KR20200114826A - 매엽식 건식 식각 챔버 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체의 제조 공정에서 습식 식각에 의존하던 고선택비 질화막 제거 방식을 대체하여 식각 공정을 수행할 수 있는 매엽식 건식 식각 챔버에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 본 발명은 안테나조절부에 의해 안테나와 웨이브윈도우 사이의 거리가 조절됨으로써 마이크로웨이브의 전송거리를 설정된 거리로 조절할 수 있으므로 식각 대상 기판의 종류와 특성에 따라 마이크로웨이브의 전송거리를 조절하여 플라즈마의 세기를 조절할 수 있다.

Description

매엽식 건식 식각 챔버{SINGLE TYPE CHAMBER FOR DRY ETCHING}
본 발명은 매엽식 건식 식각 챔버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체의 제조 공정에서 습식 식각에 의존하던 고선택비 질화막 제거 방식을 대체하여 낱장의 기판에 대한 식각 공정을 수행할 수 있는 매엽식 건식 식각 챔버에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 기판 상에 서로 성질을 달리하는 도전막, 반도체막 및 절연막 등의 박막을 그 적층의 순서 및 패턴의 형상을 조합하여 일정한 기능을 수행하는 전자회로를 실현하는 과정이라고 말할 수 있다.
이에 따라 반도체 소자 제조 공정에서는 여러 가지 박막의 증착과 식각이 반복적으로 이루어진다.
여기서, 여러 가지 박막 중 특히 실리콘 산화막은 기판으로 흔히 이용되는 실리콘과 양립성(compatibility)이 우수하고 열 산화 등의 방법으로 형성하기가 쉬우며 취급이 용이하기 때문에 절연막으로 많이 이용되고 있다.
식각공정은 웨이퍼 가공의 한 공정으로서, 감광막(Photoresist) 층의 구멍을 통해 웨이퍼의 최상단층의 질화막을 선택적으로 제거하거나 감광막 층의 구멍과 같은 크기를 갖는 패턴을 웨이퍼의 최상단층에 옮기는 작업을 수행한다.
이와 같은 식각 공정은 크게 습식 식각(Chemical Etching)과 건식 식각으로 구분되고, 건식 식각에는 플라즈마 식각, 이온 빔 밀링(Ion Beam Milling), 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etch:RIE) 등의 방식이 있다.
여기서, 습식식각은 질화막의 등방성 식각을 수행할 수 있으나 오염을 초래하고 잔류 용액에 의한 웨이퍼의 손상 등과 같은 문제점이 있어서 건식 식각 방식이 요구되고 있다.
건식 식각 장치로는 플라즈마를 이용한 플라즈마 식각이 대표적이다.
플라즈마 식각은 웨이퍼가 안착되는 챔버 내에 전류를 제공하면서 반응기체를 공급하여 플라즈마를 발생시킴으로써 플라지마에 의한 물리적인 식각을 수행하는 방식이다.
종래의 건식 식각 장치는 플라즈마에 의한 식각을 수행함에 있어서 플라즈마를 발생시키기 위한 전류의 세기를 동일하게만 제공하므로 플라즈마의 발생 범위나 강도를 조절할 수 없는 한계가 있다.
또한, 반응기체의 배출이 원활하지 않고, 플라즈마에 의한 식각만을 수행하는 한계가 있다.
따라서, 상기와 같은 선행기술의 문제점을 극복할 수 있는 새로운 기술이 요구되고 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2017-0014384호
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 개선하기 위하여 창출된 것으로, 낱개의 기판을 습식 방식이 아닌 건식 방식을 통해 식각공정을 수행할 수 있는 고효율의 매엽식 건식 식각 챔버를 제공하는 것이 그 목적이다.
또한, 본 발명은 챔버에 주입된 반응기체를 원활하게 배출시킬 수 있으며, 플라즈마의 형성을 위해 전송되는 마이크로웨이브의 세기를 조절할 수 있는 매엽식 건식 식각 챔버를 제공하는 것이 그 목적이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 하나의 실시예에 따른 매엽식 건식 식각 챔버는, 기판의 식각공정이 수행될 수 있도록 진공공간을 제공하며, 하나의 기판이 로딩된 상태로 반응기체가 주입되면서 마이크로웨이브가 외주면으로 제공되어 플라즈마를 발생시켜 기판의 식각을 수행한는 챔버본체; 상기 챔버본체의 내부로 반응기체를 공급하는 기체 주입부; 상기 챔버본체에서 반응이 완료된 기체를 배출시키는 기체 배출부; 상기 챔버본체의 내부에 설치되어 상기 기판의 안착부위를 제공하는 안착부; 상기 챔버본체의 외부에 설치되어 마이크로웨이브를 발생시켜서 상기 챔버본체에 제공하는 제너레이터; 상기 챔버본체의 외주면에 형성되어 상기 제너레이터에서 발생하는 마이크로웨이브의 전송부위를 제공하는 웨이브윈도우; 상기 제너레이터에 연결된 상태로 상기 웨이브윈도우에 인접상태로 설치되어 상기 제너레이터에서 발생하는 마이크로웨이브를 상기 웨이브윈도우로 전송하는 안테나; 및 상기 안테나와 상기 웨이브윈도우 사이의 간격을 조절하면서 마이크로웨이브의 전송거리를 조절하는 안테나 조절부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 안테나 조절부는, 상기 안테나를 수평 이동가능하게 지지하면서 상기 안테나를 상기 웨이브윈도우 쪽으로 이동시거나 상기 웨이브윈도우 반대쪽으로 이동시키는 이동부재; 및 상기 안테나와 상기 웨이브윈도우의 거리를 감지하면서 상기 이동부재의 작동을 제어하는 거리감지부재를 포함할 수 있다.
또한, 상기 기체 배출부는, 상기 챔버본체에 일단부가 연결된 상태로 동일한 관경으로 연장되는 메인파이프; 및 상기 메인파이프에 연결된 상태로 상기 메인파이프 보다 좁은 관경으로 연장되면서 배출기체의 속도를 증가시키는 벤투리관을 포함할 수 있다.
또한, 상기 안착부는, 상기 기판을 설정된 온도로 유지시키는 히팅부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 건식 식각 챔버는, 낱개의 기판을 습식 방식이 아닌 건식 방식을 통해 식각공정을 수행할 수 있으므로 습식 방식에 비해 저비용으로 식각을 수행할 수 있고, 오염과 잔류 용액에 의한 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 안테나조절부에 의해 안테나와 웨이브윈도우 사이의 거리가 조절됨으로써 마이크로웨이브의 전송거리를 설정된 거리로 조절할 수 있으므로 식각 대상 기판의 종류와 특성에 따라 마이크로웨이브의 전송거리를 조절하여 플라즈마의 세기를 조절할 수 있다.
또한, 본 발명은 기체 배출부가 메인파이프 및 벤투리관으로 형성됨에 따라 배출기체의 배출속도가 증가하므로 반응기체가 챔버본체에서 원활하게 배출되면서 정밀한 식각 공정이 수행될 수 있다.
또한, 본 발명은 챔버본체의 내부에 구비되는 카세트수용관이 기판카세트의 외곽을 소통가능하게 차폐하면서 반응기체를 기판카세트의 주변으로 안내하므로 플라즈마에 의한 물리적 식각과 함께 기체에 의한 화학적 식각이 원활하게 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명은 기판이 안착되는 안착부에 고열이 제공되므로 반응기체가 반응하는 과정에서 발생하는 파우더를 최소화시킬 수 있다.
개시되는 실시예들에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 개시되는 실시예들이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 건식 식각 챔버의 구성을 나타내는 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기체 배출부의 실시예를 나타내는 구성도이다.
도 3은 도 1에 도시된 안테나 조절부의 실시예를 나타내는 구성도이다.
이하에서 첨부 도면을 참고하여 본 발명의 실시예에 대해서 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지의 범용적인 기능 또는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 개념에 따른 실시 예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서 또는 출원에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 건식 식각 챔버의 구성을 나타내는 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기체 배출부의 실시예를 나타내는 구성도이며, 도 3은 도 1에 도시된 안테나 조절부의 실시예를 나타내는 구성도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 건식 식각 챔버(10)는 하나의 기판(1)을 순차적으로 식각 공정을 수행함으로써 처리량을 확보할 수 있는 기술이다.
구체적으로, 일 실시예에 따른 매엽식 건식 식각 챔버(10)는 도 1에 도시된 바와 같이 챔버본체(100), 기체주입부(120), 기체배출부(140), 안착부(200), 제너레이터(300), 웨이브윈도우(400), 안테나(500) 및 안테나 조절부(600)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 챔버본체(100)는 기판(1)의 식각 공정이 수행되기 위한 진공공간을 제공하는 구성요소이다.
이러한 챔버본체(100)는 함체형으로 형성되어 후술되는 구성요소들이 내부에 설치될 수 있으며, 밀폐되면서 내부에 진공이 형성될 수 있다.
또한, 챔버본체(100)는 개폐가능하게 구성되어 미도시된 기판 로딩기를 통해 하나의 기판(1)이 후술되는 안착부(200)에 로딩될 수 있으며, 미도시된 반응가스공급기와 연결되어 플라즈마 형성을 위한 반응가스가 공급될 수 있고, 미도시된 배출펌프가 연결되어 반응가스를 배출시킬 수도 있다.
이러한 챔버본체(100)는 후술되는 기체 주입부(120)를 통해 반응기체가 내부로 주입되는 동시에 후술되는 웨이브윈도우(400)로 마이크로웨이브가 전송됨으로써 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
이에 따라 챔버본체(100)는 플라즈마 발생에 의한 이온 및 전자의 이동에 의한 타격을 통해 물리적인 식각을 수행할 수 있다.
또한, 챔버본체(100)는 또한 플라즈마 상태에서 해리된 반응성원자(Radical Atom)가 기판 위를 덮고 있는 1마이크로미터 이하의 얇은 막질 원자와 결합한 후 강한 휘발성을 띠면서 표면에서 떨어져 나가는 화학적인 식각을 수행할 수도 있다.
상기 기체주입부(120)는 챔버본체(100)의 일측에 연결되어 플라즈마 형성을 위한 반응가스를 주입시키는 것으로, 미도시된 반응가스공급기에서 공급되는 반응가스를 챔버본체(100)로 주입시키고, 개폐가능하게 구성되어 챔버본체(100)에 진공을 유지시킬 수도 있다.
상기 기체 배출부(140)는 챔버본체(100)에서 반응이 완료된 반응기체를 배출시키는 구성요소이다.
이러한 기체 배출부(140)는 미도시된 배출펌프에 연결되어 반응기체를 강제로 배출시킬 수도 있다.
여기서, 기체 배출부(140)는 도 3에 도시된 바와 같이 메인파이프(141) 및 벤투리관(142)을 포함하여 구성될 수 있다.
메인파이프(141)는 챔버본체(210)에 일단부가 연결된 상태로 동일한 관경으로 연장될 수 있다.
벤투리관(142)은 배출되는 반응기체의 속도를 증가시키기 위한 것으로, 메인파이프(231)에 연결된 상태로 메인파이프(141)보다 좁은 관경으로 연장될 수 있다.
즉, 벤투리관(142)은 반응기체가 배출되는 경로의 단면적을 축소시킴으로써 반응기체의 배출속도를 증가시킬 수 있다.
이에 따라, 반응기체는 챔버본체(100)에서 잔여하지 않고 원활하게 배출됨으로써 과도함이 없이 정밀한 식각이 수행될 수 있다.
상기 안착부(200)는 챔버본체(100)의 내부에 설치된 상태로 하나의 기판(1)의 안착부위를 제공하며, 전원인가에 의해 하부전극을 인가할 수도 있다.
이러한 안착부(200)는 미도시된 기판이송기에 의해 로딩되는 하나의 기판(1)이 수평상태로 안착될 수 있다.
예컨대, 안착부(200)는 정전척으로 구성되어 정전기를 통해 기판(1)을 고정할 수 있다.
여기서, 안착부(200)에는 도 1에 도시된 바와 같이 히팅부(250)가 구비되어 기판(1)을 설정된 온도로 유지시킬 수 있다.
히팅부(250)는 안착부(200)에 고열을 제공함으로써 챔버본체(100)로 주입된 반응기체의 온도를 소정의 고온으로 유지시킬 수 있다.
이에 따라, 히팅부(250)는 반응가스가 반응하는 과정에서 챔버본체(100) 내부의 온도를 고온으로 유지시킴으로써 반응가스에 의한 파우더가 발생하는 것을 최소화시킬 수 있다.
한편, 안착부(200)는 챔버본체(100)에 구비되는 스테이지의 상부에 설치될 수 있으며, 스테이지의 작동에 의해 높낮이가 조절될 수 있으며, 수평도가 조절되거나 피벗회전이 가능하게 설치될 수 있다.
여기서, 스테이지는 안착부(300)의 수직이동, 수평이동 및 회전이 가능하도록 3방향으로 이동 가능한 3축 스테이지로 구성될 수 있다.
상기 제너레이터(300)는 챔버본체(100)의 외부에 설치된 상태로 플라즈마형성을 위한 마이크로웨이브를 발생시켜서 제공하는 구성요소이다.
이러한 제어레이터(300)는 설정된 세기의 마이크로웨이브를 균일하게 발생시킬 수 있다.
웨이브윈도우(400)는 챔버본체(100)의 외주면에 형성되어 제너레이터(300)에서 인가되는 마이크로웨이브의 전송부위를 이루는 구성요소이다.
이러한 웨이브윈도우(400)는 석영을 소재로 형성되어 후술되는 안테나(500)를 통해 마이크로웨이브가 전송될 수 있으며, 이에 따라 챔버본체(100)는 반응가스가 주입된 상태에서 웨이브윈도우(400)에 마이크로웨이브가 전송됨으로써 내부에 플라즈마가 형성되어 식각 공정을 수행할 수 있다.
상기 안테나(500)는 도 1에 도시된 바와 같이 제너레이터(300)에 연결된 상태로 웨이브윈도우(400)에 인접상태로 설치되어 제너레이터(300)에서 발생하는 마이크로웨이브를 웨이브윈도우(400)로 전송하는 구성요소이다.
즉, 안테나(500)는 제너레이터(300)에서 발생한 마이크로웨이브를 웨이브윈도우(400)로 전송함으로써 챔버본체(100)의 내부에 플라즈마를 형성할 수 있다.
상기 안테나 조절부(600)는 안테나(500)와 웨이브윈도우(400) 사이의 간격을 조절함으로써 마이크로웨이브의 전송거리를 조절하는 구성요소이다.
즉, 안테나 조절부(600)는 균일한 세기로 발생하는 마이크로웨이브를 안테나(500)로 전송함에 있어서 안테나(500)에 의한 전송거리를 조절함으로써 챔버본체(100)에서 형성되는 플라즈마의 세기를 조절할 수 있다.
이러한 안테나 조절부(600)는 안테나(500)와 웨이브윈도우(400) 사이의 간격이 멀어지도록 조절하여 전송거리를 증가시킴으로써 마이크로웨이브를 상대적으로 감쇠시켜 전송할 수 있으며, 안테나(500)와 웨이브윈도우(400) 사이의 간격이 좁아지도록 조절하여 전송거리를 축소시킴으로써 마이크로웨이브를 상대적으로 증가시켜 전송할 수 있다.
예컨대, 안테나 조절부(600)는 도 2에 도시된 바와 같이 이동부재(610) 및 거리감지부재(620)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 이동부재(610)는 안테나(500)를 이동가능하게 지지하면서 웨이브윈도우(400) 쪽으로 이동시거나 웨이브윈도우(400)의 반대쪽으로 이동시키는 구성요소이다.
이러한 이동부재(610)는 리니어모터나 볼스크류 방식으로 구성되어 안테나(500)를 직선운동시키면서 왕복운동시킬 수 있으며, 이와 달리 랙과 피니언 방식의 기계적인 구성을 통해 안테나를 왕복운동시킬 수도 있다.
상기 거리감지부재(620)는 안테나(500)와 웨이브윈도우(400)의 거리를 감지하면서 이동부재(610)의 작동을 제어하는 구성요소이다.
즉, 거리감지부재(620)는 이동부재(610)에 의해 이동하는 안테나(500)와 웨이브윈도우(400) 사이의 거리를 감지하여 이동부재(610)에 제공함으로써, 이동부재(610)가 설정된 지점으로 안테나(500)를 이동시킬 수 있도록 할 수 있다.
이러한 거리감지부재(620)는 안테나(500)에 설치되는 적외선센서나 초음파센서 또는 레이저센서로 구성되어 안테나(500)와 웨이브윈도우(400) 사이의 거리를 감지할 수 있다.
이에 따라, 안테나 조절부(600)는 기판의 종류와 특성에 따라 마이크로웨이브의 전송거리를 조절함으로써 플라즈마의 세기를 조절할 수 있다.
이상에서 살펴 본 바와 같이 본 발명에 따른 매엽식 건식 식각 챔버(10)는 습식 방식에 비해 저비용으로 식각을 수행하면서 오염과 잔류 용액에 의한 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있으며, 특히 안테나조절부(600)에 의해 안테나(500)와 웨이브윈도우(400) 사이의 거리가 조절됨으로써 마이크로웨이브의 전송거리를 설정된 거리로 조절할 수 있으므로 식각 대상 기판의 종류와 특성에 따라 마이크로웨이브의 전송거리를 조절하여 플라즈마의 세기를 조절할 수 있다. 이울러, 기체 배출부(140)가 메인파이프(141) 및 벤투리관(142)으로 형성됨에 따라 배출기체의 배출속도가 증가하므로 반응기체가 챔버본체(100)에서 원활하게 배출되면서 정밀한 식각 공정이 수행될 수 있다.
상술된 실시예들은 예시를 위한 것이며, 상술된 실시예들이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 상술된 실시예들이 갖는 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 상술된 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 명세서를 통해 보호 받고자 하는 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태를 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10 : 매엽식 건식 식각 챔버
100 : 챔버본체
120 : 기체주입부
140 : 기체배출부
141 : 메인파이프
142 : 벤투리관
200 : 안착부
250 : 히팅부
300 : 제너레이터
400 : 웨이브윈도우
500 : 안테나
600 : 안테나 조절부
610 : 이동부재
620 : 거리감지부재
1 : 기판

Claims (4)

  1. 기판의 식각공정이 수행될 수 있도록 진공공간을 제공하며, 하나의 기판이 로딩된 상태로 반응기체가 주입되면서 마이크로웨이브가 외주면으로 제공되어 플라즈마를 발생시켜 기판의 식각을 수행한는 챔버본체;
    상기 챔버본체의 내부로 반응기체를 공급하는 기체 주입부;
    상기 챔버본체에서 반응이 완료된 기체를 배출시키는 기체 배출부;
    상기 챔버본체의 내부에 설치되어 상기 기판의 안착부위를 제공하는 안착부;
    상기 챔버본체의 외부에 설치되어 마이크로웨이브를 발생시켜서 상기 챔버본체에 제공하는 제너레이터;
    상기 챔버본체의 외주면에 형성되어 상기 제너레이터에서 발생하는 마이크로웨이브의 전송부위를 제공하는 웨이브윈도우;
    상기 제너레이터에 연결된 상태로 상기 웨이브윈도우에 인접상태로 설치되어 상기 제너레이터에서 발생하는 마이크로웨이브를 상기 웨이브윈도우로 전송하는 안테나; 및
    상기 안테나와 상기 웨이브윈도우 사이의 간격을 조절하면서 마이크로웨이브의 전송거리를 조절하는 안테나 조절부를 포함하는 매엽식 건식 식각 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 안테나 조절부는,
    상기 안테나를 이동가능하게 지지하면서 상기 안테나를 상기 웨이브윈도우 쪽으로 이동시거나 상기 웨이브윈도우 반대쪽으로 이동시키는 이동부재; 및
    상기 안테나와 상기 웨이브윈도우의 거리를 감지하면서 상기 이동부재의 작동을 제어하는 거리감지부재를 포함하는 매엽식 건식 식각 챔버.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 배출부는,
    상기 챔버본체에 일단부가 연결된 상태로 동일한 관경으로 연장되는 메인파이프; 및
    상기 메인파이프에 연결된 상태로 상기 메인파이프 보다 좁은 관경으로 연장되면서 배출기체의 속도를 증가시키는 벤투리관을 포함하는 매엽식 건식 식각 챔버.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 안착부는,
    상기 기판을 설정된 온도로 유지시키는 히팅부를 포함하는 매엽식 건식 식각 챔버.
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