JP4169854B2 - ウエハ平坦化方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 65
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 34
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 27
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 14
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、ウエハ表面の凸部を活性種ガスにより局部的にエッチングして平坦化し、あるいはウエハの相対的に厚い部分を局部的にエッチングしてウエハの厚さ分布を均一にするためのウエハ平坦化方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図6は、従来のウエハ平坦化方法の一例を示すための局部エッチング装置の概略断面図である。
図6において、符号100はプラズマ発生器であり、プラズマ発生器100で生成したプラズマ中の活性種ガスGを、ノズル部101からシリコンウエハWの表面に噴射する。
シリコンウエハWはステージ120上に載置固定されており、ステージ120を水平方向に移動させることで、シリコンウエハWの表面のうち規定厚さよりも相対的に厚い部分(以下、「相対厚部」という)Waをノズル部101の真下に導く。
そして、活性種ガスGをノズル部101から凸状の相対厚部Waに噴射し、相対厚部Waを局部的にエッチングすることで、シリコンウエハWの表面厚さ分布を均一化することにより、シリコンウエハWの表面を平坦化する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記した従来のウエハ平坦化方法では、次のような問題があった。
ノズル部101から噴射される活性種ガスG中には中性ラジカルの他にも多数のイオンが含まれており、これらのイオンもシリコンウエハWに衝突するので、イオンが衝突した部分が大きなダメージを受ける。この結果、シリコンウエハWの表面粗さ(micro-roughness)が大きくなってしまう。
【0004】
この発明は上述した課題を解決するためになされたもので、プラズマ放電部位とウエハ表面との距離を所定値に維持しながら局部エッチングすることで、ウエハの表面粗さの改善を図ったウエハ平坦化方法を提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1の発明は、放電管内の所定のガスをプラズマ放電させて活性種ガスを生成し、この活性種ガスを放電管のノズル部から噴射するプラズマ発生過程と、放電管のノズル部をシリコンウエハの表面に沿って相対的に移動させながら、シリコンウエハの表面に存在する相対厚部を、ノズル部から噴射する活性種ガスによって局部的にエッチングする局部エッチング過程とを具備するウエハ平坦化方法において、所定のガスのプラズマ放電部位の略中心からシリコンウエハの表面までの距離を、活性種ガス中のイオンが活性種ガス中での衝突の繰り返しや寿命によって消滅する距離以上の距離であって且つシリコンウエハのエッチング深さが略所望値になるような距離に設定し、所定のガスは、六フッ化硫黄のガスであり、プラズマ放電部位の略中心からシリコンウエハの表面までの距離は、活性種ガス中に生じたイオンの平均自由行程の3000倍より大きく且つ6000倍よりも小さい距離であり、シリコンウエハのエッチング深さは、1トル( Torr )の圧力下で六フッ化硫黄のガスをプラズマ放電して生成した活性種ガスによって得る1秒間当たり0.1μm以上の深さである構成とした。
かかる構成により、プラズマ発生過程の実行によって、放電管内の六フッ化硫黄のガスがプラズマ放電されて活性種ガスが生成され、この活性種ガスが放電管のノズル部から噴射される。そして、局部エッチング過程の実行により、放電管のノズル部がシリコンウエハの表面に沿って相対的に移動させられ、シリコンウエハの表面に存在する相対厚部がノズル部から噴射する活性種ガスによって局部的にエッチングされる。この過程をシリコンウエハ全面に対して実行することにより、シリコンウエハの全表面が平坦化される。ところで、活性種ガス中には多数のイオンが存在する。このため、活性種ガスをシリコンウエハに噴き当てると、イオンがシリコンウエハ表面にダメージを与え、シリコンウエハの表面粗さが大きくなってしまう。しかし、この発明では、六フッ化硫黄のガスのプラズマ放電部位の略中心からシリコンウエハの表面までの距離を、活性種ガス中のイオンが活性種ガス中での衝突の繰り返しや寿命で消滅する距離以上の距離、すなわち、活性種ガス中に生じたイオンの平均自由行程の3000倍より大きく且つ6000倍よりも小さい距離に設定してあるので、イオンはシリコンウエハ表面に至るまでに消滅し、中性ラジカルのみがシリコンウエハ表面に噴き当たることとなる。かといって、プラズマ放電部位の略中心からシリコンウエハの表面までの距離が余り大きいと、シリコンウエハに到達する中性ラジカルの量が減少し、所望のエッチング形状を得ることができない。しかし、この発明では、距離を活性種ガスによるシリコンウエハのエッチング深さが略所望値になるような距離、すなわち、1トルの圧力下で六フッ化硫黄のガスをプラズマ放電して生成した活性種ガスによって得る1秒間当たり0.1μm以上の深さに設定してあるので、所望のエッチング形状を得ることができる。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係るウエハ平坦化方法を実行するための局部エッチング装置を示す概略構成図である。
図1に示すように、局部エッチング装置は、プラズマ発生器1と、アルミナ放電管2と、ガス供給装置3と、X−Y駆動機構5と、Z駆動機構6とを具備している。
【0008】
プラズマ発生器1は、アルミナ放電管2内のガスをプラズマ放電させて中性ラジカルを含んだ活性種ガスGを生成するための器機であり、マイクロ波発振器10と導波管11とよりなる。
マイクロ波発振器10は、マグネトロンであり、所定周波数のマイクロ波Mを発振することができる。
導波管11は、マイクロ波発振器10から発振されたマイクロ波Mを伝搬するためのもので、アルミナ放電管2に外挿されている。
このような導波管11の左側端内部には、マイクロ波Mを反射して定在波を形成する反射板(ショートプランジャ)12が取り付けられている。また、導波管11の中途には、マイクロ波Mの位相合わせを行う3スタブチューナ13と、マイクロ波発振器10に向かう反射マイクロ波Mを90゜方向(図1の表面方向)に曲げるアイソレータ14とが取り付けられている。
【0009】
アルミナ放電管2は、下端部にノズル部20を有した円筒体であり、上端部には、ガス供給装置3の供給パイプ30が連結されている。
ガス供給装置3は、アルミナ放電管2内にガスを供給するための装置であり、SF6(六フッ化硫黄)ガスのボンベ31を有し、ボンベ31がバルブ32と流量制御器33を介して供給パイプ30に連結されている。
【0010】
プラズマ発生器1がかかる構成を採ることにより、ガス供給装置3からアルミナ放電管2にガスを供給すると共に、マイクロ波発振器10からマイクロ波Mを発振すると、アルミナ放電管2内においてプラズマ放電が行われ、プラズマ放電で生成された活性種ガスGがノズル部20から噴射される。
【0011】
シリコンウエハWは、チャンバー4内のチャック40上に配置されると、チャック40の静電気力で吸着されるようになっている。チャンバー4には、真空ポンプ41が取り付けられており、この真空ポンプ41によってチャンバー4内を真空にすることができる。また、チャンバー4の上面中央部には、孔42が穿設され、この孔42を介してアルミナ放電管2のノズル部20がチャンバー4内に挿入されている。また、孔42とアルミナ放電管2との間にはO−リング43が装着され、孔42とアルミナ放電管2との間が気密に保持されている。そして、このような孔42に挿入されたノズル部20の周囲には、ダクト44が設けられ、真空ポンプ45の駆動によって、エッチング時の反応生成ガスをチャンバー4外部に排出することができる。
【0012】
X−Y駆動機構5は、このようなチャンバー4内に配されており、チャック40を下方から支持している。
このX−Y駆動機構5は、そのX駆動モータ50によってチャック40を図1の左右に移動させ、そのY駆動モータ51によってチャック40とX駆動モータ50とを一体に図1の紙面表裏に移動させる。すなわち、このX−Y駆動機構5によって、ノズル部20をシリコンウエハWに対して相対的にX−Y方向に移動させることができる
Z駆動機構6は、チャンバー4内のX−Y駆動機構5全体を下方から支持している。このZ駆動機構6は、そのZ駆動モータ60によって、X−Y駆動機構5全体を上下に移動させて、ノズル部20の開口20aとシリコンウエハW表面との距離を調整することができる。
【0013】
次に、上記局部エッチング装置を用いてこの実施形態のウエハ平坦化方法を実行する方法について説明する。
【0014】
まず、図1に示す真空ポンプ41を駆動してチャンバー4内を所定の低気圧状態にすると共に、Z駆動機構6を駆動してX−Y駆動機構5全体を上昇させ、シリコンウエハWをノズル部20の開口20aに近付ける。
このとき、図2に示すように、SF6ガスのプラズマ放電部位の略中心PからシリコンウエハWの表面Wc迄の距離Lを、SF6ガスのプラズマ放電で生成された活性種ガスG中のイオン(荷電活性種)が、活性種ガスG中で他のイオン等の粒子等との衝突の繰り返しや寿命によって消滅する距離に設定する。具体的には、1Torrの圧力下でSF6ガスをプラズマ放電して生成した活性種ガスG中のイオンの平均自由行程は約5×10−5mであるので、この平均自由行程の3000倍より大きく且つ6000倍より小さい距離、即ち150mm〜300mmの範囲の距離に設定する。また、シリコンウエハWの表面Wcに吹き当たる活性種ガスGによるシリコンウエハWのエッチング深さが1秒間当たり0.1μm以上の範囲の値になるように、上記距離Lを設定する。
【0015】
そして、プラズマ発生過程を実行する。
すなわち、ガス供給装置3のバルブ32を開き、ボンベ31内のSF6ガスを供給パイプ30に流出して、アルミナ放電管2内に供給する。
このとき、バルブ32の開度を調整して、SF6ガスの圧力を所定の圧力に維持すると共に、流量制御器33によりSF6ガスの流量を300SCCMに調整する。
【0016】
そして、上記SF6ガスの供給作業と並行して、マイクロ波発振器10を駆動する。すると、SF6ガスがマイクロ波Mによってプラズマ放電されて、中性ラジカルであるF(フッ素)ラジカル(中性活性種)を含んだ活性種ガスGが生成される。これにより、活性種ガスGがアルミナ放電管2のノズル部20に案内されて、ノズル部20の開口20aからシリコンウエハW側に噴射される。
【0017】
この状態で、局部エッチング過程を実行する。
制御コンピュータ49によりX−Y駆動機構5を駆動し、シリコンウエハWを吸着したチャック40をX−Y方向にジグザグ状に移動する。
すなわち、図3に示すように、ノズル部20をシリコンウエハWに対して相対的にジグザグ状に走査させる。このとき、ノズル部20のシリコンウエハWに対する相対速度は、相対厚部の厚さに略反比例するように設定しておく。これにより、図4に示すように、ノズル部20が非相対厚部Wbの真上を高速度で移動し、相対厚部Waの上方にくると相対厚部Waの厚さに応じて速度を下げる。この結果、相対厚部Waに対するエッチング時間が長くなり、相対厚部Waが平坦に削られることとなる。このようにして、シリコンウエハWの表面全面を順次局部エッチングすることで、シリコンウエハW表面を平坦化することができる。
【0018】
ところで、上記プラズマ発生過程において、プラズマ放電部位で生成された活性種ガスG中には、多数のイオンA− が含まれる。このため、上記局部エッチング過程を実行すると、これらのイオンA−が、フッ素の中性ラジカルF* と共に、アルミナ放電管2内を開口20a側にダウンフローし、これらのイオンA−が開口20aから噴出して、シリコンウエハWの表面Wcにダメージを与えるおそれがある。
しかし、この実施形態では、プラズマ放電部位の略中心PからシリコンウエハWの表面Wcまでの距離Lを150mm〜300mmの範囲の距離に設定したので、図5に示すように、イオンA−がアルミナ放電管2の内壁や他の粒子Bに衝突する回数が多くなる。このため、イオンA−はノズル部20の開口20aから噴射される前に消滅することとなる。この結果、直進性に優れしかも衝突で消滅しない中性ラジカルF*を含み且つイオンA−を含まない活性種ガスGのみがシリコンウエハWの表面Wcに噴射されることとなる。したがって、表面Wcはダメージを受けることなく、中性ラジカルF*によってエッチングされる。しかも、活性種ガスGによるシリコンウエハWのエッチング深さが1秒間当たり0.1μm以上の値に設定されているので、高密度の中性ラジカルF*が表面Wcに噴き当たることになり、所定のエッチングレートを確保することができる。
【0019】
このように、この実施形態のウエハ平坦化方法によれば、中性ラジカルF*を含み且つイオンA−を含まない活性種ガスGのみをシリコンウエハWの表面Wcに噴射することができるので、局部エッチングによるシリコンウエハWの表面粗さを小さくすることができる。例えば、プラズマ放電部位の略中心PからシリコンウエハWの表面Wcまでの距離Lを150mm〜300mmの範囲の距離よりも短く即ちノズル部20の開口20aを上記実施形態の場合よりも近づけて、局部エッチング過程を実行したところ、シリコンウエハWの表面粗さが5Å〜10Åであったが、上記距離Lに設定して、局部エッチング過程を実行すると、シリコンウエハWの表面粗さが2Å〜3Åになり、表面粗さが非常に向上した。
【0020】
なお、この発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施形態では、放電管として、アルミナ放電管2を用いたが、アルミナ放電管2の代わりに、石英放電管や窒化アルミニウム放電管を用いても同様の効果を得ることができることは勿論である。
また、上記実施形態では、プラズマ発生器として、マイクロ波を発振してプラズマを発生するプラズマ発生器1を用いたが、活性種ガスを生成しうる手段であれば良く、例えば高周波によってプラズマを発生して活性種ガスを生成するプラズマ発生器など各種のプラズマ発生器を用いることができることは勿論である。
【0021】
【発明の効果】
以上詳しく説明したように、この発明のウエハ平坦化方法によれば、六フッ化硫黄のガスのプラズマ放電部位の略中心からシリコンウエハの表面までの距離を、活性種ガス中のイオンが活性種ガス中での衝突の繰り返しで消滅する距離以上の距離に設定してあるので、イオンはシリコンウエハ表面に至るまでに消滅し、中性ラジカルのみがシリコンウエハ表面に噴き当たる。この結果、イオンがシリコンウエハ表面に達することはほとんどなく、中性ラジカルのみがシリコンウエハ表面に達して、そのエッチングに寄与するので、シリコンウエハの表面粗さが向上する。しかも、上記距離をシリコンウエハのエッチング深さが略所望値になるような距離に設定してあるので、所望のエッチング形状を得ることができる。すなわち、この発明は、所望のエッチング形状を維持しながら、シリコンウエハの表面粗さを改善することができるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係るウエハ平坦化方法を実行するための局部エッチング装置を示す概略構成図である。
【図2】プラズマ放電部位の略中心からウエハの表面までの距離を説明するための断面図である。
【図3】ノズル部のシリコンウエハに対する走査状態を示す平面図である。
【図4】局部エッチング過程を示す断面図である。
【図5】イオンの衝突状態を示す概略図である。
【図6】従来のウエハ平坦化方法の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
1…プラズマ発生器、 2…アルミナ放電管、 3…ガス供給装置、 5…X−Y駆動機構、 6…Z駆動機構、 20…ノズル部、 A−…イオン、 F*…中性ラジカル、 L…プラズマ放電部位の略中心からシリコンウエハの表面迄の距離、 W…シリコンウエハ、 Wc…表面、 Wa…相対厚部。
Claims (1)
- 放電管内の所定のガスをプラズマ放電させて活性種ガスを生成し、この活性種ガスを放電管のノズル部から噴射するプラズマ発生過程と、上記放電管のノズル部をシリコンウエハの表面に沿って相対的に移動させながら、シリコンウエハの表面に存在する相対厚部を、ノズル部から噴射する活性種ガスによって局部的にエッチングする局部エッチング過程とを具備するウエハ平坦化方法において、
上記所定のガスのプラズマ放電部位の略中心から上記シリコンウエハの表面までの距離を、上記活性種ガス中のイオンが活性種ガス中での衝突の繰り返しや寿命によって消滅する距離以上の距離であって且つシリコンウエハのエッチング深さが略所望値になるような距離に設定し、
上記所定のガスは、六フッ化硫黄のガスであり、
上記プラズマ放電部位の略中心から上記シリコンウエハの表面までの距離は、上記活性種ガス中に生じたイオンの平均自由行程の3000倍より大きく且つ6000倍よりも小さい距離であり、
上記シリコンウエハのエッチング深さは、1トル( Torr )の圧力下で上記六フッ化硫黄のガスをプラズマ放電して生成した上記活性種ガスによって得る1秒間当たり0.1μm以上の深さである、
ことを特徴とするウエハ平坦化方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03430599A JP4169854B2 (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | ウエハ平坦化方法 |
US09/392,131 US6303511B2 (en) | 1999-02-12 | 1999-09-08 | Wafer flattening process |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03430599A JP4169854B2 (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | ウエハ平坦化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000232097A JP2000232097A (ja) | 2000-08-22 |
JP4169854B2 true JP4169854B2 (ja) | 2008-10-22 |
Family
ID=12410458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03430599A Expired - Lifetime JP4169854B2 (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | ウエハ平坦化方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6303511B2 (ja) |
JP (1) | JP4169854B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3871433B2 (ja) * | 1998-03-10 | 2007-01-24 | スピードファム株式会社 | ウエハ平坦化方法及び記録媒体 |
US6451217B1 (en) * | 1998-06-09 | 2002-09-17 | Speedfam-Ipec Co., Ltd. | Wafer etching method |
JP2001244249A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Speedfam Co Ltd | 局部エッチング装置の放電管及びテーパ型放電管を用いた局部エッチング装置 |
US7510664B2 (en) * | 2001-01-30 | 2009-03-31 | Rapt Industries, Inc. | Apparatus and method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for shaping of damage free surfaces |
DE10302342A1 (de) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Schott Glas | Substrat für die EUV-Mikrolithographie und Herstellverfahren hierfür |
CN103109350A (zh) | 2010-09-30 | 2013-05-15 | 飞思卡尔半导体公司 | 处理半导体晶片的方法、半导体晶片以及半导体器件 |
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WO2017037775A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 富士機械製造株式会社 | プラズマ照射装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6175529A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法及び装置 |
DE3853890T2 (de) * | 1987-01-19 | 1995-10-19 | Hitachi Ltd | Mit einem Plasma arbeitendes Gerät. |
US5376224A (en) * | 1992-02-27 | 1994-12-27 | Hughes Aircraft Company | Method and apparatus for non-contact plasma polishing and smoothing of uniformly thinned substrates |
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-
1999
- 1999-02-12 JP JP03430599A patent/JP4169854B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-08 US US09/392,131 patent/US6303511B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20010002336A1 (en) | 2001-05-31 |
US6303511B2 (en) | 2001-10-16 |
JP2000232097A (ja) | 2000-08-22 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080212 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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