JPH11284119A - 半導体集積デバイスの放熱構造 - Google Patents
半導体集積デバイスの放熱構造Info
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- JPH11284119A JPH11284119A JP10100021A JP10002198A JPH11284119A JP H11284119 A JPH11284119 A JP H11284119A JP 10100021 A JP10100021 A JP 10100021A JP 10002198 A JP10002198 A JP 10002198A JP H11284119 A JPH11284119 A JP H11284119A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、製造上好ましく改良された１ピー
ス構造の半導体集積デバイスの放熱構造を提供する。 【解決手段】 半導体チップ（３）の周囲が封止樹脂
（１）によって封止され、回路基板（３０）に実装され
る半導体集積デバイス（１０）の放熱構造である。本発
明では、前記チップを搭載するタブ（２）と、このタブ
を支持するアーム（６）と、前記チップとの間がボンデ
ィングワイヤ（５）で接続されるリード（４）とを備
え、前記タブ、アームおよびリードは、１ピース構造の
リードフレーム（４０）の各一部である。前記リード
は、前記封止樹脂の外部で前記回路基板側に折曲げら
れ、前記タブは、前記封止樹脂の内部で前記アームから
前記回路基板とは逆側に折曲げられ、前記チップは、前
記タブの内側に搭載されている。
ス構造の半導体集積デバイスの放熱構造を提供する。 【解決手段】 半導体チップ（３）の周囲が封止樹脂
（１）によって封止され、回路基板（３０）に実装され
る半導体集積デバイス（１０）の放熱構造である。本発
明では、前記チップを搭載するタブ（２）と、このタブ
を支持するアーム（６）と、前記チップとの間がボンデ
ィングワイヤ（５）で接続されるリード（４）とを備
え、前記タブ、アームおよびリードは、１ピース構造の
リードフレーム（４０）の各一部である。前記リード
は、前記封止樹脂の外部で前記回路基板側に折曲げら
れ、前記タブは、前記封止樹脂の内部で前記アームから
前記回路基板とは逆側に折曲げられ、前記チップは、前
記タブの内側に搭載されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放熱板を取付可能
な半導体集積デバイス（ＩＣ）の放熱構造に関する。
な半導体集積デバイス（ＩＣ）の放熱構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】発熱量が多いために放熱が必要なパワー
ＩＣに関しては、従来種々の放熱構造が提案され、また
実施されている。例えば、図５に断面図を示すＩＣ１０
は、封止樹脂（パッケージ）１の上面にチップ搭載部２
の表面を露出させたものである。このチップ搭載部２の
裏面にはチップ３が搭載され、チップ３のパッドとリー
ド４との間は通常の手法によりボンディングワイヤ５で
接続されている。
ＩＣに関しては、従来種々の放熱構造が提案され、また
実施されている。例えば、図５に断面図を示すＩＣ１０
は、封止樹脂（パッケージ）１の上面にチップ搭載部２
の表面を露出させたものである。このチップ搭載部２の
裏面にはチップ３が搭載され、チップ３のパッドとリー
ド４との間は通常の手法によりボンディングワイヤ５で
接続されている。
【０００３】チップ搭載部２は、一例として、リード部
４と同じリードフレームの中央部を絞り加工して形成し
たベッドである。この場合は、チップ搭載部２とリード
４が同じリードフレームの各部であるので、全体として
１ピース構造である。他の例として、放熱効果を高める
ために、チップ搭載部２を面積の広いヒートシンクとし
たものもある。この場合は、リード４を形成したリード
フレームとヒートシンクとは別部品であるので、全体と
しては２ピース構造となる。
４と同じリードフレームの中央部を絞り加工して形成し
たベッドである。この場合は、チップ搭載部２とリード
４が同じリードフレームの各部であるので、全体として
１ピース構造である。他の例として、放熱効果を高める
ために、チップ搭載部２を面積の広いヒートシンクとし
たものもある。この場合は、リード４を形成したリード
フレームとヒートシンクとは別部品であるので、全体と
しては２ピース構造となる。
【０００４】いずれの構造でも、回路基板３０に実装し
たＩＣ１０の表面側に別体の放熱板２０を取り付けて、
樹脂１内にモールドされたチップ３からの熱をチップ搭
載部２及び放熱板２０を通して放熱するようにする。
たＩＣ１０の表面側に別体の放熱板２０を取り付けて、
樹脂１内にモールドされたチップ３からの熱をチップ搭
載部２及び放熱板２０を通して放熱するようにする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した２ピース構造
のＩＣは部品点数が多いため、部品管理及び製造上望ま
しいものではない。また、１ピース構造のＩＣでも、チ
ップ搭載部２を絞り加工で形成する場合は、リード４を
折曲げ加工（プレス加工）で形成する工程と、チップ搭
載部２を絞り加工で形成する工程とが必要となり、製造
工程が多い難点がある。また、絞り加工のチップ搭載部
２の内部には樹脂のまわりが悪い問題がある。このよう
な理由から、絞り加工を使用する１ピース構造は結局コ
スト高になる。これらが本発明で解決しようとする課題
である。
のＩＣは部品点数が多いため、部品管理及び製造上望ま
しいものではない。また、１ピース構造のＩＣでも、チ
ップ搭載部２を絞り加工で形成する場合は、リード４を
折曲げ加工（プレス加工）で形成する工程と、チップ搭
載部２を絞り加工で形成する工程とが必要となり、製造
工程が多い難点がある。また、絞り加工のチップ搭載部
２の内部には樹脂のまわりが悪い問題がある。このよう
な理由から、絞り加工を使用する１ピース構造は結局コ
スト高になる。これらが本発明で解決しようとする課題
である。
【０００６】本発明は、製造上好ましく改良された１ピ
ース構造の半導体集積デバイスの放熱構造を提供するこ
とを目的としている。
ース構造の半導体集積デバイスの放熱構造を提供するこ
とを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、半
導体チップの周囲が封止樹脂によって封止され、回路基
板に実装される半導体集積デバイスの放熱構造であっ
て、前記チップを搭載するタブと、このタブを支持する
アームと、前記チップとの間がボンディングワイヤで接
続されるリードとを備え、前記タブ、アームおよびリー
ドは、１ピース構造のリードフレームの各一部であり、
前記リードは、前記封止樹脂の外部で前記回路基板側に
折曲げられ、前記タブは、前記封止樹脂の内部で前記ア
ームから前記回路基板とは逆側に折曲げられ、前記チッ
プは、前記タブの内側に搭載されている半導体集積デバ
イスの放熱構造で達成できる。
導体チップの周囲が封止樹脂によって封止され、回路基
板に実装される半導体集積デバイスの放熱構造であっ
て、前記チップを搭載するタブと、このタブを支持する
アームと、前記チップとの間がボンディングワイヤで接
続されるリードとを備え、前記タブ、アームおよびリー
ドは、１ピース構造のリードフレームの各一部であり、
前記リードは、前記封止樹脂の外部で前記回路基板側に
折曲げられ、前記タブは、前記封止樹脂の内部で前記ア
ームから前記回路基板とは逆側に折曲げられ、前記チッ
プは、前記タブの内側に搭載されている半導体集積デバ
イスの放熱構造で達成できる。
【０００８】本発明の実施形態によれば、前記タブの前
記チップを搭載してない面は、前記封止樹脂の表面から
外部に露出している。そして、前記タブの前記封止樹脂
から外部に露出した面には、放熱板が取り付けられる。
また、前記アームは、前記回路基板への接続部が２分割
されて表面積が拡大されている。他の実施形態では、前
記タブは、幅広のグランドピンに接続されている。
記チップを搭載してない面は、前記封止樹脂の表面から
外部に露出している。そして、前記タブの前記封止樹脂
から外部に露出した面には、放熱板が取り付けられる。
また、前記アームは、前記回路基板への接続部が２分割
されて表面積が拡大されている。他の実施形態では、前
記タブは、幅広のグランドピンに接続されている。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面に示した実施形態を参
照して、本発明を詳細に説明する。図１は本発明に係る
ＩＣ１０の放熱構造の一実施形態を示す断面図である。
図２は図１のＩＣで使用されるリードフレーム４０の平
面図である。図１の断面図は、図２のＡ−Ａ線に沿うも
のである。本発明の放熱構造が適用されるＩＣ１０は、
半導体チップ３の周囲が封止樹脂１によって封止され、
回路基板３０に実装される構造である。そして、チップ
３を搭載するタブ２と、このタブを支持するアーム６
と、チップ３との間がボンディングワイヤ５で接続され
るリード４とを備え、前記タブ２、アーム６およびリー
ド４は、１ピース構造のリードフレーム４０の各一部と
して形成されている。
照して、本発明を詳細に説明する。図１は本発明に係る
ＩＣ１０の放熱構造の一実施形態を示す断面図である。
図２は図１のＩＣで使用されるリードフレーム４０の平
面図である。図１の断面図は、図２のＡ−Ａ線に沿うも
のである。本発明の放熱構造が適用されるＩＣ１０は、
半導体チップ３の周囲が封止樹脂１によって封止され、
回路基板３０に実装される構造である。そして、チップ
３を搭載するタブ２と、このタブを支持するアーム６
と、チップ３との間がボンディングワイヤ５で接続され
るリード４とを備え、前記タブ２、アーム６およびリー
ド４は、１ピース構造のリードフレーム４０の各一部と
して形成されている。
【００１０】リード４は、折曲げ加工によって封止樹脂
１の外部で回路基板３０側に折曲げられ、回路基板３０
の配線パターン３１に半田付けされる。また、タブ２
は、折曲げ加工によって封止樹脂１の内部でアーム６か
ら回路基板３０とは逆側に折曲げられている。更に、チ
ップ３は、タブ２の内側に搭載されている。タブ２のチ
ップ３を搭載してない面は、封止樹脂１の表面から外部
に露出している。そして、タブ２の封止樹脂１から外部
に露出した面には、図５で示した放熱板２０と同様のも
のを取り付けることができる。
１の外部で回路基板３０側に折曲げられ、回路基板３０
の配線パターン３１に半田付けされる。また、タブ２
は、折曲げ加工によって封止樹脂１の内部でアーム６か
ら回路基板３０とは逆側に折曲げられている。更に、チ
ップ３は、タブ２の内側に搭載されている。タブ２のチ
ップ３を搭載してない面は、封止樹脂１の表面から外部
に露出している。そして、タブ２の封止樹脂１から外部
に露出した面には、図５で示した放熱板２０と同様のも
のを取り付けることができる。
【００１１】本発明のリードフレーム４０は、１ピース
構造で、タブ２、リード４、アーム６を形成している。
従って、従来の２ピース構造に比べ、部品点数が少な
く、組立工程も簡素化される。また、本発明のリードフ
レーム４０は、１ピース構造ではあっても、タブ２を折
曲げ加工でアーム６から凹部形状になるように折曲げて
いる。従って、絞り加工を適用する従来の１ピース構造
と比較した場合、工程が簡単で、しかも樹脂のまわりが
良い利点がある。更に、図２に示すように、本発明のア
ーム６は、回路基板３０への接続部６Ａ，６Ｂが２又に
分かれている。このため、表面積が拡大され、放熱効果
が一層改善される。
構造で、タブ２、リード４、アーム６を形成している。
従って、従来の２ピース構造に比べ、部品点数が少な
く、組立工程も簡素化される。また、本発明のリードフ
レーム４０は、１ピース構造ではあっても、タブ２を折
曲げ加工でアーム６から凹部形状になるように折曲げて
いる。従って、絞り加工を適用する従来の１ピース構造
と比較した場合、工程が簡単で、しかも樹脂のまわりが
良い利点がある。更に、図２に示すように、本発明のア
ーム６は、回路基板３０への接続部６Ａ，６Ｂが２又に
分かれている。このため、表面積が拡大され、放熱効果
が一層改善される。
【００１２】図３は、本発明に係るＩＣ１０の放熱構造
の他の実施形態を示す断面図である。図４は、図３のＩ
Ｃ１０で使用されるリードフレーム４０の平面図であ
る。図３の断面図は、図４のＢ−Ｂ線に沿うものであ
る。この例で示すタブ２は、幅広のグランドピン７に接
続され、放熱効果を高めている。図３の断面では、グラ
ンドピン７以外のリード４は現れないが、図４の平面に
示すように存在する。
の他の実施形態を示す断面図である。図４は、図３のＩ
Ｃ１０で使用されるリードフレーム４０の平面図であ
る。図３の断面図は、図４のＢ−Ｂ線に沿うものであ
る。この例で示すタブ２は、幅広のグランドピン７に接
続され、放熱効果を高めている。図３の断面では、グラ
ンドピン７以外のリード４は現れないが、図４の平面に
示すように存在する。
【００１３】グランドピン７は、樹脂１の内部ではボン
ディングワイヤ５によってチップ３に接続され、また樹
脂１の外部では回路基板３０上のグランドパターン３２
に半田付けされる。グランドピン７とタブ２は一体化さ
れており、タブ２に搭載されたチップ３の熱を放熱する
効果がある。この例でも、樹脂１の表面に外部の放熱板
を固着して放熱効果を高めることができる。
ディングワイヤ５によってチップ３に接続され、また樹
脂１の外部では回路基板３０上のグランドパターン３２
に半田付けされる。グランドピン７とタブ２は一体化さ
れており、タブ２に搭載されたチップ３の熱を放熱する
効果がある。この例でも、樹脂１の表面に外部の放熱板
を固着して放熱効果を高めることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、製造
上好ましく改良された１ピース構造の半導体集積デバイ
スの放熱構造を提供することができる。
上好ましく改良された１ピース構造の半導体集積デバイ
スの放熱構造を提供することができる。
【図１】本発明に係るＩＣの放熱構造の一実施形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１のＩＣで使用されるリードフレームの平面
図である。
図である。
【図３】本発明に係るＩＣの放熱構造の他の実施形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】図３のＩＣで使用されるリードフレームの平面
図である。
図である。
【図５】従来のＩＣの放熱構造の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ 封止樹脂 ２ タブ（チップ搭載部） ３ 半導体チップ ４ リード ５ ボンディングワイヤ ６ アーム １０ ＩＣ（半導体集積デバイス） ２０ 放熱板 ３０ 回路基板 ３１ 配線パターン ３２ グランドパターン ４０ リードフレーム
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体チップの周囲が封止樹脂によって
封止され、回路基板に実装される半導体集積デバイスの
放熱構造であって、 前記チップを搭載するタブと、 このタブを支持するアームと、 前記チップとの間がボンディングワイヤで接続されるリ
ードとを備え、 前記タブ、アームおよびリードは、１ピース構造のリー
ドフレームの各一部であり、 前記リードは、前記封止樹脂の外部で前記回路基板側に
折曲げられ、 前記タブは、前記封止樹脂の内部で前記アームから前記
回路基板とは逆側に折曲げられ、 前記チップは、前記タブの内側に搭載されていることを
特徴とする半導体集積デバイスの放熱構造。 - 【請求項２】 前記タブの前記チップを搭載してない面
は、前記封止樹脂の表面から外部に露出していることを
特徴とする請求項１の放熱構造。 - 【請求項３】 前記タブの前記封止樹脂から外部に露出
した面には、放熱板が取り付けられることを特徴とする
請求項２の放熱構造。 - 【請求項４】 前記アームは、前記回路基板への接続部
が２分割されて表面積が拡大されていることを特徴とす
る請求項１〜３の放熱構造。 - 【請求項５】 前記タブは、幅広のグランドピンに接続
されていることを特徴とする請求項１〜４の放熱構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10100021A JPH11284119A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 半導体集積デバイスの放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10100021A JPH11284119A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 半導体集積デバイスの放熱構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284119A true JPH11284119A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=14262905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10100021A Pending JPH11284119A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 半導体集積デバイスの放熱構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11284119A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003023126A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| GB2398181A (en) * | 2003-02-04 | 2004-08-11 | Transparent Engineering Ltd | Nonplanar lead-frame; mounting magnetic components and a circuit board; lead-frame and heat sink |
| US6876067B2 (en) | 2002-03-29 | 2005-04-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| CN104332453A (zh) * | 2013-07-22 | 2015-02-04 | 西安永电电气有限责任公司 | 基于塑封式ipm引线框架的双边固定散热结构 |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP10100021A patent/JPH11284119A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003023126A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US6876067B2 (en) | 2002-03-29 | 2005-04-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| GB2398181A (en) * | 2003-02-04 | 2004-08-11 | Transparent Engineering Ltd | Nonplanar lead-frame; mounting magnetic components and a circuit board; lead-frame and heat sink |
| CN104332453A (zh) * | 2013-07-22 | 2015-02-04 | 西安永电电气有限责任公司 | 基于塑封式ipm引线框架的双边固定散热结构 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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