JPH11274115A - ガスポリッシング方法及びポリッシング装置 - Google Patents
ガスポリッシング方法及びポリッシング装置Info
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- JPH11274115A JPH11274115A JP10089360A JP8936098A JPH11274115A JP H11274115 A JPH11274115 A JP H11274115A JP 10089360 A JP10089360 A JP 10089360A JP 8936098 A JP8936098 A JP 8936098A JP H11274115 A JPH11274115 A JP H11274115A
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- gas
- polishing
- nozzle
- gas injection
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリッシング対象物の微細な凹凸を局所的に
精度良くポリッシングできるガスポリッシング方法及び
ガスポリッシング装置を提供すること。 【解決手段】 ガス噴射ノズル１７、電磁弁１８及びマ
ニホールド１９等からなりガス噴射ノズル１７にポリッ
シングガスを供給するガス供給手段、該ガス供給手段を
制御してガス噴射ノズル１７からパルス状に高速で反応
性のポリッシング用ガスを噴射させるガス噴射制御部１
０を具備し、ポリッシング対象物１６のポリッシング部
位にガス噴射ノズル１７から反応性のポリッシング用ガ
スを高速で且つパルス状に照射してポリッシングするガ
スポリッシング方法及び装置。
精度良くポリッシングできるガスポリッシング方法及び
ガスポリッシング装置を提供すること。 【解決手段】 ガス噴射ノズル１７、電磁弁１８及びマ
ニホールド１９等からなりガス噴射ノズル１７にポリッ
シングガスを供給するガス供給手段、該ガス供給手段を
制御してガス噴射ノズル１７からパルス状に高速で反応
性のポリッシング用ガスを噴射させるガス噴射制御部１
０を具備し、ポリッシング対象物１６のポリッシング部
位にガス噴射ノズル１７から反応性のポリッシング用ガ
スを高速で且つパルス状に照射してポリッシングするガ
スポリッシング方法及び装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等のポ
リッシング対象物のポリッシング部位に反応性のポリッ
シング用ガスを照射して該ポリッシング対象物のポリッ
シング面をポリッシングするガスポリッシング方法及び
ポリッシング装置に関するものである。ここで言うガス
ポリッシングとは、ポリッシング対象物に反応性ガスを
噴射又は照射し、該対象物面を平坦化することのみでは
なく、対象物面に凹凸を形成したり、該対象物面の所定
部位を除去加工すること等も含むものとする。
リッシング対象物のポリッシング部位に反応性のポリッ
シング用ガスを照射して該ポリッシング対象物のポリッ
シング面をポリッシングするガスポリッシング方法及び
ポリッシング装置に関するものである。ここで言うガス
ポリッシングとは、ポリッシング対象物に反応性ガスを
噴射又は照射し、該対象物面を平坦化することのみでは
なく、対象物面に凹凸を形成したり、該対象物面の所定
部位を除去加工すること等も含むものとする。
【０００２】
【従来の技術】ガスによりＳｉウエハ等のポリッシング
対象物をポリッシングするにはプラズマ等によりポリッ
シングガスを活性化すると同時に、該活性化したガスの
流れを電極、磁力などにより制御するのが一般的であ
る。しかし、反応性のポリッシングガスだけでＳｉウエ
ハやＰｏｌｙ−Ｓｉ膜、ＳｉＯ2膜をポリッシングする
こともある。反応性のポリッシングガスだけでポリッシ
ングする場合は、マスフローコントローラーにより、流
量が制御されたポリッシングガスをガス噴射ノズルを通
して、ポリッシング対象物に１０秒〜１０００秒間程度
連続して照射してポリッシングを行っている。
対象物をポリッシングするにはプラズマ等によりポリッ
シングガスを活性化すると同時に、該活性化したガスの
流れを電極、磁力などにより制御するのが一般的であ
る。しかし、反応性のポリッシングガスだけでＳｉウエ
ハやＰｏｌｙ−Ｓｉ膜、ＳｉＯ2膜をポリッシングする
こともある。反応性のポリッシングガスだけでポリッシ
ングする場合は、マスフローコントローラーにより、流
量が制御されたポリッシングガスをガス噴射ノズルを通
して、ポリッシング対象物に１０秒〜１０００秒間程度
連続して照射してポリッシングを行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポリッ
シングガスを上記のように連続的に照射してポリッシン
グする方法では、目的とするポリッシング部位のみだけ
でなくそれ以外の部分もポリッシングされるため、半導
体ウエハ等のポリッシング対象物の面に存在する１〜２
サイクル程度の数千Å程度のうねりや、数μｍ〜数十ｍ
ｍの径で数百〜数千Å程度の凹凸を局所的に精度良くポ
リッシングすることは困難であった。
シングガスを上記のように連続的に照射してポリッシン
グする方法では、目的とするポリッシング部位のみだけ
でなくそれ以外の部分もポリッシングされるため、半導
体ウエハ等のポリッシング対象物の面に存在する１〜２
サイクル程度の数千Å程度のうねりや、数μｍ〜数十ｍ
ｍの径で数百〜数千Å程度の凹凸を局所的に精度良くポ
リッシングすることは困難であった。
【０００４】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、ポリッシング対象物の微細な凹凸を局所的に精度良
くポリッシングできるガスポリッシング方法及びガスポ
リッシング装置を提供することを目的とする。
で、ポリッシング対象物の微細な凹凸を局所的に精度良
くポリッシングできるガスポリッシング方法及びガスポ
リッシング装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、ポリッシング対象物のポリッ
シング部位にガス噴射ノズルから、反応性のポリッシン
グガスを高速で且つパルス状に噴射して照射し、該ポリ
ッシング部位をポリッシングすることを特徴とするガス
ポリッシング方法にある。ここで高速とはノズルから噴
射されるガスの流速が音速と同一の速度から音速の１／
５程度の速度であり、従来のポリッシングでは、ガスを
このような高速でポリッシング対象物に噴射することは
ない。
請求項１に記載の発明は、ポリッシング対象物のポリッ
シング部位にガス噴射ノズルから、反応性のポリッシン
グガスを高速で且つパルス状に噴射して照射し、該ポリ
ッシング部位をポリッシングすることを特徴とするガス
ポリッシング方法にある。ここで高速とはノズルから噴
射されるガスの流速が音速と同一の速度から音速の１／
５程度の速度であり、従来のポリッシングでは、ガスを
このような高速でポリッシング対象物に噴射することは
ない。
【０００６】また、請求項１に記載のガスポリッシング
方法において、ポリッシング対象物へのポリッシングガ
スの照射は真空雰囲気中で行うことを特徴とする。
方法において、ポリッシング対象物へのポリッシングガ
スの照射は真空雰囲気中で行うことを特徴とする。
【０００７】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載のガスポリッシング方法において、パルス状のポ
リッシングガスの噴射回数を制御してポリッシング深さ
を制御することを特徴とする。
に記載のガスポリッシング方法において、パルス状のポ
リッシングガスの噴射回数を制御してポリッシング深さ
を制御することを特徴とする。
【０００８】また、請求項３に記載の発明は、ポリッシ
ングガスを噴射するガス噴射ノズル、該ガス噴射ノズル
にポリッシングガスを供給するガス供給手段、該ガス供
給手段を制御してガス噴射ノズルからパルス状に高速で
反応性のポリッシング用ガスを噴射させるガス噴射制御
手段を具備し、ポリッシング対象物のポリッシング部位
にガス噴射ノズルから反応性のポリッシング用ガスを高
速で且つパルス状に照射してポリッシングすることを特
徴とするガスポリッシング装置にある。
ングガスを噴射するガス噴射ノズル、該ガス噴射ノズル
にポリッシングガスを供給するガス供給手段、該ガス供
給手段を制御してガス噴射ノズルからパルス状に高速で
反応性のポリッシング用ガスを噴射させるガス噴射制御
手段を具備し、ポリッシング対象物のポリッシング部位
にガス噴射ノズルから反応性のポリッシング用ガスを高
速で且つパルス状に照射してポリッシングすることを特
徴とするガスポリッシング装置にある。
【０００９】また、請求項３に記載のガスポリッシング
装置において、ガス噴射ノズル及びポリッシング対象物
は真空チャンバー内に配置されていることを特徴とす
る。
装置において、ガス噴射ノズル及びポリッシング対象物
は真空チャンバー内に配置されていることを特徴とす
る。
【００１０】また、請求項４に記載の発明は、請求項３
に記載のガスポリッシング装置において、ガス供給手段
はガス噴射ノズルの上流側にポリッシングガスを所定の
圧力で貯留するガスだまりを具備し、該ガスだまりから
ガス噴射制御手段の制御によりポリッシング用ガスをガ
ス噴射ノズルからパルス状に噴射することを特徴とす
る。
に記載のガスポリッシング装置において、ガス供給手段
はガス噴射ノズルの上流側にポリッシングガスを所定の
圧力で貯留するガスだまりを具備し、該ガスだまりから
ガス噴射制御手段の制御によりポリッシング用ガスをガ
ス噴射ノズルからパルス状に噴射することを特徴とす
る。
【００１１】また、請求項５に記載の発明は、請求項３
又は４のいずれか１に記載のガスポリッシング装置にお
いて、ガス噴射制御手段はガス噴射ノズルのガス噴射穴
を開閉する回転式ノズル板又は電磁弁からなる開閉手段
を具備し、該開閉手段の開閉制御によりパルス状にポリ
ッシングガスを噴射することを特徴とする。
又は４のいずれか１に記載のガスポリッシング装置にお
いて、ガス噴射制御手段はガス噴射ノズルのガス噴射穴
を開閉する回転式ノズル板又は電磁弁からなる開閉手段
を具備し、該開閉手段の開閉制御によりパルス状にポリ
ッシングガスを噴射することを特徴とする。
【００１２】また、請求項６に記載の発明は、請求項３
乃至５のいずれか１に記載のガスポリッシング装置にお
いて、ガス噴射制御手段はパルス状に噴射するポリッシ
ングガスのパルス幅及び噴射回数を設定する設定手段を
具備し、該設定手段によりポリッシング量を設定できる
ことを特徴とする。
乃至５のいずれか１に記載のガスポリッシング装置にお
いて、ガス噴射制御手段はパルス状に噴射するポリッシ
ングガスのパルス幅及び噴射回数を設定する設定手段を
具備し、該設定手段によりポリッシング量を設定できる
ことを特徴とする。
【００１３】また、請求項７に記載の発明は、ポリッシ
ング対象物のポリッシング面にポリッシングガスを噴射
してガスポリッシングを行う請求項４乃至６のいずれか
１に記載のガスポリッシング装置と、該ガスポリッシン
グ装置でポリッシングした面を更に化学的及び／又は機
械的にポリッシングする化学機械ポリッシング（ＣＭ
Ｐ）装置を具備することを特徴とするポリッシング装置
にある。
ング対象物のポリッシング面にポリッシングガスを噴射
してガスポリッシングを行う請求項４乃至６のいずれか
１に記載のガスポリッシング装置と、該ガスポリッシン
グ装置でポリッシングした面を更に化学的及び／又は機
械的にポリッシングする化学機械ポリッシング（ＣＭ
Ｐ）装置を具備することを特徴とするポリッシング装置
にある。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図１は本発明のガスポリッシン
グ方法を実施するためのガスポリッシング装置の構成例
を示す図である。図１において、１１はポリッシング室
であり、該ポリッシング室１１はポリッシング対象物を
搬入搬出するためのゲート１２が設けられている。ポリ
ッシング室１１内にはポリッシング対象物１６をＸ−Ｙ
方向移動させるためのＸ−Ｙテーブル１３が配置され、
該Ｘ−Ｙテーブル１３に上にヒータ１４を内蔵する載置
台１５が配置され、該載置台１５上にポリッシング対象
物１６を載置するようになっている。
面に基づいて説明する。図１は本発明のガスポリッシン
グ方法を実施するためのガスポリッシング装置の構成例
を示す図である。図１において、１１はポリッシング室
であり、該ポリッシング室１１はポリッシング対象物を
搬入搬出するためのゲート１２が設けられている。ポリ
ッシング室１１内にはポリッシング対象物１６をＸ−Ｙ
方向移動させるためのＸ−Ｙテーブル１３が配置され、
該Ｘ−Ｙテーブル１３に上にヒータ１４を内蔵する載置
台１５が配置され、該載置台１５上にポリッシング対象
物１６を載置するようになっている。
【００１５】また、ポリッシング室１１にはポリッシン
グ対象物１６に対向するように、ガス噴射ノズル１７が
配置され、該ガス噴射ノズル１７は、電磁弁１８、マニ
ホールド１９、バルブ２０、フィルタ２１及びバルブ２
２を通してポリッシングガス（例えば、ＣｌＦ3ガス）
源２３に接続されている。また、ポリッシング室１１に
はバルブ２５を介して、ターボ分子ポンプ２６、ルーツ
ポンプ２７及び除害装置２８が接続されている。また、
ポリッシング室１１にはバルブ２９及びフィルタ３０を
介して窒素（Ｎ2）ガス源３１が接続されている。
グ対象物１６に対向するように、ガス噴射ノズル１７が
配置され、該ガス噴射ノズル１７は、電磁弁１８、マニ
ホールド１９、バルブ２０、フィルタ２１及びバルブ２
２を通してポリッシングガス（例えば、ＣｌＦ3ガス）
源２３に接続されている。また、ポリッシング室１１に
はバルブ２５を介して、ターボ分子ポンプ２６、ルーツ
ポンプ２７及び除害装置２８が接続されている。また、
ポリッシング室１１にはバルブ２９及びフィルタ３０を
介して窒素（Ｎ2）ガス源３１が接続されている。
【００１６】なお、１０は電磁弁の開閉を制御してガス
噴射ノズル１７にパルス状にポリッシングガスを供給す
るガス噴射制御部、３２はマニホールド１９内のポリッ
シングガスのガス圧を測定する圧力計、３３はヒータ１
４に電流を送るヒータ電源である。
噴射ノズル１７にパルス状にポリッシングガスを供給す
るガス噴射制御部、３２はマニホールド１９内のポリッ
シングガスのガス圧を測定する圧力計、３３はヒータ１
４に電流を送るヒータ電源である。
【００１７】ポリッシング対象物１６のポリッシングは
下記のようにして行う。先ずゲート１２を開放して、ポ
リッシング対象物１６を載置台１５の上に載置し、ゲー
ト１２を閉じる。バルブ２５を開放し、ルーツポンプ２
７を起動し、ポリッシング室１１内を１０-1〜１０-2Ｔ
ｏｒｒの真空度にする。バルブ２２、フィルタ２１、バ
ルブ２０を通してポリッシングガス源２３からマニホー
ルド１９内にポリッシングガスを供給する。該マニホー
ルド１９内のガス圧は２２８０〜４００Ｔｏｒｒとす
る。なお、ターボ分子ポンプ２６はポリッシング条件に
よっては必ずしも必要なものではない。
下記のようにして行う。先ずゲート１２を開放して、ポ
リッシング対象物１６を載置台１５の上に載置し、ゲー
ト１２を閉じる。バルブ２５を開放し、ルーツポンプ２
７を起動し、ポリッシング室１１内を１０-1〜１０-2Ｔ
ｏｒｒの真空度にする。バルブ２２、フィルタ２１、バ
ルブ２０を通してポリッシングガス源２３からマニホー
ルド１９内にポリッシングガスを供給する。該マニホー
ルド１９内のガス圧は２２８０〜４００Ｔｏｒｒとす
る。なお、ターボ分子ポンプ２６はポリッシング条件に
よっては必ずしも必要なものではない。
【００１８】ガス噴射制御部１０の制御により電磁弁１
８を０．１〜１０秒程度瞬時に開けて、マニホールド１
９内のポリッシングガスをガス噴射ノズル１７に送り、
該ガス噴射ノズル１７からポリッシングガスを高速（例
えば、音速）でパルス状に噴射し、ポリッシング対象物
１６のポリッシング部位に照射する。この場合、ポリッ
シング室１１内の真空度を１０-1〜１０-2Ｔｏｒｒに維
持し、排気速度を速くしている。これにより、ポリッシ
ング部位は図２に示す正規分布のポリッシングプロファ
イルでポリッシングすることが可能となる。
８を０．１〜１０秒程度瞬時に開けて、マニホールド１
９内のポリッシングガスをガス噴射ノズル１７に送り、
該ガス噴射ノズル１７からポリッシングガスを高速（例
えば、音速）でパルス状に噴射し、ポリッシング対象物
１６のポリッシング部位に照射する。この場合、ポリッ
シング室１１内の真空度を１０-1〜１０-2Ｔｏｒｒに維
持し、排気速度を速くしている。これにより、ポリッシ
ング部位は図２に示す正規分布のポリッシングプロファ
イルでポリッシングすることが可能となる。
【００１９】ポリッシング深さを深くする場合は、ガス
噴射制御部１０により、電磁弁１８を開ける回数を増や
し、即ちパルス状のガス噴射回数を増やすことによりポ
リッシング深さを深くすることができる。ガス噴射制御
部１０は図３に示すように、ポリッシング部位のポリッ
シング深さＰｄに応じて、電磁弁１８の開放時間及び開
放回数、即ちパルス幅及びパルス回数を設定する設定部
１０ａを設け、該設定部１０ａで設定したパルス幅及び
パルス回数で電磁弁駆動部１０ｂを制御して電磁弁１８
を開閉することにより、ポリッシング深さＰｄに応じた
ポリッシングが実現できる。
噴射制御部１０により、電磁弁１８を開ける回数を増や
し、即ちパルス状のガス噴射回数を増やすことによりポ
リッシング深さを深くすることができる。ガス噴射制御
部１０は図３に示すように、ポリッシング部位のポリッ
シング深さＰｄに応じて、電磁弁１８の開放時間及び開
放回数、即ちパルス幅及びパルス回数を設定する設定部
１０ａを設け、該設定部１０ａで設定したパルス幅及び
パルス回数で電磁弁駆動部１０ｂを制御して電磁弁１８
を開閉することにより、ポリッシング深さＰｄに応じた
ポリッシングが実現できる。
【００２０】一つのポリッシング部位のポリッシングが
終了してたら、Ｘ−Ｙテーブル１３を移動させながら、
次のポリッシング部位をガス噴射ノズル１７の真下に位
置させ、上記操作でポリッシングを行う。このポリッシ
ング操作をポリッシング面の全域ポリッシング部位につ
いて行う。全域のポリッシング終了後は、ポリッシング
室１１のポリッシングガスを十分に排気した後、バルブ
２５を閉じ、バルブ２９を開放し、ポリッシング室１１
内に窒素ガス源３１からフィルタ３０を通して窒素ガス
を導入し、該ポリッシング室１１内を大気圧としてゲー
ト１２を開放してガスポリッシングの終了したポリッシ
ング対象物１６を搬出する。なお、上記例ではポリッシ
ング部位の移動をＸ−Ｙテーブル１３の移動でポリッシ
ング対象物１６を移動したが、ポリッシング対象物１６
を移動せずガス噴射ノズル１７を移動するようにしても
よい。また、両者を移動するようにしてもよい。
終了してたら、Ｘ−Ｙテーブル１３を移動させながら、
次のポリッシング部位をガス噴射ノズル１７の真下に位
置させ、上記操作でポリッシングを行う。このポリッシ
ング操作をポリッシング面の全域ポリッシング部位につ
いて行う。全域のポリッシング終了後は、ポリッシング
室１１のポリッシングガスを十分に排気した後、バルブ
２５を閉じ、バルブ２９を開放し、ポリッシング室１１
内に窒素ガス源３１からフィルタ３０を通して窒素ガス
を導入し、該ポリッシング室１１内を大気圧としてゲー
ト１２を開放してガスポリッシングの終了したポリッシ
ング対象物１６を搬出する。なお、上記例ではポリッシ
ング部位の移動をＸ−Ｙテーブル１３の移動でポリッシ
ング対象物１６を移動したが、ポリッシング対象物１６
を移動せずガス噴射ノズル１７を移動するようにしても
よい。また、両者を移動するようにしてもよい。
【００２１】図４はポリッシング条件の一例を示す図で
ある。ここではポリッシング対象物としてＰｏｌｙ−Ｓ
ｉを用い、ポリッシングガスにはＣｌＦ3ガスとＡｒガ
スを混合比１：２で混合したものを用いている。ポリッ
シング時間（パルス幅）０．６ｓｅｃの間のガス流量を
９０ｃｃとし、ノズル先端とポリッシング対象物の間隔
１ｍｍ、ノズル径１／４インチ、ポリッシング対象物の
温度５０℃、排気速度約１０００ｌ／ｍｉｎとした場
合、１回のポリッシングガスの照射でポリッシング深さ
約１０００Åとなる。
ある。ここではポリッシング対象物としてＰｏｌｙ−Ｓ
ｉを用い、ポリッシングガスにはＣｌＦ3ガスとＡｒガ
スを混合比１：２で混合したものを用いている。ポリッ
シング時間（パルス幅）０．６ｓｅｃの間のガス流量を
９０ｃｃとし、ノズル先端とポリッシング対象物の間隔
１ｍｍ、ノズル径１／４インチ、ポリッシング対象物の
温度５０℃、排気速度約１０００ｌ／ｍｉｎとした場
合、１回のポリッシングガスの照射でポリッシング深さ
約１０００Åとなる。
【００２２】図５はうねりを有するウエハ表面のＰｏｌ
ｙ−Ｓｉを上記のようにパルス状にポリッシングガスを
照射して、平坦化した例を示す図である。図５（ａ）に
示すように、４００Å〜千数百Åのうねりを図５（ｂ）
に示すように、４００Åの前後に平坦化することが可能
となる。
ｙ−Ｓｉを上記のようにパルス状にポリッシングガスを
照射して、平坦化した例を示す図である。図５（ａ）に
示すように、４００Å〜千数百Åのうねりを図５（ｂ）
に示すように、４００Åの前後に平坦化することが可能
となる。
【００２３】図６は本発明のガスポリッシング装置の構
成例を示す図である。ポリッシング室１１にはポリッシ
ング対象物１６を搬入搬出するためのゲート１２が設け
られ、ポリッシング室１１内にはＸ−Ｙテーブル１３、
ヒータ１４を内蔵する載置台１５、ポリッシング対象物
１６が配置され、ポリッシング対象物１６に対向してガ
ス噴射ノズル４０が配置されている。該ガス噴射ノズル
４０は駆動制御部４８によりＺ方向（上下方向）に移動
できるようになっている。
成例を示す図である。ポリッシング室１１にはポリッシ
ング対象物１６を搬入搬出するためのゲート１２が設け
られ、ポリッシング室１１内にはＸ−Ｙテーブル１３、
ヒータ１４を内蔵する載置台１５、ポリッシング対象物
１６が配置され、ポリッシング対象物１６に対向してガ
ス噴射ノズル４０が配置されている。該ガス噴射ノズル
４０は駆動制御部４８によりＺ方向（上下方向）に移動
できるようになっている。
【００２４】また、ガス噴射ノズル４０はノズル４１を
具備し、該ノズル４１の下端部には後述するように所定
の間隔で開口を設けた回転式ノズル板４２が配置されて
いる。この回転式ノズル板４２はモータ４３により回転
するようになっている。ポリッシング室１１内のノズル
４１の近傍上流側にはガスだまり４４が設けられ、該ガ
スだまり４４はマスフローコントローラ４６、バルブ４
５及びフレキシブルチューブ６５を通してポリッシング
ガス源４７よりポリッシングガス（例えば、ＣｌＦ3ガ
ス）が所定の圧力（２２８０〜４００Ｔｏｒｒ）で供給
されており、回転式ノズル板４２をモータ４３で回転す
ることにより、回転式ノズル板４２の開口とノズル４１
のガス噴射穴が一致するごとに、ガスだまり４４のポリ
ッシングガスがノズル４１を通ってパルス状に噴射され
る。
具備し、該ノズル４１の下端部には後述するように所定
の間隔で開口を設けた回転式ノズル板４２が配置されて
いる。この回転式ノズル板４２はモータ４３により回転
するようになっている。ポリッシング室１１内のノズル
４１の近傍上流側にはガスだまり４４が設けられ、該ガ
スだまり４４はマスフローコントローラ４６、バルブ４
５及びフレキシブルチューブ６５を通してポリッシング
ガス源４７よりポリッシングガス（例えば、ＣｌＦ3ガ
ス）が所定の圧力（２２８０〜４００Ｔｏｒｒ）で供給
されており、回転式ノズル板４２をモータ４３で回転す
ることにより、回転式ノズル板４２の開口とノズル４１
のガス噴射穴が一致するごとに、ガスだまり４４のポリ
ッシングガスがノズル４１を通ってパルス状に噴射され
る。
【００２５】図６において、５５はモータ４３の回転制
御を行いノズル４１からパルス状に噴射されるポリッシ
ングガスのガスの周期等を制御するガス噴射制御部、５
６はＸ−Ｙテーブル１３の駆動制御部である。ガス噴射
制御部５５によりモータ４３は回転制御され、ポリッシ
ングガスは制御された所定の周期でノズル４１を通って
高速で且つパルス状に噴射される。
御を行いノズル４１からパルス状に噴射されるポリッシ
ングガスのガスの周期等を制御するガス噴射制御部、５
６はＸ−Ｙテーブル１３の駆動制御部である。ガス噴射
制御部５５によりモータ４３は回転制御され、ポリッシ
ングガスは制御された所定の周期でノズル４１を通って
高速で且つパルス状に噴射される。
【００２６】図１に示すように、電磁弁１８をポリッシ
ング室１１の外に設け、電磁弁１８の開放によりガス供
給配管を通して、ガス噴射ノズル１７にポリッシングガ
スを供給する場合は、電磁弁１８からガス噴射ノズル１
７の先端までがデットスペースとなり、このデットスペ
ースをポリッシングガスが流れるのに時間がかかり、ガ
ス噴射が不均一となるという問題がある。特に、半導体
ウエハ等のポリッシング対象物の面に存在する１〜２サ
イクル程度の数千Å程度のうねりや、数μｍ〜数十ｍｍ
の径で数百〜数千Å程度の凹凸を局所的に精度良くポリ
ッシングするにはポリッシングガスがガス噴射ノズル１
７の先端まで到達する時間が短い方が微小な凹凸を局所
的に精度良くポリッシングするためには好ましい。
ング室１１の外に設け、電磁弁１８の開放によりガス供
給配管を通して、ガス噴射ノズル１７にポリッシングガ
スを供給する場合は、電磁弁１８からガス噴射ノズル１
７の先端までがデットスペースとなり、このデットスペ
ースをポリッシングガスが流れるのに時間がかかり、ガ
ス噴射が不均一となるという問題がある。特に、半導体
ウエハ等のポリッシング対象物の面に存在する１〜２サ
イクル程度の数千Å程度のうねりや、数μｍ〜数十ｍｍ
の径で数百〜数千Å程度の凹凸を局所的に精度良くポリ
ッシングするにはポリッシングガスがガス噴射ノズル１
７の先端まで到達する時間が短い方が微小な凹凸を局所
的に精度良くポリッシングするためには好ましい。
【００２７】図６に示す構成のガスポリッシング装置で
はガス噴射ノズル４０のノズル４１の先端に回転式ノズ
ル板４２を設け、回転式ノズル板４２の開口とノズル４
１のガス噴射穴が一致するごとにノズル４１の近傍に設
けたガスだまり４４からポリッシングガスを噴射するよ
うにしたため、上記のようなノズル４１の先端までのデ
ットスペースが殆どなく、回転式ノズル板４２の開口と
ノズル４１のガス噴射穴が一致するごとに直ちにガスが
噴射される。従って、ポリッシングガスの噴射が均一と
なり、ポリッシング対象物の微小な凹凸を局所的に精度
良くポリッシングすることが可能となる。
はガス噴射ノズル４０のノズル４１の先端に回転式ノズ
ル板４２を設け、回転式ノズル板４２の開口とノズル４
１のガス噴射穴が一致するごとにノズル４１の近傍に設
けたガスだまり４４からポリッシングガスを噴射するよ
うにしたため、上記のようなノズル４１の先端までのデ
ットスペースが殆どなく、回転式ノズル板４２の開口と
ノズル４１のガス噴射穴が一致するごとに直ちにガスが
噴射される。従って、ポリッシングガスの噴射が均一と
なり、ポリッシング対象物の微小な凹凸を局所的に精度
良くポリッシングすることが可能となる。
【００２８】図７はガス噴射ノズルにポリッシングガス
を供給する電磁弁がガス噴射ノズルより離れたポリッシ
ング室外に設けられている場合と、図７に示すようにノ
ズルの先端に回転式ノズル板を配置する場合のガス流量
応答性を示す図である。図において、Ａはノズルの先端
に回転式ノズル板を設けた場合、Ｂは電磁弁をポリッシ
ング室外に設けた場合を示す。電磁弁をガス噴射ノズル
より離れたポリッシング室外に設けた場合は、デットタ
イムＤＴが発生するのに対して、ノズルの先端に回転式
ノズル板を設けた場合はデットタイムは殆ど発生しな
い。
を供給する電磁弁がガス噴射ノズルより離れたポリッシ
ング室外に設けられている場合と、図７に示すようにノ
ズルの先端に回転式ノズル板を配置する場合のガス流量
応答性を示す図である。図において、Ａはノズルの先端
に回転式ノズル板を設けた場合、Ｂは電磁弁をポリッシ
ング室外に設けた場合を示す。電磁弁をガス噴射ノズル
より離れたポリッシング室外に設けた場合は、デットタ
イムＤＴが発生するのに対して、ノズルの先端に回転式
ノズル板を設けた場合はデットタイムは殆ど発生しな
い。
【００２９】図８はガス噴射ノズル４０の詳細構造を示
す図で、図８（ａ）は断面図、図８（ｂ）は回転式ノズ
ル板４２の平面図である。回転式ノズル板４２は円板状
で周方向に等間隔で複数の開口４２ａが設けられてい
る。該回転式ノズル板４２はガス噴射ノズル４０の枠体
４０ａの下面にベアリング４０ｂを介在させ、中心部に
設けられた回転軸４２ｂを中心にモータ４３により回転
するようになっている。枠体４０ａの所定位置にはノズ
ル４１が設けられており、回転式ノズル板４２が回転す
ることにより、開口４２ａとノズル４１のガス噴出口４
１ａが一致し、ガスだまり４４のポリッシングガスがノ
ズル４１を通って噴射される。なお、４０ｃは回転軸４
２ｂを支持するベアリング、４０ｄは回転式ノズル板４
２とノズル４１の間をシールするＯリングである。
す図で、図８（ａ）は断面図、図８（ｂ）は回転式ノズ
ル板４２の平面図である。回転式ノズル板４２は円板状
で周方向に等間隔で複数の開口４２ａが設けられてい
る。該回転式ノズル板４２はガス噴射ノズル４０の枠体
４０ａの下面にベアリング４０ｂを介在させ、中心部に
設けられた回転軸４２ｂを中心にモータ４３により回転
するようになっている。枠体４０ａの所定位置にはノズ
ル４１が設けられており、回転式ノズル板４２が回転す
ることにより、開口４２ａとノズル４１のガス噴出口４
１ａが一致し、ガスだまり４４のポリッシングガスがノ
ズル４１を通って噴射される。なお、４０ｃは回転軸４
２ｂを支持するベアリング、４０ｄは回転式ノズル板４
２とノズル４１の間をシールするＯリングである。
【００３０】図９は本発明のガスポリッシング装置の構
成例を示す図である。本ガスポリッシング装置が図６の
ガスポリッシング装置と異なる点は、ガス噴射ノズル６
０が図６のガス噴射ノズル４０と異なる点であり、他は
略同一である。即ち、ガス噴射ノズル６０は、ノズル６
１に電磁弁６２を取り付けた構造である。そしてこの電
磁弁６２の付いたノズル６１の近傍上流側にガスだまり
４４を設けている。ガス噴射制御部６３の制御により、
電磁弁６２を開閉することにより、ノズル６１よりパル
ス状にポリッシングガスが噴射される。
成例を示す図である。本ガスポリッシング装置が図６の
ガスポリッシング装置と異なる点は、ガス噴射ノズル６
０が図６のガス噴射ノズル４０と異なる点であり、他は
略同一である。即ち、ガス噴射ノズル６０は、ノズル６
１に電磁弁６２を取り付けた構造である。そしてこの電
磁弁６２の付いたノズル６１の近傍上流側にガスだまり
４４を設けている。ガス噴射制御部６３の制御により、
電磁弁６２を開閉することにより、ノズル６１よりパル
ス状にポリッシングガスが噴射される。
【００３１】このように、ノズル６１にそのガス噴射穴
を開閉する電磁弁６２を設けることにより、ガスだまり
４４からノズル６１の先端までガスが流れるデットスペ
ースが殆どなく、図６のガスポリッシング装置と同様、
ポリッシングガスの噴射が均一となり、ポリッシング対
象物の微小な凹凸を局所的に精度良くポリッシングする
ことが可能となる。また、ガス噴射ノズル６０には反応
余剰ガスを吸引する吸引ノズル６４を設けることによ
り、ポリッシング部位以外のポリッシングを阻止でき、
精度の良いポリッシングが可能となる。
を開閉する電磁弁６２を設けることにより、ガスだまり
４４からノズル６１の先端までガスが流れるデットスペ
ースが殆どなく、図６のガスポリッシング装置と同様、
ポリッシングガスの噴射が均一となり、ポリッシング対
象物の微小な凹凸を局所的に精度良くポリッシングする
ことが可能となる。また、ガス噴射ノズル６０には反応
余剰ガスを吸引する吸引ノズル６４を設けることによ
り、ポリッシング部位以外のポリッシングを阻止でき、
精度の良いポリッシングが可能となる。
【００３２】図１０は請求項７に記載のポリッシング装
置の構成例を示す図である。図示するように、本ポリッ
シング装置はガスポリッシング装置７１とＣＭＰ装置７
２、ロボット室７３及びポリッシング対象物搬入室７４
を具備し、ポリッシング対象物搬入室７４とロボット室
７３をゲート７５で接続し、ロボット室７３とガスポリ
ッシング装置７１をゲート７６で接続し、ＣＭＰ装置７
２とロボット室７３をゲート７７で接続した構成であ
る。
置の構成例を示す図である。図示するように、本ポリッ
シング装置はガスポリッシング装置７１とＣＭＰ装置７
２、ロボット室７３及びポリッシング対象物搬入室７４
を具備し、ポリッシング対象物搬入室７４とロボット室
７３をゲート７５で接続し、ロボット室７３とガスポリ
ッシング装置７１をゲート７６で接続し、ＣＭＰ装置７
２とロボット室７３をゲート７７で接続した構成であ
る。
【００３３】ロボット室７３のロボット７９でポリッシ
ング対象物搬入室７４に搬入されたポリッシング対象物
７８をピックアップし、ゲート７５、ロボット室７３及
びゲート７６を経由してガスポリッシング装置７１に搬
入し、ガスポリッシングを行った後、ロボット７９でガ
スポリッシングの終了したポリッシング対象物７８をピ
ックアップし、ゲート７６、ロボット室７３及びゲート
７７を経由してＣＭＰ装置７２に搬入し、化学機械的ポ
リッシングを行った後、ロボット７９で化学機械的ポリ
ッシングの終了したポリッシング対象物７８をピックア
ップし、ゲート７７、ロボット室７３及びゲート７５を
経由してポリッシング対象物搬入室７４に搬入する。
ング対象物搬入室７４に搬入されたポリッシング対象物
７８をピックアップし、ゲート７５、ロボット室７３及
びゲート７６を経由してガスポリッシング装置７１に搬
入し、ガスポリッシングを行った後、ロボット７９でガ
スポリッシングの終了したポリッシング対象物７８をピ
ックアップし、ゲート７６、ロボット室７３及びゲート
７７を経由してＣＭＰ装置７２に搬入し、化学機械的ポ
リッシングを行った後、ロボット７９で化学機械的ポリ
ッシングの終了したポリッシング対象物７８をピックア
ップし、ゲート７７、ロボット室７３及びゲート７５を
経由してポリッシング対象物搬入室７４に搬入する。
【００３４】上記構成のポリッシング装置によれば、ガ
スポリッシングから化学機械的ポリッシングを連続して
実施でき、従来のポリッシング装置では得られない精度
のよいポリッシングが実現できる。ガスポリッシング又
は化学機械的ポリッシングの終了後洗浄や乾燥等の処理
を行うが、その洗浄装置や乾燥装置の図示を省略してい
る。ガスポリッシング装置７１としては、上記請求項３
乃至６に記載のいずれかのガスポリッシング装置を用い
る。
スポリッシングから化学機械的ポリッシングを連続して
実施でき、従来のポリッシング装置では得られない精度
のよいポリッシングが実現できる。ガスポリッシング又
は化学機械的ポリッシングの終了後洗浄や乾燥等の処理
を行うが、その洗浄装置や乾燥装置の図示を省略してい
る。ガスポリッシング装置７１としては、上記請求項３
乃至６に記載のいずれかのガスポリッシング装置を用い
る。
【００３５】なお、ポリッシング対象物のポリッシング
は、上記のようなガスポリッシング装置に隣接してＣＭ
Ｐ装置を配置するのに限定されるものではなく、ガスポ
リッシング装置とＣＭＰ装置を離して設置し、ガスポリ
ッシング装置でガスポリッシングをした多数のポリッシ
ング対象物をＣＭＰ装置に搬入し、該ＣＭＰ装置で化学
機械的ポリッシングを行うようにしてもよい。
は、上記のようなガスポリッシング装置に隣接してＣＭ
Ｐ装置を配置するのに限定されるものではなく、ガスポ
リッシング装置とＣＭＰ装置を離して設置し、ガスポリ
ッシング装置でガスポリッシングをした多数のポリッシ
ング対象物をＣＭＰ装置に搬入し、該ＣＭＰ装置で化学
機械的ポリッシングを行うようにしてもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１乃至３に
記載の発明によれば、反応性のポリッシング用ガスをポ
リッシング対象物のポリッシング部位に高速で且つパル
ス状に照射してポリッシングするので、ポリッシング部
位が正規分布のプロファイルでポリッシングされ、精度
の良いポリッシングができるガスポリッシング方法及び
ガスポリッシング装置を提供できる。
記載の発明によれば、反応性のポリッシング用ガスをポ
リッシング対象物のポリッシング部位に高速で且つパル
ス状に照射してポリッシングするので、ポリッシング部
位が正規分布のプロファイルでポリッシングされ、精度
の良いポリッシングができるガスポリッシング方法及び
ガスポリッシング装置を提供できる。
【００３７】また、請求項４に記載の発明によれば、ガ
ス噴射ノズル近傍の上流側のガスだまりからのポリッシ
ング用ガスをガス噴射ノズルからパルス状に噴射するの
で、噴射されるポリッシングガスの流速及び流量が均一
となり、さらに精度のよいガスポリッシングが可能とな
る。
ス噴射ノズル近傍の上流側のガスだまりからのポリッシ
ング用ガスをガス噴射ノズルからパルス状に噴射するの
で、噴射されるポリッシングガスの流速及び流量が均一
となり、さらに精度のよいガスポリッシングが可能とな
る。
【００３８】また、請求項５に記載の発明によれば、ガ
ス噴射制御手段はガス噴射ノズルのガス噴射穴を開閉す
る回転式ノズル板又は電磁弁からなる開閉手段を具備す
るので、開閉手段によりガス噴射穴の開閉とノズル先端
からのポリッシングガスの噴射停止の間に時間遅れがな
く、噴射されるポリッシングガスの流速及び流量が均一
となり、さらに精度のよいガスポリッシングが可能とな
る。
ス噴射制御手段はガス噴射ノズルのガス噴射穴を開閉す
る回転式ノズル板又は電磁弁からなる開閉手段を具備す
るので、開閉手段によりガス噴射穴の開閉とノズル先端
からのポリッシングガスの噴射停止の間に時間遅れがな
く、噴射されるポリッシングガスの流速及び流量が均一
となり、さらに精度のよいガスポリッシングが可能とな
る。
【００３９】また、請求項６に記載の発明によれば、ガ
ス噴射制御手段はパルス状に噴射するポリッシングガス
のパルス幅及び噴射回数を設定する設定手段を具備する
ので、ポリッシング量に応じた精度のよいポリッシング
が可能となる。
ス噴射制御手段はパルス状に噴射するポリッシングガス
のパルス幅及び噴射回数を設定する設定手段を具備する
ので、ポリッシング量に応じた精度のよいポリッシング
が可能となる。
【００４０】また、請求項７に記載の発明によれば、ガ
スポリッシング装置の他にガスポリッシングした面を更
に化学的及び／又は機械的にポリッシングするＣＭＰ装
置を具備するので、更に精度のよいポリッシングが可能
となる。
スポリッシング装置の他にガスポリッシングした面を更
に化学的及び／又は機械的にポリッシングするＣＭＰ装
置を具備するので、更に精度のよいポリッシングが可能
となる。
【図１】本発明のガスポリッシング方法を実施するため
のガスポリッシング装置の構成例を示す図である。
のガスポリッシング装置の構成例を示す図である。
【図２】ポリッシングプロファイル例を示す図である。
【図３】ガス噴射制御部の構成例を示す図である。
【図４】ポリッシング条件の一例を示す図である。
【図５】ウエハ表面のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜のポリッシング
例を示す図である。
例を示す図である。
【図６】本発明のガスポリッシング装置の構成例を示す
図である。
図である。
【図７】ポリッシングガスのガス流量応答性を示す図で
ある。
ある。
【図８】ガス噴射ノズル４０の詳細構造を示す図で、図
８（ａ）は断面図、図８（ｂ）は回転式ノズル板の平面
図である。
８（ａ）は断面図、図８（ｂ）は回転式ノズル板の平面
図である。
【図９】本発明のガスポリッシング装置の構成例を示す
図である。
図である。
【図１０】本発明のポリッシング装置の構成例を示す図
である。
である。
１０ ガス噴射制御部 １１ ポリッシング室 １２ ゲート １３ Ｘ−Ｙテーブル １４ ヒータ １５ 載置台 １６ ポリッシング対象物 １７ ガス噴射ノズル １８ 電磁弁 １９ マニホールド ２０ バルブ ２１ フィルタ ２２ バルブ ２３ ポリッシングガス源 ２５ バルブ ２６ ターボ分子ポンプ ２７ ルーツポンプ ２８ 除害装置 ２９ バルブ ３０ フィルタ ３１ 窒素ガス源 ３２ 圧力計 ３３ ヒータ電源 ４０ ガス噴射ノズル ４１ ノズル ４２ 回転式ノズル板 ４３ モータ ４４ ガスだまり ４５ バルブ ４６ マスフローコントローラ ４７ ポリッシングガス源 ４８ 駆動制御部 ４９ バルブ ５０ 真空ポンプ ５１ 除害装置 ５２ バルブ ５３ フィルタ ５４ 窒素ガス源 ５５ ガス噴射制御部 ５６ 駆動制御部 ６０ ガス噴射ノズル ６１ ノズル ６２ 電磁弁 ６３ ガス噴射制御部 ６４ 吸引ノズル ７１ ガスポリッシング装置 ７２ ＣＭＰ装置 ７３ ロボット室 ７４ ポリッシング対象物搬入室 ７５〜７７ ゲート ７８ ポリッシング対象物 ７９ ロボット
Claims (7)
- 【請求項１】 ポリッシング対象物のポリッシング部位
にガス噴射ノズルから、反応性のポリッシングガスを高
速且つパルス状に噴射して照射し、該ポリッシング部位
をポリッシングすることを特徴とするガスポリッシング
方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のガスポリッシング方法
において、 前記パルス状のポリッシングガスの噴射回数を制御して
ポリッシング深さを制御することを特徴とするガスポリ
ッシング方法。 - 【請求項３】 ポリッシングガスを噴射するガス噴射ノ
ズル、該ガス噴射ノズルにポリッシングガスを供給する
ガス供給手段、該ガス供給手段を制御してガス噴射ノズ
ルからパルス状に高速のポリッシング用ガスを噴射させ
るガス噴射制御手段を具備し、ポリッシング対象物のポ
リッシング部位に前記ガス噴射ノズルから反応性のポリ
ッシングガスを高速で且つパルス状に照射してポリッシ
ングすることを特徴とするガスポリッシング装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載のガスポリッシング装置
において、 前記ガス供給手段は前記ガス噴射ノズルの上流側にポリ
ッシングガスを所定の圧力で貯留するガスだまりを具備
し、該ガスだまりから前記ガス噴射制御手段の制御によ
りポリッシング用ガスを前記ガス噴射ノズルからパルス
状に噴射することを特徴とするガスポリッシング装置。 - 【請求項５】 請求項３又は４のいずれか１に記載のガ
スポリッシング装置において、 前記ガス噴射制御手段は前記ガス噴射ノズルのガス噴射
穴を開閉する回転式ノズル板又は電磁弁からなる開閉手
段を具備し、該開閉手段の開閉制御によりパルス状に前
記ポリッシングガスを噴射することを特徴とするガスポ
リッシング装置。 - 【請求項６】 請求項３乃至５のいずれか１に記載のガ
スポリッシング装置において、 前記ガス噴射制御手段はパルス状に噴射するポリッシン
グガスのパルス幅及び噴射回数を設定する設定手段を具
備し、該設定手段によりポリッシング量を設定できるこ
とを特徴とするガスポリッシング装置。 - 【請求項７】 ポリッシング対象物のポリッシング面に
ポリッシングガスを噴射してガスポリッシングを行う請
求項４乃至６のいずれか１に記載のガスポリッシング装
置と、該ガスポリッシング装置でポリッシングした面を
更に化学的及び／又は機械的にポリッシングする化学機
械ポリッシング（ＣＭＰ）装置を具備することを特徴と
するポリッシング装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08936098A JP3606422B2 (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | ガスポリッシング方法及びポリッシング装置 |
| US09/272,170 US6447632B1 (en) | 1998-03-18 | 1999-03-18 | Apparatus and nozzle device for gaseous polishing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08936098A JP3606422B2 (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | ガスポリッシング方法及びポリッシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274115A true JPH11274115A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3606422B2 JP3606422B2 (ja) | 2005-01-05 |
Family
ID=13968553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08936098A Expired - Fee Related JP3606422B2 (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | ガスポリッシング方法及びポリッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3606422B2 (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933831A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-23 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS6461918A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Hitachi Ltd | Surface treatment equipment |
| JPH0475337A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-10 | Seiko Epson Corp | 半導体基板の研磨法 |
| JPH05160074A (ja) * | 1991-05-07 | 1993-06-25 | Hughes Aircraft Co | ウエハから材料を除去するシステム |
| JPH065571A (ja) * | 1992-02-27 | 1994-01-14 | Hughes Aircraft Co | 均一に薄くした基体の非接触プラズマ研磨および平滑のための方法および装置 |
| JPH0897188A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk | 半導体エッチング装置 |
| JPH09115887A (ja) * | 1995-10-14 | 1997-05-02 | Speedfam Co Ltd | プラズマエッチング方法及びその装置 |
| JPH09272119A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Daido Hoxan Inc | ウエハの製法およびそれに用いる装置 |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP08936098A patent/JP3606422B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933831A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-23 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS6461918A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Hitachi Ltd | Surface treatment equipment |
| JPH0475337A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-10 | Seiko Epson Corp | 半導体基板の研磨法 |
| JPH05160074A (ja) * | 1991-05-07 | 1993-06-25 | Hughes Aircraft Co | ウエハから材料を除去するシステム |
| JPH065571A (ja) * | 1992-02-27 | 1994-01-14 | Hughes Aircraft Co | 均一に薄くした基体の非接触プラズマ研磨および平滑のための方法および装置 |
| JPH0897188A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk | 半導体エッチング装置 |
| JPH09115887A (ja) * | 1995-10-14 | 1997-05-02 | Speedfam Co Ltd | プラズマエッチング方法及びその装置 |
| JPH09272119A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Daido Hoxan Inc | ウエハの製法およびそれに用いる装置 |
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|---|---|
| JP3606422B2 (ja) | 2005-01-05 |
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