JPH06310033A

JPH06310033A - バリヤリブの形成方法

Info

Publication number: JPH06310033A
Application number: JP5094527A
Authority: JP
Inventors: Ryoichi Masuda; 良一増田
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1993-04-21
Filing date: 1993-04-21
Publication date: 1994-11-04

Abstract

(57)【要約】【目的】製造工程の回数の低減を可能にし、同時にマ
スク合わせも容易なバリヤリブの形成方法を提供する。【構成】この発明のバリヤリブの形成方法によれば、
ガス放電型表示パネルのセル空間を画成するとき、バリ
ヤリブとプライミングスリットとを一回のサンドブラス
ト工程により実質的に同時に形成する。すなわち、先
ず、レジストマスク３９形成時に、このレジストマスク
の一部分に、サンソブラストに対して破壊され易い領
域、すなわち弱耐性領域３５を作り込む。このとき弱耐
性領域を誘電体層３２の表面を露出する複数の穴を形成
する領域とする。続いて、弱耐性領域を有するレジスト
マスクを用いて誘電体層に一回のサンドブラスト工程に
よりバリヤリブとプライミングスリットとを形成する。
その後、バリヤリブの表面に残存しているレジストマス
クを除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ガス放電型表示パネ
ル（所謂ＰＤＰ）のバリヤリブの形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ガス放電型表示パネル（以下、ガ
ス放電パネル或いはパネルと略称することもある。）の
隔壁を形成する方法としては、厚膜印刷用ペーストとシ
ルク印刷用版を用いた厚膜印刷法により製作されてい
た。しかし、近年、パネルの大型化或いは高精密化の要
求に伴い新たなサンドブラスト方式が注目されている。
このようなサンドブラスト法として、例えばこの出願の
発明者等が提案した特開平４−５８４３８に開示された
方法がある。この方法につき図８〜図１３を参照して簡
単に説明する。尚、特開平４−５８４３８は、サンドブ
ラスト法を用いてパネルの陰極を形成する方法が開示さ
れているがバリヤリブを形成する方法においても適用で
きる。

【０００３】先ず、基板１０としては、ガラス基板を用
いる（図８の（Ａ））。この基板１０上に厚膜印刷法を
用いて誘電ペーストを所定の膜厚になるように塗布し、
任意好適な条件の下で乾燥する。尚、塗布方法として
は、例えばベタ印刷やロールコーテイング法を用いれば
良い。このようにして誘電体層１２を形成する（図８の
（Ｂ））。

【０００４】次に、誘電体層１２上にサンドブラスト耐
性を有するレジスト１４を塗布する（図８の（Ｃ））。
このサンドブラスト耐性を有するレジスト１４として、
東京応化（株）製ＯＳＢＲ−８２Ｂと称されるネガ型レ
ジストを用いる。

【０００５】このレジスト１４をスピンコート法により
誘電体層１２上に１５〜２０μｍ程度の膜厚で塗布す
る。この際の条件は、回転開始から５秒でスピナーの回
転数を５００回転／秒としこれを６０秒間保持し、その
後回転数を１５００回転／秒として１秒間保持し、その
後５秒間で回転数を０まで落すという条件とする。レジ
スト塗布後、これを任意好適な条件の下で乾燥する。

【０００６】次に、レジスト露光すべきパターンが描か
れているホトマスク１６をレジスト層１４に密着させた
後、所定の露光量（レジスト膜厚（μｍ）×０．７ｍＪ
／ｃｍ²）で露光する（図８の（Ｄ））。続いて、露光
済み試料に０．２重量％炭酸ナトリウム水溶液を低圧ス
プレーで吹き付けて現像を行い、その後、０．１重量％
塩酸を吹き付けてパターンを定着させレジストマスク１
５を得る（図９）。尚、図９は、このとき形成された構
造体の外観を斜視図で示してある。図中、誘電体層１２
上にレジストマスク１５がパターニングされる。尚、１
５ａは、レジストマスクの開口部である。

【０００７】次に、サンドブラストマシーンを用い試料
上にアルミナ粉末の研磨材（４００番）を吹き付ける。
また、レジストマスク１５は、サンドブラスト耐性を有
しているため、誘電体層１２のレジストマスク１５で覆
われていない部分が除去され、誘電体層にバリヤリブ１
２ａ、１２ｂおよび１２ｃが形成される（図１０の
（Ａ））。その後、エアーガンを試料上に吹き付け研磨
材などを試料上から除去する。

【０００８】次に、この試料を焼成炉にて焼成する。任
意好適な温度の焼成条件で焼成を行い、この焼成工程中
において、ペースト中に含まれている樹脂成分及びマス
クとして用いたレジストが燃焼除去されバリヤリブ１２
ａ〜１２ｃが得られる（図１０の（Ｂ））。従来、上述
した技術を用いてバリヤリブを形成していた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
特開平４−５８４３８に開示されている方法でバリヤリ
ブの表面にプライミングスリットを形成しようとする
と、再度、フォトリソ工程およびサンドブラスト工程を
繰り返す必要がある。次に、従来の方法でプライミング
スリットを形成する場合につき図１０の（Ｃ）、図１
１、図１２および図１３を参照して説明する。

【００１０】図１０の（Ｂ）で形成されたバリヤリブ１
２ａ〜１２ｃを有する構造体の表面に再度、サンドブラ
スト耐性を有するレジスト層１８を形成する（図１０の
（Ｃ））。この時のレジスト層１８は、上述した図８の
（Ｃ）と同様なネガ型レジストを用いる。その後、プラ
イミングスリットが描かれているホトマスク２０をレジ
スト層１８に密着させ、所定の露光量で露光する（図１
１の（Ａ））。続いて、図８の（Ｄ）のときと同様な方
法で図１１の（Ａ）の構造体を現像定着し、レジストマ
スク１９を形成する（図１１の（Ｂ））。尚、図１１の
（Ｂ）は、レジストマスク１９の外観を示す斜視図であ
る。この図から明らかなようにレジストマスク１９の一
部には、プライミングスリット形成用溝２０が形成さ
れ、また、バリヤリブ用セル空間２１が形成される。

【００１１】次に、サンドブラストマシーンを用いて上
述した図１０の（Ａ）のときと同様な方法により、プラ
イミングスリット形成用溝２０およびセル空間部２１の
露出している部分を除去する（図１２の（Ａ））。この
ときバリヤリブ１７の外観を斜視図で示したのが図１３
の（Ａ）である。

【００１２】次に、上述した図１０の（Ｂ）と同様な方
法により試料の焼成を行って、レジストマスク１９を除
去する（図１２の（Ｂ））。このときのバリヤリブ１７
の外観を斜視図で示したのが図１３の（Ｂ）である。

【００１３】上述したように、従来は、フォトリソ工程
およびサンドブラスト工程を２回繰り返してプライミン
グスリットおよびバリヤリブを形成していた。従って、
製造工程における工程数は増加し、かつ、製造時間の増
大を招くという問題がある。

【００１４】また、マスク合わせも２度行う必要があ
り、位置ずれを起こす原因ともなっていた。

【００１５】この発明の目的は、上述した問題点に鑑み
行われたものであり、従って、この発明の目的は、製造
工程の回数の低減を可能にし、同時にマスク合わせも容
易なバリヤリブの形成方法を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明のバリヤリブ形成方法によれば、ガス放電
型表示パネルのセル空間を画成するバリヤリブとプライ
ミングスリットとをサンドブラスト法を用いて形成する
に当たり、バリヤリブとプリアミングスリットとを一回
のサンドブラスト工程により実質的に同時に形成するこ
とを特徴とする。

【００１７】また、好ましくは、誘電体層上にサンドブ
ラスト耐性を有するレジスト層を設け、このレジスト層
上にホトマスクをに密着させ、このホトマスクを用いて
前記レジスト層をパターニングしてレジストマスクを形
成し、然る後、サンドブラスト法により誘電体層を部分
的に除去することによりセル空間を画成するバリヤリブ
を形成するに当たり、（ａ）レジストマスク形成時に、
このレジストマスクの一部分であって前記プライミング
スリットが形成される領域に対応する部分にサンドブラ
ストに対して破壊され易い弱耐性領域を作り込む工程
と、（ｂ）前記弱耐性領域が形成されたレジストマスク
を用いて誘電体層に、一回のサンドブラスト工程によ
り、バイリヤリブとプライミングスリットを形成する工
程と、（ｃ）然る後、バリヤリブの表面に残存している
レジストマスクを除去する工程とを含むのが良い。

【００１８】また、好ましくは、この弱耐性領域を、前
記レジストマスクに前記誘電体層の表面を露出する複数
の穴が形成されている領域とするのが良い。

【００１９】また、好ましくは、この弱耐性領域を、前
記レジストマスクに高い部分と低い部分とから画成され
た段差を設けた領域をするのが良い。

【００２０】また、ホトマスクは、この弱耐性領域を具
えるレジストマスクを形成するためのホトマスクパター
ンを具えているのが良い。

【００２１】

【作用】上述したこの発明のバリヤリブの形成方法によ
れば、ガス放電型表示パネルのセル空間を画成するバリ
ヤリブとプライミングスリットを形成する場合、バリヤ
リブとプライミングスリットとを一回のサンドブラスト
工程により実質的に同時に形成する。このための製造工
程を以下に述べる。

【００２２】レジストマスク形成時に、このレジストマ
スクの一部分であってプライミングスリットが形成され
る領域に対応する部分にサンドブラストに対して破壊さ
れ易い弱耐性領域を作り込むのが良い。つまり、この弱
耐性領域は、所定の時間サンドが吹くつけられると破壊
されるような領域として形成する。

【００２３】更に、弱耐性領域が形成されたレジストマ
スクを用いて誘電体層に、一回のサンドブラスト工程に
より、バリヤリブとプライミングスリットとを形成す
る。

【００２４】このよな弱耐性領域をレジストマスクに作
り込むことによって、サンドブラストに対して弱耐性領
域の研磨または切削速度を遅くできる。この理由につき
図６および図７を参照して説明する。

【００２５】図６および図７は、サンドブラストによっ
て誘電体層が除去され、プライミングスリットが形成さ
れていく過程を示すモデル図である。尚、この図６およ
び図７は、後述するが、レジストマスクの一部分であっ
てプライミングスリットが形成されている長手方向に切
断した断面部を示している。

【００２６】このときパネルの構成は、以下の通りとす
る。５０はガラス基板、５２は誘電体層、５４ａ〜５４
ｃはレジストマスク、５６はレジストマスクの開口部で
ある（図６の（Ａ））。また、白丸５７は、サンド
（砂）の粒子を表している。

【００２７】サンドの粒子は、開口部５６を通って所定
の時間経過した後、誘電体層５２を除去する。このとき
形成される穴を５８とする（図６の（Ｂ））。続いて、
サンドブラストを継続していくと、次第に穴６０は大き
くなる。従って、穴６０と近接する穴６１との肉厚が薄
くなる（図６の（Ｃ））。このとき、それぞれの穴間に
は、レジストマスク５４が堆積された状態で残存してい
る。更に、サンドブラストを継続させた場合、レジスト
マクス５４ｂ、５４ｃ、５４ｄが破壊されて山型の突起
部分が除去されほぼ平らな溝６２が形成される。このと
き形成された溝６２がプライミングスリットとなる。こ
のように、レジストマスク５４ａ〜５４ｅの開口部５６
が狭い場合、開口部５６を通過するサンドの粒子の数が
減少するため、サンドブラストの研磨効率が低下するも
のと考えられている。

【００２８】一方、セル空間を形成する領域は、プライ
ミングスリット６２に比べて大きな開口部を有するため
（図６の（Ａ）で開口部５６が広くなっている場合を仮
定すれば良い。）、サンドブラストに対する研磨または
切削速度が速くなり、深い穴が形成されることになる。

【００２９】上述したことからも理解できるよに、セル
空間の開口部の大きい部分が先に除去され、続いて、所
定の時間の経過した後にプライミングスリット部分が形
成される。従って、この発明では、誘電体層に、一回の
サンドブラスト工程により深いセル空間を有するバリヤ
リブと浅い空間を有するプライミングスリットを実質的
に同時に形成できる。

【００３０】然る後、バリヤリブの表面に残存している
レジストマスクを除去する。また、レジストマスクの除
去も一回で済む。従って、従来のように、フォトリソ工
程とサンドブラスト工程を二回繰り返す必要がなくな
り、一回の工程でバリヤリブとプライミングスリットを
形成できるため、マスク合わせも一回で済む。

【００３１】また、弱耐性領域を、レジストマスクに誘
電体層の表面を露出する複数の穴が形成されている領域
とするのが良い。また、弱耐性領域をレジストマスクに
高い部分と低い部分とから画成された段差を設けた領域
とするのが良い。このような領域を形成することによっ
て、サンドブラストに対する誘電層を除去する研磨速度
を遅くできる。

【００３２】また、ホトマスクは、弱耐性領域を具える
レジストマスクを形成するためのホトマスクパターンを
具えているのが良い。このようなホトマスクを用いてレ
ジストマスクに、弱耐性領域を形成できる。

【００３３】

【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例の
バリヤリブの形成方法につき説明する。なお、この実施
例の説明に用いる各図は、この発明が理解できる程度に
各構成成分の形状、大きさおよび配置関係を概略的に示
してあるにすぎない。また、以下の説明で述べる材料、
膜厚、温度、時間および使用装置は、この発明の範囲内
の好適例に過ぎず、従って、この発明の条件がこれらの
条件のみに限定されるものではないことを理解された
い。

【００３４】この発明の実施例の形成工程につき、図
１、図２、図３および図４を参照して説明する。尚、図
１、図２は、要部の斜視図で示してあり、図３の（Ａ）
は要部平面図、図３の（Ｂ）は要部断面図で示してあ
る。また、図面では、レジストマスク、バリヤリブおよ
びプライミングスリットの構造の一部を示すにすぎない
が、実際には、複数個長手方向およびまたは長手方向と
直角する方向に多数形成されている。

【００３５】先ず、基板３０としては、例えば、ソーダ
ライムガラスを用いる。この基板３０上に誘電体ガラス
ペースト（例えばＤＵＰＯＮＴ社製９７４１番）を塗布
し、その後、１５０℃で１５分の乾燥を行って誘電体層
３２を形成する。このときの誘電体ガラスペーストの塗
布方法は、公知の技術である厚膜印刷法等を用いてベタ
印刷を行えば良い。

【００３６】次に、誘電体層３２上にドライレジストフ
イルム（例えば東京応化（株）製オーディルＢＦ２０１
またはＢＦ２０１）を任意好適な条件で圧着する。この
レジストフィルルム３４をレジスト層と称する。尚、レ
ジスト層３４の膜厚は、約５０μｍ程度とする。

【００３７】次に、レジスト層３４上にホトマスク３３
を密着させる（図１）。このホトマスク３３には、セル
空間形成用の光通過パターン２５、バリヤリブ形成用の
遮光パターン２７および弱耐性領域の形成のための光通
過および遮光の両パターン２９がそれぞれパターニング
されている。ここで、弱耐性領域とは、サンドブラスト
に対してサンドブラスト耐性を有する領域に比べてサン
ドブラストに対して研磨または切削され易い領域、すな
わち、弱い領域をいう。

【００３８】次に、ホトマスク３３を介在させてレジス
ト層３４を所定の露光量、例えばレジスト膜厚（μｍ）
×８０〜１００ｍＪ／ｃｍ²で、露光する。続いて、ホ
トマスク３３を除いてから、露光済の試料すなわち、レ
ジスト層に０．２重量％炭酸ナトリウム水溶液を低圧ス
プレーで吹きつけて現像を行い、その後、０．１重量％
塩酸を吹きつけてパターンを定着させ、レジストマスク
３９を形成する。このときの外観を斜視部で示したのが
図２である。このとき、レジストマスク３９の、ホトマ
スク３３のパターン２９に対応した部分に弱耐性領域３
５およびホトマスク３３のパターン２５に対応した部分
に開口部３７がそれぞれ形成される。尚、レジストマス
ク３９の開口部３７に露出した下面は、誘電体層３２で
ある。

【００３９】図２の弱耐性領域３５を拡大して示したの
が、図３の（Ａ）、（Ｂ）である。尚、図３の（Ｂ）
は、レジストホトマスク３９の平面に形成されている開
口部３７の部分をＹ−Ｙ線に沿って切断して示した断面
図である。このとき開口部３７として形成された穴の形
状を矩形とする。このときの穴の幅寸法Ｌ１と深さ寸法
Ｌ２をそれぞれ例えば４０μｍとする。

【００４０】レジストマスク３９には、プライミングス
リットが形成される領域に、例えば４つの穴３７が開け
てあり、この穴３７には誘電体層３２の表面が露出して
いる。

【００４１】次に、サンドブラストマシーンを用いて、
試料上にアルミナ粉末（不ニ製作所製Ｓ−２、８００番
〜１０００番）を吹きつける。尚、サンドブラストマシ
ーンは、例えば不ニ製作所製微粉型ブラストマシーンＳ
Ｃ−３を用いる。

【００４２】レジストマスク３９は、サンドブラスト耐
性を有してしいるため、レジストマスク３９の覆われて
いない誘電体層３２の部分が初めに物理的に除去され、
深い窪み４６を形成する。続いて、サンドブラストを約
２５分〜３５分行った後、レジストマスク３９の弱耐性
領域３５のレジストが物理的に破壊され、誘電体層３２
に部分的に浅い窪み４４が形成される（図４の
（Ａ））。このようにして、深い窪み４６が誘電セル空
間となる部分であり、この浅い窪み４４がプライミング
スリットとなる部分である。その後、任意適当なレジス
ト剥離液を用いてレジストマスク３９を剥離する。

【００４３】次に、この試料を焼成炉にて焼成する。こ
の実施例では、５８０℃の温度で１０分間保持される焼
成条件で焼成を行う。このような方法により、残存して
いるレジストマスク３９を除去する。レジストマスク３
９の下側に位置している誘電体層３２の上面側には、プ
ライミングスリット４４付のバリヤリブ４８が形成され
ている。このように、この発明の形成方法によれば、一
回のサンドブラスト工程で、バリヤリブ４８とプライミ
ングスリット４４とが実質的に同時に形成されることと
なる（図４の（Ｂ））。

【００４４】また、この発明の第２実施例では、レジス
トマスクの弱耐性領域を長方形型の穴３８を並列して形
成しても良い（図５の（Ａ））。

【００４５】また、この発明の第３実施例では、レジス
トマスクの弱耐性領域の形状を、台形の穴４０を配列し
て形成しても良い（図５の（Ｂ））。

【００４６】図５の（Ａ）および（Ｂ）に示した第２、
第３の実施例に用いるホトマスクは、弱耐性領域に設け
られる穴形状のパターンと同一のパターンで光通過部の
パターンを形成しておく必要がある。

【００４７】また、この発明の第４実施例は、レジスト
マスクの弱耐性領域をレジストマスクの他の部分よりも
肉厚の薄い部分として形成した例である。

【００４８】次に、第４実施例のレジストマスクを形成
する方法につき図５の（Ｃ）を参照して説明する。

【００４９】先ず、誘電体層３２上にポジ型のレジスト
を用いてレジスト層を形成する（図示せず）。その後、
ホトマスクを用いて露光する。このときプライミングス
リットに当たる部分は、細かい（例えば１〜２μｍ）の
光透過スリットまたは光透過ドットのパターンとする。
従って、光は完全遮断ではなく、わずかに透過するよう
にしてある。

【００５０】この時ホトマスクにより露光されたポジ型
レジスト層は、プライミングスリットに当たる部分のみ
が不完全露光状態となる。この後、現像を行ってレジス
ト層４２に高い部分４７と低い部分４９とから画成され
た段差を形成する。このスリット４３の領域が弱耐性領
域である。

【００５１】上述した説明からも理解できるように、こ
の発明の実施例では、一回のフォトリソ工程およびサン
ドブラスト工程でほぼ同時にバリヤリブとプライミング
スリットを形成することができる。従って、従来に比
べ、大幅な工程の低減化を図ることができる。また、こ
の工程の低減化に伴い、マスク合わせも一回で済むた
め、位置ズレの発生の改善にも寄与する。従って、歩留
の高い製品を作製できる。

【００５２】上述したレジストマスクの弱耐性領域のパ
ターンの寸法は、一例に過ぎず、穴の形状、深さ、乾燥
誘電体の硬度、ブラスト加圧、研磨粉の硬度、および研
磨粉の粒度等により様々なバリエーションがあるため、
設計値に応じて変えられる。従って、この弱耐性領域の
パターン寸法に何ら限定されるものではない。

【００５３】

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明のバリヤリブの形成方法によれば、ガス放電型表示
パネルのセル空間を画成するする時、バリヤリブとプラ
イミングスリットとを一回のサンドブラスト工程により
実質的に同時に形成する。

【００５４】すなわち、レジストマスク形成時に、この
レジストマスクの一部分にサンドブラストに対して破壊
され易い領域、すなわち弱耐性領域を作り込む。従っ
て、サンドブラストに対して、弱耐性領域のレジストマ
スクは、所定の時間経過した後、破壊される。更に、
弱耐性領域を有するレジストマスクを用いて、誘電体層
に、一回のサンドブラスト工程によりバリヤリブとプラ
イミングスリットを形成する。このため、従来のように
フォトリソ工程およびサンドブラスト工程を二回行う必
要がなくなり、一回の工程で済む。従って、著しい製造
コストの低減化を図ることができる。また、マスク合わ
せ工程も一回で済むため、マスク合わせによる位置ズレ
もなくなり、歩留も大幅に改善される。

【００５５】更に、バリヤリブの表面に残存しているレ
ジストマスクを除去する。この工程も従来のように二回
行う必要がなく、一回で済むため、製造工程の低減化に
居する。

【００５６】また、レジストマスクの弱耐性領域を、誘
電体層の表面を露出する複数の穴を形成した領域とする
こともできる。このよな弱耐性領域を有するため、サン
ドブラストに対して誘電体層を除去する研磨速度を遅く
できる。

【００５７】また、レジストマスクの弱耐性領域を、厚
みの異なる段差領域を設けた領域とすることもできる。
このよな弱耐性領域を有するため、サンドブラストに対
して誘電体層を除去する研磨速度を遅くできる。

【００５８】また、ホトマスクは、弱耐性領域を具える
レジストマスクを形成するためのホトマスクパターンを
具えている。このホトマスクを用いて、レジストマスク
に弱耐性領域を形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例のバリヤリブの形成工程
を説明するための部分的斜視図である。

【図２】図１に続く、この発明の第１実施例のバリヤリ
ブの形成工程を説明するための部分的斜視図である。

【図３】図２の弱耐性領域の説明に供する拡大図で、
（Ａ）は平面図および（Ｂ）は（Ａ）のＹ−Ｙ線断面図
である。

【図４】（Ａ）および（Ｂ）は、図２に続く、この発明
の第１実施例のバリヤリブの形成工程を説明するための
部分的斜視図である。

【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の第２実施例、第
３実施例および第４実施例の弱耐性領域の説明に供する
拡大図で、（Ａ）および（Ｂ）は部分的平面図、および
（Ｃ）は部分的平面図およびＸ−Ｘ断面図である。

【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、プライミングスリット部形
成のメカニズムを順次に説明するためのモデル図であ
る。

【図７】図６に続く、プライミングスリット部形成のメ
カニズムを説明するためのモデル図である。

【図８】（Ａ）〜（Ｄ）は、従来のバリヤリブの形成工
程の説明図である。

【図９】従来のレジストマスクを説明するための斜視図
である。

【図１０】（Ａ）〜（Ｃ）は、図８に続く、従来のバリ
ヤリブの形成工程を順次に説明するための図である。

【図１１】（Ａ）および（Ｂ）は、図１０に続く、従来
のバリヤリブの形成工程を順次に説明するための図であ
る。

【図１２】（Ａ）および（Ｂ）は、図１１に続く、従来
のバリヤリブの形成工程を順次に説明するための図であ
る。

【図１３】図１２の工程を斜視図で示した従来のバリヤ
リブの形成工程図である。

【符号の説明】

２５：セル空間形成用パターン２７：バリヤリブ形成用パターン２９：弱耐性領域パターン３０：ガラス基板３２：誘電体層３３：ホトマスク３４：レジスト層３５：弱耐性領域３６、３８、４０：穴３９、４２：レジストマスク４３：スリット４４：プライミングスリット４６：深いくぼみ４７：高い部分４８：バリヤリブ４９：低い部分５０：ガラス基板５２：誘電体層５４：レジストマスク５６：開口部５７：サンド粒子５８、６０、６１：穴６２：プライミングスリット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガス放電型表示パネルのセル空間を画成
するバリヤリブとプライミングスリットとをサンドブラ
スト法を用いて形成するに当たり、前記バリヤリブと前記プライミングスリットとを一回の
サンドブラスト工程により実質的に同時に形成すること
を特徴とするバリヤリブの形成方法。
【請求項２】誘電体層上にサンドブラスト耐性を有す
るレジスト層を設け、該レジスト層上にホトマスクを密
着させ、該ホトマスクを用いて前記レジスト層をパター
ニングしてレジストマスクを形成し、然る後、サンドブ
ラスト法により前記誘電体層を部分的に除去することに
よりセル空間を画成するバリヤリブを形成するに当た
り、（ａ）前記レジストマスク形成時に、該レジストマ
スクの一部分であって前記プライミングスリットが形成
される領域に対応する部分にサンドブラストに対して破
壊され易い弱耐性領域を作り込む工程と、（ｂ）前記弱
耐性領域が形成された前記レジストマスクを用いて前記
誘電体層に、一回のサンドブラスト工程により、バイリ
ヤリブとプライミングスリットを形成する工程と、
（ｃ）然る後、前記バリヤリブの表面に残存しているレ
ジストマスクを除去する工程とを含むことを特徴とする
バリヤリブの形成方法。
【請求項３】請求項２に記載の前記弱耐性領域を、前
記レジストマスクに前記誘電体層の表面を露出する複数
の穴が形成されている領域とすることを特徴とするバリ
ヤリブの形成方法。
【請求項４】請求項２に記載の前記弱耐性領域を、前
記レジストマスクに高い部分と低い部分とから画成され
た段差を設けた領域をすることを特徴とするバリヤリブ
の形成方法。
【請求項５】請求項２に記載の前記ホトマスクは、前
記弱耐性領域を具えるレジストマスクを形成するための
ホトマスクパターンを具えていることを特徴とするバリ
ヤリブの形成方法。