JPH11172425A - スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットの製造方法Info
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- JPH11172425A JPH11172425A JP10269038A JP26903898A JPH11172425A JP H11172425 A JPH11172425 A JP H11172425A JP 10269038 A JP10269038 A JP 10269038A JP 26903898 A JP26903898 A JP 26903898A JP H11172425 A JPH11172425 A JP H11172425A
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- B22F1/09—Mixtures of metallic powders
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- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、高性能、高品質なスパッタリング
ターゲットの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るスパッタリングターゲット
は、アルミニウム粉末とアルミニウム以外の反応性金属
の粉末とを混合して、この混合された粉末をコールドプ
レスして、このコールドプレスされた粉末をシリンダ状
に加工して、このシリンダを真空状態でホットプレスす
ることによって製造される。この製造方法によって、組
成、構造及び密度が全体に亘って均一で、アルミニウム
の重さの割合が２％以上である高性能、高品質なスパッ
タリングターゲットを製造することができる。
ターゲットの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るスパッタリングターゲット
は、アルミニウム粉末とアルミニウム以外の反応性金属
の粉末とを混合して、この混合された粉末をコールドプ
レスして、このコールドプレスされた粉末をシリンダ状
に加工して、このシリンダを真空状態でホットプレスす
ることによって製造される。この製造方法によって、組
成、構造及び密度が全体に亘って均一で、アルミニウム
の重さの割合が２％以上である高性能、高品質なスパッ
タリングターゲットを製造することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングタ
ーゲットの製造方法に関し、特に、アルミニウム及びア
ルミニウム以外の材料からなる高密度のスパッタリング
ターゲットを効率よく製造する製造方法に関する。
ーゲットの製造方法に関し、特に、アルミニウム及びア
ルミニウム以外の材料からなる高密度のスパッタリング
ターゲットを効率よく製造する製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリングターゲットは、半導体基
板を製造する際に、材料を基板上に蒸着させるためのソ
ースとして用いられる。ある用途においては、個々の製
品の性能を高めるために、２つ以上の金属から成る合金
の薄膜が基板の表面上に成膜される。例えば、マグネト
ロンスパッタリング法は、幅広く利用されている方法で
あり、アルミニウム及びアルミニウム以外の金属や合金
を、平らでパターンが形成される基板上に蒸着させる方
法である。このようにして製造された基板は、集積回
路、メモリ記憶装置、磁気記録又は再生装置、インクジ
ェットヘッドといった製品を製造するのに用いられる。
板を製造する際に、材料を基板上に蒸着させるためのソ
ースとして用いられる。ある用途においては、個々の製
品の性能を高めるために、２つ以上の金属から成る合金
の薄膜が基板の表面上に成膜される。例えば、マグネト
ロンスパッタリング法は、幅広く利用されている方法で
あり、アルミニウム及びアルミニウム以外の金属や合金
を、平らでパターンが形成される基板上に蒸着させる方
法である。このようにして製造された基板は、集積回
路、メモリ記憶装置、磁気記録又は再生装置、インクジ
ェットヘッドといった製品を製造するのに用いられる。
【０００３】半導体基板上に蒸着される金属は、プラズ
マによってスパッタリングターゲットから叩き出され
る。製造される半導体基板の品質は、材料を叩き出すス
パッタリングターゲットの品質、すなわちスパッタリン
グターゲットの仕上がりの品質に左右される。スパッタ
リングターゲットの仕上がり具合、特にスパッタリング
ターゲットの組成及び構造は、高性能で高密度の基板を
製造するのに重要である。
マによってスパッタリングターゲットから叩き出され
る。製造される半導体基板の品質は、材料を叩き出すス
パッタリングターゲットの品質、すなわちスパッタリン
グターゲットの仕上がりの品質に左右される。スパッタ
リングターゲットの仕上がり具合、特にスパッタリング
ターゲットの組成及び構造は、高性能で高密度の基板を
製造するのに重要である。
【０００４】適切に製造されなかったスパッタリングタ
ーゲットには、低密度、金属間化合物（intermetallic
compounds）の発生、不均一な組成といった複数の望ま
しくない特徴が現れてしまう。スパッタリングターゲッ
トが低密度であると、排気の間に、スパッタリングター
ゲットからガスが抜けてしまうため、望ましくない。こ
の状態において、スパッタリングターゲットにガスが溜
まっていると、所望の真空度に達するのに要する排気時
間が長くなってしまうか、又は、必要な真空度まで達す
ることができなくなってしまい、その結果ターゲットの
使用可能時間が短くなってしまう。更に、スパッタリン
グターゲットに溜まったガス中の不純物によって、薄膜
が汚染されてしまう可能性がある。金属間化合物は、壊
れやすく、スパッタリングターゲットの製造又は使用中
に、スパッタリングターゲットに欠陥ができてしまう可
能性がある。スパッタリングターゲットが均一に構成さ
れていないと、その不均一な構成が、基板を覆っている
スパッタ膜にも再現されて、基板の歩留りが減少してし
まうため、望ましくない。
ーゲットには、低密度、金属間化合物（intermetallic
compounds）の発生、不均一な組成といった複数の望ま
しくない特徴が現れてしまう。スパッタリングターゲッ
トが低密度であると、排気の間に、スパッタリングター
ゲットからガスが抜けてしまうため、望ましくない。こ
の状態において、スパッタリングターゲットにガスが溜
まっていると、所望の真空度に達するのに要する排気時
間が長くなってしまうか、又は、必要な真空度まで達す
ることができなくなってしまい、その結果ターゲットの
使用可能時間が短くなってしまう。更に、スパッタリン
