JPH11283955A - 洗浄・乾燥装置及び半導体装置の製造ライン - Google Patents
洗浄・乾燥装置及び半導体装置の製造ラインInfo
- Publication number
- JPH11283955A JPH11283955A JP10085815A JP8581598A JPH11283955A JP H11283955 A JPH11283955 A JP H11283955A JP 10085815 A JP10085815 A JP 10085815A JP 8581598 A JP8581598 A JP 8581598A JP H11283955 A JPH11283955 A JP H11283955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drying
- cleaning
- wafer
- station
- centralized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 380
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 328
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 158
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 117
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 31
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 105
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 4
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄及び乾燥プロセスの選択のフレキシビリ
ティを高くするように最適化された半導体装置の製造ラ
インを提供する。 【解決手段】 半導体装置の本製造ライン１０は、プロ
セス装置１２Ａ〜Ｅを一連的に備えて、順次、所定のプ
ロセッシングをウエハに施すようにした半導体装置の製
造ラインであって、洗浄・乾燥処理を集中的に行う集中
型洗浄・乾燥ステーション１４と、製造ライン１０内の
各プロセス装置から集中型洗浄・乾燥ステーションにウ
エハを高速で搬送するウエハ搬送装置１６とを備えてい
る。集中型洗浄・乾燥ステーションは、製造ラインの適
所に、限定された設置数、例えば１の設置数で設置され
ており、ＨＦ系洗浄装置１８、非ＨＦ系洗浄装置２０、
高乾燥型乾燥装置としてＩＰＡ乾燥装置２２、及び低乾
燥型乾燥装置としてスピン乾燥装置２４を備えている。
また、集中型洗浄・乾燥ステーションは、ウエハをハン
ドリングするハンドリング・ロボット（図示せず）を備
えている。
ティを高くするように最適化された半導体装置の製造ラ
インを提供する。 【解決手段】 半導体装置の本製造ライン１０は、プロ
セス装置１２Ａ〜Ｅを一連的に備えて、順次、所定のプ
ロセッシングをウエハに施すようにした半導体装置の製
造ラインであって、洗浄・乾燥処理を集中的に行う集中
型洗浄・乾燥ステーション１４と、製造ライン１０内の
各プロセス装置から集中型洗浄・乾燥ステーションにウ
エハを高速で搬送するウエハ搬送装置１６とを備えてい
る。集中型洗浄・乾燥ステーションは、製造ラインの適
所に、限定された設置数、例えば１の設置数で設置され
ており、ＨＦ系洗浄装置１８、非ＨＦ系洗浄装置２０、
高乾燥型乾燥装置としてＩＰＡ乾燥装置２２、及び低乾
燥型乾燥装置としてスピン乾燥装置２４を備えている。
また、集中型洗浄・乾燥ステーションは、ウエハをハン
ドリングするハンドリング・ロボット（図示せず）を備
えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄・乾燥装置及
びそれを備える半導体装置の製造ラインに関し、更に詳
細には、２種類の異なる洗浄条件及び２種類の異なる乾
燥条件を大きなフレキシビリティで選択できる洗浄・乾
燥装置、並びに２種類の異なる洗浄条件及び２種類の異
なる乾燥条件を大きなフレキシビリティで選択でき、か
つ洗浄装置及び乾燥装置の配置を最適化した、半導体装
置の製造ラインに関するものである。
びそれを備える半導体装置の製造ラインに関し、更に詳
細には、２種類の異なる洗浄条件及び２種類の異なる乾
燥条件を大きなフレキシビリティで選択できる洗浄・乾
燥装置、並びに２種類の異なる洗浄条件及び２種類の異
なる乾燥条件を大きなフレキシビリティで選択でき、か
つ洗浄装置及び乾燥装置の配置を最適化した、半導体装
置の製造ラインに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造過程では、ウエハをウ
エット洗浄する洗浄工程、及び洗浄工程に続いてウエハ
を乾燥する乾燥工程が、ウエハに施す種々のプロセッシ
ングの前後で実施されている。例えば、ウエハをエッチ
ングした際には、エッチング後のウエハ表面の汚染物質
を除去する洗浄工程、次いで洗浄したウエハを乾燥する
乾燥工程がある。更には、ウエハにシリコン酸化膜を成
膜する際の酸化前洗浄工程、イオン注入する際のイオン
注入後の洗浄工程、エピタキシャル成長させる前のエピ
タキシャル前洗浄工程等、各プロセスの前後には必ずと
言っていいほど洗浄工程がある。換言すれば、或るプロ
セス工程を得て次のプロセス工程に入るときには、洗浄
工程が実施されることが多い。また、ウエット洗浄によ
る洗浄工程に続いて、必ず、乾燥工程が実施される。
エット洗浄する洗浄工程、及び洗浄工程に続いてウエハ
を乾燥する乾燥工程が、ウエハに施す種々のプロセッシ
ングの前後で実施されている。例えば、ウエハをエッチ
ングした際には、エッチング後のウエハ表面の汚染物質
を除去する洗浄工程、次いで洗浄したウエハを乾燥する
乾燥工程がある。更には、ウエハにシリコン酸化膜を成
膜する際の酸化前洗浄工程、イオン注入する際のイオン
注入後の洗浄工程、エピタキシャル成長させる前のエピ
タキシャル前洗浄工程等、各プロセスの前後には必ずと
言っていいほど洗浄工程がある。換言すれば、或るプロ
セス工程を得て次のプロセス工程に入るときには、洗浄
工程が実施されることが多い。また、ウエット洗浄によ
る洗浄工程に続いて、必ず、乾燥工程が実施される。
【０００３】洗浄工程は、通常、薬液による薬液洗浄ス
テップと、薬液洗浄ステップに続いてウエハ上に残った
薬液をリンス液で洗浄するリンス洗浄ステップとから構
成されている。薬液洗浄ステップとリンス洗浄ステップ
との組み合わせの代表的なものは、ＲＣＡ洗浄法であっ
て、所定配合比で配合されたアンモニア、過酸化水素及
び水の混合洗浄液で洗浄した後、純水でリンスする第１
のステップと、次いでＨＦ水溶液に浸漬した後、純水で
リンスする第２のステップと、最後に、所定配合比で配
合された塩酸、過酸化水素及び水の混合洗浄液で洗浄し
た後、純水でリンスする第３のステップとから構成され
ている。また、０．５％ふっ酸に１〜１０％の過酸化水
素を混合したふっ酸過酸化水素洗浄液、又はふっ酸水溶
液を使い、ウエハの自然酸化膜除去と金属汚染除去を行
い、次いで純水でリンスする洗浄及び自然酸化膜除去方
法もある。本明細書では、このようなふっ酸系の薬液処
理をＨＦ系洗浄液による洗浄と言い、また、アルカリ洗
浄、酸洗浄、ＲＣＡ洗浄等の非ふっ酸系の薬液処理を主
とする洗浄を非ＨＦ系洗浄液による洗浄と言う。
テップと、薬液洗浄ステップに続いてウエハ上に残った
薬液をリンス液で洗浄するリンス洗浄ステップとから構
成されている。薬液洗浄ステップとリンス洗浄ステップ
との組み合わせの代表的なものは、ＲＣＡ洗浄法であっ
て、所定配合比で配合されたアンモニア、過酸化水素及
び水の混合洗浄液で洗浄した後、純水でリンスする第１
のステップと、次いでＨＦ水溶液に浸漬した後、純水で
リンスする第２のステップと、最後に、所定配合比で配
合された塩酸、過酸化水素及び水の混合洗浄液で洗浄し
た後、純水でリンスする第３のステップとから構成され
ている。また、０．５％ふっ酸に１〜１０％の過酸化水
素を混合したふっ酸過酸化水素洗浄液、又はふっ酸水溶
液を使い、ウエハの自然酸化膜除去と金属汚染除去を行
い、次いで純水でリンスする洗浄及び自然酸化膜除去方
法もある。本明細書では、このようなふっ酸系の薬液処
理をＨＦ系洗浄液による洗浄と言い、また、アルカリ洗
浄、酸洗浄、ＲＣＡ洗浄等の非ふっ酸系の薬液処理を主
とする洗浄を非ＨＦ系洗浄液による洗浄と言う。
【０００４】従来、洗浄後のウエハの乾燥処理は、スピ
ン乾燥法に代表されるスピン乾燥装置により行われてい
た。スピン乾燥装置は、洗浄したウエハを高速に回転さ
せ、リンス洗浄ステップ後に残る水分を遠心力と気流の
効果により吹き飛ばすようにした乾燥装置である。スピ
ン乾燥装置は、高いスループットでウエハを乾燥させる
ことができるものの、水分を完全に吹き飛ばすことは難
しいので、乾燥後に、ウォータマーク等の乾燥欠陥が、
ウエハに生じることが多く、高スループット・低乾燥型
乾燥装置の代表例であって、主として、高い乾燥程度を
必要としない非ＨＦ系洗浄処理の後の乾燥処理で使用さ
れる。スピン乾燥装置には、マルチカセット・タイプ、
シングルカセット・タイプ及び枚葉式の３種類がある。
例えば、シングルカセットタイプのスピン乾燥装置とし
ては、図６に示すように、ウエハＷを収容した１個のカ
セットＣを収容したドラムＤを偏心軸Ｅの周りに回転さ
せる、自転式スピン乾燥装置がある。また、マルチカセ
ットタイプのスピン乾燥装置としては、図７に示すよう
に、ウエハＷを収容した２個のカセットＣを対角線上に
収容したドラムＤを垂直回転軸Ｆの周りに回転させる公
転式スピン乾燥装置がある。
ン乾燥法に代表されるスピン乾燥装置により行われてい
た。スピン乾燥装置は、洗浄したウエハを高速に回転さ
せ、リンス洗浄ステップ後に残る水分を遠心力と気流の
効果により吹き飛ばすようにした乾燥装置である。スピ
ン乾燥装置は、高いスループットでウエハを乾燥させる
ことができるものの、水分を完全に吹き飛ばすことは難
しいので、乾燥後に、ウォータマーク等の乾燥欠陥が、
ウエハに生じることが多く、高スループット・低乾燥型
乾燥装置の代表例であって、主として、高い乾燥程度を
必要としない非ＨＦ系洗浄処理の後の乾燥処理で使用さ
れる。スピン乾燥装置には、マルチカセット・タイプ、
シングルカセット・タイプ及び枚葉式の３種類がある。
例えば、シングルカセットタイプのスピン乾燥装置とし
ては、図６に示すように、ウエハＷを収容した１個のカ
セットＣを収容したドラムＤを偏心軸Ｅの周りに回転さ
せる、自転式スピン乾燥装置がある。また、マルチカセ
ットタイプのスピン乾燥装置としては、図７に示すよう
に、ウエハＷを収容した２個のカセットＣを対角線上に
収容したドラムＤを垂直回転軸Ｆの周りに回転させる公
転式スピン乾燥装置がある。
【０００５】ところで、ウエハの大口径化、素子寸法の
微細化、及び配線の多層化に伴い、表面の凹凸が微細で
かつ高低差が大きくなったこと、スルーホールのアスペ
クト比が大きくなったこと等により、スピン乾燥法で
は、ウエハを十分に乾燥させることが困難になり、ウエ
ハ表面のウオーターマークの発生、スルーホール底部の
乾燥不足による接触抵抗の増大等の問題が生じて来た。
このために、スループットは従来のスピン乾燥法より小
さくなるものの、乾燥能力の高いＩＰＡ（イソプロピル
アルコール）を用いたＩＰＡ蒸気乾燥法が行われるよう
になった。
微細化、及び配線の多層化に伴い、表面の凹凸が微細で
かつ高低差が大きくなったこと、スルーホールのアスペ
クト比が大きくなったこと等により、スピン乾燥法で
は、ウエハを十分に乾燥させることが困難になり、ウエ
ハ表面のウオーターマークの発生、スルーホール底部の
乾燥不足による接触抵抗の増大等の問題が生じて来た。
このために、スループットは従来のスピン乾燥法より小
さくなるものの、乾燥能力の高いＩＰＡ（イソプロピル
アルコール）を用いたＩＰＡ蒸気乾燥法が行われるよう
になった。
【０００６】ＩＰＡ蒸気乾燥法によるＩＰＡ蒸気乾燥装
置は、図８の原理図に示すように、ウエハ上に残留した
水滴や付着水を凝縮ＩＰＡで置換し、置換したＩＰＡを
滴下及び自然蒸発させて乾燥する装置である。ＩＰＡ蒸
気乾燥装置（以下、簡単にＩＰＡ乾燥装置と言う）は、
ウエハ上の水分をほぼ完璧にＩＰＡで置換し、かつ置換
したＩＰＡを完全に蒸発させることができるので、ウォ
ータマークの発生が少なく、高乾燥・低スループット型
乾燥装置の代表例であって、主として、完全乾燥に近い
乾燥処理を必要とするＨＦ系洗浄処理の後の乾燥処理で
使用される。尚、洗浄→リンス→乾燥をクローズド空間
で行い、リンス・ステップから乾燥ステップへの移動過
程での酸化雰囲気への露出を最小限度に抑えるために、
洗浄装置と乾燥装置とを一体化した装置を使って処理す
る、直接ＩＰＡ乾燥法等が開発されている。
置は、図８の原理図に示すように、ウエハ上に残留した
水滴や付着水を凝縮ＩＰＡで置換し、置換したＩＰＡを
滴下及び自然蒸発させて乾燥する装置である。ＩＰＡ蒸
気乾燥装置（以下、簡単にＩＰＡ乾燥装置と言う）は、
ウエハ上の水分をほぼ完璧にＩＰＡで置換し、かつ置換
したＩＰＡを完全に蒸発させることができるので、ウォ
ータマークの発生が少なく、高乾燥・低スループット型
乾燥装置の代表例であって、主として、完全乾燥に近い
乾燥処理を必要とするＨＦ系洗浄処理の後の乾燥処理で
使用される。尚、洗浄→リンス→乾燥をクローズド空間
で行い、リンス・ステップから乾燥ステップへの移動過
程での酸化雰囲気への露出を最小限度に抑えるために、
洗浄装置と乾燥装置とを一体化した装置を使って処理す
る、直接ＩＰＡ乾燥法等が開発されている。
【０００７】従来、半導体装置の製造ラインでは、ウエ
ハの高乾燥を必要としない洗浄処理、例えばアルカリ洗
浄、酸洗浄、ＲＣＡ洗浄の後には、高スループット・低
乾燥型乾燥装置を設けて、乾燥工程の生産性を確保し、
ウエハの高乾燥を必要とする洗浄処理、例えばＨＦ系洗
浄液による薬液処理の後には、高乾燥・低スループット
型乾燥装置を設けて、乾燥処理の品質を確保している。
ハの高乾燥を必要としない洗浄処理、例えばアルカリ洗
浄、酸洗浄、ＲＣＡ洗浄の後には、高スループット・低
乾燥型乾燥装置を設けて、乾燥工程の生産性を確保し、
ウエハの高乾燥を必要とする洗浄処理、例えばＨＦ系洗
浄液による薬液処理の後には、高乾燥・低スループット
型乾燥装置を設けて、乾燥処理の品質を確保している。
【０００８】ここで、図８を参照して、半導体装置の従
来の製造ラインの構成を説明する。図８は半導体装置の
従来の製造ラインの構成を示す概念図である。従来の半
導体装置の製造ライン９０は、図８に示すように、所定
のプロセッシングをウエハに施すプロセス装置９２Ａ〜
Ｅを一連的に備え、各プロセス装置９２でそれぞれ所定
のプロセッシングを順次ウエハに施している。製造ライ
ン９０では、各プロセス装置９２によるプロセッシング
の前処理又は後処理として、洗浄・乾燥処理をウエハに
施すことが必要である。
来の製造ラインの構成を説明する。図８は半導体装置の
従来の製造ラインの構成を示す概念図である。従来の半
導体装置の製造ライン９０は、図８に示すように、所定
のプロセッシングをウエハに施すプロセス装置９２Ａ〜
Ｅを一連的に備え、各プロセス装置９２でそれぞれ所定
のプロセッシングを順次ウエハに施している。製造ライ
ン９０では、各プロセス装置９２によるプロセッシング
の前処理又は後処理として、洗浄・乾燥処理をウエハに
施すことが必要である。
【０００９】例えば、ゲート酸化膜形成工程では、酸化
膜をウエットエッチングし、次いで窒化膜をウエットエ
ッチングし、更に酸化膜をウエットエッチングを行った
際、リンス水滴中に汚染物が溶解してウエハ表面に汚染
が生じるのを抑制するために、通常、ＨＦ系洗浄液によ
り洗浄し、次いでＩＰＡ乾燥を行う。また、層間絶縁膜
を貫通するプラグを形成する際には、層間絶縁膜をエッ
チングしてコンタクトホールを開口し、次いで開口した
コンタクトホールを非ＨＦ系洗浄液により洗浄した後、
スピン乾燥を行い、ウオーターマークの発生を抑制する
ためにＨＦ系洗浄液により洗浄し、ＩＰＡ乾燥を行って
いる。
膜をウエットエッチングし、次いで窒化膜をウエットエ
ッチングし、更に酸化膜をウエットエッチングを行った
際、リンス水滴中に汚染物が溶解してウエハ表面に汚染
が生じるのを抑制するために、通常、ＨＦ系洗浄液によ
り洗浄し、次いでＩＰＡ乾燥を行う。また、層間絶縁膜
を貫通するプラグを形成する際には、層間絶縁膜をエッ
チングしてコンタクトホールを開口し、次いで開口した
コンタクトホールを非ＨＦ系洗浄液により洗浄した後、
スピン乾燥を行い、ウオーターマークの発生を抑制する
ためにＨＦ系洗浄液により洗浄し、ＩＰＡ乾燥を行って
いる。
【００１０】製造ライン９０では、プロセス装置９２
Ａ、Ｄで行うプロセッシングの後に、ＨＦ系洗浄処理及
び高乾燥型の乾燥処理を施すことが必要であり、また、
プロセス装置９２Ｂ、Ｃで行うプロセッシングの後に、
非ＨＦ系洗浄処理及び低乾燥型の乾燥処理を施すこと必
要である。そこで、従来の製造ライン９０では、プロセ
ス装置９２Ａ、Ｄの後に、それぞれ、ＨＦ系洗浄液によ
る洗浄装置９４とＩＰＡ乾燥装置９６とを設け、プロセ
ス装置９２Ｂ、Ｃの後に それぞれ、非ＨＦ系洗浄液に
よる洗浄装置９８とスピン乾燥装置１００とを設けてい
る。
Ａ、Ｄで行うプロセッシングの後に、ＨＦ系洗浄処理及
び高乾燥型の乾燥処理を施すことが必要であり、また、
プロセス装置９２Ｂ、Ｃで行うプロセッシングの後に、
非ＨＦ系洗浄処理及び低乾燥型の乾燥処理を施すこと必
要である。そこで、従来の製造ライン９０では、プロセ
ス装置９２Ａ、Ｄの後に、それぞれ、ＨＦ系洗浄液によ
る洗浄装置９４とＩＰＡ乾燥装置９６とを設け、プロセ
ス装置９２Ｂ、Ｃの後に それぞれ、非ＨＦ系洗浄液に
よる洗浄装置９８とスピン乾燥装置１００とを設けてい
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の半導体装置の製造ラインには、以下のような問題があ
った。第１には、各プロセス装置には、ＨＦ系洗浄装置
と、高乾燥型乾燥装置との組み合わせ、又は非ＨＦ系洗
浄装置と低乾燥型乾燥装置との組み合わせのいずれかの
組み合わせしか設けられていないので、洗浄プロセス及
び乾燥プロセスの選択のフレキシビリティが低いという
問題があった。例えば、前述したように、ウエハの大口
径化、素子寸法の微細化、配線の多層化等に伴い、従来
はＨＦ系洗浄を必要としなかった洗浄条件からＨＦ系洗
浄を必要する洗浄条件に変更しようとしても、従来の半
導体装置の製造ラインでは、そのプロセス装置の後に
は、非ＨＦ系洗浄装置とスピン乾燥装置との組み合わせ
しか設けられていないので、洗浄条件を変更することが
極めて難しかった。更に言えば、低乾燥型の乾燥装置が
設けてある場合には、高乾燥を必要とするＨＦ処理等の
洗浄の後で、十分な乾燥を行うことできないので、後の
工程で支障が生じる。逆に、必要性が低いにもかかわら
ず、高乾燥型の乾燥装置が設けてある場合には、半導体
装置の製造ライン全体のスループットが低下し、製造コ
ストの上昇を招く。だからと言って、洗浄装置の後に、
高乾燥型と低乾燥型の２種類の乾燥装置を設けるので
は、設備費が嵩む。
の半導体装置の製造ラインには、以下のような問題があ
った。第１には、各プロセス装置には、ＨＦ系洗浄装置
と、高乾燥型乾燥装置との組み合わせ、又は非ＨＦ系洗
浄装置と低乾燥型乾燥装置との組み合わせのいずれかの
組み合わせしか設けられていないので、洗浄プロセス及
び乾燥プロセスの選択のフレキシビリティが低いという
問題があった。例えば、前述したように、ウエハの大口
径化、素子寸法の微細化、配線の多層化等に伴い、従来
はＨＦ系洗浄を必要としなかった洗浄条件からＨＦ系洗
浄を必要する洗浄条件に変更しようとしても、従来の半
導体装置の製造ラインでは、そのプロセス装置の後に
は、非ＨＦ系洗浄装置とスピン乾燥装置との組み合わせ
しか設けられていないので、洗浄条件を変更することが
極めて難しかった。更に言えば、低乾燥型の乾燥装置が
設けてある場合には、高乾燥を必要とするＨＦ処理等の
洗浄の後で、十分な乾燥を行うことできないので、後の
工程で支障が生じる。逆に、必要性が低いにもかかわら
ず、高乾燥型の乾燥装置が設けてある場合には、半導体
装置の製造ライン全体のスループットが低下し、製造コ
ストの上昇を招く。だからと言って、洗浄装置の後に、
高乾燥型と低乾燥型の２種類の乾燥装置を設けるので
は、設備費が嵩む。
【００１２】第２には、半導体装置の製造ラインのスル
ープットが、乾燥装置のスループットに依存するという
問題があって、例えば、高乾燥型乾燥装置が設けてある
場合には、そこでの高乾燥型乾燥装置のスループット
が、製造ライン全体のスループットを律速するという問
題があった。
ープットが、乾燥装置のスループットに依存するという
問題があって、例えば、高乾燥型乾燥装置が設けてある
場合には、そこでの高乾燥型乾燥装置のスループット
が、製造ライン全体のスループットを律速するという問
題があった。
【００１３】第３には、各プロセス装置の前段、又は後
段に、洗浄装置と乾燥装置とがそれぞれ設けてあるの
で、全体として、膨大な数の洗浄装置と乾燥装置を必要
とし、そのために、洗浄・乾燥装置の設備費が嵩み、ウ
エハの洗浄・乾燥コストが高かった。しかも、全ての洗
浄・乾燥装置がフル稼働していることは極めて稀である
から、洗浄・乾燥装置のアイドル時間が多かった。
段に、洗浄装置と乾燥装置とがそれぞれ設けてあるの
で、全体として、膨大な数の洗浄装置と乾燥装置を必要
とし、そのために、洗浄・乾燥装置の設備費が嵩み、ウ
エハの洗浄・乾燥コストが高かった。しかも、全ての洗
浄・乾燥装置がフル稼働していることは極めて稀である
から、洗浄・乾燥装置のアイドル時間が多かった。
【００１４】以上のような従来の半導体装置の製造ライ
ンに付随する問題から、３００mmウエハの到来を前にし
て、ウエハの洗浄処理及び乾燥処理の品質を高め、かつ
洗浄コスト及び乾燥コストを低減し、プロセスのフレキ
シビリティを高くするように最適化された装置仕様と装
置配置で、洗浄装置及び乾燥装置を製造ラインに設備す
ることが、重要になっている。そこで、以上の状況に照
らして、本発明の目的は、洗浄及び乾燥プロセスのフレ
キシビリティの高い、洗浄・乾燥装置を提供し、更に、
洗浄及び乾燥プロセスのフレキシビリティを高くするよ
うに最適化された半導体装置の製造ラインを提供するこ
とである。
ンに付随する問題から、３００mmウエハの到来を前にし
て、ウエハの洗浄処理及び乾燥処理の品質を高め、かつ
洗浄コスト及び乾燥コストを低減し、プロセスのフレキ
シビリティを高くするように最適化された装置仕様と装
置配置で、洗浄装置及び乾燥装置を製造ラインに設備す
ることが、重要になっている。そこで、以上の状況に照
らして、本発明の目的は、洗浄及び乾燥プロセスのフレ
キシビリティの高い、洗浄・乾燥装置を提供し、更に、
洗浄及び乾燥プロセスのフレキシビリティを高くするよ
うに最適化された半導体装置の製造ラインを提供するこ
とである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る洗浄・乾燥装置（第１の発明）は、半
導体装置を製造する過程で、ウエハを洗浄し、乾燥する
装置であって、ＨＦ系洗浄液による洗浄装置、非ＨＦ系
洗浄液による洗浄装置、低乾燥型乾燥装置、及び高乾燥
型乾燥装置を備え、洗浄条件に応じて所要の洗浄装置を
選択し、乾燥条件に応じて所要の乾燥装置を選択するよ
うにしたことを特徴としている。第１から第５の発明
で、高乾燥型乾燥装置とは、代表的にはＩＰＡ蒸気乾燥
法による乾燥装置を意味し、低乾燥型乾燥装置とは、ス
ピン乾燥法による乾燥装置を言う。
に、本発明に係る洗浄・乾燥装置（第１の発明）は、半
導体装置を製造する過程で、ウエハを洗浄し、乾燥する
装置であって、ＨＦ系洗浄液による洗浄装置、非ＨＦ系
洗浄液による洗浄装置、低乾燥型乾燥装置、及び高乾燥
型乾燥装置を備え、洗浄条件に応じて所要の洗浄装置を
選択し、乾燥条件に応じて所要の乾燥装置を選択するよ
うにしたことを特徴としている。第１から第５の発明
で、高乾燥型乾燥装置とは、代表的にはＩＰＡ蒸気乾燥
法による乾燥装置を意味し、低乾燥型乾燥装置とは、ス
ピン乾燥法による乾燥装置を言う。
【００１６】上記目的を達成するために、本発明に係る
半導体装置の製造ライン（第２の発明）は、それぞれ、
所定のプロセッシングをウエハに施す複数個のプロセス
装置を一連的に備えて、順次、所定のプロセッシングを
ウエハに施すようにした半導体装置の製造ラインであっ
て、ＨＦ系洗浄液による洗浄装置及び非ＨＦ系洗浄液に
よる洗浄装置の双方と、低乾燥型乾燥装置及び高乾燥型
乾燥装置の双方とを有して、限定された設置数で適所に
配置され、洗浄条件に応じて所要の洗浄装置を選択し、
乾燥条件に応じて所要の乾燥装置を選択するようにした
集中型洗浄・乾燥ステーションと、プロセス装置からウ
エハを集中型洗浄・乾燥ステーションに高速で搬送する
ウエハ搬送装置とを備えていることを特徴としている。
半導体装置の製造ライン（第２の発明）は、それぞれ、
所定のプロセッシングをウエハに施す複数個のプロセス
装置を一連的に備えて、順次、所定のプロセッシングを
ウエハに施すようにした半導体装置の製造ラインであっ
て、ＨＦ系洗浄液による洗浄装置及び非ＨＦ系洗浄液に
よる洗浄装置の双方と、低乾燥型乾燥装置及び高乾燥型
乾燥装置の双方とを有して、限定された設置数で適所に
配置され、洗浄条件に応じて所要の洗浄装置を選択し、
乾燥条件に応じて所要の乾燥装置を選択するようにした
集中型洗浄・乾燥ステーションと、プロセス装置からウ
エハを集中型洗浄・乾燥ステーションに高速で搬送する
ウエハ搬送装置とを備えていることを特徴としている。
【００１７】第２の発明では、集中型洗浄・乾燥ステー
ションに、ＨＦ系洗浄液による洗浄装置、及び非ＨＦ系
洗浄液による洗浄装置が設けられ、低乾燥型乾燥装置、
及び高乾燥型乾燥装置が設けられているので、各プロセ
ッシングの前処理又は後処理として、洗浄装置のいずれ
かを選択して所望の洗浄処理を行い、また、乾燥装置の
いずれかを選択して所望の乾燥処理を行うことができ、
洗浄処理及び乾燥処理の選択のフレキシビリティが増大
する。また、高乾燥型乾燥装置でも、大きな処理能力を
有する装置を備えることにより、スループットが増大
