JPH0799224A

JPH0799224A - 多チャンバ型半導体製造装置

Info

Publication number: JPH0799224A
Application number: JP24126293A
Authority: JP
Inventors: Sadayuki Okudaira; 定之奥平; Hideki Tomioka; 秀起富岡; Katsuhiko Ishikawa; 勝彦石川; Yoshikazu Tanabe; 義和田辺
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-09-28
Filing date: 1993-09-28
Publication date: 1995-04-11

Abstract

(57)【要約】【目的】異なる処理が連続して行われる多チャンバ型
製造装置において、処理が終了した処理室から流出した
ガス、微塵が、次又は前の処理室に混入しないようにし
て、処理室間でのクロスコンタミネーション等を防止す
る。【構成】多チャンバ型製造装置の各々の処理室３，
５，７には、夫々、開閉シャッタ２’〜７’が設けられ
た２つの開口部（３ａ，３ｂ），（５ａ，５ｂ），（７
ａ，７ｂ）が形成されている。２つの開口部（例えば３
ａ，３ｂ）は互いに異なる搬送室（２，４）に連設され
ている。このため、搬送室（例えば２）から処理室
（３）に搬入されてその処理が行われたウェハは、他の
搬送室（４）に搬送され、この搬送室４から他の処理室
（５）にウェハが送られるため、処理前の処理室（５）
に、前の処理室（３）の雰囲気が伝わることがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
さらには多チャンバ型の半導体製造装置に適用して特に
有効な技術に関し、例えば酸素プラズマエッチング処理
とアッシング処理との連続処理が可能な多チャンバ型半
導体製造装置に利用して有用な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の多チャンバ型半導体製造装置にお
いては、例えば図８に示すように、搬送用ロボットが設
置された搬送室６２の側面が複数の面（例えば８面）で
構成され、これらの面のうち所定の２面６２Ａ，６２Ｂ
に、処理対象のウェハを搬入又は搬出するロードロック
室（２室）６３Ａ，６３Ｂが連設され、更に残りの各面
には、ドライエッチング等、種々の処理を行うための処
理室６４，６４…が、ゲートバルブと呼ばれる開閉シャ
ッタ６５，６５…を介して取り付けられてる。この搬送
室６２の略中央には、搬送用ロボット６６が設置され、
この搬送ロボット６６によって、何れかの処理室６４，
６４…に半導体ウェハが搬送され、当該処理室６４内
で、所望の雰囲気での所望の製造処理が行われ、その
後、当該搬送ロボット６６によって、処理後のウェハが
搬送室６２に戻され、更に次の処理を行うために、他の
処理室に搬送されるようになっている。

【０００３】又、図９に示すように、搬送室７２に２つ
のロボット７６Ａ，７６Ｂを設置し、搬送効率を高める
ようにした多チャンバ型半導体製造装置も提案されてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。すなわち、上記のように処理
後のウェハを、同一の搬送室に戻す構成では、処理が終
了し、当該ウェハを搬送室に戻す際に開閉シャッタが開
成され、このとき直前に使用された処理室と搬送室とが
同一雰囲気となってしまう。そして、この同一雰囲気の
搬送室と、次の処理に使用される他の処理室とが連通さ
れると、上記雰囲気中のガスや微塵が、当該他の処理室
に混入し、もはやこの処理室では所望の雰囲気下での処
理が行えないという不具合が生じる（相互汚染の発
生）。このような多チャンバ型製造装置では、多数のウ
ェハに対する処理が順次行われるため、１つのウェハに
対する処理が終了すると、同じ処理室で、次のウェハに
対する処理が連続して行われる。又、上記処理が終了さ
れたウェハは、引続いて、次の処理室に送られて次の処
理が連続的に行われる。

【０００５】その一例としては、例えば、アルミニウム
合金の配線材料に対してドライエッチング処理を行うと
きには、これに引き続いて、酸素プラズマによるアッシ
ング処理が行われる。このドライエッチング処理がなさ
れたウェハが、当該処理室から搬送室に搬送されるとき
には、上記ドライエッチング処理を行なった処理室に残
留した塩素系ガスが、搬送室に一旦流れる。そして、次
にアッシング処理がなされたウェハが、当該処理室から
搬送室に搬送されるときに、上記処理室に流出した塩素
ガスが残留していると、アッシング処理されたアルミニ
ウム合金膜配線と反応して、ウェハ上の配線層を腐食さ
せることが分かった。この腐食は、上記搬送室で付着し
たウェハの表面に残留している塩素などのハロゲン元素
が、大気中に出されたとき雰囲気中の水分と反応して酸
が生成され、ウェハ上のアルミニウム合金と反応するた
めである。

【０００６】又、上記のように複数の処理室６４（７
４）が１つの搬送室６２（７２）に接続されている製造
装置にあっては、ウェハに対して連続的に、複数の処理
を行なう場合、ウェハを一旦当該搬送室に納めるため、
同時に多数のウェハを移動させることができず、搬送の
効率が低下し、スループットの低下を招く。

【０００７】又、上記した従来の多チャンバ型半導体製
造装置のように１つの搬送室６２（７２）に多数の処理
室６４（７４）が接続された構成では、搬送用のロボッ
ト６６（７６Ａ，７６Ｂ）が処理室の数だけ用意されて
いないのが普通であり、従って、処理後の汚れが当該ロ
ボットアームに転写され、次の工程を行なう際に、その
汚れが、ウェハに付着し次の処理に移ってクロスコンタ
ミネーション（相互汚染）を引き起こしていた。

【０００８】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
ので、第１の目的は、処理が終了した処理室から次の処
理を行なう処理室にウェハを搬送する際に、処理が終了
した処理室から流出したガス、微塵が、次の処理室に混
入しないようにして、処理室間でのクロスコンタミネー
ション等が発生しない多チャンバ型半導体製造装置を提
供することをその主たる目的とする。又、第２の目的
は、処理室間の搬送時間の短縮を行ってスループットを
向上させることができる多チャンバ型半導体製造装置を
提供することである。又、第３の目的は、搬送ロボット
を介して１の処理室から他の処理室に混入する微塵等に
よるクロスコンタミネーション生じさせることのない多
チャンバ型半導体製造装置を提供することである。この
発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴につい
ては、本明細書の記述および添附図面から明らかになる
であろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。即ち、第１の発明は、各々の処理室に少な
くとも２つの開口部を設け、これらの開口部を、互いに
異なる搬送室に、開閉シャッタを介して接続させるよう
にしたものである。又、第２の発明は、各々の処理室の
間には搬送室が設けられると共に、該搬送室が少なくと
も他の１つの搬送室に接続され、これら搬送室間に、雰
囲気中のガス置換用中間室を介在させたものである。更
に、第３の発明は、２つ以上の処理室を、互いに搬送室
を介して接続させ、搬送室を介して隣接する所定の２つ
の処理室の一方をウェット処理用の処理室とし、他方を
ドライ処理用の処理室とすると共に、これら２つの処理
室から当該半導体ウェハを取り出すロボット搬送装置
を、夫々別個に設けるようにしたものである。

【００１０】

【作用】上記した第１の手段によれば、１つの処理が行
われたときに当該処理室の雰囲気中の微塵等が、次の処
理室に流出せず、従って、クロスコンタミネーションが
防止される。又、第２の手段によれば、２つの搬送室間
に設けられた上記中間室によって、その雰囲気中のガス
が置換できるのでクロスコンタミネーションがなくな
る。更に、第３の手段によれば、搬入ロボットが、各処
理室に対応して設置されているので、当該ロボットアー
ムの接触によるクロスコンタミネーションが生じる虞が
なく、また、同時に多数のウェハを移動させることもで
き、そのスループットが向上する。

【００１１】

【実施例】

（第１実施例）以下、本発明の第１実施例を、図１に基
づいて説明する。本実施例の多チャンバ型半導体製造装
置は、例えば、同図に示すように、９つの減圧室１〜９
からなる。具体的には、９つの減圧室１〜９は、外部
（大気）から装置内部（真空）にウェハ（試料）を入れ
るためのロード室１、ウェハの配線層上に塗布されたレ
ジストを加工するプラズマ発生室３（処理室）、被エッ
チング材料（配線層）を加工するプラズマ発生室（処理
室）５、腐食防止処理を行なうプラズマ発生室（処理
室）７、ウェハを装置の外部に取り出すアンロード室
９、及び、各処理室間に連結される搬送室２，４，６，
８である。

【００１２】これら減圧室１〜９の間には、当該減圧室
間のガスの流れを、完全遮断する開閉シャッタ１’，
２’，３’，４’，５’，６’，７’，８’が設けられ
ている。また、上記搬送室２，４，６，８には、ウェハ
を搬送するための搬送ロボット１０，１１，１２，１３
が設置されている。尚、ロード室１、アンロード室９
は、ウェハを当該製造装置内に１枚宛搬入、搬出させる
タイプの機構、若くは、複数のウェハをカセットケース
に収納して該カセット毎にその搬入、搬出を行なうタイ
プの機構の何れかが採用される。因に、半導体ウェハを
１枚宛、半導体製造装置内に搬入させるタイプの機構を
採用するのであれば、製造装置の外部にカセットを設置
する機構１４，１５、該機構１４，１５とロード室，ア
ンロード室との間のウェハの搬送を行なう機構１６，１
７を追加すればよい。

【００１３】図２は、図１の半導体製造装置の所定の処
理室（例えば処理室３，５）と搬送室（例えば２，４，
６）との接続状態を示す断面図である。図に示す各処理
室３，５には夫々、入口用開口部３ａ，５ａと、出口用
開口部３ｂ，５ｂとが設けられている。この場合、処理
室（３，５）から、出口用開口部（３ｂ，５ｂ）を介し
て、ウェハを取り出すロボット１１，１２は、次の処理
室（５，７）への搬入動作のみを行うようになってい
る。尚、図３はウェハを載せる試料台（電極）４Ａ，４
Ｂの上下動によってウェハを、ロボット装置１１にて容
易に取り出す機構を示すものである。尚、処理室７に
も、入口用開口部７ａ、出口用開口部７ｂが形成され、
各々の開口部を介して、当該処理室７へのウェハの搬
入、処理室７からの搬出が行われる。図４は、第１実施
例に示した多チャンバ型半導体製造装置の変形例を示す
平面図である。この変形例のように、各減圧室１〜９を
自在に接続させることによって、装置全体を設置するの
に必要な面積を小さくすることができる。

【００１４】以上説明したように、本実施例の多チャン
バ型製造装置では、各々の処理室３，５，７には、夫
々、２つの開口部（３ａ，３ｂ），（５ａ，５ｂ），
（７ａ，７ｂ）が形成され、これら開口部が互いに異な
る搬送室（２，４）に連設されているので、搬送室（例
えば２）から処理室（３）に搬入されてその処理が行わ
れたウェハは、他の搬送室（４）を介して次の処理室
（５）にウェハが送られる。このため、処理室（５）で
処理されたウェハが、処理室（３）の雰囲気に晒される
ことがなくなる。従って、上記処理後の雰囲気中から、
ガスや微塵が、他の処理室に混入することがなくなっ
て、相互汚染（クロスコンタミネーション）が防止され
る。

【００１５】（第２実施例）次に、本発明の第２実施例
について、図５を参照して説明する。図５は、この第２
実施例の多チャンバ型半導体製造装置の全体構成を示す
平面図である。この図に示すように、第２実施例の多チ
ャンバ型半導体製造装置は、例えば、同図に示すよう
に、１２の減圧室２０〜３１からなる。具体的には、減
圧室２０〜３１は、ロード室２０、処理室２１〜２５、
アンロード室２６、搬送室２４〜２９、中間室３０，３
１である。

【００１６】これら減圧室２０〜３０には、当該減圧室
間のガスの流れを、完全遮断する開閉シャッタが、１つ
乃至４つ設けられている。また、上記搬送室２７〜２９
には、ウェハを搬送するための搬送ロボット２７ａ，２
８ａ，２９ａが設置されている。尚、この第２実施例で
も、ロード室２０、アンロード室２６は、ウェハを当該
製造装置内に１枚宛搬入、搬出させるタイプの機構、若
くは、複数のウェハをカセットケースに収納して該カセ
ット毎にその搬入、搬出を行なうタイプの機構の何れか
が採用される。そして、半導体ウェハを１枚宛装置内に
搬入させる機構を採用するのであれば、その外部にカセ
ットを設置する機構３２，３３、該機構３２，３３とロ
ード室２０，アンロード室２６との間のウェハの搬送を
行なう機構３４，３５を追加すればよい。

【００１７】この第２実施例の半導体製造装置は、夫々
の搬送室２７，２８，２９に対して、処理室が１個又は
複数個（例えば搬送室２７，２９に対しては２つの処理
室）接続された構成となっており、各処理室には１つの
開口部２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａが設けられ、当
該開閉シャッタ２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５
ｂを介して各搬送室２７，２８，２９に接続されてい
る。そして、搬送室２７，２８間、及び搬送室２８，２
９間には、夫々、中間室３０，３１が設けられている。

【００１８】上記のように所定の搬送室（２７，２９）
に複数の処理室を接続させることにより、特定のウェハ
に対して、不要なプロセス処理がある場合に、当該処理
室（２１，２２若くは２４，２５）にウェハを搬入させ
ることなく、当該搬送室から次の搬送室にそのままウェ
ハを搬送して、その処理を行わせることができ、スルー
プットが向上する。尚、この場合、同一の処理室（例え
ば２７）に接続された処理室（２１，２２）で行われる
処理を、クロスコンタミネーションが起こらない処理に
限定する。そして、互いにクロスコンタミネーションが
生じ得る処理室に関しては、必ず搬送室、更に中間室を
介して接続させるようにしておけば、当該多チャンバ型
半導体製造装置での、クロスコンタミネーションを防止
させることができる。又、各処理室内で行われる処理時
間に差が有る場合には、時間のかかる処理に関しては２
以上の処理室を使用してその処理を行うようにすれば、
装置全体としてのスループットが向上する。

【００１９】ところで、搬送室間（２７，２８間、２
８，２９間）に中間室３０，３１を設けることによっ
て、以下のような作用効果が得られる。即ち、処理室に
何らかの異常が生じてこれを修理するとき、又は、改造
するときに、図１のように中間室を設けない構造と比較
して、修理、改造に要する手間が省ける。又、搬送室の
前後でその処理時間に差異がある場合には、中間室内で
ウェハを待機させれば、処理の流れが円滑になる。更
に、この中間室３０，３１に、雰囲気ガス排気機構と、
大気圧導入機構とを設けることによって、当該搬送室２
７，２８を介して流入してきたガスが、その後段の搬送
室、更には処理室に流入することを防ぐことができる。
更に、この中間室に減圧機構を設けておけば、雰囲気中
のガスを大気側に放出した後に、再び減圧下での処理を
行うことができる。又、中間室３０，３１に試料取出し
用の扉を設け、当該ウェハの取出しを可能にしておくこ
とにより、各処理室で行われる処理が終了した時点で、
該ウェハを取り出してその評価を行うことができる。

【００２０】尚、図５に示した多チャンバ半導体製造装
置を用いた連続処理の一例としては、処理室２１，２２
で多層レジストの加工を行い、処理室２３でアルミニウ
ム合金膜のドライエッチングを行い、処理室２４，２５
でアッシング処理を行なうことが考えられる。これは、
多層レジストの加工には約４分、アルミニウム合金膜の
エッチング時には約１分、アッシングには約３分を要す
るため、多層レジスト加工用処理室、アッシング用処理
室を、共に２つとし、エッチング用処理室を１つにした
ものである。

【００２１】このような設定とした場合、多層レジスト
の加工処理からエッチング処理に移る際に、中間室３０
では、ウェハの待機時間がほとんどなくなり、一方、中
間室３１では、若干の待機時間が必要になった。しかし
て、これら多数の処理に要する時間が短縮され、スルー
プットが向上した。又、上記構成の多チャンバ型半導体
製造装置を用いた場合、アッシング処理後、当該ウェハ
が、更に塩素ガスにさらされることがなくなるので、従
来生じていた、アルミニウム配線の腐食がなくなる。

【００２２】尚、この第２実施例の多チャンバ型半導体
製造装置は、上記したアルミニウム合金膜のドライエッ
チング処理に限らず、他の処理にも用いられる。この場
合、搬送室の数、更には、１つの搬送室に連設される処
理室の数は、その連続処理の内容によって適宜、増減す
ればよい。

【００２３】以上詳述したように、この第２実施例の多
チャンバ型半導体製造装置によれば、エッチング処理に
用いられた塩素ガスが、中間室の作用によって完全に排
気されるので、加工後の当該アルミニウム合金からなる
配線の、塩素ガスによる腐食が防止できる。更に、互い
にクロスコンタミネーションが生じ得る処理が行われる
処理室は、互いに異なる搬送室に接続されているので、
当該コンターミネーションが防止できる。更に、処理時
間の異なる処理を同時に行なう場合に、その処理時間
を、処理室の数の増減によって調整できるので、多チャ
ンバ型半導体製造装置全体としての搬送の待機時間が短
縮され、スループットが向上する。

【００２４】（第３実施例）次に、本発明の第３実施例
について、図６を参照して説明する。図６は、この第３
実施例の多チャンバ型半導体製造装置の全体構成を示す
平面図である。この図に示すように、第３実施例の多チ
ャンバ型半導体製造装置は、上記した第２実施例の搬送
室２７と搬送室２８との間に、大気圧下の３つの搬送室
４５，４６，４７、２つの処理室４０，４１、これら大
気圧下の搬送室、処理室と上記した減圧室との間の圧力
調整を行うための圧力調整室４３，４４が設けられたも
のである。かかる構成の多チャンバ型半導体製造装置に
あっては、上記圧力調整室４３，４４の働きによって、
１つの製造装置により減圧下での処理（エッチング処理
等）と、大気圧下での処理（洗浄処理、乾燥処理）が行
われるようになっている。

【００２５】具体的には、この製造装置は、例えば、図
７に示す構造の、多層レジストのエッチング加工に用い
られる。即ち、多層レジスト構造では、マスクをレジス
トと酸化膜系の材料で形成し、これを用いて、当該基板
にパターンを形成するものである。

【００２６】例えば、３層の多層レジスト構造では、上
層のレジストは通常のレジスト工程において露光・現像
が行われ、中間のレジストは、例えば酸化膜系の材料が
用いられる。このため、中間レジストの加工にはドライ
エッチング処理が行われる。更に、下層レジストは、通
常より高温で熱処理されたレジスト材料が用いられ、垂
直な加工を必要とするのでドライエッチングが行われ
る。

【００２７】そして、このような多層レジストの加工後
には、弗酸（ＨＦ）を用いた洗浄処理、及び、乾燥処理
が行われる。しかして、この第３実施例では、大気圧下
の処理室４０を洗浄用の処理室とし、大気圧下の処理室
４１を乾燥用の処理室とした。ところで、上記構成の多
チャンバ型半導体製造装置では、洗浄用の処理室４０か
ら濡れたウェハを取り出して乾燥用の処理室４１に搬送
する搬送ロボット４６ａと、上記乾燥用の処理室４１か
ら乾いたウェハを取り出す搬送ロボット４７ａとが別個
に設けられて、処理室４１から取り出される乾燥済みの
ウェハが、ロボットアームによって再び濡れないように
なっている。

【００２８】この第３実施例のように、洗浄、乾燥を行
なう場合、ウェハは大気圧下におかれてその処理がなさ
れる。このため、製造装置全体の処理に関しては、減圧
下（真空）→大気圧下→減圧下（真空）と云う具合い
に、その雰囲気が変化することとなる。このため、第３
本実施例では、中間室４３、４４に、夫々、真空排気ポ
ンプ及び窒素（Ｎ₂）供給機構が設けられており（共に
図示省略）、これらの中間室４３の前、及び中間室４４
の後に夫々接続されている搬送室４５，４７を、真空か
ら大気圧、又は大気圧から真空に調整して、上記したよ
うに処理の雰囲気を変化させている。この中間室４３，
４４の働きによって、搬送室２７、２８は、常に真空状
態に保たれ、洗浄用の処理室４０、乾燥用の処理室４１
に夫々連設する搬送室４５，４７が常に大気圧状態に保
たれる。

【００２９】尚、アルミニウム合金膜をエッチングし、
これをアッシングした後に更に洗浄処理を行うのであれ
ば、当該アッシング用の処理室２４，２５に、洗浄用の
処理室、を搬送室、中間室を介して接続すれば、この中
間室の働きによって当該処理室を大気圧下としてその洗
浄を行うことができる。

【００３０】このような構成の多チャンバ型半導体製造
装置は、例えば、図７に示す構造の半導体ウェハを形成
する際に使用される。図７の半導体装置は、シリコン基
板５１にシリコン酸化膜５２が形成され、その上に、Ａ
ｌ−Ｃｕ−Ｓｉ膜５３が形成される。そして、ホトレジ
スト５４を塗布した後約２００℃の熱処理を行い、その
後、この上層にＳＯＧ系のガラス膜５５を塗布し、この
最上層にパターンニングしたレジストマスク５６を形成
したものである。このような構成の半導体装置を製造す
る際には、図６の処理室２１でＳＯＧ系のガラス膜をド
ライエッチングしているが、当該処理の後に膜５３が腐
食することはない。このため、この実施例の半導体製造
装置では、処理室２２で酸素ガスを用いたレジストのエ
ッチングを行った。

【００３１】次に、中間室４３の作用によって、ウェハ
の雰囲気を大気圧にし、洗浄用の処理室４０と乾燥用の
処理室４１で、各々の洗浄処理、乾燥処理を行い、その
後、アルミニウム合金膜のドライエッチングを行うよう
にしている。

【００３２】ところで、上記した中間室４８から実験的
にウェハを大気に取り出してアルミニウムの腐食の様子
を観察した結果、取り出してから５分以内に腐食が開始
された。これに対して、半導体ウェハに対する全ての処
理を行った後の半導体ウェハを、アンロードロック室２
６から取り出し、これを水洗いしたものは、取り出し
後、２４時間経過しても腐食を観測することができなか
った。このことは、上記一連の処理を、連続的に行った
場合、良好なエッチングが行われていたことを示す。

【００３３】ところで、上記多層レジストを形成する工
程では、処理室２２での減圧処理にに４分、洗浄処理、
乾燥処理が共に５分、アルミニウム合金膜のエッチング
処理が１分、アッシングが３分程度必要である。このた
め、中間室４３、中間室４８に、半導体ウェハを複数枚
待機させる必要が生じ、この場合、中間室４３，４８
に、ウェハが複数枚収納されるカセットラックを設置し
てその待機を行った。このようにした場合、多チャンバ
型半導体製造装置全体が、清浄にされたので、ウェハに
付着した微塵の量が激減した。尚、処理室内でプラズマ
を発生させる手法は、公知のプラズマ発生装置の構造が
そのまま用いられ、その詳細な説明は省略する。

【００３４】又、各処理室、搬送室、更には中間室間に
設けられたシャッタの開閉タイミングは、処理室、搬送
室間のガスの移動量が最少となるように設定される。

【００３５】尚、配線層として、アルミニウム合金に代
えて、ＴｉＷ、又は、Ｗを下地とした配線層を用いるの
であれば、塩素系ガスではエッチング速度が極端に遅く
なるため、フッ素系のガスでエッチングすればよい。こ
の場合にも、上記実施例と同様にその腐食が防止され
る。（フッ素系のガスではアルミニウム合金膜はエッチ
ングできない。）

【００３６】又、同一の半導体ウェハにアルミニウム合
金と、上記他の金属（ＴｉＷ，Ｗ等）とが形成されてい
る場合には、アルミニウム合金膜を塩素系ガスでエッチ
ングした後、エッチングガスをフッ素系ガスに切り替え
て当該他の金属のエッチングをしなければならない。こ
の場合には、アルミニウム合金膜用のエッチングが行わ
れる処理室で、更にフッ素系プラズマを用いたエッチン
グを行うと、処理室内で塵埃が増加することが分かっ
た。このため、塩素系ガスのエッチングと、フッ素系ガ
スのエッチングを必要とするウェハ構造の場合には、エ
ッチング用の処理室を、当該搬送室に増設して連設さ
せ、夫々の処理室で夫々のエッチングを行えば、塵埃を
防ぐことができる。

【００３７】以上詳述したように、本実施例の多チャン
バ型半導体製造装置によれば、半導体ウェハに対して、
その表面に形成されたレジストの加工処理を行なう際
に、当該多数の処理室のうち、１つの処理室で塩素ガス
でレジスト膜をエッチングした後、他の処理室でアッシ
ングを行うようにし、このとき当該ウェハの搬送に用い
られる搬送室及び搬送ロボットが、各々の処理で使い分
けられているので、クロスコンタミネーションが防止さ
れ、しかも、一方の処理に用いられる処理用ガスが他方
の処理室に混入されないので、金属配線層の腐食などを
招来する化学反応を防止することができる。

【００３８】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上
記実施例では、処理室でエッチングされる配線層をアル
ミニウム合金膜で形成された例を示したが、塩素による
腐食の起こり易い金属材料であれば他の金属が用いられ
た半導体ウェハにも、本発明は適用できる。又、その他
半導体素子材料に用いられているシリコン，ポリシリコ
ン，タングステンシリサイドなどの材料においても、塩
素による化学反応が起こりやすいため、これらのエッチ
ング処理に対しても本発明は有効である。

【００３９】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
ウェハの製造技術に適用した場合について説明したが、
この発明はそれに限定されるものでなく、試料に対して
所望の処理を行なう際にその雰囲気を適宜調整する処理
技術一般に利用することができる。

【００４０】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。即ち、微塵の発生を抑え、クロスコン
タミネーションの防止、被処理部材の腐食を防止し、も
って製造歩留を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の多チャンバ型半導体製造装置を示
す平面図である。

【図２】多チャンバ型半導体製造装置の処理室と搬送室
との接続状態を示す断面図である。

【図３】ウェハを載せる試料台４Ａ，４Ｂの上下動によ
ってウェハを、ロボット装置により取り出す機構を示す
断面図である。

【図４】第１実施例の多チャンバ型半導体製造装置の変
形例を示す平面図である。

【図５】第２実施例の多チャンバ型半導体製造装置の全
体構成を示す平面図である。

【図６】第３実施例の多チャンバ型半導体製造装置の全
体構成を示す平面図である。

【図７】第３実施例の製造装置にてエッチング加工が行
われる多層レジストの断面図である。

【図８】従来の多チャンバ型半導体製造装置の構成例を
示す平面図である。

【図９】２つのロボットが設置された従来の多チャンバ
型半導体製造装置を示す断面図である。

【符号の説明】

２，４，６，８搬送室（減圧室）３，５，７処理室（減圧室）３ａ，５ａ，７ａ入口用開口部３ｂ，５ｂ，７ｂ出口用開口部１０，１１，１２，１３搬送ロボット１’〜８’ 開閉シャッタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田辺義和東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】搬入された半導体ウェハに対して所定の
雰囲気で処理を行う処理室を２つ以上具えた多チャンバ
型半導体製造装置であって、各々の処理室には、開閉シ
ャッタが設けられた少なくとも２つの開口部が設けら
れ、これらの少なくとも２つの開口部が互いに異なる搬
送室に連設されていることを特徴とする多チャンバ型半
導体製造装置。
【請求項２】搬入された半導体ウェハに対して所定の
雰囲気で処理を行う処理室を２つ以上具えた多チャンバ
型半導体製造装置であって、各々の処理室の間には搬送
室が設けられると共に、該搬送室が少なくとも他の１つ
の搬送室に接続されると共に、これら搬送室間に、雰囲
気中のガス置換用中間室が介在されていることを特徴と
する多チャンバ型半導体製造装置。
【請求項３】搬入された半導体ウェハに対して所定の
雰囲気で処理を行う処理室を２つ以上具えた多チャンバ
型半導体製造装置であって、上記処理室は他の処理室と
搬送室を室を介して接続され、搬送室を介して隣接する
所定の２つの処理室の一方がウェット処理用の処理室
で、他方がドライ処理用の処理室であると共に、これら
２つの処理室から当該半導体ウェハを取り出すロボット
搬送装置が夫々別個に設けられていることを特徴とする
多チャンバ型半導体製造装置。