グターゲットに溜まったガス中の不純物によって、薄膜
が汚染されてしまう可能性がある。金属間化合物は、壊
れやすく、スパッタリングターゲットの製造又は使用中
に、スパッタリングターゲットに欠陥ができてしまう可
能性がある。スパッタリングターゲットが均一に構成さ
れていないと、その不均一な構成が、基板を覆っている
スパッタ膜にも再現されて、基板の歩留りが減少してし
まうため、望ましくない。
【０００５】ここで、従来の製造方法によって製造され
たスパッタリングターゲットについて説明する。従来の
製造方法では、図４に示すように、アルミニウム粉末２
０にマクロ偏析（macroscopic segregation）が生じ
て、結果としてアルミニウム凝集粒子（aluminum agglo
merate）３０が生じてしまうスパッタリングターゲット
が製造されていた。アルミニウム凝集粒子３０とは、ア
ルミニウム粉末２０が約４個から５個集まった、凝集し
た時の大きさが少なくとも約５０μｍである不規則な形
状の凝集粒子である。従来の製造方法では、図５に示す
ように、直径約１００乃至２００μｍのアルミニウム粉
末粒子２０にミクロ偏析（microsegregation）が生じた
スパッタリングターゲットが製造されていた。従来の製
造方法では、図６に示すように、アルミニウム粉末２０
とアルミニウム以外の金属の粉末６０との間に界面反応
層４０が見られるミクロ構造を持ったスパッタリングタ
ーゲットが製造されていた。
たスパッタリングターゲットについて説明する。従来の
製造方法では、図４に示すように、アルミニウム粉末２
０にマクロ偏析（macroscopic segregation）が生じ
て、結果としてアルミニウム凝集粒子（aluminum agglo
merate）３０が生じてしまうスパッタリングターゲット
が製造されていた。アルミニウム凝集粒子３０とは、ア
ルミニウム粉末２０が約４個から５個集まった、凝集し
た時の大きさが少なくとも約５０μｍである不規則な形
状の凝集粒子である。従来の製造方法では、図５に示す
ように、直径約１００乃至２００μｍのアルミニウム粉
末粒子２０にミクロ偏析（microsegregation）が生じた
スパッタリングターゲットが製造されていた。従来の製
造方法では、図６に示すように、アルミニウム粉末２０
とアルミニウム以外の金属の粉末６０との間に界面反応
層４０が見られるミクロ構造を持ったスパッタリングタ
ーゲットが製造されていた。
【０００６】このように、スパッタリングターゲットが
適切に製造されていなかったり、又は不均一であったり
して、基板の歩留りが減少してしまうという問題を解決
するための１つの方法として、アルミニウム用のソース
としてのターゲットと、アルミニウム以外の金属用のソ
ースとしてのターゲットとを別々に用いる方法があっ
た。しかしながら、この方法では、各金属の薄膜が成膜
されるように、スパッタリングターゲットを回転させる
必要がある。更に、スパッタリングターゲットを回転さ
せる方法は、アルミニウム以外の金属がタンタルである
場合でしか用いられたことがないため、タンタルを除く
アルミニウム以外の金属では、応用されていない。
適切に製造されていなかったり、又は不均一であったり
して、基板の歩留りが減少してしまうという問題を解決
するための１つの方法として、アルミニウム用のソース
としてのターゲットと、アルミニウム以外の金属用のソ
ースとしてのターゲットとを別々に用いる方法があっ
た。しかしながら、この方法では、各金属の薄膜が成膜
されるように、スパッタリングターゲットを回転させる
必要がある。更に、スパッタリングターゲットを回転さ
せる方法は、アルミニウム以外の金属がタンタルである
場合でしか用いられたことがないため、タンタルを除く
アルミニウム以外の金属では、応用されていない。
【０００７】非反応性アルミニウム及びアルミニウム以
外の金属が均一に構成されており、アルミニウムの重さ
の割合が約２％〜５％であるスパッタリングターゲット
を製造することが望ましい。このようにすれば、アルミ
ニウム以外の金属の周囲にアルミニウムの薄膜が形成さ
れるようになるはずである。したがって、高品質、高性
能で、均一に構成されているスパッタリングターゲット
及び、このようなスパッタリングターゲットの製造方法
が必要である。
外の金属が均一に構成されており、アルミニウムの重さ
の割合が約２％〜５％であるスパッタリングターゲット
を製造することが望ましい。このようにすれば、アルミ
ニウム以外の金属の周囲にアルミニウムの薄膜が形成さ
れるようになるはずである。したがって、高品質、高性
能で、均一に構成されているスパッタリングターゲット
及び、このようなスパッタリングターゲットの製造方法
が必要である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した実
情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、アル
ミニウム及びアルミニウム以外の金属を均一に混合した
ものから成る、高性能で高密度のスパッタリングターゲ
ットの製造方法を提供することである。また、本発明の
目的は、本発明に係る製造方法によって製造されたスパ
ッタリングターゲットを提供することである。このよう
なスパッタリングターゲットは、高性能、高純度であ
り、その組成、構造及び密度が、表面で均一になってい
る。
情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、アル
ミニウム及びアルミニウム以外の金属を均一に混合した
ものから成る、高性能で高密度のスパッタリングターゲ
ットの製造方法を提供することである。また、本発明の
目的は、本発明に係る製造方法によって製造されたスパ
ッタリングターゲットを提供することである。このよう
なスパッタリングターゲットは、高性能、高純度であ
り、その組成、構造及び密度が、表面で均一になってい
る。
【０００９】更に、本発明の目的は、アルミニウムの粉
末及びアルミニウム以外の金属の粉末を混合し、コール
ドプレスした後、シリンダ状に加工し、容器に入れて真
空排気して、ホットプレスした、高性能で高密度のスパ
ッタリングターゲットを提供することである。
末及びアルミニウム以外の金属の粉末を混合し、コール
ドプレスした後、シリンダ状に加工し、容器に入れて真
空排気して、ホットプレスした、高性能で高密度のスパ
ッタリングターゲットを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】１実施の形態では、水素
化物・非水素化物プロセス（hydride-dehydride）を用
いて、チタン、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、鉄又
はニッケルのようなアルミニウム以外の反応性金属の固
まりを粒子状に加工する。別の実施の形態では、ナトリ
ウム低減（sodium reduction）プロセス又はイナートガ
スホットプレス（inert gas hot pressing）を用いて粒
子状に加工する。アルミニウム以外の反応性金属の粉末
は、球状、針状、又は粒状の形状を有している。アルミ
ニウム以外の金属の粉末は、大きさが約６μｍと約３０
０μｍとの間であり、理想的には、大きさが約６μｍと
約４５μｍとの間であることが望ましい。アルミニウム
金属の固まりは、機械的粉砕（mechanical comminutio
n）プロセス又はイナートガスホットプレスを用いて粒
子状に加工される。アルミニウム金属の粉末は、形状は
球状であり、大きさは３００μｍ以下であり、理想的に
は約４５μｍ以下であることが望ましい。
化物・非水素化物プロセス（hydride-dehydride）を用
いて、チタン、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、鉄又
はニッケルのようなアルミニウム以外の反応性金属の固
まりを粒子状に加工する。別の実施の形態では、ナトリ
ウム低減（sodium reduction）プロセス又はイナートガ
スホットプレス（inert gas hot pressing）を用いて粒
子状に加工する。アルミニウム以外の反応性金属の粉末
は、球状、針状、又は粒状の形状を有している。アルミ
ニウム以外の金属の粉末は、大きさが約６μｍと約３０
０μｍとの間であり、理想的には、大きさが約６μｍと
約４５μｍとの間であることが望ましい。アルミニウム
金属の固まりは、機械的粉砕（mechanical comminutio
n）プロセス又はイナートガスホットプレスを用いて粒
子状に加工される。アルミニウム金属の粉末は、形状は
球状であり、大きさは３００μｍ以下であり、理想的に
は約４５μｍ以下であることが望ましい。
【００１１】この生成されたアルミニウム粉末及びアル
ミニウム以外の金属の粉末を、純粋なアルミニウムでで
きた長さ１ｃｍ、幅０．５ｃｍの少なくとも１本の棒を
用いて、少なくとも２時間混合する。アルミニウム粉末
及びアルミニウム以外の金属の粉末が均一に混合するよ
うに、アルコール溶剤又はアセトンのような潤滑剤や、
オクタデシル酸又はステアリン酸塩のようなバインダ
（binder）を加えてもよい。１実施の形態では、この混
合された粉末を、約３０ｋｓｉの圧力でコールドアイソ
スタティック成形（cold isostatic pressing）によ
り、圧力をかけて、ブランク（blank）を形成する。こ
のブランクを適切なシリンダ状に加工して、このシリン
ダを真空状態でホットプレスする。ホットプレスは、真
空度が約１０-3トルで、アルミニウムの温度が、ケルビ
ン単位でのアルミニウムの溶解温度の０．９倍以下であ
る０．９Ｔmで、圧力が約５ｋｓｉで行われるのが望ま
しい。
ミニウム以外の金属の粉末を、純粋なアルミニウムでで
きた長さ１ｃｍ、幅０．５ｃｍの少なくとも１本の棒を
用いて、少なくとも２時間混合する。アルミニウム粉末
及びアルミニウム以外の金属の粉末が均一に混合するよ
うに、アルコール溶剤又はアセトンのような潤滑剤や、
オクタデシル酸又はステアリン酸塩のようなバインダ
（binder）を加えてもよい。１実施の形態では、この混
合された粉末を、約３０ｋｓｉの圧力でコールドアイソ
スタティック成形（cold isostatic pressing）によ
り、圧力をかけて、ブランク（blank）を形成する。こ
のブランクを適切なシリンダ状に加工して、このシリン
ダを真空状態でホットプレスする。ホットプレスは、真
空度が約１０-3トルで、アルミニウムの温度が、ケルビ
ン単位でのアルミニウムの溶解温度の０．９倍以下であ
る０．９Ｔmで、圧力が約５ｋｓｉで行われるのが望ま
しい。
【００１２】他の実施の形態では、アルミニウム粉末及
びアルミニウム以外の金属の粉末を混合する。この混合
された粉末を、コールドプレスし、モザイク（mosaic）
を形成する。アルミニウムの温度が０．９Ｔmで、ＨＩ
Ｐ、真空ホットプレス（vacuum hot pressing）、イナ
ートガスホットプレス（inert gas hot pressing）、及
び低圧シンタリングプレス（pressure-less sinterin
g）のいずれかによって、このモザイクをホットプレス
する。
びアルミニウム以外の金属の粉末を混合する。この混合
された粉末を、コールドプレスし、モザイク（mosaic）
を形成する。アルミニウムの温度が０．９Ｔmで、ＨＩ
Ｐ、真空ホットプレス（vacuum hot pressing）、イナ
ートガスホットプレス（inert gas hot pressing）、及
び低圧シンタリングプレス（pressure-less sinterin
g）のいずれかによって、このモザイクをホットプレス
する。
【００１３】このようにして製造されたアルミニウム以
外の金属及びアルミニウムのスパッタリングターゲット
は、高性能、高品質のスパッタリングターゲットであ
る。このスパッタリングターゲットは、組成、構造及び
密度が全体に亘って均一であり、アルミニウム以外の金
属の粉末の平均の大きさは約３０μｍである。
外の金属及びアルミニウムのスパッタリングターゲット
は、高性能、高品質のスパッタリングターゲットであ
る。このスパッタリングターゲットは、組成、構造及び
密度が全体に亘って均一であり、アルミニウム以外の金
属の粉末の平均の大きさは約３０μｍである。
【００１４】アルミニウムの重さの割合が約２％〜５％
であるアルミニウム金属及びアルミニウム以外の反応性
金属のスパッタリングターゲットと、このようなスパッ
タリングターゲットの製造方法を、以下に詳細に説明す
る。
であるアルミニウム金属及びアルミニウム以外の反応性
金属のスパッタリングターゲットと、このようなスパッ
タリングターゲットの製造方法を、以下に詳細に説明す
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明に係る高性能、高純度のス
パッタリングターゲット及びこの製造方法を、図面を参
照しながら、詳細に説明する。本発明に係るスパッタリ
ングターゲットは、アルミニウム及びアルミニウム以外
の金属を均一に混合したものから成る。
パッタリングターゲット及びこの製造方法を、図面を参
照しながら、詳細に説明する。本発明に係るスパッタリ
ングターゲットは、アルミニウム及びアルミニウム以外
の金属を均一に混合したものから成る。
【００１６】本発明に係る製造方法は、従来の洗練され
ていない製造方法を改良したものである。図１に示すよ
うに、本発明に係る製造方法では、図４に示したような
アルミニウム凝集粒子３０の原因となるアルミニウム粉
末２０のミクロ偏析が生じないスパッタリングターゲッ
トが製造される。図２に示すように、直径約１０乃至３
０μｍのアルミニウム粉末粒子２０にミクロ偏析の形跡
しか生じない。更に、図３に示すように、本発明の製造
方法では、図６に見られたようなアルミニウム粉末２０
とアルミニウム以外の金属の粉末６０との間の界面反応
層４０は見られない。
ていない製造方法を改良したものである。図１に示すよ
うに、本発明に係る製造方法では、図４に示したような
アルミニウム凝集粒子３０の原因となるアルミニウム粉
末２０のミクロ偏析が生じないスパッタリングターゲッ
トが製造される。図２に示すように、直径約１０乃至３
０μｍのアルミニウム粉末粒子２０にミクロ偏析の形跡
しか生じない。更に、図３に示すように、本発明の製造
方法では、図６に見られたようなアルミニウム粉末２０
とアルミニウム以外の金属の粉末６０との間の界面反応
層４０は見られない。
【００１７】本発明に係るスパッタリングターゲット
は、アルミニウムの粉末及びアルミニウム以外の金属の
粉末を混合し、コールドプレスした後、シリンダ状に加
工し、容器に入れて真空排気し、ホットプレスして形成
される。
は、アルミニウムの粉末及びアルミニウム以外の金属の
粉末を混合し、コールドプレスした後、シリンダ状に加
工し、容器に入れて真空排気し、ホットプレスして形成
される。
【００１８】次に、アルミニウム粉末の製造、コールド
プレス等の具体例について詳細に説明する。
プレス等の具体例について詳細に説明する。
【００１９】アルミニウムの固まりを粒子状に加工する
には、イナートガス粒子化（inert-gas atomization）
プロセスを用いる。すなわち、最初に金属を溶解し、そ
の溶解された金属をノズルを介して自由落下させ、この
溶解金属に、これを破砕されるのに十分な噴射力で、窒
素、アルゴン、ヘリウムのようなイナートガスを高圧、
高速に噴射する。アルミニウムの固まりを粒子状に加工
するには、この他に機械的粉砕（mechanical comminuti
on）プロセスといった周知の方法を用いることもでき
る。粉末の形状には、球状、針状、又は粒状がある。
には、イナートガス粒子化（inert-gas atomization）
プロセスを用いる。すなわち、最初に金属を溶解し、そ
の溶解された金属をノズルを介して自由落下させ、この
溶解金属に、これを破砕されるのに十分な噴射力で、窒
素、アルゴン、ヘリウムのようなイナートガスを高圧、
高速に噴射する。アルミニウムの固まりを粒子状に加工
するには、この他に機械的粉砕（mechanical comminuti
on）プロセスといった周知の方法を用いることもでき
る。粉末の形状には、球状、針状、又は粒状がある。
【００２０】水素化物・非水素化物プロセス（hydride-
dehydride）を用いて、同様にアルミニウム以外の金属
の固まりを粒子状に加工することができる。また、金属
の固まりを粒子状に加工するのに、イナートガス粒子化
プロセスか、又は他の周知のプロセスが用いられる。ア
ルミニウム以外の粉末の形状にも、球状、針状、又は粒
状がある。このアルミニウム以外の金属は、典型的にチ
タン、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、鉄、又はニッ
ケルなど、アルミニウムと反応するアルミニウム以外の
金属である。
dehydride）を用いて、同様にアルミニウム以外の金属
の固まりを粒子状に加工することができる。また、金属
の固まりを粒子状に加工するのに、イナートガス粒子化
プロセスか、又は他の周知のプロセスが用いられる。ア
ルミニウム以外の粉末の形状にも、球状、針状、又は粒
状がある。このアルミニウム以外の金属は、典型的にチ
タン、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、鉄、又はニッ
ケルなど、アルミニウムと反応するアルミニウム以外の
金属である。
【００２１】本発明に係る実施の形態では、直径約４５
μｍの生成されるアルミニウム粉末及びアルミニウム以
外の金属の粉末を用いる。なお、最大直径約３００μｍ
のより粗い粉末を用いてもよい。図２に示すように、直
径約４５μｍ以下の粉末を用いると、粉末粒子２０にミ
クロ偏析のトレース（trace）しか生じない。この粉末
は、球状、針状、又は粒状の形状を有している。キャパ
シタ・グレード（capacitor-grade）粒子、すなわち非
常に特有な表面部分の粒子や、ナトリウム低減（sodium
reduction）プロセスによって生成された粒子は、望ま
しくない。
μｍの生成されるアルミニウム粉末及びアルミニウム以
外の金属の粉末を用いる。なお、最大直径約３００μｍ
のより粗い粉末を用いてもよい。図２に示すように、直
径約４５μｍ以下の粉末を用いると、粉末粒子２０にミ
クロ偏析のトレース（trace）しか生じない。この粉末
は、球状、針状、又は粒状の形状を有している。キャパ
シタ・グレード（capacitor-grade）粒子、すなわち非
常に特有な表面部分の粒子や、ナトリウム低減（sodium
reduction）プロセスによって生成された粒子は、望ま
しくない。
【００２２】この生成されたアルミニウム粉末及びアル
ミニウム以外の金属の粉末は、少なくとも２時間混合さ
れる。２時間混合することで、スパッタリングターゲッ
トにおいて、アルミニウム粉末にミクロ偏析が生じてア
ルミニウム凝集粒子３０となる図４に示したような状態
にはならない。１実施の形態では、この粒子をポリプロ
ピレン容器に加えて、粒子に不純物が混入するのを防ぐ
ために、純粋なアルミニウムでできた長さ１ｃｍ、幅
０．５ｃｍの少なくとも１本の棒でかき混ぜる。容器の
容量は、入れる粒子の量によって異なる。アルミニウム
粉末及びアルミニウム以外の金属の粉末が均一に混合
し、これらの粉末が凝集しないように、潤滑剤が加えら
れることもある。この潤滑剤として、例えばメタノー
ル、アセトンのようなアルコール溶剤がある。また、こ
の潤滑剤として、オクタデシル酸又はステアリン酸塩の
ようなバインダ（binder）がある。
ミニウム以外の金属の粉末は、少なくとも２時間混合さ
れる。２時間混合することで、スパッタリングターゲッ
トにおいて、アルミニウム粉末にミクロ偏析が生じてア
ルミニウム凝集粒子３０となる図４に示したような状態
にはならない。１実施の形態では、この粒子をポリプロ
ピレン容器に加えて、粒子に不純物が混入するのを防ぐ
ために、純粋なアルミニウムでできた長さ１ｃｍ、幅
０．５ｃｍの少なくとも１本の棒でかき混ぜる。容器の
容量は、入れる粒子の量によって異なる。アルミニウム
粉末及びアルミニウム以外の金属の粉末が均一に混合
し、これらの粉末が凝集しないように、潤滑剤が加えら
れることもある。この潤滑剤として、例えばメタノー
ル、アセトンのようなアルコール溶剤がある。また、こ
の潤滑剤として、オクタデシル酸又はステアリン酸塩の
ようなバインダ（binder）がある。
【００２３】次に、この混合されたアルミニウム粉末及
びアルミニウム以外の金属の粉末を、コールドプレスす
る。この混合された粉末を、天然ゴム、ラテックス、ブ
チル、ニトリル、ポリウレタン、塩化ポリビニル、合成
ゴム、又はシリコンでできたバッグ（bag）に詰め、プ
レスの前に密封する。又は、この混合された粉末を、バ
ッグに詰めずに、型に入れて、この型に直接圧力をかけ
てもよい。次に、この混合された粉末に、常温でのプレ
スであるコールドアイソスタティック成形（cold isost
atic pressing、以下、ＣＩＰという。）により、圧力
をかける。単軸（uniaxial）プレス、双軸（biaxial）
プレス又は静圧（hydrostatic）プレスによって、約３
０ｋｓｉの圧力をかける。
びアルミニウム以外の金属の粉末を、コールドプレスす
る。この混合された粉末を、天然ゴム、ラテックス、ブ
チル、ニトリル、ポリウレタン、塩化ポリビニル、合成
ゴム、又はシリコンでできたバッグ（bag）に詰め、プ
レスの前に密封する。又は、この混合された粉末を、バ
ッグに詰めずに、型に入れて、この型に直接圧力をかけ
てもよい。次に、この混合された粉末に、常温でのプレ
スであるコールドアイソスタティック成形（cold isost
atic pressing、以下、ＣＩＰという。）により、圧力
をかける。単軸（uniaxial）プレス、双軸（biaxial）
プレス又は静圧（hydrostatic）プレスによって、約３
０ｋｓｉの圧力をかける。
【００２４】このプレスされた粉末の混合物は、ブラン
ク（blank）の状態であり、まだ粒子でもないし、最終
的な形状にもなっていない中間的な形状をしている。こ
のブランクは、適切なシリンダ状、すなわち底面が側壁
と直角になっているシリンダ状に加工される。このよう
な加工は、周知の標準的な方法ならばどの方法でもよい
が、旋盤を用いて行われるのが望ましい。この加工され
たシリンダを、このシリンダと同じような寸法をした容
器に入れる。この容器は、鋼でできているのが望ましい
が、例えばジルコンなどの他の金属でできていてもよ
い。この容器の材料は、その溶解温度や、アルミニウム
以外の金属との反応性により決められる。この容器を、
約４００度に熱し、約１０-3トルの真空度にし、密封す
る。この密封された容器を、ホットアイソスタティック
成形（hot isostatic pressing、以下、ＨＩＰとい
う。）により、プレスする。ホットアイソスタティック
成形では、アルミニウムの温度が０．９Ｔm（ケルビン
単位でのアルミニウムの溶解温度）で、圧力が約５ｋｓ
ｉで、単軸、双軸又は静圧方向から、圧力をかける。
ク（blank）の状態であり、まだ粒子でもないし、最終
的な形状にもなっていない中間的な形状をしている。こ
のブランクは、適切なシリンダ状、すなわち底面が側壁
と直角になっているシリンダ状に加工される。このよう
な加工は、周知の標準的な方法ならばどの方法でもよい
が、旋盤を用いて行われるのが望ましい。この加工され
たシリンダを、このシリンダと同じような寸法をした容
器に入れる。この容器は、鋼でできているのが望ましい
が、例えばジルコンなどの他の金属でできていてもよ
い。この容器の材料は、その溶解温度や、アルミニウム
以外の金属との反応性により決められる。この容器を、
約４００度に熱し、約１０-3トルの真空度にし、密封す
る。この密封された容器を、ホットアイソスタティック
成形（hot isostatic pressing、以下、ＨＩＰとい
う。）により、プレスする。ホットアイソスタティック
成形では、アルミニウムの温度が０．９Ｔm（ケルビン
単位でのアルミニウムの溶解温度）で、圧力が約５ｋｓ
ｉで、単軸、双軸又は静圧方向から、圧力をかける。
【００２５】他の実施の形態では、直径約０．５インチ
の大きさのブランクが形成される。アルミニウム粉末及
びアルミニウム以外の金属の粉末を、既に述べたように
加工し、混合する。この混合された粉末を、理想的には
コールド成形及びＣＩＰのいずれかによってプレスし、
モザイク（mosaic）を形成する。このモザイクとは、ア
ルミニウム粉末及びアルミニウム以外の金属の小片を４
個乃至５個集めて１つにしたものである。次に、このモ
ザイクをホットプレスする。アルミニウムの温度が０．
９Ｔmで、ＨＩＰ、真空ホットプレス（vacuum hot pres
sing）、イナートガスホットプレス（inert gas hot pr
essing）、及び低圧シンタリングプレス（pressure-les
s sintering）のいずれかによって、このモザイクをホ
ットプレスする。このモザイクは、１つの非反応性アル
ミニウム及びアルミニウム以外の金属のスパッタリング
ターゲットとなる。
の大きさのブランクが形成される。アルミニウム粉末及
びアルミニウム以外の金属の粉末を、既に述べたように
加工し、混合する。この混合された粉末を、理想的には
コールド成形及びＣＩＰのいずれかによってプレスし、
モザイク（mosaic）を形成する。このモザイクとは、ア
ルミニウム粉末及びアルミニウム以外の金属の小片を４
個乃至５個集めて１つにしたものである。次に、このモ
ザイクをホットプレスする。アルミニウムの温度が０．
９Ｔmで、ＨＩＰ、真空ホットプレス（vacuum hot pres
sing）、イナートガスホットプレス（inert gas hot pr
essing）、及び低圧シンタリングプレス（pressure-les
s sintering）のいずれかによって、このモザイクをホ
ットプレスする。このモザイクは、１つの非反応性アル
ミニウム及びアルミニウム以外の金属のスパッタリング
ターゲットとなる。
【００２６】本発明に係る製造方法で製造されたスパッ
タリングターゲットは、アルミニウムの重さの割合が約
２％〜５％である。図１及び図２に示すように、このス
パッタリングターゲットには、図４で見られたようなア
ルミニウム凝集粒子３０がない。また、図３に示すよう
に、このスパッタリングターゲットには、界面反応層４
０がない。この界面反応層４０には、アルミニウム粉末
２０及びアルミニウム以外の金属の粉末６０とは別の第
３の物質が存在することが特徴である。界面反応層４０
を形成するこの第３の物質は、アルミニウム粉末２０と
アルミニウム以外の金属の粉末６０との反応によって形
成されるか、アルミニウム粉末２０かアルミニウム以外
の金属の粉末６０のいずれかと酸素との反応によって形
成されるか、又は、アルミニウム粉末２０かアルミニウ
ム以外の金属の粉末６０のいずれかと、潤滑剤又は結合
剤中の不純物との反応によって形成される。また、この
反応性スパッタリングターゲットは、ボイドを持たず、
均一で、周知のアルキメデスの原理に基づいて測定する
と、密度が少なくとも９９％で、純度が９９．９５％以
上である。不純物の含有量は、次のとおりである。
タリングターゲットは、アルミニウムの重さの割合が約
２％〜５％である。図１及び図２に示すように、このス
パッタリングターゲットには、図４で見られたようなア
ルミニウム凝集粒子３０がない。また、図３に示すよう
に、このスパッタリングターゲットには、界面反応層４
０がない。この界面反応層４０には、アルミニウム粉末
２０及びアルミニウム以外の金属の粉末６０とは別の第
３の物質が存在することが特徴である。界面反応層４０
を形成するこの第３の物質は、アルミニウム粉末２０と
アルミニウム以外の金属の粉末６０との反応によって形
成されるか、アルミニウム粉末２０かアルミニウム以外
の金属の粉末６０のいずれかと酸素との反応によって形
成されるか、又は、アルミニウム粉末２０かアルミニウ
ム以外の金属の粉末６０のいずれかと、潤滑剤又は結合
剤中の不純物との反応によって形成される。また、この
反応性スパッタリングターゲットは、ボイドを持たず、
均一で、周知のアルキメデスの原理に基づいて測定する
と、密度が少なくとも９９％で、純度が９９．９５％以
上である。不純物の含有量は、次のとおりである。
【００２７】カルシウム＜２０ｐｐｍ 銅＜２０ｐｐｍ 鉄＜３５ｐｐｍ マグネシウム＜２５ｐｐｍ マンガン＜５０ｐｐｍ ニッケル＜２０ｐｐｍ ニオブ＜３０ｐｐｍ タングステン＜６０ｐｐｍ チタン＜５０ｐｐｍ クロム＜５０ｐｐｍ コバルト＜５０ｐｐｍ カリウム＜２００ｐｐｍ リチウム＜５０ｐｐｍ モリブデン＜３５ｐｐｍ ナトリウム＜２００ｐｐｍ シリコン＜５０ｐｐｍ ストロンチウム＜２０ｐｐｍ なお、このように形成された物質は、上述した構成に限
られるものではなく、また、製造方法として、シンタリ
ング、反応性シンタリング、又は反応性ホットプレスを
用いない。
られるものではなく、また、製造方法として、シンタリ
ング、反応性シンタリング、又は反応性ホットプレスを
用いない。
【００２８】実施例 アルミニウム原子の割合が、全体の５０％で、タンタル
原子の割合が５０％であり、タンタルの重さの割合が、
アルミニウムの重さの１３％であるスパッタリングター
ゲットを製造するために、大きさ約４５μｍ、純度９
９．９９％のアルミニウム粉末１５０グラムと、大きさ
約４５μｍ、純度９９．９５％のタンタル粉末１０００
グラムとを用いた。粉末の質量中央径（mass-median pa
rticle size）は、２０乃至２５μｍであった。イナー
トガス粒子化プロセスによって得られた粉末をポリプロ
ピレン容器に入れ、２時間混合した。混合している間に
不純物が混入するのを防ぐために、純粋なアルミニウム
でできた長さ１ｃｍ、幅０．５ｃｍの少なくとも１本の
棒を用いて混合した。この混合された粉末をバッグに詰
めて、このバッグを真空排気し、密封した。密度が約８
０％以上になるように、圧力約３０ｋｓｉのもとで、こ
のバッグに対してＣＩＰによりプレスした。このように
ＣＩＰによりプレスして生成されたブランクを、旋盤又
は他の加工器具を用いて適切なシリンダ状に加工し、鋼
の容器に入れ、真空排気して密封し、密度が９９％以上
に達するように、圧力が少なくとも５ｋｓｉのもとで、
５５０度の温度で、ＨＩＰによりプレスした。
原子の割合が５０％であり、タンタルの重さの割合が、
アルミニウムの重さの１３％であるスパッタリングター
ゲットを製造するために、大きさ約４５μｍ、純度９
９．９９％のアルミニウム粉末１５０グラムと、大きさ
約４５μｍ、純度９９．９５％のタンタル粉末１０００
グラムとを用いた。粉末の質量中央径（mass-median pa
rticle size）は、２０乃至２５μｍであった。イナー
トガス粒子化プロセスによって得られた粉末をポリプロ
ピレン容器に入れ、２時間混合した。混合している間に
不純物が混入するのを防ぐために、純粋なアルミニウム
でできた長さ１ｃｍ、幅０．５ｃｍの少なくとも１本の
棒を用いて混合した。この混合された粉末をバッグに詰
めて、このバッグを真空排気し、密封した。密度が約８
０％以上になるように、圧力約３０ｋｓｉのもとで、こ
のバッグに対してＣＩＰによりプレスした。このように
ＣＩＰによりプレスして生成されたブランクを、旋盤又
は他の加工器具を用いて適切なシリンダ状に加工し、鋼
の容器に入れ、真空排気して密封し、密度が９９％以上
に達するように、圧力が少なくとも５ｋｓｉのもとで、
５５０度の温度で、ＨＩＰによりプレスした。
【００２９】このようにしてできたスパッタリングター
ゲットの密度は、アルキメデスの原理に基づいて測定す
ると、端が９．８０ｇ／ｃｃ、中心が９．８１ｇ／ｃ
ｃ、端と中心の中間部が９．８３ｇ／ｃｃであり、アル
ミニウムの重さの割合は、端が９９．０％、中心が９
９．１％、端と中心の中間部が９９．２％であった。周
知の混合物法に基づいて測定すると、アルミニウムとタ
ンタルの原子の比が５０対５０、すなわちアルミニウム
の重さの割合が１３％でタンタルの重さの割合が８７％
の状態で、密度は、９．９５ｇ／ｃｃであると測定され
た。このスパッタリングターゲットには、アルミニウム
凝集粒子３０も界面反応層４０も見られなかった。この
スパッタリングターゲットを走査型電子顕微鏡で見たと
ころ、ボイドは検出されなかった。
ゲットの密度は、アルキメデスの原理に基づいて測定す
ると、端が９．８０ｇ／ｃｃ、中心が９．８１ｇ／ｃ
ｃ、端と中心の中間部が９．８３ｇ／ｃｃであり、アル
ミニウムの重さの割合は、端が９９．０％、中心が９
９．１％、端と中心の中間部が９９．２％であった。周
知の混合物法に基づいて測定すると、アルミニウムとタ
ンタルの原子の比が５０対５０、すなわちアルミニウム
の重さの割合が１３％でタンタルの重さの割合が８７％
の状態で、密度は、９．９５ｇ／ｃｃであると測定され
た。このスパッタリングターゲットには、アルミニウム
凝集粒子３０も界面反応層４０も見られなかった。この
スパッタリングターゲットを走査型電子顕微鏡で見たと
ころ、ボイドは検出されなかった。
【００３０】本発明を１つの実施の形態と１つの実施例
で詳細に説明したが、添付されている請求の範囲を、こ
の詳細な説明に限定するつもりはない。本発明に基づい
た応用を更に行うことができる。例えば、プレスの代わ
りに、ハンマ鍛造法（hammerforging）を用いることも
できる。また、混合された粉末を、型に入れて、バッグ
や容器に入れずに直接圧力や熱をその型に与えることも
できる。このように、本発明は広範囲にわたっており、
ここでの詳細な説明、代表的な装置及び方法、説明され
た実施例に限定されるものではない。本発明が応用され
るかもしれないが、これは本発明の範囲内に含まれる。
で詳細に説明したが、添付されている請求の範囲を、こ
の詳細な説明に限定するつもりはない。本発明に基づい
た応用を更に行うことができる。例えば、プレスの代わ
りに、ハンマ鍛造法（hammerforging）を用いることも
できる。また、混合された粉末を、型に入れて、バッグ
や容器に入れずに直接圧力や熱をその型に与えることも
できる。このように、本発明は広範囲にわたっており、
ここでの詳細な説明、代表的な装置及び方法、説明され
た実施例に限定されるものではない。本発明が応用され
るかもしれないが、これは本発明の範囲内に含まれる。
【００３１】
【発明の効果】本発明に係るスパッタリングターゲット
の製造方法では、スパッタリングターゲットを、アルミ
ニウム粉末とアルミニウム以外の反応性金属の粉末とを
混合して、この混合された粉末をコールドプレスして、
このコールドプレスされた粉末をシリンダ状に加工し
て、このシリンダを真空状態でホットプレスすることに
よって製造する。この製造方法によって、組成、構造及
び密度が全体に亘って均一で、アルミニウムの重さの割
合が２％以上である高性能、高品質なスパッタリングタ
ーゲットを得ることができる。
の製造方法では、スパッタリングターゲットを、アルミ
ニウム粉末とアルミニウム以外の反応性金属の粉末とを
混合して、この混合された粉末をコールドプレスして、
このコールドプレスされた粉末をシリンダ状に加工し
て、このシリンダを真空状態でホットプレスすることに
よって製造する。この製造方法によって、組成、構造及
び密度が全体に亘って均一で、アルミニウムの重さの割
合が２％以上である高性能、高品質なスパッタリングタ
ーゲットを得ることができる。
【図１】 本発明に係る製造方法によって製造されたス
パッタリングターゲットを示す顕微鏡写真である。
パッタリングターゲットを示す顕微鏡写真である。
【図２】 本発明に係る製造方法によって製造されたス
パッタリングターゲットを示す顕微鏡写真である。
パッタリングターゲットを示す顕微鏡写真である。
【図３】 本発明に係る製造方法によって製造されたス
パッタリングターゲットを示す顕微鏡写真である。
パッタリングターゲットを示す顕微鏡写真である。
【図４】 従来の製造方法によって製造されたスパッタ
リングターゲットを示す顕微鏡写真である。
リングターゲットを示す顕微鏡写真である。
【図５】 従来の製造方法によって製造されたスパッタ
リングターゲットを示す顕微鏡写真である。
リングターゲットを示す顕微鏡写真である。
【図６】 従来の製造方法によって製造されたスパッタ
リングターゲットを示す顕微鏡写真である。
リングターゲットを示す顕微鏡写真である。
２０ アルミニウム粉末
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン エトリンガー アメリカ合衆国 ニューヨーク州 10994 ダブリュ ニャック ホーガン レーン ２ (72)発明者 トニー サイカ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 10552 マウント バーノン オーバールック ストリート ６
Claims (28)
- 【請求項１】 アルミニウム粉末とアルミニウム以外の
反応性金属の粉末とを混合する混合ステップと、 上記混合された粉末をコールドプレスするコールドプレ
スステップと、 上記混合された粉末をシリンダ状に加工する加工ステッ
プと、 上記シリンダを真空状態でホットプレスするホットプレ
スステップとを有するスパッタリングターゲットの製造
方法。 - 【請求項２】 上記混合ステップは、タンタル、ニオ
ブ、ジルコニウム、鉄及びニッケルから成るグループか
ら選択されたアルミニウム以外の反応性金属の粉末を混
合するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載
のスパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項３】 更に、アルミニウム以外の反応性金属の
固まりを粉末に加工する粉末加工ステップを有すること
を特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲッ
トの製造方法。 - 【請求項４】 上記粉末加工ステップは、水素化物・非
水素化物プロセス又はイナートガス粒子化プロセスによ
って、アルミニウム以外の反応性金属の固まりを粒子状
に加工することを特徴とする請求項３に記載のスパッタ
リングターゲットの製造方法。 - 【請求項５】 上記粉末加工ステップは、球状、針状及
び粒状から成るグループから選択された形状に加工する
ことを特徴とする請求項３に記載のスパッタリングター
ゲットの製造方法。 - 【請求項６】 上記混合ステップは、大きさが約６μｍ
と約３００μｍとの間であるアルミニウム以外の反応性
金属を混合することを特徴とする請求項１に記載のスパ
ッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項７】 上記混合ステップは、大きさが約６μｍ
と約４５μｍとの間であるアルミニウム以外の反応性金
属を混合することを特徴とする請求項１に記載のスパッ
タリングターゲットの製造方法。 - 【請求項８】 更に、アルミニウム金属を粉末に加工す
る粉末加工ステップを有することを特徴とする請求項１
に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項９】 上記粉末加工ステップは、水素化物・非
水素化物プロセス又はイナートガス粒子化プロセスによ
って、アルミニウム金属を粒子状に加工することを特徴
とする請求項８に記載のスパッタリングターゲットの製
造方法。 - 【請求項１０】 上記混合ステップは、形状が球状であ
るアルミニウム金属を混合することを特徴とする請求項
１に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項１１】 上記混合ステップは、大きさが約３０
０μｍ以下であるアルミニウム金属を混合することを特
徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲットの
製造方法。 - 【請求項１２】 上記混合ステップは、大きさが約４５
μｍ以下であるアルミニウム金属を混合することを特徴
とする請求項１に記載のスパッタリングターゲットの製
造方法。 - 【請求項１３】 上記混合ステップは、粉末を、純粋な
アルミニウムでできた長さ１ｃｍ、幅０．５ｃｍの棒を
用いて、少なくとも約２時間混合することを特徴とする
請求項１に記載のスパッタリングターゲットの製造方
法。 - 【請求項１４】 上記混合ステップは、潤滑剤、バイン
ダ及びこれらを混合したものから成るグループから選択
された物質を用いて混合することを特徴とする請求項１
に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項１５】 上記潤滑剤は、アルコール溶剤及びア
セトンから成るグループから選択されることを特徴とす
る請求項１４に記載のスパッタリングターゲットの製造
方法。 - 【請求項１６】 上記バインダは、オクタデシル酸又は
ステアリン酸塩から成るグループから選択されることを
特徴とする請求項１４に記載のスパッタリングターゲッ
トの製造方法。 - 【請求項１７】 上記コールドプレスステップは、約３
０ｋｓｉの圧力でコールドプレスすることを特徴とする
請求項１に記載のスパッタリングターゲットの製造方
法。 - 【請求項１８】 上記コールドプレスステップは、単軸
プレス、双軸プレス及び静圧プレスから成るグループか
ら選択されたプレス方法でコールドプレスすることを特
徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲットの
製造方法。 - 【請求項１９】 上記ホットプレスステップは、約１０
-3トルの真空度でホットプレスすることを特徴とする請
求項１に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項２０】 上記ホットプレスステップは、アルミ
ニウムの温度が０．９Ｔm以下で、圧力が少なくとも約
５ｋｓｉで、ホットプレスをすることを特徴とする請求
項１に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項２１】 請求項１に記載のスパッタリングター
ゲットの製造方法によって製造され、組成、構造及び密
度が、全体に亘って均一であり、アルミニウムの割合が
約２％以上であるスパッタリングターゲット。 - 【請求項２２】 請求項１に記載のスパッタリングター
ゲットの製造方法によって製造され、組成、構造及び密
度が、全体に亘って均一であり、アルミニウムの割合が
約５％以上であるスパッタリングターゲット。 - 【請求項２３】 請求項１に記載のスパッタリングター
ゲットの製造方法によって製造され、アルミニウム以外
の金属の粉末の平均の大きさが約３０μｍであるスパッ
タリングターゲット。 - 【請求項２４】 粉末の平均の大きさが約４５μｍのア
ルミニウム粉末と粉末の平均の大きさが約４５μｍのタ
ンタル粉末とが均一に混ざるように少なくとも２時間混
合する混合ステップと、 上記混合された粉末を約３０ｋｓｉの圧力でコールドプ
レスして、ブランクを形成するコールドプレスステップ
と、 上記ブランクを適切なシリンダ状に加工する加工ステッ
プと、 上記加工されたシリンダを約５５０度の温度で、約５ｋ
ｓｉの圧力でホットプレスするホットプレスステップと
を有するスパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項２５】 アルミニウムの粉末及びアルミニウム
以外の反応性金属の粉末を混合し、コールドプレスした
後、シリンダ状に加工し、容器に入れて真空排気して、
ホットプレスすることにより得られるスパッタリングタ
ーゲット。 - 【請求項２６】 アルミニウム粉末とアルミニウム以外
の反応性金属の粉末とを混合する混合ステップと、 上記混合された粉末を、コールドプレス及びコールドア
イソスタティック成形から成るグループから選択された
方法によってコールドプレスするコールドプレスステッ
プと、 上記コールドプレスされた粉末を集めてモザイクを形成
するモザイク形成ステップと、 上記モザイクを、アルミニウムの温度が０．９Ｔm以下
で、ホットアイソスタティック成形、真空ホットプレ
ス、イナートガスホットプレス及び低圧シンタリングプ
レスから成るグループから選択されたプレス方法によっ
てホットプレスするホットプレスステップとを有するス
パッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項２７】 請求項２６に記載のスパッタリングタ
ーゲットの製造方法によって製造され、組成、構造及び
密度が全体に亘って均一であるスパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項２８】 請求項２６に記載のスパッタリングタ
ーゲットの製造方法によって製造され、アルミニウム以
外の金属の粉末の平均の大きさが約３０μｍであるスパ
ッタリングターゲット。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/926375 | 1997-09-09 | ||
| US08/926,375 US6010583A (en) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | Method of making unreacted metal/aluminum sputter target |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11172425A true JPH11172425A (ja) | 1999-06-29 |
| JP4405610B2 JP4405610B2 (ja) | 2010-01-27 |
Family
ID=25453126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26903898A Expired - Lifetime JP4405610B2 (ja) | 1997-09-09 | 1998-09-08 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6010583A (ja) |
| JP (1) | JP4405610B2 (ja) |
| IT (1) | IT1302050B1 (ja) |
| TW (1) | TW495404B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013046780A1 (ja) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｆｅ－Ａｌ系合金スパッタリングターゲット |
| CN104227000A (zh) * | 2014-09-06 | 2014-12-24 | 中信锦州金属股份有限公司 | 一种铬靶材的生产方法 |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6113761A (en) | 1999-06-02 | 2000-09-05 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
| US6858102B1 (en) * | 2000-11-15 | 2005-02-22 | Honeywell International Inc. | Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets |
| US6165413A (en) * | 1999-07-08 | 2000-12-26 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method of making high density sputtering targets |
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