JPH11255513A - その表面に部分的又は完全にシリル化されたポリ珪酸連鎖を有する二酸化珪素及びその製法、これを含有するトナー、シリコン組成物及びシリコンエラストマー - Google Patents
その表面に部分的又は完全にシリル化されたポリ珪酸連鎖を有する二酸化珪素及びその製法、これを含有するトナー、シリコン組成物及びシリコンエラストマーInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 その表面に部分的又は完全にシリル化された
ポリ珪酸連鎖を有する二酸化珪素 【解決手段】 二酸化珪素表面のシラノール基（ＳｉＯ
Ｈ）とグラフトされたシリル化剤残基（ＳｉＲａ）（こ
こで、ａは１、２又は３であってよく、Ｒは同じまたは
異なるものであってよく、置換又は非置換の炭化水素基
である）との合計は、非処理二酸化珪素の表面上のシラ
ノール基の数よりも大きい。
ポリ珪酸連鎖を有する二酸化珪素 【解決手段】 二酸化珪素表面のシラノール基（ＳｉＯ
Ｈ）とグラフトされたシリル化剤残基（ＳｉＲａ）（こ
こで、ａは１、２又は３であってよく、Ｒは同じまたは
異なるものであってよく、置換又は非置換の炭化水素基
である）との合計は、非処理二酸化珪素の表面上のシラ
ノール基の数よりも大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、その表面に部分的
又は完全にシリル化されたポリ珪酸連鎖を有する二酸化
珪素及びその製法、並びにこれを含有するトナー及びシ
リコンエラストマーに関する。
又は完全にシリル化されたポリ珪酸連鎖を有する二酸化
珪素及びその製法、並びにこれを含有するトナー及びシ
リコンエラストマーに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＥ １１６３７８４及びＤＥ ３２１
１４３１（DEGUSSA AG）には、高めた温度で二酸化珪素
を疎水性化する方法が記載されている。このために、二
酸化珪素は、高温で活性化され、予め乾燥される。疎水
性の生成物が得られる。
１４３１（DEGUSSA AG）には、高めた温度で二酸化珪素
を疎水性化する方法が記載されている。このために、二
酸化珪素は、高温で活性化され、予め乾燥される。疎水
性の生成物が得られる。
【０００３】ＤＥ ４２４０７４１（Wacker-ChemieGmb
H）には、低級アルキルアルコールの添加下におけるク
ロロシランを用いる二酸化珪素のシリル化法が記載され
ている。一様な疎水性の生成物が得られる。
H）には、低級アルキルアルコールの添加下におけるク
ロロシランを用いる二酸化珪素のシリル化法が記載され
ている。一様な疎水性の生成物が得られる。
【０００４】ＤＥ ２３４４３８８（Wacker-chemie）
には、機械的圧縮下で二酸化珪素を疎水性化する方法が
記載されている。完全に疎水性の物質が得られる。
には、機械的圧縮下で二酸化珪素を疎水性化する方法が
記載されている。完全に疎水性の物質が得られる。
【０００５】ＤＥ ２４０３７８３（BAYER AG）には、
シリコン組成物中で使用するための二酸化珪素−填料の
製法が記載されている。完全に疎水性の珪酸が得られ
る。
シリコン組成物中で使用するための二酸化珪素−填料の
製法が記載されている。完全に疎水性の珪酸が得られ
る。
【０００６】ＤＥ ３８３９９００及びＥＰ０３７８７
８５（Wacker-Chemie）には、疎水性化剤を用いる、粒
子状のＳｉＯＨ−基含有固体を疎水性化する方法が記載
されている。ジオルガノポリシロキサンをベースとする
硬化可能な組成物中で使用するために好適である疎水性
填料が得られる。
８５（Wacker-Chemie）には、疎水性化剤を用いる、粒
子状のＳｉＯＨ−基含有固体を疎水性化する方法が記載
されている。ジオルガノポリシロキサンをベースとする
硬化可能な組成物中で使用するために好適である疎水性
填料が得られる。
【０００７】技術水準の欠点は、一般に、この方法を用
いて物質の均一な疎水性が望まれ、かつ目的とされるこ
とにある。二酸化珪素表面上の部分的又は完全にシリル
化されたポリ珪酸連鎖はそこでは製造されない。
いて物質の均一な疎水性が望まれ、かつ目的とされるこ
とにある。二酸化珪素表面上の部分的又は完全にシリル
化されたポリ珪酸連鎖はそこでは製造されない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】技術水準のこれらの欠
点を克服する課題が存在した。
点を克服する課題が存在した。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の目的物は、その
表面に部分的又は完全にシリル化されたポリ珪酸連鎖を
有する二酸化珪素であり、この際、二酸化珪素−表面の
シラノール基（ＳｉＯＨ）とグラフトされたシリル化剤
残基（ＳｉＲａ）（ここで、ａは１、２又は３であって
よく、Ｒは同じ又は異なるものであってよく、置換又は
非置換の炭化水素基である）とからの合計が、非処理の
二酸化珪素の表面上のシラノール基の数より大きい。
表面に部分的又は完全にシリル化されたポリ珪酸連鎖を
有する二酸化珪素であり、この際、二酸化珪素−表面の
シラノール基（ＳｉＯＨ）とグラフトされたシリル化剤
残基（ＳｉＲａ）（ここで、ａは１、２又は３であって
よく、Ｒは同じ又は異なるものであってよく、置換又は
非置換の炭化水素基である）とからの合計が、非処理の
二酸化珪素の表面上のシラノール基の数より大きい。
【００１０】二酸化珪素、殊に高熱分解二酸化珪素の疎
水性化は、技術水準によれば、二酸化珪素−シラノール
基と有機珪素基との反応として実施され、記載されてい
る。このことは、技術水準によれば、疎水性化が、二酸
化珪素−シラノール基とシリル化剤のＳｉＸ−基（Ｘは
反応性の離脱可能基）との縮合反応として進行すること
を意味する。結果として、疎水性化された二酸化珪素
が、その表面に、二酸化珪素−表面積ｎｍ２当たり最大
２個のシラノール基を有する親水性出発二酸化珪素より
も少ないシラノール基を含有する。
水性化は、技術水準によれば、二酸化珪素−シラノール
基と有機珪素基との反応として実施され、記載されてい
る。このことは、技術水準によれば、疎水性化が、二酸
化珪素−シラノール基とシリル化剤のＳｉＸ−基（Ｘは
反応性の離脱可能基）との縮合反応として進行すること
を意味する。結果として、疎水性化された二酸化珪素
が、その表面に、二酸化珪素−表面積ｎｍ２当たり最大
２個のシラノール基を有する親水性出発二酸化珪素より
も少ないシラノール基を含有する。
【００１１】本発明による二酸化珪素は、その表面に化
学結合した部分的又は完全にシリル化されたポリ珪酸連
鎖を有する。従って、このシリル化剤層は、二酸化珪素
−表面に結合した、構造： Ｒａ（ＯＨ）ｂＳｉＯｃ及び（ＯＨ）ｄＳｉＯｅ （ここで、Ｒは同じ又は異なるものであってよく、置換
又は非置換の炭化水素基であり、ａは１、２又は３であ
り、ｂは０、１又は２、有利に０であり、ｃは１、２又
は３、有利に１であり、ａ＋ｂ＋ｃは４であり、ｄは
０、１、２又は３、有利に０、１又は２であり、ｅは
１、２、３又は４であり、ｄ＋ｅは４である）の単位か
らなる部分的に又は完全にシリル化されたポリ珪酸構造
を有する。
学結合した部分的又は完全にシリル化されたポリ珪酸連
鎖を有する。従って、このシリル化剤層は、二酸化珪素
−表面に結合した、構造： Ｒａ（ＯＨ）ｂＳｉＯｃ及び（ＯＨ）ｄＳｉＯｅ （ここで、Ｒは同じ又は異なるものであってよく、置換
又は非置換の炭化水素基であり、ａは１、２又は３であ
り、ｂは０、１又は２、有利に０であり、ｃは１、２又
は３、有利に１であり、ａ＋ｂ＋ｃは４であり、ｄは
０、１、２又は３、有利に０、１又は２であり、ｅは
１、２、３又は４であり、ｄ＋ｅは４である）の単位か
らなる部分的に又は完全にシリル化されたポリ珪酸構造
を有する。
【００１２】Ｒは、同じ又は異なるもので、Ｃ−原子数
１〜１８を有する脂肪族飽和又は不飽和の又は芳香族の
置換又は非置換の、好ましくはハロゲン又は擬ハロゲン
で置換された炭化水素基であるのが有利である。
１〜１８を有する脂肪族飽和又は不飽和の又は芳香族の
置換又は非置換の、好ましくはハロゲン又は擬ハロゲン
で置換された炭化水素基であるのが有利である。
【００１３】Ｒの例は次のものである：アルキル基、例
えばメチル基、エチル基；プロピル基、例えばイソ−又
はｎ−プロピル基；ブチル基、例えばｔ−又はｎ−ブチ
ル基；ペンチル基、例えばネオ−、イソ−又はｎ−ペン
チル基；ヘキシル基、例えばｎ−ヘキシル基；ヘプチル
基、例えばｎ−ヘプチル基；オクチル基、例えば２−エ
チル−ヘキシル−又はｎ−オクチル基；デシル基、例え
ばｎ−デシル基；ドデシル基、例えばｎ−ドデシル基；
ヘキサデシル基、例えばｎ−ヘキサデシル基；オクタデ
シル基、例えばｎ−オクタデシル基；アルケニル基、例
えばビニル−、２−アリル−又は５−ヘキセニル基；ア
リール基、例えばフェニル−、ビフェニル又はナフテニ
ル基；アルキルアリール基、例えばベンジル−、エチル
フェニル−、トルイル−又はキシリル基；ハロゲン化さ
れたアルキル基、例えば３−クロロプロピル−、３，
３，３−トリフルオロプロピル又はペルフルオロヘキシ
ルエチル基；ハロゲン化されたアリール基、例えばクロ
ロフェニル−又はクロロベンジル基。
えばメチル基、エチル基；プロピル基、例えばイソ−又
はｎ−プロピル基；ブチル基、例えばｔ−又はｎ−ブチ
ル基；ペンチル基、例えばネオ−、イソ−又はｎ−ペン
チル基；ヘキシル基、例えばｎ−ヘキシル基；ヘプチル
基、例えばｎ−ヘプチル基；オクチル基、例えば２−エ
チル−ヘキシル−又はｎ−オクチル基；デシル基、例え
ばｎ−デシル基；ドデシル基、例えばｎ−ドデシル基；
ヘキサデシル基、例えばｎ−ヘキサデシル基；オクタデ
シル基、例えばｎ−オクタデシル基；アルケニル基、例
えばビニル−、２−アリル−又は５−ヘキセニル基；ア
リール基、例えばフェニル−、ビフェニル又はナフテニ
ル基；アルキルアリール基、例えばベンジル−、エチル
フェニル−、トルイル−又はキシリル基；ハロゲン化さ
れたアルキル基、例えば３−クロロプロピル−、３，
３，３−トリフルオロプロピル又はペルフルオロヘキシ
ルエチル基；ハロゲン化されたアリール基、例えばクロ
ロフェニル−又はクロロベンジル基。
【００１４】Ｒの有利な例は、工業的入手性の理由か
ら、メチル基、ビニル基及び３，３，３−トリフルオロ
プロピル基である。
ら、メチル基、ビニル基及び３，３，３−トリフルオロ
プロピル基である。
【００１５】本発明の二酸化珪素は、非処理の親水性二
酸化珪素の活性で酸性のＳｉＯＨの全含量に対して２５
モル％より少ない二酸化珪素のＳｉＯ２−表面の活性で
酸性のＳｉＯＨの含分を示すのが有利である。
酸化珪素の活性で酸性のＳｉＯＨの全含量に対して２５
モル％より少ない二酸化珪素のＳｉＯ２−表面の活性で
酸性のＳｉＯＨの含分を示すのが有利である。
【００１６】二酸化珪素−表面に化学的に結合した部分
的又は完全にシリル化されたポリ珪酸構造は、有利には
少なくとも２個で最大２０個のＳｉ−原子を含有する。
的又は完全にシリル化されたポリ珪酸構造は、有利には
少なくとも２個で最大２０個のＳｉ−原子を含有する。
【００１７】全シリル化剤層中の二酸化珪素−表面に結
合した、構造： Ｒａ（ＯＨ）ｂＳｉＯｃ （ここで、Ｒ、ａ、ｂ及びｃは前記のものを表す）の単
位からなる部分的又は完全にシリル化されたポリ珪酸構
造のモル割合は、７５モル％より小さいか又は同じであ
るが、２５モル％より大きいか又は同じである。
合した、構造： Ｒａ（ＯＨ）ｂＳｉＯｃ （ここで、Ｒ、ａ、ｂ及びｃは前記のものを表す）の単
位からなる部分的又は完全にシリル化されたポリ珪酸構
造のモル割合は、７５モル％より小さいか又は同じであ
るが、２５モル％より大きいか又は同じである。
【００１８】二酸化珪素−表面上のシリル化されたポリ
珪酸−残基の例は、次のものである（ここで、Ｚは二酸
化珪素−表面の珪素原子であり、二酸化珪素−表面は、
単一ではなく、種々異なるシリル化されたポリ珪酸−残
基で被覆されているのが有利である）： Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉＲ３］３ Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳｉＲ３］２ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ（ＯＨ）２［ＯＳｉＲ３］ ｛Ｚ−Ｏ−｝２Ｓｉ［ＯＳｉＲ３］２ ｛Ｚ−Ｏ−｝２ＳｉＯＨ［ＯＳｉＲ３］ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉＲ３］２−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉ
Ｒ３］３ Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳｉＲ３］−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉＲ
３］３ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ（ＯＨ）２−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉＲ３］３ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉＲ３］２−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳｉ
Ｒ３］２ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉＲ３］２−Ｏ−Ｓｉ（ＯＨ）
２［ＯＳｉＲ３］ Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳｉＲ３］−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳ
ｉＲ３］２ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ｛ＯＳｉ［ＯＳｉＲ３］３｝３ Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ｛ＯＳｉ［ＯＳｉＲ３］３｝２ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ｛ＯＳｉＯＨ［ＯＳｉＲ３］２｝３ Ｒは同じ又は異なるものであり、前記のものを表す。
珪酸−残基の例は、次のものである（ここで、Ｚは二酸
化珪素−表面の珪素原子であり、二酸化珪素−表面は、
単一ではなく、種々異なるシリル化されたポリ珪酸−残
基で被覆されているのが有利である）： Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉＲ３］３ Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳｉＲ３］２ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ（ＯＨ）２［ＯＳｉＲ３］ ｛Ｚ−Ｏ−｝２Ｓｉ［ＯＳｉＲ３］２ ｛Ｚ−Ｏ−｝２ＳｉＯＨ［ＯＳｉＲ３］ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉＲ３］２−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉ
Ｒ３］３ Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳｉＲ３］−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉＲ
３］３ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ（ＯＨ）２−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉＲ３］３ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉＲ３］２−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳｉ
Ｒ３］２ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉＲ３］２−Ｏ−Ｓｉ（ＯＨ）
２［ＯＳｉＲ３］ Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳｉＲ３］−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳ
ｉＲ３］２ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ｛ＯＳｉ［ＯＳｉＲ３］３｝３ Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ｛ＯＳｉ［ＯＳｉＲ３］３｝２ Ｚ−Ｏ−Ｓｉ｛ＯＳｉＯＨ［ＯＳｉＲ３］２｝３ Ｒは同じ又は異なるものであり、前記のものを表す。
【００１９】有利な例は、次のものである：Ｚ−Ｏ−Ｓ
ｉ［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］３、 Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳ
ｉ（ＣＨ３）３］２、 Ｚ−Ｏ−Ｓｉ（ＯＨ）２［ＯＳｉ
（ＣＨ３）３］、｛Ｚ−Ｏ−｝２Ｓｉ［ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ３）３］２、 ｛Ｚ−Ｏ−｝２ＳｉＯＨ［ＯＳｉ（ＣＨ
３）３］、Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］２−Ｏ
−Ｓｉ［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］３、 Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ
［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉ（ＣＨ３）
３］３、 Ｚ−Ｏ−Ｓｉ（ＯＨ）２−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉ
（ＣＨ３）３］３、Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ３）３］２−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ３）３］ ２、 Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］２
−Ｏ−Ｓｉ（ＯＨ）２［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］、Ｚ−Ｏ
−ＳｉＯＨ［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］−Ｏ−ＳｉＯＨ［Ｏ
Ｓｉ（ＣＨ３）３］２、 Ｚ−Ｏ−Ｓｉ｛ＯＳｉ［ＯＳｉ
（ＣＨ３）３］３｝３、 Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ｛ＯＳｉ［Ｏ
Ｓｉ（ＣＨ３）３］３｝２、 Ｚ−Ｏ−Ｓｉ｛ＯＳｉ［Ｏ
ＳｉＯＨ（ＣＨ３）３］２｝３ 。
ｉ［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］３、 Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳ
ｉ（ＣＨ３）３］２、 Ｚ−Ｏ−Ｓｉ（ＯＨ）２［ＯＳｉ
（ＣＨ３）３］、｛Ｚ−Ｏ−｝２Ｓｉ［ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ３）３］２、 ｛Ｚ−Ｏ−｝２ＳｉＯＨ［ＯＳｉ（ＣＨ
３）３］、Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］２−Ｏ
−Ｓｉ［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］３、 Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ
［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉ（ＣＨ３）
３］３、 Ｚ−Ｏ−Ｓｉ（ＯＨ）２−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉ
（ＣＨ３）３］３、Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ３）３］２−Ｏ−ＳｉＯＨ［ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ３）３］ ２、 Ｚ−Ｏ−Ｓｉ［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］２
−Ｏ−Ｓｉ（ＯＨ）２［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］、Ｚ−Ｏ
−ＳｉＯＨ［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］−Ｏ−ＳｉＯＨ［Ｏ
Ｓｉ（ＣＨ３）３］２、 Ｚ−Ｏ−Ｓｉ｛ＯＳｉ［ＯＳｉ
（ＣＨ３）３］３｝３、 Ｚ−Ｏ−ＳｉＯＨ｛ＯＳｉ［Ｏ
Ｓｉ（ＣＨ３）３］３｝２、 Ｚ−Ｏ−Ｓｉ｛ＯＳｉ［Ｏ
ＳｉＯＨ（ＣＨ３）３］２｝３ 。
【００２０】本発明のもう一つの目的は、その表面に部
分的又は完全にシリル化されたポリ珪酸連鎖を有する二
酸化珪素の製法であり、これは、シリル化剤を二酸化珪
素の存在シラノール基に対してモル過剰で添加すること
を特徴とする。
分的又は完全にシリル化されたポリ珪酸連鎖を有する二
酸化珪素の製法であり、これは、シリル化剤を二酸化珪
素の存在シラノール基に対してモル過剰で添加すること
を特徴とする。
【００２１】本発明の方法で使用される二酸化珪素は、
例えば湿式化学的沈殿により製造された二酸化珪素、又
は特に有利には高熱法で、例えばテトラクロロシラン又
はメチルトリクロロシラン又はメチルジクロロシランの
炎内加水分解により製造された高熱分解二酸化珪素であ
る。有利に使用される二酸化珪素は、１０μｍより小さ
い、好ましくは１μｍより小さい、殊に１００〜１００
０ｎｍの範囲の二酸化珪素−凝集物の水力学的直径を有
し、好ましくは０.１ｍ２／ｇより大きい、特に好まし
くは２０ｍ２／ｇ〜４００ｍ２／ｇの比表面積（ＤＩＮ
６６１３１及び６６１３２によるＢＥＴ−法で測定）を
有するものを使用するのが有利である。親水性及び疎水
性の二酸化珪素を使用することができる。
例えば湿式化学的沈殿により製造された二酸化珪素、又
は特に有利には高熱法で、例えばテトラクロロシラン又
はメチルトリクロロシラン又はメチルジクロロシランの
炎内加水分解により製造された高熱分解二酸化珪素であ
る。有利に使用される二酸化珪素は、１０μｍより小さ
い、好ましくは１μｍより小さい、殊に１００〜１００
０ｎｍの範囲の二酸化珪素−凝集物の水力学的直径を有
し、好ましくは０.１ｍ２／ｇより大きい、特に好まし
くは２０ｍ２／ｇ〜４００ｍ２／ｇの比表面積（ＤＩＮ
６６１３１及び６６１３２によるＢＥＴ−法で測定）を
有するものを使用するのが有利である。親水性及び疎水
性の二酸化珪素を使用することができる。
【００２２】本発明の方法で使用されるシリル化剤は、
構造： ＲｆＳｉＸｇ （ここで、ｆは１、２又は３、有利に３であり、ｇは
１、２又は３であり、ｆ＋ｇは４であり、Ｘは珪素原子
に付いている反応性基又は加水分解可能な基、例えばハ
ロゲン原子、例えば−Ｃｌ、擬ハロゲン基、例えば−Ｃ
Ｎ、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ又は−Ｎ３、有利にＸはＣ−原
子数１〜８を有するアルコキシ基、例えばＯ−メチル、
Ｏ−エチル、Ｏ−プロピル、Ｏ−ブチル、好ましくはＯ
−メチル又はＯ−エチルである）又は ［ＲｈＳｉ］ｉＹ （ここで、ｈは３であり、ｉは１又は２であり、Ｙは
Ｏ、ＮＲ１ ３−ｉ、有利にＮＨであり、Ｒ１は水素又は
又はＣ−原子１〜８を有するアルキル基を表す）の構造
の有機珪素化合物又は構造： ［ＲｊＳｉＹ］ （ここで、ｊは１、２又は３、有利に２であり、Ｙは前
記のもの、有利にはＯを表し、Ｒは前記のものを表す）
の単位から構成されているオリゴマー又はポリマー有機
珪素化合物であり、この際、これら有機珪素化合物は、
１００ｍＰａｓまでの粘度を有し、付加的に１個のＯＨ
−基、特に有利には２個以上のＯＨ−基を有する。
構造： ＲｆＳｉＸｇ （ここで、ｆは１、２又は３、有利に３であり、ｇは
１、２又は３であり、ｆ＋ｇは４であり、Ｘは珪素原子
に付いている反応性基又は加水分解可能な基、例えばハ
ロゲン原子、例えば−Ｃｌ、擬ハロゲン基、例えば−Ｃ
Ｎ、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ又は−Ｎ３、有利にＸはＣ−原
子数１〜８を有するアルコキシ基、例えばＯ−メチル、
Ｏ−エチル、Ｏ−プロピル、Ｏ−ブチル、好ましくはＯ
−メチル又はＯ−エチルである）又は ［ＲｈＳｉ］ｉＹ （ここで、ｈは３であり、ｉは１又は２であり、Ｙは
Ｏ、ＮＲ１ ３−ｉ、有利にＮＨであり、Ｒ１は水素又は
又はＣ−原子１〜８を有するアルキル基を表す）の構造
の有機珪素化合物又は構造： ［ＲｊＳｉＹ］ （ここで、ｊは１、２又は３、有利に２であり、Ｙは前
記のもの、有利にはＯを表し、Ｒは前記のものを表す）
の単位から構成されているオリゴマー又はポリマー有機
珪素化合物であり、この際、これら有機珪素化合物は、
１００ｍＰａｓまでの粘度を有し、付加的に１個のＯＨ
−基、特に有利には２個以上のＯＨ−基を有する。
【００２３】シリル化剤の有利な例は、トリメチルメト
キシシラン、トリメチルエトキシシラン、ヘキサメチル
ジサラザン、ビス−（ビニルジメチル）−ジシラザン又
はビス−（３，３，３−トリフルオロプロピル−ジメチ
ル）−ジシラザンである。
キシシラン、トリメチルエトキシシラン、ヘキサメチル
ジサラザン、ビス−（ビニルジメチル）−ジシラザン又
はビス−（３，３，３−トリフルオロプロピル−ジメチ
ル）−ジシラザンである。
【００２４】シリル化剤及び酸素含有有機珪素化合物か
らの混合物を使用するのが有利である。それ自体シリル
化のために２５％よりも少ないモル割合でのみ使用され
るような酸素含有有機珪素化合物が有利である。このよ
うな酸素含有有機珪素化合物の例は、式：（ＣＨ３）３
ＳｉＯ−［（ＣＨ３）２ＳｉＯ］ｘ−ＳｉＣＨ３又は
［（ＣＨ３）２ＳｉＯ］ｘ（ここで、ｘは＜１００、好
ましくはｘは＜１０である）のジマー、オリゴマー又は
ポリマーポリジメチルシロキサンである。
らの混合物を使用するのが有利である。それ自体シリル
化のために２５％よりも少ないモル割合でのみ使用され
るような酸素含有有機珪素化合物が有利である。このよ
うな酸素含有有機珪素化合物の例は、式：（ＣＨ３）３
ＳｉＯ−［（ＣＨ３）２ＳｉＯ］ｘ−ＳｉＣＨ３又は
［（ＣＨ３）２ＳｉＯ］ｘ（ここで、ｘは＜１００、好
ましくはｘは＜１０である）のジマー、オリゴマー又は
ポリマーポリジメチルシロキサンである。
【００２５】シリル化剤と酸素含有有機珪素化合物との
特に有利な混合物は、ヘキサメチルジシラザンとヘキサ
メチルジシロキサンより成る。
特に有利な混合物は、ヘキサメチルジシラザンとヘキサ
メチルジシロキサンより成る。
【００２６】シリル化の際に、添加物質は、例えば水及
び有利には塩基、例えば無機塩基、例えばアンモニア、
アルカリ金属−又はアルカリ土類金属水酸化物又は炭酸
塩又は有機塩基、例えばアルキルアミン、例えばメチル
アミン、エチルアミン、イソ−オクチルアミン又はアリ
ールアミン、例えばピリジンを含有しているのが有利で
ある。アンモニア及び場合によっては溶剤、例えば脂肪
族アルコール、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プ
ロパノール、イソ−プロパノール、ｎ−、イソ−ブタノ
ール又はアルコール−／水混合物、エーテル、例えばジ
エチルエーテル又はテトラヒドロフラン、ケトン、例え
ばメチル−イソブチルケトン、炭化水素、例えばｎ−ヘ
キサン、シクロヘキサン、トルエン又は鉱油が有利であ
る。
び有利には塩基、例えば無機塩基、例えばアンモニア、
アルカリ金属−又はアルカリ土類金属水酸化物又は炭酸
塩又は有機塩基、例えばアルキルアミン、例えばメチル
アミン、エチルアミン、イソ−オクチルアミン又はアリ
ールアミン、例えばピリジンを含有しているのが有利で
ある。アンモニア及び場合によっては溶剤、例えば脂肪
族アルコール、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プ
ロパノール、イソ−プロパノール、ｎ−、イソ−ブタノ
ール又はアルコール−／水混合物、エーテル、例えばジ
エチルエーテル又はテトラヒドロフラン、ケトン、例え
ばメチル−イソブチルケトン、炭化水素、例えばｎ−ヘ
キサン、シクロヘキサン、トルエン又は鉱油が有利であ
る。
【００２７】量割合 二酸化珪素１００重量部に、その比表面積１００ｍ２／
ｇ当たり、シリル化剤の分子量各１００ｇ／モルに対し
て最低５重量部の水及び５重量部のシリル化剤を反応さ
せる。シリル化剤の分子量の各１００ｇ／モルに対して
１０重量部より多い水又はシリル化剤１０重量部が有利
である。シリル化の間には、シリル化剤に対して少なく
とも１０モル％、好ましくは２５モル％、特に好ましく
は５０モル％の塩基が存在すべきである。このことは、
塩基の付加的添加又はシリル化反応の間に又は前反応で
のシリル化剤からの塩基の離脱により行うことができ
る。酸素含有有機珪素化合物とシリル化剤との量割合
は、１０モル％〜１０倍過剰であるのが有利である。５
０モル％〜２５０モル％が特に有利である。
ｇ当たり、シリル化剤の分子量各１００ｇ／モルに対し
て最低５重量部の水及び５重量部のシリル化剤を反応さ
せる。シリル化剤の分子量の各１００ｇ／モルに対して
１０重量部より多い水又はシリル化剤１０重量部が有利
である。シリル化の間には、シリル化剤に対して少なく
とも１０モル％、好ましくは２５モル％、特に好ましく
は５０モル％の塩基が存在すべきである。このことは、
塩基の付加的添加又はシリル化反応の間に又は前反応で
のシリル化剤からの塩基の離脱により行うことができ
る。酸素含有有機珪素化合物とシリル化剤との量割合
は、１０モル％〜１０倍過剰であるのが有利である。５
０モル％〜２５０モル％が特に有利である。
【００２８】反応パラメータ 室温での反応時間は少なくとも１５分であり、より高い
温度では、相応して短く、より低い温度では相応して長
い。従って、反応温度は０℃より高く、有利に室温、特
に有利に４０℃より高く、その際、それはシリル化の個
々の成分（又はそれらの混合物）の沸点を下回る。有利
な反応時間は、Ｔ＝４０℃で１時間以上であり、特にＴ
＝６０℃以上で２時間以上である。反応圧は、常圧〜１
０バール、特に好ましくは１〜２バールである。
温度では、相応して短く、より低い温度では相応して長
い。従って、反応温度は０℃より高く、有利に室温、特
に有利に４０℃より高く、その際、それはシリル化の個
々の成分（又はそれらの混合物）の沸点を下回る。有利
な反応時間は、Ｔ＝４０℃で１時間以上であり、特にＴ
＝６０℃以上で２時間以上である。反応圧は、常圧〜１
０バール、特に好ましくは１〜２バールである。
【００２９】本発明による二酸化珪素は、有利に、構造
粘度、流動限度及びチキソトロピーを生じさせるために
液体、ポリマー又は樹脂中の濃凋化剤及びレオロジー添
加剤として使用される。
粘度、流動限度及びチキソトロピーを生じさせるために
液体、ポリマー又は樹脂中の濃凋化剤及びレオロジー添
加剤として使用される。
【００３０】更に、本発明による二酸化珪素は、縮合架
橋性のタイプのシリコンゴム、例えば縮合架橋性の１成
分−又は２成分系中で、付加架橋性のタイプのシリコン
ゴム中で、かつ過酸化性に架橋するタイプのシリコンゴ
ム中で、粘凋化剤及びレオロジー添加剤として及び強化
填料として使用される。粉末状固体、例えば火炎鎮静粉
末中の流動化助剤として及び粉末状固体、例えば乾燥ト
ナー、例えば１成分−又は２成分トナー中の流動化助剤
として、かつ荷電調節剤として使用することもできる。
更に、これは消泡剤として使用することができる。
橋性のタイプのシリコンゴム、例えば縮合架橋性の１成
分−又は２成分系中で、付加架橋性のタイプのシリコン
ゴム中で、かつ過酸化性に架橋するタイプのシリコンゴ
ム中で、粘凋化剤及びレオロジー添加剤として及び強化
填料として使用される。粉末状固体、例えば火炎鎮静粉
末中の流動化助剤として及び粉末状固体、例えば乾燥ト
ナー、例えば１成分−又は２成分トナー中の流動化助剤
として、かつ荷電調節剤として使用することもできる。
更に、これは消泡剤として使用することができる。
【００３１】本発明による二酸化珪素の利点は、この二
酸化珪素で充填されたシリコンゴム組成物の改善された
レオロジー特性及び架橋されたシリコンエラストマーの
改善された機械特性及び充填されたシリコンエラストマ
ーの改善された透明性及びこの二酸化珪素の混合された
乾燥トナーの改善された流動特性おｙび改善された荷電
特性である。更に、長い負荷時間でのトナーの安定性が
改善され、即ちこの二酸化珪素は良好にトナー表面上に
付着するので、同量のトナーで多くのコピーを得ること
ができると言える。
酸化珪素で充填されたシリコンゴム組成物の改善された
レオロジー特性及び架橋されたシリコンエラストマーの
改善された機械特性及び充填されたシリコンエラストマ
ーの改善された透明性及びこの二酸化珪素の混合された
乾燥トナーの改善された流動特性おｙび改善された荷電
特性である。更に、長い負荷時間でのトナーの安定性が
改善され、即ちこの二酸化珪素は良好にトナー表面上に
付着するので、同量のトナーで多くのコピーを得ること
ができると言える。
【００３２】
【実施例】例１ ＢＥＴによる比表面積２００ｍ２／ｇを有する高熱分解
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｎ２０なる名称で市
販）１００ｇ、水４０ｇ、ヘキサメチルジシラザン４０
ｇ及びヘキサメチルジシロキサン２０ｇを強力に混合
し、引き続き６０℃で２４時間反応させる。紛状反応混
合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、１５０℃で２時
間の間に、過剰の水、アンモニア及び揮発性珪素化合物
から精製する。白色粉末が得られる。
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｎ２０なる名称で市
販）１００ｇ、水４０ｇ、ヘキサメチルジシラザン４０
ｇ及びヘキサメチルジシロキサン２０ｇを強力に混合
し、引き続き６０℃で２４時間反応させる。紛状反応混
合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、１５０℃で２時
間の間に、過剰の水、アンモニア及び揮発性珪素化合物
から精製する。白色粉末が得られる。
【００３３】例２ ＢＥＴによる比表面積１２５ｍ２／ｇを有する高熱分解
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｓ１３なる名称で市
販）１００ｇ、水２５ｇ、ヘキサメチルジシラザン２５
ｇ及びヘキサメチルジシロキサン１２ｇを強力に混合
し、引き続き６０℃で２４時間反応させる。紛状反応混
合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、１５０℃で２時
間の間に、過剰の水、アンモニア及び揮発性珪素化合物
から精製する。白色粉末が得られる。
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｓ１３なる名称で市
販）１００ｇ、水２５ｇ、ヘキサメチルジシラザン２５
ｇ及びヘキサメチルジシロキサン１２ｇを強力に混合
し、引き続き６０℃で２４時間反応させる。紛状反応混
合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、１５０℃で２時
間の間に、過剰の水、アンモニア及び揮発性珪素化合物
から精製する。白色粉末が得られる。
【００３４】例３ ＢＥＴによる比表面積３００ｍ２／ｇを有する高熱分解
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｔ３０なる名称で市
販）１００ｇ、水６０ｇ、ヘキサメチルジシラザン６０
ｇ及びヘキサメチルジシロキサン３０ｇを強力に混合
し、引き続き６０℃で２４時間反応させる。紛状反応混
合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、１５０℃で２時
間の間に、過剰の水、アンモニア及び揮発性珪素化合物
から精製する。白色粉末が得られる。
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｔ３０なる名称で市
販）１００ｇ、水６０ｇ、ヘキサメチルジシラザン６０
ｇ及びヘキサメチルジシロキサン３０ｇを強力に混合
し、引き続き６０℃で２４時間反応させる。紛状反応混
合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、１５０℃で２時
間の間に、過剰の水、アンモニア及び揮発性珪素化合物
から精製する。白色粉末が得られる。
【００３５】例４ ＢＥＴによる比表面積３００ｍ２／ｇを有する高熱分解
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｔ３０なる名称で市
販）１００ｇ、水６０ｇ、ビス−（３，３，３−トリフ
ルオロプロピル−ジメチル）−ジシラザン１２０ｇ及び
ヘキサメチルジシロキサン３０ｇを強力に混合し、引き
続き撹拌下に６０℃で２４時間反応させる。紛状反応混
合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、２００℃で２時
間の間に、過剰の水、アンモニア及び揮発性珪素化合物
から精製する。白色粉末が得られる。
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｔ３０なる名称で市
販）１００ｇ、水６０ｇ、ビス−（３，３，３−トリフ
ルオロプロピル−ジメチル）−ジシラザン１２０ｇ及び
ヘキサメチルジシロキサン３０ｇを強力に混合し、引き
続き撹拌下に６０℃で２４時間反応させる。紛状反応混
合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、２００℃で２時
間の間に、過剰の水、アンモニア及び揮発性珪素化合物
から精製する。白色粉末が得られる。
【００３６】例５ ＢＥＴによる比表面積３００ｍ２／ｇを有する高熱分解
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｔ３０なる名称で市
販）１００ｇ、水６０ｇ、ビス−（ビニルジメチル）−
ジシラザン３５ｇ、ヘキサメチルジシラザン３５ｇ及び
ヘキサメチルジシロキサン３０ｇを強力に混合し、引き
続き撹拌下に６０℃で２４時間反応させる。紛状反応混
合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、１７０℃で２時
間の間に、過剰の水、アンモニア及び揮発性珪素化合物
から精製する。白色粉末が得られる。
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｔ３０なる名称で市
販）１００ｇ、水６０ｇ、ビス−（ビニルジメチル）−
ジシラザン３５ｇ、ヘキサメチルジシラザン３５ｇ及び
ヘキサメチルジシロキサン３０ｇを強力に混合し、引き
続き撹拌下に６０℃で２４時間反応させる。紛状反応混
合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、１７０℃で２時
間の間に、過剰の水、アンモニア及び揮発性珪素化合物
から精製する。白色粉末が得られる。
【００３７】例６ ＢＥＴによる比表面積２００ｍ２／ｇを有する高熱分解
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｎ２０なる名称で市
販）１００ｇ、水４０ｇ、ヘキサメチルジシラザン４０
ｇを強力に混合し、引き続き６０℃で２４時間反応させ
る。紛状反応混合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、
１５０で２時間の間に、過剰の水、アンモニア及び揮発
性珪素化合物から精製する。白色粉末が得られる。
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｎ２０なる名称で市
販）１００ｇ、水４０ｇ、ヘキサメチルジシラザン４０
ｇを強力に混合し、引き続き６０℃で２４時間反応させ
る。紛状反応混合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、
１５０で２時間の間に、過剰の水、アンモニア及び揮発
性珪素化合物から精製する。白色粉末が得られる。
【００３８】例７ ＢＥＴによる比表面積２００ｍ２／ｇを有する高熱分解
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｎ２０なる名称で市
販）１００ｇ、水４０ｇ、トリメチルメトキシシラン４
２ｇ及びアンモニアと水の２５％溶液１４ｇを強力に混
合し、引き続き６０℃で２４時間反応させる。紛状反応
混合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、１５０で２時
間の間に、過剰の水、メタノール、アンモニア及び揮発
性珪素化合物から精製する。白色粉末が得られる。
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｎ２０なる名称で市
販）１００ｇ、水４０ｇ、トリメチルメトキシシラン４
２ｇ及びアンモニアと水の２５％溶液１４ｇを強力に混
合し、引き続き６０℃で２４時間反応させる。紛状反応
混合物を、引き続き、弱い窒素気流中で、１５０で２時
間の間に、過剰の水、メタノール、アンモニア及び揮発
性珪素化合物から精製する。白色粉末が得られる。
【００３９】例８ −本発明によらない− ＢＥＴによる比表面積２００ｍ２／ｇを有する高熱分解
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｎ２０なる名称で市
販）１００ｇ、水４０ｇ、ヘキサメチルジシラザン４０
ｇ及びヘキサメチルジシロキサン２０を強力に混合し、
引き続き４０℃で５分間反応させる。紛状反応混合物
を、引き続き、弱い窒素気流中で、１５０で２時間の間
に、過剰の水、アンモニア及び揮発性珪素化合物から精
製する。白色粉末が得られる。
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｎ２０なる名称で市
販）１００ｇ、水４０ｇ、ヘキサメチルジシラザン４０
ｇ及びヘキサメチルジシロキサン２０を強力に混合し、
引き続き４０℃で５分間反応させる。紛状反応混合物
を、引き続き、弱い窒素気流中で、１５０で２時間の間
に、過剰の水、アンモニア及び揮発性珪素化合物から精
製する。白色粉末が得られる。
【００４０】例９ −本発明によらない− ＢＥＴによる比表面積２００ｍ２／ｇを有する高熱分解
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｎ２０なる名称で市
販）１００ｇ、水４０ｇ、トリメチルメトキシシラン４
２ｇを強力に混合し、引き続き６０℃で２４時間反応さ
せる。紛状反応混合物を、引き続き、弱い窒素気流中
で、１５０で２時間の間に、過剰の水、メタノール及び
揮発性珪素化合物から精製する。白色粉末が得られる。
二酸化珪素（WakkerからＨＤＫ Ｎ２０なる名称で市
販）１００ｇ、水４０ｇ、トリメチルメトキシシラン４
２ｇを強力に混合し、引き続き６０℃で２４時間反応さ
せる。紛状反応混合物を、引き続き、弱い窒素気流中
で、１５０で２時間の間に、過剰の水、メタノール及び
揮発性珪素化合物から精製する。白色粉末が得られる。
【００４１】例１〜９による二酸化珪素に関する分析デ
ータのまとめ
ータのまとめ
【００４２】
【表１】
【００４３】例１０ ８０μｍの平均粒径を有するフェライト−キャリア各５
０ｇを例１〜５からの二酸化珪素各０．５ｇと共に室温
で、振動下に１００ｍｌ−ポリエチレン容器中で１５分
間混合する。測定の前に、この混合物を６４ＵｐＭで５
分間閉じられた１００ｍｌ−ポリエチレン容器中で回転
ボック（Rollenbock）上で活性化させる。ハード−ブロ
ウ−オフ セル（Hard-blow-off cell)（二酸化珪素約
３ｇ、容量１０ｎＦ、４５μｍ篩、空気流１リットル／
Ｍｉｎ．、空気圧２．４ｋＰａ、測定時間９０秒）（EP
PING GmbH、D-85375 Neufahrn）を用いて、この二酸化
珪素の摩擦電気帯電特性を、二酸化珪素−質量当たりの
二酸化珪素−帯電の割合（ｑ（電荷）／ｍ（質量））と
して測定する。
０ｇを例１〜５からの二酸化珪素各０．５ｇと共に室温
で、振動下に１００ｍｌ−ポリエチレン容器中で１５分
間混合する。測定の前に、この混合物を６４ＵｐＭで５
分間閉じられた１００ｍｌ−ポリエチレン容器中で回転
ボック（Rollenbock）上で活性化させる。ハード−ブロ
ウ−オフ セル（Hard-blow-off cell)（二酸化珪素約
３ｇ、容量１０ｎＦ、４５μｍ篩、空気流１リットル／
Ｍｉｎ．、空気圧２．４ｋＰａ、測定時間９０秒）（EP
PING GmbH、D-85375 Neufahrn）を用いて、この二酸化
珪素の摩擦電気帯電特性を、二酸化珪素−質量当たりの
二酸化珪素−帯電の割合（ｑ（電荷）／ｍ（質量））と
して測定する。
【００４４】 例１１ ２５℃での粘度２００００ｍｍ２／ｓを有するビニル末
端ポリジメチルシロキサン−ポリマー５００ｇを実験室
用ニーダー中で１５０℃に加熱する。例３による二酸化
珪素４００ｇを添加し、引き続き混和する。混和下に１
５０℃及び１０００ｈＰａで１時間の間に揮発性成分を
除去する。硬い相が得られるので、これを引き続き、２
５℃での粘度２００００ｍｍ２／ｓを有するビニル末端
ポリジメチルシロキサンポリマー４００ｇを更に添加す
ることにより希釈する。この基本組成物から、成分Ａ及
び成分Ｂを製造する。
端ポリジメチルシロキサン−ポリマー５００ｇを実験室
用ニーダー中で１５０℃に加熱する。例３による二酸化
珪素４００ｇを添加し、引き続き混和する。混和下に１
５０℃及び１０００ｈＰａで１時間の間に揮発性成分を
除去する。硬い相が得られるので、これを引き続き、２
５℃での粘度２００００ｍｍ２／ｓを有するビニル末端
ポリジメチルシロキサンポリマー４００ｇを更に添加す
ることにより希釈する。この基本組成物から、成分Ａ及
び成分Ｂを製造する。
【００４５】成分Ａの製造：基本組成物３８０ｇ、触媒
としてのビス−（ビニルジメチル）−ジシロキサンとの
錯体としての白金０．２ｇ及び阻害剤としてのエチニル
シクロヘキサノール１ｇを、室温、ｐ＝１０００ｈＰａ
で０．５時間混合する。
としてのビス−（ビニルジメチル）−ジシロキサンとの
錯体としての白金０．２ｇ及び阻害剤としてのエチニル
シクロヘキサノール１ｇを、室温、ｐ＝１０００ｈＰａ
で０．５時間混合する。
【００４６】成分Ｂの製造：基本組成物３８０ｇ、架橋
剤としての２５℃での粘度４００ｍｍ２／ｓ及び０．５
モル％のＳｉＨ−含有率を有する線状メチル−Ｈ−ポリ
シロキサン１８ｇ及び阻害剤としてのエチニルシクロヘ
キサノール１ｇを室温及びｐ＝１０００ｈＰａで０．５
時間混合する。
剤としての２５℃での粘度４００ｍｍ２／ｓ及び０．５
モル％のＳｉＨ−含有率を有する線状メチル−Ｈ−ポリ
シロキサン１８ｇ及び阻害剤としてのエチニルシクロヘ
キサノール１ｇを室温及びｐ＝１０００ｈＰａで０．５
時間混合する。
【００４７】架橋のために、成分ＡとＢを１：１の割合
で混合し、１６０℃の温度で架橋させる。架橋及び２０
０℃で４時間の熱処理の後に、ショア−Ａ−硬度、引き
裂き強度、引き裂き時の伸び及び引き裂き伝搬抵抗を測
定し、透明性を評価する。
で混合し、１６０℃の温度で架橋させる。架橋及び２０
０℃で４時間の熱処理の後に、ショア−Ａ−硬度、引き
裂き強度、引き裂き時の伸び及び引き裂き伝搬抵抗を測
定し、透明性を評価する。
【００４８】第３ａ表 基本組成物の粘度 １１０ Ｐａｓ 基本組成物の評価 澄明及び透明第３ｂ表 ショア−Ａ−硬度 ３０ 引き裂き強度 ９Ｎ／ｍｍ２ 引き裂き時の伸び ６８０％ 引き裂き伝搬抵抗 ３３Ｎ／ｍｍ 評価 澄明及び透明 例１２ 二酸化珪素不含の磁性１−成分−乾燥トナー（負のタイ
プの電荷、粉砕タイプベースコポリマースチロール／メ
タクリレート、平均粒径１４μｍ）（例えばFirma IME
X、Japanから入手）１００ｇを、例２による二酸化珪素
０．４ｇと一緒に、振動ミキサー（例えば乱流機）中、
室温で１時間混合する。トナーの２０分の負荷時間（１
０００コピー後の負荷に相当）の後に、完成二酸化珪素
含有トナーの帯電（組成物当たりの電荷）及び完成二酸
化珪素含有トナーの現像ローラに対する流動特性（組成
物流動）を”ｇ／ｍ−モノ”−エレクトロメータ／フロ
ーテスター（EPPING GmbH、D-85375 Neufahrn）中で測
定する。 第４表 例 トナー電荷 流動特性 ［μＣ／ｇ］ ［ｍｇ］ 二酸化珪素不含のトナー −１．５０ ２ 例１ −１．７１ ３６ 例２ −１．６５ ３３ 例３ −１．８９ ３８ 例４ −１．７５ ４５例５ −１．７３ ４２
プの電荷、粉砕タイプベースコポリマースチロール／メ
タクリレート、平均粒径１４μｍ）（例えばFirma IME
X、Japanから入手）１００ｇを、例２による二酸化珪素
０．４ｇと一緒に、振動ミキサー（例えば乱流機）中、
室温で１時間混合する。トナーの２０分の負荷時間（１
０００コピー後の負荷に相当）の後に、完成二酸化珪素
含有トナーの帯電（組成物当たりの電荷）及び完成二酸
化珪素含有トナーの現像ローラに対する流動特性（組成
物流動）を”ｇ／ｍ−モノ”−エレクトロメータ／フロ
ーテスター（EPPING GmbH、D-85375 Neufahrn）中で測
定する。 第４表 例 トナー電荷 流動特性 ［μＣ／ｇ］ ［ｍｇ］ 二酸化珪素不含のトナー −１．５０ ２ 例１ −１．７１ ３６ 例２ −１．６５ ３３ 例３ −１．８９ ３８ 例４ −１．７５ ４５例５ −１．７３ ４２
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｇ 9/08 Ｇ０３Ｇ 9/08 ３７５ (72)発明者 マリオ ハイネマン ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン ライ プニッツシュトラーセ 23
Claims (13)
- 【請求項１】 その表面に部分的又は完全にシリル化さ
れたポリ珪酸連鎖を有する二酸化珪素において、二酸化
珪素表面のシラノール基（ＳｉＯＨ）とグラフトされた
シリル化剤残基（ＳｉＲａ）（ここで、ａは１、２又は
３であってよく、Ｒは同じ又は異なるものであってよ
く、置換又は非置換の炭化水素基である）とからの合計
は、非処理の二酸化珪素の表面上のシラノール基の数よ
り大きいことを特徴とする、二酸化珪素。 - 【請求項２】 二酸化珪素表面に結合している、構造： Ｒａ（ＯＨ）ｂＳｉＯｃ及び（ＯＨ）ｄＳｉＯｅ （ここで、Ｒは同じ又は異なるものであってよく、置換
又は非置換の炭化水素基であり、ａは１、２又は３であ
り、ｂは０、１又は２であり、ｃは１、２又は３であ
り、ａ＋ｂ＋ｃは４であり、ｄは０、１、２又は３であ
り、ｅは１、２、３又は４であり、ｄ＋ｅは４である）
の単位からなる部分的又は完全にシリル化されたポリ珪
酸構造を有することを特徴とする、請求項１に記載の二
酸化珪素。 - 【請求項３】 全シリル化剤層中の二酸化珪素表面に結
合している、構造： Ｒａ（ＯＨ）ｂＳｉＯｃ （ここで、Ｒ、ａｂ及びｃは前記のものを表す）の単位
からなる部分的又は完全にシリル化されたポリ珪酸構造
のモル割合は、７５モル％より小さいか又は同じである
が、２５モル％より大きいか又は同じである、請求項１
又は２に記載の二酸化珪素。 - 【請求項４】 二酸化珪素は、非処理の親水性二酸化珪
素の活性で酸性のＳｉＯＨの全含量に対して２５モル％
より少ない二酸化珪素のＳｉＯ２−表面の活性で酸性の
ＳｉＯＨを含有する、請求項１から３のいずれか１項に
記載の二酸化珪素。 - 【請求項５】 その表面に部分的又は完全にシリル化さ
れたポリ珪酸連鎖を有する二酸化珪素を製造する方法に
おいて、シリル化剤を、存在する二酸化珪素のシラノー
ル基に対してモル過剰で加えることを特徴とする、二酸
化珪素の製法。 - 【請求項６】 水をシリル化剤と少なくとも同じモル量
で存在させる、請求項５に記載の二酸化珪素の製法。 - 【請求項７】 シリル化を塩基の作用下に行う、請求項
５又は６に記載の二酸化珪素の製法。 - 【請求項８】 付加的に、酸素含有有機珪素化合物をシ
リル化のために添加する、請求項５から７のいずれか１
項に記載の二酸化珪素の製法。 - 【請求項９】 付加的に、酸素含有有機珪素化合物自体
を２５％より少ないモル割合で反応させる、請求項５か
ら８のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１０】 シリル化を２０〜１５０℃の温度で行
う、請求項５から９のいずれか１項に記載の二酸化珪素
の製法。 - 【請求項１１】 シリル化の反応時間は少なくとも１５
分である、請求項５から１０のいずれか１項に記載の二
酸化珪素の製法。 - 【請求項１２】 請求項１から４のいずれか１項に記載
の又は請求項５から１１のいずれか１項により製造され
た二酸化珪素を含有することを特徴とするトナー。 - 【請求項１３】 請求項５から１１のいずれか１項によ
り製造された請求項１から４のいずれか１項に記載の二
酸化珪素を含有することを特徴とする架橋可能なシリコ
ン組成物及びシリコンエラストマー。
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