JPH11251374A - 両面配線フィルムキャリアテープとその製造方法 - Google Patents

両面配線フィルムキャリアテープとその製造方法

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JPH11251374A
JPH11251374A JP5398598A JP5398598A JPH11251374A JP H11251374 A JPH11251374 A JP H11251374A JP 5398598 A JP5398598 A JP 5398598A JP 5398598 A JP5398598 A JP 5398598A JP H11251374 A JPH11251374 A JP H11251374A
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Yasuaki Masuko
泰昭 益子
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    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
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    • HELECTRICITY
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    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4069Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in organic insulating substrates

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  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、TAB(Tape Automated Bondin
g)に用いる微細な配線パターンを両面に形成した両面
配線フィルムキャリアテープとその製造方法に関する。 【解決手段】 絶縁フィルムの両面に銅箔で形成された
100 μmピッチ以下の微細な配線パターンを少なくとも
含む配線パターンを有し、該配線パターンの両面の所要
箇所を接続するための複数の接続孔を設け、該接続孔が
導電性ペーストで充填されて両面の配線パターンを電気
的に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、TAB(Tape Aut
omated Bonding)用の微細な配線パターンを両面に形成
した両面配線フィルムキャリアテープとその製造方法で
あって、特に、高密度実装を可能とし、優れた高周波特
性を有する半導体パッケージ用に好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来の両面配線フィルムキャリアテープ
は、絶縁性ベースフィルムを挟んで、一方の面に信号伝
達用配線、反対側の面にベタグランド層であるマイクロ
ストリップライン構造の層面を設けるようにされたもの
であって、高周波信号伝送に適したパッケージ用のTA
B用テープとして注目されている。
【0003】例えば、特開平4-239739号公報および特開
平5-326644号公報には、上記の高周波特性に優れたテー
プとその製造方法が開示されている。しかし、これらの
公報で開示されたテープは、微細な配線が片面にのみ存
在するものであり、反対面はデバイスホールやアウター
リードホール等の抜き孔で分割されるのみで、電気的に
分離するための露出したベースフィルム領域は存在せ
ず、微細な配線とはなり得ないものであった。すなわ
ち、反対面は、微細な配線を有しない、いわゆるベタグ
ランドの構造となっており、また、これらの製造方法で
は、微細な配線を形成することは本質的にできないもの
であった。
【0004】例えば、特開平4-239739号公報において
は、貫通孔であるスルーホールを介してめっき法によっ
て両面の導体層を接続しているが、この方法で両面にパ
ターンを形成しようとすると、めっきにより両面導体層
を導通させた後に両面についてパターン形成を行わざる
を得ない。なぜなら、めっき前にパターン形成すると、
次の無電解めっきなどのめっき工程でその形成されたパ
ターンもめっきされることになり、パターン間がショー
