KR19980087267A - 이동스테이지를 사용한 전자빔노광방법 - Google Patents

이동스테이지를 사용한 전자빔노광방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19980087267A
KR19980087267A KR1019980018399A KR19980018399A KR19980087267A KR 19980087267 A KR19980087267 A KR 19980087267A KR 1019980018399 A KR1019980018399 A KR 1019980018399A KR 19980018399 A KR19980018399 A KR 19980018399A KR 19980087267 A KR19980087267 A KR 19980087267A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electron beam
deflection
pattern
beam exposure
stage
Prior art date
Application number
KR1019980018399A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100326955B1 (ko
Inventor
나카 오노다
Original Assignee
가네코 히사시
닛폰덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네코 히사시, 닛폰덴키 가부시키가이샤 filed Critical 가네코 히사시
Publication of KR19980087267A publication Critical patent/KR19980087267A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100326955B1 publication Critical patent/KR100326955B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31766—Continuous moving of wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

전자빔노광시스템은 일정한 속도로 스테이지를 이동시키는 연속스테이지구동부를 가진다. 반도체칩의 영역은 각 메쉬의 패턴밀도를 산출하기 위하여 메쉬유니트의 배열로 분할되어 있다. 동일한 조밀도를 갖는 메쉬그룹은 전자빔노광시스템의 성능에 기초하여 결정된 최대폭 이하 또는 동일한 크기를 가지는 분할편향영역으로 결합되어 있다.

Description

이동스테이지를 사용한 전자빔노광방법
본 발명은 전자빔노광(Electron Beam Exposure)을 위한 방법에 관한 것으로서, 특히, 이동스테이지(Moving Stage)를 일정한 속도로 이동시키면서 반도체집적회로상에 직접적으로 패턴을 형성할 수 있도록 한 전자빔노광방법에 관한 것이다.
전자빔노광시스템은 일반적으로, 반도체웨이퍼들이 탑재된 스테이지를 일정한 속도로 이동시키는 연속스테이지구동부(Continuous Stage Drive)를 포함한다.
도 1A에는 전자빔노광시스템을 사용한 전자빔노광을 위해 복수의 칩들이 그 상면에 배열되어 있는 반도체웨이퍼가 도시되어 있고, 도 1B에는 반도체 웨이퍼상의 칩의 표면들중 어느 하나가 구체적으로 도시되어 있다. 연속스테이지구동부를 사용하는 전자노광시스템에서는, 반도체웨이퍼(101)를 그 상부에 탑재하는 스테이지가 일정한 속도를 가지고 X-방향을 따라 연속적으로 이동하고, 전자빔은 또한, 스테이지의 유동을 따라 XY-방향을 따라 연속적으로 옮겨지면서 칩(102)상에 패턴을 형성한다.
칩(102)상에 전형적인 패턴을 형성하는 동안, 칩(102)은 전자빔편향(Width of Electron Beam Deflection)의 폭(W)에 각각 대응하는 Y-축방향의 복수의 편향영역(Strip Region)들로 분할되고, 패턴은 각 편향영역에 연속적으로 형성된다. 편향영역들의 폭 W은 전자빔편향을 위한 크기를 결정하는 전자빔노광유니트의 성능에 의존한다. 만약, 편향영역의 폭이 전자빔의 편향성능을 초과하게 설정된 경우, 편향왜곡(Deflection Distortion)의 증대로 인한 패턴의 열화(劣化)가 발생한다.
노광동안, 반도체웨이퍼(101)는 화살표 S로 표시된 방향(도면상 하향방향)을 따라 이동 또는 옮겨진다. 그 결과, 전자빔은 각 편향영역(도면상 상향방향)에 나타낸 화살표로 표시된 방향을 따라 반도체웨이퍼에 대하여 이동하는 한편, 스테이지의 이동에 추종하여 편향영역내에서 XY-방향으로 편향되면서 편향영역내에 소원하는 패턴을 형성한다. 일측 편향영역에 패턴형성이 완료되면, 차후 편향영역내의 패턴형성은 스테이지의 이동과 병행하여 수행된다. 예에서는, 패턴형성이 편향영역 c1, c2 및 c3에 순차적으로 이루어진다.
도 2는 스테이지속도에 대한 빔편향폭의 관계를 나타내는 그래프이다. 스테이지는 노광동안 Vmin과 Vmax 사이의 속도로 이동될 수 있으며, 이것은 스테이지구동부의 성능에 의존한다. 한편, 칩상에 적절한 패턴을 형성하기 위하여 적당한 편향크기 또는 전자빔의 폭이, 빔편향유니트의 성능에 따라 도 2의 최적의 편향범위(Optimum Deflection Range) 즉, 스테이지의 최대속도 Vmax와 최저속도 Vmin 에 해당하는 최대영역 b 보다 낮은 a영역내에 존재한다. 따라서, 실제에서 소원하는 패턴들을 변형없이 형성하기 위한 스테이지속도는, 최적의 편향영역 a에 해당하는 V1 과 V2 사이로 제한된다.
도 3A는 전형적인 패턴밀도(Normal Pattern Density)를 가지는 영역 A 및 고패턴밀도를 가지는 영역 B를 구비하는 칩의 예를 나타낸다. 전형적인 패턴밀도영역 A에는 V1과 V2 사이의 스테이지속도를 사용하고 최적의 편향영역 a내에 전자빔을 편향시킴으로써, 도 3B에서 볼 수 있는 바와 같이, 변형없이 패턴형성될 수 있다. 한편, 고패턴밀도영역 B에는 스테이지속도를 저하시킴으로써 변형없이 패턴형성될 수 있다. 하지만, 스테이지속도가 Vmin 이하로 저하되면, 스테이지는 일정한 속도로 정확하게 제어될 수 없어서 결과패턴(Resultant Pattern)에 변형이 발생한다. 이 경우, 스테이지속도가 Vmin 이하가 되는 것을 방지하기 위하여 전자빔의 편향폭이, 도 3C에서 볼 수 있는 바와 같이, 최적의 편향영역 a로 부터 편향되고, 이에 따라 결과패턴에 또한, 변형이 발생된다. 낮은 스테이지속도는 또한, 전자빔노광의 작업처리량(Throughout)을 저하시킨다.
특허 공개 JP-A-6-151287호에는, 패턴들이 상이한 패턴밀도를 가지는 복수의 그룹으로 분류되어 있는 전자빔노광시스템이 제안되어 있다. 이 경우에서는, 고밀도의 단일 패턴을 형성하기 위한 전자빔노광은, 패턴을 복수의 영역에 분할시켜야 하기 때문에, 장시간이 소요된다. 이 기술에서는, 전자빔편향이 스테이지의 이동에 평행한 방향에서 최대편향폭을 초과하지 아니한다. 하지만, 이 기술은 또한, 각각의 패턴밀도을 위하여 최적의 스테이지속도를 채용할 수 없다.
본 발명의 목적은, 상기를 고려하여, 패턴들의 변형 및 작업처리량의 감소없이 패턴을 형성하기 위해 전자빔으로 반도체칩을 노광가능한 연속이동스테이지를 사용한 전자빔노광방법을 제공하는 것이다.
도 1A는 전자빔에 의해 노광될 전형적인 대상 반도체웨이퍼의 평면도;
도 1B는 도 1A의 반도체웨이퍼의 칩들중 어느 하나의 평면도로서, 스테이지 및 전자빔노광의 이동방향을 나타내는 도면;
도 2는 노광시스템에서 스테이지속도에 대한 허용 빔편향범위(Possible Beam Deflection Range)의 관계그래프;
도 3A는 상이한 패턴밀도를 가지는 칩의 일 예의 평면도;
도 3B 및 도 3C는 각각 전자빔에 의한 노광시 Y1-Y2선 및 Y3-Y4선을 따른 개략적 횡단면도;
도 4는 본 발명의 제 1실시예에 따른 전자노광방법에서 패턴밀도에 기초한 전자편향범위를 결정하는 과정을 설명하는 순서도;
도 5A 내지 도 5D는 도 4의 과정에 의해 분할된 칩의 스테이지들을 연속적으로 나타내는 일 예의 칩의 평면도;
도 6은 본 발명의 제 2실시예에 따른 전자노광방법에서 패턴밀도에 기초한 전자편향범위를 결정하는 과정을 설명하는 순서도;
도 7은 본 발명의 제 3실시예에 따른 전자노광방법의 순서도; 및
도 8A 내지 도 8C는 도 7의 전자빔노광방법에 기초한 분할을 나타내는 일 예의 칩의 평면도이다.
본 발명은, 전자빔편향범위에 의해 결정된 최대 폭 이하의 폭 또는 동일한 폭을 각각 갖는 복수개의 분할편향영역을 가지면서, 상기 분할편향영역의 적어도 두개는 서로 다른 폭을 가지는 반도체칩을 분할하는 단계와; 상기 반도체칩상에 원하는 패턴을 형성하기 위하여 상기 복수의 분할편향영역들을 연속적으로 노광시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 결과패턴(Resultant Pattern)의 변형 및 작업처리량을 감소시키지 아니하는, 전자빔노광을 위한 최적의 스테이지속도를 얻을 수 있다.
본 발명의 상술 및 다른 목적, 특징 및 효과는 첨부된 도면을 참조하여 다음의 설명에 의해 더욱 구체화될 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는, 대상반도체칩(Object Semiconductor Chip)이 패턴형성을 위한 반도체칩의 노광하기 전에, 전자노광을 위한 복수의 영역으로 분할되어 있다.
도 4와 관련하여, 본 발명의 제 1실시예에 따른 전자빔노광방법은 일련의 제 11단계 내지 12단계를 포함한다. 제 11단계에서는, 패턴밀도를 판정하고 전자노광을 위한 분할영역(Divided Region)을 결정하기 위해 사용되는 변수(Parameter)들이 입력되어 저장된다. 저장된 변수들은 전자빔편향을 위한 최대범위(Maximum Range), 반도체칩의 분할을 위한 최대피치(Maximum Pitch), 허용 최대 및 최소스테이지속도, 스테이지속도에 대한 전기빔쇼트(Electron Beam Shot)들의 수, 주패턴의 조밀도(Density Level) 및 해당하는 최적의 스테이지속도를 결정하기 위해 사용되는 기준조밀도, 및 메쉬유니트내의 패턴조밀도를 결정하기 위한 메쉬유니트크기(Unit Mesh Size)를 포함한다. 메쉬유니트크기는 전자편향을 위한 최대범위가 메쉬유니트크기의 정수배가 되도록 결정된다.
제 12단계에서는, 대상반도체칩(17)의 도시영역이, 도 5A에서 볼 수 있는 바와 같이, 저장된 메쉬유니트크기에 기초하는 메쉬유니트들의 배열(Array)이나 격자로 분할된다. 제 13단계에서는, 전자빔쇼트들의 수가 각 메쉬내에 형성될 패턴에 기초하여 각 메쉬내에서 계산된다.
제 14단계에서는, 메쉬들을 위해 계산된 수들이 제 11단계에서 저장된 기준조밀도에 기초하는 복수의 그룹(본 예에서는 3개)들로 분류된다. 분류된 그룹들은 고밀도의 제 1분류(Class #1)와, 중간밀도의 제 2분류(Class #2), 및 전형적 또는 저밀도의 제 3분류(Class #3)를 포함하며, 메모리내에, 도 5B에 나타낸 매트릭스(Matrix)와 같은, 표로서 저장된다.
제 15단계에서는, 도 5C에서 볼 수 있는 바와 같이, 칩이 전기빔편향의 최대범위(W)에 기초하여 복수의 편향영역으로 분할된다.
도 16에서는, 제 15단계에서 결정된 각 편향영역과 제 14단계에서 저장된 해당 메쉬들이 상호 비교된다. 편향영역내의 모든 메쉬들이 동일한 분류밀도(Density Class)를 가진다면, 편향영역은, 그 폭이 최적의 노광범위를 초과하지 않는 상태에서, 전기노광을 위해 사용된다.
상이한 분류밀도(Class Level)를 가지는 메쉬들이 편향영역내에 배치되어 있으면, 편향영역은 그 보다 작은 폭 또는 길이를 갖는 복수의 분할편향영역(Sub-strip Region)으로 더 분할되어, 이에 의해 동일한 분류밀도를 가지는 메쉬들이 분할편향영역내에 배치되고 최적의 스테이지속도에 해당하는 전자빔편향범위가 분할편향영역의 폭을 초과하지 아니하거나, 또는 사용될 스테이지속도가 일측 편향영역내에 배치된 모든 메쉬들을 위한 최적의 스테이지속도를 초과하지 않는다. 도 5D에 도시된 예에는, 동일한 분류밀도를 가지는 메쉬들이 일측의 분할편향영역내에 배치되어 있다.
다른 예에서는, 최적의 스테이지속도에 해당하는 빔편향범위가 분할편향영역의 폭을 초과하지 않는 한, 단일의 분할편향영역에에서 제 3분류의 소수의 메쉬들이 제 2분류의 다수의 메쉬들과 혼합될 수 있다. 이 경우, 스테이지속도는 제 2분류의 메쉬들을 위해 조절된다.
분할편향영역들은 메모리에 저장되고, 대상 칩(Object Chip)을 위한 전자노광을 위해 사용된다. 제 1실시예에 따른 노광과정을 사용하면, 전자빔노광이 연속 스테이지구동부를 가지는 전자빔노광시스템내에서 패턴변형 및 작업처리량의 감소없이 수행될 수 있다.
도 6과 관련하여, 본 발명의 제 2실시예에 따른 전자빔노광은 일련의 제 21단계 내지 25단계를 포함한다. 제 21단계에서는, 변수들이 전자빔노광시스템에 입력되어 저장된다. 변수들은 스테이지속도표(Stage Speed Table), 대상 패턴의 조밀도 및 해당하는 최적의 스테이지속도를 결정하기 위해 사용되는 기준조밀도, 및 메쉬유니트내의 패턴밀도를 결정하기 위한 메쉬유니트크기를 포함한다. 스테이지속도표는 다음과 같다.
표 1
빔쇼트의 수 스테이지속도 빔편향범위(㎛)
50 이하 Va 5000
51-150 Vb 4500
151-250 Vc 4000
... ... ...
1000이상 Vn 500
표 1에서, 빔쇼트의 수는 스테이지속도 및 빔편향영역의 함수로서 표현되어 있다. 스테이지속도는, 후술하는 바와 같이, 동일한 스테이지속도의 성능을 고려하여 결정된다. 시험노광(Test Exposure)은, 스테이지속도와 빔편향범위가 각각 최대스테이지속도 Va와 최대범위 5000㎛로 결정된 조건하에서 실시된다. 스테이지가 노광결함(Exposure Defect)없이 일정한 속도로 진행될 수 있는 최대스테이지속도 Va는 쇼트들의 수 50이하에서 결정된다. 이 때, 스테이지속도 및 편향범위는 각각 10%피치에서 증가 또는 감소되고, 시험노광시 테스트노광내의 쇼트들의 수는 일정한 10피치에서 10부터 1000까지 변화되어, 스테이지가 복수의 각 빔숏들에 따라 결함없이 일정한 속도로 움직일 수 있는, 스테이지속도 Vb, Vc, ...Vn이 결정된다.
제 22단계 내지 24단계는 각각 도 4의 제 12단계 내지 14단계와 유사하다. 제 25단계에서는, 제 21단계에서 저장된 표 1과 제 24단계에서 저장된 패턴조밀도를 위한 표가 상호 비교되어, 전자빔노광을 위한 폭을 결정한다.
도 7과 관련하여, 본 발명의 제 3실시예에 따른 전자빔노광과정은 제 31단계 내지 33단계를 포함한다. 제 31단계에서는, 기본패턴(Underlying Pattern)의 노광시 사용된 제 1분할편향영역(또는 제 1편향영역들)이 저장된다. 제 32단계에서는, 제 1실시예의 제 11단계 내지 16단계 또는 제 1실시예의 제 21단계 내지 25단계가 수행되어, 대상패턴을 위한 제 2분할편향영역들이 결정된다.
제 33단계에서는, 제 32단계에서 결정된 제 2분할편향영역들이 기본패턴을 위한 노광에서 사용된 제 1분할편향영역들과 비교되어, 최적의 분할편향영역들이 결정된다. 최적의 분할편향영역들은 근본적으로, 기본패턴의 제 32단계에서 얻은 제 2분할편향영역들을 기본패턴의 제 1분할편향영역에 기초하여 수정함으로써 결정된다.
도 8A 및 도 8B는 각각 제 32단계에서 결정된 제 2분할편향영역 및 기본패턴의 제 1분할편향영역들을 나타낸다. 도 8C는 제 1분할편향영역들을 제 2분할편향영역들과 오버랩시켜 얻은 최적의 분할편향영역들을 나타낸다.
상기 실시예들은 단지 몇개의 실시예로 설명되어 있지만, 본 발명은 상술한 실시예들에 국한되지 않고, 본 발명의 분야를 벗어나지 않는 범위내에서 통상의 지식을 가진자에 의해 용이하게 다양한 변형 및 개선이 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 이동스테이지를 일정한 속도로 이동시키면서 반도체집적회로상에 직접적으로 패턴을 형성할 수 있는 전자빔노광방법이 제공된다.

Claims (7)

  1. 전자빔편향범위에 의해 결정된 최대 폭 이하의 폭 또는 동일한 폭을 각각 갖는 복수개의 분할편향영역을 가지면서, 상기 분할편향영역의 적어도 두개는 서로 다른 폭을 가지는 반도체칩을 분할하는 단계와; 상기 반도체칩상에 원하는 패턴을 형성하기 위하여 상기 복수의 분할편향영역들을 연속적으로 노광시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 각 분할편향영역의 폭은 상기 각 분할편향영역내의 패턴밀도에 기초하여 결정되는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 분할편향영역은 기본패턴을 위한 노광동안 노광된 분할편향영역들에 기초하여 변경되는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 반도체칩을 메쉬유니트들의 배열로 분할하는 단계와;
    상기 각 메쉬유이트내의 패턴조밀도를 계산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 각 분할편향영역은 적어도 하나의 상기 메쉬유니트를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  6. 제 5항에 있어서, 패턴밀도와 폭에 기초하여 스테이지속도를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 최대 폭은 상기 각 분할편향영역의 상기 폭의 정배수인 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
KR1019980018399A 1997-05-22 1998-05-21 이동 스테이지를 사용한 전자빔 노광 방법 KR100326955B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9-131539 1997-05-22
JP9131539A JPH10321507A (ja) 1997-05-22 1997-05-22 電子線露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980087267A true KR19980087267A (ko) 1998-12-05
KR100326955B1 KR100326955B1 (ko) 2002-06-26

Family

ID=15060452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980018399A KR100326955B1 (ko) 1997-05-22 1998-05-21 이동 스테이지를 사용한 전자빔 노광 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6040583A (ko)
JP (1) JPH10321507A (ko)
KR (1) KR100326955B1 (ko)
CN (1) CN1201165A (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2002217880A1 (en) * 2000-11-15 2002-05-27 Scimed Life Systems, Inc. Device and method for treating female urinary incontinence
US7005221B2 (en) * 2002-08-29 2006-02-28 International Business Machines Corporation Method and apparatus to easily measure reticle blind positioning with an exposure apparatus
JP5945222B2 (ja) * 2012-12-20 2016-07-05 株式会社ニューフレアテクノロジー ドリフト補正方法および描画データの作成方法
JP2015095524A (ja) * 2013-11-11 2015-05-18 キヤノン株式会社 描画装置、および物品の製造方法
US10199283B1 (en) 2015-02-03 2019-02-05 Pdf Solutions, Inc. Method for processing a semiconductor wager using non-contact electrical measurements indicative of a resistance through a stitch, where such measurements are obtained by scanning a pad comprised of at least three parallel conductive stripes using a moving stage with beam deflection to account for motion of the stage
US10978438B1 (en) 2015-12-16 2021-04-13 Pdf Solutions, Inc. IC with test structures and E-beam pads embedded within a contiguous standard cell area
US9905553B1 (en) 2016-04-04 2018-02-27 Pdf Solutions, Inc. Integrated circuit containing standard logic cells and library-compatible, NCEM-enabled fill cells, including at least via-open-configured, AACNT-short-configured, GATECNT-short-configured, and metal-short-configured, NCEM-enabled fill cells
US10096530B1 (en) 2017-06-28 2018-10-09 Pdf Solutions, Inc. Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including merged-via open configured fill cells, and the second DOE including stitch open configured fill cells
US11328899B2 (en) 2019-10-01 2022-05-10 Pdf Solutions, Inc. Methods for aligning a particle beam and performing a non-contact electrical measurement on a cell using a registration cell
US11340293B2 (en) 2019-10-01 2022-05-24 Pdf Solutions, Inc. Methods for performing a non-contact electrical measurement on a cell, chip, wafer, die, or logic block

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63127532A (ja) * 1986-11-17 1988-05-31 Toshiba Corp 荷電ビ−ム描画方法
US5349197A (en) * 1991-09-30 1994-09-20 Fujitsu Limited Method for exposing a pattern on an object by a charged particle beam
JPH06151287A (ja) * 1992-11-05 1994-05-31 Hitachi Ltd 電子線描画方法および装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6040583A (en) 2000-03-21
CN1201165A (zh) 1998-12-09
JPH10321507A (ja) 1998-12-04
KR100326955B1 (ko) 2002-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5036209A (en) Fabrication method for semiconductor devices and transparent mask for charged particle beam
US6049085A (en) Charged particle beam exposure method and method for making patterns on wafer
US4743766A (en) Method of drawing a desired pattern on a target through exposure thereof with an electron beam
KR100326955B1 (ko) 이동 스테이지를 사용한 전자빔 노광 방법
JPH02114512A (ja) 荷電粒子ビーム露光を用いた半導体装置の製造方法
US5894057A (en) Charged beam drawing method
US6503671B1 (en) Electron beam writing method
US5250812A (en) Electron beam lithography using an aperture having an array of repeated unit patterns
GB2349737A (en) Electron beam exposure apparatus
US6015643A (en) Mask used in charged particle beam projecting apparatus
US6574789B1 (en) Exposing method and apparatus for semiconductor integrated circuits
US4989156A (en) Method of drawing a pattern on wafer with charged beam
KR19980079453A (ko) 하전입자 빔 노광방법 및 그 노광장치
KR100256520B1 (ko) 전자빔 기록 장치와 그 곳에 사용되는 제2구멍부재 및 가변 성형 빔 크기의 조정방법
US4644170A (en) Method of electron beam exposure
KR100264191B1 (ko) 하전 입자빔을 사용하는 패턴 드로잉 방법 및 장치
JPH06168869A (ja) 電子線描画方法及びその装置
US5432314A (en) Transparent mask plate for charged particle beam exposure apparatus and charged particle beam exposure process using the transparent mask plate
US6288407B1 (en) Electron beam-writing apparatus and electron beam-writing method
JPS5924538B2 (ja) パタ−ン形成方法
EP0153864A2 (en) A method of electron beam exposure
KR100285925B1 (ko) 전자선묘화용eb마스크제조방법및eb마스크제조장치
JP2871617B2 (ja) 電子線露光方法
US5696587A (en) Metal target for laser repair of dies
JPH09258429A (ja) ブロック露光におけるブロック搭載方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee