JPH09106882A - セラミックヒータの温度制御機構 - Google Patents
セラミックヒータの温度制御機構Info
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- JPH09106882A JPH09106882A JP26438195A JP26438195A JPH09106882A JP H09106882 A JPH09106882 A JP H09106882A JP 26438195 A JP26438195 A JP 26438195A JP 26438195 A JP26438195 A JP 26438195A JP H09106882 A JPH09106882 A JP H09106882A
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- ceramic heater
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- ceramic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】複写機等の定着装置のセラミックヒータにおい
て、発熱体に対する給電電力を、最高温度部と最低温度
部との温度差に基づいて制御することで、セラミックヒ
ータの熱による歪みや割れを防止する。 【解決手段】セラミック基板１に発熱体２を設け、これ
に給電を行って加熱する。最高温度部、最低温度部に感
熱素子４、５を配置し、引き算回路１０、比較器１１等
を介して、両感熱素子４、５の温度差が基準値を超えた
ことを検知した場合、トライアック制御回路１６に、ト
ライアック１７をＯＦＦする信号を出力する。これによ
り、抵抗体２に対する給電が停止される。
て、発熱体に対する給電電力を、最高温度部と最低温度
部との温度差に基づいて制御することで、セラミックヒ
ータの熱による歪みや割れを防止する。 【解決手段】セラミック基板１に発熱体２を設け、これ
に給電を行って加熱する。最高温度部、最低温度部に感
熱素子４、５を配置し、引き算回路１０、比較器１１等
を介して、両感熱素子４、５の温度差が基準値を超えた
ことを検知した場合、トライアック制御回路１６に、ト
ライアック１７をＯＦＦする信号を出力する。これによ
り、抵抗体２に対する給電が停止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はセラミック基板上に
形成された、抵抗体に通電することにより発熱する、セ
ラミックヒータの温度制御機構に関する。
形成された、抵抗体に通電することにより発熱する、セ
ラミックヒータの温度制御機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、複写機等の定着装置において、記
録材上の未定着トナーを加熱定着させるヒータとして、
セラミックヒータが知られている。このセラミックヒー
タは、セラミック基板上に銀パラジウム等の抵抗体（発
熱体）を設けて構成し、さらに、抵抗体の近傍にサーミ
スタ等の感熱素子を配置し、その温度情報に基づいて発
熱体に対する給電を制御しながら、まず、必要温度まで
昇温させ、その後、一定温度に保持するようにしてい
る。
録材上の未定着トナーを加熱定着させるヒータとして、
セラミックヒータが知られている。このセラミックヒー
タは、セラミック基板上に銀パラジウム等の抵抗体（発
熱体）を設けて構成し、さらに、抵抗体の近傍にサーミ
スタ等の感熱素子を配置し、その温度情報に基づいて発
熱体に対する給電を制御しながら、まず、必要温度まで
昇温させ、その後、一定温度に保持するようにしてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般暖
房機用としてではなく、複写機等の定着用として使用す
る、すなわち、高速で必要温度まで昇温させ、かつ一日
の内での昇温サイクルが多い用途では、セラミックヒー
タに対する温度サイクルが多いため、セラミック基板の
割れや欠けの発生を助長し、セラミックヒータの寿命を
短くするという問題を有していた。
房機用としてではなく、複写機等の定着用として使用す
る、すなわち、高速で必要温度まで昇温させ、かつ一日
の内での昇温サイクルが多い用途では、セラミックヒー
タに対する温度サイクルが多いため、セラミック基板の
割れや欠けの発生を助長し、セラミックヒータの寿命を
短くするという問題を有していた。
【０００４】この問題は、基板となるセラミックの熱膨
張係数と抵抗体の熱膨張係数とが異なることに起因す
る。熱膨張係数は、一般的に、セラミックは小さく、銀
パラジウム等の抵抗体は大きい。
張係数と抵抗体の熱膨張係数とが異なることに起因す
る。熱膨張係数は、一般的に、セラミックは小さく、銀
パラジウム等の抵抗体は大きい。
【０００５】セラミックに近い熱膨張係数を有し、かつ
安価な抵抗体は、現在においては無く、また、昇温方法
でセラミックヒータの延命を図ろうとすると、昇温速度
を低下させることとなり、これは複写機等の定着用の用
途においては、重大な欠点となる。
安価な抵抗体は、現在においては無く、また、昇温方法
でセラミックヒータの延命を図ろうとすると、昇温速度
を低下させることとなり、これは複写機等の定着用の用
途においては、重大な欠点となる。
【０００６】そこで、本発明は、セラミックヒータの歪
みを抑制しつつ、実使用においての高速昇温を可能にし
たセラミックヒータの温度制御機構を提供することを目
的とするものである。
みを抑制しつつ、実使用においての高速昇温を可能にし
たセラミックヒータの温度制御機構を提供することを目
的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みてなされたものであって、セラミック基板と、該セラ
ミック基板上に設けられた発熱体とを有し、該発熱体に
対する給電によって加熱されるセラミックヒータの温度
制御機構において、前記セラミック基板上の部位のうち
の加熱時に最も温度が高くなる最高温度部に配置された
第１の感熱素子と、前記セラミック基板上の部位のうち
の加熱時に最も温度が低くなる最低温度部に配置された
第２の感熱素子と、これら第１の感熱素子と第２の感熱
素子との温度信号差を検出する温度差検出手段と、該温
度差検出手段が検出する温度信号差が基準値を超えたと
きに、前記発熱体への給電の停止又は低減を行う制御手
段と、を備える、ことを特徴とする。
みてなされたものであって、セラミック基板と、該セラ
ミック基板上に設けられた発熱体とを有し、該発熱体に
対する給電によって加熱されるセラミックヒータの温度
制御機構において、前記セラミック基板上の部位のうち
の加熱時に最も温度が高くなる最高温度部に配置された
第１の感熱素子と、前記セラミック基板上の部位のうち
の加熱時に最も温度が低くなる最低温度部に配置された
第２の感熱素子と、これら第１の感熱素子と第２の感熱
素子との温度信号差を検出する温度差検出手段と、該温
度差検出手段が検出する温度信号差が基準値を超えたと
きに、前記発熱体への給電の停止又は低減を行う制御手
段と、を備える、ことを特徴とする。
【０００８】また、前記制御装置は、低温時には前記温
度差検出手段の温度信号差により前記発熱体への給電を
停止し又は低減する制御を行い、ヒータ目標温度に達し
た後は、前記第１の感熱素子の温度信号又は前記第２の
感熱素子の温度信号の単独で、設定値としての比較を行
い、前記発熱体への給電を停止し又は低減する制御に切
り換える手段を有するようにしてもよい。
度差検出手段の温度信号差により前記発熱体への給電を
停止し又は低減する制御を行い、ヒータ目標温度に達し
た後は、前記第１の感熱素子の温度信号又は前記第２の
感熱素子の温度信号の単独で、設定値としての比較を行
い、前記発熱体への給電を停止し又は低減する制御に切
り換える手段を有するようにしてもよい。
【０００９】さらに、前記セラミック基板上の前記最高
温度部と最低温度部とに前記発熱体と同様な抵抗体をそ
れぞれ配置し、これら抵抗体の温度抵抗値変化を用い
て、前記第１の感熱素子及び第２の感熱素子とすること
ができる。
温度部と最低温度部とに前記発熱体と同様な抵抗体をそ
れぞれ配置し、これら抵抗体の温度抵抗値変化を用い
て、前記第１の感熱素子及び第２の感熱素子とすること
ができる。
【００１０】〔作用〕第１の感熱素子と第２の感熱素子
との昇温速度の差、これはセラミックの熱伝導速度が有
限であることにより発生し、昇温速度が高いほど双方の
感熱素子の温度差は大となり、双方の感熱素子の温度差
が大となると、熱膨張の差によるセラミックヒータの歪
みが大となり、セラミックヒータの寿命が短くなる。
との昇温速度の差、これはセラミックの熱伝導速度が有
限であることにより発生し、昇温速度が高いほど双方の
感熱素子の温度差は大となり、双方の感熱素子の温度差
が大となると、熱膨張の差によるセラミックヒータの歪
みが大となり、セラミックヒータの寿命が短くなる。
【００１１】前述の構成に基づき、、単に必要温度に達
するまでの発熱体への給電を制御するのではなく、最高
温度部と最低温度部との差を演算に用いて、給電を制御
することができる。
するまでの発熱体への給電を制御するのではなく、最高
温度部と最低温度部との差を演算に用いて、給電を制御
することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面に沿って、本発明の実
施の形態について説明する。 〈実施の形態１〉図１に、本発明に係るセラミックヒー
タの温度制御機構のブロック図を示す。同図中、１は長
板状に形成されたセラミック基板、２はセラミック基板
上に銀パラジウム等によって帯状に形成された抵抗体
（発熱体）、３は抵抗体２の長手方向両端部にそれぞれ
設けられた電極である。
施の形態について説明する。 〈実施の形態１〉図１に、本発明に係るセラミックヒー
タの温度制御機構のブロック図を示す。同図中、１は長
板状に形成されたセラミック基板、２はセラミック基板
上に銀パラジウム等によって帯状に形成された抵抗体
（発熱体）、３は抵抗体２の長手方向両端部にそれぞれ
設けられた電極である。
【００１３】以上が、一般的なセラミックヒータの構成
であり、本実施の形態においては、さらにセラミック基
板１に接触するようにして配置された２つの感熱素子
４、５を有する。このうち感熱素子４は、セラミック基
板１の部位のうちの加熱時に最も温度が高くなる最高温
度部に配置されており、一方、感熱素子５は、セラミッ
ク基板１の部位のうちの加熱時に最も温度が低くなる最
低温度部に配置されている。
であり、本実施の形態においては、さらにセラミック基
板１に接触するようにして配置された２つの感熱素子
４、５を有する。このうち感熱素子４は、セラミック基
板１の部位のうちの加熱時に最も温度が高くなる最高温
度部に配置されており、一方、感熱素子５は、セラミッ
ク基板１の部位のうちの加熱時に最も温度が低くなる最
低温度部に配置されている。
【００１４】図２に、上述構成のセラミックヒータの下
面図を、また、図３に側面図を示す。いずれの図も、抵
抗体に２に対して通電が行われる前の形状を示してい
る。
面図を、また、図３に側面図を示す。いずれの図も、抵
抗体に２に対して通電が行われる前の形状を示してい
る。
【００１５】図２に示すように、本実施の形態の構成の
セラミックヒータでは、セラミック基板１の長手方向に
沿って、そのほぼ全長にわたって帯状に抵抗体２が形成
されている。ただし、セラミック基板１の幅方向（同図
の上下方向）については、抵抗体２は、中心からずれた
位置（同図では中心よりも上方）に配置されている。し
たがって、図２に示すセラミックヒータでは、セラミッ
ク基板１は、上側の側面の長手方向中央部が最高温度部
となり、一方、下側の側面の長手方向端部が最低温度部
となる。そして、上述のように、最高温度部には、第１
の感熱素子４が、一方、最低温度部には、第２の感熱素
子５がそれぞれ配置されている。なお、第２の感熱素子
５は、同図に示す右端部ではなく、左端部に配置しても
よい。なお、本発明においては、第１の感熱素子４及び
第２の感熱素子５の配設位置は、図２の位置に限定され
るものではなく、それぞれ最高温度部及び最低温度部に
配置すれば足る。つまり、例えば、抵抗体２の形状や形
成位置によっては、セラミック基板１上の最高温度部及
び最低温度部が変化する。この場合は、第１の感熱素子
４及び第２の感熱素子５は、それぞれの変化した位置に
配置すればよい。
セラミックヒータでは、セラミック基板１の長手方向に
沿って、そのほぼ全長にわたって帯状に抵抗体２が形成
されている。ただし、セラミック基板１の幅方向（同図
の上下方向）については、抵抗体２は、中心からずれた
位置（同図では中心よりも上方）に配置されている。し
たがって、図２に示すセラミックヒータでは、セラミッ
ク基板１は、上側の側面の長手方向中央部が最高温度部
となり、一方、下側の側面の長手方向端部が最低温度部
となる。そして、上述のように、最高温度部には、第１
の感熱素子４が、一方、最低温度部には、第２の感熱素
子５がそれぞれ配置されている。なお、第２の感熱素子
５は、同図に示す右端部ではなく、左端部に配置しても
よい。なお、本発明においては、第１の感熱素子４及び
第２の感熱素子５の配設位置は、図２の位置に限定され
るものではなく、それぞれ最高温度部及び最低温度部に
配置すれば足る。つまり、例えば、抵抗体２の形状や形
成位置によっては、セラミック基板１上の最高温度部及
び最低温度部が変化する。この場合は、第１の感熱素子
４及び第２の感熱素子５は、それぞれの変化した位置に
配置すればよい。
【００１６】図４、図５は、通電前にそれぞれ図３、図
２の形状であったセラミック基板１の、通電後の形状変
化を示す。抵抗体２の熱膨張係数がセラミックのそれよ
りも大きいため、厚さ方向については、図４のごとく、
抵抗体２の逆側への歪みが発生し、また、幅方向につい
ては、図５のごとく、抵抗体２の逆側への歪みが発生す
る。なお、実際には、図４の厚み方向の歪みと、図５の
幅方向の歪みとが合成された歪みとなって現れる。この
歪みが大きい場合には、セラミック基板１に割れ、欠け
等が発生する。
２の形状であったセラミック基板１の、通電後の形状変
化を示す。抵抗体２の熱膨張係数がセラミックのそれよ
りも大きいため、厚さ方向については、図４のごとく、
抵抗体２の逆側への歪みが発生し、また、幅方向につい
ては、図５のごとく、抵抗体２の逆側への歪みが発生す
る。なお、実際には、図４の厚み方向の歪みと、図５の
幅方向の歪みとが合成された歪みとなって現れる。この
歪みが大きい場合には、セラミック基板１に割れ、欠け
等が発生する。
【００１７】次に、この歪みを低減するための、抵抗体
２の電力制御について説明する。
２の電力制御について説明する。
【００１８】図１に戻り、最高温度部の感熱素子４の出
力がｅ1 として、８のアンプに入力される。一方、最低
温度部の感熱素子５の出力がｅ2 として９のアンプに入
力される。
力がｅ1 として、８のアンプに入力される。一方、最低
温度部の感熱素子５の出力がｅ2 として９のアンプに入
力される。
【００１９】このアンプ８の出力ｅ1 ’とアンプ９の出
力ｅ2 ’との差を、引き算回路１０で求める。この差が
セラミック基板１の温度差となる。この温度差を式で表
わすと（ｅ1 ’−ｅ2 ’）となる。
力ｅ2 ’との差を、引き算回路１０で求める。この差が
セラミック基板１の温度差となる。この温度差を式で表
わすと（ｅ1 ’−ｅ2 ’）となる。
【００２０】この温度差と一定の基準値Ｅ1 との比較を
行う。比較器１１で、基準値Ｅ1 を越えると比較器１１
の出力は正となる。ここで、一定の基準値Ｅ1 は、（ｅ
1 ’−ｅ2 ’）の最大値として働く。比較器１１の出力
は、ゲート回路１５に入力され、ゲート回路１５は、一
方の入力が正であれば、トライアック制御回路１６に、
トライアック１７をＯＦＦする信号を出力する。これに
より、ｅ1 の高温部信号と、ｅ2 の低温度信号の差が大
きくなると、トライアック１７により抵抗体２の電力が
停止される。
行う。比較器１１で、基準値Ｅ1 を越えると比較器１１
の出力は正となる。ここで、一定の基準値Ｅ1 は、（ｅ
1 ’−ｅ2 ’）の最大値として働く。比較器１１の出力
は、ゲート回路１５に入力され、ゲート回路１５は、一
方の入力が正であれば、トライアック制御回路１６に、
トライアック１７をＯＦＦする信号を出力する。これに
より、ｅ1 の高温部信号と、ｅ2 の低温度信号の差が大
きくなると、トライアック１７により抵抗体２の電力が
停止される。
【００２１】また、温度を安定に保つ系として、ｅ1 ’
の信号と一定の基準値Ｅ2 との比較を行う。比較器１３
で、基準値Ｅ2 を超えると、比較器１３の出力は正とな
る。ここで、一定の基準値のＥ2 は、セラミックヒータ
ヒータの上限値として働く。
の信号と一定の基準値Ｅ2 との比較を行う。比較器１３
で、基準値Ｅ2 を超えると、比較器１３の出力は正とな
る。ここで、一定の基準値のＥ2 は、セラミックヒータ
ヒータの上限値として働く。
【００２２】比較器１３の出力が正になると、前記の温
度差の制御と同様にゲート回路１５の一方の入力が正で
あれば、トライアック制御回路１６によりトライアック
１７をＯＦＦする信号を出力する。
度差の制御と同様にゲート回路１５の一方の入力が正で
あれば、トライアック制御回路１６によりトライアック
１７をＯＦＦする信号を出力する。
【００２３】本実施の形態において、最高温度部の第１
の感熱素子４と最低温度部の第２の感熱素子５との信号
演算によりトライアック１７をＯＦＦする制御をハード
で述べたが、本発明は、それぞれの感熱素子４、５の信
号ｅ1 、ｅ2 をＡ／Ｄコンバータを用いて、また、後の
演算をマイクロコンピュータのレジスタを用いて実現す
る場合も、含む発明である。
の感熱素子４と最低温度部の第２の感熱素子５との信号
演算によりトライアック１７をＯＦＦする制御をハード
で述べたが、本発明は、それぞれの感熱素子４、５の信
号ｅ1 、ｅ2 をＡ／Ｄコンバータを用いて、また、後の
演算をマイクロコンピュータのレジスタを用いて実現す
る場合も、含む発明である。
【００２４】上述の構成によると、セラミックヒータの
最高温度部と最低温度部の差を小さくすることができ
る。この動作を説明すると、図６は、従来の昇温制御を
行った場合の温度カーブを示し、６は最高温度部の温度
上昇カーブで、７は最低温度部の温度上昇カーブであ
る。
最高温度部と最低温度部の差を小さくすることができ
る。この動作を説明すると、図６は、従来の昇温制御を
行った場合の温度カーブを示し、６は最高温度部の温度
上昇カーブで、７は最低温度部の温度上昇カーブであ
る。
【００２５】昇温開始直後から上昇する最高温度部の温
度上昇カーブ６に対して、遅れが発生する最低温度部の
温度上昇カーブ７の差が、昇温中間付近でΔＴで示され
るごとく最大となる。
度上昇カーブ６に対して、遅れが発生する最低温度部の
温度上昇カーブ７の差が、昇温中間付近でΔＴで示され
るごとく最大となる。
【００２６】一方、本発明のセラミックヒータの温度制
御機構によると、図７のごとく、最高温度部と最低温度
部の上昇カーブの差が、一定基準値以上になると電力を
停止するので、最高温度部の上昇カーブ６はフラットと
なり最低温度部の上昇カーブ７に接近する。この時に両
上昇カーブの差が一定の基準値以下となると、再び電力
が供給されて、最高温度部の上昇カーブは再び上昇す
る。
御機構によると、図７のごとく、最高温度部と最低温度
部の上昇カーブの差が、一定基準値以上になると電力を
停止するので、最高温度部の上昇カーブ６はフラットと
なり最低温度部の上昇カーブ７に接近する。この時に両
上昇カーブの差が一定の基準値以下となると、再び電力
が供給されて、最高温度部の上昇カーブは再び上昇す
る。
【００２７】この動作により、図７の両カーブの差ΔＴ
は小さくなる。
は小さくなる。
【００２８】これにより、セラミックヒータに発生する
熱歪みを小さくして、割れ、欠けが発生する歪み臨界点
以下の動作が確保され、温度サイクルによる疲労も最小
限に押えることが可能となり、セラミックヒータの寿命
を長くする効果を発生せしめる。
熱歪みを小さくして、割れ、欠けが発生する歪み臨界点
以下の動作が確保され、温度サイクルによる疲労も最小
限に押えることが可能となり、セラミックヒータの寿命
を長くする効果を発生せしめる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
セラミック基板の最高温度部と最低温度部との温度差を
演算に用いて、発熱体への給電を制御する。熱歪みの安
全圏以下で発熱体を昇温することができるので、温度差
に基づく歪みを小さく抑えて、セラミックヒータの寿命
を延長することができる。
セラミック基板の最高温度部と最低温度部との温度差を
演算に用いて、発熱体への給電を制御する。熱歪みの安
全圏以下で発熱体を昇温することができるので、温度差
に基づく歪みを小さく抑えて、セラミックヒータの寿命
を延長することができる。
【００３０】さらに、セラミックヒータが他の物に接す
ることによる温度変化に対しても、予測値でなく、実温
度を測定しているので、歪みを抑えた実使用における高
速の昇温を実現することができる。
ることによる温度変化に対しても、予測値でなく、実温
度を測定しているので、歪みを抑えた実使用における高
速の昇温を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】セラミックヒータの温度制御機構のブロック
図。
図。
【図２】セラミックヒータの下面図。
【図３】セラミックヒータの側面図。
【図４】温度差によるセラミックヒータの形状変化を示
す側面図。
す側面図。
【図５】温度差によるセラミックヒータの形状変化を示
す下面図。
す下面図。
【図６】従来のセラミックヒータの温度上昇カーブを示
す図。
す図。
【図７】本発明のセラミックヒータの温度上昇カーブを
示す図。
示す図。
１ セラミック基板 ２ 発熱体（抵抗体） ３ 電極 ４ 第１の感熱素子 ５ 第２の感熱素子 ８、９ アンプ １０ 温度差検出手段（引き算回路） １１、１３ 比較器 １２、１４ 基準電圧 １５ ゲート回路 １６ 制御手段（トライアック制御回路） １７ トライアック １８ 電源
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミック基板と、該セラミック基板上
に設けられた発熱体とを有し、該発熱体に対する給電に
よって加熱されるセラミックヒータの温度制御機構にお
いて、 前記セラミック基板上の部位のうちの加熱時に最も温度
が高くなる最高温度部に配置された第１の感熱素子と、 前記セラミック基板上の部位のうちの加熱時に最も温度
が低くなる最低温度部に配置された第２の感熱素子と、 これら第１の感熱素子と第２の感熱素子との温度信号差
を検出する温度差検出手段と、 該温度差検出手段が検出する温度信号差が基準値を超え
たときに、前記発熱体への給電の停止又は低減を行う制
御手段と、を備える、 ことを特徴とするセラミックヒータの温度制御機構。 - 【請求項２】 前記制御装置は、 低温時には前記温度差検出手段の温度信号差により前記
発熱体への給電を停止し又は低減する制御を行い、 ヒータ目標温度に達した後は、前記第１の感熱素子の温
度信号又は前記第２の感熱素子の温度信号の単独で、設
定値としての比較を行い、前記発熱体への給電を停止し
又は低減する制御に切り換える手段を有する、 ことを特徴とする請求項１記載のセラミックヒータの温
度制御機構。 - 【請求項３】 前記セラミック基板上の前記最高温度部
と最低温度部とに前記発熱体と同様な抵抗体をそれぞれ
配置し、これら抵抗体の温度抵抗値変化を用いて、前記
第１の感熱素子及び第２の感熱素子とする、 ことを特徴とする請求項１記載のセラミックヒータの温
度制御機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26438195A JPH09106882A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | セラミックヒータの温度制御機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26438195A JPH09106882A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | セラミックヒータの温度制御機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09106882A true JPH09106882A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17402369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26438195A Pending JPH09106882A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | セラミックヒータの温度制御機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09106882A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002174981A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Toshiba Tec Corp | 定着制御方法及びその装置 |
| WO2007029981A1 (en) * | 2005-09-08 | 2007-03-15 | Smattech. Inc. | Ceramic heater |
| KR100782063B1 (ko) * | 2005-05-24 | 2007-12-04 | 주식회사 스마텍 | 세라믹 히터 |
-
1995
- 1995-10-12 JP JP26438195A patent/JPH09106882A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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