JPH11260816A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
- Publication number
- JPH11260816A JPH11260816A JP6521998A JP6521998A JPH11260816A JP H11260816 A JPH11260816 A JP H11260816A JP 6521998 A JP6521998 A JP 6521998A JP 6521998 A JP6521998 A JP 6521998A JP H11260816 A JPH11260816 A JP H11260816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- synthetic resin
- photosensitive
- photosensitive synthetic
- semiconductor substrate
- high step
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大容量の半導体の電極配線の製造方法にかか
るものである。 【解決手段】 本発明は複数の高段差積層を有する半導
体基板上に感光性合成樹脂を塗布し、この複数の高段差
積層間の感光性合成樹脂を加工し、この感光性合成樹脂
を加工した半導体基板上に１の電極配線を形成し、複数
の高段差積層上の感光性合成樹脂膜を剥離した後、１の
電極配線上、複数の高段差積層上に絶縁性合成樹脂膜お
よび感光性合成樹脂を塗布し、複数の高段差積層上の絶
縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を加工し、この絶
縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を加工した半導体
基板上に他の電極配線を形成したものである。
るものである。 【解決手段】 本発明は複数の高段差積層を有する半導
体基板上に感光性合成樹脂を塗布し、この複数の高段差
積層間の感光性合成樹脂を加工し、この感光性合成樹脂
を加工した半導体基板上に１の電極配線を形成し、複数
の高段差積層上の感光性合成樹脂膜を剥離した後、１の
電極配線上、複数の高段差積層上に絶縁性合成樹脂膜お
よび感光性合成樹脂を塗布し、複数の高段差積層上の絶
縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を加工し、この絶
縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を加工した半導体
基板上に他の電極配線を形成したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造方法に係
り、特に、電極配線を形成する半導体製造方法に関す
る。
り、特に、電極配線を形成する半導体製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般にＧＴＯ、ＳＣＲ等の大容量の半導
体を製造するには図１１に示すようにＳi 、Ｇa Ａs の
ような半導体基板１０が使用され、その上面にｎ型層、
ｐ型層からなる高段差の複数の積層１１を形成する。
体を製造するには図１１に示すようにＳi 、Ｇa Ａs の
ような半導体基板１０が使用され、その上面にｎ型層、
ｐ型層からなる高段差の複数の積層１１を形成する。
【０００３】この積層１１を形成した半導体基板１０の
上部にアルミニウム等の配線材料１２が蒸着され、電極
配線を形成するようになっている。
上部にアルミニウム等の配線材料１２が蒸着され、電極
配線を形成するようになっている。
【０００４】この配線材料１２が蒸着された積層１１の
上部およびこれらの間には図１２に示すようにレジスト
１３が塗布され、これをマスクとして図１３に示すよう
にウエットエッチングによるパターンニングを行いマス
ク以外の部分の配線部材１２を剥離する。
上部およびこれらの間には図１２に示すようにレジスト
１３が塗布され、これをマスクとして図１３に示すよう
にウエットエッチングによるパターンニングを行いマス
ク以外の部分の配線部材１２を剥離する。
【０００５】配線部材１２が剥離された後図１４に示す
ようにレジスト１３がＯ2 プラズマ等により除去され、
この配線部材１２によりエミッタ、ゲート等の電極配線
１４を形成する。
ようにレジスト１３がＯ2 プラズマ等により除去され、
この配線部材１２によりエミッタ、ゲート等の電極配線
１４を形成する。
【０００６】電極配線１４が形成された半導体基板１０
の上部には図１５に示すようにポリイミド等の絶縁性合
成樹脂膜１５が被覆され、これを加工等してＧＴＯ、Ｓ
ＣＲ等の大容量の半導体を形成する。
の上部には図１５に示すようにポリイミド等の絶縁性合
成樹脂膜１５が被覆され、これを加工等してＧＴＯ、Ｓ
ＣＲ等の大容量の半導体を形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような高段差の積
層を有する大容量の半導体を形成するとき積層の上部と
それらの間では配線部材が均一に蒸着されないため、こ
れらの上部に塗布されるレジストがある部分では厚くな
り、また、他の部分では薄くなり、そのカバレージが悪
くなり、配電部材を適切にウエットエッチングすること
ができないと言う問題があった。
層を有する大容量の半導体を形成するとき積層の上部と
それらの間では配線部材が均一に蒸着されないため、こ
れらの上部に塗布されるレジストがある部分では厚くな
り、また、他の部分では薄くなり、そのカバレージが悪
くなり、配電部材を適切にウエットエッチングすること
ができないと言う問題があった。
【０００８】また、高段差の積層のため絶縁性合成樹脂
膜を被覆するときそれが不均一な厚さになりこの加工を
行う場合にはしばしば困難を伴うと言う等の問題があっ
た。そこで本発明は高段差の積層を有する大容量の半導
体を形成するときでも容易に電極配線ができるようにし
た半導体製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
膜を被覆するときそれが不均一な厚さになりこの加工を
行う場合にはしばしば困難を伴うと言う等の問題があっ
た。そこで本発明は高段差の積層を有する大容量の半導
体を形成するときでも容易に電極配線ができるようにし
た半導体製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は複数の高段差積
層を有する半導体基板上に感光性合成樹脂を塗布し、こ
の複数の高段差積層間の感光性合成樹脂を加工し、この
感光性合成樹脂を加工した半導体基板上に１の電極配線
を形成し、複数の高段差積層上の感光性合成樹脂膜を剥
離した後、１の電極配線上、複数の高段差積層上に絶縁
性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を塗布し、複数の高
段差積層上の絶縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を
加工し、この絶縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を
加工した半導体基板上に他の電極配線を形成したことを
特徴とする半導体製造方法を提供するものである。
層を有する半導体基板上に感光性合成樹脂を塗布し、こ
の複数の高段差積層間の感光性合成樹脂を加工し、この
感光性合成樹脂を加工した半導体基板上に１の電極配線
を形成し、複数の高段差積層上の感光性合成樹脂膜を剥
離した後、１の電極配線上、複数の高段差積層上に絶縁
性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を塗布し、複数の高
段差積層上の絶縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を
加工し、この絶縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を
加工した半導体基板上に他の電極配線を形成したことを
特徴とする半導体製造方法を提供するものである。
【００１０】また、本発明の感光性合成樹脂は感光性ポ
リイミドであることを特徴とする半導体製造方法を提供
するものである。
リイミドであることを特徴とする半導体製造方法を提供
するものである。
【００１１】さらに、本発明の感光性合成樹脂の開口を
ｉ線の照射により形成したことを特徴とする半導体製造
方法を提供するものである。
ｉ線の照射により形成したことを特徴とする半導体製造
方法を提供するものである。
【００１２】さらに、本発明の合成樹脂膜の開口を逆テ
ーパ状に形成したことを特徴とする半導体製造方法を提
供するものである。
ーパ状に形成したことを特徴とする半導体製造方法を提
供するものである。
【００１３】さらに、本発明の感光性合成樹脂のリフト
オフはアルカリ現像液により行うことを特徴とする半導
体製造方法を提供するものである。
オフはアルカリ現像液により行うことを特徴とする半導
体製造方法を提供するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下本発明の半導体製造方法の実
施の形態を添付図面により説明する。
施の形態を添付図面により説明する。
【００１５】本発明のＧＴＯ、ＳＣＲ等の大容量の半導
体を製造するには図１に示すようにＳi 、Ｇa Ａs のよ
うな半導体基板２０が使用され、その上面にｎ型層、ｐ
型層からなる高段差の複数の積層２１を形成する。
体を製造するには図１に示すようにＳi 、Ｇa Ａs のよ
うな半導体基板２０が使用され、その上面にｎ型層、ｐ
型層からなる高段差の複数の積層２１を形成する。
【００１６】この積層２１が形成された半導体基板２０
の上部には感光性ポリイミド等の焼き固め前にはアルカ
リ現像液等に容易に溶解され易い感光性合成樹脂２２が
塗布される。
の上部には感光性ポリイミド等の焼き固め前にはアルカ
リ現像液等に容易に溶解され易い感光性合成樹脂２２が
塗布される。
【００１７】この感光性合成樹脂２２が塗布された半導
体基板２０の積層２１の間には図２に示すようにｉ線等
が照射され、マスクとなる正確な逆テーパ状開口２３を
形成する。
体基板２０の積層２１の間には図２に示すようにｉ線等
が照射され、マスクとなる正確な逆テーパ状開口２３を
形成する。
【００１８】この逆テーパ状開口２３が形成された半導
体基板２０の上部から図３に示すようにアルミニウム等
の配線部材２４が蒸着され、これが感光性合成樹脂２２
の上部は勿論のこと逆テーパ状開口２３を介して積層２
１の間の半導体基板２０の上部に正確に配設する。
体基板２０の上部から図３に示すようにアルミニウム等
の配線部材２４が蒸着され、これが感光性合成樹脂２２
の上部は勿論のこと逆テーパ状開口２３を介して積層２
１の間の半導体基板２０の上部に正確に配設する。
【００１９】配線部材２４が配設されたら図４に示すよ
うに積層２１の上部の感光性合成樹脂２２がアルカリ現
像液により加工されリフトオフされる。
うに積層２１の上部の感光性合成樹脂２２がアルカリ現
像液により加工されリフトオフされる。
【００２０】この加工リフトオフにより積層２１の上部
の配線部材２４が感光性合成樹脂２２のリフトオフとと
もに除去されが逆テーパ状開口２３の内部の配線部材２
４はその下部に感光性合成樹脂２２がないから除去され
ず残存したままとなる。
の配線部材２４が感光性合成樹脂２２のリフトオフとと
もに除去されが逆テーパ状開口２３の内部の配線部材２
４はその下部に感光性合成樹脂２２がないから除去され
ず残存したままとなる。
【００２１】このようにして残存した配線部材２４によ
り積層２１の間に１の電極配線２５を形成する。
り積層２１の間に１の電極配線２５を形成する。
【００２２】１の電極配線２５が形成された半導体基板
２０の上部には図５に示すようにポリイミド等の絶縁性
合成樹脂２６が被覆される。この被覆された絶縁性合成
樹脂２６の積層２１等の上部が図６に示すように加工さ
れ、この積層２１の上部に所定の大きさの開口２７を形
成する。
２０の上部には図５に示すようにポリイミド等の絶縁性
合成樹脂２６が被覆される。この被覆された絶縁性合成
樹脂２６の積層２１等の上部が図６に示すように加工さ
れ、この積層２１の上部に所定の大きさの開口２７を形
成する。
【００２３】開口２７が形成された半導体基板２０の上
部には図７に示すように感光性ポリイミド等の感光性合
成樹脂２２が塗布される。
部には図７に示すように感光性ポリイミド等の感光性合
成樹脂２２が塗布される。
【００２４】この感光性合成樹脂２２が塗布された半導
体基板２０の積層２１の上部に図８に示すようにｉ線等
が照射され、マスクとなる正確な逆テーパ状開口２８を
形成する。
体基板２０の積層２１の上部に図８に示すようにｉ線等
が照射され、マスクとなる正確な逆テーパ状開口２８を
形成する。
【００２５】この逆テーパ状開口２８が形成された半導
体基板２０の上部から図９に示すようにアルミニウム等
の配線部材２４が蒸着され、これが感光性合成樹脂２２
の上部は勿論のこと逆テーパ状開口２８を介して半導体
基板２０の積層２１の上部に正確に配設する。
体基板２０の上部から図９に示すようにアルミニウム等
の配線部材２４が蒸着され、これが感光性合成樹脂２２
の上部は勿論のこと逆テーパ状開口２８を介して半導体
基板２０の積層２１の上部に正確に配設する。
【００２６】逆テーパ状開口２８の内部の積層２１の上
部に配線部材２４が配設されたら図１０に示すように積
層２１の間の感光性合成樹脂２２がアルカリ現像液によ
り加工されリフトオフされる。
部に配線部材２４が配設されたら図１０に示すように積
層２１の間の感光性合成樹脂２２がアルカリ現像液によ
り加工されリフトオフされる。
【００２７】この加工リフトオフにより積層２１の間の
配線部材２４が感光性合成樹脂２２のリフトオフととも
に除去されが逆テーパ状開口２８の内部の配線部材２４
はその下部に感光性合成樹脂２２がないから除去されず
残存したままとなる。
配線部材２４が感光性合成樹脂２２のリフトオフととも
に除去されが逆テーパ状開口２８の内部の配線部材２４
はその下部に感光性合成樹脂２２がないから除去されず
残存したままとなる。
【００２８】このようにして残存した配線部材２４によ
り積層２１の上部に他の電極配線２９を形成する。
り積層２１の上部に他の電極配線２９を形成する。
【００２９】このようにすると製造工程が増加するもの
の従来の方法に比べ１の電極配線２５が低段差の感光性
合成樹脂２２により形成された逆テーパ状開口溝２３の
間で行うことができ、また、他の電極配線２９が低段差
の感光性合成樹脂２２により形成された逆テーパ状開口
２８の間で行うことができるので電極の製造が極めて容
易に行うことができる。
の従来の方法に比べ１の電極配線２５が低段差の感光性
合成樹脂２２により形成された逆テーパ状開口溝２３の
間で行うことができ、また、他の電極配線２９が低段差
の感光性合成樹脂２２により形成された逆テーパ状開口
２８の間で行うことができるので電極の製造が極めて容
易に行うことができる。
【００３０】また、電極配線２５、２９が感光性合成樹
脂に形成された正確な逆テーパ状開口２３、２７により
形成されるのでパターニングの成形を良好に行うことが
できる。
脂に形成された正確な逆テーパ状開口２３、２７により
形成されるのでパターニングの成形を良好に行うことが
できる。
【００３１】さらに感光性ポリイミド等の感光性合成樹
脂２２がアルカリ現像液により容易にリフトオフされる
のでこの上部の配電線部材２４を簡単に除去することが
できる。
脂２２がアルカリ現像液により容易にリフトオフされる
のでこの上部の配電線部材２４を簡単に除去することが
できる。
【００３２】
【発明の効果】本発明は複数の高段差積層を有する半導
体基板上に感光性合成樹脂を塗布し、この複数の高段差
積層間の感光性合成樹脂を加工し、この感光性合成樹脂
を加工した半導体基板上に１の電極配線を形成し、複数
の高段差積層上の感光性合成樹脂膜を剥離した後、１の
電極配線上、複数の高段差積層上に絶縁性合成樹脂膜お
よび感光性合成樹脂を塗布し、複数の高段差積層上の絶
縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を加工し、この絶
縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を加工した半導体
基板上に他の電極配線を形成したから高段差積層を有す
る半導体基板の電極配線を容易に行うことができる。
体基板上に感光性合成樹脂を塗布し、この複数の高段差
積層間の感光性合成樹脂を加工し、この感光性合成樹脂
を加工した半導体基板上に１の電極配線を形成し、複数
の高段差積層上の感光性合成樹脂膜を剥離した後、１の
電極配線上、複数の高段差積層上に絶縁性合成樹脂膜お
よび感光性合成樹脂を塗布し、複数の高段差積層上の絶
縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を加工し、この絶
縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を加工した半導体
基板上に他の電極配線を形成したから高段差積層を有す
る半導体基板の電極配線を容易に行うことができる。
【００３３】また、本発明の感光性合成樹脂は感光性ポ
リイミドにしたから容易にリフトオフすることができ
る。
リイミドにしたから容易にリフトオフすることができ
る。
【００３４】さらに、本発明の感光性合成樹脂の開口を
ｉ線の照射するようにしたから感光性合成樹脂の加工を
正確に行うことができる。
ｉ線の照射するようにしたから感光性合成樹脂の加工を
正確に行うことができる。
【００３５】さらに、本発明の合成樹脂膜の開口を逆テ
ーパ状に形成したから電極部材のパターニングを良好に
行うことができる。
ーパ状に形成したから電極部材のパターニングを良好に
行うことができる。
【００３６】さらに、本発明の感光性合成樹脂のリフト
オフはアルカリ現像液により行うようにしたからリフト
オフが簡単に行うことができる。
オフはアルカリ現像液により行うようにしたからリフト
オフが簡単に行うことができる。
【図１】本発明の半導体製造方法の第１工程を示す説明
図。
図。
【図２】本発明の半導体製造方法の第２工程を示す説明
図。
図。
【図３】本発明の半導体製造方法の第３工程を示す説明
図。
図。
【図４】本発明の半導体製造方法の第４工程を示す説明
図。
図。
【図５】本発明の半導体製造方法の第５工程を示す説明
図。
図。
【図６】本発明の半導体製造方法の第６工程を示す説明
図。
図。
【図７】本発明の半導体製造方法の第７工程を示す説明
図。
図。
【図８】本発明の半導体製造方法の第８工程を示す説明
図。
図。
【図９】本発明の半導体製造方法の第９工程を示す説明
図。
図。
【図１０】本発明の半導体製造方法の第１０工程を示す
説明図。
説明図。
【図１１】従来の半導体製造方法の第１工程を示す説明
図。
図。
【図１２】従来の半導体製造方法の第２工程を示す説明
図。
図。
【図１３】従来の半導体製造方法の第３工程を示す説明
図。
図。
【図１４】従来の半導体製造方法の第４工程を示す説明
図。
図。
【図１５】従来の半導体製造方法の第５工程を示す説明
図。
図。
１０、２０ 半導体基板 １１、２１ 積層 １２、２４ 配線部材 １３ レジスト １４ 電極配線 １５、２６ 絶縁性合成樹脂 ２２ 感光性合成樹脂 ２３、２７ 逆テーパ状開口 ２５、２９ 電極配線
Claims (5)
- 【請求項１】複数の高段差積層を有する半導体基板上に
感光性合成樹脂を塗布し、 この複数の高段差積層間の感光性合成樹脂を加工し、 この感光性合成樹脂を加工した半導体基板上に１の電極
配線を形成し、 複数の高段差積層上の感光性合成樹脂膜を剥離した後、 １の電極配線上、複数の高段差積層上に絶縁性合成樹脂
膜および感光性合成樹脂を塗布し、 複数の高段差積層上の絶縁性合成樹脂膜および感光性合
成樹脂を加工し、 この絶縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を加工した
半導体基板上に他の電極配線を形成し、 たことを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項２】感光性合成樹脂は感光性ポリイミドである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造方法。 - 【請求項３】感光性合成樹脂の開口をｉ線の照射により
形成したことを特徴とする請求項１または２記載の半導
体製造方法。 - 【請求項４】合成樹脂膜の開口を逆テーパ状に形成した
ことを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体製
造方法。 - 【請求項５】感光性合成樹脂のリフトオフはアルカリ現
像液により行うことを特徴とする請求項１、２、３また
は４記載の半導体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6521998A JPH11260816A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6521998A JPH11260816A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 半導体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260816A true JPH11260816A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13280594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6521998A Pending JPH11260816A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260816A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086531A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Seiko Instruments Inc | パターン電極作製法およびその作製法で作製されたパターン電極 |
| JP2015088678A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-03-16 JP JP6521998A patent/JPH11260816A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086531A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Seiko Instruments Inc | パターン電極作製法およびその作製法で作製されたパターン電極 |
| JP2015088678A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5136354A (en) | Semiconductor device wafer with interlayer insulating film covering the scribe lines | |
| JPH0160940B2 (ja) | ||
| JP4556757B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11260816A (ja) | 半導体製造方法 | |
| CN116469832A (zh) | 板级封装方法 | |
| JP2001176975A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000077414A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09260560A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JP5409177B2 (ja) | リフトオフ法を用いたパターン形成方法 | |
| JPH0587973B2 (ja) | ||
| JP2000353748A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20030018641A (ko) | 런너 메탈을 갖는 패키지의 제조방법 | |
| JPH07288280A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100576414B1 (ko) | 반도체 소자의 랜딩 비아 제조 방법 | |
| JPH0330295B2 (ja) | ||
| JPH08293659A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPH1056061A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002134544A (ja) | 半導体装置の製造方法、および半導体装置 | |
| JPH03127827A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| KR19980030831A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPH04101447A (ja) | 多層配線半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH10189740A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS60251645A (ja) | 半導体基板の多層配線形成方法 | |
| JPH04237911A (ja) | 薄膜多層構造の製造方法 | |
| JPS63296344A (ja) | リフトオフ方法 |