し、製造ラインのスループットに対する乾燥装置の律速
性を緩和することができる。更には、集中型洗浄・乾燥
ステーションを最適な場所に設置することにより、製造
ラインの配置を最適化することができる。
ションに、ＨＦ系洗浄液による洗浄装置、及び非ＨＦ系
洗浄液による洗浄装置が設けられ、低乾燥型乾燥装置、
及び高乾燥型乾燥装置が設けられているので、各プロセ
ッシングの前処理又は後処理として、洗浄装置のいずれ
かを選択して所望の洗浄処理を行い、また、乾燥装置の
いずれかを選択して所望の乾燥処理を行うことができ、
洗浄処理及び乾燥処理の選択のフレキシビリティが増大
する。また、高乾燥型乾燥装置でも、大きな処理能力を
有する装置を備えることにより、スループットが増大
し、製造ラインのスループットに対する乾燥装置の律速
性を緩和することができる。更には、集中型洗浄・乾燥
ステーションを最適な場所に設置することにより、製造
ラインの配置を最適化することができる。
【００１８】また、本発明に係る別の半導体装置の製造
ライン（第３の発明）は、それぞれ、所定のプロセッシ
ングをウエハに施す複数個のプロセス装置を一連的に備
えて、順次、所定のプロセッシングをウエハに施すよう
にした半導体装置の製造ラインであって、ＨＦ系洗浄液
による洗浄装置と、高乾燥型乾燥装置とを有し、限定さ
れた設置数で適所に設置された集中型洗浄・乾燥ステー
ションと、非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、低乾燥型
乾燥装置とを有し、プロセス装置に付随して必要に応じ
て設けられた分散型洗浄・乾燥ステーションと、プロセ
ス装置から集中型洗浄・乾燥ステーションにウエハを高
速で搬送するウエハ搬送装置とを有することを特徴とし
ている。
ライン（第３の発明）は、それぞれ、所定のプロセッシ
ングをウエハに施す複数個のプロセス装置を一連的に備
えて、順次、所定のプロセッシングをウエハに施すよう
にした半導体装置の製造ラインであって、ＨＦ系洗浄液
による洗浄装置と、高乾燥型乾燥装置とを有し、限定さ
れた設置数で適所に設置された集中型洗浄・乾燥ステー
ションと、非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、低乾燥型
乾燥装置とを有し、プロセス装置に付随して必要に応じ
て設けられた分散型洗浄・乾燥ステーションと、プロセ
ス装置から集中型洗浄・乾燥ステーションにウエハを高
速で搬送するウエハ搬送装置とを有することを特徴とし
ている。
【００１９】第３の発明では、集中型洗浄・乾燥ステー
ションに、ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、高乾燥型乾
燥装置とを備えているので、プロセス装置でのプロセッ
シングの後に、ＨＦ系洗浄処理を自在に選択して、自然
酸化膜の成長を抑制した品質の高い洗浄・乾燥処理を行
うことができる。従って、洗浄、乾燥処理の選択のフレ
キシビリティが増大する。また、集中型洗浄・乾燥ステ
ーションを最適な場所に設置することにより、製造ライ
ンの配置を最適化することができる。
ションに、ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、高乾燥型乾
燥装置とを備えているので、プロセス装置でのプロセッ
シングの後に、ＨＦ系洗浄処理を自在に選択して、自然
酸化膜の成長を抑制した品質の高い洗浄・乾燥処理を行
うことができる。従って、洗浄、乾燥処理の選択のフレ
キシビリティが増大する。また、集中型洗浄・乾燥ステ
ーションを最適な場所に設置することにより、製造ライ
ンの配置を最適化することができる。
【００２０】また、本発明に係る更に別の半導体装置の
製造ライン（第４の発明）は、それぞれ、所定のプロセ
ッシングをウエハに施す複数個のプロセス装置を一連的
に備えて、順次、所定のプロセッシングをウエハに施す
ようにした半導体装置の製造ラインであって、非ＨＦ系
洗浄液による洗浄装置と、低乾燥型乾燥装置とを有し、
限定された設置数で適所に設置された集中型洗浄・乾燥
ステーションと、ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、高乾
燥型乾燥装置とを有し、プロセス装置に付随して必要に
応じて配置された分散型洗浄・乾燥ステーションと、プ
ロセス装置から集中型洗浄・乾燥ステーションにウエハ
を高速で搬送するウエハ搬送装置とを有することを特徴
としている。
製造ライン（第４の発明）は、それぞれ、所定のプロセ
ッシングをウエハに施す複数個のプロセス装置を一連的
に備えて、順次、所定のプロセッシングをウエハに施す
ようにした半導体装置の製造ラインであって、非ＨＦ系
洗浄液による洗浄装置と、低乾燥型乾燥装置とを有し、
限定された設置数で適所に設置された集中型洗浄・乾燥
ステーションと、ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、高乾
燥型乾燥装置とを有し、プロセス装置に付随して必要に
応じて配置された分散型洗浄・乾燥ステーションと、プ
ロセス装置から集中型洗浄・乾燥ステーションにウエハ
を高速で搬送するウエハ搬送装置とを有することを特徴
としている。
【００２１】第４の発明では、集中型洗浄・乾燥ステー
ションに、非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、低乾燥型
乾燥装置とを備えているので、プロセス装置でのプロセ
ッシングの後に、非ＨＦ系洗浄処理を自在に選択して、
スループットの高い洗浄・乾燥処理を行うことができ
る。従って、洗浄、乾燥処理の選択のフレキシビリティ
が増大する。また、集中型洗浄・乾燥ステーションを最
適な場所に設置することにより、製造ラインの配置を最
適化することができる。なお、第４の発明では、非ＨＦ
系洗浄液による洗浄装置と、低乾燥型乾燥装置とを有す
る集中型洗浄・乾燥ステーションから、ＨＦ系洗浄液に
よる洗浄装置と、高乾燥型乾燥装置とを有する分散型洗
浄・乾燥ステーションに、ウエハを高速で搬送するウエ
ハ搬送装置を備えることにより、更に洗浄、乾燥処理の
選択のフレキシビリティを大きくすることもできる。
ションに、非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、低乾燥型
乾燥装置とを備えているので、プロセス装置でのプロセ
ッシングの後に、非ＨＦ系洗浄処理を自在に選択して、
スループットの高い洗浄・乾燥処理を行うことができ
る。従って、洗浄、乾燥処理の選択のフレキシビリティ
が増大する。また、集中型洗浄・乾燥ステーションを最
適な場所に設置することにより、製造ラインの配置を最
適化することができる。なお、第４の発明では、非ＨＦ
系洗浄液による洗浄装置と、低乾燥型乾燥装置とを有す
る集中型洗浄・乾燥ステーションから、ＨＦ系洗浄液に
よる洗浄装置と、高乾燥型乾燥装置とを有する分散型洗
浄・乾燥ステーションに、ウエハを高速で搬送するウエ
ハ搬送装置を備えることにより、更に洗浄、乾燥処理の
選択のフレキシビリティを大きくすることもできる。
【００２２】また、本発明に係る更に別の半導体装置の
製造ライン（第５の発明）は、それぞれ、所定のプロセ
ッシングをウエハに施す複数個のプロセス装置を一連的
に備えて、順次、所定のプロセッシングをウエハに施す
ようにした半導体装置の製造ラインであって、ＨＦ系洗
浄液による洗浄装置と、高乾燥型乾燥装置とを有し、限
定された設置数で適所に設置された第１の集中型洗浄・
乾燥ステーションと、非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置
と、低乾燥型乾燥装置とを有し、限定された設置数で適
所に設置された第２の集中型洗浄・乾燥ステーション
と、プロセス装置から第１の集中型洗浄・乾燥ステーシ
ョン及び第２の集中型洗浄・乾燥ステーションの少なく
とも一方に、ウエハを高速で搬送するウエハ搬送装置と
有することを特徴としている。
製造ライン（第５の発明）は、それぞれ、所定のプロセ
ッシングをウエハに施す複数個のプロセス装置を一連的
に備えて、順次、所定のプロセッシングをウエハに施す
ようにした半導体装置の製造ラインであって、ＨＦ系洗
浄液による洗浄装置と、高乾燥型乾燥装置とを有し、限
定された設置数で適所に設置された第１の集中型洗浄・
乾燥ステーションと、非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置
と、低乾燥型乾燥装置とを有し、限定された設置数で適
所に設置された第２の集中型洗浄・乾燥ステーション
と、プロセス装置から第１の集中型洗浄・乾燥ステーシ
ョン及び第２の集中型洗浄・乾燥ステーションの少なく
とも一方に、ウエハを高速で搬送するウエハ搬送装置と
有することを特徴としている。
【００２３】第５の発明では、ＨＦ系洗浄液による洗浄
装置と、高乾燥型乾燥装置とを有する第１の集中型洗浄
・乾燥ステーションと、非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置
と、低乾燥型乾燥装置とを有する第２の集中型洗浄・乾
燥ステーションとを製造ラインの適所に備えているの
で、プロセス装置でのプロセッシングの後に、洗浄及び
乾燥方法を自在に選択することができる。従って、洗
浄、乾燥方法の選択のフレキシビリティが増大する。ま
た、集中型洗浄・乾燥ステーションを最適な場所に設置
することにより、製造ラインの配置を最適化することが
できる。なお、第５の発明では、非ＨＦ系洗浄液による
洗浄装置と、低乾燥型乾燥装置とを有する第２の集中型
洗浄・乾燥ステーションから、ＨＦ系洗浄液による洗浄
装置と、高乾燥型乾燥装置とを有する第１の集中型洗浄
・乾燥ステーションを経てプロセス装置にウエハを高速
で搬送するウエハ搬送装置を備えることにより、更に洗
浄、乾燥処理の選択のフレキシビリティを大きくするこ
ともできる。
装置と、高乾燥型乾燥装置とを有する第１の集中型洗浄
・乾燥ステーションと、非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置
と、低乾燥型乾燥装置とを有する第２の集中型洗浄・乾
燥ステーションとを製造ラインの適所に備えているの
で、プロセス装置でのプロセッシングの後に、洗浄及び
乾燥方法を自在に選択することができる。従って、洗
浄、乾燥方法の選択のフレキシビリティが増大する。ま
た、集中型洗浄・乾燥ステーションを最適な場所に設置
することにより、製造ラインの配置を最適化することが
できる。なお、第５の発明では、非ＨＦ系洗浄液による
洗浄装置と、低乾燥型乾燥装置とを有する第２の集中型
洗浄・乾燥ステーションから、ＨＦ系洗浄液による洗浄
装置と、高乾燥型乾燥装置とを有する第１の集中型洗浄
・乾燥ステーションを経てプロセス装置にウエハを高速
で搬送するウエハ搬送装置を備えることにより、更に洗
浄、乾燥処理の選択のフレキシビリティを大きくするこ
ともできる。
【００２４】第２から第５の発明で、ウエハを高速で搬
送するウエハ搬送装置は、例えば天井搬送路網とロボッ
ト付きＡＧＶ（Automatic Guided Vehicle) とを組み合
わせた天井設置型ウエハ搬送装置とか、或いは空気圧搬
送によるチューブ式搬送路網をクリーンルームの天井又
は床下に設けたチューブ式ウエハ搬送装置とかを使用す
る。チューブ式ウエハ搬送装置のチューブ式搬送路は、
不活性ガスにより不活性雰囲気にしたり、又は汚染有機
物を捕捉するフィルタを搬送用気体の送り込み口に設け
たりして、搬送中の汚染発生を防止する。また、好適に
は、各集中型洗浄・乾燥ステーションには、遠隔制御で
きる、ウエハのハンドリング・ロボットを設ける。
送するウエハ搬送装置は、例えば天井搬送路網とロボッ
ト付きＡＧＶ（Automatic Guided Vehicle) とを組み合
わせた天井設置型ウエハ搬送装置とか、或いは空気圧搬
送によるチューブ式搬送路網をクリーンルームの天井又
は床下に設けたチューブ式ウエハ搬送装置とかを使用す
る。チューブ式ウエハ搬送装置のチューブ式搬送路は、
不活性ガスにより不活性雰囲気にしたり、又は汚染有機
物を捕捉するフィルタを搬送用気体の送り込み口に設け
たりして、搬送中の汚染発生を防止する。また、好適に
は、各集中型洗浄・乾燥ステーションには、遠隔制御で
きる、ウエハのハンドリング・ロボットを設ける。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明
する。実施形態例１ 本実施形態例は、第１の発明に係る洗浄・乾燥装置の実
施形態の一例であって、図１は本実施形態例の洗浄・乾
燥装置の構成を示す概念図である。本実施形態例の洗浄
・乾燥装置１は、半導体装置を製造する過程で、ウエハ
を洗浄し、乾燥する装置であって、図１に示すように、
ＨＦ系洗浄液による洗浄装置２、非ＨＦ系洗浄液による
洗浄装置３、高乾燥型乾燥装置としてＩＰＡ乾燥装置
４、及び低乾燥型乾燥装置としてスピン乾燥装置５を備
えている。また、洗浄・乾燥装置１は、外部からウエハ
を受け取ったり、洗浄装置から乾燥装置にウエハを移送
したり、乾燥装置からウエハを外部に引き渡すために、
遠隔制御できる、ウエハのハンドリング・ロボット６を
備えている。本実施形態例では、洗浄条件に応じて所要
の洗浄装置を選択し、乾燥条件に応じて所要の乾燥装置
を選択することができる。
例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明
する。実施形態例１ 本実施形態例は、第１の発明に係る洗浄・乾燥装置の実
施形態の一例であって、図１は本実施形態例の洗浄・乾
燥装置の構成を示す概念図である。本実施形態例の洗浄
・乾燥装置１は、半導体装置を製造する過程で、ウエハ
を洗浄し、乾燥する装置であって、図１に示すように、
ＨＦ系洗浄液による洗浄装置２、非ＨＦ系洗浄液による
洗浄装置３、高乾燥型乾燥装置としてＩＰＡ乾燥装置
４、及び低乾燥型乾燥装置としてスピン乾燥装置５を備
えている。また、洗浄・乾燥装置１は、外部からウエハ
を受け取ったり、洗浄装置から乾燥装置にウエハを移送
したり、乾燥装置からウエハを外部に引き渡すために、
遠隔制御できる、ウエハのハンドリング・ロボット６を
備えている。本実施形態例では、洗浄条件に応じて所要
の洗浄装置を選択し、乾燥条件に応じて所要の乾燥装置
を選択することができる。
【００２６】実施形態例２ 本実施形態例は、第２の発明に係る半導体装置の製造ラ
インの実施形態の一例であって、図２は本実施形態例の
半導体装置の製造ラインの構成を示す概念図である。本
実施形態例の半導体装置の製造ライン１０（以下、簡単
に製造ライン１０と言う）は、図２に示すように、それ
ぞれ、所定のプロセッシングをウエハに施す複数個のプ
ロセス装置１２Ａ〜Ｅを一連的に備えて、順次、所定の
プロセッシングをウエハに施すようにした半導体装置の
製造ラインである。また、各プロセス装置１２によるプ
ロセッシングの前処理又は後処理として、洗浄・乾燥処
理をウエハに施すことが必要である。そこで、製造ライ
ン１０は、洗浄・乾燥処理を集中的に行う集中型洗浄・
乾燥ステーション１４と、製造ライン１０内の各プロセ
ス装置１２Ａ〜Ｅから集中型洗浄・乾燥ステーション１
４にウエハを高速で搬送するウエハ搬送装置１６とを備
えている。集中型洗浄・乾燥ステーション１４は、製造
ライン１０の適所に、限定された設置数、例えば１ない
し２等の設置数で設置されており、ＨＦ系洗浄液による
洗浄装置１８、非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置２０、高
乾燥型乾燥装置としてＩＰＡ乾燥装置２２及び低乾燥型
乾燥装置としてスピン乾燥装置２４を備えている。ま
た、集中型洗浄・乾燥ステーション１４は、ウエハをハ
ンドリングするハンドリング・ロボット（図示せず）を
備えている。
インの実施形態の一例であって、図２は本実施形態例の
半導体装置の製造ラインの構成を示す概念図である。本
実施形態例の半導体装置の製造ライン１０（以下、簡単
に製造ライン１０と言う）は、図２に示すように、それ
ぞれ、所定のプロセッシングをウエハに施す複数個のプ
ロセス装置１２Ａ〜Ｅを一連的に備えて、順次、所定の
プロセッシングをウエハに施すようにした半導体装置の
製造ラインである。また、各プロセス装置１２によるプ
ロセッシングの前処理又は後処理として、洗浄・乾燥処
理をウエハに施すことが必要である。そこで、製造ライ
ン１０は、洗浄・乾燥処理を集中的に行う集中型洗浄・
乾燥ステーション１４と、製造ライン１０内の各プロセ
ス装置１２Ａ〜Ｅから集中型洗浄・乾燥ステーション１
４にウエハを高速で搬送するウエハ搬送装置１６とを備
えている。集中型洗浄・乾燥ステーション１４は、製造
ライン１０の適所に、限定された設置数、例えば１ない
し２等の設置数で設置されており、ＨＦ系洗浄液による
洗浄装置１８、非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置２０、高
乾燥型乾燥装置としてＩＰＡ乾燥装置２２及び低乾燥型
乾燥装置としてスピン乾燥装置２４を備えている。ま
た、集中型洗浄・乾燥ステーション１４は、ウエハをハ
ンドリングするハンドリング・ロボット（図示せず）を
備えている。
【００２７】ウエハを高速で搬送するウエハ搬送装置１
６（図示せず）は、空気圧搬送によるチューブ式搬送路
網をクリーンルームの天井に設けたチューブ式ウエハ搬
送装置であって、チューブ式搬送路は、不活性ガスによ
り不活性雰囲気になっていて、搬送中のウエハの汚染を
防止している。これは、以下の実施形態例でも同じであ
る。
６（図示せず）は、空気圧搬送によるチューブ式搬送路
網をクリーンルームの天井に設けたチューブ式ウエハ搬
送装置であって、チューブ式搬送路は、不活性ガスによ
り不活性雰囲気になっていて、搬送中のウエハの汚染を
防止している。これは、以下の実施形態例でも同じであ
る。
【００２８】本実施形態例では、各プロセス装置１２で
プロセッシングされたウエハは、ウエハ搬送装置１６に
より、高速で実線で示すように集中型洗浄・乾燥ステー
ション１４に搬送され、ハンドリング・ロボットにより
仕分けされて、洗浄条件に応じて所要の洗浄装置を選択
し、乾燥条件に応じて所要の乾燥装置を選択することが
できる。例えばＨＦ系洗浄処理を必要とするウエハは、
洗浄装置１８でＨＦ系洗浄液により洗浄され、ＩＰＡ乾
燥装置２２で乾燥される。また、非ＨＦ系洗浄液による
洗浄処理を必要とするウエハは、洗浄装置２０で非ＨＦ
系洗浄液により洗浄され、スピン乾燥装置２４で乾燥さ
れる。乾燥処理されたウエハは、ウエハ搬送装置１６に
より、又は通常の搬送手段により、破線で示すようよう
に次のプロセス装置に移送される。
プロセッシングされたウエハは、ウエハ搬送装置１６に
より、高速で実線で示すように集中型洗浄・乾燥ステー
ション１４に搬送され、ハンドリング・ロボットにより
仕分けされて、洗浄条件に応じて所要の洗浄装置を選択
し、乾燥条件に応じて所要の乾燥装置を選択することが
できる。例えばＨＦ系洗浄処理を必要とするウエハは、
洗浄装置１８でＨＦ系洗浄液により洗浄され、ＩＰＡ乾
燥装置２２で乾燥される。また、非ＨＦ系洗浄液による
洗浄処理を必要とするウエハは、洗浄装置２０で非ＨＦ
系洗浄液により洗浄され、スピン乾燥装置２４で乾燥さ
れる。乾燥処理されたウエハは、ウエハ搬送装置１６に
より、又は通常の搬送手段により、破線で示すようよう
に次のプロセス装置に移送される。
【００２９】実施形態例２では、各プロセス装置１２に
よるプロセッシングの後で、集中型洗浄・乾燥ステーシ
ョン１４に設けられた、異なる種類の洗浄装置及び乾燥
装置を使用できるので、洗浄・乾燥処理の選択のフレキ
シビリティが増大する。また、ＩＰＡ乾燥装置２２の処
理能力を大きくすることにより、乾燥装置２２のスルー
プットを増大し、製造ライン１０のスループットに対す
る乾燥装置の律速性を緩和することができる。更には、
集中型洗浄・乾燥ステーション１４を最適な場所に設置
することにより、製造ライン１０の配置を最適化するこ
とができる。
よるプロセッシングの後で、集中型洗浄・乾燥ステーシ
ョン１４に設けられた、異なる種類の洗浄装置及び乾燥
装置を使用できるので、洗浄・乾燥処理の選択のフレキ
シビリティが増大する。また、ＩＰＡ乾燥装置２２の処
理能力を大きくすることにより、乾燥装置２２のスルー
プットを増大し、製造ライン１０のスループットに対す
る乾燥装置の律速性を緩和することができる。更には、
集中型洗浄・乾燥ステーション１４を最適な場所に設置
することにより、製造ライン１０の配置を最適化するこ
とができる。
【００３０】実施形態例３ 本実施形態例は、第３の発明に係る半導体装置の製造ラ
インの実施形態の一例であって、図３は本実施形態例の
半導体装置の製造ラインの構成を示す概念図である。本
実施形態例の半導体装置の製造ライン３０（以下、簡単
に製造ライン３０と言う）は、図３に示すように、それ
ぞれ、所定のプロセッシングをウエハに施す複数個のプ
ロセス装置３２Ａ〜Ｅを一連的に備えて、順次、所定の
プロセッシングをウエハに施すようにした半導体装置の
製造ラインである。また、各プロセス装置３２によるプ
ロセッシングの前処理又は後処理として、洗浄・乾燥処
理をウエハに施すことが必要である。本実施形態例で
は、プロセス装置３２Ａ、Ｄで行うプロセッシングの後
で、ＨＦ系洗浄処理及び高乾燥型の乾燥処理を施すこと
が必要であり、また、プロセス装置３２Ｂ、Ｃで行うプ
ロセッシングの後で、非ＨＦ系洗浄処理及び低乾燥型の
乾燥処理を施すことが必要である。
インの実施形態の一例であって、図３は本実施形態例の
半導体装置の製造ラインの構成を示す概念図である。本
実施形態例の半導体装置の製造ライン３０（以下、簡単
に製造ライン３０と言う）は、図３に示すように、それ
ぞれ、所定のプロセッシングをウエハに施す複数個のプ
ロセス装置３２Ａ〜Ｅを一連的に備えて、順次、所定の
プロセッシングをウエハに施すようにした半導体装置の
製造ラインである。また、各プロセス装置３２によるプ
ロセッシングの前処理又は後処理として、洗浄・乾燥処
理をウエハに施すことが必要である。本実施形態例で
は、プロセス装置３２Ａ、Ｄで行うプロセッシングの後
で、ＨＦ系洗浄処理及び高乾燥型の乾燥処理を施すこと
が必要であり、また、プロセス装置３２Ｂ、Ｃで行うプ
ロセッシングの後で、非ＨＦ系洗浄処理及び低乾燥型の
乾燥処理を施すことが必要である。
【００３１】そこで、本実施形態例では、ＨＦ系洗浄装
置３４、高乾燥型のＩＰＡ乾燥装置３６、及びハンドリ
ング・ロボット（図示せず）を有する集中型洗浄・乾燥
ステーション３８が、製造ライン３０の適所に限定され
た設置数、例えば１ない２の設置数で設置されている。
また、プロセス装置３２Ａ、Ｄから集中型洗浄・乾燥ス
テーション３８までウエハを高速で搬送するウエハ搬送
装置４０が、設けられている。一方、プロセス装置３２
Ｂ、Ｃの後には、それぞれ、非ＨＦ系洗浄装置４２と低
乾燥型のスピン乾燥装置４４とを有する分散型洗浄・乾
燥ステーション４６が設けてある。
置３４、高乾燥型のＩＰＡ乾燥装置３６、及びハンドリ
ング・ロボット（図示せず）を有する集中型洗浄・乾燥
ステーション３８が、製造ライン３０の適所に限定され
た設置数、例えば１ない２の設置数で設置されている。
また、プロセス装置３２Ａ、Ｄから集中型洗浄・乾燥ス
テーション３８までウエハを高速で搬送するウエハ搬送
装置４０が、設けられている。一方、プロセス装置３２
Ｂ、Ｃの後には、それぞれ、非ＨＦ系洗浄装置４２と低
乾燥型のスピン乾燥装置４４とを有する分散型洗浄・乾
燥ステーション４６が設けてある。
【００３２】本実施形態例では、プロセス装置３２Ａ、
Ｄでプロセッシングされたウエハは、ウエハ搬送装置４
０により、高速で実線で示すように集中型洗浄・乾燥ス
テーション３８に搬送され、ハンドリング・ロボットに
よりＨＦ系洗浄装置３４に導入されてＨＦ系洗浄処理さ
れ、続いてＩＰＡ乾燥装置３６に導入されてＩＰＡ乾燥
処理される。乾燥処理されたウエハは、ウエハ搬送装置
４０により、又は通常の搬送手段により、破線で示すよ
うに、次のプロセス装置３２Ｂ、Ｅに移送される。プロ
セス装置３２Ｂ、Ｃでプロセッシングされたウエハは、
それぞれ、分散型洗浄・乾燥ステーション４６の非ＨＦ
系洗浄装置４２及びスピン乾燥装置４４により非ＨＦ系
洗浄処理及びスピン乾燥される。
Ｄでプロセッシングされたウエハは、ウエハ搬送装置４
０により、高速で実線で示すように集中型洗浄・乾燥ス
テーション３８に搬送され、ハンドリング・ロボットに
よりＨＦ系洗浄装置３４に導入されてＨＦ系洗浄処理さ
れ、続いてＩＰＡ乾燥装置３６に導入されてＩＰＡ乾燥
処理される。乾燥処理されたウエハは、ウエハ搬送装置
４０により、又は通常の搬送手段により、破線で示すよ
うに、次のプロセス装置３２Ｂ、Ｅに移送される。プロ
セス装置３２Ｂ、Ｃでプロセッシングされたウエハは、
それぞれ、分散型洗浄・乾燥ステーション４６の非ＨＦ
系洗浄装置４２及びスピン乾燥装置４４により非ＨＦ系
洗浄処理及びスピン乾燥される。
【００３３】実施形態例３では、集中型洗浄・乾燥ステ
ーション３８に、ＨＦ系洗浄装置３４と、ＩＰＡ乾燥装
置３６とを備えているので、各プロセス装置３２でのプ
ロセッシングの後で、ＨＦ系洗浄処理を自在に選択し
て、自然酸化膜の成長を抑制した洗浄・乾燥処理を行う
ことができ、従って、洗浄、乾燥処理の選択のフレキシ
ビリティが増大する。また、集中型洗浄・乾燥ステーシ
ョン３８を最適な場所に設置することにより、製造ライ
ン３０の配置を最適化することができる。
ーション３８に、ＨＦ系洗浄装置３４と、ＩＰＡ乾燥装
置３６とを備えているので、各プロセス装置３２でのプ
ロセッシングの後で、ＨＦ系洗浄処理を自在に選択し
て、自然酸化膜の成長を抑制した洗浄・乾燥処理を行う
ことができ、従って、洗浄、乾燥処理の選択のフレキシ
ビリティが増大する。また、集中型洗浄・乾燥ステーシ
ョン３８を最適な場所に設置することにより、製造ライ
ン３０の配置を最適化することができる。
【００３４】実施形態例４ 本実施形態例は、第４の発明に係る半導体装置の製造ラ
インの実施形態の一例であって、図４は本実施形態例の
半導体装置の製造ラインの構成を示す概念図である。本
実施形態例の半導体装置の製造ライン５０（以下、簡単
に製造ライン５０と言う）は、図４に示すように、それ
ぞれ、所定のプロセッシングをウエハに施す複数個のプ
ロセス装置５２Ａ〜Ｄを一連的に備えて、順次、所定の
プロセッシングをウエハに施すようにした半導体装置の
製造ラインである。また、各プロセス装置５２によるプ
ロセッシングの前処理又は後処理として、洗浄・乾燥処
理をウエハに施すことが必要である。本実施形態例で
は、プロセス装置５２Ａで行うプロセッシングの後で、
ＨＦ系洗浄処理及び高乾燥型の乾燥処理を施すことが必
要であり、プロセス装置５２Ｂで行うプロセッシングの
後で、非ＨＦ系洗浄処理及び低乾燥型の乾燥処理を施す
ことが必要であり、また、プロセス装置５２Ｃで行うプ
ロセッシングの後で、非ＨＦ系洗浄処理及び低乾燥型の
乾燥処理を施し、更に、ＨＦ系洗浄処理及び高乾燥型の
乾燥処理を施すことが必要である。
インの実施形態の一例であって、図４は本実施形態例の
半導体装置の製造ラインの構成を示す概念図である。本
実施形態例の半導体装置の製造ライン５０（以下、簡単
に製造ライン５０と言う）は、図４に示すように、それ
ぞれ、所定のプロセッシングをウエハに施す複数個のプ
ロセス装置５２Ａ〜Ｄを一連的に備えて、順次、所定の
プロセッシングをウエハに施すようにした半導体装置の
製造ラインである。また、各プロセス装置５２によるプ
ロセッシングの前処理又は後処理として、洗浄・乾燥処
理をウエハに施すことが必要である。本実施形態例で
は、プロセス装置５２Ａで行うプロセッシングの後で、
ＨＦ系洗浄処理及び高乾燥型の乾燥処理を施すことが必
要であり、プロセス装置５２Ｂで行うプロセッシングの
後で、非ＨＦ系洗浄処理及び低乾燥型の乾燥処理を施す
ことが必要であり、また、プロセス装置５２Ｃで行うプ
ロセッシングの後で、非ＨＦ系洗浄処理及び低乾燥型の
乾燥処理を施し、更に、ＨＦ系洗浄処理及び高乾燥型の
乾燥処理を施すことが必要である。
【００３５】そこで、本実施形態例では、非ＨＦ系洗浄
装置５４、低乾燥型のスピン乾燥装置５６、及びハンド
リング・ロボット（図示せず）を有する集中型洗浄・乾
燥ステーション５８が、製造ライン５０の適所に限定さ
れた設置数、例えば１ない２の設置数で設置されてい
る。また、プロセス装置５２Ｂ、Ｃから集中型洗浄・乾
燥ステーション５８までウエハを高速で搬送するウエハ
搬送装置６０が設けられている。一方、プロセス装置５
２Ａ及び集中型洗浄・乾燥ステーション５８の後には
（プロセス装置５２Ｄの前には）、それぞれ、ＨＦ系洗
浄装置６２と高乾燥型のＩＰＡ乾燥装置６４とを有する
分散型洗浄・乾燥ステーションステーション６６が設け
てある。
装置５４、低乾燥型のスピン乾燥装置５６、及びハンド
リング・ロボット（図示せず）を有する集中型洗浄・乾
燥ステーション５８が、製造ライン５０の適所に限定さ
れた設置数、例えば１ない２の設置数で設置されてい
る。また、プロセス装置５２Ｂ、Ｃから集中型洗浄・乾
燥ステーション５８までウエハを高速で搬送するウエハ
搬送装置６０が設けられている。一方、プロセス装置５
２Ａ及び集中型洗浄・乾燥ステーション５８の後には
（プロセス装置５２Ｄの前には）、それぞれ、ＨＦ系洗
浄装置６２と高乾燥型のＩＰＡ乾燥装置６４とを有する
分散型洗浄・乾燥ステーションステーション６６が設け
てある。
【００３６】本実施形態例では、プロセス装置５２Ｂで
プロセッシングされたウエハは、ウエハ搬送装置６０に
より、高速で実線で示すように集中型洗浄・乾燥ステー
ション５８に搬送され、ハンドリング・ロボットにより
非ＨＦ系洗浄装置５４に導入されて非ＨＦ系洗浄処理さ
れ、続いてスピン乾燥装置５６に導入されてスピン乾燥
処理される。乾燥処理されたウエハは、ウエハ搬送装置
６０により、又は通常の搬送手段により、破線で示すよ
うに、プロセス装置５２Ｃに搬送される。プロセス装置
５２Ｃでプロセッシングされたウエハは、ウエハ搬送装
置６０により、高速で実線で示すように集中型洗浄・乾
燥ステーション５８に搬送され、ハンドリング・ロボッ
トにより非ＨＦ系洗浄装置５４に導入されて非ＨＦ系洗
浄処理され、続いてスピン乾燥装置５６に導入されてス
ピン乾燥処理される。乾燥処理されたウエハは、ウエハ
搬送装置６０により、分散型洗浄・乾燥ステーションス
テーション６６に搬送され、ＨＦ系洗浄装置６２により
ＨＦ系洗浄処理され、続いてＩＰＡ乾燥装置６４により
ＩＰＡ乾燥処理される。処理されたウエハは、プロセス
装置５２Ｄに移送される。
プロセッシングされたウエハは、ウエハ搬送装置６０に
より、高速で実線で示すように集中型洗浄・乾燥ステー
ション５８に搬送され、ハンドリング・ロボットにより
非ＨＦ系洗浄装置５４に導入されて非ＨＦ系洗浄処理さ
れ、続いてスピン乾燥装置５６に導入されてスピン乾燥
処理される。乾燥処理されたウエハは、ウエハ搬送装置
６０により、又は通常の搬送手段により、破線で示すよ
うに、プロセス装置５２Ｃに搬送される。プロセス装置
５２Ｃでプロセッシングされたウエハは、ウエハ搬送装
置６０により、高速で実線で示すように集中型洗浄・乾
燥ステーション５８に搬送され、ハンドリング・ロボッ
トにより非ＨＦ系洗浄装置５４に導入されて非ＨＦ系洗
浄処理され、続いてスピン乾燥装置５６に導入されてス
ピン乾燥処理される。乾燥処理されたウエハは、ウエハ
搬送装置６０により、分散型洗浄・乾燥ステーションス
テーション６６に搬送され、ＨＦ系洗浄装置６２により
ＨＦ系洗浄処理され、続いてＩＰＡ乾燥装置６４により
ＩＰＡ乾燥処理される。処理されたウエハは、プロセス
装置５２Ｄに移送される。
【００３７】実施形態例４では、集中型洗浄・乾燥ステ
ーション５８に、非ＨＦ系洗浄装置５４と、スピン乾燥
装置５６とを備えているので、プロセス装置５２でのプ
ロセッシングの後に、非ＨＦ系洗浄処理を自在に選択し
て、スループットの高い洗浄・乾燥処理を行うことがで
きる。また、非ＨＦ系洗浄処理に続いてＨＦ系洗浄処理
を行う複合洗浄処理を自在に選択できる。従って、洗
浄、乾燥処理の選択のフレキシビリティが増大する。ま
た、集中型洗浄・乾燥ステーション５８を最適な場所に
設置することにより、製造ライン５０の配置を最適化す
ることができる。
ーション５８に、非ＨＦ系洗浄装置５４と、スピン乾燥
装置５６とを備えているので、プロセス装置５２でのプ
ロセッシングの後に、非ＨＦ系洗浄処理を自在に選択し
て、スループットの高い洗浄・乾燥処理を行うことがで
きる。また、非ＨＦ系洗浄処理に続いてＨＦ系洗浄処理
を行う複合洗浄処理を自在に選択できる。従って、洗
浄、乾燥処理の選択のフレキシビリティが増大する。ま
た、集中型洗浄・乾燥ステーション５８を最適な場所に
設置することにより、製造ライン５０の配置を最適化す
ることができる。
【００３８】実施形態例５ 本実施形態例は、第５の発明に係る半導体装置の製造ラ
インの実施形態の一例であって、図５は本実施形態例の
半導体装置の製造ラインの構成を示す概念図である。本
実施形態例の半導体装置の製造ライン７０（以下、簡単
に製造ライン７０と言う）は、図５に示すように、それ
ぞれ、所定のプロセッシングをウエハに施す複数個のプ
ロセス装置７２Ａ〜Ｆを一連的に備えて、順次、所定の
プロセッシングをウエハに施すようにした半導体装置の
製造ラインである。また、各プロセス装置７２によるプ
ロセッシングの前処理又は後処理として、洗浄・乾燥処
理をウエハに施すことが必要である。本実施形態例で
は、プロセス装置７２Ａ、Ｄで行うプロセッシングの後
で、ＨＦ系洗浄処理及び高乾燥型の乾燥処理を施すこと
が必要であり、また、プロセス装置７２Ｂ、Ｃで行うプ
ロセッシングの後で、非ＨＦ系洗浄処理及び低乾燥型の
乾燥処理を施すこと必要であり、プロセス装置７２Ｅの
プロセッシングの後で、非ＨＦ系洗浄処理及び低乾燥型
の乾燥処理、次いでＨＦ系洗浄処理及び高乾燥型の乾燥
処理を施すことが必要である。
インの実施形態の一例であって、図５は本実施形態例の
半導体装置の製造ラインの構成を示す概念図である。本
実施形態例の半導体装置の製造ライン７０（以下、簡単
に製造ライン７０と言う）は、図５に示すように、それ
ぞれ、所定のプロセッシングをウエハに施す複数個のプ
ロセス装置７２Ａ〜Ｆを一連的に備えて、順次、所定の
プロセッシングをウエハに施すようにした半導体装置の
製造ラインである。また、各プロセス装置７２によるプ
ロセッシングの前処理又は後処理として、洗浄・乾燥処
理をウエハに施すことが必要である。本実施形態例で
は、プロセス装置７２Ａ、Ｄで行うプロセッシングの後
で、ＨＦ系洗浄処理及び高乾燥型の乾燥処理を施すこと
が必要であり、また、プロセス装置７２Ｂ、Ｃで行うプ
ロセッシングの後で、非ＨＦ系洗浄処理及び低乾燥型の
乾燥処理を施すこと必要であり、プロセス装置７２Ｅの
プロセッシングの後で、非ＨＦ系洗浄処理及び低乾燥型
の乾燥処理、次いでＨＦ系洗浄処理及び高乾燥型の乾燥
処理を施すことが必要である。
【００３９】そこで、本実施形態例では、ＨＦ系洗浄装
置７４、高乾燥型のＩＰＡ乾燥装置７６、及びハンドリ
ング・ロボット（図示せず）を有する、第１の集中型洗
浄・乾燥ステーション７８が、製造ライン７０の適所に
限定された設置数、例えば１ない２の設置数で設置され
ている。更に、プロセス装置７２Ａ、Ｄから第１の集中
型洗浄・乾燥ステーション７８までウエハを高速で搬送
する第１のウエハ搬送装置８０が設けられている。ま
た、非ＨＦ系洗浄装置８２、低乾燥型のスピン乾燥装置
８４、及びハンドリング・ロボット（図示せず）を有す
る、第２の集中型洗浄・乾燥ステーション８６が、製造
ライン７０の適所に限定された設置数、例えば１ない２
の設置数で設置されている。更に、プロセス装置７２
Ｂ、Ｃ、Ｅから第２の集中型洗浄・乾燥ステーション８
６までウエハを高速で搬送する第２のウエハ搬送装置８
８が設けられている。更には、第２の集中型洗浄・乾燥
ステーション８６から第１の集中型洗浄・乾燥ステーシ
ョン７８を経てプロセス装置７２Ｆにウエハを高速で搬
送する第３のウエハ搬送装置８９が設けられている。
置７４、高乾燥型のＩＰＡ乾燥装置７６、及びハンドリ
ング・ロボット（図示せず）を有する、第１の集中型洗
浄・乾燥ステーション７８が、製造ライン７０の適所に
限定された設置数、例えば１ない２の設置数で設置され
ている。更に、プロセス装置７２Ａ、Ｄから第１の集中
型洗浄・乾燥ステーション７８までウエハを高速で搬送
する第１のウエハ搬送装置８０が設けられている。ま
た、非ＨＦ系洗浄装置８２、低乾燥型のスピン乾燥装置
８４、及びハンドリング・ロボット（図示せず）を有す
る、第２の集中型洗浄・乾燥ステーション８６が、製造
ライン７０の適所に限定された設置数、例えば１ない２
の設置数で設置されている。更に、プロセス装置７２
Ｂ、Ｃ、Ｅから第２の集中型洗浄・乾燥ステーション８
６までウエハを高速で搬送する第２のウエハ搬送装置８
８が設けられている。更には、第２の集中型洗浄・乾燥
ステーション８６から第１の集中型洗浄・乾燥ステーシ
ョン７８を経てプロセス装置７２Ｆにウエハを高速で搬
送する第３のウエハ搬送装置８９が設けられている。
【００４０】本実施形態例では、プロセス装置７２Ａ、
Ｄでプロセッシングされたウエハは、ウエハ搬送装置８
０により、高速で実線で示すように第１の集中型洗浄・
乾燥ステーション７８に搬送され、ハンドリング・ロボ
ットによりＨＦ系洗浄装置７４に導入されてＨＦ系洗浄
処理され、続いてＩＰＡ乾燥装置７６に導入されてＩＰ
Ａ乾燥される。乾燥処理されたウエハは、ウエハ搬送装
置８０により、又は通常の搬送手段により、破線で示す
ように、次のプロセス装置７２Ｂ、Ｅに移送される。プ
ロセス装置７２Ｂ、Ｃでプロセッシングされたウエハ
は、ウエハ搬送装置８８により、高速で実線で示すよう
に第２の集中型洗浄・乾燥ステーション８６に搬送さ
れ、ハンドリング・ロボットにより非ＨＦ系洗浄装置８
２に導入されて非ＨＦ系洗浄処理され、続いてスピン乾
燥装置８４に導入されてスピン乾燥処理される。乾燥処
理されたウエハは、ウエハ搬送装置８８により、又は通
常の搬送手段により、破線で示すように、次のプロセス
装置７２Ｃ、Ｄに移送される。プロセス装置７２Ｅでプ
ロセッシングされたウエハは、ウエハ搬送装置８８によ
り、高速で実線で示すように第２の集中型洗浄・乾燥ス
テーション８６に搬送され、非ＨＦ系洗浄処理、続いて
スピン乾燥処理される。乾燥処理されたウエハは、ウエ
ハ搬送装置８９により高速で実線で示すように第１の集
中型洗浄・乾燥ステーション７８に搬送され、ＨＦ系洗
浄処理、続いてＩＰＡ乾燥される。乾燥処理されたウエ
ハは、ウエハ搬送装置８９により、実線で示すように、
次のプロセス装置７２Ｆに移送される。
Ｄでプロセッシングされたウエハは、ウエハ搬送装置８
０により、高速で実線で示すように第１の集中型洗浄・
乾燥ステーション７８に搬送され、ハンドリング・ロボ
ットによりＨＦ系洗浄装置７４に導入されてＨＦ系洗浄
処理され、続いてＩＰＡ乾燥装置７６に導入されてＩＰ
Ａ乾燥される。乾燥処理されたウエハは、ウエハ搬送装
置８０により、又は通常の搬送手段により、破線で示す
ように、次のプロセス装置７２Ｂ、Ｅに移送される。プ
ロセス装置７２Ｂ、Ｃでプロセッシングされたウエハ
は、ウエハ搬送装置８８により、高速で実線で示すよう
に第２の集中型洗浄・乾燥ステーション８６に搬送さ
れ、ハンドリング・ロボットにより非ＨＦ系洗浄装置８
２に導入されて非ＨＦ系洗浄処理され、続いてスピン乾
燥装置８４に導入されてスピン乾燥処理される。乾燥処
理されたウエハは、ウエハ搬送装置８８により、又は通
常の搬送手段により、破線で示すように、次のプロセス
装置７２Ｃ、Ｄに移送される。プロセス装置７２Ｅでプ
ロセッシングされたウエハは、ウエハ搬送装置８８によ
り、高速で実線で示すように第２の集中型洗浄・乾燥ス
テーション８６に搬送され、非ＨＦ系洗浄処理、続いて
スピン乾燥処理される。乾燥処理されたウエハは、ウエ
ハ搬送装置８９により高速で実線で示すように第１の集
中型洗浄・乾燥ステーション７８に搬送され、ＨＦ系洗
浄処理、続いてＩＰＡ乾燥される。乾燥処理されたウエ
ハは、ウエハ搬送装置８９により、実線で示すように、
次のプロセス装置７２Ｆに移送される。
【００４１】実施形態例５では、ＨＦ系洗浄装置７４及
びＩＰＡ乾燥装置７６を有する第１の集中型洗浄・乾燥
ステーション７８と、非ＨＦ系洗浄装置８２及びスピン
乾燥装置８４を有する第２の集中型洗浄・乾燥ステーシ
ョン８６とを適所に備えているので、各プロセス装置７
２でのプロセッシングの後に、洗浄及び乾燥方法を自在
に選択することができる。また、非ＨＦ系洗浄処理に続
いてＨＦ系洗浄処理を行う複合洗浄処理を自在に選択で
きる。従って、洗浄、乾燥方法の選択のフレキシビリテ
ィが増大する。また、第１及び第２の集中型洗浄・乾燥
ステーション７８、８６を最適な場所に設置することに
より、製造ラインの配置を最適化することができる。
びＩＰＡ乾燥装置７６を有する第１の集中型洗浄・乾燥
ステーション７８と、非ＨＦ系洗浄装置８２及びスピン
乾燥装置８４を有する第２の集中型洗浄・乾燥ステーシ
ョン８６とを適所に備えているので、各プロセス装置７
２でのプロセッシングの後に、洗浄及び乾燥方法を自在
に選択することができる。また、非ＨＦ系洗浄処理に続
いてＨＦ系洗浄処理を行う複合洗浄処理を自在に選択で
きる。従って、洗浄、乾燥方法の選択のフレキシビリテ
ィが増大する。また、第１及び第２の集中型洗浄・乾燥
ステーション７８、８６を最適な場所に設置することに
より、製造ラインの配置を最適化することができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、洗浄効果の異なる２種
類の洗浄装置及び乾燥効果の異なる２種類の乾燥装置を
備えた洗浄・乾燥装置を構成することにより、洗浄条件
に応じて所要の洗浄装置を選択し、乾燥条件に応じて所
要の乾燥装置を選択することができる洗浄・乾燥装置を
実現している。また、洗浄効果の異なる２種類の洗浄装
置及び乾燥効果の異なる２種類の乾燥装置を備えた集中
型洗浄・乾燥ステーションを適所に配置することによ
り、洗浄・乾燥方法のフレキシビリティを増大させ、半
導体装置の製造ラインの配置を最適化することができ
る。更には、洗浄装置と乾燥装置の異なる種類の組み合
わせで集中型洗浄・乾燥ステーションと分散型洗浄・乾
燥ステーションを構成することにより、洗浄・乾燥方法
のフレキシビリティを増大させ、半導体装置の製造ライ
ンの配置を最適化することできる。
類の洗浄装置及び乾燥効果の異なる２種類の乾燥装置を
備えた洗浄・乾燥装置を構成することにより、洗浄条件
に応じて所要の洗浄装置を選択し、乾燥条件に応じて所
要の乾燥装置を選択することができる洗浄・乾燥装置を
実現している。また、洗浄効果の異なる２種類の洗浄装
置及び乾燥効果の異なる２種類の乾燥装置を備えた集中
型洗浄・乾燥ステーションを適所に配置することによ
り、洗浄・乾燥方法のフレキシビリティを増大させ、半
導体装置の製造ラインの配置を最適化することができ
る。更には、洗浄装置と乾燥装置の異なる種類の組み合
わせで集中型洗浄・乾燥ステーションと分散型洗浄・乾
燥ステーションを構成することにより、洗浄・乾燥方法
のフレキシビリティを増大させ、半導体装置の製造ライ
ンの配置を最適化することできる。
【図１】実施形態例１の洗浄・乾燥装置の構成を示す概
念図である。
念図である。
【図２】実施形態例２の半導体装置の製造ラインの構成
を示す概念図である。
を示す概念図である。
【図３】実施形態例３の半導体装置の製造ラインの構成
を示す概念図である。
を示す概念図である。
【図４】実施形態例４の半導体装置の製造ラインの構成
を示す概念図である。
を示す概念図である。
【図５】実施形態例５の半導体装置の製造ラインの構成
を示す概念図である。
を示す概念図である。
【図６】自転式スピン乾燥装置の構成を示す模式的斜視
図である。
図である。
【図７】公転式スピン乾燥装置の構成を示す模式的斜視
図である。
図である。
【図８】ＩＰＡ乾燥方法の原理を示す模式図である。
【図９】従来の半導体装置の製造ラインの構成を示す概
念図である。
念図である。
１ 実施形態例１の洗浄・乾燥装置 ２ ＨＦ系洗浄液による洗浄装置 ３ 非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置 ４ ＩＰＡ乾燥装置 ５ スピン乾燥装置 ６ ウエハのハンドリング・ロボット １０ 実施形態例２の半導体装置の製造ライン １２ プロセス装置 １４ 集中型洗浄・乾燥ステーション １６ ウエハ搬送装置 １８ ＨＦ系洗浄装置 ２０ 非ＨＦ系洗浄装置 ２２ ＩＰＡ乾燥装置 ２４ スピン乾燥装置 ３０ 実施形態例３の半導体装置の製造ライン ５０ 実施形態例４の半導体装置の製造ライン ７０ 実施形態例５の半導体装置の製造ライン ９０ 従来の半導体装置の製造ライン ３２、５２、７２、９２ プロセス装置 ３４、５４、７４、９４ ＨＦ系洗浄装置 ４２、６２、８２、９８ 非ＨＦ系洗浄装置 ３６、５６、７６、９６ ＩＰＡ乾燥装置 ４４、６４、８４、１００ スピン乾燥装置 ３８、５８、７８、８６ 集中型洗浄・乾燥ステーショ
ン ４０、６０、８０、８８、８９ ウエハ搬送装置
ン ４０、６０、８０、８８、８９ ウエハ搬送装置
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体装置を製造する過程で、ウエハを
洗浄し、乾燥する装置であって、 ＨＦ系洗浄液による洗浄装置、非ＨＦ系洗浄液による洗
浄装置、低乾燥型乾燥装置、及び高乾燥型乾燥装置を備
え、洗浄条件に応じて所要の洗浄装置を選択し、乾燥条
件に応じて所要の乾燥装置を選択するようにしたことを
特徴とする洗浄・乾燥装置。 - 【請求項２】 それぞれ、所定のプロセッシングをウエ
ハに施す複数個のプロセス装置を一連的に備えて、順
次、所定のプロセッシングをウエハに施すようにした半
導体装置の製造ラインであって、 ＨＦ系洗浄液による洗浄装置及び非ＨＦ系洗浄液による
洗浄装置の双方と、低乾燥型乾燥装置及び高乾燥型乾燥
装置の双方とを有して、限定された設置数で適所に配置
され、洗浄条件に応じて所要の洗浄装置を選択し、乾燥
条件に応じて所要の乾燥装置を選択するようにした集中
型洗浄・乾燥ステーションと、 プロセス装置からウエハを集中型洗浄・乾燥ステーショ
ンに高速で搬送するウエハ搬送装置とを備えていること
を特徴とする半導体装置の製造ライン。 - 【請求項３】 それぞれ、所定のプロセッシングをウエ
ハに施す複数個のプロセス装置を一連的に備えて、順
次、所定のプロセッシングをウエハに施すようにした半
導体装置の製造ラインであって、 ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、高乾燥型乾燥装置とを
有し、限定された設置数で適所に設置された集中型洗浄
・乾燥ステーションと、 非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、低乾燥型乾燥装置と
を有し、プロセス装置に付随して必要に応じて設けられ
た分散型洗浄・乾燥ステーションと、 プロセス装置から集中型洗浄・乾燥ステーションにウエ
ハを高速で搬送するウエハ搬送装置とを有することを特
徴とする半導体装置の製造ライン。 - 【請求項４】 それぞれ、所定のプロセッシングをウエ
ハに施す複数個のプロセス装置を一連的に備えて、順
次、所定のプロセッシングをウエハに施すようにした半
導体装置の製造ラインであって、 非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、低乾燥型乾燥装置と
を有し、限定された設置数で適所に設置された集中型洗
浄・乾燥ステーションと、 ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、高乾燥型乾燥装置とを
有し、プロセス装置に付随して必要に応じて配置された
分散型洗浄・乾燥ステーションと、 プロセス装置から集中型洗浄・乾燥ステーションにウエ
ハを高速で搬送するウエハ搬送装置とを有することを特
徴とする半導体装置の製造ライン。 - 【請求項５】 非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、低乾
燥型乾燥装置とを有する集中型洗浄・乾燥ステーション
から、ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、高乾燥型乾燥装
置とを有する分散型洗浄・乾燥ステーションに、ウエハ
を高速で搬送するウエハ搬送装置を備えていることを特
徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造ライン。 - 【請求項６】 それぞれ、所定のプロセッシングをウエ
ハに施す複数個のプロセス装置を一連的に備えて、順
次、所定のプロセッシングをウエハに施すようにした半
導体装置の製造ラインであって、 ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、高乾燥型乾燥装置とを
有し、限定された設置数で適所に設置された第１の集中
型洗浄・乾燥ステーションと、 非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、低乾燥型乾燥装置と
を有し、限定された設置数で適所に設置された第２の集
中型洗浄・乾燥ステーションと、 プロセス装置から第１の集中型洗浄・乾燥ステーション
及び第２の集中型洗浄・乾燥ステーションの少なくとも
一方に、ウエハを高速で搬送するウエハ搬送装置とを有
することを特徴とする半導体装置の製造ライン。 - 【請求項７】 非ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、低乾
燥型乾燥装置とを有する第２の集中型洗浄・乾燥ステー
ションから、ＨＦ系洗浄液による洗浄装置と、高乾燥型
乾燥装置とを有する第１の集中型洗浄・乾燥ステーショ
ンを経てプロセス装置にウエハを高速で搬送するウエハ
搬送装置を備えていることを特徴とする請求項６に記載
の半導体装置の製造ライン。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085815A JP3109471B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 洗浄・乾燥装置及び半導体装置の製造ライン |
| EP07022573A EP1898447A3 (en) | 1998-03-31 | 1999-03-30 | Production line for semiconductor devices |
| US09/280,702 US6336463B1 (en) | 1998-03-31 | 1999-03-30 | Cleaning/drying station and production line for semiconductor devices |
| EP99106559A EP0949661A3 (en) | 1998-03-31 | 1999-03-30 | Cleaning/drying station and production line for semiconductor devices |
| TW088105108A TW416089B (en) | 1998-03-31 | 1999-03-31 | Cleaning/drying station and production line for semiconductor devices |
| CN99103484A CN1132230C (zh) | 1998-03-31 | 1999-03-31 | 用于半导体器件的清洗/干燥台和生产线 |
| KR1019990011153A KR19990078433A (ko) | 1998-03-31 | 1999-03-31 | 반도체 장치용 세정/건조부 및 생산라인 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085815A JP3109471B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 洗浄・乾燥装置及び半導体装置の製造ライン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11283955A true JPH11283955A (ja) | 1999-10-15 |
| JP3109471B2 JP3109471B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=13869365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10085815A Expired - Fee Related JP3109471B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 洗浄・乾燥装置及び半導体装置の製造ライン |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6336463B1 (ja) |
| EP (2) | EP0949661A3 (ja) |
| JP (1) | JP3109471B2 (ja) |
| KR (1) | KR19990078433A (ja) |
| CN (1) | CN1132230C (ja) |
| TW (1) | TW416089B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436900B1 (ko) * | 2001-10-29 | 2004-06-23 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 |
| JP2004207484A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 乾燥処理装置および基板処理装置 |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6624086B1 (en) * | 1999-09-15 | 2003-09-23 | Texas Instruments Incorporated | Effective solution and process to wet-etch metal-alloy films in semiconductor processing |
| JP2004006819A (ja) * | 2002-04-26 | 2004-01-08 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004066212A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-03-04 | Dan-Takuma Technologies Inc | 洗浄乾燥装置 |
| US7556048B2 (en) * | 2002-11-15 | 2009-07-07 | Agere Systems Inc. | In-situ removal of surface impurities prior to arsenic-doped polysilicon deposition in the fabrication of a heterojunction bipolar transistor |
| US20100022414A1 (en) | 2008-07-18 | 2010-01-28 | Raindance Technologies, Inc. | Droplet Libraries |
| GB0307403D0 (en) * | 2003-03-31 | 2003-05-07 | Medical Res Council | Selection by compartmentalised screening |
| GB0307428D0 (en) * | 2003-03-31 | 2003-05-07 | Medical Res Council | Compartmentalised combinatorial chemistry |
| US20060078893A1 (en) | 2004-10-12 | 2006-04-13 | Medical Research Council | Compartmentalised combinatorial chemistry by microfluidic control |
| US20050221339A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Medical Research Council Harvard University | Compartmentalised screening by microfluidic control |
| US7968287B2 (en) | 2004-10-08 | 2011-06-28 | Medical Research Council Harvard University | In vitro evolution in microfluidic systems |
| AU2006335290A1 (en) | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Raindance Technologies, Inc. | Microfluidic devices and methods of use in the formation and control of nanoreactors |
| US9562837B2 (en) | 2006-05-11 | 2017-02-07 | Raindance Technologies, Inc. | Systems for handling microfludic droplets |
| EP4190448A3 (en) | 2006-05-11 | 2023-09-20 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Microfluidic devices |
| WO2008021123A1 (en) | 2006-08-07 | 2008-02-21 | President And Fellows Of Harvard College | Fluorocarbon emulsion stabilizing surfactants |
| WO2008097559A2 (en) | 2007-02-06 | 2008-08-14 | Brandeis University | Manipulation of fluids and reactions in microfluidic systems |
| US8592221B2 (en) | 2007-04-19 | 2013-11-26 | Brandeis University | Manipulation of fluids, fluid components and reactions in microfluidic systems |
| US8528589B2 (en) | 2009-03-23 | 2013-09-10 | Raindance Technologies, Inc. | Manipulation of microfluidic droplets |
| US10520500B2 (en) | 2009-10-09 | 2019-12-31 | Abdeslam El Harrak | Labelled silica-based nanomaterial with enhanced properties and uses thereof |
| US10837883B2 (en) | 2009-12-23 | 2020-11-17 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Microfluidic systems and methods for reducing the exchange of molecules between droplets |
| US9366632B2 (en) | 2010-02-12 | 2016-06-14 | Raindance Technologies, Inc. | Digital analyte analysis |
| EP2534267B1 (en) | 2010-02-12 | 2018-04-11 | Raindance Technologies, Inc. | Digital analyte analysis |
| US9399797B2 (en) | 2010-02-12 | 2016-07-26 | Raindance Technologies, Inc. | Digital analyte analysis |
| US10351905B2 (en) | 2010-02-12 | 2019-07-16 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Digital analyte analysis |
| EP2622103B2 (en) | 2010-09-30 | 2022-11-16 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Sandwich assays in droplets |
| EP2673614B1 (en) | 2011-02-11 | 2018-08-01 | Raindance Technologies, Inc. | Method for forming mixed droplets |
| EP3736281A1 (en) | 2011-02-18 | 2020-11-11 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Compositions and methods for molecular labeling |
| US8841071B2 (en) | 2011-06-02 | 2014-09-23 | Raindance Technologies, Inc. | Sample multiplexing |
| DE202012013668U1 (de) | 2011-06-02 | 2019-04-18 | Raindance Technologies, Inc. | Enzymquantifizierung |
| US8658430B2 (en) | 2011-07-20 | 2014-02-25 | Raindance Technologies, Inc. | Manipulating droplet size |
| CN102274837B (zh) * | 2011-08-09 | 2013-04-03 | 铜陵市晶威特电子有限责任公司 | 片状小零件清洗装置 |
| US11901041B2 (en) | 2013-10-04 | 2024-02-13 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Digital analysis of nucleic acid modification |
| US9944977B2 (en) | 2013-12-12 | 2018-04-17 | Raindance Technologies, Inc. | Distinguishing rare variations in a nucleic acid sequence from a sample |
| US11193176B2 (en) | 2013-12-31 | 2021-12-07 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Method for detecting and quantifying latent retroviral RNA species |
| CN103839799A (zh) * | 2014-02-21 | 2014-06-04 | 上海华力微电子有限公司 | 单片半导体衬底湿法刻蚀装置 |
| US10647981B1 (en) | 2015-09-08 | 2020-05-12 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Nucleic acid library generation methods and compositions |
| US10566309B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-02-18 | Infineon Technologies Ag | Multi-purpose non-linear semiconductor package assembly line |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257525A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-19 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | 乾燥装置 |
| US5105556A (en) * | 1987-08-12 | 1992-04-21 | Hitachi, Ltd. | Vapor washing process and apparatus |
| JPH03129732A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体の処理方法 |
| JPH03241742A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-28 | Matsushita Electron Corp | 半導体基板の洗浄装置 |
| US5054210A (en) * | 1990-02-23 | 1991-10-08 | S&K Products International, Inc. | Isopropyl alcohol vapor dryer system |
| US5271774A (en) * | 1990-03-01 | 1993-12-21 | U.S. Philips Corporation | Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate |
| JPH053187A (ja) | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Sony Corp | ウエハ洗浄装置 |
| JP3154814B2 (ja) * | 1991-06-28 | 2001-04-09 | 株式会社東芝 | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 |
| JPH05206092A (ja) | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウェーハの自動洗浄方法 |
| US5518542A (en) * | 1993-11-05 | 1996-05-21 | Tokyo Electron Limited | Double-sided substrate cleaning apparatus |
| US5729423A (en) * | 1994-01-31 | 1998-03-17 | Applied Materials, Inc. | Puncture resistant electrostatic chuck |
| JPH07245285A (ja) * | 1994-03-03 | 1995-09-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JPH0817891A (ja) | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | 半導体洗浄装置 |
| JP3522912B2 (ja) | 1994-08-01 | 2004-04-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置およびその制御方法 |
| JPH0878384A (ja) | 1994-08-31 | 1996-03-22 | Hitachi Cable Ltd | ＧａＡｓウェハの洗浄装置 |
| JPH08126873A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-21 | Nec Corp | 電子部品等の洗浄方法及び装置 |
| SG49584A1 (en) * | 1994-12-28 | 1998-06-15 | Hoya Corp | Plate glass flattening method method of manufacturing an information recording glass substrate using flattened glass method of manufacturing a magnetic |
| JP3253229B2 (ja) | 1995-02-22 | 2002-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置および洗浄処理方法 |
| JP2832171B2 (ja) * | 1995-04-28 | 1998-12-02 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板の洗浄装置および洗浄方法 |
| TW386235B (en) * | 1995-05-23 | 2000-04-01 | Tokyo Electron Ltd | Method for spin rinsing |
| US5653045A (en) * | 1995-06-07 | 1997-08-05 | Ferrell; Gary W. | Method and apparatus for drying parts and microelectronic components using sonic created mist |
| JPH09129583A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
| JP3198899B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2001-08-13 | アルプス電気株式会社 | ウエット処理方法 |
| US5820692A (en) * | 1996-01-16 | 1998-10-13 | Fsi Interntional | Vacuum compatible water vapor and rinse process module |
| JP2969087B2 (ja) * | 1996-11-06 | 1999-11-02 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体基板の処理方法 |
| JPH10177979A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US6054393A (en) * | 1997-01-09 | 2000-04-25 | Texas Instruments Incorporated | Method for improving the wet process chemical sequence |
| US5922136A (en) * | 1997-03-28 | 1999-07-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Post-CMP cleaner apparatus and method |
| US6122837A (en) * | 1997-06-25 | 2000-09-26 | Verteq, Inc. | Centrifugal wafer processor and method |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP10085815A patent/JP3109471B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-30 EP EP99106559A patent/EP0949661A3/en not_active Withdrawn
- 1999-03-30 EP EP07022573A patent/EP1898447A3/en not_active Withdrawn
- 1999-03-30 US US09/280,702 patent/US6336463B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-31 KR KR1019990011153A patent/KR19990078433A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-03-31 CN CN99103484A patent/CN1132230C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-31 TW TW088105108A patent/TW416089B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436900B1 (ko) * | 2001-10-29 | 2004-06-23 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 |
| JP2004207484A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 乾燥処理装置および基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1898447A3 (en) | 2008-03-26 |
| CN1230768A (zh) | 1999-10-06 |
| EP0949661A2 (en) | 1999-10-13 |
| CN1132230C (zh) | 2003-12-24 |
| EP1898447A2 (en) | 2008-03-12 |
| EP0949661A3 (en) | 2004-12-29 |
| TW416089B (en) | 2000-12-21 |
| JP3109471B2 (ja) | 2000-11-13 |
| KR19990078433A (ko) | 1999-10-25 |
| US6336463B1 (en) | 2002-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3109471B2 (ja) | 洗浄・乾燥装置及び半導体装置の製造ライン | |
| JP4176779B2 (ja) | 基板処理方法，記録媒体及び基板処理装置 | |
| US9818633B2 (en) | Equipment front end module for transferring wafers and method of transferring wafers | |
| JP2002025890A (ja) | 減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| US6451118B1 (en) | Cluster tool architecture for sulfur trioxide processing | |
| JP2009016515A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| JP2853677B2 (ja) | 半導体装置製造ライン | |
| JPH0799224A (ja) | 多チャンバ型半導体製造装置 | |
| JP3771430B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理システム | |
| US20140242804A1 (en) | Integrated Platform for Improved Wafer Manufacturing Quality | |
| US20050224102A1 (en) | Apparatus and method of rinsing and drying semiconductor wafers | |
| JP4477982B2 (ja) | クラスタツールの処理システム及び滞在時間監視プログラム | |
| KR101926414B1 (ko) | 로드포트모듈 직렬/무선 통신 무선 센싱 반도체 클러스터 툴 시스템 | |
| KR20080060781A (ko) | 건식 식각 장치 및 방법 | |
| US6792693B2 (en) | Wafer dryer system for PRS wet bench | |
| JPH06132186A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000340632A (ja) | 基板の化学的処理装置および基板の化学的処理方法 | |
| WO2003041149A1 (en) | Integrated dry-wet processing apparatus and method for removing material on semiconductor wafers using dry-wet processes | |
| JP2001319959A (ja) | 減圧・常圧処理装置 | |
| TW202341336A (zh) | 基板處理系統、基板處理方法及電腦可讀取記錄媒體 | |
| KR20060127294A (ko) | 흄제거 기능을 갖는 사이드 스토리지챔버 | |
| JP2002359225A (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄システム | |
| KR20160149708A (ko) | 버퍼챔버를 이용한 건식 및 습식처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법 | |
| JPH11168086A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2002353287A (ja) | 基板搬送容器およびその運転制御方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 10 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |