JPH09115692A

JPH09115692A - 形状創成装置

Info

Publication number: JPH09115692A
Application number: JP7265957A
Authority: JP
Inventors: Hideo Takino; 日出雄瀧野; Hiroshi Mizukami; 浩水上; Terunori Kobayashi; 輝紀小林; Hiroshi Ito; 伊藤　　博; Norio Shibata; 規夫柴田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1995-10-13
Filing date: 1995-10-13
Publication date: 1997-05-02

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマを用いて生成したラジカルの反応を利
用した形状創成装置であって、被加工物の表面の荒れを
防ぎ、光学物品の加工に適した装置を提供する。【解決手段】電極２は、被加工物１０と対向する部分に
局部的なプラズマ２０１を生成する。また、電極２の内
部から、電極２と被加工物１０との間の空間に、反応ガ
スを噴出させる。電極２に取り付けられた円板７０１
は、電極２周囲の被加工物１０と接する空間を狭める。
これにより、反応ガスを被加工物１０に沿わせて流す流
路２０２を形成される。流路２０２により、被加工物１
０に沿って流れる反応ガスの流速が速められ、反応ガス
が被加工物１０の表面を荒らすのを防止することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ラジカル反応を利
用した無歪加工装置および加工方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ラジカル反応を利用した無歪加工方法
は、例えば、特開平１−１２５８２９号公報等によって
すでに開示されている。この加工方法において、プラズ
マを用いるものは特にプラズマＣＶＭ（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌＶａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎＭａｃｈｉｎｉｎｇ）と
呼ばれている（森ら、精密工学会春季大会学術講演会講
演論文集Ｐ．６３７１９９２）。

【０００３】プラズマＣＶＭとは、つぎのような原理に
基づくものである。すなわち、高圧力下において、被加
工物近傍に設置された加工電極にプラズマを発生させ
る。このプラズマにハロゲンなどの電気陰性度の高い反
応ガスを供給する。これにより、反応ガスは解離し、反
応性に富んだラジカルになる。ラジカルを被加工物表面
と反応させ、反応により生じた生成物を連続的に気化さ
せることにより、被加工物表面を加工する。なお、反応
ガスは、被加工物と反応し、生成物が気化する特性を有
するものを選択して用いる。

【０００４】この加工方法では、高圧力下でプラズマを
生成するために、従来にない高濃度のラジカルを生成で
きる。このため、機械加工に匹敵する高加工速度が得ら
れる。また、高圧力下であるために、加工電極周辺の電
界強度の高い箇所だけに局在化したプラズマを生成でき
る。その結果、加工領域を加工電極近傍に限定すること
ができ、加工電極形状に依存した極めて空間分解能の高
い加工を達成できる。さらに、機械加工では塑性変形、
ぜい性破壊といった物理現象を利用しているために、加
工によって被加工物表面にダメージを与えることになる
が、プラズマＣＶＭでは化学的に加工が進行するので、
被加工物表面に欠陥や熱的変質層が形成されず無歪であ
る。

【０００５】プラズマＣＶＭでは、加工時間と加工量と
に相関がある。したがって、必要除去量に応じて、所定
の時間または速度で加工電極と被加工物とを相対的に移
動させることにより、加工量がコントロールできる。こ
の特性から、特開平４ー２４６１８４に開示されている
ように、数値制御を用いることにより、ガラスやセラミ
ックス等の絶縁体、シリコン単結晶等の半導体、および
導体を高精度に加工できる。

【０００６】なお、プラズマＣＶＭにおいて、プラズマ
への反応ガスの供給方法としては、プラズマを生成する
ための電極をパイプ状にし、このパイプの内部を反応ガ
スを通し、パイプの端面でプラズマを生成させ、パイプ
端面から反応ガスを噴出させることにより、プラズマに
反応ガスを供給する方法が知られている。

【０００７】また、プラズマを用いた化学エッチングに
おける従来技術として、特開平５−２６７２３３号公報
では、反応ガスのプラズマを生成し、このプラズマを加
工すべき基体に局部的に供給するためのプラズマ室の出
口を、反応ガスのプラズマと反応する犠牲部材で囲む構
成が開示されている。これにより、プラズマ室の出口の
周辺に流れたプラズマの反応粒子は、犠牲部材と反応す
るため、基体とは反応せず、基体とプラズマとの反応
を、プラズマ室出口部分のみに制限することができる。
したがって、プラズマと反応させる基体表面の領域を、
正確に制御することができるというものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマＣＶＭ
によって、パイプ状の加工電極先端から反応ガスを噴出
させながら加工を行うと、加工電極の周辺部の被加工物
の表面粗さが大きくなる、すなわち表面が荒れるという
問題点があった。

【０００９】被加工面の表面の荒れは、光学物品におい
ては大きな問題である。たとえば光学レンズでは表面粗
さは透過率と密接に関係しており、表面の荒れにより光
学性能が著しく低下する。

【００１０】一方、上述した特開平５−２６７２３３号
公報記載の技術は、犠牲部材の材質をプラズマの反応粒
子と反応する材質にしなければならず、反応ガスの種類
によって、犠牲部材の材質を選択しなければならない。
また、反応粒子と犠牲部材とを反応させるため、反応生
成物が生じ、この反応生成物が、基体を汚染するという
問題がある。また、この技術は、プラズマ補助化学エッ
チングの反応領域を制御する技術であるため、この技術
をプラズマＣＶＭに応用することによって、プラズマＣ
ＶＭにおける被加工物の表面荒れが解決できるかどうか
も不明である。

【００１１】また、特開平５−２６７２３３号公報記載
の技術を、パイプ状の加工電極先端でプラズマを生成す
るプラズマＣＶＭに応用しようとすると、加工電極と犠
牲部材とを絶縁するか、犠牲部材として絶縁性の材料を
用いなければならないため、犠牲部材の材質がさらに制
限されるという問題も生じる。

【００１２】本発明は、プラズマを用いて生成したラジ
カルの反応を利用した形状創成装置であって、被加工物
の表面の荒れを防ぎ、光学物品の加工に適した装置を提
供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】プラズマＣＶＭにおける
被加工物の表面の荒れの原因を明らかにするため、本発
明者らは、図２のように、パイプ状の加工電極５０１を
用い、加工電極５０１の端面５０３にプラズマを生成
し、加工電極５０１の内部からプラズマに反応ガスを供
給し、加工電極５０１と被加工物５０２とを相対的に静
止させた状態で、被加工物５０２を加工する実験を行っ
た。被加工物５０２には、加工電極５０１の形状に対応
したリング状の深さ分布をもつの加工痕が形成された。
この加工痕およびその周辺の表面粗さを測定したこと
ろ、電極中心軸から離れるにしたがって表面粗さが大き
くなることがわかった。このことから、問題となってい
る被加工物５０２の加工表面の荒れは、加工電極５０１
から離れた位置に生じる表面荒れ領域が、加工電極５０
１と被加工物５０２とを相対的に走査することにより、
被加工物５０２の全体におよぶためである考えられる。

【００１４】さらに、電極から離れるにしたがって表面
が粗くなる原因を究明するため、以下のような実験を行
った。

【００１５】加工電極と被加工物の配置を図２の配置で
一定にし、反応ガス流量、投入電力、反応ガス濃度など
の加工条件を変えて加工を行い、加工条件と表面粗さと
の関係を調べた。その結果、反応ガス流速が表面粗さに
影響を及ぼすことがわかった。図３に示すように、反応
ガス流量が低下するほど、表面粗さＲaが大きくなるこ
とがわかる。

【００１６】そこで、つぎに、図２の配置における加工
電極５０１周辺の反応ガスの流速分布を数値解析により
調べた。解析では、ナビエストークス方程式、連続の式
を差分法により計算した。解析モデルには加工電極５０
１の中心を軸とする軸対称モデルを採用し、簡単のため
に加工電極５０１と被加工物５０２表面のみで構成し
た。加工電極５０１は、外径φ１ｍｍ、内径φ０．８ｍ
ｍのパイプ状のものとした。電極５０１と被加工物５０
２との間隔は０．２ｍｍとした。反応ガスは、Ｈｅと
し、加工電極の上部から２００ｃｃ／ｍｉｎで供給する
ものとした。Ｈｅの物性値は、動粘性係数１．３４×１
０^-4ｍ²／ｓ、密度１．７２×１０^-1ｋｇ／ｍ³とした。
解析結果の一例を図４に示す。図４では、ベクトルの大
きさが流速を、向きが流れの方向を表している。図４か
ら、被加工物５０１表面の近傍における反応ガス流速
は、加工電極５０１の直下に比べて、電極から離れた位
置で小さくなっていることがわかる。

【００１７】以上のことから、本発明者らは、前記のよ
うに、プラズマＣＶＭにおいて、被加工物５０２の加工
表面全面の表面粗さが粗くなるという問題は、加工電極
５０１から離れた位置において、反応ガスの流速が低下
し、被加工物５０２に何らかの作用を生じさせることが
原因と考えた。そこで、本発明者らは、加工電極周辺で
の反応ガスの流速を速めることにより、被加工物の加工
表面の荒れを減少させることができると考えた。

【００１８】そのために、本発明によれば、被加工物を
搭載するための支持部と、前記被加工物と対向する部分
に、局部的なプラズマを生成するための電極と、前記電
極を前記被加工物に対して相対的に移動させる移動手段
と、前記電極と前記被加工物とが対向する空間に反応ガ
スを噴出するためのガス噴出手段と、前記ガス噴出手段
から噴出された反応ガスを前記被加工物に沿わせて流す
ために、前記電極の周囲の前記被加工物と接する空間を
狭める手段とを有することを特徴とする形状創成装置が
提供される。

【００１９】図４の解析結果より、加工電極から離れた
位置における反応ガス流速の低下は、反応ガスが鉛直方
向に上昇してまうことが一つの原因として考えられる。
そこで、本発明では、加工電極と被加工物との間の空間
に噴出されたガスを、被加工物に沿わせて流すことによ
り、反応ガス流速の低下を防ぐことができると考え、電
極の周囲の被加工物と接する空間を狭める手段を配置す
ることにした。空間を狭める手段は、例えば、加工電極
先端に取り付けた絶縁材料の円板状の部材で構成するこ
とができる。これにより反応ガスの上昇流れが生じない
ため、被加工物表面のガス流速の低下を抑えることがで
き、被加工物と接する反応ガスの流速を高めることがで
きるため、被加工物表面の荒れを防ぐことができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態である形状創
成装置について、図７を用いて説明する。

【００２１】本発明の形状創成装置は、被加工物１０を
搭載するためのワークテーブル１と、被加工物１０の近
傍でプラズマ２０１を発生させるための加工電極２とを
加工チャンバ９ａの内部に備えている。ワークテーブル
１は、導電性の材料で形成されている。

【００２２】加工電極２は、本実施の形態の場合には、
図１のように先端部がパイプ形状である。加工電極２の
先端には、絶縁性の材料からなる円板７０１が取り付け
られている。

【００２３】ワークテーブル１には、加工電極２の先端
を、被加工物１０の加工したい部分に所望の間隔をあけ
て対向させるために、被加工物１０をｘｙｚ方向および
回転移動させる位置決めユニット６が、連結棒１０１を
介して取り付けられている。

【００２４】位置決めユニット６は、機構部収納チャン
バ９ｂ内に配置され、反応ガスによって腐食されるのを
防止している。加工チャンバ９ａと機構部収納チャンバ
とは、蛇腹部７０２と隔壁７０３とによって連結されて
いる。連結棒１０１は、隔壁７０３を貫通している。

【００２５】また、位置決めユニット６には、動作を制
御する制御部７が接続されている。

【００２６】加工電極２とワークテーブル１とには、プ
ラズマ生成のために加工電極２とワークテーブル１との
間に電圧を印加し、電力を供給する電力供給システム３
が接続されている。

【００２７】電力供給システム３は、１３０ＭＨｚの高
周波電源３０１と、マッチング回路３０２とにより構成
されている。マッチング回路３０２は、高周波電源３０
１と加工電極２とのインピーダンスを一致させ、電力を
有効に電極に供給するためにある。

【００２８】また、チャンバ９ａには、ダクト４０１、
４０２を介して、パイプ状の加工電極２の内部に反応ガ
スを送り込むガス供給システム４が取り付けられてい
る。

【００２９】加工電極２に供給された反応ガスは、図１
のように、パイプ状の加工電極２の内部を流れ、加工電
極２の先端から、被加工物１０と加工電極２との間の空
間に噴出される。このとき、加工電極２の先端部には、
円板７０１が取り付けられているため、加工電極２の周
囲の被加工物１０に接する空間は、円板７０１によって
狭められ、被加工物１０１と円板７０１とによって流路
２０２が形成されている。したがって、加工電極２から
噴出された反応ガスは、加工電極２を中心に外側に向か
って流路２０２を流れ、円板７０１の外側に噴出され
る。よって、加工電極２の周囲においては、反応ガス
は、被加工物１０の表面に沿うように流れるため、反応
ガスの上昇流れが形成されず、加工電極２の周囲の反応
ガスの流速を速めることができる。

【００３０】また、チャンバ９ａには、ガス排気システ
ム５も取り付けられている。ガス排気システム５は、チ
ャンバ９ａに取り付けられたダクト６０２と、ダクト６
０２を介してチャンバ９ａ内のガスを吸引するドライポ
ンプ（不図示）と、有害ガスを吸着する吸着装置（不図
示）とにより構成され、チャンバ９ａ内の未反応な反応
ガスと、生成ガスとを排気する。

【００３１】つぎに、図７の形状創成装置を用いて、被
加工物を加工する動作について説明する。

【００３２】まず、被加工物１０を図７の形状創成装置
のワークテーブル１上に設置する。そして、チャンバ９
ａを閉じ、ガス排気システム５により、チャンバ９を一
旦減圧する。その後、ガス供給システム４により、加工
電極２の内部に反応ガス送り込み、加工電極２の先端か
ら反応ガスを噴出させ、チャンバ内の圧力を所定の圧力
にする。

【００３３】加工電極２の先端を被加工物１０にあらか
じめ定めた距離まで接近させる。電力供給システム３に
より、加工電極２に高周波電力を印加する。これによ
り、加工電極２のプラズマ生成面にプラズマが発生し、
このプラズマにより、反応ガスのラジカルが生成され
る。

【００３４】制御部７は、加工電極２の先端が、被加工
物１０の表面に、加工量に応じた時間だけ滞在するよう
に、加工電極２に対する被加工物１０の移動量を位置決
めユニット６に指示する。このとき、加工量は、被加工
物の加工前の形状データと、目的とする形状データの差
を求めることによって定められる。このように、加工電
極２の先端を、被加工物１０上で相対的に移動させるこ
とにより、加工電極２によって形成されたプラズマが、
被加工物１０上で移動する。このとき、加工電極２の先
端から反応ガスを噴出しているため、プラズマによって
反応ガスのラジカルが生成して被加工物１０と反応し、
被加工物１０の表面が所望の形状に加工される。

【００３５】加工電極２の先端から噴出された反応ガス
は、加工電極２の先端に取り付けられた円板７０１と被
加工物１０表面とによって形成された流路２０２を流れ
るため、円板７０１がない場合と比較し、反応ガスの流
速が大きくなる。このため、加工電極２の周囲において
被加工物１０の表面の粗さを小さくすることができる。

【００３６】流路２０２を流れた反応ガスは、ガス排気
システム５によって排気される。

【００３７】上述のように、本発明では、加工電極２の
周囲における反応ガスの流速を高めることができるた
め、被加工物１０の表面の荒れを防ぐことができ、光学
レンズのような光学部品を高精度に加工することができ
る。

【００３８】加工電極２の周囲の反応ガスの流速をさら
に速めるために、図６のように、円板７０１を加工電極
２の先端よりも被加工物１０側に突き出させる構成にす
ることもできる。図６の構成が反応ガスの流速をさらに
速めることができるのは、以下のような理由による。

【００３９】図１の流路２０２において、加工電極中心
から半径ｒにおける反応ガスの平均流速Ｖは、次式で表
される。

【００４０】

【数１】Ｖ＝ｋ・Ｑ／（ｒ・Ｈ）ここに、Ｑは電極上部から一定流量で供給される反応ガ
ス流量、ｋは比例定数である。また、Ｈは、円板７０１
と被加工物１０との距離である。

【００４１】（数１）から、Ｈを小さくすると、平均流
速Ｖは大きくなることがわかる。したがって、図６のよ
うに、円板は加工電極端面よりも被加工物側に突き出す
ことにより、被加工物表面における反応ガス流速を速く
するのに効果的である。

【００４２】また、（数１）より、加工電極中心からｒ
が大きくなるに従ってＶが低下することがわかる。そこ
で、これを防ぐために、下式のＨ＝１／ｒを満たすように、流路の幅Ｈを中心から外に向かって狭
くすることにより、Ｖは、Ｖ＝ｋ’・Ｑとなり、流速を半径によらず一定にすることもできる。

【００４３】また、被加工物の加工面が球面である場
合、円板の被加工物側の面も加工面と等しいか、ほぼ同
等の曲率半径を有する球面にすればよい。また、被加工
物の加工面が非球面である場合、円板の被加工物側の面
は加工面の近似曲率半径と等しいか、ほぼ同等の近似曲
率半径を有する球面にすればよい。

【００４４】さらに、本発明では、円板７０１と加工電
極２側面とが接する部分に、図５のように切り欠き６０
１を設けることができる。これにより、加工電極の熱が
円板７０１に伝わるのを防止でき、円板の過熱損傷を防
ぐことができる。

【００４５】また、円板７０１を導電性材料により構成
し、加工電極２と円板７０１との間に、絶縁物を配置
し、両者を絶縁する構成にすることもできる。

【００４６】一方、電極２の周囲における反応ガスの流
速を高めるために、図８のように、加工電極２に回転翼
１００１を取り付ける構成にすることもできる。加工電
極２の途中には、モータ１００２が、取り付け部材１０
０３により取り付けられている。モータ１００２の回転
軸は、パイプ状に加工されており、パイプ状の回転軸と
パイプ状の加工電極２とが連通するように接続されてい
る。加工電極２の先端部は、モータ１００３によって回
転駆動され、加工電極２の先端部に取り付けられた回転
翼１００１が回転する。回転翼１００１は、被加工物１
０に向かってチャンバ９ａ内のガスを噴出するように取
り付けられている。

【００４７】したがって、反応ガスは、モータ１００２
のパイプ状の回転軸を通って、加工電極２の先端から噴
出される。このとき、モータ１００２が、加工電極２の
先端を回転させることにより、回転翼１００１が、被加
工物１０に向かってチャンバ内のガスを吹きつける。吹
き付けられたチャンバ内のガスは、被加工物１０表面に
ぶつかり、加工電極２を中心に外側に流れる流れを形成
する。この流れの速度をＱとし、加工電極２から噴出さ
れた反応ガスの速度をｑとすると、加工電極２の周囲に
おいて、加工電極２から離れる方向に向かう反応ガスの
流速は、Ｑ＋ｑに付勢される。これにより、加工電極２
の周囲における反応ガスの流速を速めることができ、加
工電極２の周囲における被加工物１０表面の荒れを防止
することができる。

【００４８】

【実施例】本発明の一実施例について説明する。本実施
例は、図７の形態を実施した例である。加工電極の先端
部は、図１の形態で実施した。

【００４９】加工チャンバ９ａは約φ６００ｍｍ、高さ
約３００ｍｍのステンレス製とした。ワークテーブル１
は、φ４００ｍｍのステンレス製とした。位置決めユニ
ット６はＸ、Ｙ方向がそれぞれ約１５０ｍｍ、Ｚ方向が
５０ｍｍのストロークを有するものとした。機構部収納
チャンバ９ｂは、約φ１５００ｍｍ、高さ１０００ｍｍ
のステンレス製とした。

【００５０】加工電極２の先端部は、外径φ１ｍｍ、内
径φ０．８ｍｍのＮｉ製パイプとした。円板７０１は、
外径φ３ｍｍのセラミックス製とした。

【００５１】上記の構成の装置を用いて、以下の手順で
石英ガラス（ＳｉＯ₂）製の被加工物１０を加工した。

【００５２】まず、被加工物１０をワークテーブル１上
に設置したのち、チャンバ９ａを密閉し、約１ｔｏｒｒ
まで排気した。加工電極２先端から反応ガスを３００ｃ
ｃ／ｍｉｎで吹き出させた。チャンバ内の圧力が７００
ｔｏｒｒ一定になったのを確認したのち、電力を電力供
給システムから加工電極２に印加し、加工電極２先端に
プラズマを生成させた。反応ガスには、Ｈｅに対してＳ
Ｆ₆を１％混合したものを用いた。ここで、被加工物１
０の石英ガラスと反応ガスは以下のように反応し、除去
加工が進行するものと考えられる。Ｈｅは反応に寄与し
ない。

【００５３】ＳＦ₆→Ｓ＋６Ｆ^* 3SiO₂+２ＳＦ₆→３ＳｉＦ₄+３Ｏ₂+２Ｓつぎに、ワークを走査させて約１５×１５ｍｍの領域
を、約１時間加工した。加工終了後、表面粗さを評価し
たところ、本発明で得られた加工面の表面粗さは従来技
術で得られたものに比べて向上しており、本発明の効果
が確認できた。

【００５４】また、実施例の加工電極２周辺の反応ガス
の流速分布を数値解析により調べた。解析では、ナビエ
ストークス方程式、連続の式を差分法により計算した。
解析モデルには加工電極２の中心軸を中心とする軸対称
モデルを採用し、簡単のために加工電極２と被加工物１
０表面のみで構成した。加工電極２と被加工物１０との
間隔は０．２ｍｍとした。反応ガスは、物性値は、動粘
性係数１．３４×１０^-4ｍ²／ｓ、密度１．７２×１０
^-1ｋｇ／ｍ³とした。

【００５５】解析結果を図９に示す。図９から、加工電
極２周辺における被加工物１０表面の近傍のガス流速
は、従来技術である図４に比べて高い値となっているこ
とが確認でき、これにより、被加工物表面の表面粗さが
小さくできたと考えられる。

【００５６】本発明では、パイプ状の加工電極の内部か
ら反応ガスを噴出させる方法を用いている。この方法
は、反応ガスの供給手段とプラズマ生成部が一体になっ
ているので、プラズマへのガス供給が極めて容易に行え
るという利点がある。また、電極の中心軸から放射状に
ガスが噴出されるので、加工痕の形状が円形となるとい
う利点もある。このため、被加工物と加工電極とを相対
的に走査させた場合に、加工される形状の予測が簡単に
行える。そのため、高精度な加工が行いやすい。これに
加えて、本実施例では、被加工物表面を流れる反応ガス
の流速が大きいため、被加工物の表面粗さを小さくでき
るため、本実施例の形状創成装置は、光学物品の製造に
適している。

【００５７】

【発明の効果】本発明によれば、プラズマを用いて生成
したラジカルの反応を利用した形状創成装置において、
パイプ状の加工電極を用いて反応ガスを噴出させたとき
に生じる被加工物表面の荒れを防ぐことができる。これ
により、たとえば光学レンズを加工する場合、光学性能
の低下を防止でき、光学物品の加工に適した装置を提供
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態の加工装置の電極部分の
形状を表す断面図。

【図２】従来のプラズマＣＶＭ装置の電極部分の形状を
示す断面図。

【図３】従来のプラズマＣＶＭ装置において、反応ガス
の流量と被加工物の表面粗さとの関係を示すグラフ。

【図４】図２の電極周辺の反応ガスの流れの解析結果を
示す説明図。

【図５】本発明の別の実施の形態の加工装置の電極部分
の形状を示す断面図。

【図６】本発明の別の実施の形態の加工装置の電極部分
の形状を示す断面図。

【図７】本発明の一実施の形態の加工装置の全体の構成
を示す説明図。

【図８】本発明の別の実施の形態の加工装置の電極部分
の構成を示す部分断面図。

【図９】図１の電極周辺の反応ガスの流れの解析結果を
示す説明図。

【符号の説明】

１・・・ワークテーブル、２、５０１・・・加工電極、
３・・・電力供給システム、４・・・ガス供給システ
ム、５・・・ガス排気システム、６・・・位置決めユニ
ット、７・・・制御部、９ａ，９ｂ・・・チャンバ、１
０、５０２・・・被加工物、２０２・・・流路、７０１
・・・円板、６０１・・・切り欠き、１００１・・・回
転翼、１００２・・・モータ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小林輝紀東京都千代田区丸の内３丁目２番３号株式会社ニコン内 (72)発明者伊藤博東京都千代田区丸の内３丁目２番３号株式会社ニコン内 (72)発明者柴田規夫東京都千代田区丸の内３丁目２番３号株式会社ニコン内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被加工物を搭載するための支持部と、前記被加工物と対向する部分に、局部的なプラズマを生
成するための電極と、前記電極を前記被加工物に対して相対的に移動させる移
動手段と、前記電極と前記被加工物とが対向する空間に反応ガスを
噴出するためのガス噴出手段と、前記ガス噴出手段から噴出された反応ガスを前記被加工
物に沿わせて流すために、前記電極の周囲の前記被加工
物と接する空間を狭める手段とを有することを特徴とす
る形状創成装置。
【請求項２】請求項１において、前記空間を狭める手段
は、前記電極の周囲に取り付けられた円板状の部材を有
することを特徴とする形状創成装置。
【請求項３】被加工物を搭載するための支持部と、前記被加工物と対向する部分に、局部的なプラズマを生
成するための電極と、前記電極を前記被加工物に対して相対的に移動させる移
動手段と、前記電極と前記被加工物とが対向する空間に反応ガスを
噴出するためのガス噴出手段と、前記ガス噴出手段から噴出された反応ガスの流れを、前
記電極から遠ざける方向に付勢するために、前記電極か
ら外側に向かう流れを形成する手段とを有することを特
徴とする形状創成装置。
【請求項４】請求項３において、前記流れを形成する手
段は、前記電極に取り付けられた回転翼と、前記回転翼
を回転させるための駆動手段とを有し、前記回転翼の回転中心は、前記電極の中心軸と一致する
ように配置されていることを特徴とする形状創成装置。
【請求項５】請求項１または３において、前記ガス噴出
手段は、前記電極の前記被加工物と対向する部分に設け
られた開口部と、前記開口部まで反応ガスを導くため
に、前記電極の内部に設けられた流路とを有することを
特徴とする形状創成装置。
【請求項６】請求項２において、前記円板状の部材は、
前記電極と絶縁されていることを特徴とする形状創成装
置。