JP2002158211A - イオンビームエッチング装置 - Google Patents
イオンビームエッチング装置Info
- Publication number
- JP2002158211A JP2002158211A JP2000352880A JP2000352880A JP2002158211A JP 2002158211 A JP2002158211 A JP 2002158211A JP 2000352880 A JP2000352880 A JP 2000352880A JP 2000352880 A JP2000352880 A JP 2000352880A JP 2002158211 A JP2002158211 A JP 2002158211A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- substrate
- ion beam
- angle
- angles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 より均一なエッチングを行うことができるイ
オンビームエッチング装置の提供。 【解決手段】 イオンビームＩＢに対する基板Ｓの基板
傾きθを、角度Ａ，角度Ｂ、角度Ｃの順に位置決めし、
各角度Ａ〜Ｃに対応したエッチング時間で各々エッチン
グを行うようにした。各角度Ａ〜Ｃにおけるエッチング
量の分布はそれぞれ異なるが、それらのエッチングを重
ねて行うことにより、従来のように一定の基板傾きでエ
ッチングを行う装置に比べて基板全体におけるエッチン
グ量の均一性が向上する。
オンビームエッチング装置の提供。 【解決手段】 イオンビームＩＢに対する基板Ｓの基板
傾きθを、角度Ａ，角度Ｂ、角度Ｃの順に位置決めし、
各角度Ａ〜Ｃに対応したエッチング時間で各々エッチン
グを行うようにした。各角度Ａ〜Ｃにおけるエッチング
量の分布はそれぞれ異なるが、それらのエッチングを重
ねて行うことにより、従来のように一定の基板傾きでエ
ッチングを行う装置に比べて基板全体におけるエッチン
グ量の均一性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造等に用
いられるイオンビームエッチング装置に関する。
いられるイオンビームエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオンビームエッチング装置では、Ａｒ
やＨｅ等の不活性ガスをイオン化して高エネルギーのイ
オンビームを生成し、そのイオンビームを被エッチング
部材に照射してエッチングを行っている。従来の装置で
は、基板をイオンビームに対して一定の角度に保つとと
もに、基板面が均一にエッチングされるように基板を基
板面内で回転させつつエッチング作業が行われている。
やＨｅ等の不活性ガスをイオン化して高エネルギーのイ
オンビームを生成し、そのイオンビームを被エッチング
部材に照射してエッチングを行っている。従来の装置で
は、基板をイオンビームに対して一定の角度に保つとと
もに、基板面が均一にエッチングされるように基板を基
板面内で回転させつつエッチング作業が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＨＤＤ用Ｇ
ＭＲヘッドの製造工程等に使用されるイオンビームエッ
チング装置に対しては、基板エッチング領域におけるエ
ッチング量の均一性に対する要求精度が年々高まってき
ている。しかしながら、要求される均一性（uniformit
y）が所定レベル以上、例えば、φ８インチＳｉウェハ
の両面エッチング量分布に対して±１％以下の要求が出
されるようになると、上述したようなエッチング方法に
よる装置ではその要求に応えられないという問題があっ
た。
ＭＲヘッドの製造工程等に使用されるイオンビームエッ
チング装置に対しては、基板エッチング領域におけるエ
ッチング量の均一性に対する要求精度が年々高まってき
ている。しかしながら、要求される均一性（uniformit
y）が所定レベル以上、例えば、φ８インチＳｉウェハ
の両面エッチング量分布に対して±１％以下の要求が出
されるようになると、上述したようなエッチング方法に
よる装置ではその要求に応えられないという問題があっ
た。
【０００４】本発明の目的は、より均一なエッチングを
行うことができるイオンビームエッチング装置を提供す
ることにある。
行うことができるイオンビームエッチング装置を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図１および図２に対応付けて説明する。 （１）請求項１の発明は、被エッチング部材Ｓのエッチ
ング面にイオン源２からのイオンビームＩＢを照射して
エッチングを行うイオンビームエッチング装置に適用さ
れ、イオンビームＩＢに対するエッチング面の傾斜角θ
を異なる複数の角度Ａ，Ｂ，Ｃに順に位置決めする傾斜
角設定手段３，９と、位置決めされた各傾斜角Ａ，Ｂ，
Ｃにおいて、その傾斜角Ａ，Ｂ，Ｃに応じた所定エッチ
ング時間だけエッチングが行われるように制御する制御
手段８，９とを備えて上述の目的を達成する。 （２）請求項２の発明は、被エッチング部材Ｓのエッチ
ング面にイオン源２からのイオンビームＩＢを照射して
エッチングを行うイオンビームエッチング装置に適用さ
れ、イオンビームＩＢに対するエッチング面の傾斜角θ
を所定傾斜角範囲（Ａ〜Ｃ）内で変化させる傾斜角変化
手段３，９と、傾斜角θを傾斜角変化手段３，９により
変化させつつエッチングを行わせる制御手段８，９とを
備えて上述の目的を達成する。
図１および図２に対応付けて説明する。 （１）請求項１の発明は、被エッチング部材Ｓのエッチ
ング面にイオン源２からのイオンビームＩＢを照射して
エッチングを行うイオンビームエッチング装置に適用さ
れ、イオンビームＩＢに対するエッチング面の傾斜角θ
を異なる複数の角度Ａ，Ｂ，Ｃに順に位置決めする傾斜
角設定手段３，９と、位置決めされた各傾斜角Ａ，Ｂ，
Ｃにおいて、その傾斜角Ａ，Ｂ，Ｃに応じた所定エッチ
ング時間だけエッチングが行われるように制御する制御
手段８，９とを備えて上述の目的を達成する。 （２）請求項２の発明は、被エッチング部材Ｓのエッチ
ング面にイオン源２からのイオンビームＩＢを照射して
エッチングを行うイオンビームエッチング装置に適用さ
れ、イオンビームＩＢに対するエッチング面の傾斜角θ
を所定傾斜角範囲（Ａ〜Ｃ）内で変化させる傾斜角変化
手段３，９と、傾斜角θを傾斜角変化手段３，９により
変化させつつエッチングを行わせる制御手段８，９とを
備えて上述の目的を達成する。
【０００６】なお、上記課題を解決するための手段の項
では、本発明を分かり易くするために発明の実施の形態
の図を用いたが、これにより本発明が発明の実施の形態
に限定されるものではない。
では、本発明を分かり易くするために発明の実施の形態
の図を用いたが、これにより本発明が発明の実施の形態
に限定されるものではない。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図５を参照して本発
明の実施の形態を説明する。図１はイオンビームエッチ
ング装置の概略構成を示す模式図である。真空チャンバ
１内にはイオン源２，基板ステージ３が設けられてい
る。イオン源２にはガス供給源４からＡｒガスが供給さ
れ、Ａｒガスの供給量はマスフローコントローラ５によ
り制御される。また、イオン源２にはマッチングユニッ
ト６を介してＲＦ電源７が接続されており、イオン源２
内には１３．５６ＭＨｚのＲＦが誘導結合により導入さ
れる。
明の実施の形態を説明する。図１はイオンビームエッチ
ング装置の概略構成を示す模式図である。真空チャンバ
１内にはイオン源２，基板ステージ３が設けられてい
る。イオン源２にはガス供給源４からＡｒガスが供給さ
れ、Ａｒガスの供給量はマスフローコントローラ５によ
り制御される。また、イオン源２にはマッチングユニッ
ト６を介してＲＦ電源７が接続されており、イオン源２
内には１３．５６ＭＨｚのＲＦが誘導結合により導入さ
れる。
【０００８】イオン源２にはグリッドＧが設けられてお
り、グリッドＧには不図示のＤＣ電源によりグリッド電
圧が印加される。ガス供給源４からイオン源２にＡｒガ
スを供給するとともにＲＦ電源７によりＲＦを導入する
と、イオン源２内にＡｒイオンが生成される。そして、
グリッドＧにグリッド電圧を印加すると、Ａｒイオンの
イオンビームＩＢがイオン源２から引き出される。この
イオンビームＩＢを基板ステージ３に装着された基板Ｓ
に照射することにより、基板Ｓの表面がエッチングされ
る。
り、グリッドＧには不図示のＤＣ電源によりグリッド電
圧が印加される。ガス供給源４からイオン源２にＡｒガ
スを供給するとともにＲＦ電源７によりＲＦを導入する
と、イオン源２内にＡｒイオンが生成される。そして、
グリッドＧにグリッド電圧を印加すると、Ａｒイオンの
イオンビームＩＢがイオン源２から引き出される。この
イオンビームＩＢを基板ステージ３に装着された基板Ｓ
に照射することにより、基板Ｓの表面がエッチングされ
る。
【０００９】基板ステージ３は載置された基板ＳをＲ１
で示すように回転するとともに、基板ステージ３自身を
Ｒ２のように傾けたり揺動運動させたりすることができ
る。８はメカニカルシャッタであり、非エッチング時に
は基板ステージ３の前面（イオン源２側）に移動してイ
オンビームＩＢを遮蔽し、基板ＳにイオンビームＩＢが
照射されないようにする。エッチング時には、所定エッ
チング時間だけメカニカルシャッタを図１のように下方
に移動して、イオンビームＩＢが基板Ｓに照射されるよ
うにする。このように、メカニカルシャッタ８の開閉に
より、エッチングの開始および停止を制御する。基板ス
テージ３およびメカニカルシャッタ８の動作は制御部９
により制御される。
で示すように回転するとともに、基板ステージ３自身を
Ｒ２のように傾けたり揺動運動させたりすることができ
る。８はメカニカルシャッタであり、非エッチング時に
は基板ステージ３の前面（イオン源２側）に移動してイ
オンビームＩＢを遮蔽し、基板ＳにイオンビームＩＢが
照射されないようにする。エッチング時には、所定エッ
チング時間だけメカニカルシャッタを図１のように下方
に移動して、イオンビームＩＢが基板Ｓに照射されるよ
うにする。このように、メカニカルシャッタ８の開閉に
より、エッチングの開始および停止を制御する。基板ス
テージ３およびメカニカルシャッタ８の動作は制御部９
により制御される。
【００１０】本実施の形態のイオンビームエッチング装
置では、以下に述べるような２種類の方法のいずれか一
方でエッチングを行う。 《第１のエッチング方法》図２（ａ）はエッチング時の
イオン源２と基板Ｓとの位置関係を示す図であり、イオ
ン源２と基板ステージ３とは図のｘ軸に沿って配設され
ている。基板Ｓの傾きθは、基板面がｙｚ平面と平行の
場合をθ＝９０（deg）とする。すなわち、基板Ｓの法
線ｎとｙ軸との角度を基板傾きθとし、図１のように基
板Ｓの表面がイオン源２に対向するように配設されてい
る場合はθ＝９０（deg）である。
置では、以下に述べるような２種類の方法のいずれか一
方でエッチングを行う。 《第１のエッチング方法》図２（ａ）はエッチング時の
イオン源２と基板Ｓとの位置関係を示す図であり、イオ
ン源２と基板ステージ３とは図のｘ軸に沿って配設され
ている。基板Ｓの傾きθは、基板面がｙｚ平面と平行の
場合をθ＝９０（deg）とする。すなわち、基板Ｓの法
線ｎとｙ軸との角度を基板傾きθとし、図１のように基
板Ｓの表面がイオン源２に対向するように配設されてい
る場合はθ＝９０（deg）である。
【００１１】前述したように、従来は基板傾きθを一定
の角度に保ってエッチングを行っていたが、本実施の形
態における第１のエッチング方法では、基板Ｓを複数の
角度に傾けて、各々の角度においてエッチングを行うよ
うにした。例えば、図２（ｂ）に示すように、角度の異
なる複数のエッチング工程を設けて、第１工程（角度
Ａ）、第２工程（角度Ｂ）、第３工程（角度Ｃ）の順に
エッチングを行う。このとき、角度ＡでＴａ（sec）、
角度ＢでＴｂ（sec）、角度ＣでＴｃ（sec）のように、
各工程毎にエッチング時間が設定される。
の角度に保ってエッチングを行っていたが、本実施の形
態における第１のエッチング方法では、基板Ｓを複数の
角度に傾けて、各々の角度においてエッチングを行うよ
うにした。例えば、図２（ｂ）に示すように、角度の異
なる複数のエッチング工程を設けて、第１工程（角度
Ａ）、第２工程（角度Ｂ）、第３工程（角度Ｃ）の順に
エッチングを行う。このとき、角度ＡでＴａ（sec）、
角度ＢでＴｂ（sec）、角度ＣでＴｃ（sec）のように、
各工程毎にエッチング時間が設定される。
【００１２】なお、工程数や角度Ａ，Ｂ，Ｃやエッチン
グ時間Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｃは、イオン源２と基板Ｓとのジ
オメトリー（相対的位置関係）に依存しており、各装置
のジオメトリーに応じてこれらが決定される。また、エ
ッチング時間Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｃの制御は、メカニカルシ
ャッタ８の開閉により制御する。
グ時間Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｃは、イオン源２と基板Ｓとのジ
オメトリー（相対的位置関係）に依存しており、各装置
のジオメトリーに応じてこれらが決定される。また、エ
ッチング時間Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｃの制御は、メカニカルシ
ャッタ８の開閉により制御する。
【００１３】（具体例）８インチウェハーに形成された
ＳｉＯxのエッチングを、下記のような２つの工程に分
けて行った。 ・第１工程：基板傾き＝２５（deg）、ＲＦ電力＝１３
０（Ｗ）、基板回転速度＝１００（rpm）、成膜時間＝
４００（sec） ・第２工程：基板傾き＝６０（deg）、ＲＦ電力＝１３
０（Ｗ）、基板回転速度＝１００（rpm）、成膜時間＝
９０（sec）
ＳｉＯxのエッチングを、下記のような２つの工程に分
けて行った。 ・第１工程：基板傾き＝２５（deg）、ＲＦ電力＝１３
０（Ｗ）、基板回転速度＝１００（rpm）、成膜時間＝
４００（sec） ・第２工程：基板傾き＝６０（deg）、ＲＦ電力＝１３
０（Ｗ）、基板回転速度＝１００（rpm）、成膜時間＝
９０（sec）
【００１４】図３は上述した２つの工程のエッチングを
説明する図であり、（ａ）は第１工程におけるエッチン
グ量を、（ｂ）は第２工程におけるエッチング量をそれ
ぞれ定性的に示したものである。図３の（ａ），（ｂ）
は基板中心から基板周辺に沿ったエッチング量の分布を
示しており、縦軸はエッチング量を、横軸は基板Ｓの径
方向の位置を表している。なお、図３（ａ）には基板Ｓ
も示した。
説明する図であり、（ａ）は第１工程におけるエッチン
グ量を、（ｂ）は第２工程におけるエッチング量をそれ
ぞれ定性的に示したものである。図３の（ａ），（ｂ）
は基板中心から基板周辺に沿ったエッチング量の分布を
示しており、縦軸はエッチング量を、横軸は基板Ｓの径
方向の位置を表している。なお、図３（ａ）には基板Ｓ
も示した。
【００１５】図３（ａ）の分布ｆ１に示すように、基板
傾きθ＝２５（deg）でエッチングを行うと、基板中心
と周辺部との間にエッチング量のピークが現れる。一
方、より大きな基板傾き＝６０（deg）でエッチングを
行うと、図３（ｂ）の分布ｆ２に示すように基板中心部
分にエッチング量のピークが現れる。そのため、第１工
程と第２工程とを順に行うと、そのときのエッチング量
分布ｆ３は分布ｆ１と分布ｆ２とを重ね合わせたものと
なる。図３（ｃ）の分布ｆ３は、一定の角度でエッチン
グしたときの分布ｆ１，ｆ２よりもより一様となってい
る。
傾きθ＝２５（deg）でエッチングを行うと、基板中心
と周辺部との間にエッチング量のピークが現れる。一
方、より大きな基板傾き＝６０（deg）でエッチングを
行うと、図３（ｂ）の分布ｆ２に示すように基板中心部
分にエッチング量のピークが現れる。そのため、第１工
程と第２工程とを順に行うと、そのときのエッチング量
分布ｆ３は分布ｆ１と分布ｆ２とを重ね合わせたものと
なる。図３（ｃ）の分布ｆ３は、一定の角度でエッチン
グしたときの分布ｆ１，ｆ２よりもより一様となってい
る。
【００１６】上述した条件でエッチングを行ったとき、
分布の均一性（uniformity）は±１％以下となった。こ
こで、uniformityとは次式（１）で表される量であり、
基板Ｓ上の複数箇所についてエッチング量Ｄを計測し、
計測されたエッチング量Ｔの最大値Dmaxと最小値Dminを
求め、それらを式（１）に代入することにより得られ
る。
分布の均一性（uniformity）は±１％以下となった。こ
こで、uniformityとは次式（１）で表される量であり、
基板Ｓ上の複数箇所についてエッチング量Ｄを計測し、
計測されたエッチング量Ｔの最大値Dmaxと最小値Dminを
求め、それらを式（１）に代入することにより得られ
る。
【数１】 (uniformity)＝｛(Dmax−Dmin)／(Dmax＋Dmin)｝×100 （％） …(1)
【００１７】図３（ａ）の分布ｆ１は基板傾きθが２５
（deg）の場合を示したものであるが、θを大きくした
り小さくしたりすると、分布のピークが図４のｆ４のよ
うに中心方向に移動したり、ｆ５のように周辺方向に移
動したりする。そのため、上述した具体例では２つの基
板傾きについてエッチングを行ったが、エッチング工程
を角度の異なる３以上の工程に分けることにより、エッ
チング量をより均一にさせることができる。
（deg）の場合を示したものであるが、θを大きくした
り小さくしたりすると、分布のピークが図４のｆ４のよ
うに中心方向に移動したり、ｆ５のように周辺方向に移
動したりする。そのため、上述した具体例では２つの基
板傾きについてエッチングを行ったが、エッチング工程
を角度の異なる３以上の工程に分けることにより、エッ
チング量をより均一にさせることができる。
【００１８】《第２のエッチング方法》上述した第１の
エッチング方法では、エッチング工程を基板傾きの異な
る複数の工程に分け、それぞれの基板傾きθで所定時間
だけエッチングするようにしたが、第２のエッチング方
法では、基板ステージ３を図１のＲ２方向に揺動運動さ
せつつエッチングを行うようにした。例えば、図２
（ｂ）の角度Ａと角度Ｃとの間で基板ステージ３を揺動
運動させたり、上述した具体例のθ＝２５（deg）とθ
＝６０（deg）との間で揺動運動させる。この場合、揺
動速度を一定としても良いが、第１のエッチング法でエ
ッチング時間を傾斜角に応じて変えたように、傾斜角に
応じて揺動速度を変化させても良い。
エッチング方法では、エッチング工程を基板傾きの異な
る複数の工程に分け、それぞれの基板傾きθで所定時間
だけエッチングするようにしたが、第２のエッチング方
法では、基板ステージ３を図１のＲ２方向に揺動運動さ
せつつエッチングを行うようにした。例えば、図２
（ｂ）の角度Ａと角度Ｃとの間で基板ステージ３を揺動
運動させたり、上述した具体例のθ＝２５（deg）とθ
＝６０（deg）との間で揺動運動させる。この場合、揺
動速度を一定としても良いが、第１のエッチング法でエ
ッチング時間を傾斜角に応じて変えたように、傾斜角に
応じて揺動速度を変化させても良い。
【００１９】これは、第１のエッチング方法のエッチン
グ工程数を非常に多くしたものに対応しており、エッチ
ング量の分布を均一にすることができる。また、揺動さ
せながらエッチングを行うことにより、基板Ｓに形成さ
れたデバイスの段差部分のエッチングを均一に行える。
このときの揺動運動の速さは、基板傾きθに拘わらず一
定としても良いし、基板傾きθに応じて揺動の速さを変
えるようにしても良い。
グ工程数を非常に多くしたものに対応しており、エッチ
ング量の分布を均一にすることができる。また、揺動さ
せながらエッチングを行うことにより、基板Ｓに形成さ
れたデバイスの段差部分のエッチングを均一に行える。
このときの揺動運動の速さは、基板傾きθに拘わらず一
定としても良いし、基板傾きθに応じて揺動の速さを変
えるようにしても良い。
【００２０】本実施の形態のイオンビームエッチング装
置では、上述したようにエッチング量のピーク位置の異
なるエッチング工程を複数行うことにより均一性を得る
ようにしている。そのため、図５に示すように材質の異
なる部材２０，２１を有するデバイスをエッチングする
場合には、エッチングレートが分布ｆ１のようになる基
板傾きθの小さなエッチング工程と、エッチングレート
が分布ｆ２のようになる基板傾きθが比較的９０（de
g）に近いエッチング工程とを組み合わせて行うことに
より、部材２０，２１を同じエッチング量だけ均一にエ
ッチングすることが可能となる。
置では、上述したようにエッチング量のピーク位置の異
なるエッチング工程を複数行うことにより均一性を得る
ようにしている。そのため、図５に示すように材質の異
なる部材２０，２１を有するデバイスをエッチングする
場合には、エッチングレートが分布ｆ１のようになる基
板傾きθの小さなエッチング工程と、エッチングレート
が分布ｆ２のようになる基板傾きθが比較的９０（de
g）に近いエッチング工程とを組み合わせて行うことに
より、部材２０，２１を同じエッチング量だけ均一にエ
ッチングすることが可能となる。
【００２１】また、２次イオン質量分析法（Secondary
Ion Mass Spectrometry；SIMS）を利用してエッチング
のエンドポイントを検知するようなシステムにおいて
は、上述したように均一性の高いエッチングが可能なの
でエンドポイント検知の精度が向上し、デバイスダメー
ジの低減や、不良率低減の向上を図ることができる。
Ion Mass Spectrometry；SIMS）を利用してエッチング
のエンドポイントを検知するようなシステムにおいて
は、上述したように均一性の高いエッチングが可能なの
でエンドポイント検知の精度が向上し、デバイスダメー
ジの低減や、不良率低減の向上を図ることができる。
【００２２】なお、上述した実施の形態では、イオンビ
ームＩＢに対する基板傾きθは、基板ステージ３の傾き
を変えることによって変更したが、基板Ｓに対するイオ
ン源２の傾きを変化させるようにしても良い。また、エ
ッチングの開始および停止をメカニカルシャッタ８の開
閉により行ったが、イオンビームＩＢの引き出しを制御
してエッチングの開始および停止を行うようにしても良
い。
ームＩＢに対する基板傾きθは、基板ステージ３の傾き
を変えることによって変更したが、基板Ｓに対するイオ
ン源２の傾きを変化させるようにしても良い。また、エ
ッチングの開始および停止をメカニカルシャッタ８の開
閉により行ったが、イオンビームＩＢの引き出しを制御
してエッチングの開始および停止を行うようにしても良
い。
【００２３】以上説明した実施の形態と特許請求の範囲
の要素との対応において、基板Ｓは被エッチング部材
を、基板傾きθは傾斜角を、基板ステージ３および制御
部９は傾斜角設定手段および傾斜角変化手段を、メカニ
カルシャッタ８および制御部９は制御手段をそれぞれ構
成する。
の要素との対応において、基板Ｓは被エッチング部材
を、基板傾きθは傾斜角を、基板ステージ３および制御
部９は傾斜角設定手段および傾斜角変化手段を、メカニ
カルシャッタ８および制御部９は制御手段をそれぞれ構
成する。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、本発明によれば、イオンビームに対するエッチ
ング面の傾斜角を複数の角度に順に位置決めして、各傾
斜角で所定エッチング時間だけエッチングするようにし
たので、従来のように一定の傾斜角でエッチングする場
合に比べて、エッチングの均一性を向上させることがで
きる。請求項２の発明では、傾斜角を所定傾斜角範囲内
で変化させつつエッチングを行うことにより、請求項１
の発明と同様の効果を得ることができる。
よれば、本発明によれば、イオンビームに対するエッチ
ング面の傾斜角を複数の角度に順に位置決めして、各傾
斜角で所定エッチング時間だけエッチングするようにし
たので、従来のように一定の傾斜角でエッチングする場
合に比べて、エッチングの均一性を向上させることがで
きる。請求項２の発明では、傾斜角を所定傾斜角範囲内
で変化させつつエッチングを行うことにより、請求項１
の発明と同様の効果を得ることができる。
【図１】本発明によるイオンビームエッチング装置の概
略構成を示す模式図である。
略構成を示す模式図である。
【図２】第１のエッチング方法を説明する図であり、
（ａ）はイオン源２と基板Ｓとの位置関係を示す図で、
（ｂ）はエッチング時の角度設定を示す図である。
（ａ）はイオン源２と基板Ｓとの位置関係を示す図で、
（ｂ）はエッチング時の角度設定を示す図である。
【図３】エッチング量の分布を定性的に示す図であり、
（ａ）はθ＝２５（deg）の場合の分布ｆ１を、（ｂ）
はθ＝６０（deg）の場合の分布ｆ２を、（ｃ）は分布
ｆ１と分布ｆ２を重ね合わせた分布ｆ３をそれぞれ示
す。
（ａ）はθ＝２５（deg）の場合の分布ｆ１を、（ｂ）
はθ＝６０（deg）の場合の分布ｆ２を、（ｃ）は分布
ｆ１と分布ｆ２を重ね合わせた分布ｆ３をそれぞれ示
す。
【図４】θ＝２５（deg）に対して角度θを変えたとき
の分布ｆ４，ｆ５を示す図である。
の分布ｆ４，ｆ５を示す図である。
【図５】材質の異なる部材２０，２１を有するデバイス
をエッチングする場合を説明する図。
をエッチングする場合を説明する図。
１ 真空チャンバ ２ イオン源 ３ 基板ステージ ７ ＲＦ電源 ８ メカニカルシャッタ ９ 制御部 ＩＢ イオンビーム Ｓ 基板 θ 基板傾き
Claims (2)
- 【請求項１】 被エッチング部材のエッチング面にイオ
ン源からのイオンビームを照射してエッチングを行うイ
オンビームエッチング装置において、 前記イオンビームに対する前記エッチング面の傾斜角を
異なる複数の角度に順に位置決めする傾斜角設定手段
と、 位置決めされた各傾斜角において、その傾斜角に応じた
所定エッチング時間だけエッチングが行われるように制
御する制御手段とを備えたことを特徴とするイオンビー
ムエッチング装置。 - 【請求項２】 被エッチング部材のエッチング面にイオ
ン源からのイオンビームを照射してエッチングを行うイ
オンビームエッチング装置において、 前記イオンビームに対する前記エッチング面の傾斜角を
所定傾斜角範囲内で変化させる傾斜角変化手段と、 前記傾斜角を前記傾斜角変化手段により変化させつつエ
ッチングを行わせる制御手段とを備えたことを特徴とす
るイオンビームエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000352880A JP2002158211A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | イオンビームエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000352880A JP2002158211A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | イオンビームエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158211A true JP2002158211A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18825719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000352880A Pending JP2002158211A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | イオンビームエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002158211A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8108986B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-02-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for manufacturing a perpendicular magnetic write pole having a large bevel angle |
| WO2015097942A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板加工方法及び半導体装置の製造方法 |
| JPWO2014069094A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2016-09-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体装置の製造方法、イオンビームエッチング装置及び制御装置 |
| KR20170052529A (ko) * | 2015-10-02 | 2017-05-12 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 이온 빔 에칭 방법 및 이온 빔 에칭 장치 |
| US10276788B2 (en) | 2016-09-05 | 2019-04-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ion beam apparatuses and methods for forming patterns using the same, and methods for manufacturing magnetic memory devices using the same |
-
2000
- 2000-11-20 JP JP2000352880A patent/JP2002158211A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8108986B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-02-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for manufacturing a perpendicular magnetic write pole having a large bevel angle |
| JPWO2014069094A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2016-09-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体装置の製造方法、イオンビームエッチング装置及び制御装置 |
| US9564360B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-02-07 | Canon Anelva Corporation | Substrate processing method and method of manufacturing semiconductor device |
| CN105849870A (zh) * | 2013-12-25 | 2016-08-10 | 佳能安内华股份有限公司 | 基板加工方法及半导体装置的制造方法 |
| JP6028110B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2016-11-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板加工方法及び半導体装置の製造方法 |
| TWI562304B (ja) * | 2013-12-25 | 2016-12-11 | Canon Anelva Corp | |
| WO2015097942A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板加工方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR101768928B1 (ko) | 2013-12-25 | 2017-08-17 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 기판 가공 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR20170052529A (ko) * | 2015-10-02 | 2017-05-12 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 이온 빔 에칭 방법 및 이온 빔 에칭 장치 |
| CN107004591A (zh) * | 2015-10-02 | 2017-08-01 | 佳能安内华股份有限公司 | 离子束蚀刻方法和离子束蚀刻设备 |
| US9966092B2 (en) | 2015-10-02 | 2018-05-08 | Canon Anelva Corporation | Ion beam etching method and ion beam etching apparatus |
| KR101900334B1 (ko) * | 2015-10-02 | 2018-09-20 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 이온 빔 에칭 방법 및 이온 빔 에칭 장치 |
| CN107004591B (zh) * | 2015-10-02 | 2020-05-01 | 佳能安内华股份有限公司 | 离子束蚀刻方法和离子束蚀刻设备 |
| US10276788B2 (en) | 2016-09-05 | 2019-04-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ion beam apparatuses and methods for forming patterns using the same, and methods for manufacturing magnetic memory devices using the same |
| US10608173B2 (en) | 2016-09-05 | 2020-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ion beam apparatus with continuously changing parameter control |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10546720B2 (en) | Ion beam processing device | |
| JP5296380B2 (ja) | プラズマ加工ステップセットの調整方法 | |
| US9111729B2 (en) | Small plasma chamber systems and methods | |
| US8524331B2 (en) | Substrate processing method | |
| US20100304572A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| US20090084757A1 (en) | Uniformity control for ion beam assisted etching | |
| US8759227B2 (en) | Method for processing a target object | |
| US20070224709A1 (en) | Plasma processing method and apparatus, control program and storage medium | |
| KR20110099145A (ko) | 플라즈마 처리장치, 플라즈마 처리방법 및 피처리 기판을 포함한 소자 제조방법 | |
| JP2007138275A (ja) | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 | |
| JP2002158211A (ja) | イオンビームエッチング装置 | |
| JP2007214299A (ja) | エッチング方法 | |
| JP7374008B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JP2002231700A (ja) | ナノトポグラフィ除去方法 | |
| KR102521914B1 (ko) | 부품의 수복 방법 및 기판 처리 시스템 | |
| JP4312400B2 (ja) | スパッタ装置 | |
| CN107452611A (zh) | 用于等离子体蚀刻工件的方法及装置 | |
| EP3706159B1 (en) | Atomic layer polishing method | |
| JP2003309107A (ja) | 積層膜のエッチング方法 | |
| JP4865951B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP2007103622A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| JPH0473288B2 (ja) | ||
| EP4012066A1 (en) | Film forming apparatus and film forming method | |
| KR100466295B1 (ko) | 기판 가장자리 식각 방법 | |
| JPS62249420A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070207 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20081105 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081111 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20090310 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |