JPH1121197A - 結晶成長用の種結晶及びフッ化物結晶 - Google Patents
結晶成長用の種結晶及びフッ化物結晶Info
- Publication number
- JPH1121197A JPH1121197A JP17687497A JP17687497A JPH1121197A JP H1121197 A JPH1121197 A JP H1121197A JP 17687497 A JP17687497 A JP 17687497A JP 17687497 A JP17687497 A JP 17687497A JP H1121197 A JPH1121197 A JP H1121197A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- plane
- seed crystal
- fluoride
- seed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、単結晶性が高く、複屈折性の小さ
な単結晶並びにかかる単結晶を成長させるのに好適な種
結晶を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の種結晶は、結晶の主成長面に接
する面のうち少なくとも１つが該主成長面と原子配列と
等価な結晶面であることを特徴とする。特に、主成長面
と側面の少なくとも一面を同じ面方位（｛１１１｝ある
いは｛１００｝）に属する結晶面とするのが好ましい。
また、本発明のフッ化物結晶は以上の種結晶を用いてル
ツボ降下法又は結晶引き上げ法により結晶成長させたこ
とを特徴とする。
な単結晶並びにかかる単結晶を成長させるのに好適な種
結晶を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の種結晶は、結晶の主成長面に接
する面のうち少なくとも１つが該主成長面と原子配列と
等価な結晶面であることを特徴とする。特に、主成長面
と側面の少なくとも一面を同じ面方位（｛１１１｝ある
いは｛１００｝）に属する結晶面とするのが好ましい。
また、本発明のフッ化物結晶は以上の種結晶を用いてル
ツボ降下法又は結晶引き上げ法により結晶成長させたこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶成長用の種
結晶及びフッ化物結晶に係り、特に単結晶性が高く、か
つ歪みの少ない大口径（２５〜３０ｃｍ、あるいはそれ
以上）のフッ化物結晶とその成長に好適な種結晶に関す
る。
結晶及びフッ化物結晶に係り、特に単結晶性が高く、か
つ歪みの少ない大口径（２５〜３０ｃｍ、あるいはそれ
以上）のフッ化物結晶とその成長に好適な種結晶に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】蛍石等のフッ化物結晶は、真空紫外域か
ら遷赤外域までの広い波長範囲において透過率が高く、
各種光学素子、レンズ、窓材、プリズム等に広く利用さ
れている。特に、エキシマレーザーやこれを用いたステ
ッパ等の光学系に好適に用いられ、レーザーに対する透
過率や複屈折性に優れ、耐レーザー耐久性の高い結晶の
検討がなされている。
ら遷赤外域までの広い波長範囲において透過率が高く、
各種光学素子、レンズ、窓材、プリズム等に広く利用さ
れている。特に、エキシマレーザーやこれを用いたステ
ッパ等の光学系に好適に用いられ、レーザーに対する透
過率や複屈折性に優れ、耐レーザー耐久性の高い結晶の
検討がなされている。
【０００３】このようなフッ化物結晶は、ルツボ降下法
（ブリッジマン法またはストックバーガー法と呼ばれ
る）及び結晶引き上げ法（チョクラルスキー法と呼ばれ
る）で製造されている。
（ブリッジマン法またはストックバーガー法と呼ばれ
る）及び結晶引き上げ法（チョクラルスキー法と呼ばれ
る）で製造されている。
【０００４】従来の結晶成長法においては、主成長面を
劈開又は切り出して種結晶を作製し、この種結晶をルツ
ボ中の原料の融液に接触させて、種結晶を徐々に引き上
げ、或いはルツボを引き下げることによって、温度勾配
をつけ、種結晶の主成長面の垂直方向に結晶を成長させ
るものである。
劈開又は切り出して種結晶を作製し、この種結晶をルツ
ボ中の原料の融液に接触させて、種結晶を徐々に引き上
げ、或いはルツボを引き下げることによって、温度勾配
をつけ、種結晶の主成長面の垂直方向に結晶を成長させ
るものである。
【０００５】本発明者は、エキシマレーザーのステッパ
用光学系に用いるフッ化物結晶の生産歩留まりの改善及
び結晶の光学特性の向上を図るべく、結晶成長の方法及
び条件を種々検討する中で、得られる結晶の単結晶性や
複屈折性のバラツキの程度は用いる種結晶によって影響
されることを見い出した。即ち、より単結晶に優れ、複
屈折性の小さなフッ化物結晶を製造するためには、種結
晶の形状を最適化する必要があることが分かった。本願
発明は、かかる知見を基に完成したものである。
用光学系に用いるフッ化物結晶の生産歩留まりの改善及
び結晶の光学特性の向上を図るべく、結晶成長の方法及
び条件を種々検討する中で、得られる結晶の単結晶性や
複屈折性のバラツキの程度は用いる種結晶によって影響
されることを見い出した。即ち、より単結晶に優れ、複
屈折性の小さなフッ化物結晶を製造するためには、種結
晶の形状を最適化する必要があることが分かった。本願
発明は、かかる知見を基に完成したものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、単結晶性が
高く、複屈折性の小さな単結晶を成長させるのに好適な
種結晶を提供することを目的とする。
高く、複屈折性の小さな単結晶を成長させるのに好適な
種結晶を提供することを目的とする。
【０００７】本発明の別の目的は、バッチごとの単結晶
性及び複屈折性のバラツキの小さな結晶を成長させるの
に好適な種結晶を提供することにある。
性及び複屈折性のバラツキの小さな結晶を成長させるの
に好適な種結晶を提供することにある。
【０００８】また、本発明の別の目的は、単結晶性が高
く、かつ複屈折性の小さい大口径のフッ化物結晶を提供
することにある。
く、かつ複屈折性の小さい大口径のフッ化物結晶を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の結晶成長用の種
結晶は、単結晶成長用の種結晶であって、結晶の主成長
面に接する面のうち少なくとも１つが該主成長面と原子
配列が等価な結晶面であることを特徴とする。
結晶は、単結晶成長用の種結晶であって、結晶の主成長
面に接する面のうち少なくとも１つが該主成長面と原子
配列が等価な結晶面であることを特徴とする。
【００１０】本発明の種結晶は、前記主成長面が面方位
｛１１１｝に属するいずれかの結晶面であり、前記主成
長面に接する面のうち少なくとも１つが｛１１１｝に属
し且つ該結晶面とは異なる結晶面であるのが望ましい。
また、本発明種結晶は、前記主成長面が面方位｛１０
０｝に属するいずれかの結晶面であり、前記主成長面に
接する面のうち少なくとも１つが｛１００｝に属し且つ
該結晶面とは異なる結晶面であるのが望ましい。
｛１１１｝に属するいずれかの結晶面であり、前記主成
長面に接する面のうち少なくとも１つが｛１１１｝に属
し且つ該結晶面とは異なる結晶面であるのが望ましい。
また、本発明種結晶は、前記主成長面が面方位｛１０
０｝に属するいずれかの結晶面であり、前記主成長面に
接する面のうち少なくとも１つが｛１００｝に属し且つ
該結晶面とは異なる結晶面であるのが望ましい。
【００１１】本発明のフッ化物結晶は、上記種結晶を用
いてルツボ降下法又は結晶引き上げ法により結晶成長さ
せたことを特徴とする。
いてルツボ降下法又は結晶引き上げ法により結晶成長さ
せたことを特徴とする。
【００１２】本発明の種結晶は、フッ化カルシウム、フ
ッ化バリウムまたはフッ化マグネシウムの結晶の成長に
好適に適用される。
ッ化バリウムまたはフッ化マグネシウムの結晶の成長に
好適に適用される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１４】本発明の結晶成長用の種結晶は、融液に接
触させ結晶成長させる面（主成長面と呼ぶ）の他に、側
面に少なくとも一つ結晶面を切り出したものである。
触させ結晶成長させる面（主成長面と呼ぶ）の他に、側
面に少なくとも一つ結晶面を切り出したものである。
【００１５】例えば、主成長面が面方位｛１１１｝に属
するいずれかの結晶面の場合は、該主成長面に接して
｛１１１｝の他の結晶面が少なくとも１面切り出され
る。ここで、｛１１１｝とは、（１，１，１）面と等価
な面の集合をいう。
するいずれかの結晶面の場合は、該主成長面に接して
｛１１１｝の他の結晶面が少なくとも１面切り出され
る。ここで、｛１１１｝とは、（１，１，１）面と等価
な面の集合をいう。
【００１６】
【数１】
【００１７】図１に、本発明の種結晶の形状の一例を示
す。（ａ）の例は、主成長面も側面も｛１１１｝に属す
る面で形成された例であり、詳細には、（１，１，１）
が主成長面で三角形をなし、（−１，１，１）、（１，
−１，１）、（１，１，−１）の各側面が、三角形の各
辺に接している。側面の高さは、作製する結晶の大きさ
にもよるが、通常、融液に接触する高さよりも大きくす
る。
す。（ａ）の例は、主成長面も側面も｛１１１｝に属す
る面で形成された例であり、詳細には、（１，１，１）
が主成長面で三角形をなし、（−１，１，１）、（１，
−１，１）、（１，１，−１）の各側面が、三角形の各
辺に接している。側面の高さは、作製する結晶の大きさ
にもよるが、通常、融液に接触する高さよりも大きくす
る。
【００１８】（ａ）の場合は、主成長面を三角形として
あるが、例えば、（ｂ）に示すように主成長面の三角形
の頂角部を切り出すようにしてもよい。但し、この場
合、新たに切り出された面は、｛１１１｝に属する面よ
りも小さくするのがよい。
あるが、例えば、（ｂ）に示すように主成長面の三角形
の頂角部を切り出すようにしてもよい。但し、この場
合、新たに切り出された面は、｛１１１｝に属する面よ
りも小さくするのがよい。
【００１９】（ｃ）は、主成長面及び側面を｛１００｝
に属するいずれか結晶面で構成した種結晶であり、主成
長面（１，０，０）は四角形をなし、側面は（０，０，
１）、（０，１，０）の各面が、四角形の各辺に接して
いる。
に属するいずれか結晶面で構成した種結晶であり、主成
長面（１，０，０）は四角形をなし、側面は（０，０，
１）、（０，１，０）の各面が、四角形の各辺に接して
いる。
【００２０】更に、（ｄ）は主成長面が｛１１１｝であ
り、側面が｛１００｝である場合、（ｅ）は主成長面が
｛１００｝であり、側面が｛１１１｝である場合を示し
たものである。
り、側面が｛１００｝である場合、（ｅ）は主成長面が
｛１００｝であり、側面が｛１１１｝である場合を示し
たものである。
【００２１】また（ｆ）は、種結晶の側面を拡大して表
した模式図で矢印ａ乃至ｂは結晶面の面方位を示す。種
成長面に接した側面を微視的に見ると側面は面方位がわ
ずかに異なる複数の結晶面から構成されていることもあ
るが、複数の結晶面面方位は±５°の範囲内にあるもの
を本発明において側面という。
した模式図で矢印ａ乃至ｂは結晶面の面方位を示す。種
成長面に接した側面を微視的に見ると側面は面方位がわ
ずかに異なる複数の結晶面から構成されていることもあ
るが、複数の結晶面面方位は±５°の範囲内にあるもの
を本発明において側面という。
【００２２】なお、上記側面の面積は、特定されるもの
ではないが、０．２５ｃｍ2以上であることが好まし
い。
ではないが、０．２５ｃｍ2以上であることが好まし
い。
【００２３】以上のように、本発明の種結晶は、種々の
形状とすることができるが、主成長面及び側面のいずれ
も同じ面方位に属する結晶面で構成するのが好ましく、
これにより成長した結晶の単結晶性は向上し、複屈折の
より小さな単結晶となる。また、バッチ間のバラツキも
抑えることが可能となる。より好ましくは、単結晶の融
液に接触する部分を種結晶の主成長面だけでなく、側面
も融液に接触させる。側面が融液に接触する部分は適宜
調整すればよい。
形状とすることができるが、主成長面及び側面のいずれ
も同じ面方位に属する結晶面で構成するのが好ましく、
これにより成長した結晶の単結晶性は向上し、複屈折の
より小さな単結晶となる。また、バッチ間のバラツキも
抑えることが可能となる。より好ましくは、単結晶の融
液に接触する部分を種結晶の主成長面だけでなく、側面
も融液に接触させる。側面が融液に接触する部分は適宜
調整すればよい。
【００２４】これは、種結晶の側面も結晶面とすること
により、主成長面に垂直な方向と水平方向とで結晶が成
長する際に、境界が生じ難くなり、その結果、結晶の単
結晶性が向上するためと考えられる。さらには、主成長
面以外の面を主成長面と同じ原子配列となる結晶面とす
ることにより、結晶の歪みがより抑制される結果、一定
の結晶スピードが得られ、複屈折性が小さく、且つバラ
ツキのない結晶成長が生じるものと考えられる。
により、主成長面に垂直な方向と水平方向とで結晶が成
長する際に、境界が生じ難くなり、その結果、結晶の単
結晶性が向上するためと考えられる。さらには、主成長
面以外の面を主成長面と同じ原子配列となる結晶面とす
ることにより、結晶の歪みがより抑制される結果、一定
の結晶スピードが得られ、複屈折性が小さく、且つバラ
ツキのない結晶成長が生じるものと考えられる。
【００２５】なお、ルツボ降下法による場合は、ルツボ
の底部の種結晶固定部の形状を種結晶の形状に合わせて
作製する。また、結晶引き上げ法の場合は、固定部材に
合わせた形状に種結晶上部を加工すればよい。
の底部の種結晶固定部の形状を種結晶の形状に合わせて
作製する。また、結晶引き上げ法の場合は、固定部材に
合わせた形状に種結晶上部を加工すればよい。
【００２６】種結晶の切り出しに必要である面方位の決
定には、ラウエの回折パターンを利用する。以下にフッ
化カルシウムを例に挙げ、主成長面を（１，１，１）面
として該主成長面に接する少なくとも１つの面が（１，
１，０）の結晶面である種結晶を得るための切り出し方
法を説明する。
定には、ラウエの回折パターンを利用する。以下にフッ
化カルシウムを例に挙げ、主成長面を（１，１，１）面
として該主成長面に接する少なくとも１つの面が（１，
１，０）の結晶面である種結晶を得るための切り出し方
法を説明する。
【００２７】フッ化カルシウムは、通常刃物をあてて応
力を加えることで容易に（１，１，１）面の劈開を生じ
る。この（１，１，１）面にＸ線を照射し、（１，１，
１）を反射したＸ線のラウエの回折パターンから（１，
１，０）面がどの方向にあるのかを特定する。（１，
１，０）面の方向が特定できたら切り出し工具として通
常使用されるダイアの研削刃を用いて（１，１，０）面
を切り出す。この方法によってこの種結晶は（１，１，
１）面を主成長面とし、該主成長面に接する少なくとも
１つの面が（１，１，０）の結晶面となる。
力を加えることで容易に（１，１，１）面の劈開を生じ
る。この（１，１，１）面にＸ線を照射し、（１，１，
１）を反射したＸ線のラウエの回折パターンから（１，
１，０）面がどの方向にあるのかを特定する。（１，
１，０）面の方向が特定できたら切り出し工具として通
常使用されるダイアの研削刃を用いて（１，１，０）面
を切り出す。この方法によってこの種結晶は（１，１，
１）面を主成長面とし、該主成長面に接する少なくとも
１つの面が（１，１，０）の結晶面となる。
【００２８】更に主成長面に接するもうひとつの面を例
えば（０，０，１）の結晶面に加工する場合は、前述し
た（１，１，０）の結晶面を得たのち、同様にラウエの
回折パターンから（０，０，１）面の方向特定をして
（１，１，０）面を研削した場合と同様に切り出し工具
として通常使用されるダイアの研削刃を用いて（０，
０，１）面を切り出す。
えば（０，０，１）の結晶面に加工する場合は、前述し
た（１，１，０）の結晶面を得たのち、同様にラウエの
回折パターンから（０，０，１）面の方向特定をして
（１，１，０）面を研削した場合と同様に切り出し工具
として通常使用されるダイアの研削刃を用いて（０，
０，１）面を切り出す。
【００２９】フッ化カルシウムは劈開によって容易に
（１，１，１）面を得ることができるため、上記方法に
従い（１，１，１）面を主成長面とした種結晶を用いる
が、必要ならば他の結晶面を用いても構わない。また、
フッ化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化リチウ
ム、シリコンは劈開によっては容易に結晶面を得ること
ができない。しかしながら特定の主成長面を決定した後
は主成長面に接する少なくとも１つの結晶面を上記方法
と同様にラウエの回折パターンを用いて特定し、切り出
し工具として通常使用されるダイアの研削刃を用いて切
り出す。
（１，１，１）面を得ることができるため、上記方法に
従い（１，１，１）面を主成長面とした種結晶を用いる
が、必要ならば他の結晶面を用いても構わない。また、
フッ化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化リチウ
ム、シリコンは劈開によっては容易に結晶面を得ること
ができない。しかしながら特定の主成長面を決定した後
は主成長面に接する少なくとも１つの結晶面を上記方法
と同様にラウエの回折パターンを用いて特定し、切り出
し工具として通常使用されるダイアの研削刃を用いて切
り出す。
【００３０】次に、これらの種結晶を用いてフッ化物結
晶の単結晶を成長する方法について説明する。
晶の単結晶を成長する方法について説明する。
【００３１】図２は、ルツボ降下法による単結晶の成長
炉の一例である。
炉の一例である。
【００３２】図２において、２０１は成長炉のチャンバ
ー、２０２は断熱材、２０３はヒーター、２０４はルツ
ボ、２０５は種結晶、２０６はフッ化物結晶原料、２０
７はルツボ引き下げ機構である。
ー、２０２は断熱材、２０３はヒーター、２０４はルツ
ボ、２０５は種結晶、２０６はフッ化物結晶原料、２０
７はルツボ引き下げ機構である。
【００３３】まず、種結晶２０５を取り付け、精製した
フッ化物結晶原料をスカベンジャーとともにルツボ２０
４入れて、ヒータ２０３に通電する。
フッ化物結晶原料をスカベンジャーとともにルツボ２０
４入れて、ヒータ２０３に通電する。
【００３４】そして、排気系により炉内を５×１０-4〜
２×１０-6Ｔｏｒｒ以下まで減圧し、１３９０〜１４５
０℃程度までルツボ２０４を加熱してフッ化物結晶原料
を溶融させた後、０．１〜５．０ｍｍ／ｈ位の速度でル
ツボを降下させる。特に、積極的に冷却するわけではな
いが、ルツボの降下とともにフッ化物は部分的に温度が
低下していくことで結晶化する。
２×１０-6Ｔｏｒｒ以下まで減圧し、１３９０〜１４５
０℃程度までルツボ２０４を加熱してフッ化物結晶原料
を溶融させた後、０．１〜５．０ｍｍ／ｈ位の速度でル
ツボを降下させる。特に、積極的に冷却するわけではな
いが、ルツボの降下とともにフッ化物は部分的に温度が
低下していくことで結晶化する。
【００３５】るつぼが下がりきった時点でヒーター２０
３への印加電圧を、温度降下速度が約１００℃／ｈ以内
になるように、徐々に下げる。
３への印加電圧を、温度降下速度が約１００℃／ｈ以内
になるように、徐々に下げる。
【００３６】その後、ヒーターの電源を切り、室温程度
まで冷却した後、炉からフッ化物結晶を取り出す。
まで冷却した後、炉からフッ化物結晶を取り出す。
【００３７】図３は、結晶引き上げ法の結晶成長炉を示
す一例である。
す一例である。
【００３８】図３において、３０１は成長炉のチャンバ
ー、３０２は断熱材、３０３はヒーター、３０４はルツ
ボ、３０５は種結晶、３０６はフッ化物結晶原料、３０
７は結晶引き上げ機構である。
ー、３０２は断熱材、３０３はヒーター、３０４はルツ
ボ、３０５は種結晶、３０６はフッ化物結晶原料、３０
７は結晶引き上げ機構である。
【００３９】種結晶３０５を引き上げ機構３０７に取り
付け、精製したフッ化物結晶原料をスカベンジャーとと
もにルツボ３０４入れて、ヒータ３０３に通電する。成
長炉内部はＮ2等の不活性ガス雰囲気とするか、あるい
は減圧にする。
付け、精製したフッ化物結晶原料をスカベンジャーとと
もにルツボ３０４入れて、ヒータ３０３に通電する。成
長炉内部はＮ2等の不活性ガス雰囲気とするか、あるい
は減圧にする。
【００４０】そして、１３９０〜１４５０℃程度までル
ツボ３０４を加熱してフッ化物結晶原料を溶融させた
後、種結晶３０５を融液３０６接触させてなじませ、ル
ツボ３０４あるいは種結晶を５〜１０ｒｐｍ程度で回転
させながら、０．５〜１ｍｍ／ｈ位の速度で結晶を引き
上げる。結晶の引き上げとともにフッ化物は種結晶から
成長し結晶化する。
ツボ３０４を加熱してフッ化物結晶原料を溶融させた
後、種結晶３０５を融液３０６接触させてなじませ、ル
ツボ３０４あるいは種結晶を５〜１０ｒｐｍ程度で回転
させながら、０．５〜１ｍｍ／ｈ位の速度で結晶を引き
上げる。結晶の引き上げとともにフッ化物は種結晶から
成長し結晶化する。
【００４１】結晶が上がりきった時点でヒーター３０３
への印加電圧を、温度降下速度が約１００℃／ｈ以内に
なるように、徐々に下げる。
への印加電圧を、温度降下速度が約１００℃／ｈ以内に
なるように、徐々に下げる。
【００４２】その後、ヒーターの電源を切り、室温程度
まで冷却した後、炉からフッ化物結晶を取り出す。
まで冷却した後、炉からフッ化物結晶を取り出す。
【００４３】なお、上記種結晶を用いて結晶を成長させ
ると、結晶引き上げ法及びルツボ降下法のいずれの方法
を用いても、単結晶性の高い、複屈折の少ない結晶を得
ることができる。特に、フッ化カルシウム、フッ化マグ
ネシウム、フッ化バリウムの結晶成長に好適に適用され
る。
ると、結晶引き上げ法及びルツボ降下法のいずれの方法
を用いても、単結晶性の高い、複屈折の少ない結晶を得
ることができる。特に、フッ化カルシウム、フッ化マグ
ネシウム、フッ化バリウムの結晶成長に好適に適用され
る。
【００４４】
【実施例】以下に実施例をあげて、本発明をより詳細に
説明する。なお、以下の実施例では口径が２５ｃｍの単
結晶を製造したがそれ以下、例えば１０ｃｍあるいは３
０ｃｍの口径を有する単結晶も同様の結果を得た。
説明する。なお、以下の実施例では口径が２５ｃｍの単
結晶を製造したがそれ以下、例えば１０ｃｍあるいは３
０ｃｍの口径を有する単結晶も同様の結果を得た。
【００４５】（実施例１）蛍石を図１（ａ）に示したよ
うに、主成長面が（１，１，１）、側面が（−１，１，
１）、（１，−１，１）、（１，１，−１）面となる種
結晶を切り出し、これを用いて（１，１，１）面に垂直
方向に蛍石の結晶成長を行った。
うに、主成長面が（１，１，１）、側面が（−１，１，
１）、（１，−１，１）、（１，１，−１）面となる種
結晶を切り出し、これを用いて（１，１，１）面に垂直
方向に蛍石の結晶成長を行った。
【００４６】また、比較のため、従来の形状の種結晶、
即ち、主成長面を（１，１，１）面とし、側面は結晶面
を直方体に切り出した種結晶を用いて、同様に蛍石の結
晶成長を行った（比較例１）。
即ち、主成長面を（１，１，１）面とし、側面は結晶面
を直方体に切り出した種結晶を用いて、同様に蛍石の結
晶成長を行った（比較例１）。
【００４７】結晶成長には図２に示す装置を用いて行っ
た。
た。
【００４８】上記の種結晶２０５を黒鉛製ルツボ２０４
の底部に取り付け、精製した蛍石の原料２０６をＺｎＦ
2スカベンジャーとともに充填した。
の底部に取り付け、精製した蛍石の原料２０６をＺｎＦ
2スカベンジャーとともに充填した。
【００４９】これを成長炉に設置して、ヒータ２０３に
通電し、原料を加熱、融解した。ここで、結晶が融解す
る温度まで真空度を５×１０-4Ｔｏｒｒ以下に保つよう
に加熱した。結晶は１４００℃程度で融解し、その後真
空度が２×１０-6Ｔｏｒｒ以下になるまで保持し、さら
に、温度が安定状態に達してから１０時間程度保持し
た。
通電し、原料を加熱、融解した。ここで、結晶が融解す
る温度まで真空度を５×１０-4Ｔｏｒｒ以下に保つよう
に加熱した。結晶は１４００℃程度で融解し、その後真
空度が２×１０-6Ｔｏｒｒ以下になるまで保持し、さら
に、温度が安定状態に達してから１０時間程度保持し
た。
【００５０】その後、引き下げ機構２０７にてルツボ２
０４を約２ｍｍ／ｈの速度で下部へ移動させた。ルツボ
が下がりきった時点でヒーター２０３への印加電圧を、
温度降下速度が約１００℃／ｈ以内になるように、徐々
に下げた。
０４を約２ｍｍ／ｈの速度で下部へ移動させた。ルツボ
が下がりきった時点でヒーター２０３への印加電圧を、
温度降下速度が約１００℃／ｈ以内になるように、徐々
に下げた。
【００５１】その後、ヒーターの電源を切り、室温程度
まで冷却した後、炉から蛍石単結晶を取り出した。
まで冷却した後、炉から蛍石単結晶を取り出した。
【００５２】次に、取り出した単結晶をアニール用のル
ツボにセットし、結晶とルツボとの隙間にＺｎＦ2スカ
ベンジャーを均一に撒き、ベルジャー内を真空排気して
ゆっくりと加熱し、９００℃で２０時間アニール処理
し、その後室温まで冷却して、単結晶を炉から取り出し
た。
ツボにセットし、結晶とルツボとの隙間にＺｎＦ2スカ
ベンジャーを均一に撒き、ベルジャー内を真空排気して
ゆっくりと加熱し、９００℃で２０時間アニール処理
し、その後室温まで冷却して、単結晶を炉から取り出し
た。
【００５３】以上のようにして作製した２５ｃｍ径の単
結晶を研磨して５０ｍｍ厚の蛍石単結晶を切り出し、研
磨した。以上の工程を１０回繰り返して、１０ｍｍ厚の
蛍石単結晶を１０個作製した。
結晶を研磨して５０ｍｍ厚の蛍石単結晶を切り出し、研
磨した。以上の工程を１０回繰り返して、１０ｍｍ厚の
蛍石単結晶を１０個作製した。
【００５４】以上のようにして作製した単結晶の単結晶
性及び複屈折性の面内均一性はを調べた。結果を表１に
示す。なお、単結晶性は、エッチピットの密度で評価し
た。また、複屈折性の均一性については、面内バラツキ
をセナルモン法による４カ所の測定値のバラツキで示
し、バッチ間バラツキはその平均値で示した。
性及び複屈折性の面内均一性はを調べた。結果を表１に
示す。なお、単結晶性は、エッチピットの密度で評価し
た。また、複屈折性の均一性については、面内バラツキ
をセナルモン法による４カ所の測定値のバラツキで示
し、バッチ間バラツキはその平均値で示した。
【００５５】
【表１】
【００５６】表１が示すように、本実施例の種結晶を用
いることにより、即ち、種結晶の主成長面及び側面も
｛１１１｝に属する面とすることにより、主成長面のみ
を｛１１１｝とした比較例１と比べて結晶性及び光学特
性において優れたものとなっているのが分かる。
いることにより、即ち、種結晶の主成長面及び側面も
｛１１１｝に属する面とすることにより、主成長面のみ
を｛１１１｝とした比較例１と比べて結晶性及び光学特
性において優れたものとなっているのが分かる。
【００５７】即ち、本実施例の種結晶を用いて作成した
蛍石は、エッチピット密度が低減でき、単結晶性が向上
するとともに、複屈折性については、歪みの値そのもの
が小さくなっているだけでなく、面内バラツキ並びにバ
ッチ間のバラツキも小さくなることが分かる。
蛍石は、エッチピット密度が低減でき、単結晶性が向上
するとともに、複屈折性については、歪みの値そのもの
が小さくなっているだけでなく、面内バラツキ並びにバ
ッチ間のバラツキも小さくなることが分かる。
【００５８】（実施例２）種結晶の主成長面を（１，
０，０）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１と同様にして、結晶成長させた。
０，０）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１と同様にして、結晶成長させた。
【００５９】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは４
±３ｎｍであり、複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
±３ｎｍであり、複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
【００６０】（実施例３）種結晶の主成長面を（１，
１，１）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１と同様にして、蛍石結晶を成長さ
せた。
１，１）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１と同様にして、蛍石結晶を成長さ
せた。
【００６１】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは５
±４ｎｍであり、実施例１、２に比べて劣るものの、従
来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
±４ｎｍであり、実施例１、２に比べて劣るものの、従
来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
【００６２】（実施例４）種結晶の主成長面を（１，
０，０）とし、側面を｛１１１｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１と同様にして、結晶成長させた。
０，０）とし、側面を｛１１１｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１と同様にして、結晶成長させた。
【００６３】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは５
±４．５ｎｍであり、実施例１、２に比べて劣るもの
の、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が
得られた。
±４．５ｎｍであり、実施例１、２に比べて劣るもの
の、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が
得られた。
【００６４】（実施例５）主成長面が（１，１，１）、
側面が（−１，１，１）、（１，−１，１）、（１，
１，−１）面となるフッ化バリウム種結晶を切り出し、
これを用いて（１、１、１）面に垂直方向にフッ化バリ
ウムの結晶成長を行った。
側面が（−１，１，１）、（１，−１，１）、（１，
１，−１）面となるフッ化バリウム種結晶を切り出し、
これを用いて（１、１、１）面に垂直方向にフッ化バリ
ウムの結晶成長を行った。
【００６５】また、比較のため、従来の形状の種結晶、
即ち、主成長面を（１，１，１）面とし、側面は結晶面
を直方体に切り出した種結晶を用いて、同様にフッ化バ
リウムの結晶成長を行った（比較例２）。
即ち、主成長面を（１，１，１）面とし、側面は結晶面
を直方体に切り出した種結晶を用いて、同様にフッ化バ
リウムの結晶成長を行った（比較例２）。
【００６６】結晶成長には図２に示す装置を用いて行っ
た。
た。
【００６７】上記の種結晶を黒鉛製ルツボの底部に取り
付け、精製した蛍石の原料をＺｎＦ 2スカベンジャーと
ともに充填した。
付け、精製した蛍石の原料をＺｎＦ 2スカベンジャーと
ともに充填した。
【００６８】これを成長炉に設置して、ヒータに通電
し、原料を加熱、融解した。ここで、結晶が融解する温
度まで真空度を５×１０-4Ｔｏｒｒ以下に保つように加
熱した。結晶は１４００℃程度で融解し、その後真空度
が２×１０-6Ｔｏｒｒ以下になるまで保持し、さらに、
温度が安定状態に達してから１０時間程度保持した。
し、原料を加熱、融解した。ここで、結晶が融解する温
度まで真空度を５×１０-4Ｔｏｒｒ以下に保つように加
熱した。結晶は１４００℃程度で融解し、その後真空度
が２×１０-6Ｔｏｒｒ以下になるまで保持し、さらに、
温度が安定状態に達してから１０時間程度保持した。
【００６９】その後、引き下げ機構にてルツボを約２ｍ
ｍ／ｈの速度で下部へ移動させた。ルツボが下がりきっ
た時点でヒーターへの印加電圧を、温度降下速度が約１
００℃／ｈ以内になるように、徐々に下げた。
ｍ／ｈの速度で下部へ移動させた。ルツボが下がりきっ
た時点でヒーターへの印加電圧を、温度降下速度が約１
００℃／ｈ以内になるように、徐々に下げた。
【００７０】その後、ヒーターの電源を切り、室温程度
まで冷却した後、炉からフッ化バリウム単結晶を取り出
した。
まで冷却した後、炉からフッ化バリウム単結晶を取り出
した。
【００７１】次に、取り出した単結晶をアニール用のル
ツボにセットし、結晶とルツボとの隙間にＺｎＦ2スカ
ベンジャーを均一に撒き、ベルジャー内を真空排気して
ゆっくりと加熱し、９００℃で２０時間アニール処理
し、その後室温まで冷却して、単結晶を炉から取り出し
た。
ツボにセットし、結晶とルツボとの隙間にＺｎＦ2スカ
ベンジャーを均一に撒き、ベルジャー内を真空排気して
ゆっくりと加熱し、９００℃で２０時間アニール処理
し、その後室温まで冷却して、単結晶を炉から取り出し
た。
【００７２】以上のようにして作製した２５ｃｍ径の単
結晶を研磨して５０ｍｍ厚のフッ化バリウム単結晶を切
り出し、研磨した。以上の工程を１０回繰り返して、１
０ｍｍ厚のフッ化バリウム単結晶を１０個作製した。
結晶を研磨して５０ｍｍ厚のフッ化バリウム単結晶を切
り出し、研磨した。以上の工程を１０回繰り返して、１
０ｍｍ厚のフッ化バリウム単結晶を１０個作製した。
【００７３】以上のようにして作製した単結晶の単結晶
性及び複屈折性の面内均一性を調べた。結果を表２に示
す。
性及び複屈折性の面内均一性を調べた。結果を表２に示
す。
【００７４】
【表２】
【００７５】表２が示すように、本実施例の種結晶を用
いることにより、即ち、種結晶の主成長面及び側面も
｛１１１｝に属する面とすることにより、主成長面のみ
を｛１１１｝とした比較例１と比べて結晶性及び光学特
性において優れたものとなっているのが分かる。
いることにより、即ち、種結晶の主成長面及び側面も
｛１１１｝に属する面とすることにより、主成長面のみ
を｛１１１｝とした比較例１と比べて結晶性及び光学特
性において優れたものとなっているのが分かる。
【００７６】（実施例６）種結晶の主成長面を（１，
０，０）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例５と同様にして、フッ化バリウム結
晶成長させた。
０，０）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例５と同様にして、フッ化バリウム結
晶成長させた。
【００７７】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは５
±４ｎｍであり、複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
±４ｎｍであり、複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
【００７８】（実施例７）種結晶の主成長面を（１，
１，１）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例５と同様にして、フッ化バリウム結
晶を成長させた。
１，１）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例５と同様にして、フッ化バリウム結
晶を成長させた。
【００７９】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは６
±５ｎｍであり、実施例５、６に比べて劣るものの、従
来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
±５ｎｍであり、実施例５、６に比べて劣るものの、従
来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
【００８０】（実施例８）種結晶の主成長面を（１，
０，０）とし、側面を｛１１１｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例５と同様にして、フッ化バリウム結
晶を成長させた。
０，０）とし、側面を｛１１１｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例５と同様にして、フッ化バリウム結
晶を成長させた。
【００８１】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは７
±５．５ｎｍであり、実施例５、６に比べて劣るもの
の、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が
得られた。
±５．５ｎｍであり、実施例５、６に比べて劣るもの
の、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が
得られた。
【００８２】（実施例９）主成長面が（１，１，１）、
側面が（−１，１，１）、（１，−１，１）、（１，
１，−１）面となるフッ化マグネシウム種結晶を切り出
し、これを用いて（１，１，１）面に垂直方向にフッ化
マグネシウムの結晶成長を行った。
側面が（−１，１，１）、（１，−１，１）、（１，
１，−１）面となるフッ化マグネシウム種結晶を切り出
し、これを用いて（１，１，１）面に垂直方向にフッ化
マグネシウムの結晶成長を行った。
【００８３】また、比較のため、従来の形状の種結晶、
即ち、主成長面を（１，１，１）面とし、側面は結晶面
を直方体に切り出した種結晶を用いて、同様にフッ化マ
グネシウムの結晶成長を行った（比較例３）。
即ち、主成長面を（１，１，１）面とし、側面は結晶面
を直方体に切り出した種結晶を用いて、同様にフッ化マ
グネシウムの結晶成長を行った（比較例３）。
【００８４】結晶成長には図２に示す装置を用いて行っ
た。
た。
【００８５】上記の種結晶を黒鉛製ルツボの底部に取り
付け、精製した蛍石の原料をＺｎＦ 2スカベンジャーと
ともに充填した。
付け、精製した蛍石の原料をＺｎＦ 2スカベンジャーと
ともに充填した。
【００８６】これを成長炉に設置して、ヒータに通電
し、原料を加熱、融解した。ここで、結晶が融解する温
度まで真空度を５×１０-4Ｔｏｒｒ以下に保つように加
熱した。結晶は１３００℃程度で融解し、その後真空度
が２×１０-6Ｔｏｒｒ以下になるまで保持し、さらに、
温度が安定状態に達してから１０時間程度保持した。
し、原料を加熱、融解した。ここで、結晶が融解する温
度まで真空度を５×１０-4Ｔｏｒｒ以下に保つように加
熱した。結晶は１３００℃程度で融解し、その後真空度
が２×１０-6Ｔｏｒｒ以下になるまで保持し、さらに、
温度が安定状態に達してから１０時間程度保持した。
【００８７】その後、引き下げ機構にてルツボを約２ｍ
ｍ／ｈの速度で下部へ移動させた。ルツボが下がりきっ
た時点でヒーターへの印加電圧を、温度降下速度が約１
００℃／ｈ以内になるように、徐々に下げた。
ｍ／ｈの速度で下部へ移動させた。ルツボが下がりきっ
た時点でヒーターへの印加電圧を、温度降下速度が約１
００℃／ｈ以内になるように、徐々に下げた。
【００８８】その後、ヒーターの電源を切り、室温程度
まで冷却した後、炉からフッ化マグネシウム単結晶を取
り出した。
まで冷却した後、炉からフッ化マグネシウム単結晶を取
り出した。
【００８９】次に、取り出した単結晶をアニール用のル
ツボにセットし、結晶とルツボとの隙間にＺｎＦ2スカ
ベンジャーを均一に撒き、ベルジャー内を真空排気して
ゆっくりと加熱し、９００℃で２０時間アニール処理
し、その後室温まで冷却して、単結晶を炉から取り出し
た。
ツボにセットし、結晶とルツボとの隙間にＺｎＦ2スカ
ベンジャーを均一に撒き、ベルジャー内を真空排気して
ゆっくりと加熱し、９００℃で２０時間アニール処理
し、その後室温まで冷却して、単結晶を炉から取り出し
た。
【００９０】以上のようにして作製した２５ｃｍ径の単
結晶を研磨して５０ｍｍ厚のフッ化マグネシウム単結晶
を切り出し、研磨した。以上の工程を１０回繰り返し
て、１０ｍｍ厚のフッ化マグネシウム単結晶を１０個作
製した。
結晶を研磨して５０ｍｍ厚のフッ化マグネシウム単結晶
を切り出し、研磨した。以上の工程を１０回繰り返し
て、１０ｍｍ厚のフッ化マグネシウム単結晶を１０個作
製した。
【００９１】以上のようにして作製した単結晶の単結晶
性及び複屈折性の面内均一性を調べた。結果を表３に示
す。
性及び複屈折性の面内均一性を調べた。結果を表３に示
す。
【００９２】
【表３】
【００９３】表３が示すように、本実施例の種結晶を用
いることにより、即ち、種結晶の主成長面及び側面も
｛１１１｝に属する面とすることにより、主成長面のみ
を｛１１１｝とした比較例３と比べて結晶性及び光学特
性において優れたものとなっているのが分かる。
いることにより、即ち、種結晶の主成長面及び側面も
｛１１１｝に属する面とすることにより、主成長面のみ
を｛１１１｝とした比較例３と比べて結晶性及び光学特
性において優れたものとなっているのが分かる。
【００９４】（実施例１０）種結晶の主成長面を（１，
０，０）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例９と同様にして、フッ化マグネシウ
ム結晶成長させた。
０，０）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例９と同様にして、フッ化マグネシウ
ム結晶成長させた。
【００９５】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは５
±４ｎｍであり、複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
±４ｎｍであり、複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
【００９６】（実施例１１）種結晶の主成長面を（１，
１，１）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例９と同様にして、フッ化マグネシウ
ム結晶を成長させた。
１，１）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例９と同様にして、フッ化マグネシウ
ム結晶を成長させた。
【００９７】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは６
±５ｎｍであり、実施例９、１０に比べて劣るものの、
従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が得ら
れた。
±５ｎｍであり、実施例９、１０に比べて劣るものの、
従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が得ら
れた。
【００９８】（実施例１２）種結晶の主成長面を（１，
０，０）とし、側面を｛１１１｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例９と同様にして、フッ化マグネシウ
ム結晶を成長させた。
０，０）とし、側面を｛１１１｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例９と同様にして、フッ化マグネシウ
ム結晶を成長させた。
【００９９】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは７
±５．５ｎｍであり、実施例９、１０に比べて劣るもの
の、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が
得られた。
±５．５ｎｍであり、実施例９、１０に比べて劣るもの
の、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が
得られた。
【０１００】（実施例１３）蛍石を、主成長面が（１，
１，１）、側面が（−１，１，１）、（１，−１，
１）、（１，１，−１）面となる種結晶を切り出し、こ
れを用いて（１，１，１）面に垂直方向）に蛍石の結晶
成長を行った。
１，１）、側面が（−１，１，１）、（１，−１，
１）、（１，１，−１）面となる種結晶を切り出し、こ
れを用いて（１，１，１）面に垂直方向）に蛍石の結晶
成長を行った。
【０１０１】また、比較のため、従来の形状の種結晶、
即ち、主成長面を（１，１，１）面とし、側面は結晶面
を直方体に切り出した種結晶を用いて、同様に蛍石の結
晶成長を行った（比較例４）。
即ち、主成長面を（１，１，１）面とし、側面は結晶面
を直方体に切り出した種結晶を用いて、同様に蛍石の結
晶成長を行った（比較例４）。
【０１０２】結晶成長には図３に示す装置を用いた。
【０１０３】種結晶３０５を引き上げ機構３０７に取り
付け、精製したフッ化カルシウム原料をスカベンジャー
とともにルツボ３０４入れて、内部を１×１０-6Ｔｏｒ
ｒ以下とした。その後、ヒータ３０３に通電し、１４０
０℃程度までルツボ３０４を加熱してフッ化物結晶原料
を溶融させた後、種結晶３０５を融液３０６接触させて
なじませ、ルツボ３０４を５〜１０ｒｐｍ程度で回転さ
せながら、０．５〜１ｍｍ／ｈ位の速度で結晶を引き上
げた。
付け、精製したフッ化カルシウム原料をスカベンジャー
とともにルツボ３０４入れて、内部を１×１０-6Ｔｏｒ
ｒ以下とした。その後、ヒータ３０３に通電し、１４０
０℃程度までルツボ３０４を加熱してフッ化物結晶原料
を溶融させた後、種結晶３０５を融液３０６接触させて
なじませ、ルツボ３０４を５〜１０ｒｐｍ程度で回転さ
せながら、０．５〜１ｍｍ／ｈ位の速度で結晶を引き上
げた。
【０１０４】結晶が上がりきった時点でヒーター３０３
への印加電圧を、温度降下速度が約１００℃／ｈ以内に
なるように、徐々に下げる。
への印加電圧を、温度降下速度が約１００℃／ｈ以内に
なるように、徐々に下げる。
【０１０５】その後、ヒーターの電源を切り、室温程度
まで冷却した後、炉からフッ化物結晶を取り出す。
まで冷却した後、炉からフッ化物結晶を取り出す。
【０１０６】次に、取り出した単結晶をアニール用のル
ツボにセットし、結晶とルツボとの隙間にＺｎＦ2スカ
ベンジャーを均一に撒き、ベルジャー内を真空排気して
ゆっくりと加熱し、９００℃で２０時間アニール処理
し、その後室温まで冷却して、単結晶を炉から取り出し
た。
ツボにセットし、結晶とルツボとの隙間にＺｎＦ2スカ
ベンジャーを均一に撒き、ベルジャー内を真空排気して
ゆっくりと加熱し、９００℃で２０時間アニール処理
し、その後室温まで冷却して、単結晶を炉から取り出し
た。
【０１０７】以上のようにして作製した２５ｃｍ径の単
結晶を研磨して５０ｍｍ厚の蛍石単結晶を切り出し、研
磨した。以上の工程を１０回繰り返して、１０ｍｍ厚の
蛍石単結晶を１０個作製した。
結晶を研磨して５０ｍｍ厚の蛍石単結晶を切り出し、研
磨した。以上の工程を１０回繰り返して、１０ｍｍ厚の
蛍石単結晶を１０個作製した。
【０１０８】以上のようにして作製した単結晶の単結晶
性及び複屈折性の面内均一性を調べた。結果を表４に示
す。
性及び複屈折性の面内均一性を調べた。結果を表４に示
す。
【０１０９】
【表４】
【０１１０】表４が示すように、本実施例の種結晶を用
いることにより、即ち、種結晶の主成長面及び側面も
｛１１１｝に属する面とすることにより、主成長面のみ
を｛１１１｝とした比較例４と比べて結晶性及び光学特
性において優れたものとなっているのが分かる。
いることにより、即ち、種結晶の主成長面及び側面も
｛１１１｝に属する面とすることにより、主成長面のみ
を｛１１１｝とした比較例４と比べて結晶性及び光学特
性において優れたものとなっているのが分かる。
【０１１１】（実施例１４）種結晶の主成長面を（１，
０，０）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１３と同様にして、結晶成長させ
た。
０，０）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１３と同様にして、結晶成長させ
た。
【０１１２】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは４
±３ｎｍであり、複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
±３ｎｍであり、複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
【０１１３】（実施例１５）種結晶の主成長面を（１，
１，１）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１３と同様にして、蛍石結晶を成長
させた。
１，１）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１３と同様にして、蛍石結晶を成長
させた。
【０１１４】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは５
±４ｎｍであり、実施例１３、１４に比べて劣るもの
の、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が
得られた。
±４ｎｍであり、実施例１３、１４に比べて劣るもの
の、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が
得られた。
【０１１５】（実施例１６）種結晶の主成長面を（１，
０，０）とし、側面を｛１１１｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１３と同様にして、結晶成長させ
た。
０，０）とし、側面を｛１１１｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１３と同様にして、結晶成長させ
た。
【０１１６】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは６
±４．５ｎｍであり、実施例１３、１４に比べて劣るも
のの、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶
が得られた。
±４．５ｎｍであり、実施例１３、１４に比べて劣るも
のの、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶
が得られた。
【０１１７】（実施例１７）フッ化バリウムを図１
（ａ）に示したように、主成長面が（１，１，１）、側
面が（−１，１，１）、（１，−１，１）、（１，１，
−１）面となる種結晶を切り出し、これを用いて（１，
１，１）面に垂直方向にフッ化バリウムの結晶成長を行
った。
（ａ）に示したように、主成長面が（１，１，１）、側
面が（−１，１，１）、（１，−１，１）、（１，１，
−１）面となる種結晶を切り出し、これを用いて（１，
１，１）面に垂直方向にフッ化バリウムの結晶成長を行
った。
【０１１８】また、比較のため、従来の形状の種結晶、
即ち、主成長面を（１，１，１）面とし、側面は結晶面
を直方体に切り出した種結晶を用いて、同様にフッ化バ
リウムの結晶成長を行った（比較例５）。
即ち、主成長面を（１，１，１）面とし、側面は結晶面
を直方体に切り出した種結晶を用いて、同様にフッ化バ
リウムの結晶成長を行った（比較例５）。
【０１１９】結晶成長には図３に示す装置を用いた。
【０１２０】種結晶３０５を引き上げ機構３０７に取り
付け、精製したフッ化バリウム原料をスカベンジャーと
ともにルツボ３０４入れて、内部を１×１０-6Ｔｏｒｒ
以下とした。その後、ヒータ３０３に通電し、１４００
℃程度までルツボ３０４を加熱してフッ化物結晶原料を
溶融させた後、種結晶３０５を融液３０６に接触させて
なじませ、ルツボ３０４あるいは種結晶を５〜１０ｒｐ
ｍ程度で回転させながら、０．５〜１ｍｍ／ｈ位の速度
で結晶を引き上げた。
付け、精製したフッ化バリウム原料をスカベンジャーと
ともにルツボ３０４入れて、内部を１×１０-6Ｔｏｒｒ
以下とした。その後、ヒータ３０３に通電し、１４００
℃程度までルツボ３０４を加熱してフッ化物結晶原料を
溶融させた後、種結晶３０５を融液３０６に接触させて
なじませ、ルツボ３０４あるいは種結晶を５〜１０ｒｐ
ｍ程度で回転させながら、０．５〜１ｍｍ／ｈ位の速度
で結晶を引き上げた。
【０１２１】結晶が上がりきった時点でヒーター３０３
への印加電圧を、温度降下速度が約１００℃／ｈ以内に
なるように、徐々に下げる。
への印加電圧を、温度降下速度が約１００℃／ｈ以内に
なるように、徐々に下げる。
【０１２２】その後、ヒーターの電源を切り、室温程度
まで冷却した後、炉からフッ化物結晶を取り出す。
まで冷却した後、炉からフッ化物結晶を取り出す。
【０１２３】次に、取り出した単結晶をアニール用のル
ツボにセットし、結晶とルツボとの隙間にＺｎＦ2スカ
ベンジャーを均一に撒き、ベルジャー内を真空排気して
ゆっくりと加熱し、９００℃で２０時間アニール処理
し、その後室温まで冷却して、単結晶を炉から取り出し
た。
ツボにセットし、結晶とルツボとの隙間にＺｎＦ2スカ
ベンジャーを均一に撒き、ベルジャー内を真空排気して
ゆっくりと加熱し、９００℃で２０時間アニール処理
し、その後室温まで冷却して、単結晶を炉から取り出し
た。
【０１２４】以上のようにして作製した２５ｃｍ径の単
結晶を研磨して５０ｍｍ厚のフッ化バリウム単結晶を切
り出し、研磨した。以上の工程を１０回繰り返して、１
０ｍｍ厚のフッ化バリウム単結晶を１０個作製した。
結晶を研磨して５０ｍｍ厚のフッ化バリウム単結晶を切
り出し、研磨した。以上の工程を１０回繰り返して、１
０ｍｍ厚のフッ化バリウム単結晶を１０個作製した。
【０１２５】以上のようにして作製した単結晶の単結晶
性及び複屈折性の面内均一性を調べた。結果を表５に示
す。
性及び複屈折性の面内均一性を調べた。結果を表５に示
す。
【０１２６】
【表５】
【０１２７】表５が示すように、本実施例の種結晶を用
いることにより、即ち、種結晶の主成長面及び側面も
｛１１１｝に属する面とすることにより、主成長面のみ
を｛１１１｝とした比較例５と比べて結晶性及び光学特
性において優れたものとなっているのが分かる。
いることにより、即ち、種結晶の主成長面及び側面も
｛１１１｝に属する面とすることにより、主成長面のみ
を｛１１１｝とした比較例５と比べて結晶性及び光学特
性において優れたものとなっているのが分かる。
【０１２８】（実施例１８）種結晶の主成長面を（１，
０，０）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１７と同様にして、フッ化バリウム
結晶成長させた。
０，０）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１７と同様にして、フッ化バリウム
結晶成長させた。
【０１２９】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは５
±４ｎｍであり、複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
±４ｎｍであり、複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
【０１３０】（実施例１９）種結晶の主成長面を（１，
１，１）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１７と同様にして、フッ化バリウム
結晶を成長させた。
１，１）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１７と同様にして、フッ化バリウム
結晶を成長させた。
【０１３１】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは６
±５ｎｍであり、実施例１７、１８に比べて劣るもの
の、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が
得られた。
±５ｎｍであり、実施例１７、１８に比べて劣るもの
の、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が
得られた。
【０１３２】（実施例２０）種結晶の主成長面を（１，
０，０）とし、側面を｛１１１｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１７と同様にして、フッ化バリウム
結晶を成長させた。
０，０）とし、側面を｛１１１｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例１７と同様にして、フッ化バリウム
結晶を成長させた。
【０１３３】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは７
±５．５ｎｍであり、実施例１７、１８に比べて劣るも
のの、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶
が得られた。
±５．５ｎｍであり、実施例１７、１８に比べて劣るも
のの、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶
が得られた。
【０１３４】（実施例２１）フッ化マグネシウムを図１
（ａ）に示したように、主成長面が（１，１，１）、側
面が（−１，１，１）、（１，−１，１）、（１，１，
−１）面となる種結晶を切り出し、これを用いて（１，
１，１）面に垂直方向にフッ化マグネシウムの結晶成長
を行った。
（ａ）に示したように、主成長面が（１，１，１）、側
面が（−１，１，１）、（１，−１，１）、（１，１，
−１）面となる種結晶を切り出し、これを用いて（１，
１，１）面に垂直方向にフッ化マグネシウムの結晶成長
を行った。
【０１３５】また、比較のため、従来の形状の種結晶、
即ち、主成長面を（１，１，１）面とし、側面は結晶面
を直方体に切り出した種結晶を用いて、同様にフッ化マ
グネシウムの結晶成長を行った。
即ち、主成長面を（１，１，１）面とし、側面は結晶面
を直方体に切り出した種結晶を用いて、同様にフッ化マ
グネシウムの結晶成長を行った。
【０１３６】結晶成長には図３に示す装置を用いた。
【０１３７】種結晶３０５を引き上げ機構３０７に取り
付け、精製したフッ化マグネシウム原料をスカベンジャ
ーとともにルツボ３０４入れて、内部を１×１０-6Ｔｏ
ｒｒ以下とした。その後、ヒータ３０３に通電し、１３
００℃程度までルツボ３０４を加熱してフッ化物結晶原
料を溶融させた後、種結晶３０５を融液３０６接触させ
てなじませ、ルツボ３０４を５〜１０ｒｐｍ程度で回転
させながら、０．５〜１ｍｍ／ｈ位の速度で結晶を引き
上げた。
付け、精製したフッ化マグネシウム原料をスカベンジャ
ーとともにルツボ３０４入れて、内部を１×１０-6Ｔｏ
ｒｒ以下とした。その後、ヒータ３０３に通電し、１３
００℃程度までルツボ３０４を加熱してフッ化物結晶原
料を溶融させた後、種結晶３０５を融液３０６接触させ
てなじませ、ルツボ３０４を５〜１０ｒｐｍ程度で回転
させながら、０．５〜１ｍｍ／ｈ位の速度で結晶を引き
上げた。
【０１３８】結晶が上がりきった時点でヒーター３０３
への印加電圧を、温度降下速度が約１００℃／ｈ以内に
なるように、徐々に下げる。
への印加電圧を、温度降下速度が約１００℃／ｈ以内に
なるように、徐々に下げる。
【０１３９】その後、ヒーターの電源を切り、室温程度
まで冷却した後、炉からフッ化物結晶を取り出す。
まで冷却した後、炉からフッ化物結晶を取り出す。
【０１４０】次に、取り出した単結晶をアニール用のル
ツボにセットし、結晶とルツボとの隙間にＺｎＦ2スカ
ベンジャーを均一に撒き、ベルジャー内を真空排気して
ゆっくりと加熱し、９００℃で２０時間アニール処理
し、その後室温まで冷却して、単結晶を炉から取り出し
た。
ツボにセットし、結晶とルツボとの隙間にＺｎＦ2スカ
ベンジャーを均一に撒き、ベルジャー内を真空排気して
ゆっくりと加熱し、９００℃で２０時間アニール処理
し、その後室温まで冷却して、単結晶を炉から取り出し
た。
【０１４１】以上のようにして作製した２５ｃｍ径の単
結晶を研磨して５０ｍｍ厚のフッ化マグネシウム単結晶
を切り出し、研磨した。以上の工程を１０回繰り返し
て、１０ｍｍ厚の蛍石単結晶を１０個作製した。
結晶を研磨して５０ｍｍ厚のフッ化マグネシウム単結晶
を切り出し、研磨した。以上の工程を１０回繰り返し
て、１０ｍｍ厚の蛍石単結晶を１０個作製した。
【０１４２】以上のようにして作製した単結晶の単結晶
性及び複屈折性の面内均一性を調べた。結果を表６に示
す。
性及び複屈折性の面内均一性を調べた。結果を表６に示
す。
【０１４３】
【表６】
【０１４４】表６が示すように、本実施例の種結晶を用
いることにより、即ち、種結晶の主成長面及び側面も
｛１１１｝に属する面とすることにより、主成長面のみ
を｛１１１｝とした比較例６と比べて結晶性及び光学特
性において優れたものとなっているのが分かる。
いることにより、即ち、種結晶の主成長面及び側面も
｛１１１｝に属する面とすることにより、主成長面のみ
を｛１１１｝とした比較例６と比べて結晶性及び光学特
性において優れたものとなっているのが分かる。
【０１４５】（実施例２２）種結晶の主成長面を（１，
０，０）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例２１と同様にして、フッ化マグネシ
ウム結晶成長させた。
０，０）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例２１と同様にして、フッ化マグネシ
ウム結晶成長させた。
【０１４６】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは５
±４ｎｍであり、複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
±４ｎｍであり、複屈折の小さな優れた結晶が得られ
た。
【０１４７】（実施例２３）種結晶の主成長面を（１，
１，１）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例２１と同様にして、フッ化マグネシ
ウム結晶を成長させた。
１，１）とし、側面を｛１００｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例２１と同様にして、フッ化マグネシ
ウム結晶を成長させた。
【０１４８】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは６
±５ｎｍであり、実施例２１、２２に比べて劣るもの
の、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が
得られた。
±５ｎｍであり、実施例２１、２２に比べて劣るもの
の、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶が
得られた。
【０１４９】（実施例２４）種結晶の主成長面を（１，
０，０）とし、側面を｛１１１｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例２１と同様にして、フッ化マグネシ
ウム結晶を成長させた。
０，０）とし、側面を｛１１１｝に属する面とした種結
晶を用いて、実施例２１と同様にして、フッ化マグネシ
ウム結晶を成長させた。
【０１５０】得られた結晶の複屈折の面内バラツキは７
±５．５ｎｍであり、実施例２１、２２に比べて劣るも
のの、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶
が得られた。
±５．５ｎｍであり、実施例２１、２２に比べて劣るも
のの、従来の比較例に比べて複屈折の小さな優れた結晶
が得られた。
【０１５１】
【発明の効果】本発明の結晶成長用種結晶を用いること
により、単結晶性のよい、複屈折性の小さな大口径フッ
化物結晶を作製することができる。また、提供すること
ができる。
により、単結晶性のよい、複屈折性の小さな大口径フッ
化物結晶を作製することができる。また、提供すること
ができる。
【０１５２】また、バッチごとの単結晶性及び複屈折性
のバラツキの小さな結晶を成長させることができる。
のバラツキの小さな結晶を成長させることができる。
【０１５３】更に、光学特性、レーザー耐久性の優れた
光学部品を提供することができる。
光学部品を提供することができる。
【図１】本発明の種結晶の示した概念図である。
【図２】ルツボ降下法による結晶成長に好適な成長炉を
示す概念図である。
示す概念図である。
【図３】結晶引き上げ法による結晶成長に好適な成長炉
を示す概念図である。
を示す概念図である。
２０１、３０１ 成長炉のチャンバー、 ２０２、３０２ 断熱材、 ２０３、３０３ ヒーター、 ２０４、３０４ ルツボ、 ２０５、３０５ 種結晶、 ２０６、３０６ フッ化物結晶原料、 ２０７ ルツボ引き下げ機構、 ３０７ 結晶引き上げ機構。
Claims (6)
- 【請求項１】 単結晶成長用の種結晶であって、結晶の
主成長面に接する面のうち少なくとも１つが該主成長面
と原子配列が等価な結晶面であることを特徴とする結晶
成長用の種結晶。 - 【請求項２】 前記主成長面が面方位｛１１１｝に属す
るいずれかの結晶面であり、前記主成長面に接する面の
うち少なくとも１つが｛１１１｝に属し且つ該結晶面と
は異なる結晶面であることを特徴とする請求項１に記載
の結晶成長用の種結晶。 - 【請求項３】 前記主成長面が面方位｛１００｝に属す
るいずれかの結晶面であり、前記主成長面に接する面の
うち少なくとも１つが｛１００｝に属し且つ該結晶面と
は異なる結晶面であることを特徴とする請求項１に記載
の結晶成長用の種結晶。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の種
結晶を用いてルツボ降下法により結晶成長させたことを
特徴とするフッ化物結晶。 - 【請求項５】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の種
結晶を用いて結晶引き上げ法により結晶成長させたこと
を特徴とするフッ化物結晶。 - 【請求項６】 前記フッ化物結晶がフッ化カルシウム、
フッ化バリウムまたはフッ化マグネシウムの結晶である
ことを特徴とする請求項４又は５に記載のフッ化物結
晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17687497A JP4174086B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 結晶成長用の種結晶及びフッ化物結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17687497A JP4174086B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 結晶成長用の種結晶及びフッ化物結晶 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1121197A true JPH1121197A (ja) | 1999-01-26 |
| JP4174086B2 JP4174086B2 (ja) | 2008-10-29 |
Family
ID=16021299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17687497A Expired - Lifetime JP4174086B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 結晶成長用の種結晶及びフッ化物結晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4174086B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002037697A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-06 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 光学材料の製造方法 |
| WO2002103413A1 (fr) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Nikon Corporation | Element optique, son procede de production et aligneur de projection |
| WO2003009017A1 (fr) * | 2001-07-17 | 2003-01-30 | Nikon Corporation | Procede de fabrication d'un element optique |
| WO2003036361A1 (fr) * | 2001-10-19 | 2003-05-01 | Nikon Corporation | Systeme optique de projection et appareil d'exposition possedant ledit systeme |
| EP1422321A1 (en) * | 2002-11-19 | 2004-05-26 | Tokuyama Corporation | As-grown single crystal of calcium fluoride |
| EP1422322A1 (en) * | 2002-11-19 | 2004-05-26 | Tokuyama Corporation | As-grown single crystal of alkaline earth metal fluoride |
| EP1424408A1 (en) * | 2002-11-19 | 2004-06-02 | Tokuyama Corporation | Single crystal pulling apparatus for metal fluoride |
| US6813070B2 (en) | 2000-03-02 | 2004-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical member for vacuum ultraviolet, and aligner and device manufacture method using same |
| JP2005022949A (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Hitachi Chem Co Ltd | ルツボ |
| JP2005029455A (ja) * | 2002-11-19 | 2005-02-03 | Tokuyama Corp | フッ化アルカリ土類金属のアズグロウン単結晶体 |
| JP2007031247A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | フッ化カルシウム単結晶 |
| JP2009280411A (ja) * | 2008-05-19 | 2009-12-03 | Tokuyama Corp | フッ化金属単結晶体製造用の種結晶体 |
| US7785416B2 (en) | 2003-07-03 | 2010-08-31 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Crucible and single crystal growth method using crucible |
-
1997
- 1997-07-02 JP JP17687497A patent/JP4174086B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6813070B2 (en) | 2000-03-02 | 2004-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical member for vacuum ultraviolet, and aligner and device manufacture method using same |
| JP4575561B2 (ja) * | 2000-07-25 | 2010-11-04 | 三井金属鉱業株式会社 | 光学材料の製造方法 |
| JP2002037697A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-06 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 光学材料の製造方法 |
| WO2002103413A1 (fr) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Nikon Corporation | Element optique, son procede de production et aligneur de projection |
| WO2003009017A1 (fr) * | 2001-07-17 | 2003-01-30 | Nikon Corporation | Procede de fabrication d'un element optique |
| US6994747B2 (en) | 2001-07-17 | 2006-02-07 | Nikon Corporation | Method for producing optical member |
| WO2003036361A1 (fr) * | 2001-10-19 | 2003-05-01 | Nikon Corporation | Systeme optique de projection et appareil d'exposition possedant ledit systeme |
| EP1424408A1 (en) * | 2002-11-19 | 2004-06-02 | Tokuyama Corporation | Single crystal pulling apparatus for metal fluoride |
| JP4500531B2 (ja) * | 2002-11-19 | 2010-07-14 | 株式会社トクヤマ | フッ化アルカリ土類金属のアズグロウン単結晶体 |
| JP2005029455A (ja) * | 2002-11-19 | 2005-02-03 | Tokuyama Corp | フッ化アルカリ土類金属のアズグロウン単結晶体 |
| EP1422322A1 (en) * | 2002-11-19 | 2004-05-26 | Tokuyama Corporation | As-grown single crystal of alkaline earth metal fluoride |
| US7060133B2 (en) | 2002-11-19 | 2006-06-13 | Tokuyama Corporation | Single crystal pulling apparatus for a metal fluoride |
| EP1422321A1 (en) * | 2002-11-19 | 2004-05-26 | Tokuyama Corporation | As-grown single crystal of calcium fluoride |
| US7364715B2 (en) | 2002-11-19 | 2008-04-29 | Tokuyama Corporation | As-grown single crystal of alkaline earth metal fluoride |
| JP2005022949A (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Hitachi Chem Co Ltd | ルツボ |
| US7785416B2 (en) | 2003-07-03 | 2010-08-31 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Crucible and single crystal growth method using crucible |
| JP2007031247A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | フッ化カルシウム単結晶 |
| JP2009280411A (ja) * | 2008-05-19 | 2009-12-03 | Tokuyama Corp | フッ化金属単結晶体製造用の種結晶体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4174086B2 (ja) | 2008-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6472040B1 (en) | Semi-pure and pure monocrystalline silicon ingots and wafers | |
| US10066316B2 (en) | Method for producing silicon carbide single-crystal ingot and silicon carbide single-crystal ingot | |
| KR100582239B1 (ko) | 실리콘 단결정 웨이퍼 및 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조방법 | |
| US6893499B2 (en) | Silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same | |
| JP4174086B2 (ja) | 結晶成長用の種結晶及びフッ化物結晶 | |
| JP2008508187A (ja) | 溶融物から単結晶を成長させる方法 | |
| US5871580A (en) | Method of growing a bulk crystal | |
| EP1199387B1 (en) | Method for growing single crystal of semiconductor | |
| JP3659377B2 (ja) | フッ化物結晶の製造方法 | |
| KR20030023509A (ko) | 실리콘 반도체기판 및 그 제조방법 | |
| KR19980070037A (ko) | 반도체 잉곳 성장시 시드결정의 인상속도 최적화방법, 이를 적용한 반도체 잉곳 성장방법, 그에 따라 성장된 반도체 잉곳과반도체 웨이퍼 및 반도체장치 | |
| JP3172389B2 (ja) | シリコンウエーハの製造方法 | |
| JPH0797299A (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| JPH1192283A (ja) | シリコンウエハ及びその製造方法 | |
| JP4664570B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP4655861B2 (ja) | 電子デバイス用基板の製造方法 | |
| JP2010265150A (ja) | サファイア単結晶の製造方法及び種結晶の製造方法 | |
| JP4200690B2 (ja) | ＧａＡｓウェハの製造方法 | |
| JP2007161565A (ja) | フッ化物単結晶の熱処理方法及びフッ化物単結晶 | |
| CN116716659B (zh) | 一种氟化钙晶体的生长方法及氟化钙晶体 | |
| JPS6344720B2 (ja) | ||
| JP2004231502A (ja) | フッ化バリウムのアズグロウン単結晶体 | |
| JPH01242499A (ja) | ＺｎＳｅ単結晶の転位減少法 | |
| JPH0543400A (ja) | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| KR20230038847A (ko) | 저결함 특성을 갖는 SiC 단결정 기판 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040611 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060629 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060726 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060829 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060927 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061016 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061122 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070117 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070131 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070228 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070330 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070405 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080507 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080529 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080707 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080729 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080818 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130822 Year of fee payment: 5 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |