JPH10321507A - 電子線露光方法 - Google Patents
電子線露光方法Info
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- JPH10321507A JPH10321507A JP9131539A JP13153997A JPH10321507A JP H10321507 A JPH10321507 A JP H10321507A JP 9131539 A JP9131539 A JP 9131539A JP 13153997 A JP13153997 A JP 13153997A JP H10321507 A JPH10321507 A JP H10321507A
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- pattern
- deflection
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の課題は、ステージ連続移動方式を用
いて電子線パターン描画する際に、パターン描画精度の
劣化がなく、かつ、スループットの低下がない電子線露
光装置を提供することである。 【解決手段】 露光前に描画パターンの粗密度を判定
し、描画する際にチップ内を所定のビーム偏向幅に分割
する。この場合、分割するビーム偏向幅の大きさを決定
し、偏向領域に対応する偏向幅を記憶装置に格納する。
その後、偏向幅を記憶装置より読み出し、パターン描画
を行う。
いて電子線パターン描画する際に、パターン描画精度の
劣化がなく、かつ、スループットの低下がない電子線露
光装置を提供することである。 【解決手段】 露光前に描画パターンの粗密度を判定
し、描画する際にチップ内を所定のビーム偏向幅に分割
する。この場合、分割するビーム偏向幅の大きさを決定
し、偏向領域に対応する偏向幅を記憶装置に格納する。
その後、偏向幅を記憶装置より読み出し、パターン描画
を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子線露光装置に係
るものであり、特に半導体集積回路などの図形パターン
を半導体基板に直接描画する電子線露光方法に関するも
のである。
るものであり、特に半導体集積回路などの図形パターン
を半導体基板に直接描画する電子線露光方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置を製造するための一般
的な電子線露光装置は、チップ形成するウェハ（半導体
基板）を載置したステージとともに連続的に移動させる
機構によるステージ連続移動方式を用いる。また電子線
露光方法はこの電子線露光装置を用いて、電子線（電子
ビーム）によりチップに図形パターンを露光する。
的な電子線露光装置は、チップ形成するウェハ（半導体
基板）を載置したステージとともに連続的に移動させる
機構によるステージ連続移動方式を用いる。また電子線
露光方法はこの電子線露光装置を用いて、電子線（電子
ビーム）によりチップに図形パターンを露光する。
【０００３】図６には従来の一般的な電子線露光装置に
おける図形パターンの描画方法の一例を示す。図６
（ａ）には図形パターンを描画するチップが配列された
ウェハの上面図を示す。ウェハ１０１上には、被露光物
となるチップ１０２が複数配列されている。ステージ連
続移動方式による図形パターン描画では、このウェハ１
０１を載置したステージを連続的に移動させながら、電
子ビームの照射位置をステージの移動に追従させること
によって、チップ１０２に所望の図形パターンを描画す
る。
おける図形パターンの描画方法の一例を示す。図６
（ａ）には図形パターンを描画するチップが配列された
ウェハの上面図を示す。ウェハ１０１上には、被露光物
となるチップ１０２が複数配列されている。ステージ連
続移動方式による図形パターン描画では、このウェハ１
０１を載置したステージを連続的に移動させながら、電
子ビームの照射位置をステージの移動に追従させること
によって、チップ１０２に所望の図形パターンを描画す
る。
【０００４】通常のステージ連続移動式によって図形パ
ターン描画を行う際には、各チップをある一定の大きさ
のビーム偏向幅に分割し描画する。図６（ｂ）には、図
６（ａ）に示したチップ１０２を拡大した上面図を示
す。チップ１０２は、図中に点線で示した様に、ある一
定のビーム偏向幅Ｗで分割されており、このビーム偏向
幅Ｗ内に様々な図形パターンが描画される。ビーム偏向
幅Ｗの大きさは、電子ビームを偏向できる大きさ（各電
子線露光装置の性能に依存）によって決定される。この
ビーム偏向幅Ｗの大きさが前記各電子線露光装置の性能
に依存する電子ビームを偏向できる大きさ以上となった
場合、偏向歪みが大きくなり図形パターンの描画精度が
劣化する。
ターン描画を行う際には、各チップをある一定の大きさ
のビーム偏向幅に分割し描画する。図６（ｂ）には、図
６（ａ）に示したチップ１０２を拡大した上面図を示
す。チップ１０２は、図中に点線で示した様に、ある一
定のビーム偏向幅Ｗで分割されており、このビーム偏向
幅Ｗ内に様々な図形パターンが描画される。ビーム偏向
幅Ｗの大きさは、電子ビームを偏向できる大きさ（各電
子線露光装置の性能に依存）によって決定される。この
ビーム偏向幅Ｗの大きさが前記各電子線露光装置の性能
に依存する電子ビームを偏向できる大きさ以上となった
場合、偏向歪みが大きくなり図形パターンの描画精度が
劣化する。
【０００５】ステージ連続移動方式によってチップ１０
２に図形パターンを描画するプロセスの一例を以下に示
す。チップ１０２が配列されたウェハ１０１を載置した
ステージは、図６（ｂ）中の白抜き矢印Ｓの方向へ連続
的に移動する。この場合、電子ビームはチップ１０２中
の矢印の方向へ移動し、ステージの移動に追従させるこ
とによってビーム偏向幅内の図形パターンを描画する。
一つの分割された偏向幅内の領域の図形パターン描画が
終了すると、次の領域に電子ビームが照射できるように
引き続きステージ移動が行われる。図６（ｂ）では、例
えば図形パターン描画は領域ｃ１、ｃ２、ｃ３の順に行
われる。
２に図形パターンを描画するプロセスの一例を以下に示
す。チップ１０２が配列されたウェハ１０１を載置した
ステージは、図６（ｂ）中の白抜き矢印Ｓの方向へ連続
的に移動する。この場合、電子ビームはチップ１０２中
の矢印の方向へ移動し、ステージの移動に追従させるこ
とによってビーム偏向幅内の図形パターンを描画する。
一つの分割された偏向幅内の領域の図形パターン描画が
終了すると、次の領域に電子ビームが照射できるように
引き続きステージ移動が行われる。図６（ｂ）では、例
えば図形パターン描画は領域ｃ１、ｃ２、ｃ３の順に行
われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電子線露光装置による電子線露光方法には以下の問
題点が存在する。図７には、従来の電子線露光装置によ
る電子線露光方法を示す。また、図８には従来の電子線
露光装置のステージ速度とビーム偏向幅の関係のグラフ
を示す。従来の電子線露光装置が描画時に変化できるス
テージ速度は、ＶｍｉｎからＶｍａｘまでとする。Ｖｍ
ａｘは電子線露光装置のステージの移動速度の上限であ
り、Ｖｍｉｎはその下限である。
来の電子線露光装置による電子線露光方法には以下の問
題点が存在する。図７には、従来の電子線露光装置によ
る電子線露光方法を示す。また、図８には従来の電子線
露光装置のステージ速度とビーム偏向幅の関係のグラフ
を示す。従来の電子線露光装置が描画時に変化できるス
テージ速度は、ＶｍｉｎからＶｍａｘまでとする。Ｖｍ
ａｘは電子線露光装置のステージの移動速度の上限であ
り、Ｖｍｉｎはその下限である。
【０００７】また、この速度Ｖｍｉｎ−Ｖｍａｘ間にお
いて、図形パターン描画に支障がない速度、すなわち電
子ビームが最大偏向領域以下で描画できる速度およびス
テージが安定動作する速度は、Ｖ１−Ｖ２の間であると
する。即ち、Ｖ１及びＶ２は、図形パターン描画に最適
な速度の下限及び上限である。この時のビーム偏向幅
は、図８に示したａ部分（最適ビーム偏向幅）である。
いて、図形パターン描画に支障がない速度、すなわち電
子ビームが最大偏向領域以下で描画できる速度およびス
テージが安定動作する速度は、Ｖ１−Ｖ２の間であると
する。即ち、Ｖ１及びＶ２は、図形パターン描画に最適
な速度の下限及び上限である。この時のビーム偏向幅
は、図８に示したａ部分（最適ビーム偏向幅）である。
【０００８】図７（ａ）には、異なる２つの図形パター
ン密度を有するチップ１０３を示す。領域Ｂは、それ以
外の領域Ａと比べて図形パターン密度が高い。以下、こ
のようにチップ内の図形パターンの密度が異なる場合の
電子線露光方法の問題点を指摘する。
ン密度を有するチップ１０３を示す。領域Ｂは、それ以
外の領域Ａと比べて図形パターン密度が高い。以下、こ
のようにチップ内の図形パターンの密度が異なる場合の
電子線露光方法の問題点を指摘する。
【０００９】図７（ｂ）には、チップ１０３のＹ１−Ｙ
２断面図を示す。図７（ａ）に示した領域Ｂ以外の、図
形パターン密度が低い領域Ａにおいては、描画に支障が
ないステージ速度であるＶ１−Ｖ２間で描画することが
できる。そのため、図７（ｂ）のａ領域のビーム偏向幅
内で電子ビーム（図中ｅ-）が照射され、図形パターン
が描画される。この場合に描画される図形パターンの精
度は高いものとなり、秒がされた図形パターン描画には
問題が生じない。このａ領域は、図８に示した最適ビー
ム偏向幅ａに相当する。
２断面図を示す。図７（ａ）に示した領域Ｂ以外の、図
形パターン密度が低い領域Ａにおいては、描画に支障が
ないステージ速度であるＶ１−Ｖ２間で描画することが
できる。そのため、図７（ｂ）のａ領域のビーム偏向幅
内で電子ビーム（図中ｅ-）が照射され、図形パターン
が描画される。この場合に描画される図形パターンの精
度は高いものとなり、秒がされた図形パターン描画には
問題が生じない。このａ領域は、図８に示した最適ビー
ム偏向幅ａに相当する。
【００１０】一方、図７（ｃ）には、チップ１０３のＹ
３−Ｙ４断面図を示す。この分割領域は図形パターンが
高い領域Ｂを有する。高い図形パターン密度Ｂの領域を
描画する際には、ステージ速度をできる限り低くする必
要がある。そのため、最低速度Ｖｍｉｎのステージ速度
で図形パターンを描画しなければならない場合が生じ、
その際には図８に示したように描画に支障がない速度で
あるＶ１−Ｖ２の範囲を越える。
３−Ｙ４断面図を示す。この分割領域は図形パターンが
高い領域Ｂを有する。高い図形パターン密度Ｂの領域を
描画する際には、ステージ速度をできる限り低くする必
要がある。そのため、最低速度Ｖｍｉｎのステージ速度
で図形パターンを描画しなければならない場合が生じ、
その際には図８に示したように描画に支障がない速度で
あるＶ１−Ｖ２の範囲を越える。
【００１１】ステージ速度が最低速度Ｖｍｉｎとなる
と、ステージが滑らかに動作するよう制御するのは困難
となり、図形パターンの描画精度が劣化しやすくなる。
また、ステージ速度をＶｍｉｎにしても、ビームの最大
偏向幅の範囲を越えて描画されたり、常にビーム偏向幅
の最大範囲で描画されることがあるため、やはり図形パ
ターンの描画精度が劣化しやすくなる。これは、図７
（ｂ）及び図８で示した領域ｂにおいて図形パターン描
画が行われる状態に相当する。最適ビーム偏向幅ａの範
囲を越えて、電子ビームは点線矢印で示した方向へ流
れ、所望の図形パターンを精度良く描画できなくなる。
さらに、最低速度で描画が行われるため、スループット
低下の要因ともなる。
と、ステージが滑らかに動作するよう制御するのは困難
となり、図形パターンの描画精度が劣化しやすくなる。
また、ステージ速度をＶｍｉｎにしても、ビームの最大
偏向幅の範囲を越えて描画されたり、常にビーム偏向幅
の最大範囲で描画されることがあるため、やはり図形パ
ターンの描画精度が劣化しやすくなる。これは、図７
（ｂ）及び図８で示した領域ｂにおいて図形パターン描
画が行われる状態に相当する。最適ビーム偏向幅ａの範
囲を越えて、電子ビームは点線矢印で示した方向へ流
れ、所望の図形パターンを精度良く描画できなくなる。
さらに、最低速度で描画が行われるため、スループット
低下の要因ともなる。
【００１２】これらの問題点を解決できる技術として、
特開平６−１５１２８７号公報に記載の電子線描画方法
および装置が提案されている。この技術では、所要露光
時間の長い図形パターンの描画の際には、この長い露光
時間を複数の短い露光時間に分割して、この分割された
それぞれの露光時間でもって同一図形を複数回に分けて
露光するようにしている。これにより電子ビーム照射中
にステージ移動して追従のための偏向範囲（幅）を越え
なくなるとしている。また、ステージ速度を低下させる
ことがないため、描画のスループットを向上できるとし
ている。
特開平６−１５１２８７号公報に記載の電子線描画方法
および装置が提案されている。この技術では、所要露光
時間の長い図形パターンの描画の際には、この長い露光
時間を複数の短い露光時間に分割して、この分割された
それぞれの露光時間でもって同一図形を複数回に分けて
露光するようにしている。これにより電子ビーム照射中
にステージ移動して追従のための偏向範囲（幅）を越え
なくなるとしている。また、ステージ速度を低下させる
ことがないため、描画のスループットを向上できるとし
ている。
【００１３】しかしながら、この方法によっても図形パ
ターン密度に合わせたステージ移動速度が得られないた
めに、十分な描画スループットが得られない。
ターン密度に合わせたステージ移動速度が得られないた
めに、十分な描画スループットが得られない。
【００１４】本発明が解決しようとする課題は、図形パ
ターン描画する際に、ステージ連続移動方式を用いる被
露光物への図形パターンの描画の精度の劣化がなく、か
つ、スループットの低下がない電子線露光装置を提供す
ることである。
ターン描画する際に、ステージ連続移動方式を用いる被
露光物への図形パターンの描画の精度の劣化がなく、か
つ、スループットの低下がない電子線露光装置を提供す
ることである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の電子線露光方法は、電子線の最大偏向幅以
下の任意の幅を有する異なる大きさの複数の偏向領域で
被露光物を分割し、電子線により所望の図形パターンを
被露光物に描画することを特徴とする。
め、本発明の電子線露光方法は、電子線の最大偏向幅以
下の任意の幅を有する異なる大きさの複数の偏向領域で
被露光物を分割し、電子線により所望の図形パターンを
被露光物に描画することを特徴とする。
【００１６】また、本発明の電子線露光方法は、異なる
大きさの複数の偏向領域が、所望の図形パターンにおけ
るパターン面積密度、パターン領域の大きさ、既に形成
されている下地パターン面積密度及び下地パターン領域
の大きさのうち少なくとも一つに依存して決定されるこ
とを特徴とする。
大きさの複数の偏向領域が、所望の図形パターンにおけ
るパターン面積密度、パターン領域の大きさ、既に形成
されている下地パターン面積密度及び下地パターン領域
の大きさのうち少なくとも一つに依存して決定されるこ
とを特徴とする。
【００１７】本発明の電子線露光方法は、任意の偏向領
域内及び領域間を任意の速度で連続して移動するステー
ジを用いて電子線により所望の図形パターンを被露光物
に描画することを特徴とする。
域内及び領域間を任意の速度で連続して移動するステー
ジを用いて電子線により所望の図形パターンを被露光物
に描画することを特徴とする。
【００１８】本発明の電子線露光方法は、連続して移動
するステージの任意の速度が、所望の図形パターンにお
けるパターン面積密度、パターン領域の大きさ、既に形
成されている下地パターン面積密度及び下地パターン領
域の大きさのうち少なくとも一つに依存して各偏向領域
毎に決定されることを特徴とする。
するステージの任意の速度が、所望の図形パターンにお
けるパターン面積密度、パターン領域の大きさ、既に形
成されている下地パターン面積密度及び下地パターン領
域の大きさのうち少なくとも一つに依存して各偏向領域
毎に決定されることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の電子線露光方法は、露光
前に図形パターンの粗密度を判定し描画する際に、被露
光物となるチップ内を所定のビーム偏向幅に分割する。
この場合、分割するビーム偏向幅の大きさを決定し、偏
向領域に対応した偏向幅を記憶装置に格納する。その
後、偏向幅を記憶装置より読み出し、図形パターンの露
光による描画を行う。
前に図形パターンの粗密度を判定し描画する際に、被露
光物となるチップ内を所定のビーム偏向幅に分割する。
この場合、分割するビーム偏向幅の大きさを決定し、偏
向領域に対応した偏向幅を記憶装置に格納する。その
後、偏向幅を記憶装置より読み出し、図形パターンの露
光による描画を行う。
【００２０】以下、本発明の電子線露光方法を第一の実
施の形態に即して説明する。図１には図形パターン粗密
度及び偏向領域の判定フローチャートを示す。また、図
２には図１に記載のそれぞれの手順に対応した、チップ
のビーム偏向幅分割モデルを示す。
施の形態に即して説明する。図１には図形パターン粗密
度及び偏向領域の判定フローチャートを示す。また、図
２には図１に記載のそれぞれの手順に対応した、チップ
のビーム偏向幅分割モデルを示す。
【００２１】まず、手順１１においては、本発明の電子
線露光方法を用いた電子線露光装置に、パターン粗密度
及び偏向領域の判定に必要となるパラメータを入力す
る。入力するパラメータは、最大偏向幅、分割偏向幅ピ
ッチ、ステージの許容速度（各領域の最適ステージ速度
及び最適ステージ速度で描画できる描画ショット数）、
比較値（描画ショット数に対して、予めどのレベルの密
度であるかを決定するための値）、分割メッシュサイズ
である。
線露光方法を用いた電子線露光装置に、パターン粗密度
及び偏向領域の判定に必要となるパラメータを入力す
る。入力するパラメータは、最大偏向幅、分割偏向幅ピ
ッチ、ステージの許容速度（各領域の最適ステージ速度
及び最適ステージ速度で描画できる描画ショット数）、
比較値（描画ショット数に対して、予めどのレベルの密
度であるかを決定するための値）、分割メッシュサイズ
である。
【００２２】次に、手順１２においては、予め作成され
ている図形パターンデータに基づき、被露光物となるチ
ップを手順１１で入力した分割メッシュサイズで分割す
る。図２（ａ）には所定のメッシュサイズで分割したチ
ップ１７を示す。
ている図形パターンデータに基づき、被露光物となるチ
ップを手順１１で入力した分割メッシュサイズで分割す
る。図２（ａ）には所定のメッシュサイズで分割したチ
ップ１７を示す。
【００２３】次に、手順１３においては、分割されたチ
ップ１７の各メッシュにおける図形パターンショット数
を計算し、求めたデータを記憶装置に格納する。
ップ１７の各メッシュにおける図形パターンショット数
を計算し、求めたデータを記憶装置に格納する。
【００２４】次に、手順１４においては、手順１２で分
割された各メッシュに対応して計算されたショット数を
記憶装置より読み出し、手順１１で入力された比較値を
参照しながら図形パターン密度のランクを決定し、密度
テーブルとして記憶装置に格納する。図２（ｂ）には、
各メッシュにショット数をフィッティングした場合の例
を示す。図２（ｂ）中に記されている数字は図形パター
ン密度に対応したショット数を示しており、例として図
形パターン密度のランクを３段階としている。図２
（ｂ）中で示した「３」とは、ショット数が多い箇所を
示しており、即ち図形パターンの密度が最も高いメッシ
ュである。以下、電子線密度が中程度のメッシュには
「２」、低いメッシュには「１」を対応させている。こ
れらを密度テーブルとして記憶する。
割された各メッシュに対応して計算されたショット数を
記憶装置より読み出し、手順１１で入力された比較値を
参照しながら図形パターン密度のランクを決定し、密度
テーブルとして記憶装置に格納する。図２（ｂ）には、
各メッシュにショット数をフィッティングした場合の例
を示す。図２（ｂ）中に記されている数字は図形パター
ン密度に対応したショット数を示しており、例として図
形パターン密度のランクを３段階としている。図２
（ｂ）中で示した「３」とは、ショット数が多い箇所を
示しており、即ち図形パターンの密度が最も高いメッシ
ュである。以下、電子線密度が中程度のメッシュには
「２」、低いメッシュには「１」を対応させている。こ
れらを密度テーブルとして記憶する。
【００２５】次に、手順１５においては、チップ上での
図形パターンを手順１１で入力された最大偏向幅に分割
する。図２（ｃ）中に示したＷが最大偏向幅である。
図形パターンを手順１１で入力された最大偏向幅に分割
する。図２（ｃ）中に示したＷが最大偏向幅である。
【００２６】最後に、手順１６においては、手順１５で
記憶装置に格納されたテーブルを読み出し、手順１１で
入力された分割偏向幅ピッチとフィッティングさせる。
具体的には、最大偏向幅に分割されている各偏向領域を
描画ショット数と比較し、小さくする必要があれば分割
偏向幅ピッチ分だけ偏向幅を小さくし、図形パターン描
画密度に対応した偏向幅となるまでピッチを加算させ、
最終的な偏向幅を決定する。このフィッティング工程で
は、手順１１で入力されたステージ速度許容値内で描画
できる偏向幅になるまで行い、分割が終わった時点で記
憶装置に格納する。図２（ｄ）には、このフィッティン
グ工程で分割された偏向領域を有するチップを示す。図
中の矢印１８は、電子ビームの移動方向、即ち図形パタ
ーンの描画方向を示す。
記憶装置に格納されたテーブルを読み出し、手順１１で
入力された分割偏向幅ピッチとフィッティングさせる。
具体的には、最大偏向幅に分割されている各偏向領域を
描画ショット数と比較し、小さくする必要があれば分割
偏向幅ピッチ分だけ偏向幅を小さくし、図形パターン描
画密度に対応した偏向幅となるまでピッチを加算させ、
最終的な偏向幅を決定する。このフィッティング工程で
は、手順１１で入力されたステージ速度許容値内で描画
できる偏向幅になるまで行い、分割が終わった時点で記
憶装置に格納する。図２（ｄ）には、このフィッティン
グ工程で分割された偏向領域を有するチップを示す。図
中の矢印１８は、電子ビームの移動方向、即ち図形パタ
ーンの描画方向を示す。
【００２７】以上のようにして分割された偏向領域を記
憶装置より読み出し、図形パターンの露光による描画を
行う。この際、ステージ速度が最適速度範囲を越えない
ようにステージ速度と図形パターンの描画密度を参照し
ながら描画を行う。最適ステージ速度範囲を越えた場合
には、その偏向幅を半分にする等の処理を行い対処す
る。これらの手順により、ステージ連続移動方式により
図形パターン描画する際に、被露光物への図形パターン
の描画の精度の劣化がなく、かつ、スループットの低下
がなくなる。
憶装置より読み出し、図形パターンの露光による描画を
行う。この際、ステージ速度が最適速度範囲を越えない
ようにステージ速度と図形パターンの描画密度を参照し
ながら描画を行う。最適ステージ速度範囲を越えた場合
には、その偏向幅を半分にする等の処理を行い対処す
る。これらの手順により、ステージ連続移動方式により
図形パターン描画する際に、被露光物への図形パターン
の描画の精度の劣化がなく、かつ、スループットの低下
がなくなる。
【００２８】（第二の実施の形態）以下、本発明の電子
線露光方法の第二の実施の形態を示す。図３には本実施
の形態における図形パターン粗密度及び偏向領域の判定
フローチャートを示す。手順２１においては、第一の実
施の形態の手順１１と同様に、パターン粗密度及び偏向
領域の判定に必要となるパラメータを入力する。この
際、第一の実施の形態の手順１１で入力していた最大偏
向幅、分割偏向幅ピッチ及びステージ速度許容値は入力
せず、その代わりとして予め記憶装置にステージ速度テ
ーブルを格納しておく方法によっても、本発明の電子線
露光方法を実施することが可能である。このステージ速
度テーブルの例を表１に示す。
線露光方法の第二の実施の形態を示す。図３には本実施
の形態における図形パターン粗密度及び偏向領域の判定
フローチャートを示す。手順２１においては、第一の実
施の形態の手順１１と同様に、パターン粗密度及び偏向
領域の判定に必要となるパラメータを入力する。この
際、第一の実施の形態の手順１１で入力していた最大偏
向幅、分割偏向幅ピッチ及びステージ速度許容値は入力
せず、その代わりとして予め記憶装置にステージ速度テ
ーブルを格納しておく方法によっても、本発明の電子線
露光方法を実施することが可能である。このステージ速
度テーブルの例を表１に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】表１に記載のステージ速度テーブルは、偏
向幅及びステージ速度で描画する場合の最適なショット
数範囲を定めたものである。またステージ速度テーブル
は、最適ステージ速度で描画できる所定の偏向幅のショ
ット数の計算により決定する。
向幅及びステージ速度で描画する場合の最適なショット
数範囲を定めたものである。またステージ速度テーブル
は、最適ステージ速度で描画できる所定の偏向幅のショ
ット数の計算により決定する。
【００３１】次に、第一の実施の形態の手順１２から手
順１４までと同様の動作を行う。続いて、手順２２で
は、手順２１で予め記憶装置に格納した表１に記載のス
テージ速度テーブルを読み出し、第一の実施の形態の手
順１４で作成した密度テーブルとフィッティングさせ
る。以上の手順の後に図形パターン描画を行うことで、
被露光物への図形パターンの描画精度の劣化がなく、ス
ループットの低下もない。
順１４までと同様の動作を行う。続いて、手順２２で
は、手順２１で予め記憶装置に格納した表１に記載のス
テージ速度テーブルを読み出し、第一の実施の形態の手
順１４で作成した密度テーブルとフィッティングさせ
る。以上の手順の後に図形パターン描画を行うことで、
被露光物への図形パターンの描画精度の劣化がなく、ス
ループットの低下もない。
【００３２】（第三の実施の形態）以下、本発明の電子
線露光方法の第三の実施の形態を示す。本実施の形態で
は、第一及び第二の実施の形態に記した偏向領域決定の
際に、予めウェハ上に描画されている、図形パターン描
画時に基準となる下地パターンを参照しながら偏向領域
を決定する例を示す。図４には本実施の形態における図
形パターン粗密度及び偏向領域の判定フローチャートを
示す。
線露光方法の第三の実施の形態を示す。本実施の形態で
は、第一及び第二の実施の形態に記した偏向領域決定の
際に、予めウェハ上に描画されている、図形パターン描
画時に基準となる下地パターンを参照しながら偏向領域
を決定する例を示す。図４には本実施の形態における図
形パターン粗密度及び偏向領域の判定フローチャートを
示す。
【００３３】まず、手順３１において、下地露光時の分
割偏向幅を予め記憶装置に格納しておく。次に、第一ま
たは第二の実施の形態に記した一連の動作を行う。
割偏向幅を予め記憶装置に格納しておく。次に、第一ま
たは第二の実施の形態に記した一連の動作を行う。
【００３４】さらに、手順３２において、第一の実施の
形態の手順１６（第二の実施の形態の場合は手順２２）
で分割された偏向幅と、下地パターンの偏向幅をフィッ
ティングさせる。この動作では、下地パターンの偏向幅
に合わせる様に偏向幅を決定する。しかしながら、実際
には全ての偏向領域で下地パターンと同じ偏向幅とはな
らないため、適宜偏向幅を揃える。図５には、チップの
偏向幅分割モデル図を示す。図５（ａ）に示した手順３
２で決定した下地偏向幅分割モデルと、図５（ｂ）に示
した第一及び第二の実施の形態で決定したビーム偏向幅
分割モデルとをフィッティングさせる。図５（ｃ）に
は、フィッティングを行い偏向幅を下地に合わせて小さ
くしたビーム分割偏向幅モデルを示す。このように下地
パターンの偏向幅を参考にして決定した偏向幅により、
図形パターン描画を良好に行うことができる。
形態の手順１６（第二の実施の形態の場合は手順２２）
で分割された偏向幅と、下地パターンの偏向幅をフィッ
ティングさせる。この動作では、下地パターンの偏向幅
に合わせる様に偏向幅を決定する。しかしながら、実際
には全ての偏向領域で下地パターンと同じ偏向幅とはな
らないため、適宜偏向幅を揃える。図５には、チップの
偏向幅分割モデル図を示す。図５（ａ）に示した手順３
２で決定した下地偏向幅分割モデルと、図５（ｂ）に示
した第一及び第二の実施の形態で決定したビーム偏向幅
分割モデルとをフィッティングさせる。図５（ｃ）に
は、フィッティングを行い偏向幅を下地に合わせて小さ
くしたビーム分割偏向幅モデルを示す。このように下地
パターンの偏向幅を参考にして決定した偏向幅により、
図形パターン描画を良好に行うことができる。
【００３５】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような優れた効果を奏する。
ステージ連続移動方式により半導体集積回路などの図形
パターン描画する際に、最適なステージ速度及びビーム
偏向領域内で描画を行うことが可能なため、図形パター
ンの描画精度が向上する。また、ステージ連続移動方式
を用いたことに起因するスループット低下がない。
いるので、以下に記載するような優れた効果を奏する。
ステージ連続移動方式により半導体集積回路などの図形
パターン描画する際に、最適なステージ速度及びビーム
偏向領域内で描画を行うことが可能なため、図形パター
ンの描画精度が向上する。また、ステージ連続移動方式
を用いたことに起因するスループット低下がない。
【図１】 第一の実施の形態における図形パターン粗密
度及び偏向領域の判定フローチャートを示す図である。
度及び偏向領域の判定フローチャートを示す図である。
【図２】 図１に示した手順に対応したチップのビーム
偏向幅分割モデルを示す図である。
偏向幅分割モデルを示す図である。
【図３】 第二の実施の形態における図形パターン粗密
度及び偏向領域の判定フローチャートを示す図である。
度及び偏向領域の判定フローチャートを示す図である。
【図４】 第三の実施の形態における図形パターン粗密
度及び偏向領域の判定フローチャートを示す図である。
度及び偏向領域の判定フローチャートを示す図である。
【図５】 チップの偏向幅分割モデルを示す図であり、
図５（ａ）は下地偏向幅分割モデルを示す図であり、図
５（ｂ）は第一及び第二の実施の形態で決定したビーム
偏向幅分割モデルを示す図である。また、図５（ｃ）
は、図５（ａ）に示した下地偏向幅分割モデルと図５
（ｂ）に示したビーム偏向幅分割モデルとをフィッティ
ングしたビーム分割偏向幅モデルを示す。
図５（ａ）は下地偏向幅分割モデルを示す図であり、図
５（ｂ）は第一及び第二の実施の形態で決定したビーム
偏向幅分割モデルを示す図である。また、図５（ｃ）
は、図５（ａ）に示した下地偏向幅分割モデルと図５
（ｂ）に示したビーム偏向幅分割モデルとをフィッティ
ングしたビーム分割偏向幅モデルを示す。
【図６】 従来の一般的な電子線露光装置における図形
パターンの描画方法の一例を示す図である。
パターンの描画方法の一例を示す図である。
【図７】 従来の電子線露光装置による電子線露光方法
を示す図であり、図７（ａ）は異なる２つの図形パター
ン密度を有するチップ１０３を示す図である。また、図
７（ｂ）はチップ１０３のＹ１−Ｙ２断面図を示す図で
あり、図７（ｃ）はチップ１０３のＹ３−Ｙ４断面図を
示す図である。
を示す図であり、図７（ａ）は異なる２つの図形パター
ン密度を有するチップ１０３を示す図である。また、図
７（ｂ）はチップ１０３のＹ１−Ｙ２断面図を示す図で
あり、図７（ｃ）はチップ１０３のＹ３−Ｙ４断面図を
示す図である。
【図８】 従来の電子線露光装置のステージ速度とビー
ム偏向幅の関係のグラフを示す図である。
ム偏向幅の関係のグラフを示す図である。
１７ チップ １８ 図形パターン描画方向 １０１ ウェハ １０２ チップ １０３ チップ Ｓ ステージ移動方向 Ｗｒ 図形パターン描画方向 Ａ 図形パターン密度の高い領域 Ｂ 図形パターン密度の低い領域 Ｗ 最大偏向幅 Ｖｍａｘ 電子線露光装置のステージ移動速度の上限 Ｖｍｉｎ 電子線露光装置のステージ移動速度の下限 Ｖ１ 図形パターン描画に最適な速度の下限 Ｖ２ 図形パターン描画に最適な速度の上限 ａ Ｖ１−Ｖ２における最適ビーム偏向幅 ｂ Ｖｍｉｎ−Ｖｍａｘにおけるビーム偏向幅 ｃ１、ｃ２、ｃ３ 分割領域
Claims (4)
- 【請求項１】 電子線の最大偏向幅以下の任意の幅を有
する複数の異なる大きさの偏向領域で被露光物を分割
し、電子線により所望の図形パターンを被露光物に描画
することを特徴とする電子線露光方法。 - 【請求項２】 前記異なる大きさの複数の偏向領域が、
所望の図形パターンにおけるパターン面積密度、パター
ン領域の大きさ、既に形成されている下地パターン面積
密度及び下地パターン領域の大きさのうち少なくとも一
つに依存して決定される請求項１に記載の電子線露光方
法。 - 【請求項３】 任意の偏向領域内及び領域間を任意の速
度で連続して移動するステージを用いて電子線により所
望の図形パターンを被露光物に描画する請求項１又は請
求項２に記載の電子線露光方法。 - 【請求項４】 前記連続して移動するステージの任意の
速度が、所望の図形パターンにおけるパターン面積密
度、パターン領域の大きさ、既に形成されている下地パ
ターン面積密度及び下地パターン領域の大きさのうち少
なくとも一つに依存して各偏向領域毎に決定される請求
項３に記載の電子線露光方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9131539A JPH10321507A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 電子線露光方法 |
| KR1019980018399A KR100326955B1 (ko) | 1997-05-22 | 1998-05-21 | 이동 스테이지를 사용한 전자빔 노광 방법 |
| CN98101487A CN1201165A (zh) | 1997-05-22 | 1998-05-21 | 使用移动平台的电子束曝光方法 |
| US09/083,095 US6040583A (en) | 1997-05-22 | 1998-05-22 | Electron beam exposure method using a moving stage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9131539A JPH10321507A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 電子線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321507A true JPH10321507A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15060452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9131539A Pending JPH10321507A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 電子線露光方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6040583A (ja) |
| JP (1) | JPH10321507A (ja) |
| KR (1) | KR100326955B1 (ja) |
| CN (1) | CN1201165A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014123613A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Nuflare Technology Inc | ドリフト補正方法および描画データの作成方法 |
| US20150129779A1 (en) * | 2013-11-11 | 2015-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Drawing apparatus, and method of manufacturing article |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2002217880A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-27 | Scimed Life Systems, Inc. | Device and method for treating female urinary incontinence |
| US7005221B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-02-28 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus to easily measure reticle blind positioning with an exposure apparatus |
| US10199283B1 (en) | 2015-02-03 | 2019-02-05 | Pdf Solutions, Inc. | Method for processing a semiconductor wager using non-contact electrical measurements indicative of a resistance through a stitch, where such measurements are obtained by scanning a pad comprised of at least three parallel conductive stripes using a moving stage with beam deflection to account for motion of the stage |
| US10978438B1 (en) | 2015-12-16 | 2021-04-13 | Pdf Solutions, Inc. | IC with test structures and E-beam pads embedded within a contiguous standard cell area |
| US9905553B1 (en) | 2016-04-04 | 2018-02-27 | Pdf Solutions, Inc. | Integrated circuit containing standard logic cells and library-compatible, NCEM-enabled fill cells, including at least via-open-configured, AACNT-short-configured, GATECNT-short-configured, and metal-short-configured, NCEM-enabled fill cells |
| US10096530B1 (en) | 2017-06-28 | 2018-10-09 | Pdf Solutions, Inc. | Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including merged-via open configured fill cells, and the second DOE including stitch open configured fill cells |
| US11340293B2 (en) | 2019-10-01 | 2022-05-24 | Pdf Solutions, Inc. | Methods for performing a non-contact electrical measurement on a cell, chip, wafer, die, or logic block |
| US11328899B2 (en) | 2019-10-01 | 2022-05-10 | Pdf Solutions, Inc. | Methods for aligning a particle beam and performing a non-contact electrical measurement on a cell using a registration cell |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63127532A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
| US5349197A (en) * | 1991-09-30 | 1994-09-20 | Fujitsu Limited | Method for exposing a pattern on an object by a charged particle beam |
| JPH06151287A (ja) * | 1992-11-05 | 1994-05-31 | Hitachi Ltd | 電子線描画方法および装置 |
-
1997
- 1997-05-22 JP JP9131539A patent/JPH10321507A/ja active Pending
-
1998
- 1998-05-21 CN CN98101487A patent/CN1201165A/zh active Pending
- 1998-05-21 KR KR1019980018399A patent/KR100326955B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-05-22 US US09/083,095 patent/US6040583A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014123613A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Nuflare Technology Inc | ドリフト補正方法および描画データの作成方法 |
| US20150129779A1 (en) * | 2013-11-11 | 2015-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Drawing apparatus, and method of manufacturing article |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100326955B1 (ko) | 2002-06-26 |
| KR19980087267A (ko) | 1998-12-05 |
| CN1201165A (zh) | 1998-12-09 |
| US6040583A (en) | 2000-03-21 |
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