トしてしまい、実際には採用することができないからで
ある。
【0005】そこで、貫通孔が開口している面にパター
ンを形成することが必要となり、エッチングマスクとし
て流動性の高い液状フォトレジストを適用することがで
きず、ドライフィルムフォトレジストを用いる必要があ
る。液状フォトレジストを適用した場合には、表面張力
の影響で孔周辺の液状フォトレジストのみが特に盛り上
がって厚くなる。UV光の露光条件はパターン形成部の
主要部に合わせて設定されるため、孔周辺の厚い部分で
は露光不足となり、エッチングマスクのギャップが不足
する。その結果、パターンショートあるいはパターンギ
ャップ不足等の不良が発生する。
【0006】液状フォトレジストを適用した場合のもう
一つの問題点は、孔のエッジでは逆に厚みがとれず、非
常に薄くなり、エッジ部の下地が露出してしまうことで
ある。下地が露出すると、次の工程のエッチングで導通
用のめっき層を侵すことになり、接続抵抗を大きくして
しまい、場合によっては両面間の導通を切ることにな
る。
【0007】そこで、以上述べた液状フォトレジストの
問題点を回避するためにドライフィルムフォトレジスト
を採用せざるを得ないのである。しかし、ドライフィル
ムフォトレジストを採用した場合、配線形成の限界は量
産的には100 μmピッチ程度とされており、それ以下の
微細な配線パターンを形成することはできない。
【0008】また、ドライフィルムフォトレジストはラ
ミネート法で形成する為、細かな傷等の表面凹みに十分
対応できないという欠点を持っている。この為、ドライ
フィルムフォトレジストが十分密着しなかった部分にエ
ッチング液が侵入し、パターン欠けや断線が発生しやす
く、歩留りの改善が期待できないという問題がある。
【0009】以上述べたように、両面のパターン間の導
通をめっきで行おうとする限りドライフィルムレジスト
を使わざるを得ず、100 μmピッチ程度のパターン形成
が限界ということになる。ここで、特開平5-326644号公
報は貫通孔の導通を導電性ペーストの充填によって行っ
ており、上記と比べてパターン形成を行う工程には自由
度が確保されている。
【0010】しかしながら、特開平5-326644号公報で開
示された方法を基に両面に100 μmピッチ以下の配線を
形成する為には、片面のパターン形成後にその反対面に
接着剤を塗布し、そして、孔加工し、銅箔等の導体層を
被着させ、その導体層にパターン形成する必要がある。
しかし、この方法では銅箔等の導体層被着時に導体層と
接着剤との間に多くのボイドが発生するという問題が生
ずる。その原因となるのは、他面ですでに形成済みのパ
ターンの凹凸である。この被着したい層とは反対側に存
在する凹凸に起因して、被着したい導体層と接着剤との
間に空気を巻き込んでしまい、ボイドが発生するのであ
る。
【0011】ここで、従来の両面配線TAB用テープキ
ャリアの製造工程の一例を図3に示す。以下、図3に沿
って説明する。ポリイミドなどの絶縁フィルム1に接着
剤7を介して銅箔12b が被着される(a)。ここで、銅
箔は絶縁フィルムに直接被着される場合もある。次に、
絶縁フィルム1の他面に接着剤7を塗布する(b)。こ
の状態で、表裏面を貫通する接続孔4及びデバイスホー
ル、アウターリードホールが所要の位置にパンチングな
どで穿孔される(c)。そして、銅箔12a が被着され
(d)、その銅箔12a に液状フォトレジストを適用して
パターニングが行われ、微細な配線パターン13a が形成
される(e)。次に、12b と13a の接続を行うために導
電性ペースト5を接続孔4に充填する。最後に、両面に
保護膜であるソルダーレジスト6が形成される(f)。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】従来の片面がベタグラ
ンド層である両面配線フィルムキャリアテープでは、近
年の集積回路の高集積化に対応した配線の高密度化に対
応することができず、べタグランド側にもパターンを形
成し、グランド以外の配線機能を盛り込みたいという要
求に応えることができない。
【0013】また、両面共に微細な配線を配置すること
を可能とし、半導体の高密度実装を実現する為のパッケ
ージ用のテープとして使う要求にも応えられない。以上
の要求に応えるため、、高密度配線を両面共に配置可能
な両面配線フィルムキャリアテープの開発が必要とされ
るようになってきた。本発明は、TAB用のテープであ
って、表裏面共に100 μmピッチ以下の微細な配線パタ
ーンとすることが可能な両面配線フィルムキャリアテー
