JPH11189573A - ビスーo−アミノ(チオ)フェノールおよびその製造方法 - Google Patents

ビスーo−アミノ(チオ)フェノールおよびその製造方法

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JPH11189573A
JPH11189573A JP10270393A JP27039398A JPH11189573A JP H11189573 A JPH11189573 A JP H11189573A JP 10270393 A JP10270393 A JP 10270393A JP 27039398 A JP27039398 A JP 27039398A JP H11189573 A JPH11189573 A JP H11189573A
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Recai Sezi
ゼチ レカイ
Michael Keitmann
カイトマン ミヒャエル
Andreas Weber
ウェーバー アンドレアス
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロエレクトロニクスのますます増大す
る要求を満足するポリマーの製造に適するビス−o−ア
ミノフェノールおよびビス−o−アミノチオフェノール
を提供する。 【解決手段】下記の構造式 【化1】 のビス−o−アミノフェノールおよびビス−o−アミノ
チオフェノールを製造する:式中;A1 〜A3 は、相互
に無関係であり、H,CH3 ,OCH3 ,CH2 CH3
またはOCH2 CH3 を表し;Tは、OまたはSを表
し;Zは、芳香族基または複素環基を表す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、まとめて簡単にビ
ス−o−アミノ(チオ)フェノールとも呼ばれる新現の
ビス−o−アミノフェノールおよびビス−o−アミノチ
オフェノールおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ビス−o−アミノフェノールは、特に、
高温安定のポリマー(例えばポリベンゾオキサゾール
(PBO)またはその前駆体)の製造およびヒドロキシ
ポリイミドの製造に必要である(これに関しては、例え
ばヨーロッパ特許EP0264678B1およびEP0
300326B1参照)。PBO前駆体は、塩化ジカル
ボン酸をビス−o−アミノフェノールと反応させて製造
できる。しかしながら、産業上の用途の多様性にもとづ
き、多数のジカルボン酸またはその塩化物が使用されて
いるのに対し、ビス−o−アミノフェノールは比較的僅
かである。更に、使用されるアミノフェノールの種類
は、これにより製造されたポリマーの性質に強い影響を
与える。即ち、ポリマーの熱的、電気的、機械的特性の
みならず、溶解度、加水分解安定性および他の多数の性
質も、製造に使用したアミノフェノールによって強く影
響される。
【0003】PBO前駆体は、感光性組成物の形で、直
接的に、即ち、補助レジストなしで、妥当なコストで構
造化できる。直接的に光構造化可能な他の誘電体(例え
ばポリイミド(PI)、ベンゾシクロブテン(BC
B))に比して、PBO前駆体は、ポジ構造化可能性お
よびアルカリ水溶液現像の利点を有する(ヨーロッパ特
許EP0023662B1およびEP0264678B
1参照)。このため、使用されるPBO前駆体は、露光
波長において十分に透明でなければならず、好ましく
は、金属イオンを含まない現像剤に十分に溶解しなけれ
ばならない。ポリベンゾオキサゾールも、ポリイミドと
同様に、環化された最終生成物に比して、溶解性の良い
前駆体として基板上に施し、次いで環化することができ
るという大きな利点を有し、その際、溶解度および溶媒
および他の処理薬剤に対する感度は、著しく減少する。
【0004】マイクロエレクトロニクスにおいて、特
に、2つの金属平面(例えばマルチチップ・モジュー
ル、メモリチップ、論理チップ)の間の誘電体としてま
たはチップとそのケースとの間のバッファ層(“バッフ
ァコート”)としてポリベンゾオキサゾールを使用する
場合、良好な電気的、機械的、熱的性質以外に、吸湿性
が低くなければならない。即ち、ポリマー層の水分は、
一方ではポリマーの電気的性質を低下し、他方では高温
において気泡生成および剥離を招く。ポリベンゾオキサ
ゾールの良好なプレーナ形成能は同じく有利である。即
ち、デバイスを製造する場合、プレーナ形成性の良い誘
電体を使用することによって、経費のかかる研磨プロセ
ス(化学機械的研磨=CMP)を回避できる。
【0005】溶解性の良いPBO前駆体の製造に適する
アミノフェノールは、例えば、米国特許第452553
9号およびヨーロッパ特許EP0317942A2から
公知である。しかしながら、この場合、基板上の環化さ
れたポリマーの吸湿性またはプレーナ形成能(ヨーロッ
パ特許EP0264678B1およびEP031794
2A2参照)に関する指示はない。アミノフェノールの
製造の場合、フェノール系出発化合物を窒化する。この
際、窒化が完全に、即ち100%まで行われず、異性体
を全く含まないようには行われず、即ちヒドロキシ基に
対してo−位置においてのみ窒化が行われる場合、ニト
ロ基の還元後、PBO前駆体においてもはや完全な環化
を可能にさせずポリベンゾオキサゾールの性質を著しく
損なうアミノフェノールが部分的に生ずる。これは、公
知の製造方法の大きな欠点である。
【0006】芳香族アミノフェノールは、ソビエット連
邦特許第1205518Aから公知である。しかしなが
ら、このアミノフェノールから製造したポリベンゾキサ
ゾールは、高い温度安定性を示さない(420〜430
℃において既に1%の質量損)。更に、アミノフェノー
ルの製造時、発癌性のヒドラジン水和物を使用するが、
これは重大な欠点である。この場合も、基板上の環化さ
れたポリマーの吸湿性またはプレーナ形成能に関する指
示はない。
【0007】ビスアミノフェノールの製造方法は、刊行
物“Polymer Preprints”34
(1),1993年,p425〜426にも記載されて
いる。この方法には、高温、即ち明らかに100℃より
も高い温度が必要であるという欠点がある(ジメチルア
セトアミドおよびトルエンの溶液を還流加熱する)。し
かしながら高い反応温度は、収率を低下し(最大73
%)且つ所望の製品の精製を困難とする副反応を助成す
る。この場合も、基板上の環化されたポリマーの吸湿性
またはプレーナ形成能に関する指示はない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、マイ
クロエレクトロニクスのますます増大する要求を満足す
るポリマーの製造に適するビス−o−アミノフェノール
およびビス−o−アミノチオフェノールを提供すること
にある。ビス−o−アミノ(チオ)フェノールによっ
て、特に、環化後に基板上に吸湿性が低く、温度安定性
が高く、プレーナ形成度の高いポリベンゾキサゾールま
たはポリベンゾチアゾールを生ずる溶解性良好なポリマ
ー前駆体の製造を可能としなければならない。
【0009】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明にも
とづき、下記の構造式
【化7】 のビス−o−アミノフェノールおよびビス−o−アミノ
チオフェノールによって解決される。この場合、下記が
成立する。A1 〜A3 は(、相互に無関係であり、H,
CH3 ,OCH3 ,CH2 CH3 またはOCH2 CH3
を表し;TはOまたはSを表し;Zは下記の基の1つで
ある:
【化8】 式中、Q=C−AまたはNてあり、ここで、A=H,
F,(CH2 p CH3 、(CF2 p CF3 ,O(C
2 p CH3 、O(CF2 p CF3 、CO(C
2 p CH3 、OC(CF2 p CF3 (ここで、p
=0〜8)(直鎖または分岐),OC(CH3 3 ,O
C(CF3 3 ,C6 5 、C6 5 ,OC6 5 、O
6 5 ,シクロペンチル、ペルフルオルシクロペンチ
ル、シクロヘキシルまたはペルフルオルシクロヘキシル
であり、ここで、分離された芳香族環には、環当り最大
3つのN原子が存在でき、2つのN原子は隣接してよ
く、多環系には、環当り最大2つのN原子が存在でき、
M=単一結合、(CH2 n ,(CF 2 n ,CHCH
3 ,CH(CF3 ),CF(CH3 ),CF(C
3 ),CH(C6 5 )、CH(C6 5 ),CF
(C6 5 )、CF(C6 5 ),C(CH3 )(C6
5 )、C(CH3 )(C6 5 )、C(CF3 )(C
6 5 )、C(CF3 )(C6 5 )、C(C6 5
2 、C(C6 5 2 、CO,SO2
【化9】 であり、ここでZ=
【化10】 である場合、ビス−o−アミノフェノールの少なくとも
1つの基QはNまたはC−A(但しA≠H)を表し、Z
【化11】 であり、QがC−Fを表し、Mが単一結合である場合、
ビス−o−アミノフェノールのアミノ官能基は、O−ブ
リッジに対してo−位置またはp−位置になければなら
ない。
【0010】上記の新規の化合物は、例えば、下記の構
造式を有する:
【化12】 この種の化合物の場合、エーテルブリッジが、明らか
に、このようにして製造されたポリマー前駆体の良好な
溶解性および良好なプレーナ形成性に寄与する。更に、
構造式の記号“A1 〜A3 ”は、アミノフェニル基が基
1 、A2 およびA 3 を有することを意味する。
【0011】ビス−o−アミノ(チオ)フェノールは、 (a)少なくとも化学量論的量の塩基の存在の下で、溶
媒中で、20〜100℃の温度において、下記構造式 X−Z−X のハロゲン化合物を、下記の構造式
【化13】 のニトロフェノールまたはニトロチオフェノール(以下
ニトロ(チオ)フェノールと略称する)またはニトロ
(チオ)フェノールのアルカリ塩と反応させ、式中、X
はハロゲン原子を表し、A1 〜A3 、TおよびZは上記
の意味を有し、Rは下記の残基の1つ、即ちそれぞれ最
大6の炭素原子を含むアルキル、アルコキシアルキル、
アルケニル、アルコキシアルケニル、アルキニルまたは
アルコキシアルキニル、それぞれ最大4の脂肪族炭素原
子を含むフェニル、フェナシル、ベンジルおよびベンジ
ルアルキル、ベンジルアルケニル、ベンジルオキシアル
キル、ベンジルオキシアルケニル、ベンジルアルコキシ
アルキルまたはベンジルアルコキシアルケニルを表し; (b)この際に生成したジニトロ化合物をジアミノ化合
物に還元し、基Rを分離することによって製造される。
【0012】化合物X−Z−Xは、芳香族化合物または
置換された芳香族化合物(X=ハロゲン)である。上記
化合物は、少なくとも2つのハロゲン原子を含む過ハロ
ゲン化化合物および部分ハロゲン化化合物であってよ
い。部分フッ化化合物および過フッ化化合物が特に好ま
しい。この種の化合物の例を以下に示す:1,2,4−
トリフルオロベンゾール、2,3,5,6−テトラフル
オロトルエン、オクタフルオロトルエン、2,3,5,
6−テトラフルオロ−p−キシレン、2,6−ジフルオ
ロピリジン、2,3,5,6−テトラフルオロピリジ
ン、ペンタフルオロピリジン、デカフルオロビフェニ
ル、デカフルオロベンゾフェノン。
【0013】ニトロ(チオ)フェノールの場合、Rで保
護されたヒドロキシ基またはメルカプト基がニトロ基に
対してo−位置にあることが重要である。ニトロ基に対
してo−位置に保護されたヒドロキシ基またはメルカプ
ト基を含むニトロ(チオ)フェノールの製造は、ドイツ
特許出願19742135.0“o−ニトロ(チオ)フ
ェノール誘導体およびその製造方法”に記載されてい
る。
【0014】保護基Rは、アルキル基、アルコキシアル
キル基、フェニル基またはベンジル基であるのが好まし
い。この場合、基RTが、ハロゲン化合物とニトロ(チ
オ)フェノールとの反応時には安定であるが、次いで分
離できることが重要である。
【0015】エーテルブリッジまたはチオエーテルブリ
ッジが生成されるハロゲン化合物とニトロ(チオ)フェ
ノールとの反応は、塩基の存在下で行われる。この塩基
は、アルカリ金属またはアルカリ土金属の炭酸塩または
炭酸水素塩(例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム)ま
たは第3N原子を含む有機塩基(例えばトリエチルアミ
ン、ピリジン)であるのが好ましい。
【0016】ニトロ(チオ)フェノールの代わりに、そ
のアルカリ塩の1つ(例えばカリウム塩)を使用するこ
ともできる。この場合、ハロゲン化合物との反応のため
に塩基は不要である。
【0017】反応温度としては、20〜80℃の範囲が
特に好適であることが判明している。温度≦80℃が反
応のより大きい選択性が得られるので好ましい。即ちこ
の場合、収率は90%よりも大きく、先行技術に比して
明らかな利点をなす。
【0018】適切な溶媒は、特に、ジメチルホルムアミ
ド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジ
メチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、アセトニトリル、テトラヒドロフランおよ
びピリジンである。しかしながら、基本的に、出発化合
物を溶解できるすべての有極性の非プロトン溶媒を使用
できる。
【0019】ジニトロ化合物の還元は、例えば、Pd/
Cによる水素添加によって実施できる。しかしながら、
基本的に、アミノ基へのニトロ基の還元に適するすべて
の方法を使用できる。
【0020】ジニトロ化合物の還元および保護基Rの分
離は、2つの別個の工程において実施でき、この場合、
保護基の分離は、例えばトリフルオロ酢酸または四塩化
チタンによって実施する。しかしながら、ニトロ基の還
元および保護基の分離は、Pd/Cによる水素添加によ
って、同時に行うのが好ましい。水素添加は、25〜5
0℃の温度において行うのが好ましい。適切な溶媒は、
エステルまたはエーテル(例えば酢酸エチルエステル、
テトラヒドロフラン)である。
【0021】ニトロ(チオ)フェノールを使用する本発
明による方法の場合、先行技術において現れるような問
題は生じない。即ち、例えば、本方法に対応して製造し
た下記構造式
【化14】 のビス−o−アミノフェノールから誘導されるポリベン
ゾオキサゾールは、構造的類似性にも拘わらず、ヒドロ
キシ基がエーテルブリッジに対してp−位置にあり且つ
アミノ基がm−位置にあるソビエット連邦特許第120
5518Aに対応するポリベンゾオキサゾール(420
〜430℃において既に1%の質量損)よりも明らかに
高い温度安定性(480℃において始めて1%の質量
損)を示す。
【0022】本発明によるビス−o−アミノ(チオ)フ
ェノールから製造したポリマー前駆体は、多数の有機溶
媒(例えばアセトン、乳酸エチル、N−メチルピロリド
ン、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジエチルエーテル、シクロヘキサノン、
γ−ブチロラクトン)および金属イオンを含まない水性
アルカリ性現像液に良好に溶解する。前駆体は、それ故
ポジ型に光構造化可能で水性アルカリ現像可能の誘電体
として適している。遠心技術によって基板(例えばシリ
コンウエハ)に問題なく施すことができ、均一の被膜を
形成し、基板上で良好に環化させることができる。この
ビス−o−アミノ(チオ)フェノールから製造した前駆
体の特別な利点は、高いプレーナ形成能および低い吸湿
性である。
【0023】
【発明の実施の形態】実施例を参照して本発明を詳細に
説明する。
【0024】実施例1 4,4’−ビス(4−ニトロ−3−ベンジルオキシフェ
ノキシ)オクタフルオロビフェニルの製造
【化15】 還流冷却器、撹拌器および窒素導入管を備えた三つ口フ
ラスコ中で、5−ヒドロキシ−2−ニトロフェニルベン
ジルエーテル24,5g(0.1モル)およびデカフル
オロビフェニル16.7g(0.05モル)を無水のジ
メチルスルホキシド270mlに溶解した。炭酸カリウ
ム30g(0.22モル)の添加後、溶液を調節自在の
油浴で100℃に4h加熱した。次いで、反応溶液を室
温に冷却し、残渣を折畳濾紙で濾別した。次いで、溶液
を水500mlに加え、酸反応が起きるまで濃塩酸と混
合した。この際に沈殿した黄色の反応生成物をブフナー
濾斗で濾過し、3回水洗し、次いで、メタノールと塩化
メチレンの混合物(容積比1:1)中で再結晶させた。
次いで、真空ボックス内で40℃/10mbarの窒素
ガス中で48h乾燥した(収率:94%)。 特性値: −質量スペクトル:分子ピーク:784 −元素分析: 理論値(%):C:58.2 H:2.6 N:3.6 測定値(%):C:58.2 H:2.5 N:3.7 −融点:212℃
【0025】実施例2 4,4’−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキ
シ)オクタフルオロビフェニルの製造
【化16】 実施例1に従って製造した4,4’−ビス(4−ニトロ
−3−ベンジルオキシフェノキシ)オクタフルオロビフ
ェニル72g(0.09モル)をテトヒドロフランと酢
酸エチルエステルの混合物(容積比1:1)600ml
に溶解し、溶液にPd/C(パラジウム/炭素)7gを
加えた。次いで、オートクレーブ中で室温において、強
く撹拌しながら、圧力1barの水素を使用して水素添
加した。7日後、反応が終了した。黄色の溶液を回転蒸
発器において1/2に濃縮し、室温に一晩放置した。こ
の際、反応生成物の結晶が沈殿した。次いで、反応生成
物を分離し、真空ボックス内で40℃/10mbarの
窒素ガス中で48h乾燥した(収率:96%)。 特性値: −質量スペクトル:分子ピーク:544 −元素分析: 理論値(%):C:53,0 H:2,2 N:5,1 測定値(%):C:52,8 H:2,3 N:5,2 −融点:245℃
【0026】実施例3 4,4’−ビス(4−ニトロ−3−ベンジルオキシフェ
ノキシ)オクタフルオロベンゾフェノンの製造
【化17】 還流冷却器、撹拌器および窒素導入管を備えた三つ口フ
ラスコ中で、5−ヒドロキシ−2−ニトロフェニルベン
ジルエーテルのカリウム塩28.3g(0.1モル)お
よびデカフルオロベンゾフェノン18.1g(0.05
モル)を無水のアセトニトリル300mlに溶解した。
次いで、溶液を室温において24h撹拌し、次いで、折
畳濾紙で濾別した。次いで、透明な溶液を回転蒸発器で
1/2に濃縮した。この際、黄色の反応生成物が沈殿し
た。次いで、反応生成物を酢酸エチルエステル中で再結
晶させ、次いで、真空ボックス内で40℃/10mba
rの窒素ガス中で48h乾燥した(収率:92%)。 特性値: −質量スペクトル:分子ピーク:812 −元素分析: 理論値(%):C:57.6 H:2.5 N:3.4 測定値(%):C:57.4 H:2.6 N:3.4 −融点:167℃
【0027】実施例4 4,4’−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキ
シ)オクタフルオロベンゾフェノンの製造
【化18】 実施例3に従って製造した4,4’−ビス(4−ニトロ
−3−ベンジルオキシフェノキシ)オクタフルオロベン
ゾフェノン32.5g(0.04モル)をテトヒドロフ
ランと酢酸エチルエステルの混合物(容積比1:1)5
00mlに溶解し、溶液にPd/C(パラジウム/炭
素)3gを加えた。次いで、オートクレーブ中で室温に
おいて、強く撹拌しながら、圧力1barの水素を使用
して水素添加した。3日後、反応が終了した。黄色の溶
液を回転蒸発器において1/2に濃縮し、次いで、n−
ヘキサン100mlを添加した。この際、反応生成物の
結晶が沈殿した。次いで、反応生成物を分離し、真空ボ
ックス内で40℃/10mbarの窒素ガス中で48h
乾燥した(収率:95%)。 特性値: −質量スペクトル:分子ピーク:572 −元素分析: 理論値(%):C:52.5 H:2.1 N:4.9 測定値(%):C:52.6 H:2.0 N:5.0 −融点:208℃(分解)
【0028】実施例5 2,4−ビス(4−ニトロ−3−ベンジルオキシフェノ
キシ)−3,5,6−トリフルオロピリジンの製造
【化19】 5−ヒドロキシ−2−ニトロフェニルベンジルエーテル
のカリウム塩56.6g(0.2モル)をジメチルホル
ムアミド200mlに溶解し、ジメチルホルムアミド2
00mlにペンタフルオロピリジン16.9g(0.1
モル)を溶解した溶液に撹拌しながらゆっくり滴下し
た。次いで、室温において5日間撹拌し、次いで、反応
溶液を折畳濾紙で濾別した。得られた透明な溶液を水8
00mlに加え、酸反応が起きるまで濃塩酸と混合し
た。最初は乳状の溶液から、白色の反応生成物が沈殿し
た。この反応生成物を濾過し、次いで、始めに3回水洗
し、次いで、ジエチルエーテルと塩化メチレンの混合物
(容積比1:1)で洗浄した。次いで、反応生成物を分
離し、真空ボックス内で40℃/10mbarの窒素ガ
ス中で48h乾燥した(収率:93%)。 特性値: −質量スペクトル:分子ピーク:619 −元素分析: 理論値(%):C:60.1 H:3.3 N:6.8 測定値(%):C:59.9 H:3.4 N:6.9 −融点:135℃
【0029】実施例6 2,4−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキ
シ)−3,5,6−トリフルオロピリジンの製造
【化20】 実施例5に従って製造した2,4−ビス(4−ニトロ−
3−ベンジルオキシフェノキシ)−3,5,6−トリフ
ルオロピリジン99g(0.16モル)をテトヒドロフ
ランと酢酸エチルエステルの混合物(容積比1:1)6
00mlに溶解し、溶液にPd/C(パラジウム/炭
素)10gを加えた。次いで、オートクレーブ中で室温
において、強く撹拌しながら、圧力1barの水素を使
用して水素添加した。3日後、反応が終了した。黄色の
溶液を回転蒸発器において1/2に濃縮し、室温に一晩
放置した。この際、反応生成物の結晶が沈殿した。次い
で、反応生成物を分離し、真空ボックス内で40℃/1
0mbarの窒素ガス中で48h乾燥した(収率:93
%)。 特性値: −質量スペクトル:分子ピーク:379 −元素分析: 理論値(%):C:53.8 H:3.2 N:11.1 測定値(%):C:53.7 H:3.2 N:11.1
【0030】実施例7 2,4−ビス(4−ニトロ−3−ベンジルオキシフェノ
キシ)−1−トリフルオロメチル−3,5,6−トリフ
ルオロベンゾールの製造
【化21】 5−ヒドロキシ−2−ニトロフェニルベンジルエーテル
のカリウム塩28.3g(0.1モル)をジメチルアセ
トアミド200mlに溶解し、ジメチルアセトアミド2
00mlにオクタフルオロトルエン23.6g(0.1
モル)を溶解した溶液に撹拌しながらゆっくり滴下し
た。次いで、室温において1h、50℃において3日間
撹拌し、次いで、反応溶液を折畳濾紙で濾別した。得ら
れた透明な溶液を水600mlに加え、酸反応が起きる
まで濃塩酸と混合した。最初は乳状の溶液から、白色の
反応生成物が沈殿した。この反応生成物を濾過し、次い
で、始めに3回水洗し、次いで、ジエチルエーテルと塩
化メチレンの混合物(容積比1:1)で洗浄した。次い
で、反応生成物を分離し、真空ボックス内で40℃/1
0mbarの窒素ガス中で48h乾燥した(収率:92
%)。 特性値: −質量スペクトル:分子ピーク:686 −元素分析: 理論値(%):C:57.7 H:2.9 N:4.1 測定値(%):C:57.8 H:2.8 N:4.2
【0031】実施例8 2,4−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキ
シ)−1−トリフルオロメチル−3,5,6−トリフル
オロベンゾールの製造
【化22】 実施例7に従って製造した2,4−ビス(4−ニトロ−
3−ベンジルオキシフェノキシ)−1−トリフルオロメ
チル−3,5,6−トリフルオロベンゾール103g
(0.15モル)をテトヒドロフランと酢酸エチルエス
テルの混合物(容積比1:1)600mlに溶解し、こ
の溶液にPd/C(パラジウム/炭素)10gを加え
た。次いで、オートクレーブ中で室温において、強く撹
拌しながら、圧力1barの水素を使用して水素添加し
た。3日後、反応が終了した。黄色の溶液を回転蒸発器
において1/2に濃縮し、室温に一晩放置した。この
際、反応生成物の結晶が沈殿した。次いで、反応生成物
を分離し、真空ボックス内で40℃/10mbarの窒
素ガス中で48h乾燥した(収率:95%)。 特性値: −質量スペクトル:分子ピーク:446 −元素分析: 理論値(%):C:51.1 H:2.7 N:6.3 測定値(%):C:50.8 H:2.8 N:6.3
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C07D 255/02 C07D 255/02 257/12 257/12 471/04 471/04 (72)発明者 アンドレアス ウェーバー ドイツ連邦共和国 92289 ウルゼンゾレ ン リッテンシュワング 1

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記の構造式[式中、A1 〜A3 は、相
    互に無関係であり、H,CH3 ,OCH3 ,CH2 CH
    3 またはOCH2 CH3 を表し;TはOまたはSを表
    し;Zは下記の基(式中、Q=C−AまたはNであり、
    ここで、A=H,F,(CH 2 p CH3 、(CF2
    p CF3 ,O(CH2 p CH3 、O(CF2 p CF
    3 、CO (CH2 p CH3 、OC(CF2 p CF
    3 (ここで、p=0〜8)(直鎖または分岐),OC
    (CH3 3 ,OC(CF3 3 ,C6 5 、C
    6 5 ,OC6 5 、OC6 5 ,シクロペンチル、ペ
    ルフルオルシクロペンチル、シクロヘキシルまたはペル
    フルオルシクロヘキシルであり、ここで、分離された芳
    香族環には、環当り最大3つのN原子が存在でき、2つ
    のN原子は隣接してよく、多環系には、環当り最大2つ
    のN原子が存在でき、M=単一結合、(CH2 n
    (CF2 n ,CH(CH3 ),CH(CF3 ),CF
    (CH3 ),CF(CF3 ),CH(C6 5 )、CH
    (C6 5 ),CF(C6 5 )、CF(C6 5 ),
    C(CH3 )(C6 5 )、C(CH3 )(C
    6 5 )、C(CF3 )(C6 5 )、C(CF3
    (C6 5 )、C(C 6 5 2 、C(C6 5 2
    CO,SO2 , 【化1】 であり、ここでZ= 【化2】 である場合、ビス−o−アミノフェノールの少なくとも
    1つの基Qは、NまたはC−A(但しA≠H)を表し、
    Z= 【化3】 であり、QがC−Fを表し、Mが単一結合である場合、
    ビス−o−アミノフェノールのアミノ官能基は、O−ブ
    リッジに対してo−位置またはp−位置になければなら
    ない 【化4】 の1つを表す] 【化5】 のビス−o−アミノフェノールおよびビス−o−アミノ
    チオフェノール。
  2. 【請求項2】 請求項1のビス−o−アミノフェノール
    およびビス−o−アミノチオフェノールの製造方法にお
    いて、 (a)少なくとも化学量論的量の塩基の存在の下で、溶
    媒中で、20〜100℃の温度において、下記の構造式 X−Z−X のハロゲン化合物を、下記の構造式 【化6】 のニトロフェノールまたはニトロチオフェノールと反応
    させるか、ニトロ(チオ)フェノールのアルカリ塩と反
    応させ、式中、Xはハロゲン原子を表し、A1 〜A3
    TおよびZは上記の意味を有し、Rは下記残基の1つ、
    即ちそれぞれ最大6の炭素原子を含むアルキル、アルコ
    キシアルキル、アルケニル、アルコキシアルケニル、ア
    ルキニルまたはアルコキシアルキニル、それぞれ最大4
    の脂肪族炭素原子を含むフェニル、フェナシル、ベンジ
    ルおよびベンジルアルキル、ベンジルアルケニル、ベン
    ジルオキシアルキル、ベンジルオキシアルケニル、ベン
    ジルアルコキシアルキルまたはベンジルアルコキシアル
    ケニルを表し; (b)この際に生成したジニトロ化合物をジアミノ化合
    物に還元し、基Rを分離することを特徴とする方法。
  3. 【請求項3】 アルカリ金属またはアルカリ土金属の炭
    酸塩または炭酸水素塩を塩基として使用することを特徴
    とする請求項2記載の方法。
  4. 【請求項4】 第3N原子を含む有機塩基を使用するこ
    とを特徴とする請求項2記載の方法。
  5. 【請求項5】 還元および基Rの分離を水素で行い、P
    d/Cで接触媒反応させることを特徴とする請求項2な
    いし4の1つに記載の方法。
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