ｐの障壁形成方法によれば、サンドブラスト加工により
障壁をパターニングするに際し、障壁形成層の切削速度
を、障壁形成層の下に位置する層の切削速度の１００倍
以上に設定したことにより、露出した下層へのダメージ
を最低限に抑えることができ、性能の良好なＰＤＰを得
ることができる。
【図１】サンドブラスト加工を行う前の状態を示す断面
図である。
図である。
【図２】サンドブラスト加工を行う手順を示す工程図で
ある。
ある。
１ ガラス基板 ２ 電極 ３ 誘電体層 ４ 障壁形成層 ５ サンドブラスト用マスク
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に障壁形成層を形成し、その上に
パターン状のサンドブラスト用マスクを形成してから、
サンドブラスト加工により障壁形成層の不要部分を切削
して除去する工程を含むプラズマディスプレイパネルの
障壁形成方法において、サンドブラストによる障壁形成
層の切削速度を、障壁形成層の下に位置する層の切削速
度の１００倍以上に設定したことを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネルの障壁形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10114953A JPH11306967A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10114953A JPH11306967A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11306967A true JPH11306967A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14650742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10114953A Pending JPH11306967A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11306967A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2826776A1 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-03 | Thomson Plasma | Procede de fabrication d'une dalle pour panneau a plasma dotee de barrieres formees par projection d'un materiau abrasif |
| WO2003003398A2 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Thomson Plasma | Dalle pour panneau a plasma a barrieres poreuses renforcees |
| CN100378895C (zh) * | 2001-02-28 | 2008-04-02 | 友达光电股份有限公司 | 等离子显示器的不对称阻隔壁结构的制作方法 |
-
1998
- 1998-04-24 JP JP10114953A patent/JPH11306967A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100378895C (zh) * | 2001-02-28 | 2008-04-02 | 友达光电股份有限公司 | 等离子显示器的不对称阻隔壁结构的制作方法 |
| FR2826776A1 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-03 | Thomson Plasma | Procede de fabrication d'une dalle pour panneau a plasma dotee de barrieres formees par projection d'un materiau abrasif |
| WO2003003398A2 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Thomson Plasma | Dalle pour panneau a plasma a barrieres poreuses renforcees |
| WO2003003398A3 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-11-06 | Thomson Plasma | Dalle pour panneau a plasma a barrieres poreuses renforcees |
| US7339318B2 (en) | 2001-06-29 | 2008-03-04 | Thomson Licensing | Plate for a plasma panel with reinforced porous barriers |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070627 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071101 |