プとその製造方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、TAB用に用
いる両面配線フィルムキャリアテープであって、絶縁フ
ィルムの両面に銅箔で形成された100 μmピッチ以下の
微細な配線パターンを少なくとも含む配線パターンを有
し、該配線パターンの両面の所要箇所を接続するための
複数の接続孔が設けられており、該接続孔が導電性ペー
ストで充填されて両面の配線パターンが電気的に接続さ
れていることを特徴とする両面配線フィルムキャリアテ
ープを提供することで上記課題を解決したのである。
【0015】そして、本発明の両面配線フィルムキャリ
アテープを、絶縁フィルムの両面に銅箔を被着する工程
と、両面の銅箔に、100 μmピッチ以下の微細なパター
ンを少なくとも有する配線パターンを同時にまたは順次
形成する工程と、該配線パターンの所要箇所に複数の孔
を打ち抜き接続孔を形成する工程と、該接続孔を導電性
ペーストで充填して両面の配線パターンを電気的に接続
する工程とから構成される製造方法によって製造するよ
うにしたのである。
【0016】また、絶縁フィルムの両面に銅箔を被着す
る工程と、片面の銅箔に、100 μmピッチ以下の微細な
パターンを少なくとも有する配線パターンを形成する工
程と、該配線パターンの所要箇所に、反対面の銅箔にま
で至り、かつ、貫通しない複数の孔を加工して接続孔を
形成する工程と、前記の反対面の銅箔に、100 μmピッ
チ以下の微細なパターンを少なくとも有する配線パター
ンを形成する工程と、前記接続孔を導電性ペーストで充
填して両面の配線パターンを電気的に接続する工程と、
から構成される製造方法によって製造することもできる
ことを見出したのである。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明の両面配線フィルムキャリ
アテープを製造する第1の方法を図1に沿って説明す
る。まず、絶縁フィルム1の両面に、銅箔2a、2bを被着
させる(a)。ここで、この被着は接着剤層を介しても
よく、また、直接被着させても良い。いわゆる両面3層
構造、両面2層構造のいずれであっても良いのである。
また、一方のみに接着層を有する片面2層・反対面3層
構造としても良い。
【0018】次に、本発明では、液状フォトレジストを
適用して、両面の銅箔のパターニングを行い、配線パタ
ーン3a、3bを形成する(b)。このパターニングは、両
面を順次行っても良く、また、両面同時に行うようにし
ても良い。ここで、両面共に液状フォトレジストを適用
することから、100 μmピッチ以下の微細な配線パター
ンを形成することが可能となるのである。
【0019】そして、所要の箇所に貫通孔である接続孔
4a及び位置決め用等の孔を開ける(c)。この孔は、パ
ンチングによって開けても良く、また、レーザ加工を行
っても良い。次に、導電性ペースト5を接続孔4aに充填
し、両面の配線パターンを電気的に接続させるのである
(d)。
【0020】最後に、配線パターンの所定領域と導電性
ペーストの充填された接続孔をソルダーレジスト6を塗
布することで保護する(e)。次に、本発明の両面配線
フィルムキャリアテープを製造する別の方法を図2に沿
って説明する。まず、絶縁フィルム1の両面に、銅箔2
a、2bを被着させる(a)。ここで、この被着は接着剤
層を介してもよく、また、直接被着させても良い。いわ
ゆる両面3層構造、両面2層構造のいずれであっても良
いのである。また、一方のみに接着層を有する片面2層
・反対面3層構造としても良い。
【0021】次に、本形態では、液状フォトレジストを
適用して、片面の銅箔のパターニングのみを行い、配線
パターン3aを形成する(b)。ここで、反対面はそのま
まとして、ここではパターニングを行わない。。そし
て、レーザ加工法を用い、その出力を調整しながら、裏
面の銅箔2bにまで到達し、かつ、裏面の銅箔は貫通しな
いようにした接続孔4b及びデバイスホール、アウターリ
ードホール、位置決め用等の孔を所要箇所に加工する
(c)。
【0022】その後、液状フォトレジストを適用して、
反対面の銅箔のパターニングを行い、配線パターン3bを
形成する(d)。そして、導電性ペースト5を接続孔4b
に充填し、両面の配線パターンを電気的に接続するので
ある(e)。最後に、配線パターンの所定領域と導電性
ペーストの充填された接続孔をソルダーレジスト6を塗
布することで保護する(f)。
【0023】なお、導電ペーストは、銅ペースト、銀ペ
ースト、半田ペースト等が適用できる。ただし、接続孔
に充填され両面の導体層が電気的に接続されるのであれ
ば良く、これらに限定される訳ではない。
【0024】
【実施例】下記の条件で、本発明の両面配線フィルムキ
ャリアテープを試作した。絶縁フィルムとしては、厚さ
75μmのポリイミドフィルムを使用した。銅箔は15μm
厚とし、接着剤なしでめっきによりポリイミドフィルム
の両面に積み上げたタイプを用いた。
【0025】また、配線パターンは、液状フォトレジス
トを適用して加工し、100 μmピッチ以下の微細なパタ
ーンを加工した。本実施例においては、配線幅、ギャッ
プ幅共に25μmの微細なパターンを加工している。接続
孔の加工は、図1の第1の方式では、パンチングを適用
し、200 μm径の貫通孔を加工している。また、図2で
説明した別の方法では、レーザ加工を適用している。
【0026】図1、図2いずれの場合も導電性ペースト
には、銅ペーストを用いた。保護膜のソルダーレジスト
は高精度のパターン加工を行うために、感光性ソルダー
レジストを用いた。以上の条件で本発明の両面配線フィ
ルムキャリアテープを試作し、いずれの方法において
も、100 μmピッチ以下の微細な配線パターンが両面に
ある両面配線フィルムキャリアテープを量産できること
を確認した。
【0027】
【発明の効果】本発明によって、100 μmピッチ以下の
微細な配線パターンが両面にある高密度の両面配線フィ
ルムキャリアテープを高い生産性で量産することが可能
となり、両面配線フィルムキャリアテープを安価に量産
することを可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の両面配線フィルムキャリアテープの製
造工程を説明する断面図である。
【図2】本発明の両面配線フィルムキャリアテープの別
の製造工程を説明する断面図である。
【図3】従来の両面配線TAB用テープキャリアの製造
工程の例を説明する断面図である。
【符号の説明】
1 絶縁フィルム 2a、2b 銅箔 3a、3b 配線パターン 4、4a、4b 接続孔 5 導電性ペースト 6 ソルダーレジスト 7 接着剤 12a 、12b 銅箔 13a 配線パターン

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 TAB用に用いる両面配線フィルムキャ
    リアテープであって、絶縁フィルムの両面に銅箔で形成
    された100 μmピッチ以下の微細な配線パターンを少な
    くとも含む配線パターンを有し、該配線パターンの両面
    の所要箇所を接続するための複数の接続孔が設けられて
    おり、該接続孔が導電性ペーストで充填されて両面の配
    線パターンが電気的に接続されていることを特徴とする
    両面配線フィルムキャリアテープ。
  2. 【請求項2】 TAB用に用いる両面配線フィルムキャ
    リアテープの製造方法であって、絶縁フィルムの両面に
    銅箔を被着する工程と、両面の銅箔に、100 μmピッチ
    以下の微細なパターンを少なくとも有する配線パターン
    を同時にまたは順次形成する工程と、該配線パターンの
    所要箇所に複数の貫通孔を加工し接続孔を形成する工程
    と、該接続孔を導電性ペーストで充填して両面の配線パ
    ターンを電気的に接続する工程と、から構成される両面
    配線フィルムキャリアテープの製造方法。
  3. 【請求項3】 TAB用に用いる両面配線フィルムキャ
    リアテープの製造方法であって、絶縁フィルムの両面に
    銅箔を被着する工程と、片面の銅箔に、100 μmピッチ
    以下の微細なパターンを少なくとも有する配線パターン
    を形成する工程と、該配線パターンの所要箇所に、反対
    面の銅箔にまで至り、かつ、貫通しない複数の孔を加工
    して接続孔を形成する工程と、前記の反対面の銅箔に、
    100 μmピッチ以下の微細なパターンを少なくとも有す
    る配線パターンを形成する工程と、前記接続孔を導電性
    ペーストで充填して両面の配線パターンを電気的に接続
    する工程と、から構成される両面配線フィルムキャリア
    テープの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1315168C (zh) * 2002-01-30 2007-05-09 威盛电子股份有限公司 晶圆级封装制作工艺及其晶片结构

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