JPH0590210A - ウエハ処理用真空装置 - Google Patents
ウエハ処理用真空装置Info
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- JPH0590210A JPH0590210A JP3247912A JP24791291A JPH0590210A JP H0590210 A JPH0590210 A JP H0590210A JP 3247912 A JP3247912 A JP 3247912A JP 24791291 A JP24791291 A JP 24791291A JP H0590210 A JPH0590210 A JP H0590210A
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- Japan
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- processing
- space
- convection
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ上に異物粒子が付着するのを防止した
ウエハ処理用真空装置を提供することを目的とする。 【構成】 真空容器１内のウエハ３を処理ガスを用いて
処理し、半導体デバイスを製造するウエハ処理用真空装
置において、ウエハ３に接近する被い板１４を有し、こ
の被い板１４とウエハ３との間の空間の流体抵抗を増大
させ空間での対流を抑制する対流抑制手段１１を備えた
ものである。
ウエハ処理用真空装置を提供することを目的とする。 【構成】 真空容器１内のウエハ３を処理ガスを用いて
処理し、半導体デバイスを製造するウエハ処理用真空装
置において、ウエハ３に接近する被い板１４を有し、こ
の被い板１４とウエハ３との間の空間の流体抵抗を増大
させ空間での対流を抑制する対流抑制手段１１を備えた
ものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハを処理
ガスを用いて処理し、半導体デバイスを製造するウエハ
処理用真空装置に関するものである。
ガスを用いて処理し、半導体デバイスを製造するウエハ
処理用真空装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は特開平２ー１１４６３６号公報に
示された従来のウエハ処理用真空装置の概略図であり、
１は真空容器、２は真空容器１内に配設されたウエハス
テージ、３はウエハステージ２上に配置されたウエハ、
４はガス供給用バルブ、５は真空容器１の上部に形成さ
れたガス供給口、６はウエハ３を処理する処理ガスを真
空容器１内に供給するためのガス供給源である。７は排
気用バルブ、８は真空容器１の下部に形成された排気
口、９は真空容器１内のガスを排気するための真空ポン
プ、１０はウエハ３の処理で生じた異物粒子である。
示された従来のウエハ処理用真空装置の概略図であり、
１は真空容器、２は真空容器１内に配設されたウエハス
テージ、３はウエハステージ２上に配置されたウエハ、
４はガス供給用バルブ、５は真空容器１の上部に形成さ
れたガス供給口、６はウエハ３を処理する処理ガスを真
空容器１内に供給するためのガス供給源である。７は排
気用バルブ、８は真空容器１の下部に形成された排気
口、９は真空容器１内のガスを排気するための真空ポン
プ、１０はウエハ３の処理で生じた異物粒子である。
【０００３】次に、ウエハ処理用真空装置の動作につい
て説明する。ウエハ３を真空容器１内のウエハステージ
２上に固定した後、真空ポンプ９によって真空容器１内
のガスを排気口８から排気して減圧する。次に、ガス供
給用バルブ４を用いて流量を調整しながら処理ガスをガ
ス供給源６から供給する。その処理ガスは、ガス供給口
５から真空容器１内に噴出され、ウエハ３を例えばエッ
チング処理する。ウエハ３の処理後は、例えば不活性ガ
スである窒素ガスをガス供給口５から供給して真空容器
１内の圧力を大気圧に復帰させる。
て説明する。ウエハ３を真空容器１内のウエハステージ
２上に固定した後、真空ポンプ９によって真空容器１内
のガスを排気口８から排気して減圧する。次に、ガス供
給用バルブ４を用いて流量を調整しながら処理ガスをガ
ス供給源６から供給する。その処理ガスは、ガス供給口
５から真空容器１内に噴出され、ウエハ３を例えばエッ
チング処理する。ウエハ３の処理後は、例えば不活性ガ
スである窒素ガスをガス供給口５から供給して真空容器
１内の圧力を大気圧に復帰させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のウエハ処理用真
空装置では、処理によってウエハ３や処理ガス中から発
生した異物粒子１０が重力、対流によって移動し、真空
容器１の壁面に多量に付着するが、この付着した異物粒
子１０は、真空容器１内のガスが排気口８から排気され
る時や窒素ガスが真空容器１内に供給されて大気圧に復
帰される時に、舞い上がり、ウエハ３上に付着して半導
体デバイスの歩留まりが低下するといった課題があっ
た。この発明は、かかる課題を解決するためになされた
もので、ウエハ上に異物粒子が付着するのを防止したウ
エハ処理用真空装置を提供することを目的とする。
空装置では、処理によってウエハ３や処理ガス中から発
生した異物粒子１０が重力、対流によって移動し、真空
容器１の壁面に多量に付着するが、この付着した異物粒
子１０は、真空容器１内のガスが排気口８から排気され
る時や窒素ガスが真空容器１内に供給されて大気圧に復
帰される時に、舞い上がり、ウエハ３上に付着して半導
体デバイスの歩留まりが低下するといった課題があっ
た。この発明は、かかる課題を解決するためになされた
もので、ウエハ上に異物粒子が付着するのを防止したウ
エハ処理用真空装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項
１、請求項４および請求項５のウエハ処理用真空装置
は、ウエハに接近する被い板を有し、この被い板とウエ
ハとの間の空間の流体抵抗を増大させ空間での対流を抑
制する対流抑制手段を備えたものである。
１、請求項４および請求項５のウエハ処理用真空装置
は、ウエハに接近する被い板を有し、この被い板とウエ
ハとの間の空間の流体抵抗を増大させ空間での対流を抑
制する対流抑制手段を備えたものである。
【０００６】この発明に係る請求項２に係るウエハ処理
用真空装置は、ウエハおよびガスヘッドの少なくとも一
方を両者間の距離が接近するように移動可能とし、ガス
ヘッドとウエハとの間の空間の流体抵抗を増大させ空間
での対流を抑制する対流抑制手段を備えたものである。
用真空装置は、ウエハおよびガスヘッドの少なくとも一
方を両者間の距離が接近するように移動可能とし、ガス
ヘッドとウエハとの間の空間の流体抵抗を増大させ空間
での対流を抑制する対流抑制手段を備えたものである。
【０００７】この発明に係る請求項３に係るウエハ処理
用真空装置は、ウエハおよび電極の少なくとも一方を両
者間の距離が接近するように移動可能とし、電極とウエ
ハとの間の空間の流体抵抗を増大させ空間での対流を抑
制する対流抑制手段を備えたものである。
用真空装置は、ウエハおよび電極の少なくとも一方を両
者間の距離が接近するように移動可能とし、電極とウエ
ハとの間の空間の流体抵抗を増大させ空間での対流を抑
制する対流抑制手段を備えたものである。
【０００８】
【作用】この発明においては、真空容器内のガスが排気
され、また真空容器内が大気圧に復帰されるときには、
真空容器内の異物粒子が舞い上がるが、このとき対流抑
制手段によりウエハの上部空間の対流は抑制され、ウエ
ハの上部空間に異物粒子が侵入する量は少ない。
され、また真空容器内が大気圧に復帰されるときには、
真空容器内の異物粒子が舞い上がるが、このとき対流抑
制手段によりウエハの上部空間の対流は抑制され、ウエ
ハの上部空間に異物粒子が侵入する量は少ない。
【０００９】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１は請求項１に係る発明の一実施例
を示す概略図であり、図７と同一または相当部分は同一
符号を付し、その説明は省略する。１１は真空容器１内
に設けられた対流抑制手段であり、軸１３を中心に回動
するアーム１２と、アーム１２の先端部に回動可能でウ
エハ３を被う被い板１４とを備えている。
ついて説明する。図１は請求項１に係る発明の一実施例
を示す概略図であり、図７と同一または相当部分は同一
符号を付し、その説明は省略する。１１は真空容器１内
に設けられた対流抑制手段であり、軸１３を中心に回動
するアーム１２と、アーム１２の先端部に回動可能でウ
エハ３を被う被い板１４とを備えている。
【００１０】上記のウエハ処理用真空装置では、真空容
器１の壁面に付着した異物粒子１０は、真空容器１内の
ガスが排気口８から排気される時や窒素ガスが真空容器
１内に供給されて大気圧に復帰される時に舞い上がる
が、これら排気工程、大気圧復帰工程の前に、対流抑制
手段１１の動作により、ウエハ３の表面から数ｍｍの距
離離れた状態でウエハ３を被い板１４で被う（図２
（ａ）および図２（ｂ）参照）。そのため、被い板１４
とウエハ３との間は狭い空間となり、それだけその空間
での流体抵抗が大きくなり、真空容器１内部で異物粒子
１０が舞い上がり、重力で落下するときには、その空間
内に対流で異物粒子１０が運ばれることは抑制され、異
物粒子１０がウエハ３上に付着されることは防止され
る。
器１の壁面に付着した異物粒子１０は、真空容器１内の
ガスが排気口８から排気される時や窒素ガスが真空容器
１内に供給されて大気圧に復帰される時に舞い上がる
が、これら排気工程、大気圧復帰工程の前に、対流抑制
手段１１の動作により、ウエハ３の表面から数ｍｍの距
離離れた状態でウエハ３を被い板１４で被う（図２
（ａ）および図２（ｂ）参照）。そのため、被い板１４
とウエハ３との間は狭い空間となり、それだけその空間
での流体抵抗が大きくなり、真空容器１内部で異物粒子
１０が舞い上がり、重力で落下するときには、その空間
内に対流で異物粒子１０が運ばれることは抑制され、異
物粒子１０がウエハ３上に付着されることは防止され
る。
【００１１】実施例２．図３は請求項１に係る発明の他
の実施例を示すもので、真空容器１の内壁面にアーム１
２が倒伏可能に設けられている点が図１のものと異な
る。
の実施例を示すもので、真空容器１の内壁面にアーム１
２が倒伏可能に設けられている点が図１のものと異な
る。
【００１２】実施例３．図４（ａ）,（ｂ）はそれぞれ
被い板１４の変形例を示すものであり、要は、ウエハ３
と被い板１４との空間で対流が生じがたい構造であれば
形状には限定されない。
被い板１４の変形例を示すものであり、要は、ウエハ３
と被い板１４との空間で対流が生じがたい構造であれば
形状には限定されない。
【００１３】実施例４．図５（ａ）,（ｂ）はそれぞれ
ウエハ３の表面形状を示しており、図５（ａ）では格子
状に凹部１５が形成され、図５（ｂ）ではリング状に溝
１６が形成されており、被い板１４の表面に付着した異
物粒子１０が舞い上がらない工夫がなされている。
ウエハ３の表面形状を示しており、図５（ａ）では格子
状に凹部１５が形成され、図５（ｂ）ではリング状に溝
１６が形成されており、被い板１４の表面に付着した異
物粒子１０が舞い上がらない工夫がなされている。
【００１４】実施例５．図６は真空容器１内にガスヘッ
ド１７が配設された、枚葉式減圧ＣＶＤ装置であり、被
い板１４を備える代わりに、ガスヘッド１７自身が対流
抑制手段の構成部材である被い板の働きを兼ねている。
つまり大気圧復帰時、ガスの排出時にはガスヘッド１７
はウエハ３の面前まで接近できるようになっている。
ド１７が配設された、枚葉式減圧ＣＶＤ装置であり、被
い板１４を備える代わりに、ガスヘッド１７自身が対流
抑制手段の構成部材である被い板の働きを兼ねている。
つまり大気圧復帰時、ガスの排出時にはガスヘッド１７
はウエハ３の面前まで接近できるようになっている。
【００１５】実施例６．また、ガスヘッドではなく、電
極を用いたウエハ処理用真空装置であるエッチング装置
の場合には、電極がウエハの面前まで接近できるように
なっている。
極を用いたウエハ処理用真空装置であるエッチング装置
の場合には、電極がウエハの面前まで接近できるように
なっている。
【００１６】実施例７．なお、実施例５，６の場合には
ガスヘッド１７、電極を移動できるものについて説明し
たが、ウエハステージ２も上下動可能であってもよく、
またウエハステージ２のみ上下動可能であってもよい。 実施例８．また、真空容器１内にガスヘッド１７、電極
が配設されたウエハ処理用真空装置に、実施例１，２，
３，４の被い板１４を有する対流抑制手段を付設しても
よい。
ガスヘッド１７、電極を移動できるものについて説明し
たが、ウエハステージ２も上下動可能であってもよく、
またウエハステージ２のみ上下動可能であってもよい。 実施例８．また、真空容器１内にガスヘッド１７、電極
が配設されたウエハ処理用真空装置に、実施例１，２，
３，４の被い板１４を有する対流抑制手段を付設しても
よい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のウエハ
処理用真空装置によれば、真空容器内のガスが排気さ
れ、また真空容器内が大気圧に復帰されるときには、対
流抑制手段により、ウエハの上部空間の対流は抑制さ
れ、ウエハの上部空間に異物粒子が侵入する量は減少さ
れる結果、ウエハの表面に異物粒子が付着する頻度は減
少し、異物粒子によるパターン欠陥等による歩留まり低
下を低く抑えることができるという効果がある。
処理用真空装置によれば、真空容器内のガスが排気さ
れ、また真空容器内が大気圧に復帰されるときには、対
流抑制手段により、ウエハの上部空間の対流は抑制さ
れ、ウエハの上部空間に異物粒子が侵入する量は減少さ
れる結果、ウエハの表面に異物粒子が付着する頻度は減
少し、異物粒子によるパターン欠陥等による歩留まり低
下を低く抑えることができるという効果がある。
【図１】請求項１に係る発明の一実施例を示す概略図で
ある。
ある。
【図２】図１の対流抑制手段の使用態様を示す要部拡大
図である。
図である。
【図３】請求項１に係る発明の他の実施例を示す概略図
である。
である。
【図４】図１の被い板の他の形態を示す半断面図であ
る。
る。
【図５】図１の被い板の他の形態を示す平面図である。
【図６】請求項２に係る発明の一実施例を示す概略図で
ある。
ある。
【図７】従来のウエハ処理用真空装置の一例を示す概略
図である。
図である。
１ 真空容器 ３ ウエハ １０ 異物粒子 １１ 対流抑制手段 １４ 被い板 １７ ガスヘッド
Claims (5)
- 【請求項１】 真空容器内のウエハを処理ガスを用いて
処理し、半導体デバイスを製造するウエハ処理用真空装
置において、前記ウエハに接近する被い板を有し、この
被い板とウエハとの間の空間の流体抵抗を増大させ空間
での対流を抑制する対流抑制手段を備えたことを特徴と
するウエハ処理用真空装置。 - 【請求項２】 真空容器内のウエハをガスヘッドからの
処理ガスを用いて処理し、半導体デバイスを製造するウ
エハ処理用真空装置において、前記ウエハおよび前記ガ
スヘッドの少なくとも一方を両者間の距離が接近するよ
うに移動可能とし、ガスヘッドとウエハとの間の空間の
流体抵抗を増大させ空間での対流を抑制する対流抑制手
段を備えたことを特徴とするウエハ処理用真空装置。 - 【請求項３】 真空容器内にウエハに対向して電極が配
設され、ウエハを処理ガスを用いて処理し、半導体デバ
イスを製造するウエハ処理用真空装置において、前記ウ
エハおよび前記電極の少なくとも一方を両者間の距離が
接近するように移動可能とし、電極とウエハとの間の空
間の流体抵抗を増大させ空間での対流を抑制する対流抑
制手段を備えたことを特徴とするウエハ処理用真空装
置。 - 【請求項４】 真空容器内のウエハをガスヘッドからの
処理ガスを用いて処理し、半導体デバイスを製造するウ
エハ処理用真空装置において、前記ウエハに接近可能な
被い板を有し、この被い板とウエハとの間の空間の流体
抵抗を増大させ空間での対流を抑制する対流抑制手段を
備えたことを特徴とするウエハ処理用真空装置。 - 【請求項５】 真空容器内にウエハに対向して電極が配
設され、ウエハを処理ガスを用いて処理し、半導体デバ
イスを製造するウエハ処理用真空装置において、前記ウ
エハに接近可能な被い板を有し、この被い板とウエハと
の間の空間の流体抵抗を増大させ空間での対流を抑制す
る対流抑制手段を備えたウエハ処理用真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03247912A JP3084834B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 半導体デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03247912A JP3084834B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590210A true JPH0590210A (ja) | 1993-04-09 |
| JP3084834B2 JP3084834B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=17170404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03247912A Expired - Fee Related JP3084834B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3084834B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032913A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 気密モジュール、及び該気密モジュールの排気方法 |
| WO2011034057A1 (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用ガス供給機構 |
| CN102260862A (zh) * | 2010-05-26 | 2011-11-30 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子处理装置及供气构件支撑装置 |
| JP6012861B2 (ja) * | 2013-05-24 | 2016-10-25 | ヤマハ発動機株式会社 | プリント基板用作業装置 |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP03247912A patent/JP3084834B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032913A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 気密モジュール、及び該気密モジュールの排気方法 |
| WO2011034057A1 (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用ガス供給機構 |
| JP5454575B2 (ja) * | 2009-09-17 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用ガス供給機構 |
| US8967082B2 (en) | 2009-09-17 | 2015-03-03 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and gas supply device for plasma processing apparatus |
| CN102260862A (zh) * | 2010-05-26 | 2011-11-30 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子处理装置及供气构件支撑装置 |
| JP6012861B2 (ja) * | 2013-05-24 | 2016-10-25 | ヤマハ発動機株式会社 | プリント基板用作業装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3084834B2 (ja) | 2000-09-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |