JPH11214519A - 集積回路素子および集積回路素子における配線方法 - Google Patents

集積回路素子および集積回路素子における配線方法

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JPH11214519A
JPH11214519A JP871998A JP871998A JPH11214519A JP H11214519 A JPH11214519 A JP H11214519A JP 871998 A JP871998 A JP 871998A JP 871998 A JP871998 A JP 871998A JP H11214519 A JPH11214519 A JP H11214519A
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delay time
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JP871998A
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Yasuhiro Tomita
泰弘 冨田
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 配置配線においてタイミング調整を容易に
し、短時間に設計制約を満たすことができるようにす
る。 【解決手段】 半導体基板に複数の配線層を積層した構
造の集積回路素子において、第1層配線3と第2層配線
2間を、配線の経路の短縮化を図るために斜め配線4へ
乗り換えて配線する。この斜め配線4への乗り換え以
外、仮配線のレイアウトの変更は殆ど不要となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の配線層を積
層した構造の集積回路素子、およびその配線方法に係
り、特に配線層の構造、および同構造を利用した配線経
路の配線時間の調整方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年の集積回路素子は、より大規模で高
速なデバイスが実現可能になり、設計の難易度が向上し
ているにもかかわらず、市場からは製品の多様化に対応
するため、カスタムデバイスを短い設計サイクルにより
実現することが要求されている。
【0003】この短い設計サイクルを実現する一手段と
して、レイアウト設計においては自動配置配線を利用す
ることが主流となっている。集積回路素子における自動
配置配線の配線過程では、論理ゲートおよび論理ゲート
の集合体であるブロックなどがネットリストに従って配
置されて配線接続される。
【0004】集積回路素子の配線は、トランジスタなど
の素子が形成される半導体基板の上に層間絶縁膜を挾む
ようにして配線層を形成した多層構造になっている。そ
して各配線層の配線パターンは、層間絶縁膜を貫くコン
タクトにより電気的に接続される。
【0005】近年、配線層数が3層から5層程度のデバ
イスが広く用いられている。配線層数は増加するに従っ
て配線配置の自由度が増すため、配線の占める面積は小
さくなる。また各配線層の配線は半導体基板から離れた
上層側の配線ほど静電容量が小さくなり、また膜厚が厚
くかつ低抵抗な配線が形成できるため、高速な信号伝送
に適している。しかし、配線層が増加すると歩留まりが
低下し、また製造工程数が増えるため、単位チップ面積
あたりのコストが増加する。このため、最適な配線層数
はコストと性能とのトレードオフにより決定されてい
る。
【0006】集積回路素子の設計における配置配線の目
標は、タイミングなどの回路のスペックを満たすように
配線長を合わせるとともに、所要面積を最小にすること
である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】近年のプロセスが微細
化された大規模高速デバイスにおいては、配線数が増加
するばかりでなく、回路全体における信号遅延時間にお
いて、配線に起因する遅延時間の割合が支配的になり、
配置配線のタイミング調整がますます重要かつ困難にな
ってきている。
【0008】配置配線のタイミング調整は、主として配
線長を制御することにより実施される。配線長の調整に
伴う配線配置の変更は、他の既に配置された配線および
ゲートなどの再配置とタイミング値の再計算が連鎖的に
必要となり、配置配線の実行時間に多大な影響をもたら
す。
【0009】大規模で高速なデバイスほど配線数が多数
かつ高密度である上にタイミング制約が厳しいために、
その決定過程は急速に難しくなる。特に配置配線のタイ
ミング調整の過程においては、配線長を伸長するよりも
短縮することの方が困難である。なぜなら、配置配線
は、レイアウト面積が最小になるように全ての配線長を
短くするように実行され、配線長を短縮する余裕が殆ど
ないからである。
【0010】逆に信号遅延時間を追加することは信号を
駆動するトランジスタのサイズを削減することによって
可能であり、論理ゲートの面積を増加させる必要がない
ため、他の配線に影響を与えず容易に実行することがで
きる。トランジスタサイズを増加することによる配線遅
延時間の短縮方法では、論理ゲートのサイズが増加する
ことが考えられ、他配線に影響を与える。また、対象と
する配線の配線抵抗が大きいと遅延時間の実質的な短縮
効果は少ない。
【0011】このように、従来の集積回路素子は大規模
かつ高速になるにつれ、配置配線の過程におけるタイミ
ング調整が、より重要かつ困難になってくるという問題
を有していた。
【0012】そこで本発明は、前記の従来の問題を解決
し、配置配線においてタイミング調整を容易にし、短時
間に設計制約を満たすことができる集積回路素子および
集積回路素子における配線方法を提供することを目的と
する。
【0013】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明における集積回路素子は、斜め配線層を備
え、この斜め配線層の配線が他の配線層の配線に対して
上面から見て斜めに配置されるものであることを特徴と
し、配線に斜め配線を適用することにより、斜め配線を
用いない場合よりも配線長を短縮することができ、配線
経路の配線抵抗および静電容量を削減することができる
ため、信号の遅延時間を短縮することが可能になり、し
かも配線時間の短縮化を図ることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、半導体基板に複数の配線層を積層した構造の集積回
路素子において、他の配線層の配線に対して上面から見
て斜めに配置された配線を有する斜め配線層を備えたも
のであり、この構成によって、配線長を斜め配線を用い
ない場合より短縮することができ、配線経路の配線抵抗
および静電容量を削減して信号の遅延時間を容易に短縮
することができる。
【0015】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の集積回路素子において、半導体基板側を下層側とし、
前記斜め配線層を前記他の配線層より上層側に積層した
ものであり、この構成によって、斜め配線が集積回路素
子の表面側にまとめて配置されるため、静電容量と配線
抵抗を小さくすることができ、配線の遅延時間の下限側
の制御範囲を大きくすることができる。
【0016】請求項3に記載の発明は、請求項1または
2に記載の集積回路素子において、斜め配線層以外の配
線を配線グリッド上に配置したものであり、この構成に
よって、斜め配線層の配線は斜め配線層以外の配線の任
意の配線グリッド間を接続することができ、斜め配線以
外の配置配線がグリッド上に限定されるため、少ない計
算量で、最短となる斜め配線を配置することができ、配
線の遅延時間の下限側の制御範囲がさらに大きくするこ
とができる。
【0017】請求項4に記載の発明は、請求項1または
2に記載の集積回路素子において、斜め配線層の配線が
他の配線層の配線に対してなす角度を複数の特定角度に
限定したものであり、この構成によって、斜め配線層が
他の配線層の配線に対してなす角度が予め決定されてい
るため、斜め配線の間隔や幅といったデザインルールの
検証に必要な計算量を削減することができ、斜め配線の
デザインルールの検証を迅速に実施できる。さらに、斜
め配線の形成に必要なガラスマスクの描画の分解能を必
要最小限にすることができるため、素子製造コストを削
減できる効果もある。
【0018】請求項5に記載の発明は、請求項1記載の
集積回路素子の配線方法であって、配線長の調整過程に
おいて、仮配置された配線の全てもしくは一部を斜め配
線層を用いて配線長を調整する方法であり、この方法に
よって、配線長の調整過程において、仮配置された配線
の全て、もしくは一部を前記斜め配線層に乗り換えて配
線長を調整するようにしたものであり、任意の配線層で
実施された仮配線のレイアウトの変更が斜め配線への乗
り換え以外には殆ど不要となり、タイミング調整に要す
る時間の節約が図れる。
【0019】請求項6に記載の発明は、請求項1記載の
集積回路素子の配線方法であって、第1の配置配線を斜
め配線層以外の配線層で行い、前記第1の配置配線に基
づいて配線経路の遅延時間を求め、この遅延時間が所与
の制約に合致しない配線経路に対して配線経路を斜め配
線に乗り換える第2の配置配線を行う方法であり、この
方法によって、第1の配置配線結果に追加するようにし
て、斜め配線を用いた第2の配置配線を実施するため、
配線長の調節において第1の配置配線結果は斜め配線へ
の乗り換え以外には殆ど変更不要とすることができる。
【0020】以下、本発明の実施の形態について図面を
参照して説明する。
【0021】図1は本発明の一実施形態を説明するため
の集積回路素子における配線を示す平面図、図2は図1
の配線状態を示す断面図であり、1は配線領域であって
集積回路素子の一部分を示しており、本例において配線
領域1は、第1層配線3,第2層配線2,斜め配線4の
3つの配線層で構成され、それぞれの配線はコンタクト
5を介して接続されている。
【0022】配線層はトランジスタ16が形成された半
導体基板17の上に層間絶縁膜18を介して第1配線層
12,第2配線層13,第1斜め配線層14が順に、第
1斜め配線層14を最上層として積層されている。第1
配線層12と第2配線層13は通常配線層群20に対応
し、また第1斜め配線層14は斜め配線層群19に対応
する。各配線層は層間絶縁膜18を貫くコンタクト5に
より電気的に接続されている。
【0023】通常配線層群20に属する第1層配線3と
第2層配線2は直交座標系の座標軸に対して平行に配置
され、斜め配線4は通常配線層群20の第1層配線3,
第2層配線2に対して45度の鋭角をなすように斜めに
配置されている。この場合、配線経路の一部または全部
を斜め配線4経由に乗り換えることにより、配線長は元
の配線経路が最小マンハッタン距離であるとき最大30
%程度削減することができる。配線長を短縮することに
より配線容量および配線抵抗を削減することができるた
め、信号遅延時間を短縮することができる。
【0024】ただし、配線経路が直交座標系の座標軸に
対して平行にあるときには、距離が最短であって配線長
を短縮することは不可能である。このような場合に遅延
時間を短縮することが必要な場合には、論理ゲートの配
置を変更するか、あるいはネットリストを再設計する必
要がある。
【0025】信号遅延時間は、配線経路の信号を駆動す
るトランジスタのインピーダンス,配線の抵抗,静電容
量、およびゲートの入力容量で決定される。特に0.3
5ミクロンより微細な加工技術で製造されたデバイスの
遅延時間は、配線抵抗および配線容量の影響に起因する
配線遅延の占める割合が50%を超える場合があり、配
線抵抗および配線容量の遅延時間に与える影響は重要で
ある。また最上層および最上層からの配線層は、半導体
基板から最も離れているため配線容量が小さく、配線抵
抗に関しても製造技術上、下層配線に比べて膜厚を大き
くできるため抵抗の小さい配線が可能である。
【0026】以上のように本実施形態によれば、斜め配
線4をデバイスの表面側の層に配置することにより、遅
延時間の削減効果が大きくなる。
【0027】さらに、斜め配線4は配線経路に新たに追
加することになるため、コンタクト5の位置を適切に選
ぶことにより、下層配線はコンタクト5の乗り換えに起
因する変更以外の変更は殆ど不要となり、他の配線の配
置の変更を要求する可能性は少なくなる。
【0028】なお、前記図1,図2に示す例では通常配
線層群20が2層、斜め配線層群19が1層の構成例を
示したが、より多層にしても同様の効果が得られる。配
線層をより多層化することにより、配線配置の自由度が
増し、配線に必要な面積が削減されるとともに斜め配線
への乗り換えが容易になり、遅延時間の短縮がより一層
容易になる。
【0029】例えば全層が5層配線であって、その内の
3層が通常配線、さらに2層が斜め配線であり、配線を
配置する座標軸としてX−Y直交座標系,X−Y直交座
標系に対して45度回転したU−V直交座標系の場合を
考えると、この場合には配線層の配線方向を、基板側よ
り順にX,Y,X,U,Vの座標軸方向を標準として配
置する。この配線構成ではU,Vの2層が斜めに配線さ
れて遅延時間の調整に用いられる。また各層間の配線が
並行に配置されないため多層配線で問題になる配線のク
ロストークを最小限に抑えることができるという効果も
ある。
【0030】また本実施形態では斜め配線層を用いて遅
延時間の短縮について説明したが、通常配線層と同様に
配線経路を迂回することにより遅延時間を遅延すること
も可能であることは言うまでもない。
【0031】次に本実施形態に係る斜め配線による遅延
時間の調整方法について図3を参照して説明する。図3
は本実施形態に係る集積回路素子の配線方法を示すフロ
ーチャートである。
【0032】図3において、ステップ1は通常配線層群
のみを用いた第1の配置配線手続、ステップ2は配置さ
れた配線経路の遅延時間を計算する配線経路の遅延時間
計算手続、ステップ3はタイミング制約との比較手続、
ステップ4は斜め配線層群を用いた第2の配置配線手
続、ステップ5は斜め配置配線への乗り換えに伴う遅延
時間を計算する配線経路の遅延時間計算手続、ステップ
6はタイミング制約との比較手続をそれぞれ行う。
【0033】以下に前記各手続きをステップごとに説明
する。
【0034】(ステップ1)まず通常配線層のみによる
配置配線を、第1の配置配線手続において実行する。こ
の第1の配置配線手続では論理ゲートを配置すると共
に、上限値(Tduij)および下限値(Tdlij)よりなるタイミ
ング制約を基にネットリストに従ってゲートの入出力間
の配線結線を行う。遅延時間の計算は配置時間を短縮す
るため配線長より近似的に計算する。近似計算に用いる
配線の抵抗ならびに容量のパラメータとして、初期の配
置時には隣接配線の情報が得られないため、経験的な単
位長さ当たりの平均を用いる。ステップ1は、全ての配
線がタイミング制約を満たすまで実行される。ステップ
1においてタイミング制約を満たせないとき、それは配
置配線上の問題ではなくネットリストの設計上の問題で
あり、ネットリストの修正が必要となる。
【0035】(ステップ2)ステップ1において決定さ
れた通常配線による配線は、配線経路の遅延時間計算手
続により詳細計算される。この配線経路の遅延時間計算
手続ではレイアウトより隣接配線の影響効果などを考慮
した配線のRCパラメータを抽出し、ステップ1の配置時
より精度の高い遅延時間の計算を行う。
【0036】(ステップ3)ステップ2において計算さ
れた配線経路Pijの遅延時間Tdijをタイミング制約値Tdu
ij,Tdlijと比較する。全ての経路のTdijについてタイ
ミング制約Tdlij<Tdij<Tduijを満たせば(規約内)、
配置配線は完了である。タイミング制約Tdlijを満たさ
ない配線が生じた場合(規約外)にはステップ4を実行
する。
【0037】(ステップ4)ステップ3においてタイミ
ング制約を満たさない配線経路の一部または全部を、第
2の配置配線手続を用いて遅延時間の制約を満たすよう
に、斜め配線に乗り換える。この第2の配置配線手続で
はタイミング制約を満たさない配線について、斜め配線
に乗り換え可能な配線領域の検索を行い、ステップ3に
おけるタイミング制約と計算値の差分に基づいて必要な
斜め配線の配線長を計算し、いくつかの斜め配線の候補
から最適な斜め配線の配置を決定する。タイミング制約
下限Tdlijを下回る配線経路については、斜め配線利用
して迂回し、配線長を伸ばことになる。
【0038】なお、この場合は信号の鈍りが設計制約を
満たす限り、該当配線経路を駆動する論理ゲートの駆動
能力を下げてもよい。但し、信号が鈍るとゲートの貫通
電流の増加や遅延時間がプロセス変動の影響を受けやす
くなる弊害がある。ゲート駆動能力を下げる変更は、レ
イアウト面積が縮小される方向であり、ステップ1にお
いて配置されたゲートの配置に影響を与えることはな
い。
【0039】(ステップ5)ステップ4において決定さ
れた斜め配線による配線経路は、配線経路の遅延時間計
算手続により再計算される。この配線経路の遅延時間計
算手続ではステップ4で変更された配線経路の近傍のレ
イアウトから配線のRCパラメータを抽出し、ステップ4
の配置時より精度の高い遅延時間の計算を行う。
【0040】(ステップ6)ステップ5において計算さ
れた配線経路の遅延時間Tdijを、タイミング制約値Tdui
j,Tdlijと比較する。全ての経路のTdijについてタイミ
ング制約Tdlij<Tdij<Tduijを満たせば(制約内)、配
置配線は完了である。タイミング制約Tdlijを満たさな
い配線が生じた場合は(制約外)、ステップ1に戻って
第1の配置配線手続をトランジスタサイズの変更などを
加えて再実行する。
【0041】次に、図3の手続きによる配置配線例を説
明する。図4(a),(b)は斜め配線による配線長の
調整前と調整後における配線の平面図、図5(a),
(b)は図4(a)の調整前の配線を各配線層ごとに見
た平面図である。図4(a)の配線領域1における配線
は図3におけるステップ1の配置配線結果に対応してい
る。配線は第1層配線3,第2層配線2の2層で配線さ
れている。
【0042】図4(b)は図4(a)より出発して図3
の全てのステップを完了した状態を示している。図4
(b)において第1層配線6と第2層配線7との間、第
2層配線8と第1層配線9との間、第2層配線10と第
1層配線11との間は、それぞれ遅延時間を短縮するた
めに斜め配線4に乗り換えられている。図中で斜め配線
4に乗り換える際、乗り換えに必要なコンタクト5の形
成、および不要な配線の削除以外、配線領域の配線は変
更されていない。
【0043】最後に、図6(a),(b),(c)は図
1に対応した配線層を各配線層ごとに見た平面図であっ
て、図6(a)〜(c)はそれぞれ第1配線層3,第2
配線層2,斜め配線層4を示す。本実施形態では、この
ように最上層に斜め配線4を備え、配線遅延時間の短縮
マージンを斜め配線4に持たせることが特徴である。
【0044】なお、本実施形態において、斜め配線4を
通常配線層群20の配線に対して45度に傾けている
が、配線長を短くするに有意な角度であればその角度は
何度でもよい。例えば通常配置配線では、配置を高速に
実行するため配線を格子点である配線グリッドに載せて
配線されるが、通常配線層群20の配線を配線グリッド
上に載せ斜め配線4は配線上に載せないようにすると、
通常配線は高速に配置配線され、配線グリッド間を任意
の角度で斜め配線に乗り換えることができるために、効
率のよい斜め配線を実施することができる。
【0045】また、任意の角度の斜め配線には、配線の
間隔や幅といったデザインルールの検証に必要な計算量
が増大し、また斜め配線の形成に必要なガラスマスクの
作成に関しても、微細な配線を任意の角度で描画するた
めには、高い描画分解能が必要となるなどの問題が生じ
る。このため、斜め配線の角度を複数の角度に限定して
もよい。限定角度の例としては15度,30度,45
度,60度,75度などが考えられる。限定する角度を
増やすほど任意角度に近い効果が得られる。
【0046】さらに最上層に設けた斜め配線4は、配線
の遅延時間の調節のために用いられるために配線の密度
が比較的少ない。このため斜め配線層群19の形成に
は、通常の配線層を作成するときに用いられる、ガラス
マスクに形成したパターンを用いたフォトリゾグラフィ
による形成方法に代えて、電子ビームを用いてパターン
を直接描画する方法を使用することができる。
【0047】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の集積回路
素子および集積回路素子における配線方法によれば、専
用の斜め配線を用いることにより、最短となる斜め配線
を配置することができるため、配線遅延時間の短縮が容
易になり、遅延時間の下限側の制御範囲を大きくするこ
とができ、仮配線のレイアウトの変更が斜め配線への乗
り換え以外殆ど不要になって、タイミング調整に要する
時間が節約でき、配置配線においてタイミング調整を容
易にし、短時間にて設計制約を満たすことが可能である
などの効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を説明するための集積回路
素子における配線を示す平面図
【図2】図1の配線状態を示す断面図
【図3】本実施形態に係る集積回路素子の配線方法を示
すフローチャート
【図4】斜め配線による配線長の調整前と調整後におけ
る配線の平面図
【図5】図4の調整前の配線を各配線層ごとに見た平面
【図6】図1に対応した配線配線層を各配線層ごとに見
た平面図
【符号の説明】
1 配線領域 2 第2層配線 3 第1層配線 4 斜め配線 5 コンタクト 14 第1斜め配線層 16 トランジスタ 17 半導体基板 18 層間絶縁膜 19 斜め配線層群 20 通常配線層群

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板に複数の配線層を積層した構
    造の集積回路素子において、他の配線層の配線に対して
    上面から見て斜めに配置された配線を有する斜め配線層
    を備えたことを特徴とする集積回路素子。
  2. 【請求項2】 半導体基板側を下層側とし、前記斜め配
    線層を前記他の配線層より上層側に積層したことを特徴
    とする請求項1記載の集積回路素子。
  3. 【請求項3】 斜め配線層以外の配線を配線グリッド上
    に配置したことを特徴とする請求項1または2記載の集
    積回路素子。
  4. 【請求項4】 斜め配線層の配線が他の配線層の配線に
    対してなす角度を複数の特定角度に限定したこと特徴と
    する請求項1または2記載の集積回路素子。
  5. 【請求項5】 請求項1記載の集積回路素子における配
    線方法であって、配線長の調整過程において、仮配置さ
    れた配線の全てもしくは一部を斜め配線層を用いて配線
    長を調整することを特徴とする集積回路素子における配
    線方法。
  6. 【請求項6】 請求項1記載の集積回路素子における配
    線方法であって、第1の配置配線を斜め配線層以外の配
    線層で行い、前記第1の配置配線に基づいて配線経路の
    遅延時間を求め、この遅延時間が所与の制約に合致しな
    い配線経路に対して配線経路を斜め配線に乗り換える第
    2の配置配線を行うことを特徴とする集積回路素子にお
    ける配線方法。
JP871998A 1998-01-20 1998-01-20 集積回路素子および集積回路素子における配線方法 Pending JPH11214519A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173484A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Elpida Memory Inc 多層配線半導体集積回路、半導体装置

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