JPH09115887A - プラズマエッチング方法及びその装置 - Google Patents
プラズマエッチング方法及びその装置Info
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- JPH09115887A JPH09115887A JP7291883A JP29188395A JPH09115887A JP H09115887 A JPH09115887 A JP H09115887A JP 7291883 A JP7291883 A JP 7291883A JP 29188395 A JP29188395 A JP 29188395A JP H09115887 A JPH09115887 A JP H09115887A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被エッチング物表面に損傷を与えず、高速エ
ッチングが可能なプラズマエッチング方法及びその装置
を提供する。 【解決手段】 マグネトロン４にて発生したマイクロ波
をエッチングガスに照射してプラズマ化したエッチング
ガスをプラズマエッチングガス導管５ａを介して被エッ
チング物８に局部的に吹き付け、局部エッチングを行
う。最初にプラズマエッチングガス導管５ａを縮め、同
時にホルダ９を上昇させて、被エッチング物８とプラズ
マエッチングガス発生領域１２間を近距離にしてイオン
エッチングを行う。その後、プラズマエッチングガス導
管５ａを伸ばし、同時にホルダ９を降下させて遠距離に
して中性ラジカルエッチングを行う。この中性ラジカル
エッチングを行うことによりイオンエッチングの際に被
エッチング物表面に形成された損傷を除くことができ
る。
ッチングが可能なプラズマエッチング方法及びその装置
を提供する。 【解決手段】 マグネトロン４にて発生したマイクロ波
をエッチングガスに照射してプラズマ化したエッチング
ガスをプラズマエッチングガス導管５ａを介して被エッ
チング物８に局部的に吹き付け、局部エッチングを行
う。最初にプラズマエッチングガス導管５ａを縮め、同
時にホルダ９を上昇させて、被エッチング物８とプラズ
マエッチングガス発生領域１２間を近距離にしてイオン
エッチングを行う。その後、プラズマエッチングガス導
管５ａを伸ばし、同時にホルダ９を降下させて遠距離に
して中性ラジカルエッチングを行う。この中性ラジカル
エッチングを行うことによりイオンエッチングの際に被
エッチング物表面に形成された損傷を除くことができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマエッチング、
特に、被エッチング物の表面を局部的にエッチングする
プラズマエッチング方法及びその装置に関する。
特に、被エッチング物の表面を局部的にエッチングする
プラズマエッチング方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】これまで、シリコンウェハ等の被エッチ
ング物の表面をプラズマエッチングする場合、プラズマ
励起した反応性ガス中に被エッチング物をさらして、被
エッチング物表面全体を所定厚さにエッチングすること
は、多々提案されている。
ング物の表面をプラズマエッチングする場合、プラズマ
励起した反応性ガス中に被エッチング物をさらして、被
エッチング物表面全体を所定厚さにエッチングすること
は、多々提案されている。
【０００３】一方、近年、被エッチング物の表面全体を
同時にエッチングする技術に代えてシリコンウェハやＳ
ＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）等の被エッチ
ング物の表面を局部的にエッチングして、薄くしたり
（シンニング）、平坦化するダウンストリーム型のプラ
ズマエッチング装置が提案されている（例えば、特開平
６ー５５７１号公報）。
同時にエッチングする技術に代えてシリコンウェハやＳ
ＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）等の被エッチ
ング物の表面を局部的にエッチングして、薄くしたり
（シンニング）、平坦化するダウンストリーム型のプラ
ズマエッチング装置が提案されている（例えば、特開平
６ー５５７１号公報）。
【０００４】前記提案されたプラズマエッチング装置
は、プラズマチャンバ空洞を限定する絶縁体と、該プラ
ズマチャンバ空洞内に反応性ガスを供給する手段と、反
応性ガスをプラズマ化する高周波パワー供給手段と、被
エッチング物の局部的領域をプラズマエッチングする手
段と、被エッチング物を移動させるＸ−Ｙ位置移動手段
とを備えている。
は、プラズマチャンバ空洞を限定する絶縁体と、該プラ
ズマチャンバ空洞内に反応性ガスを供給する手段と、反
応性ガスをプラズマ化する高周波パワー供給手段と、被
エッチング物の局部的領域をプラズマエッチングする手
段と、被エッチング物を移動させるＸ−Ｙ位置移動手段
とを備えている。
【０００５】そして、前記Ｘ−Ｙ位置移動手段はハウジ
ング内に収容固定されるとともに、該ハウシングの底部
には、反応生成物を真空排気するための排気手段を備え
ている。前記構造を備えたプラズマエッチング装置によ
れば、被エッチング物をＸＹ移動手段にて移動させるこ
とにより、図３に示すように被エッチング物１を局部的
に、例えば凸部２をエッチングすることが可能となる。
ング内に収容固定されるとともに、該ハウシングの底部
には、反応生成物を真空排気するための排気手段を備え
ている。前記構造を備えたプラズマエッチング装置によ
れば、被エッチング物をＸＹ移動手段にて移動させるこ
とにより、図３に示すように被エッチング物１を局部的
に、例えば凸部２をエッチングすることが可能となる。
【０００６】このプラズマエッチング法による局部エッ
チングは、被エッチング物を平坦化、平滑化するのに有
効である。しかしながら、プラズマ中で発生した高エネ
ルギーイオンは被エッチング物を構成する原子と衝突・
反応し、エッチングするという原理から、被エッチング
物表面の損傷や被エッチング物内部へのイオン浸入によ
る汚染３されることは避けられない。
チングは、被エッチング物を平坦化、平滑化するのに有
効である。しかしながら、プラズマ中で発生した高エネ
ルギーイオンは被エッチング物を構成する原子と衝突・
反応し、エッチングするという原理から、被エッチング
物表面の損傷や被エッチング物内部へのイオン浸入によ
る汚染３されることは避けられない。
【０００７】このため、プラズマパワーを減じてイオン
エネルギーを下げ、被エッチング物の表面損傷や内部汚
染を防ぐ方法も考えられるが、被エッチング物表面に生
ずる自己バイアス電場によるイオン加速で被エッチング
物表面でのイオンエネルギーはそれほど低下せず、期待
通りの効果は得られていない。
エネルギーを下げ、被エッチング物の表面損傷や内部汚
染を防ぐ方法も考えられるが、被エッチング物表面に生
ずる自己バイアス電場によるイオン加速で被エッチング
物表面でのイオンエネルギーはそれほど低下せず、期待
通りの効果は得られていない。
【０００８】さらに、イオンエネルギーの低下はエッチ
ング速度の低下を招き、前記問題点の解決方法としては
現実性のないものである。このため、エッチングで生じ
た損傷あるいは汚染層は機械・化学的な方法にて再度研
磨して除去するといった非効率な方法を採らざるをえな
い。
ング速度の低下を招き、前記問題点の解決方法としては
現実性のないものである。このため、エッチングで生じ
た損傷あるいは汚染層は機械・化学的な方法にて再度研
磨して除去するといった非効率な方法を採らざるをえな
い。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、局部的にエ
ッチング可能なプラズマエッチング方法、及びその装置
において、被エッチング物表面に損傷を与えず、高速な
エッチング処理を行うことができるエッチング方法及び
その装置を提案するものである。
ッチング可能なプラズマエッチング方法、及びその装置
において、被エッチング物表面に損傷を与えず、高速な
エッチング処理を行うことができるエッチング方法及び
その装置を提案するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマエッチ
ング方法は、プラズマ化したエッチングガスにて被エッ
チング物を局部的にイオンエッチングし、その後中性ラ
ジカルエッチングを行うことを特徴とする。イオンエッ
チングは、プラズマエッチングガス発生領域の中心と被
エッチング物間の距離を近距離で行い、中性ラジカルエ
ッチングを遠距離で行う。前記方法を実施するエッチン
グ装置に、プラズマエッチングガス発生領域の中心と被
エッチング物間の距離を変える距離可変手段を設ける。
ング方法は、プラズマ化したエッチングガスにて被エッ
チング物を局部的にイオンエッチングし、その後中性ラ
ジカルエッチングを行うことを特徴とする。イオンエッ
チングは、プラズマエッチングガス発生領域の中心と被
エッチング物間の距離を近距離で行い、中性ラジカルエ
ッチングを遠距離で行う。前記方法を実施するエッチン
グ装置に、プラズマエッチングガス発生領域の中心と被
エッチング物間の距離を変える距離可変手段を設ける。
【００１１】
【実施例】本発明のプラズマエッチング方法及びその装
置を図１に基づいて説明する。図１に示すプラズマエッ
チング装置１０において、４はマグネトロンであって
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生する。該マグネトロ
ン４から発生したマイクロ波は導波管６に導かれる。
置を図１に基づいて説明する。図１に示すプラズマエッ
チング装置１０において、４はマグネトロンであって
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生する。該マグネトロ
ン４から発生したマイクロ波は導波管６に導かれる。
【００１２】５は石英反応管であって、該石英反応管５
は前記導波管６に結合している。そして、前記石英反応
管５に供給されるエッチングガス、例えばＣＦ4 とＯ2
の混合ガスにガス流路上に設けられた結合窓７から前記
マグネトロン４で発生したマイクロ波を照射するとエッ
チングガスがプラズマ化し、プラズマエッチングガス発
生領域１２が形成される。この際、前記マイクロ波のパ
ワーは前記石英反応管５の径によって変える必要がある
が、１００Ｗ〜５００Ｗの範囲内のパワーでプラズマ化
する。以下、このプラズマエッチングガス発生領域１２
でプラズマ化したエッチングガスをプラズマエッチング
ガスと称して説明する。
は前記導波管６に結合している。そして、前記石英反応
管５に供給されるエッチングガス、例えばＣＦ4 とＯ2
の混合ガスにガス流路上に設けられた結合窓７から前記
マグネトロン４で発生したマイクロ波を照射するとエッ
チングガスがプラズマ化し、プラズマエッチングガス発
生領域１２が形成される。この際、前記マイクロ波のパ
ワーは前記石英反応管５の径によって変える必要がある
が、１００Ｗ〜５００Ｗの範囲内のパワーでプラズマ化
する。以下、このプラズマエッチングガス発生領域１２
でプラズマ化したエッチングガスをプラズマエッチング
ガスと称して説明する。
【００１３】９は被エッチング物８を保持する上下動可
能なホルダであって、該ホルダ９は後述する負バイアス
電圧を印加する電極を兼ねている。また、前記石英反応
管５は、プラズマエッチングガスを吹き出すノズル５ｂ
を含むプラズマエッチングガス導管５ａを備え、前記ホ
ルダ９の上下動に対応してして伸縮できるように構成さ
れている。
能なホルダであって、該ホルダ９は後述する負バイアス
電圧を印加する電極を兼ねている。また、前記石英反応
管５は、プラズマエッチングガスを吹き出すノズル５ｂ
を含むプラズマエッチングガス導管５ａを備え、前記ホ
ルダ９の上下動に対応してして伸縮できるように構成さ
れている。
【００１４】前記伸縮機構は、一例としてプラズマエッ
チングガス導管５ａの箇所を二重管で構成し、外側の管
をスリーブ状にして上下動できるように伸縮ノズル５ｃ
を設けて構成する。これについては図２に基づいて後述
する。
チングガス導管５ａの箇所を二重管で構成し、外側の管
をスリーブ状にして上下動できるように伸縮ノズル５ｃ
を設けて構成する。これについては図２に基づいて後述
する。
【００１５】そして、前記マグネトロン４を除く構成物
は石英製チャンバ７内に収容され、該チャンバ７内は図
示しない真空排気装置にて排気口１３から排気され、
０．５〜１．３Ｔｏｒｒ、好ましくは１Ｔｏｒｒ前後に
保たれている。なお、エッチングガスをプラズマ化する
方法としてマイクロ波を照射する代わりに、高周波を用
いた誘導結合や容量結合によっても良い。
は石英製チャンバ７内に収容され、該チャンバ７内は図
示しない真空排気装置にて排気口１３から排気され、
０．５〜１．３Ｔｏｒｒ、好ましくは１Ｔｏｒｒ前後に
保たれている。なお、エッチングガスをプラズマ化する
方法としてマイクロ波を照射する代わりに、高周波を用
いた誘導結合や容量結合によっても良い。
【００１６】前記プラズマエッチングガス発生領域１２
中で発生したイオンは、下流に配置された被エッチング
物、例えば、シリコンウェハ８と衝突しエッチング反応
を起こす。この場合、イオンを効率良く引き出すため
に、スイッチ１４をオンして、前記ホルダ９に負バイア
ス電圧１１を印加すればエッチング速度は向上する。こ
こでエッチングガスとして前記混合ガス、ＳＦ6 、ＮＦ
3 その他のフルオロカーボン系ガスを用いる。また、ア
ルゴンをエッチングガスに混合して用いても良い。
中で発生したイオンは、下流に配置された被エッチング
物、例えば、シリコンウェハ８と衝突しエッチング反応
を起こす。この場合、イオンを効率良く引き出すため
に、スイッチ１４をオンして、前記ホルダ９に負バイア
ス電圧１１を印加すればエッチング速度は向上する。こ
こでエッチングガスとして前記混合ガス、ＳＦ6 、ＮＦ
3 その他のフルオロカーボン系ガスを用いる。また、ア
ルゴンをエッチングガスに混合して用いても良い。
【００１７】前記エッチング装置において、チャンバ７
内を１Ｔｏｒｒに排気し、エッチングガスとしてＣＦ4
とＯ2 との混合ガス使用し、１００〜１５０Ｗのマイク
ロ波を照射して前記混合ガスをプラズマ化し、プラズマ
エッチングガス発生領域１２の中心（導波管６の中心線
と石英反応管の中心線とが交叉する点）とシリコンウェ
ハ８間の距離を２０ｍｍ以下としてシリコンウェハ８を
局部的にエッチングしたところ、約５０μｍ／ｍｉｎの
高エッチング速度が得られた。また、この時のシリコン
ウェハ表面を電子顕微鏡で観察したところ、イオン衝撃
による損傷と見られる痕跡が無数に入っており、またＳ
ＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry ）装置で測
定したところ５００Å程度の深さまで金属不純物が微量
であるが検出された。
内を１Ｔｏｒｒに排気し、エッチングガスとしてＣＦ4
とＯ2 との混合ガス使用し、１００〜１５０Ｗのマイク
ロ波を照射して前記混合ガスをプラズマ化し、プラズマ
エッチングガス発生領域１２の中心（導波管６の中心線
と石英反応管の中心線とが交叉する点）とシリコンウェ
ハ８間の距離を２０ｍｍ以下としてシリコンウェハ８を
局部的にエッチングしたところ、約５０μｍ／ｍｉｎの
高エッチング速度が得られた。また、この時のシリコン
ウェハ表面を電子顕微鏡で観察したところ、イオン衝撃
による損傷と見られる痕跡が無数に入っており、またＳ
ＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry ）装置で測
定したところ５００Å程度の深さまで金属不純物が微量
であるが検出された。
【００１８】次に、ホルダ９を降下させ且つ前記プラズ
マエッチングガス導管５ａを伸ばして、プラズマエッチ
ングガス発生領域１２とシリコンウェハ８間の距離を、
例えば５０ｍｍ以上にし、活性種がほとんど中性ラジカ
ルであるような状態で、先にイオンエッチングした箇所
に中性ラジカルエッチングを行った。この時、前記プラ
ズマエッチングガス導管５ａのノズル先端５ｂのプラズ
マ吹き出し口とシリコンウェハ表面間の距離は一定に保
つようになされている。
マエッチングガス導管５ａを伸ばして、プラズマエッチ
ングガス発生領域１２とシリコンウェハ８間の距離を、
例えば５０ｍｍ以上にし、活性種がほとんど中性ラジカ
ルであるような状態で、先にイオンエッチングした箇所
に中性ラジカルエッチングを行った。この時、前記プラ
ズマエッチングガス導管５ａのノズル先端５ｂのプラズ
マ吹き出し口とシリコンウェハ表面間の距離は一定に保
つようになされている。
【００１９】この中性ラジカルエッチングによるエッチ
ング速度は１〜３０μｍ／ｍｉｎ程度であったが、表面
は鏡面状態であり電子顕微鏡で観察しても、表面損傷は
認められなかった。また不純物も観察されなかった。こ
のように、イオンエッチングで受けた表面近傍の損傷
は、その後の中性ラジカルエッチングで除去することが
できる。
ング速度は１〜３０μｍ／ｍｉｎ程度であったが、表面
は鏡面状態であり電子顕微鏡で観察しても、表面損傷は
認められなかった。また不純物も観察されなかった。こ
のように、イオンエッチングで受けた表面近傍の損傷
は、その後の中性ラジカルエッチングで除去することが
できる。
【００２０】次に、前記プラズマエッチングガス発生領
域１２の中心とシリコンウェハ８間をやはり５０ｍｍ
（実線の位置）に保ち、ホルダ９に５０Ｖ以上の負バイ
アス電圧１１を印加すると、プラズマエッチングガス発
生領域１２のイオンがクーロン力によってシリコンウェ
ハ８側に引き寄せられてシリコンウェハ８の近傍のイオ
ン密度が高まり、イオンエッチングが行われる。その後
前記バイアス電圧１１を切ることでイオンの引き寄せを
なくして中性ラジカルエッチングを行う。この実施例に
よっても前記実施例１と同様に高速でかつシリコンウェ
ハへの損傷のないエッチングを実現できた。
域１２の中心とシリコンウェハ８間をやはり５０ｍｍ
（実線の位置）に保ち、ホルダ９に５０Ｖ以上の負バイ
アス電圧１１を印加すると、プラズマエッチングガス発
生領域１２のイオンがクーロン力によってシリコンウェ
ハ８側に引き寄せられてシリコンウェハ８の近傍のイオ
ン密度が高まり、イオンエッチングが行われる。その後
前記バイアス電圧１１を切ることでイオンの引き寄せを
なくして中性ラジカルエッチングを行う。この実施例に
よっても前記実施例１と同様に高速でかつシリコンウェ
ハへの損傷のないエッチングを実現できた。
【００２１】ところで、一般にプラズマ発生領域近傍の
金属体表面では、イオンと電子の移動度の違いから、電
気的に浮遊状態にある金属体に自己バイアスと呼ばれる
負のバイアス電圧が出現することが知られている。この
自己バイアス電圧はガス圧に依存している。
金属体表面では、イオンと電子の移動度の違いから、電
気的に浮遊状態にある金属体に自己バイアスと呼ばれる
負のバイアス電圧が出現することが知られている。この
自己バイアス電圧はガス圧に依存している。
【００２２】前記実施例２では負のバイアス電圧を外部
から電圧を印加したが、前記自己バイアスを利用するこ
ともできる。一例として、前記プラズマエッチング装置
において、前記ホルダ９及びプラズマガス導管５ａを下
げてプラズマエッチングガス発生領域１２の中心とシリ
コンウェハ８間の距離を５０ｍｍに保ち、約０．１ｔｏ
ｒｒ以下で−１００Ｖ程度、１．０ｔｏｒｒ程度で−数
Ｖの自己バイアス電圧を生じさせることができた。
から電圧を印加したが、前記自己バイアスを利用するこ
ともできる。一例として、前記プラズマエッチング装置
において、前記ホルダ９及びプラズマガス導管５ａを下
げてプラズマエッチングガス発生領域１２の中心とシリ
コンウェハ８間の距離を５０ｍｍに保ち、約０．１ｔｏ
ｒｒ以下で−１００Ｖ程度、１．０ｔｏｒｒ程度で−数
Ｖの自己バイアス電圧を生じさせることができた。
【００２３】そこで、この自己バイアス電圧を利用し、
最初は０．１ｔｏｒｒ程度の低圧でイオンエッチングを
行い、その後連続してガス圧を１ｔｏｒｒに上げて中性
ラジカルエッチングを行ったところ実施例１と同様なエ
ッチング効果を得ることができた。
最初は０．１ｔｏｒｒ程度の低圧でイオンエッチングを
行い、その後連続してガス圧を１ｔｏｒｒに上げて中性
ラジカルエッチングを行ったところ実施例１と同様なエ
ッチング効果を得ることができた。
【００２４】図２は、前記プラズマエッチングガス導管
５ａを構成する伸縮ノズル５ｃとホルダ９を上下動させ
る駆動機構の要部断面を示している。図２において、ホ
ルダ９と伸縮ノズル５ｃとが連動して上下に移動させる
ために、チャンバ外部に設けたモータ２４にて駆動され
る上下方向（Ｚ軸方向）移動シャフト１８を備え、該上
下方向移動シャフト１８はチャンバ７内壁に固定したシ
ャフトガイド１９にガイドされて上下方向に移動できる
ようになっている。
５ａを構成する伸縮ノズル５ｃとホルダ９を上下動させ
る駆動機構の要部断面を示している。図２において、ホ
ルダ９と伸縮ノズル５ｃとが連動して上下に移動させる
ために、チャンバ外部に設けたモータ２４にて駆動され
る上下方向（Ｚ軸方向）移動シャフト１８を備え、該上
下方向移動シャフト１８はチャンバ７内壁に固定したシ
ャフトガイド１９にガイドされて上下方向に移動できる
ようになっている。
【００２５】そして、前記上下方向移動シャフト１８に
は、連結体２０を介してホルダ支持棒１５が、また連結
体２１を介して伸縮ノズル５ｃが連結されており、モー
タ２４の駆動により伸縮ノズル５ｃとホルダ支持棒１５
が連動して上下方向に移動する。これによって前記プラ
ズマエッチングガス発生領域１２の中心とホルダ９間の
距離を変えることができる。
は、連結体２０を介してホルダ支持棒１５が、また連結
体２１を介して伸縮ノズル５ｃが連結されており、モー
タ２４の駆動により伸縮ノズル５ｃとホルダ支持棒１５
が連動して上下方向に移動する。これによって前記プラ
ズマエッチングガス発生領域１２の中心とホルダ９間の
距離を変えることができる。
【００２６】一方、前記ホルダ支持棒１５の上端にはホ
ルダ９を前後左右に移動させるＸ−Ｙ駆動ステージが設
けられている。左右方向（Ｘ軸方向）に移動するＸステ
ージ１６は、前記ホルダ支持棒１５の上端と該Ｘステー
ジ１６に設けたすべり機構、例えばあり及びあり溝を形
成してＸステージ１６がホルダ支持棒１５の上端部にお
いて左右にスライドできるように構成されている。前記
Ｘステージ１６はチャンバ７外部に設けたモータ２３に
連結されたフレキシブル回転軸２２を介してボールねじ
２５を回転させることにより左右に移動させてることが
できる。
ルダ９を前後左右に移動させるＸ−Ｙ駆動ステージが設
けられている。左右方向（Ｘ軸方向）に移動するＸステ
ージ１６は、前記ホルダ支持棒１５の上端と該Ｘステー
ジ１６に設けたすべり機構、例えばあり及びあり溝を形
成してＸステージ１６がホルダ支持棒１５の上端部にお
いて左右にスライドできるように構成されている。前記
Ｘステージ１６はチャンバ７外部に設けたモータ２３に
連結されたフレキシブル回転軸２２を介してボールねじ
２５を回転させることにより左右に移動させてることが
できる。
【００２７】さらに、前記ホルダ９の前後方向（Ｙ方
向）の移動は、前記Ｘステージ１６上に直交して設けた
Ｙステージ１７をＸステージ１６の移動と同様に、図示
しないモータ、フレキシブル回転軸、ボールねじを設け
て前後方向に移動させる。前記Ｘステージ１６と前記Ｙ
ステージ１７にも、例えば、あり及びあり溝にてすべり
機構を設けてＹステージ１７をＸステージ１６に直交し
て移動させる。ここで、前記Ｙステージ１７と前記ホル
ダ９との間を電気的に絶縁するために絶縁板９ａを設け
てある。
向）の移動は、前記Ｘステージ１６上に直交して設けた
Ｙステージ１７をＸステージ１６の移動と同様に、図示
しないモータ、フレキシブル回転軸、ボールねじを設け
て前後方向に移動させる。前記Ｘステージ１６と前記Ｙ
ステージ１７にも、例えば、あり及びあり溝にてすべり
機構を設けてＹステージ１７をＸステージ１６に直交し
て移動させる。ここで、前記Ｙステージ１７と前記ホル
ダ９との間を電気的に絶縁するために絶縁板９ａを設け
てある。
【００２８】前記駆動機構を用いることにより、被エッ
チング物８（図１）の局部的エッチング位置の位置決
め、前記イオンエッチング距離及び前記中性ラジカルエ
ッチング距離の調整を任意に行うことが可能となる。
チング物８（図１）の局部的エッチング位置の位置決
め、前記イオンエッチング距離及び前記中性ラジカルエ
ッチング距離の調整を任意に行うことが可能となる。
【００２９】
【発明の効果】本発明プラズマエッチング法及び装置に
よれば、プラズマ発生領域近傍での高エネルギーイオン
エッチングと、その後の中性ラジカルエッチングを組み
合わせることにより、高エッチング速度で低損傷のプラ
ズマエッチングを実現することができる。
よれば、プラズマ発生領域近傍での高エネルギーイオン
エッチングと、その後の中性ラジカルエッチングを組み
合わせることにより、高エッチング速度で低損傷のプラ
ズマエッチングを実現することができる。
【図１】本発明プラズマエッチング装置の要部断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明プラズマエッチング装置の駆動機構の要
部断面図である。
部断面図である。
【図３】被エッチング物の表面状態の断面図である
４ マグネトロン ５ 石英反応管 ５ａ プラズマエッチングガス導管 ５ｃ 伸縮ノズル ６ 導波管 ８ 被エッチング物 ９ ホルダ １１ 負バイアス １２ プラズマエッチングガス発生領域 ２２ フレキシブル回転軸
Claims (6)
- 【請求項１】 プラズマ化したエッチングガスにて被エ
ッチング物を局部的にエッチングするプラズマエッチン
グ方法において、 プラズマ化したエッチングガスにてイオンエッチングを
行い、その後中性ラジカルエッチングを行うことを特徴
とするプラズマエッチング方法。 - 【請求項２】 請求項１のプラズマエッチング方法にお
いて、プラズマエッチングガス発生領域の中心と被エッ
チング物間の距離をエッチング中に変化させることを特
徴とするプラズマエッチング方法。 - 【請求項３】 被エッチング物に負バイアス電圧を印加
してイオンエッチングを行い、その後無バイアスで中性
ラジカルエッチングを行うことを特徴とするプラズマエ
ッチング方法。 - 【請求項４】 プラズマエッチング中のガス圧をプラズ
マエッチング中に変化させることを特徴とするプラズマ
エッチング方法。 - 【請求項５】 被エッチング物表面を局部的にプラズマ
エッチングするプラズマエッチング装置において、 エッチングガスに電磁波を照射してプラズマ化する電磁
波発生手段と、 前記プラズマ化したエッチングガスを被エッチング物表
面に局部的に導くプラズマエッチングガス導管と、 被エッチング物を保持するホルダとを備えてなるプラズ
マエッチング装置において、 前記プラズマエッチングガス導管及び前記ホルダを上下
動させてプラズマエッチングガス発生領域と被エッチン
グ物表面の距離を変える距離可変手段を設けたことを特
徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項６】 請求項５のプラズマエッチング装置にお
いて、ホルダを電極として、該ホルダに負バイアス電圧
を印加するバイアス手段を備えることを特徴とするプラ
ズマエッチング装置。
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0902456A2 (en) * | 1997-09-04 | 1999-03-17 | Speedfam Co., Ltd. | Corrosion-resistant system and method for a plasma etching apparatus |
| JPH11274115A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Ebara Corp | ガスポリッシング方法及びポリッシング装置 |
| EP0975016A1 (en) * | 1998-07-21 | 2000-01-26 | Speedfam Co., Ltd. | Wafer flattening process and system |
| EP1100117A2 (en) * | 1999-11-11 | 2001-05-16 | Speedfam Co.,Ltd. | A surface treatment method for a silicon wafer |
| JP2001176849A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Chemitoronics Co Ltd | プラズマエッチング装置 |
| JP2001176848A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Chemitoronics Co Ltd | プラズマエッチング装置およびこれを用いたエッチングの方法 |
| US6360687B1 (en) | 1998-11-26 | 2002-03-26 | Speedfam-Ipec Co., Ltd | Wafer flattening system |
| US6737812B2 (en) | 2001-09-21 | 2004-05-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP2006278223A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ活性粒子の密度計測方法及び密度計測装置 |
| JP2008052911A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Shinku Device:Kk | プラズマ照射装置 |
| JP2008153404A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Shibaura Mechatronics Corp | 半導体ウェーハの平坦化方法、平坦化装置及び半導体ウェーハの製造方法 |
| US7736998B2 (en) | 2004-05-28 | 2010-06-15 | Sumco Corporation | Silicon-on insulator substrate and method for manufacturing the same |
| WO2024104265A1 (zh) * | 2022-11-18 | 2024-05-23 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 | 一种进气喷嘴装置以及等离子体刻蚀机 |
-
1995
- 1995-10-14 JP JP29188395A patent/JP3582916B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0902456A2 (en) * | 1997-09-04 | 1999-03-17 | Speedfam Co., Ltd. | Corrosion-resistant system and method for a plasma etching apparatus |
| EP0902456A3 (en) * | 1997-09-04 | 2002-06-19 | Speedfam Co., Ltd. | Corrosion-resistant system and method for a plasma etching apparatus |
| JPH11274115A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Ebara Corp | ガスポリッシング方法及びポリッシング装置 |
| EP0975016A1 (en) * | 1998-07-21 | 2000-01-26 | Speedfam Co., Ltd. | Wafer flattening process and system |
| US6280645B1 (en) | 1998-07-21 | 2001-08-28 | Yasuhiro Horiike And Speedfam Co, Ltd. | Wafer flattening process and system |
| US6360687B1 (en) | 1998-11-26 | 2002-03-26 | Speedfam-Ipec Co., Ltd | Wafer flattening system |
| EP1100117A2 (en) * | 1999-11-11 | 2001-05-16 | Speedfam Co.,Ltd. | A surface treatment method for a silicon wafer |
| EP1100117A3 (en) * | 1999-11-11 | 2001-08-29 | Speedfam Co.,Ltd. | A surface treatment method for a silicon wafer |
| JP2001176849A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Chemitoronics Co Ltd | プラズマエッチング装置 |
| JP2001176848A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Chemitoronics Co Ltd | プラズマエッチング装置およびこれを用いたエッチングの方法 |
| US6737812B2 (en) | 2001-09-21 | 2004-05-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US7736998B2 (en) | 2004-05-28 | 2010-06-15 | Sumco Corporation | Silicon-on insulator substrate and method for manufacturing the same |
| JP2006278223A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ活性粒子の密度計測方法及び密度計測装置 |
| JP2008052911A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Shinku Device:Kk | プラズマ照射装置 |
| JP2008153404A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Shibaura Mechatronics Corp | 半導体ウェーハの平坦化方法、平坦化装置及び半導体ウェーハの製造方法 |
| WO2024104265A1 (zh) * | 2022-11-18 | 2024-05-23 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 | 一种进气喷嘴装置以及等离子体刻蚀机 |
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