JPH11289123A - 固体相レ―ザ中の誘導放出媒質の熱光学的経路の差を最小にする方法及びその装置 - Google Patents
固体相レ―ザ中の誘導放出媒質の熱光学的経路の差を最小にする方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH11289123A JPH11289123A JP11038579A JP3857999A JPH11289123A JP H11289123 A JPH11289123 A JP H11289123A JP 11038579 A JP11038579 A JP 11038579A JP 3857999 A JP3857999 A JP 3857999A JP H11289123 A JPH11289123 A JP H11289123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stimulated emission
- temperature
- emission medium
- edge
- difference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/042—Arrangements for thermal management for solid state lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/0405—Conductive cooling, e.g. by heat sinks or thermo-electric elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0606—Crystal lasers or glass lasers with polygonal cross-section, e.g. slab, prism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08072—Thermal lensing or thermally induced birefringence; Compensation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/1317—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱歪みによって、誘導放出媒質内に熱による
寸法上の変形を生じさせる等の欠点を解決する、固体相
レーザビーム中の誘導放出媒質のOPDを正確に制御す
る方法及び装置を提供すること。 【解決手段】 励起中、光線を受け取る一対の側面12
と、一対の端縁面16とを有する誘導放出媒質10の励
起中、固体相レーザ中の誘導放出媒質の熱光学的経路の
差(OPD)を制御する方法は、OPDの略最小値であ
る、OPDminに対応する、側面と端縁面との間の温度
差、ΔTminを決定するステップと、OPDが略OPD
minに保たれるように、誘導放出媒質の励起中、略ΔT
minを保つステップとを備えている。この温度差は、誘
導放出媒質の端縁面における熱伝導を制御することによ
り保たれる。端縁面と側面との間の温度差を能動的に制
御し、この方法が自動的に行われるようにすることがで
きる。
寸法上の変形を生じさせる等の欠点を解決する、固体相
レーザビーム中の誘導放出媒質のOPDを正確に制御す
る方法及び装置を提供すること。 【解決手段】 励起中、光線を受け取る一対の側面12
と、一対の端縁面16とを有する誘導放出媒質10の励
起中、固体相レーザ中の誘導放出媒質の熱光学的経路の
差(OPD)を制御する方法は、OPDの略最小値であ
る、OPDminに対応する、側面と端縁面との間の温度
差、ΔTminを決定するステップと、OPDが略OPD
minに保たれるように、誘導放出媒質の励起中、略ΔT
minを保つステップとを備えている。この温度差は、誘
導放出媒質の端縁面における熱伝導を制御することによ
り保たれる。端縁面と側面との間の温度差を能動的に制
御し、この方法が自動的に行われるようにすることがで
きる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、国防省との契約第
DAAB07−91−C−K504に基づいて着想され
たものである。政府は、本発明に対する特定の権利を有
している。
DAAB07−91−C−K504に基づいて着想され
たものである。政府は、本発明に対する特定の権利を有
している。
【0002】本発明は、固体相レーザの分野、より具体
的には、誘導放出媒質中の光学的経路の差を制御する装
置に関する。
的には、誘導放出媒質中の光学的経路の差を制御する装
置に関する。
【0003】
【従来の技術】固体相レーザは、典型的に、スラブの幾
何学的形態をした誘導放出媒質を備えている。この誘導
放出媒質は、側面と、端縁面とを有している。レーザの
作動中、側面は、光線源により励起されてレーザビーム
を発生させる。この励起過程は、誘導放出媒質内に相当
な量の余剰な熱を発生させる。
何学的形態をした誘導放出媒質を備えている。この誘導
放出媒質は、側面と、端縁面とを有している。レーザの
作動中、側面は、光線源により励起されてレーザビーム
を発生させる。この励起過程は、誘導放出媒質内に相当
な量の余剰な熱を発生させる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来、この余剰な熱の
一部分を誘導放出媒質から除去して、その媒質の温度を
制御するため、側面及び端縁面の表面を冷却することが
利用されている。誘導放出媒質の全体に亙る温度分布
は、関係する熱歪み及び指数の変化を生じさせる温度勾
配を解消し得るように均一であることが理想的である。
熱歪みは、誘導放出媒質内に熱による寸法上の変形を生
じさせる。
一部分を誘導放出媒質から除去して、その媒質の温度を
制御するため、側面及び端縁面の表面を冷却することが
利用されている。誘導放出媒質の全体に亙る温度分布
は、関係する熱歪み及び指数の変化を生じさせる温度勾
配を解消し得るように均一であることが理想的である。
熱歪みは、誘導放出媒質内に熱による寸法上の変形を生
じさせる。
【0005】誘導放出媒質の厚さに亙る温度勾配は、誘
導放出媒質の長さに沿ってレーザビームをジグザグのパ
ターンにて通すことにより平均化される。誘導放出媒質
の幅を亙る温度勾配は、端縁面に配置された端縁制御バ
ーを使用して制御される。
導放出媒質の長さに沿ってレーザビームをジグザグのパ
ターンにて通すことにより平均化される。誘導放出媒質
の幅を亙る温度勾配は、端縁面に配置された端縁制御バ
ーを使用して制御される。
【0006】しかしながら、表面の冷却は、誘導放出媒
質内にて均一な温度を達成できず、誘導放出媒質の熱歪
みは、レーザビームに関係する有害な効果を生じさせ
る。その結果、公知の固体相レーザのレーザビームの品
質および平均的なパワー能力は制限される。熱による歪
み及び関係する熱による変形は、誘導放出媒質中に熱光
学的経路の差(OPD)を生じさせる。このOPDは、
レーザビームの異なる部分をその他の部分に対して誘導
放出媒質を通じて異なる速度にて走行させる。その結
果、レーザビームは、平坦でない波面を有する。
質内にて均一な温度を達成できず、誘導放出媒質の熱歪
みは、レーザビームに関係する有害な効果を生じさせ
る。その結果、公知の固体相レーザのレーザビームの品
質および平均的なパワー能力は制限される。熱による歪
み及び関係する熱による変形は、誘導放出媒質中に熱光
学的経路の差(OPD)を生じさせる。このOPDは、
レーザビームの異なる部分をその他の部分に対して誘導
放出媒質を通じて異なる速度にて走行させる。その結
果、レーザビームは、平坦でない波面を有する。
【0007】固体相レーザ装置の高性能を実現するため
に必要とされる高レベルの光学的品質を保つように、誘
導放出媒質中のOPDを制御することが重要である。O
PDが増加すると、レーザビームの平均パワーを制限
し、更に、レーザビームの品質を低下させることによ
り、レーザの性能を低下させる結果となる。OPDは、
OPDの正確な制御を必要とする位相の共役結合体又は
不安定な共振器のような特定の用途にレーザを使用する
のに不適当な高レベルに達する可能性がある。
に必要とされる高レベルの光学的品質を保つように、誘
導放出媒質中のOPDを制御することが重要である。O
PDが増加すると、レーザビームの平均パワーを制限
し、更に、レーザビームの品質を低下させることによ
り、レーザの性能を低下させる結果となる。OPDは、
OPDの正確な制御を必要とする位相の共役結合体又は
不安定な共振器のような特定の用途にレーザを使用する
のに不適当な高レベルに達する可能性がある。
【0008】このため、公知の技術の上述の欠点を解決
する、固体相レーザビーム中の誘導放出媒質のOPDを
正確に制御する方法及び装置が必要とされている。
する、固体相レーザビーム中の誘導放出媒質のOPDを
正確に制御する方法及び装置が必要とされている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、この必要を満
たす固体相レーザ中の誘導放出媒質の熱光学的経路の差
(OPD)を制御するための方法及び装置を提供するも
のである。この誘導放出媒質は、光源と、一対の端縁面
とにより光学的に励起される一対の側面を有している。
この方法は、OPDを制御するため誘導放出媒質の外面
を貫通する熱伝導を制御することを備えている。特に、
この方法は、誘導放出媒質中のOPDの平均値の略最小
のOPDminに対応する、側面と端縁面との間の温度
差、ΔTminを決定することを含む。
たす固体相レーザ中の誘導放出媒質の熱光学的経路の差
(OPD)を制御するための方法及び装置を提供するも
のである。この誘導放出媒質は、光源と、一対の端縁面
とにより光学的に励起される一対の側面を有している。
この方法は、OPDを制御するため誘導放出媒質の外面
を貫通する熱伝導を制御することを備えている。特に、
この方法は、誘導放出媒質中のOPDの平均値の略最小
のOPDminに対応する、側面と端縁面との間の温度
差、ΔTminを決定することを含む。
【0010】このΔTminの値は、所定の固体相レーザ
の形態について決定される。この形態に関し、ΔTmin
は、励起源の負荷(パルスの反復)サイクルと略独立的
であり、OPDminは、負荷サイクルのある範囲に亙っ
てΔTminの一定の値に略対応する。ΔTminは、1つの
負荷サイクルのレベルにて決定することができ、この温
度差は、同様に、励起源のその他の負荷サイクルにて決
定することができる。ΔTminは、予め決定し、又は、
これと代替的に、レーザ装置の作動中に決定してもよ
い。ΔTminがレーザの形態に関して決定されたなら
ば、誘導放出媒質の励起中、この温度差を保って、OP
Dを略OPDminに保つことができる。
の形態について決定される。この形態に関し、ΔTmin
は、励起源の負荷(パルスの反復)サイクルと略独立的
であり、OPDminは、負荷サイクルのある範囲に亙っ
てΔTminの一定の値に略対応する。ΔTminは、1つの
負荷サイクルのレベルにて決定することができ、この温
度差は、同様に、励起源のその他の負荷サイクルにて決
定することができる。ΔTminは、予め決定し、又は、
これと代替的に、レーザ装置の作動中に決定してもよ
い。ΔTminがレーザの形態に関して決定されたなら
ば、誘導放出媒質の励起中、この温度差を保って、OP
Dを略OPDminに保つことができる。
【0011】誘導放出媒質の端縁面と側面との間の温度
差ΔTは、端縁面における熱伝導を制御することにより
制御される。このことは、レーザ作動中、端縁面の少な
くとも1つと、誘導放出媒質の側面の少なくとも1つと
の温度を監視することと、略ΔTminを保つのに必要な
ように端縁面の温度を調整することとにより行われる。
差ΔTは、端縁面における熱伝導を制御することにより
制御される。このことは、レーザ作動中、端縁面の少な
くとも1つと、誘導放出媒質の側面の少なくとも1つと
の温度を監視することと、略ΔTminを保つのに必要な
ように端縁面の温度を調整することとにより行われる。
【0012】この方法を自動化し得るようにするため、
フィードバック回路を使用して、ΔTを能動的に制御す
ることができる。その結果、固体相レーザの作動中、自
動的にOPDminを保ち、これにより、均一で高品質の
レーザビームを発生させることを可能にする。
フィードバック回路を使用して、ΔTを能動的に制御す
ることができる。その結果、固体相レーザの作動中、自
動的にOPDminを保ち、これにより、均一で高品質の
レーザビームを発生させることを可能にする。
【0013】固体相レーザの作動中、誘導放出媒質のO
PDを制御する装置は、誘導放出媒質の端縁面の温度を
監視する少なくとも1つのセンサと、誘導放出媒質の側
面の温度を監視する少なくとも1つのセンサと、端縁面
と側面との間の温度差ΔTを決定すべく温度センサに接
続された手段と、ΔTが略ΔTminに等しく、また、O
PDが略OPDminに等しいように、端縁面の温度を制
御する手段とを備えている。
PDを制御する装置は、誘導放出媒質の端縁面の温度を
監視する少なくとも1つのセンサと、誘導放出媒質の側
面の温度を監視する少なくとも1つのセンサと、端縁面
と側面との間の温度差ΔTを決定すべく温度センサに接
続された手段と、ΔTが略ΔTminに等しく、また、O
PDが略OPDminに等しいように、端縁面の温度を制
御する手段とを備えている。
【0014】誘導放出媒質の端縁面の温度は、端縁制御
バーを使用して制御することができる。これらの端縁制
御バーは、端縁制御バーの形態に対応して端縁面を加熱
し且つ/又は冷却することができる。
バーを使用して制御することができる。これらの端縁制
御バーは、端縁制御バーの形態に対応して端縁面を加熱
し且つ/又は冷却することができる。
【0015】OPDは、従来の干渉計技術を使用して測
定することができる。
定することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の上記及びその他の特徴、
形態及び有利な点は、以下の説明、特許請求の範囲及び
添付図面から一層よく理解されよう。
形態及び有利な点は、以下の説明、特許請求の範囲及び
添付図面から一層よく理解されよう。
【0017】本発明は、固体相レーザ中の誘導放出媒質
内の熱光学的経路の差(OPD)を制御する方法及び装
置に関するものである。図1には、側面12と、端縁面
16と、端面14とを有する典型的な平行六面体の形状
のスラブ誘導放出媒質10が図示されている。誘導放出
媒質10は、長さLと、幅Wと、厚さTとを有してい
る。このレーザの作動中、側面12は、レーザビームB
を発生させ得るように、矢印Pで示すレーザダイオード
アレー又は閃光灯のような光源により光学的に励起され
る。このレーザビームBは、側面12からの内反射によ
り誘導放出媒質10に沿って長手方向にジグザグのパタ
ーンにて進む。この誘導放出媒質10は、典型的に、共
振器キャビティ内に配置されており、ミラー18は、端
面18に隣接して配置され、また、当該媒質10は共振
器キャビティにより発生されたレーザビームBを増幅す
るための増幅器として使用される。
内の熱光学的経路の差(OPD)を制御する方法及び装
置に関するものである。図1には、側面12と、端縁面
16と、端面14とを有する典型的な平行六面体の形状
のスラブ誘導放出媒質10が図示されている。誘導放出
媒質10は、長さLと、幅Wと、厚さTとを有してい
る。このレーザの作動中、側面12は、レーザビームB
を発生させ得るように、矢印Pで示すレーザダイオード
アレー又は閃光灯のような光源により光学的に励起され
る。このレーザビームBは、側面12からの内反射によ
り誘導放出媒質10に沿って長手方向にジグザグのパタ
ーンにて進む。この誘導放出媒質10は、典型的に、共
振器キャビティ内に配置されており、ミラー18は、端
面18に隣接して配置され、また、当該媒質10は共振
器キャビティにより発生されたレーザビームBを増幅す
るための増幅器として使用される。
【0018】側面12の励起は、誘導放出媒質10の温
度を上昇させる相当な量の熱を発生させる。誘導放出媒
質10の熱伝導率が一般に不良であり、また、不均一な
加熱効果のため、誘導放出媒質10中の温度プロファイ
ルは不均一となる。この不均一な温度プロファイルの結
果、誘導放出媒質10は熱により歪み且つ変形する。誘
導放出媒質10の熱による歪みの重要な効果は、誘導放
出媒質10の歪み及び寸法上の変化に起因する波面のそ
の他の部分に対して、誘導放出媒質10を貫通してより
高速度で走行する波面の一部分に起因して、誘導放出媒
質10を貫通して走行するレーザビームBの波面が歪む
ことである。この波面の速度が不均一であることは、平
坦でない波面を生じさせる。誘導放出媒質10は、光学
的経路の差(OPD)を有すると称される。このOPD
は、誘導放出媒質10の熱による歪みの増大に伴なって
増す。OPDが増大すると、所定のレーザビームの品質
について実現可能なレーザの平均的パワー出力を制限す
ることになる。
度を上昇させる相当な量の熱を発生させる。誘導放出媒
質10の熱伝導率が一般に不良であり、また、不均一な
加熱効果のため、誘導放出媒質10中の温度プロファイ
ルは不均一となる。この不均一な温度プロファイルの結
果、誘導放出媒質10は熱により歪み且つ変形する。誘
導放出媒質10の熱による歪みの重要な効果は、誘導放
出媒質10の歪み及び寸法上の変化に起因する波面のそ
の他の部分に対して、誘導放出媒質10を貫通してより
高速度で走行する波面の一部分に起因して、誘導放出媒
質10を貫通して走行するレーザビームBの波面が歪む
ことである。この波面の速度が不均一であることは、平
坦でない波面を生じさせる。誘導放出媒質10は、光学
的経路の差(OPD)を有すると称される。このOPD
は、誘導放出媒質10の熱による歪みの増大に伴なって
増す。OPDが増大すると、所定のレーザビームの品質
について実現可能なレーザの平均的パワー出力を制限す
ることになる。
【0019】OPDは、誘導放出媒質10の材料の組成
及び熱伝導率に依存する。誘導放出媒質10の熱伝導率
が低下するに伴い、表面の冷却技術により誘導放出媒質
10の温度勾配を制御する能力は低下し、OPDを制御
することを全体としてより難しくする。
及び熱伝導率に依存する。誘導放出媒質10の熱伝導率
が低下するに伴い、表面の冷却技術により誘導放出媒質
10の温度勾配を制御する能力は低下し、OPDを制御
することを全体としてより難しくする。
【0020】レーザビームBが側面12の間にて誘導放
出媒質10(すなわち、厚さのT方向)を貫通してジグ
ザグパターンにて伝播することは、厚さ方向への温度収
差(temperature aberration)
に対してレーザビームBを平均化することによりOPD
を低下させることになる。
出媒質10(すなわち、厚さのT方向)を貫通してジグ
ザグパターンにて伝播することは、厚さ方向への温度収
差(temperature aberration)
に対してレーザビームBを平均化することによりOPD
を低下させることになる。
【0021】誘導放出媒質10の熱による歪みは、励起
中、典型的に、誘導放出媒質10の表面冷却により更に
制御される。側面12を横断する(すなわち、誘導放出
媒質10の幅Wを横断する)温度プロファイルは、温度
分布が一元的であるように、均一であることが理想的で
ある。端縁面16を横断する(すなわち、誘導放出媒質
の厚さTを横断する)温度プロファイルは左右対称であ
ることが理想である。
中、典型的に、誘導放出媒質10の表面冷却により更に
制御される。側面12を横断する(すなわち、誘導放出
媒質10の幅Wを横断する)温度プロファイルは、温度
分布が一元的であるように、均一であることが理想的で
ある。端縁面16を横断する(すなわち、誘導放出媒質
の厚さTを横断する)温度プロファイルは左右対称であ
ることが理想である。
【0022】側面12は、その側面12の上に、水のよ
うな冷却液を流すことにより典型的に冷却される。側面
12は、典型的に、冷却液の温度の約−12°C(10
°F)内の表面温度にある。
うな冷却液を流すことにより典型的に冷却される。側面
12は、典型的に、冷却液の温度の約−12°C(10
°F)内の表面温度にある。
【0023】端縁面16の温度は、端縁面16へ且つ端
縁面16からの熱伝導を制御する端縁制御バー20によ
り典型的に制御される。この端縁制御バー20は、端縁
面16を加熱し且つ/又は冷却することにより誘導放出
媒質10の幅Wの方向への温度勾配を小さくする。該端
縁制御バー20は、端縁面16を加熱し且つ/又は冷却
するため、端縁制御バー20を通る選択した温度及び流
量にて液体又は気体を流すための流体回路を備えること
ができる。
縁面16からの熱伝導を制御する端縁制御バー20によ
り典型的に制御される。この端縁制御バー20は、端縁
面16を加熱し且つ/又は冷却することにより誘導放出
媒質10の幅Wの方向への温度勾配を小さくする。該端
縁制御バー20は、端縁面16を加熱し且つ/又は冷却
するため、端縁制御バー20を通る選択した温度及び流
量にて液体又は気体を流すための流体回路を備えること
ができる。
【0024】該端縁制御バー20は、端縁面16を加熱
するため選択随意的に電気的に加熱することができる。
該端縁制御バー20は、独立的に制御することができ
る。
するため選択随意的に電気的に加熱することができる。
該端縁制御バー20は、独立的に制御することができ
る。
【0025】本発明によれば、誘導放出媒質10の端縁
面16の温度Teと、側面12の温度Tsとの差ΔT(す
なわち、ΔT=Te−Ts)は、誘導放出媒質10の励起
中、OPDを制御し得るように制御することができる。
特に、OPDの最小値、OPDminに略対応するΔTの
値、ΔTminがある。ΔTminが所定のレーザ形態につい
て一度経験的に決定されたならば、次に、誘導放出媒質
10の励起中、OPDを略OPDminに保つため、温度
差を略ΔTminに保つことができる。
面16の温度Teと、側面12の温度Tsとの差ΔT(す
なわち、ΔT=Te−Ts)は、誘導放出媒質10の励起
中、OPDを制御し得るように制御することができる。
特に、OPDの最小値、OPDminに略対応するΔTの
値、ΔTminがある。ΔTminが所定のレーザ形態につい
て一度経験的に決定されたならば、次に、誘導放出媒質
10の励起中、OPDを略OPDminに保つため、温度
差を略ΔTminに保つことができる。
【0026】端縁制御バー20は、該バーが励起源によ
り発生された熱を吸収するのか又は反射するのかによっ
て、加熱し又は冷却する。端縁制御バー20が光学的に
吸収性であるならば、これらの端縁制御バーは、温度
差、ΔTminを保ち得るように、励起中、冷却する。端
縁制御バー20が光学的に反射性であるならば、これら
のバーは、温度差を保ち得るように、励起中、加熱す
る。
り発生された熱を吸収するのか又は反射するのかによっ
て、加熱し又は冷却する。端縁制御バー20が光学的に
吸収性であるならば、これらの端縁制御バーは、温度
差、ΔTminを保ち得るように、励起中、冷却する。端
縁制御バー20が光学的に反射性であるならば、これら
のバーは、温度差を保ち得るように、励起中、加熱す
る。
【0027】端縁面16の少なくとも1つと、側面16
の少なくとも1つとの温度差をそれぞれの温度センサ2
2、24を使用して監視することにより、端縁面24と
測面12との間の温度差ΔTを決定することができる。
センサ22は、両方の制御バー20上に配置し、更に、
センサ24は、図1に図示するように、両側面12の上
に配置することが好ましい。センサ22、24は、側面
12の冷却、及び端縁制御バー20の性能に伴う問題点
を検出することができる。センサ22、24は、例え
ば、温度と共に変化する抵抗値を有するサーミスタ等の
ような電気抵抗器とすることができる。図1に図示する
ように、端縁面16の温度を監視するセンサ22は、端
縁制御バー20の外面上に配置することができる。セン
サ22は、典型的に、端縁制御バー20の内側に配置さ
れる。センサ22は、端縁面16に対して可能な限り近
い位置に配置し、センサ22により測定された温度が端
縁面16の実際の温度に略等しいようにすることが好ま
しい。
の少なくとも1つとの温度差をそれぞれの温度センサ2
2、24を使用して監視することにより、端縁面24と
測面12との間の温度差ΔTを決定することができる。
センサ22は、両方の制御バー20上に配置し、更に、
センサ24は、図1に図示するように、両側面12の上
に配置することが好ましい。センサ22、24は、側面
12の冷却、及び端縁制御バー20の性能に伴う問題点
を検出することができる。センサ22、24は、例え
ば、温度と共に変化する抵抗値を有するサーミスタ等の
ような電気抵抗器とすることができる。図1に図示する
ように、端縁面16の温度を監視するセンサ22は、端
縁制御バー20の外面上に配置することができる。セン
サ22は、典型的に、端縁制御バー20の内側に配置さ
れる。センサ22は、端縁面16に対して可能な限り近
い位置に配置し、センサ22により測定された温度が端
縁面16の実際の温度に略等しいようにすることが好ま
しい。
【0028】端縁制御バー20の作用は、温度制御手段
によって制御される。図2を参照するとセンサ22、2
4は、それぞれの導電体26、28を介して、ΔT決定
手段30に接続されている。該ΔT決定手段30は、例
えば、電圧計等とすることができる。該ΔT決定手段3
0は、導電体32を介して、端縁面16における温度を
制御し得るように、制御手段34に接続されている。該
制御手段34は、導電体36を介して端縁制御バー20
に接続されている。該制御手段34は、ΔTに比例する
出力を端縁制御バー20に提供する比例式出力制御装置
のような装置とすることができる。該出力制御手段34
は、デジタル式に制御されるオン/オフスイッチ(図示
せず)を含むことができる。
によって制御される。図2を参照するとセンサ22、2
4は、それぞれの導電体26、28を介して、ΔT決定
手段30に接続されている。該ΔT決定手段30は、例
えば、電圧計等とすることができる。該ΔT決定手段3
0は、導電体32を介して、端縁面16における温度を
制御し得るように、制御手段34に接続されている。該
制御手段34は、導電体36を介して端縁制御バー20
に接続されている。該制御手段34は、ΔTに比例する
出力を端縁制御バー20に提供する比例式出力制御装置
のような装置とすることができる。該出力制御手段34
は、デジタル式に制御されるオン/オフスイッチ(図示
せず)を含むことができる。
【0029】典型的に、誘導放出媒質10は、双方の側
面12にて略同一の方法にて励起され、その双方の側面
12は、側面12の温度が略等しいように冷却される。
従って、側面12の一方の温度のみを測定し、また、も
う一方の側面12がこれと等しい温度であると仮定すれ
ば、典型的に十分である。レーザの形態のため、側面1
2の一方のみが励起されるレーザにおいて、励起されな
い側面12の近似的な温度は、励起した面の測定温度か
ら推測することができる。次に、測定温度と平均温度の
ような推測温度との幾つかの選択した関係に基づいて、
側面12の温度を決定することができる。
面12にて略同一の方法にて励起され、その双方の側面
12は、側面12の温度が略等しいように冷却される。
従って、側面12の一方の温度のみを測定し、また、も
う一方の側面12がこれと等しい温度であると仮定すれ
ば、典型的に十分である。レーザの形態のため、側面1
2の一方のみが励起されるレーザにおいて、励起されな
い側面12の近似的な温度は、励起した面の測定温度か
ら推測することができる。次に、測定温度と平均温度の
ような推測温度との幾つかの選択した関係に基づいて、
側面12の温度を決定することができる。
【0030】同様に、誘導放出媒質10の端縁面16の
温度は、典型的に、略等しく、このため、端縁面16の
一方の温度のみを測定すれば十分である。平均温度、又
は、2つの端縁面14の間の幾つかのその他の選択した
関係は、端縁面16の双方の温度を制御しないレーザに
て決定することができる。
温度は、典型的に、略等しく、このため、端縁面16の
一方の温度のみを測定すれば十分である。平均温度、又
は、2つの端縁面14の間の幾つかのその他の選択した
関係は、端縁面16の双方の温度を制御しないレーザに
て決定することができる。
【0031】OPDは、マック−ゼンダー(Mach−
Zehnder)干渉計等のような従来の干渉計を使用
して決定することができる。
Zehnder)干渉計等のような従来の干渉計を使用
して決定することができる。
【0032】ΔTmin及びOPDminの値は、予め決定す
るか、又はレーザ装置が、実際に、幾つかの機能を果た
すように作動しているときに、決定することができる。
これら2つの値は、予め決定することが好ましい。以下
に説明するように、所定のレーザ形態についてΔTmin
の値が決定されたならば、この値は、誘導放出媒質10
の異なる励起状態にてOPDを最適にするように使用す
ることができる。
るか、又はレーザ装置が、実際に、幾つかの機能を果た
すように作動しているときに、決定することができる。
これら2つの値は、予め決定することが好ましい。以下
に説明するように、所定のレーザ形態についてΔTmin
の値が決定されたならば、この値は、誘導放出媒質10
の異なる励起状態にてOPDを最適にするように使用す
ることができる。
【0033】ΔTminの値は、端縁面センサ22の位置
と端縁面との間の距離、端縁制御バー20を端縁面16
に結合するために使用される結合材料の組成、誘導放出
媒質10の組成を含む、種々のファクタによって決ま
る。レーザの形態が変更されると、ΔTminの値もま
た、変化する可能性がある。
と端縁面との間の距離、端縁制御バー20を端縁面16
に結合するために使用される結合材料の組成、誘導放出
媒質10の組成を含む、種々のファクタによって決ま
る。レーザの形態が変更されると、ΔTminの値もま
た、変化する可能性がある。
【0034】図1に図示するような形態を有するNd:
YAGスラブ誘導放出媒質に対するΔTminの値を決定
するための試験を行った。誘導放出媒質の側面は、20
Hz、30Hz、40Hzの負荷(パルス反復)サイク
ル時に、また、ダイオードレーザをオフにして静的状態
下にて、ダイオードレーザアレーにより励起させた。誘
導放出媒質の側面は、水で冷却した。双方の端縁面の温
度は、端縁制御バーを使用して制御した。温度センサ
は、端縁近くの側面の各々の略中心に且つ端縁制御バー
の各々に配置した。OPDは、He−Neレーザを含
む、マック−ゼンダー干渉計を使用して測定した。
YAGスラブ誘導放出媒質に対するΔTminの値を決定
するための試験を行った。誘導放出媒質の側面は、20
Hz、30Hz、40Hzの負荷(パルス反復)サイク
ル時に、また、ダイオードレーザをオフにして静的状態
下にて、ダイオードレーザアレーにより励起させた。誘
導放出媒質の側面は、水で冷却した。双方の端縁面の温
度は、端縁制御バーを使用して制御した。温度センサ
は、端縁近くの側面の各々の略中心に且つ端縁制御バー
の各々に配置した。OPDは、He−Neレーザを含
む、マック−ゼンダー干渉計を使用して測定した。
【0035】図3を参照すると、ΔTminの値は、レー
ザ形態の4つの試験状態の各々に対して約0℃であっ
た。OPDminの値は、この温度にてHe−Neレーザ
の約1.5波長(波の山−波の谷)であった。従って、
試験結果から、所定のレーザ形態について、ΔTminの
値は、励起源の異なる負荷サイクルについて決定する必
要はなく、ΔTminは、また、その他の励起状態下にて
OPDを略OPDminに保つために適用することもでき
る。
ザ形態の4つの試験状態の各々に対して約0℃であっ
た。OPDminの値は、この温度にてHe−Neレーザ
の約1.5波長(波の山−波の谷)であった。従って、
試験結果から、所定のレーザ形態について、ΔTminの
値は、励起源の異なる負荷サイクルについて決定する必
要はなく、ΔTminは、また、その他の励起状態下にて
OPDを略OPDminに保つために適用することもでき
る。
【0036】所定のレーザ形態についてある範囲の負荷
サイクルに亙ってΔTminの略一定の値を保つことによ
り、誘導放出媒質の端縁面と側面との間の温度差を能動
的に制御し、図2に図示するような自動的なフィードバ
ック回路を有する温度制御装置を使用して、本発明の方
法を自動化できるようにする。その結果、OPD
minは、固体相レーザの作動中、正確に保って、これに
より、均一で高品質のレーザビームを発生させることを
可能にし、このことは、広範囲の適用例、特に、OPD
を正確に制御することを必要とする用途にて有利なこと
である。
サイクルに亙ってΔTminの略一定の値を保つことによ
り、誘導放出媒質の端縁面と側面との間の温度差を能動
的に制御し、図2に図示するような自動的なフィードバ
ック回路を有する温度制御装置を使用して、本発明の方
法を自動化できるようにする。その結果、OPD
minは、固体相レーザの作動中、正確に保って、これに
より、均一で高品質のレーザビームを発生させることを
可能にし、このことは、広範囲の適用例、特に、OPD
を正確に制御することを必要とする用途にて有利なこと
である。
【0037】本発明は、その特定の好適な実施の形態に
関して相当、詳細に説明したが、その他の実施の形態も
可能である。このため、特許請求の範囲は、本明細書に
含めた好適な実施の形態の説明にのみ限定されるべきで
はない。
関して相当、詳細に説明したが、その他の実施の形態も
可能である。このため、特許請求の範囲は、本明細書に
含めた好適な実施の形態の説明にのみ限定されるべきで
はない。
【図1】励起中、端縁面及び側面の温度を測定する位置
に配置された温度センサを示す、その側面にて光学的に
励起される固体相レーザ中のジグザグの固体誘導放出媒
質の概略図である。
に配置された温度センサを示す、その側面にて光学的に
励起される固体相レーザ中のジグザグの固体誘導放出媒
質の概略図である。
【図2】温度センサと、温度制御手段と、端縁制御バー
との間のループを示す概略図的なブロック図である。
との間のループを示す概略図的なブロック図である。
【図3】OPDの最小値を示す、励起源の負荷サイクル
の範囲に亙って、光学的経路の差(OPD)対誘導放出
媒質の端縁面と側面との間の温度差(ΔT)の実験デー
タのプロット図である。
の範囲に亙って、光学的経路の差(OPD)対誘導放出
媒質の端縁面と側面との間の温度差(ΔT)の実験デー
タのプロット図である。
10 スラブ誘導放出媒質 12 側面 14 端面 16 端縁面 18 ミラー 20 端縁制御バー 22、24 温度センサ 26、28、32、3
6 導電体 30 ΔT決定手段 34 制御手段 B レーザビーム L 誘導放出媒質の長
さ T 誘導放出媒質の厚さ Te 端縁面の温度 Ts 側面の温度 W 誘導放出媒質の幅
6 導電体 30 ΔT決定手段 34 制御手段 B レーザビーム L 誘導放出媒質の長
さ T 誘導放出媒質の厚さ Te 端縁面の温度 Ts 側面の温度 W 誘導放出媒質の幅
Claims (14)
- 【請求項1】 固体相レーザ中の誘導放出媒質であっ
て、外面を有する誘導放出媒質の熱光学的経路の差を最
小にする方法において、光学的経路の差を最小にし得る
ように、誘導放出媒質の光学的励起中に、誘導放出媒質
の外面を横断する熱伝導を制御するステップを備える、
方法。 - 【請求項2】 固体相レーザ中の誘導放出媒質であっ
て、励起中、光線を受け取る一対の側面と、一対の端縁
面とを有する誘導放出媒質の熱光学的経路の差を制御す
る方法において、誘導放出媒質の励起中、側面と端縁面
との間に、誘導放出媒質の光学的経路の差における略最
小値である、OPDminに対応する、温度差、ΔTminを
保つステップを備える、方法。 - 【請求項3】 請求項2に記載の方法において、温度差
を保つステップが、励起中、誘導放出媒質の端縁面の少
なくとも1つの温度を監視することと、略ΔTminの温
度差を保ち得るように端縁面の各々における温度を調節
することとを備える、方法。 - 【請求項4】 請求項3に記載の方法において、温度差
を保つステップが、励起中、誘導放出媒質の端縁面の温
度を監視する方法を備える、方法。 - 【請求項5】 請求項2に記載の方法において、温度差
を保つステップが、励起中、少なくとも1つの端縁及び
誘導放出媒質の少なくとも1つの側面の温度を監視する
ことと、略ΔTminの温度差を保ち得るように端縁面の
各々における温度を調節することとを備える、方法。 - 【請求項6】 固体相レーザ中の誘導放出媒質であっ
て、励起中、光線を受け取る一対の側面と、一対の端縁
面とを有する誘導放出媒質の熱光学的経路の差を能動的
に制御する方法において、 a)励起中、誘導放出媒質の端縁面の温度及び側面の温
度を監視するステップと、 b)励起中、誘導放出媒質の光学的経路の差の略最小値
である、OPDminに対応する、側面と端縁面との間の
温度差、ΔTminを保ち得るように、端縁面の温度を能
動的に制御するステップとを備える、方法。 - 【請求項7】 固体相レーザ中の誘導放出媒質であっ
て、励起中、光線を受け取る一対の側面と、一対の端縁
面とを有する誘導放出媒質の温度分布状態を制御する方
法において、励起中、誘導放出媒質中の光学的経路の差
の略最小値である、OPDminに対応する、誘導放出媒
質内の温度分布状態を実現し得るように、側面の温度に
対して端縁面の温度を制御するステップを備える、方
法。 - 【請求項8】 請求項7に記載の方法において、温度の
制御ステップが、励起中、端縁面の温度を制御し且つO
PDminの光学的経路の差を保ち得るように、誘導放出
媒質の少なくとも1つの端縁面の熱伝導を制御すること
を備える、方法。 - 【請求項9】 請求項7に記載の方法において、温度の
制御ステップが、励起中、誘導放出媒質の双方の端縁面
における熱伝導を制御することを備える、方法。 - 【請求項10】 固体相レーザ中の誘導放出媒質であっ
て、励起中、光線を受け取る対向した一対の側面と、対
向した一対の端縁面とを有する誘導放出媒質中の熱光学
的経路の差を制御する装置において、 a)各々が誘導放出媒質の端縁面の一方の温度を監視す
る、少なくとも1つの端縁面センサと、 b)各々が誘導放出媒質の側面の一方の温度を監視す
る、少なくとも1つの側面センサと、 c)誘導放出媒質の励起中、端縁面と側面との間の温度
差、ΔTを制御し、誘導放出媒質中の光学的経路の差が
略最小値である、OPDminに保たれるように、端縁面
センサ及び側面センサに接続された温度制御手段とを備
える、装置。 - 【請求項11】 請求項10に記載の装置において、温
度制御手段が、 i)ΔTを決定し得るように端縁面センサ及び側面セン
サに接続された温度差の決定手段と、 ii)レーザの作動中、端縁面の温度を能動的に制御
し、誘導放出媒質中の光学的経路の差が略OPDminに
保たれるように、温度差の決定手段に接続された端縁面
の温度制御手段とを備える、装置。 - 【請求項12】 固体相レーザにおいて、 a)対向した一対の側面と、対向した一対の端縁面とを
有する誘導放出媒質と、 b)誘導放出媒質の側面を光学的に励起する励起源と、 c)各々が誘導放出媒質の端縁面の一方の温度を監視す
る、少なくとも1つの端縁面センサと、 d)各々が誘導放出媒質の側面の一方の温度を監視す
る、少なくとも1つの側面センサと、 e)誘導放出媒質の励起中、端縁面と側面との間の温度
差、ΔTを制御し、誘導放出媒質中の光学的経路の差が
略最小値である、OPDminに保たれるように、端縁面
センサ及び側面センサに接続された温度制御手段とを備
える、装置。 - 【請求項13】 請求項12に記載の固体相レーザにお
いて、一対の端縁面センサと、一対の側面センサとを備
える、固体相レーザ。 - 【請求項14】 請求項12に記載の固体相レーザにお
いて、温度制御手段が、 i)ΔTを決定し得るように、端縁面センサ及び側面セ
ンサに接続された温度差の決定手段と、 ii)レーザの作動中、端縁面の温度を能動的に制御
し、誘導放出媒質中の光学的経路の差が約OPDminに
保たれるように、温度差の決定手段に接続された端縁面
の温度制御手段とを備える、装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US024137 | 1998-02-17 | ||
US09/024,137 US6034977A (en) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | Optical path difference control system and method for solid state lasers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11289123A true JPH11289123A (ja) | 1999-10-19 |
JP3062487B2 JP3062487B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=21819046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11038579A Expired - Fee Related JP3062487B2 (ja) | 1998-02-17 | 1999-02-17 | 固体相レ―ザ中の誘導放出媒質の熱光学的経路の差を最小にする方法及びその装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6034977A (ja) |
EP (1) | EP0936708B1 (ja) |
JP (1) | JP3062487B2 (ja) |
DE (1) | DE69933722T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006196882A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-07-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 光増幅器、レーザ発振器およびmopaレーザ装置 |
JP2011176257A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 平面導波路型レーザ装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6418156B1 (en) * | 1998-11-12 | 2002-07-09 | Raytheon Company | Laser with gain medium configured to provide an integrated optical pump cavity |
US8803027B2 (en) * | 2006-06-05 | 2014-08-12 | Cymer, Llc | Device and method to create a low divergence, high power laser beam for material processing applications |
CN100452571C (zh) * | 2006-12-13 | 2009-01-14 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 倍频晶体温度梯度补偿法控温装置 |
US10088697B2 (en) * | 2015-03-12 | 2018-10-02 | International Business Machines Corporation | Dual-use electro-optic and thermo-optic modulator |
FR3049122B1 (fr) * | 2016-03-21 | 2018-07-06 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif d'amplification laser a controle actif de la qualite de faisceau |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01268080A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 固体レーザ装置 |
JPH02159779A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-19 | General Electric Co <Ge> | 固体レーザの歪みを減少する方法とレーザ装置 |
JPH03204984A (ja) * | 1989-10-12 | 1991-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 固体レーザ装置 |
JPH0437180A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | レーザ発振装置 |
JPH05226732A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Hitachi Ltd | スラブレーザ装置とその熱レンズ効果抑制方法及びレーザ加工装置 |
JPH05343765A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Fuji Electric Co Ltd | スラブ形固体レーザ装置 |
JPH0645667A (ja) * | 1992-05-29 | 1994-02-18 | Hoya Corp | 固体レーザ装置 |
JPH0677563A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 固体レーザ装置 |
JPH06310782A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Hitachi Ltd | スラブ形固体レーザ装置 |
JPH1093169A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-04-10 | Trw Inc | ダイオードレーザでポンピングされる固体レーザ利得モジュール |
JPH11163452A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Nec Corp | 固体レーザ装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3679999A (en) * | 1970-06-12 | 1972-07-25 | Gen Electric | Laser cooling method and apparatus |
DD226172A3 (de) * | 1983-02-24 | 1985-08-14 | Halle Feinmech Werke Veb | Anordnung zur stabilisierung der ausgangsparameter eines gefalteten laserresonators |
US4563763A (en) * | 1983-08-22 | 1986-01-07 | Board Of Trustees, Leland Stanford University | Method and apparatus for cooling a slab laser |
US4637028A (en) * | 1984-08-02 | 1987-01-13 | Hughes Aircraft Company | Conductively cooled laser rod |
US4782492A (en) * | 1986-05-05 | 1988-11-01 | Polaroid Corporation | Thermally controllable optical devices and system |
US4823348A (en) * | 1986-06-03 | 1989-04-18 | Optra, Inc. | Laser stabilization device |
US4761789A (en) * | 1986-07-31 | 1988-08-02 | Amada Engineering & Service Co., Inc. | Cooling method for a slab-geometry solid state laser medium and a laser device which employs that cooling method |
US4949346A (en) * | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Allied-Signal Inc. | Conductively cooled, diode-pumped solid-state slab laser |
US5084898A (en) * | 1990-12-18 | 1992-01-28 | Raytheon Company | Passive pathlength control mirror for laser |
US5546416A (en) * | 1995-04-10 | 1996-08-13 | Northrop Grumman Corporation | Cooling system and mounting for slab lasers and other optical devices |
US5774489A (en) * | 1996-03-28 | 1998-06-30 | Schwartz Electro-Optics, Inc. | Transversely pumped solid state laser |
DE19620594A1 (de) * | 1996-05-22 | 1997-11-27 | Sel Alcatel Ag | Resonator für elektromagnetische Wellen mit einer Stabilisierungseinrichtung und Verfahren zum Stabilisieren der Resonatorlänge |
-
1998
- 1998-02-17 US US09/024,137 patent/US6034977A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-02-05 EP EP99102316A patent/EP0936708B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-05 DE DE69933722T patent/DE69933722T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-02-17 JP JP11038579A patent/JP3062487B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01268080A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 固体レーザ装置 |
JPH02159779A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-19 | General Electric Co <Ge> | 固体レーザの歪みを減少する方法とレーザ装置 |
JPH03204984A (ja) * | 1989-10-12 | 1991-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 固体レーザ装置 |
JPH0437180A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | レーザ発振装置 |
JPH05226732A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Hitachi Ltd | スラブレーザ装置とその熱レンズ効果抑制方法及びレーザ加工装置 |
JPH0645667A (ja) * | 1992-05-29 | 1994-02-18 | Hoya Corp | 固体レーザ装置 |
JPH05343765A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Fuji Electric Co Ltd | スラブ形固体レーザ装置 |
JPH0677563A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 固体レーザ装置 |
JPH06310782A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Hitachi Ltd | スラブ形固体レーザ装置 |
JPH1093169A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-04-10 | Trw Inc | ダイオードレーザでポンピングされる固体レーザ利得モジュール |
JPH11163452A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Nec Corp | 固体レーザ装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006196882A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-07-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 光増幅器、レーザ発振器およびmopaレーザ装置 |
JP2011176257A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 平面導波路型レーザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0936708B1 (en) | 2006-10-25 |
US6034977A (en) | 2000-03-07 |
EP0936708A2 (en) | 1999-08-18 |
EP0936708A3 (en) | 2000-10-04 |
DE69933722T2 (de) | 2007-02-22 |
JP3062487B2 (ja) | 2000-07-10 |
DE69933722D1 (de) | 2006-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4852109A (en) | Temperature control of a solid state face pumped laser slab by an active siderail | |
US7791790B2 (en) | Wavelength converter | |
JP3062487B2 (ja) | 固体相レ―ザ中の誘導放出媒質の熱光学的経路の差を最小にする方法及びその装置 | |
JPH11174391A (ja) | 光変調装置 | |
US20080037601A1 (en) | Avoiding temperature-related faults of a laser by temperature adjustment | |
RU2071886C1 (ru) | Устройство для пайки и распайки | |
JPH05226732A (ja) | スラブレーザ装置とその熱レンズ効果抑制方法及びレーザ加工装置 | |
JPH09179078A (ja) | 光遅延装置 | |
JPH01170838A (ja) | 屈折率測定装置 | |
JPH08220406A (ja) | 恒温ホルダーおよびこれを用いた光学装置 | |
JP3269438B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP2003075877A (ja) | レーザ光源及び非線型光学素子の温度制御方法 | |
JP4114260B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
JPH05204011A (ja) | レーザ光波長変換装置及びレーザ装置 | |
Moghaddam et al. | Experimental investigation of thermal lens effect in a flashlamp pumped CTH: YAG laser rod | |
JPH11307859A (ja) | 固体レーザ装置 | |
JPH0437180A (ja) | レーザ発振装置 | |
US5848081A (en) | Insulated water cooled gain medium assembly for a laser system | |
JPH10242546A (ja) | 光学素子の温度制御装置及びレーザ発振器 | |
JP3841657B2 (ja) | 光分散等化器 | |
JP2003215369A (ja) | 熱光学光導波路デバイス | |
KR200182823Y1 (ko) | 유리용융로 | |
JPH10284582A (ja) | 半導体基板の温度調節器及び半導体基板の冷却方法 | |
Sun et al. | Pump uniformity and temperature profile measurements in a planar waveguide Nd: YAG laser by a beam deflection method | |
JPH09106882A (ja) | セラミックヒータの温度制御機構 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |