JPH11260806A - ウエハ平坦化方法及び記録媒体 - Google Patents
ウエハ平坦化方法及び記録媒体Info
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 29
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 88
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハの外側のデータにウエハ外縁部のデー
タに対応したダミーデータを挿入することにより、ウエ
ハ外縁部を含めたウエハ全面の平坦化を図ったウエハ平
坦化方法及び記録媒体を提供する。 【解決手段】 ウエハＷの外縁Ｗｃからエッチング半径
ｒだけ外側位置に領域Ｓを設定し、この領域Ｓ内であっ
て且つ外縁Ｗｃ近傍の点Ｐ４を通る仮想直線Ｌに最も近
い点Ｐ４−１〜Ｐ４−３の位置−速度データＤにおける
ノズル相対速度を、点Ｐ４の位置−速度データＤのノズ
ル相対速度と同一に設定した。これにより、活性種ガス
Ｇを噴射するノズルがあたかも仮想直線Ｌに沿って移動
する状態になり、点Ｐ４の部分が点Ｐ４−１〜Ｐ４−
３，点Ｐ４，点Ｐ６を通過するノズルの活性種ガスＧの
重畳によって平坦にエッチングされる。
タに対応したダミーデータを挿入することにより、ウエ
ハ外縁部を含めたウエハ全面の平坦化を図ったウエハ平
坦化方法及び記録媒体を提供する。 【解決手段】 ウエハＷの外縁Ｗｃからエッチング半径
ｒだけ外側位置に領域Ｓを設定し、この領域Ｓ内であっ
て且つ外縁Ｗｃ近傍の点Ｐ４を通る仮想直線Ｌに最も近
い点Ｐ４−１〜Ｐ４−３の位置−速度データＤにおける
ノズル相対速度を、点Ｐ４の位置−速度データＤのノズ
ル相対速度と同一に設定した。これにより、活性種ガス
Ｇを噴射するノズルがあたかも仮想直線Ｌに沿って移動
する状態になり、点Ｐ４の部分が点Ｐ４−１〜Ｐ４−
３，点Ｐ４，点Ｐ６を通過するノズルの活性種ガスＧの
重畳によって平坦にエッチングされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、活性種ガスによ
り、ウエハ表面の凸部を局所的にエッチングして平坦化
し、あるいはウエハの相対的に厚い部分を局所的にエッ
チングしてウエハの厚さ分布を均一にするためのウエハ
平坦化方法及び記録媒体に関するものである。
り、ウエハ表面の凸部を局所的にエッチングして平坦化
し、あるいはウエハの相対的に厚い部分を局所的にエッ
チングしてウエハの厚さ分布を均一にするためのウエハ
平坦化方法及び記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は、従来のウエハ平坦化方法の一例
を示す概略断面図である。図９において、符号１００は
プラズマ発生部であり、プラズマ発生部１００で発生し
たプラズマ中の活性種ガスＧを、ノズル１０１からウエ
ハとしてのウエハＷの表面に噴射する。ウエハＷはステ
ージ１２０上に載置固定されており、ステージ１２０を
水平方向に移動させることで、ウエハＷの表面の内規定
厚さよりも相対的に厚い部分（以下、「相対厚部」とい
う）Ｗａをノズル１０１の真下に導く。これにより、活
性種ガスＧをノズル１０１から凸状の相対厚部Ｗａに噴
射し、相対厚部Ｗａを局所的にエッチングすることで、
ウエハＷの表面厚さ分布を均一化する。しかしながら、
ウエハＷ上の相対厚部Ｗａの厚さは一様ではなく、多種
多様である。このため、相対厚部Ｗａの厚さに対応し
て、ウエハＷに対するノズル１０１の相対速度を制御す
る技術が考案されている（例えば特開平９−２７４８２
号公報記載の技術）。この技術は、まずウエハＷの全表
面にわたって、相対厚部Ｗａの位置と厚さとをウエハ平
坦度測定器により測定して、その位置−厚さの２次元デ
ータを作る。そして、このデータを相対厚部Ｗａの位置
と、エッチング処理後にその相対厚部Ｗａが所望の平坦
度になるようなノズル１０１の相対速度とを示す位置−
相対速度データに変換する。次に、この位置−相対速度
データに基づいて、ステージ１２０を制御し、ノズル１
０１を所定の相対厚部１１１の真上まで移動させながら
ウエハＷの全面をエッチング処理する。すなわち、厚み
が大きい相対厚部Ｗａのところでは、ノズル１０１の相
対速度を遅くして、エッチング量を増やし、厚みが小さ
い相対厚部Ｗａのところでは、ノズル１０１の相対速度
を速くして、エッチング量を少なくすることで、ウエハ
Ｗの全面を平坦化する。
を示す概略断面図である。図９において、符号１００は
プラズマ発生部であり、プラズマ発生部１００で発生し
たプラズマ中の活性種ガスＧを、ノズル１０１からウエ
ハとしてのウエハＷの表面に噴射する。ウエハＷはステ
ージ１２０上に載置固定されており、ステージ１２０を
水平方向に移動させることで、ウエハＷの表面の内規定
厚さよりも相対的に厚い部分（以下、「相対厚部」とい
う）Ｗａをノズル１０１の真下に導く。これにより、活
性種ガスＧをノズル１０１から凸状の相対厚部Ｗａに噴
射し、相対厚部Ｗａを局所的にエッチングすることで、
ウエハＷの表面厚さ分布を均一化する。しかしながら、
ウエハＷ上の相対厚部Ｗａの厚さは一様ではなく、多種
多様である。このため、相対厚部Ｗａの厚さに対応し
て、ウエハＷに対するノズル１０１の相対速度を制御す
る技術が考案されている（例えば特開平９−２７４８２
号公報記載の技術）。この技術は、まずウエハＷの全表
面にわたって、相対厚部Ｗａの位置と厚さとをウエハ平
坦度測定器により測定して、その位置−厚さの２次元デ
ータを作る。そして、このデータを相対厚部Ｗａの位置
と、エッチング処理後にその相対厚部Ｗａが所望の平坦
度になるようなノズル１０１の相対速度とを示す位置−
相対速度データに変換する。次に、この位置−相対速度
データに基づいて、ステージ１２０を制御し、ノズル１
０１を所定の相対厚部１１１の真上まで移動させながら
ウエハＷの全面をエッチング処理する。すなわち、厚み
が大きい相対厚部Ｗａのところでは、ノズル１０１の相
対速度を遅くして、エッチング量を増やし、厚みが小さ
い相対厚部Ｗａのところでは、ノズル１０１の相対速度
を速くして、エッチング量を少なくすることで、ウエハ
Ｗの全面を平坦化する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
のウエハ平坦化方法では、次のような問題がある。図１
０は、ノズル１０１からの活性種ガスＧの噴射状態図で
あり、図１１は、活性種ガスＧの重畳による平坦化動作
を説明するための概略図であり、図１２は従来のウエハ
平坦化方法が有する問題点を説明するための概略断面図
である。図１０に示すように、ノズル１０１から噴射さ
れた活性種ガスＧは、下方で広がり、ウエハＷのノズル
１０１真下部分が深くエッチングされ、この部分から外
側に行くに従って浅くエッチングされることとなる。し
たがって、ノズル１０１の走査中においては、図１１に
示すように、ウエハＷの領域Ｗｂは、領域Ｗｂに向かっ
てくるノズル１０１から噴射された活性種ガスＧによっ
てエッチングされ始めることとなる。例えば、ノズル１
０１が図１１の左から右に移動し、領域Ｗｂの左端から
エッチング半径ｒの位置Ｑ１に至ったノズル１０１から
噴射されている活性種ガスＧの裾野の端が領域Ｗｂの端
に接したとすると、領域Ｗｂは、この位置Ｑ１から位置
Ｑ２に向かって移動するノズル１０１からの活性種ガス
Ｇによってエッチングされ、ノズル１０１が位置Ｑ２に
至った時点で活性種ガスＧの影響を受けなくなる。すな
わち、領域Ｗｂは位置Ｑ１〜Ｑ２間を移動するノズル１
０１の活性種ガスＧの重畳によってエッチングされるこ
ととなる。このとき、領域Ｗｂの上記相対厚部が厚い場
合には、位置Ｑ１〜Ｑ２間を移動するノズル１０１の相
対速度がその厚さに応じて遅くなり、領域Ｗｂの相対厚
部の厚さが薄い場合には相対速度が速くなって、領域Ｗ
ｂが平坦にエッチングされることとなる。しかしなが
ら、このウエハ平坦化方法では、ウエハＷの外縁部が厚
く残ってしまう問題があった。すなわち、図１２に示す
ように、ノズル１０１の走査をウエハＷの外縁Ｗｃの外
側から内側に向かって行う際、ノズル１０１を外縁Ｗｃ
外側のところで高速に移動させ、外縁Ｗｃの位置に至っ
たところで、外縁Ｗｃの厚さに応じてその相対速度を変
化させることとなるので、外縁Ｗｃが左から移動してく
るノズル１０１の活性種ガスＧによる影響をほとんど受
けない。このため、外縁部が上記相対厚部でない場合に
は、この外縁部の平坦化にさ程問題が生じないが、外縁
部が相対厚部である場合には、外縁部のエッチング量が
半減し、所望のエッチング量に至らず、図１２に示すよ
うに、外縁Ｗｃの近傍がウエハＷの内側部分に比べて著
しく厚くなってしまう。
のウエハ平坦化方法では、次のような問題がある。図１
０は、ノズル１０１からの活性種ガスＧの噴射状態図で
あり、図１１は、活性種ガスＧの重畳による平坦化動作
を説明するための概略図であり、図１２は従来のウエハ
平坦化方法が有する問題点を説明するための概略断面図
である。図１０に示すように、ノズル１０１から噴射さ
れた活性種ガスＧは、下方で広がり、ウエハＷのノズル
１０１真下部分が深くエッチングされ、この部分から外
側に行くに従って浅くエッチングされることとなる。し
たがって、ノズル１０１の走査中においては、図１１に
示すように、ウエハＷの領域Ｗｂは、領域Ｗｂに向かっ
てくるノズル１０１から噴射された活性種ガスＧによっ
てエッチングされ始めることとなる。例えば、ノズル１
０１が図１１の左から右に移動し、領域Ｗｂの左端から
エッチング半径ｒの位置Ｑ１に至ったノズル１０１から
噴射されている活性種ガスＧの裾野の端が領域Ｗｂの端
に接したとすると、領域Ｗｂは、この位置Ｑ１から位置
Ｑ２に向かって移動するノズル１０１からの活性種ガス
Ｇによってエッチングされ、ノズル１０１が位置Ｑ２に
至った時点で活性種ガスＧの影響を受けなくなる。すな
わち、領域Ｗｂは位置Ｑ１〜Ｑ２間を移動するノズル１
０１の活性種ガスＧの重畳によってエッチングされるこ
ととなる。このとき、領域Ｗｂの上記相対厚部が厚い場
合には、位置Ｑ１〜Ｑ２間を移動するノズル１０１の相
対速度がその厚さに応じて遅くなり、領域Ｗｂの相対厚
部の厚さが薄い場合には相対速度が速くなって、領域Ｗ
ｂが平坦にエッチングされることとなる。しかしなが
ら、このウエハ平坦化方法では、ウエハＷの外縁部が厚
く残ってしまう問題があった。すなわち、図１２に示す
ように、ノズル１０１の走査をウエハＷの外縁Ｗｃの外
側から内側に向かって行う際、ノズル１０１を外縁Ｗｃ
外側のところで高速に移動させ、外縁Ｗｃの位置に至っ
たところで、外縁Ｗｃの厚さに応じてその相対速度を変
化させることとなるので、外縁Ｗｃが左から移動してく
るノズル１０１の活性種ガスＧによる影響をほとんど受
けない。このため、外縁部が上記相対厚部でない場合に
は、この外縁部の平坦化にさ程問題が生じないが、外縁
部が相対厚部である場合には、外縁部のエッチング量が
半減し、所望のエッチング量に至らず、図１２に示すよ
うに、外縁Ｗｃの近傍がウエハＷの内側部分に比べて著
しく厚くなってしまう。
【０００４】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、ウエハの外側のデータにウエハ外縁部
のデータに対応したダミーデータを挿入することによ
り、ウエハ外縁部を含めたウエハ全面の平坦化を図った
ウエハ平坦化方法及び記録媒体を提供することを目的と
するものである。
なされたもので、ウエハの外側のデータにウエハ外縁部
のデータに対応したダミーデータを挿入することによ
り、ウエハ外縁部を含めたウエハ全面の平坦化を図った
ウエハ平坦化方法及び記録媒体を提供することを目的と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明は、ウエハ表面を含む平面上の各座
標及び各座標におけるウエハの厚さ値に略逆比例して設
定されたノズル相対速度でなる位置−速度データに基づ
いて、ノズルをウエハ全面に走査させることにより、ノ
ズルから噴射する活性種ガスによってウエハを平坦化す
るウエハ平坦化方法において、ウエハ上に設定された所
定領域より外側の位置−速度データであって且つウエハ
中心から径方向に延出した仮想直線に最も近い位置−速
度データをダミーデータとし、このダミーデータのノズ
ル相対速度を、所定領域の外縁部の位置−速度データで
あって且つ仮想直線上の位置−速度データのノズル相対
速度と略同一に設定した構成としてある。かかる構成に
より、位置−速度データに基づいて、ノズルがウエハ全
面を走査していくと、ノズルの相対速度がウエハ各部の
厚さ値に略逆比例した状態で変化する。このとき、所定
領域より外側位置であって仮想直線に最も近い位置にあ
るノズルは、ダミーデータにより、所定領域の外縁部で
あって仮想直線上の位置−速度データのノズル相対速度
と略同一速度で走査するので、当該外縁部は、あたか
も、所定領域外側から仮想直線に沿って同一相対速度で
向かってくるノズルの活性種ガスによってエッチングさ
れることとなる。
に、請求項１の発明は、ウエハ表面を含む平面上の各座
標及び各座標におけるウエハの厚さ値に略逆比例して設
定されたノズル相対速度でなる位置−速度データに基づ
いて、ノズルをウエハ全面に走査させることにより、ノ
ズルから噴射する活性種ガスによってウエハを平坦化す
るウエハ平坦化方法において、ウエハ上に設定された所
定領域より外側の位置−速度データであって且つウエハ
中心から径方向に延出した仮想直線に最も近い位置−速
度データをダミーデータとし、このダミーデータのノズ
ル相対速度を、所定領域の外縁部の位置−速度データで
あって且つ仮想直線上の位置−速度データのノズル相対
速度と略同一に設定した構成としてある。かかる構成に
より、位置−速度データに基づいて、ノズルがウエハ全
面を走査していくと、ノズルの相対速度がウエハ各部の
厚さ値に略逆比例した状態で変化する。このとき、所定
領域より外側位置であって仮想直線に最も近い位置にあ
るノズルは、ダミーデータにより、所定領域の外縁部で
あって仮想直線上の位置−速度データのノズル相対速度
と略同一速度で走査するので、当該外縁部は、あたか
も、所定領域外側から仮想直線に沿って同一相対速度で
向かってくるノズルの活性種ガスによってエッチングさ
れることとなる。
【０００６】ウエハによっては内側のある領域ののみを
高精度に平坦化することができれば良く、ウエハ全面の
高精度な平坦化を必要としないものがある。そこで、請
求項２の発明は、請求項１に記載のウエハ平坦化方法に
おいて、所定領域は、ウエハの内側に設定された平坦度
適用領域である構成とした。
高精度に平坦化することができれば良く、ウエハ全面の
高精度な平坦化を必要としないものがある。そこで、請
求項２の発明は、請求項１に記載のウエハ平坦化方法に
おいて、所定領域は、ウエハの内側に設定された平坦度
適用領域である構成とした。
【０００７】また、請求項３の発明は、請求項１に記載
のウエハ平坦化方法において、所定領域は、ウエハの表
面全域である構成とした。かかる構成により、ウエハの
外縁部が、あたかも外側から仮想直線に沿って、当該外
縁部に設定されたノズル相対速度で向かってくるノズル
からの活性種ガスの影響を受けるようにすることができ
るので、当該外縁部もウエハ内部と同様に平坦化するこ
とができる。
のウエハ平坦化方法において、所定領域は、ウエハの表
面全域である構成とした。かかる構成により、ウエハの
外縁部が、あたかも外側から仮想直線に沿って、当該外
縁部に設定されたノズル相対速度で向かってくるノズル
からの活性種ガスの影響を受けるようにすることができ
るので、当該外縁部もウエハ内部と同様に平坦化するこ
とができる。
【０００８】さらに、請求項４の発明は、請求項１ない
し請求項３のいずれかに記載のウエハ平坦化方法におい
て、ダミーデータは、所定領域の外縁から活性種ガスの
エッチング径の略半分の距離内にのみ存在する構成とし
た。かかる構成により、所定領域の外側のノズルが所定
領域の外縁から活性種ガスのエッチング径の略半分の距
離内に至ったときにのみ、ノズル相対速度が当該外所定
領域の外縁部に設定されたノズル相対速度と略同一にな
る。
し請求項３のいずれかに記載のウエハ平坦化方法におい
て、ダミーデータは、所定領域の外縁から活性種ガスの
エッチング径の略半分の距離内にのみ存在する構成とし
た。かかる構成により、所定領域の外側のノズルが所定
領域の外縁から活性種ガスのエッチング径の略半分の距
離内に至ったときにのみ、ノズル相対速度が当該外所定
領域の外縁部に設定されたノズル相対速度と略同一にな
る。
【０００９】ところで、上記のような位置−速度データ
を格納した記録媒体も発明としてとらえることができ
る。そこで、請求項５の発明は、ウエハ表面を含む平面
上の各座標及び各座標におけるウエハの厚さ値に略逆比
例して設定されたノズル相対速度でなる位置−速度デー
タを格納した記録媒体であって、ウエハ上に設定された
所定領域より外側の位置−速度データであって且つウエ
ハ中心から径方向に延出した仮想直線に最も近い位置−
速度データをダミーデータとし、このダミーデータのノ
ズル相対速度が、所定領域の外縁部の位置−速度データ
であって且つ仮想直線上の位置−速度データのノズル相
対速度と略同一に設定されている構成とした。また、請
求項６の発明は、請求項１に記載の記録媒体において、
所定領域は、ウエハの内側に設定された平坦度適用領域
である構成とした。また、請求項７の発明は、請求項１
に記載の記録媒体において、所定領域は、ウエハの表面
全域である構成とした。さらに、請求項８の発明は、請
求項５ないし請求項７のいずれかに記載の記録媒体にお
いて、ダミーデータは、所定領域の外縁から活性種ガス
のエッチング径の略半分の距離内にのみ存在する構成と
した。
を格納した記録媒体も発明としてとらえることができ
る。そこで、請求項５の発明は、ウエハ表面を含む平面
上の各座標及び各座標におけるウエハの厚さ値に略逆比
例して設定されたノズル相対速度でなる位置−速度デー
タを格納した記録媒体であって、ウエハ上に設定された
所定領域より外側の位置−速度データであって且つウエ
ハ中心から径方向に延出した仮想直線に最も近い位置−
速度データをダミーデータとし、このダミーデータのノ
ズル相対速度が、所定領域の外縁部の位置−速度データ
であって且つ仮想直線上の位置−速度データのノズル相
対速度と略同一に設定されている構成とした。また、請
求項６の発明は、請求項１に記載の記録媒体において、
所定領域は、ウエハの内側に設定された平坦度適用領域
である構成とした。また、請求項７の発明は、請求項１
に記載の記録媒体において、所定領域は、ウエハの表面
全域である構成とした。さらに、請求項８の発明は、請
求項５ないし請求項７のいずれかに記載の記録媒体にお
いて、ダミーデータは、所定領域の外縁から活性種ガス
のエッチング径の略半分の距離内にのみ存在する構成と
した。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は、この発明のウエ
ハ平坦化方法を具体的に実行するためのエッチング装置
の概略斜視図である。図１に示すように、このエッチン
グ装置は、コンピュータ１と、コンピュータ１の制御に
より、ウエハＷを載置固定したステージ２０を平面上で
移動させるＸ−Ｙ駆動機構２と、ノズル３とを具備して
いる。
いて図面を参照して説明する。図１は、この発明のウエ
ハ平坦化方法を具体的に実行するためのエッチング装置
の概略斜視図である。図１に示すように、このエッチン
グ装置は、コンピュータ１と、コンピュータ１の制御に
より、ウエハＷを載置固定したステージ２０を平面上で
移動させるＸ−Ｙ駆動機構２と、ノズル３とを具備して
いる。
【００１１】コンピュータ１は、記録媒体としてのＣＤ
−ＲＯＭ１１を駆動させるＣＤ−ＲＯＭドライブ１０を
有しており、ＣＤ−ＲＯＭ１１内の位置−速度データＤ
に基づいて、制御信号ＣをＸ−Ｙ駆動機構２に出力する
機能を有している。
−ＲＯＭ１１を駆動させるＣＤ−ＲＯＭドライブ１０を
有しており、ＣＤ−ＲＯＭ１１内の位置−速度データＤ
に基づいて、制御信号ＣをＸ−Ｙ駆動機構２に出力する
機能を有している。
【００１２】Ｘ−Ｙ駆動機構２は、コンピュータ１から
の制御信号Ｃに基づいて、ステージ２０を所定位置に所
定速度で移動させるための機構である。すなわち、Ｘ−
Ｙ駆動機構２は、ノズル３をウエハＷに対して所定の相
対位置に所定の相対速度で走査させるものである。
の制御信号Ｃに基づいて、ステージ２０を所定位置に所
定速度で移動させるための機構である。すなわち、Ｘ−
Ｙ駆動機構２は、ノズル３をウエハＷに対して所定の相
対位置に所定の相対速度で走査させるものである。
【００１３】ノズル３は、図示しないプラズマ発生部で
生成した活性種ガスＧをウエハＷに向けて噴射するため
のものであり、ウエハＷの上方所定個所に固定されてい
る。これにより、ノズル３の真下に位置するウエハＷの
エッチング半径ｒの部分がノズル３からの活性種ガスＧ
によってエッチングされることとなる。
生成した活性種ガスＧをウエハＷに向けて噴射するため
のものであり、ウエハＷの上方所定個所に固定されてい
る。これにより、ノズル３の真下に位置するウエハＷの
エッチング半径ｒの部分がノズル３からの活性種ガスＧ
によってエッチングされることとなる。
【００１４】ここで、ＣＤ−ＲＯＭ１１内に格納されて
いる位置−速度データＤについて具体的に説明する。図
２は、ウエハＷの位置−厚さデータＤ′を示す平面図で
あり、図３は位置−速度データＤを示す平面図であり、
図４はノズル３の相対速度とウエハＷの厚さ値との関係
を示す線図である。なお、図２及び図３においては、理
解を容易にするため、方眼を大きく描いている。図２に
示すように、ウエハＷを含む平面を１ｍｍ〜２ｍｍ程度
の方眼状に区分してＸ−Ｙ座標を形成し、位置−厚さデ
ータＤ′は、各点ＰのＸ−Ｙ座標（ｘ，ｙ）と、各点Ｐ
におけるウエハＷの厚さ値Ｔとでなる。これに対して位
置−速度データＤは、図示しない変換装置によって位置
−厚さデータＤ′（ｘ，ｙ，Ｔ）のうちの厚さ値Ｔを厚
さ値Ｔに逆比例したノズル３の相対速度Ｖに変換したデ
ータＤ（ｘ，ｙ，Ｖ）である。例えば、図２に示すよう
に、座標（ｘ1，ｙ1）の点Ｐ１における位置−厚さデー
タＤ′１の厚さ値Ｔ１が一定の基準厚さ値Ｔ０よりも厚
い場合には（以下、かかる部分を「相対厚部」とい
う）、相対厚ΔＴ＝Ｔ１−Ｔ０を求め、図４に示す関係
式に基づいて、厚さ値Ｔ１を点Ｐ１の位置−速度データ
Ｄ１の相対速度Ｖ１に変換し、図３に示すように、点Ｐ
１のデータをＤ１（ｘ1，ｙ1，Ｖ1）とする。また、図
２に示すように座標（ｘ2，ｙ2）の点Ｐ２における位置
−厚さデータＤ′２のように、厚さ値Ｔ２が基準厚さ値
Ｔ０以下の場合には、相対速度を高速度Ｖmaxとし、図
３に示すように、点Ｐ２のデータをＤ２（ｘ2，ｙ2，Ｖ
max）とする。
いる位置−速度データＤについて具体的に説明する。図
２は、ウエハＷの位置−厚さデータＤ′を示す平面図で
あり、図３は位置−速度データＤを示す平面図であり、
図４はノズル３の相対速度とウエハＷの厚さ値との関係
を示す線図である。なお、図２及び図３においては、理
解を容易にするため、方眼を大きく描いている。図２に
示すように、ウエハＷを含む平面を１ｍｍ〜２ｍｍ程度
の方眼状に区分してＸ−Ｙ座標を形成し、位置−厚さデ
ータＤ′は、各点ＰのＸ−Ｙ座標（ｘ，ｙ）と、各点Ｐ
におけるウエハＷの厚さ値Ｔとでなる。これに対して位
置−速度データＤは、図示しない変換装置によって位置
−厚さデータＤ′（ｘ，ｙ，Ｔ）のうちの厚さ値Ｔを厚
さ値Ｔに逆比例したノズル３の相対速度Ｖに変換したデ
ータＤ（ｘ，ｙ，Ｖ）である。例えば、図２に示すよう
に、座標（ｘ1，ｙ1）の点Ｐ１における位置−厚さデー
タＤ′１の厚さ値Ｔ１が一定の基準厚さ値Ｔ０よりも厚
い場合には（以下、かかる部分を「相対厚部」とい
う）、相対厚ΔＴ＝Ｔ１−Ｔ０を求め、図４に示す関係
式に基づいて、厚さ値Ｔ１を点Ｐ１の位置−速度データ
Ｄ１の相対速度Ｖ１に変換し、図３に示すように、点Ｐ
１のデータをＤ１（ｘ1，ｙ1，Ｖ1）とする。また、図
２に示すように座標（ｘ2，ｙ2）の点Ｐ２における位置
−厚さデータＤ′２のように、厚さ値Ｔ２が基準厚さ値
Ｔ０以下の場合には、相対速度を高速度Ｖmaxとし、図
３に示すように、点Ｐ２のデータをＤ２（ｘ2，ｙ2，Ｖ
max）とする。
【００１５】ところで、図２に示すように、ウエハＷの
外側にある座標（ｘ3，ｙ3）の点Ｐ３においては、ウエ
ハＷが存在しないので、この点Ｐ３の位置−厚さデータ
Ｄ′３の厚さ値Ｔ３は例えば「０」とされる。したがっ
て、この点Ｐ３の位置−速度データＤ３の相対速度は高
速度Ｖmaxとして決定されることとなる。しかしなが
ら、図３に示すように、ウエハＷの外縁Ｗｃからエッチ
ング半径ｒ内の領域Ｓ内にある位置−速度データＤにお
いては、位置−速度データＤ３のようにその相対速度を
一律に高速度Ｖmaxとせず、その相対速度をウエハＷ内
のデータであって且つ外縁Ｗｃ近傍の点の位置−速度デ
ータＤに対応させて変換する。
外側にある座標（ｘ3，ｙ3）の点Ｐ３においては、ウエ
ハＷが存在しないので、この点Ｐ３の位置−厚さデータ
Ｄ′３の厚さ値Ｔ３は例えば「０」とされる。したがっ
て、この点Ｐ３の位置−速度データＤ３の相対速度は高
速度Ｖmaxとして決定されることとなる。しかしなが
ら、図３に示すように、ウエハＷの外縁Ｗｃからエッチ
ング半径ｒ内の領域Ｓ内にある位置−速度データＤにお
いては、位置−速度データＤ３のようにその相対速度を
一律に高速度Ｖmaxとせず、その相対速度をウエハＷ内
のデータであって且つ外縁Ｗｃ近傍の点の位置−速度デ
ータＤに対応させて変換する。
【００１６】図５は、領域Ｓ内の位置−速度データＤの
決定方法を示す平面図である。図５に示すように、ウエ
ハＷの外縁Ｗｃ近傍（ウエハＷの外縁部）に位置する点
Ｐ４の部分が相対厚部Ｗａである場合には、この点Ｐ４
における位置−速度データＤ４は（ｘ4，ｙ4，Ｖ4）で
あり、相対速度Ｖ４はＶmaxではない。かかる場合に
は、ウエハＷの中心から径方向に延出して点Ｐ４を通る
仮想直線Ｌを想定し、この領域Ｓ内の点であってこの仮
想直線Ｌに最も近い点Ｐ４−１〜Ｐ４−３の位置−速度
データＤの相対速度を全て位置−速度データＤ４の相対
速度Ｖ４と同一にする。また。点Ｐ５のように、その部
分が相対厚部でない場合にも、この点Ｐ５を通る仮想直
線Ｌ′に最も近い点Ｐ５−１〜Ｐ５−３の位置−速度デ
ータＤの相対速度を位置−速度データＤ５の高速度Ｖma
xと同一にする。すなわち、外縁Ｗｃ近傍の点の位置−
速度データＤの相対速度を外縁Ｗｃ外で領域Ｓ内に含ま
れる点の位置−速度データＤにコピーして、当該領域に
いわゆるダミーデータを設定する。
決定方法を示す平面図である。図５に示すように、ウエ
ハＷの外縁Ｗｃ近傍（ウエハＷの外縁部）に位置する点
Ｐ４の部分が相対厚部Ｗａである場合には、この点Ｐ４
における位置−速度データＤ４は（ｘ4，ｙ4，Ｖ4）で
あり、相対速度Ｖ４はＶmaxではない。かかる場合に
は、ウエハＷの中心から径方向に延出して点Ｐ４を通る
仮想直線Ｌを想定し、この領域Ｓ内の点であってこの仮
想直線Ｌに最も近い点Ｐ４−１〜Ｐ４−３の位置−速度
データＤの相対速度を全て位置−速度データＤ４の相対
速度Ｖ４と同一にする。また。点Ｐ５のように、その部
分が相対厚部でない場合にも、この点Ｐ５を通る仮想直
線Ｌ′に最も近い点Ｐ５−１〜Ｐ５−３の位置−速度デ
ータＤの相対速度を位置−速度データＤ５の高速度Ｖma
xと同一にする。すなわち、外縁Ｗｃ近傍の点の位置−
速度データＤの相対速度を外縁Ｗｃ外で領域Ｓ内に含ま
れる点の位置−速度データＤにコピーして、当該領域に
いわゆるダミーデータを設定する。
【００１７】次に、上記エッチング装置が示す動作につ
いて説明する。図６は、ノズル３の走査状態を示す平面
図である。図１において、ＣＤ−ＲＯＭ１１をコンピュ
ータ１のＣＤ−ＲＯＭドライブ１０に挿入すると、コン
ピュータ１が位置−速度データＤを読み出し、各点の位
置−速度データＤに対応した制御信号ＣをＸ−Ｙ駆動機
構２に出力する。すると、Ｘ−Ｙ駆動機構２が制御信号
Ｃに基づいて、ステージ２０をＸ−Ｙ方向に移動させ、
図６に示すように、ノズル３がＸ−Ｙ平面上をジグザク
に走査する。領域Ｓの外側の各点の位置−速度データＤ
におけるノズル相対速度は高速度Ｖmaxであるので、ノ
ズル３は領域Ｓの外側では高速度Ｖmaxで移動する状態
になる。また、外縁部を除くウエハＷの内側では、各点
の厚さ値Ｔに対応して位置−速度データＤの相対速度Ｖ
が設定されているので、相対厚部上を通過するノズル３
は相対厚部の厚さに対応して遅く移動し、相対厚部では
ない部分の上を通過するノズル３は高速度Ｖmaxで移動
する。そして、これら各部は、当該各部に向かってくる
ノズル３の活性種ガスＧによる影響を受けるので、平坦
にエッチングされることとなる。
いて説明する。図６は、ノズル３の走査状態を示す平面
図である。図１において、ＣＤ−ＲＯＭ１１をコンピュ
ータ１のＣＤ−ＲＯＭドライブ１０に挿入すると、コン
ピュータ１が位置−速度データＤを読み出し、各点の位
置−速度データＤに対応した制御信号ＣをＸ−Ｙ駆動機
構２に出力する。すると、Ｘ−Ｙ駆動機構２が制御信号
Ｃに基づいて、ステージ２０をＸ−Ｙ方向に移動させ、
図６に示すように、ノズル３がＸ−Ｙ平面上をジグザク
に走査する。領域Ｓの外側の各点の位置−速度データＤ
におけるノズル相対速度は高速度Ｖmaxであるので、ノ
ズル３は領域Ｓの外側では高速度Ｖmaxで移動する状態
になる。また、外縁部を除くウエハＷの内側では、各点
の厚さ値Ｔに対応して位置−速度データＤの相対速度Ｖ
が設定されているので、相対厚部上を通過するノズル３
は相対厚部の厚さに対応して遅く移動し、相対厚部では
ない部分の上を通過するノズル３は高速度Ｖmaxで移動
する。そして、これら各部は、当該各部に向かってくる
ノズル３の活性種ガスＧによる影響を受けるので、平坦
にエッチングされることとなる。
【００１８】これに対して外縁Ｗｃの近傍においては、
従来の技術では、ノズル３が一律に高速度Ｖmaxで向か
ってくるので、平坦にエッチングされなかった。しか
し、この実施形態のウエハ平坦化方法では、図５に示し
たように、外縁Ｗｃ近傍の各点を通る仮想直線Ｌに最も
近い領域Ｓ内の各点の位置−速度データＤのノズル相対
速度を外縁Ｗｃ近傍の各点の位置−速度データＤのノズ
ル相対速度と同一に設定して、当該各点の位置−速度デ
ータＤをダミーデータとしたので、外縁部がノズル３の
活性種ガスＧの影響を受けることとなる。例えば、図５
に示したように、相対厚部Ｗａ上の点Ｐ４に対応する点
Ｐ４−１〜Ｐ４−３のダミーデータＤのノズル相対速度
は、点Ｐ４の位置−速度データＤの「Ｖ４」である。し
たがって、点Ｐ４−１〜Ｐ４−３，点Ｐ４，点Ｐ６上を
ノズル相対速度Ｖ４で通過することとなる。すなわち、
図７及び図８に示すように、点Ｐ４の相対厚部Ｗａは、
あたかも仮想直線Ｌに沿って相対速度Ｖ４で近づいてく
るノズル３の活性種ガスＧと、同速度で点Ｐ４を通過し
て点Ｐ６に至るノズル３からの活性種ガスＧとの重畳効
果によってエッチングされることとなる。このため、ウ
エハＷ内部の相対厚部と同様のエッチング処理が点Ｐ４
の相対厚部Ｗａに対して行われ、同様に平坦化される。
また、図５に示した点Ｐ５のように相対厚部でない部分
については仮想直線Ｌ′に近い点Ｐ５−１〜Ｐ５−３の
ダミーデータＤのノズル相対速度が高速度Ｖmaxに設定
されているので、高速度Ｖmaxのノズル３が仮想直線
Ｌ′に沿って点Ｐ５に近づいた後、同速度で通過してい
くこととなり、ウエハＷ内部の相対厚部でない部分と同
様のエッチング処理が行われる。
従来の技術では、ノズル３が一律に高速度Ｖmaxで向か
ってくるので、平坦にエッチングされなかった。しか
し、この実施形態のウエハ平坦化方法では、図５に示し
たように、外縁Ｗｃ近傍の各点を通る仮想直線Ｌに最も
近い領域Ｓ内の各点の位置−速度データＤのノズル相対
速度を外縁Ｗｃ近傍の各点の位置−速度データＤのノズ
ル相対速度と同一に設定して、当該各点の位置−速度デ
ータＤをダミーデータとしたので、外縁部がノズル３の
活性種ガスＧの影響を受けることとなる。例えば、図５
に示したように、相対厚部Ｗａ上の点Ｐ４に対応する点
Ｐ４−１〜Ｐ４−３のダミーデータＤのノズル相対速度
は、点Ｐ４の位置−速度データＤの「Ｖ４」である。し
たがって、点Ｐ４−１〜Ｐ４−３，点Ｐ４，点Ｐ６上を
ノズル相対速度Ｖ４で通過することとなる。すなわち、
図７及び図８に示すように、点Ｐ４の相対厚部Ｗａは、
あたかも仮想直線Ｌに沿って相対速度Ｖ４で近づいてく
るノズル３の活性種ガスＧと、同速度で点Ｐ４を通過し
て点Ｐ６に至るノズル３からの活性種ガスＧとの重畳効
果によってエッチングされることとなる。このため、ウ
エハＷ内部の相対厚部と同様のエッチング処理が点Ｐ４
の相対厚部Ｗａに対して行われ、同様に平坦化される。
また、図５に示した点Ｐ５のように相対厚部でない部分
については仮想直線Ｌ′に近い点Ｐ５−１〜Ｐ５−３の
ダミーデータＤのノズル相対速度が高速度Ｖmaxに設定
されているので、高速度Ｖmaxのノズル３が仮想直線
Ｌ′に沿って点Ｐ５に近づいた後、同速度で通過してい
くこととなり、ウエハＷ内部の相対厚部でない部分と同
様のエッチング処理が行われる。
【００１９】このように、この実施形態のウエハ平坦化
方法によれば、ウエハＷの外縁部の含めてウエハＷ全面
を平坦化することが可能となり、この結果、ＴＴＶ（To
talThickness Variation）が０．２μｍ以下の高品質の
ウエハＷを安定して得ることができる。
方法によれば、ウエハＷの外縁部の含めてウエハＷ全面
を平坦化することが可能となり、この結果、ＴＴＶ（To
talThickness Variation）が０．２μｍ以下の高品質の
ウエハＷを安定して得ることができる。
【００２０】なお、この発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、
位置−速度データＤを格納する記録媒体としてＣＤ−Ｒ
ＯＭを用いたが、フロッピィディスク，ミニディスク，
ディジタルビデオディスク，ハードディスクなど、各種
の記録媒体に位置−速度データＤを格納しても良いこと
は勿論である。また、上記実施形態では、ウエハＷ全面
の平坦化を行う方法について説明したが、ウエハＷによ
ってはウエハＷ内部の平坦度適用領域（Flatness Quari
ty Area）のみを高精度に平坦化すれば足りるものもあ
る。このようなウエハＷについては、当該平坦度適用領
域外縁からエッチング半径ｒだけ離れた領域Ｓを設定
し、上記実施形態と同様に、この領域Ｓ内の位置−速度
データＤのノズル相対速度を外縁部の位置−速度データ
Ｄのノズル相対速度と同一にすることで、当該平坦度適
用領域全体を高精度に平坦化することができる。また、
領域Ｓ内の仮想直線Ｌに最も近い点の位置−速度データ
Ｄのノズル相対速度をウエハ外縁部の位置−速度データ
Ｄのノズル相対速度と同一にしたが、領域Ｓ内に限定せ
ず、外縁Ｗｃ外側の仮想直線Ｌに最も近い全ての点の位
置−速度データＤのノズル相対速度を当該外縁部の位置
−速度データＤのノズル相対速度と同一としても良い。
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、
位置−速度データＤを格納する記録媒体としてＣＤ−Ｒ
ＯＭを用いたが、フロッピィディスク，ミニディスク，
ディジタルビデオディスク，ハードディスクなど、各種
の記録媒体に位置−速度データＤを格納しても良いこと
は勿論である。また、上記実施形態では、ウエハＷ全面
の平坦化を行う方法について説明したが、ウエハＷによ
ってはウエハＷ内部の平坦度適用領域（Flatness Quari
ty Area）のみを高精度に平坦化すれば足りるものもあ
る。このようなウエハＷについては、当該平坦度適用領
域外縁からエッチング半径ｒだけ離れた領域Ｓを設定
し、上記実施形態と同様に、この領域Ｓ内の位置−速度
データＤのノズル相対速度を外縁部の位置−速度データ
Ｄのノズル相対速度と同一にすることで、当該平坦度適
用領域全体を高精度に平坦化することができる。また、
領域Ｓ内の仮想直線Ｌに最も近い点の位置−速度データ
Ｄのノズル相対速度をウエハ外縁部の位置−速度データ
Ｄのノズル相対速度と同一にしたが、領域Ｓ内に限定せ
ず、外縁Ｗｃ外側の仮想直線Ｌに最も近い全ての点の位
置−速度データＤのノズル相対速度を当該外縁部の位置
−速度データＤのノズル相対速度と同一としても良い。
【００２１】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、請求項１及
び請求項５のこの発明によれば、所定領域の外縁部が、
あたかも外側から仮想直線に沿って、当該外縁部に設定
されたノズル相対速度で向かってくるノズルからの活性
種ガスによって影響を受けるので、当該外縁部も所定領
域の内部と同様に平坦化することができるという優れた
効果がある。また、請求項２及び請求項６の発明によれ
ば、平坦度適用領域のみを高精度に平坦化することがで
きる。また、請求項３及び請求項７の発明によれば、ウ
エハの全面を確実に平坦化することができる。さらに、
請求項４及び請求項８の発明によれば、所定領域の外側
のノズルが所定領域の外縁から活性種ガスのエッチング
径の略半分の距離内に至ったときにのみ、ノズルのノズ
ル相対速度が当該外所定領域の縁部に設定されたノズル
相対速度と略同一のになるので、エッチング処理時間の
短縮化を図ることができる。
び請求項５のこの発明によれば、所定領域の外縁部が、
あたかも外側から仮想直線に沿って、当該外縁部に設定
されたノズル相対速度で向かってくるノズルからの活性
種ガスによって影響を受けるので、当該外縁部も所定領
域の内部と同様に平坦化することができるという優れた
効果がある。また、請求項２及び請求項６の発明によれ
ば、平坦度適用領域のみを高精度に平坦化することがで
きる。また、請求項３及び請求項７の発明によれば、ウ
エハの全面を確実に平坦化することができる。さらに、
請求項４及び請求項８の発明によれば、所定領域の外側
のノズルが所定領域の外縁から活性種ガスのエッチング
径の略半分の距離内に至ったときにのみ、ノズルのノズ
ル相対速度が当該外所定領域の縁部に設定されたノズル
相対速度と略同一のになるので、エッチング処理時間の
短縮化を図ることができる。
【図１】この発明のウエハ平坦化方法を具体的に実行す
るためのエッチング装置の概略斜視図である。
るためのエッチング装置の概略斜視図である。
【図２】ウエハの位置−厚さデータを説明するための平
面図である。
面図である。
【図３】位置−速度データを説明するための平面図であ
る。
る。
【図４】ノズル相対速度とウエハの厚さ値との関係を示
す線図である。
す線図である。
【図５】所定領域内の位置−速度データの決定方法を示
す平面図である。
す平面図である。
【図６】ノズルの走査状態を示す平面図である。
【図７】ウエハ外縁部のエッチング動作を説明するため
の平面図である。
の平面図である。
【図８】図７の矢視Ａ−Ａ断面図である。
【図９】従来のウエハ平坦化方法の一例を示す概略断面
図である。
図である。
【図１０】ノズルからの活性種ガスの噴射状態図であ
る。
る。
【図１１】活性種ガスの重畳による平坦化動作を説明す
るための概略図である。
るための概略図である。
【図１２】従来のウエハ平坦化方法が有する問題点を説
明するための概略断面図である。
明するための概略断面図である。
１…コンピュータ、 ２…Ｘ−Ｙ駆動機構、 ３…ノズ
ル、 １１…ＣＤ−ＲＯＭ、 Ｌ，Ｌ′…仮想直線、
Ｔ…厚さ値、 Ｖ…相対速度、 Ｗ…ウエハ、Ｗｃ…外
縁。
ル、 １１…ＣＤ−ＲＯＭ、 Ｌ，Ｌ′…仮想直線、
Ｔ…厚さ値、 Ｖ…相対速度、 Ｗ…ウエハ、Ｗｃ…外
縁。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀池 靖浩 東京都保谷市東伏見３丁目２番12号
Claims (8)
- 【請求項１】 ウエハ表面を含む平面上の各座標及び各
座標におけるウエハの厚さ値に略逆比例して設定された
ノズル相対速度でなる位置−速度データに基づいて、ノ
ズルをウエハ全面に走査させることにより、ノズルから
噴射する活性種ガスによってウエハを平坦化するウエハ
平坦化方法において、 上記ウエハ上に設定された所定領域より外側の上記位置
−速度データであって且つウエハ中心から径方向に延出
した仮想直線に最も近い位置−速度データをダミーデー
タとし、このダミーデータのノズル相対速度を、上記所
定領域の外縁部の位置−速度データであって且つ上記仮
想直線上の位置−速度データのノズル相対速度と略同一
に設定した、 ことを特徴とするウエハ平坦化方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のウエハ平坦化方法にお
いて、 上記所定領域は、上記ウエハの内側に設定された平坦度
適用領域である、 ことを特徴とするウエハ平坦化方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のウエハ平坦化方法にお
いて、 上記所定領域は、上記ウエハの表面全域である、ことを
特徴とするウエハ平坦化方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載のウエハ平坦化方法において、 上記ダミーデータは、上記所定領域の外縁から活性種ガ
スのエッチング径の略半分の距離内にのみ存在する、 ことを特徴とするウエハ平坦化方法。 - 【請求項５】 ウエハ表面を含む平面上の各座標及び各
座標におけるウエハの厚さ値に略逆比例して設定された
ノズル相対速度でなる位置−速度データを格納した記録
媒体であって、 上記ウエハ上に設定された所定領域より外側の上記位置
−速度データであって且つウエハ中心から径方向に延出
した仮想直線に最も近い位置−速度データをダミーデー
タとし、このダミーデータのノズル相対速度が、上記所
定領域の外縁部の位置−速度データであって且つ上記仮
想直線上の位置−速度データのノズル相対速度と略同一
に設定されている、ことを特徴とする記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１に記載の記録媒体において、 上記所定領域は、上記ウエハの内側に設定された平坦度
適用領域である、ことを特徴とする記録媒体。 - 【請求項７】 請求項１に記載の記録媒体において、 上記所定領域は、上記ウエハの表面全域である、 ことを特徴とする記録媒体。
- 【請求項８】 請求項５ないし請求項７のいずれかに記
載の記録媒体において、 上記ダミーデータは、上記所定領域の外縁から活性種ガ
スのエッチング径の略半分の距離内にのみ存在する、こ
とを特徴とする記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07668098A JP3871433B2 (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | ウエハ平坦化方法及び記録媒体 |
| US09/234,937 US6496748B1 (en) | 1998-03-10 | 1999-01-21 | Wafer flattening process and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07668098A JP3871433B2 (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | ウエハ平坦化方法及び記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260806A true JPH11260806A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3871433B2 JP3871433B2 (ja) | 2007-01-24 |
Family
ID=13612156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07668098A Expired - Lifetime JP3871433B2 (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | ウエハ平坦化方法及び記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6496748B1 (ja) |
| JP (1) | JP3871433B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451217B1 (en) * | 1998-06-09 | 2002-09-17 | Speedfam-Ipec Co., Ltd. | Wafer etching method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3814558B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2006-08-30 | スピードファム株式会社 | 局所ドライエッチング方法及び半導体ウェハ表面の位置−厚さデータの処理方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0927482A (ja) | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Speedfam Co Ltd | プラズマエッチング装置 |
| JPH11302878A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-02 | Speedfam-Ipec Co Ltd | ウエハ平坦化方法，ウエハ平坦化システム及びウエハ |
| JP2000036488A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-02 | Speedfam-Ipec Co Ltd | ウエハ平坦化方法及びそのシステム |
| JP4212707B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2009-01-21 | スピードファム株式会社 | ウエハ平坦化システム及びウエハ平坦化方法 |
| JP4169854B2 (ja) * | 1999-02-12 | 2008-10-22 | スピードファム株式会社 | ウエハ平坦化方法 |
-
1998
- 1998-03-10 JP JP07668098A patent/JP3871433B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-01-21 US US09/234,937 patent/US6496748B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451217B1 (en) * | 1998-06-09 | 2002-09-17 | Speedfam-Ipec Co., Ltd. | Wafer etching method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3871433B2 (ja) | 2007-01-24 |
| US6496748B1 (en) | 2002-12-17 |
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