JPH11307859A - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置Info
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- JPH11307859A JPH11307859A JP11681398A JP11681398A JPH11307859A JP H11307859 A JPH11307859 A JP H11307859A JP 11681398 A JP11681398 A JP 11681398A JP 11681398 A JP11681398 A JP 11681398A JP H11307859 A JPH11307859 A JP H11307859A
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Abstract
晶部内の温度低下を防止することにより、レーザ出力の
立ち上がり時間を短縮し、パルス出力幅を小さくできる
ようにする。 【解決手段】固体レーザ装置の励起光源がオフになる期
間中に、レーザダイオード1の励起光や固体媒質からの
基本波をSHG素子8に照射して光エネルギーをSHG
素子8内部で熱エネルギーに変換することにより、SH
G素子8内部の温度を一定温度に保持することにより、
レーザの立ち上がり時間を短縮するとともにパルス幅の
小さい出力を発生することができる。
Description
は光分析等に利用される、レーザダイオードからの励起
光により固体媒質を励起する方式の固体レーザ装置に関
する。
示す。このレーザダイオード1からの出力光はレンズ系
2により集光され、固体媒質のNd:YAG結晶3に照
射される。Nd:YAG結晶3の端面3aには、レーザ
ダイオード光の波長に対して高い透過率を持ち、固体媒
質内で発生したレーザ基本波に対しては、高い反射率を
持つHRコート膜が形成されている。そして、Nd:Y
AG結晶3に対向して出力ミラー4が配設され、この出
力ミラー4とNd:YAG結晶3の端面3aとの間で光
共振器5が構成されている。さらに、レーザ光の波長変
換が必要な場合には、Nd:YAG結晶の後に非線形光
学結晶であるSHG素子8が配設される。以上の構成に
おいて、レーザダイオード1を波長808nm〜809
nmで発振させ、その光でNd:YAG結晶3(吸収ス
ペクトル:808.5nm)を励起することにより、光
共振器5内で波長946nmのレーザ発振が起こり、さ
らに、SHG素子8により波長473nmのブルーレー
ザ光に変換され、そのレーザ光の一部が出力ミラー4か
ら外部へ出ていき、これが固体レーザ装置の出力光とな
る。前記光共振器5全体はペルチェ素子10と共振器温
度調節器11により温度調節されている。
体レーザ装置の出力光の光量をビームスプリッタ9およ
びフォトダイオード6を介し検出して、その検出出力7
aをレーザダイオード駆動回路(以下LD駆動回路と記
す)7に入力する。このLD駆動回路7は、フォトダイ
オード6の検出出力に基づいてLD駆動電流を制御し固
体レーザ装置の出力光の光量を一定にする。
は以上のように構成されているが、励起光源のオフ時に
結晶部の光軸上での励起光または基本波が消滅するた
め、オフ期間においてSHG素子8などの結晶内部温度
Tiは図5に示すように変化し、励起光源がオフ期間か
らオン時に移行するとき結晶内部温度が上昇し、レーザ
出力が安定するまでに時間を要し、そのため幅の狭いレ
ーザパルス出力の発生やレーザ出力の立ち上がり時間の
短縮ができないという問題があった。
たものであって、パルス出力の発生とレーザ出力の立ち
上がり時間の短縮ができる固体レーザ装置を提供するこ
とを目的とする。
め、請求項1記載の発明はレーザダイオードからの励起
光により固体媒質を励起する方式の固体レーザ装置にお
いて、前記励起光源がオン期間とオフ期間における光共
振器の温度制御を行うための温度設定値にオフセットを
設け、全期間における温度を一定に保つようにしたこと
を特徴とする。また、請求項2記載の発明は、レーザダ
イオードからの励起光により固体媒質を励起する方式の
固体レーザ装置において、前記励起光源がオフ期間に結
晶部に熱を与える加熱手段を設けることにより、全期間
における結晶内部の温度を一定に保つようにしたことを
特徴とする。
構成されており、励起光または基本波等のオフ時に、結
晶部にオン時と同程度の熱を与えることにより、結晶内
部の温度を一定に保つことができるので、レーザパルス
出力の発生とレーザ出力波形の立ち上がり時間の短縮が
可能となる。
説明する。図1は、本発明による固体レーザ装置の第一
実施例を説明するための図で、これに用いられる光共振
器5(図4)の温度制御の状態を示したものである。こ
の実施例の固体レーザ装置の構成は図4に示した構成図
と同じであるが、光共振器温度調節器11による温度制
御方法のみが異なる。図1の時間軸において、A点から
B点およびC点からD点の期間はレーザ励起光源がオン
の状態を示したもので、その他の期間はオフ状態を示し
ている。また、前記レーザ励起光源がオン期間中の光共
振器温度調節器11による温度設定値がTonで、オフ
期間中の温度設定値が前記オン期間中の設定温度よりオ
フセット△Tだけ高いToff(=Ton+△T)で設
定されている。図4に示すように光共振器5は前記温度
設定値でペルチェ素子10を介して温度制御される。こ
のオフ期間中に結晶部に与えられるオフセット温度に相
当する熱エネルギーと、オン期間中に励起光および基本
波が結晶部に与える熱エネルギーが等しくなるように△
Tを選ぶことにより、図1に示すように、結晶内部温度
は励起光源のオンからオフあるいはオフからオンへの切
り替わり時点での小変動を除いて、オンオフ期間を通じ
て一定に保つことができる。この結果、レーザ出力がオ
フ状態から立ち上がる時は、予め結晶内部がオン期間の
温度に保たれているため、結晶部での光軸方向が安定
し、立ち上がり時間が短縮できる。また、立ち上がり時
間の短いパルス幅の小さいレーザ出力を得ることができ
る。
するための図で、これに用いられる光共振器の温度制御
の状態を示したものである。この変形例ではレーザ励起
光源がオフ時にも完全にレーザ励起光をオフにせず、固
体媒質のNd:YAG結晶が発振しない程度の励起光を
結晶部に入射させ結晶内部の温度を保持するようにして
いる。このオフ時における励起光の照射により、結晶部
の内部は加熱されており、図1に比べてオフセット温度
△Tを少なくすることができ、レーザ出力のオンオフ切
り替え時の結晶部の内部温度の変動を図1の方式に比べ
て小さくすることができる。第一実施例のようにペルチ
ェ素子10からの温度を伝達する場合に比べて結晶内部
温度のオンオフ時の変動はさらに小さくなり、立ち上が
り時間が短縮され、パルス幅の小さいレーザ出力を発生
することができる。
例を説明するための構成図を示したものである。図4と
同じ機能を持つ構成要素には同じ符号を付している。図
3に示すように、SHG素子5の側面にレーザダイオー
ドを用いた加熱器12を配設し、レーザダイオード1の
オフ期間にLDドライバ7からの加熱器駆動7cの信号
により前記加熱器12に用いたレーザダイオードを起動
し、そのレーザ光をSHG素子8の光学面または側面に
照射する。このレーザ光によりSHG素子内で発生する
熱エネルギーによる温度上昇を、レーザ励起光光源のオ
ン時のレーザダイオード1の励起光および固体媒質から
の基本波によるSHG素子内での温度上昇と同じ値に調
整することにより、オンオフ期間を通じてSHG素子内
の温度を一定に保つことができ、前記実施例と同様の効
果を得ることができる。
もでき、これをSHG素子8の側面に接触及び接近させ
て、励起光源がオフの期間に熱エネルギーを与えること
により、オン時と同じ温度に保つこともできる。
構成されており、結晶部の温度がレーザ励起光源のオン
オフ期間にかかわらず一定に保つことができる。したが
って励起光源の切り替わり時にも瞬時に結晶部の最適温
度が得られ、レーザ光のパルス幅の変調範囲の拡大およ
びレーザ光立ち上がり時間の短縮が可能になる。
るための図で、光共振部の温度制御の状態を示したもの
である。
めの図で、光共振部の温度制御の状態を示したものであ
る。
るための図である。
ある。
状態を示した図である。
Claims (2)
- 【請求項1】レーザダイオードからの励起光により固体
媒質を励起する方式の固体レーザ装置において、前記励
起光源のオン期間とオフ期間における光共振部の温度制
御を行うための温度設定値にオフセットを設け、全期間
における結晶内部の温度を一定に保つようにしたことを
特徴とする固体レーザ装置。 - 【請求項2】レーザダイオードからの励起光により固体
媒質を励起する方式の固体レーザ装置において、前記励
起光源がオフ期間に結晶部に熱を与える加熱手段を設け
ることにより、全期間における結晶内部の温度を一定に
保つようにしたことを特徴とする固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11681398A JP3968868B2 (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11681398A JP3968868B2 (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 固体レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11307859A true JPH11307859A (ja) | 1999-11-05 |
JP3968868B2 JP3968868B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=14696287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11681398A Expired - Fee Related JP3968868B2 (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 固体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3968868B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001004698A1 (fr) * | 1999-07-09 | 2001-01-18 | Ushio Research Institute Of Technology Inc. | Laser destine a l'usinage laser |
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CN110967301A (zh) * | 2018-09-29 | 2020-04-07 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种具备激光加热的原位和频振动光谱检测装置 |
-
1998
- 1998-04-27 JP JP11681398A patent/JP3968868B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US9293886B2 (en) | 2011-04-11 | 2016-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser apparatus and photoacoustic apparatus |
CN110967301A (zh) * | 2018-09-29 | 2020-04-07 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种具备激光加热的原位和频振动光谱检测装置 |
CN110967301B (zh) * | 2018-09-29 | 2023-10-03 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种具备激光加热的原位和频振动光谱检测装置 |
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---|---|
JP3968868B2 (ja) | 2007-08-29 |
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