JPH11170549A - インクジェットヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 インクジェットヘッドのヘッド基板を基板か
ら切断分離する場合に、基板に粘着シートを貼着するこ
とによる汚染を防止すると共に製造工程を簡略化するこ
と。 【解決手段】 振動板を有するヘッド基板が複数形成さ
れた第１の基板、又は電極が複数形成されたヘッド基板
を有する第２の基板からそれぞれヘッド基板を切断分離
する際に、前記第１基板又は第２基板に粘着シートを貼
着しないでそれぞれの基板の厚み方向の途中まで切断
し、しかる後に分離（劈開）する。また、前記第１基板
と前記第２基板を互いに切断線の位置を整合させて陽極
接合し、該接合された基板の両面より、前記第１基板、
及び第２基板の厚み方向の途中まで切断し、接合して一
対となったヘッド基板を個別に分離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録を必要とする
時にのみインク液滴を形成・吐出し、所望の記録媒体に
インク記録を行うドロップ・オン・デマンド型インクジ
ェット記録装置、特に静電気力を利用してインク吐出を
行うインクジェットヘッド記録装置のインクジェットヘ
ッドであって、複写機，ファックス，印刷機，プリンタ
ー，プロッター等の記録装置に用いるインクジェットヘ
ッド及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、インクジェットヘッド記録装
置は、現象定着などのプロセスを必要とせず、非接触に
て直接記録ができるために、低騒音，高速高画質カラー
記録が可能で、普通紙を使用できることから、低ランニ
ングコストで装置的にも安価となる等の特長を有してい
る。その中でも記録を必要とする時にのみインク液滴を
吐出するドロップ・オン・デマンド（ＤＯＤ）方式の記
録装置は、記録に不必要なインクの回収系がないため、
メンテナンスが簡単で、装置構成が小型で安価となるた
め、近年、大変注目されている。そのＤＯＤ記録方式の
記録ヘッドには、電気機械変換方式，電気熱変換方式，
静電吸引方式，放電方式等の多種多様な駆動方式が提案
され、実用化されている。中でも圧電素子であるピエゾ
を利用した電気機械変換方式の記録ヘッドは、古くから
現在に至るまで種々の方式が提案されている。

【０００３】例えば、（ａ）米国特許第３６８３２１２
号明細書（S.I.Zoltan）では、円筒状をしたインク室お
よびピエゾ素子により、その円筒を収縮，膨張させ、イ
ンクに生じた圧力波でインクの液滴を形成し、吐出する
方式が開示されている。また、（ｂ）米国特許第３７４
７１２０号明細書（N.G.E.Stemme）では、インク室がピ
エゾ振動子を有する圧力室とインクタンクに連通する供
給室に分割されており、その２室と連合通路とインク吐
出口とを一直線上に並べて、ピエゾ素子により発生する
圧力波で効率よくインク液滴を形成して、吐出エネルギ
ーに変換する方式が開示されている。また、（ｃ）米国
特許第３９４６３９８号明細書（E.L.Kyser）では、イ
ンク室の一部をバイモルフ型のピエゾ素子を利用して構
成し、そのピエゾ素子を振動させてインク室が収縮した
時にインクに生じた圧力波でオリフィスよりインクを吐
出させ、膨張した時にインクタンクより補給する方式が
開示されている。

【０００４】また、最近では、記録ヘッドを小型高密度
にでき、高印字品質、及び長寿命が可能な駆動方法とし
て、インク室の一部を構成する振動可能な振動板を圧電
素子を利用せず、静電気力を利用して振動させ、インク
側に圧力波を生じさせて吐出を行う方式が、（ｄ）特開
平５−５０６０１号公報（セイコーエプソン）、及び
（ｅ）特開平６−１２６９５６号公報（セイコーエプソ
ン）に開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平５−５０６０１号公報や、（ｅ）特開平６−１２６
９５６号公報記載の記録ヘッドでは、前記振動板が形成
された１つの個別ヘッド基板を１枚のシリコンの単結晶
基板より複数個切り出す具体的な方法が記述されていな
い。また、静電気力を利用するための電極が形成された
もう１つの個別へッド基板も１枚のパイレックスガラス
基板、あるいはシリコン単結晶基板より複数個切り出す
具体的な方法が記述されていない。

【０００６】従来、このようなシリコン基板や、ガラ
ス，セラミックス系の基板から所定の形状の物を切り出
す方法として、ダイシングソー装置を利用して切り出す
方法がある。ダイシングソー装置を利用して切り出す場
合、通常、切断した物が切削水と共に流れ出さないよう
に被切断基板をフィルム状の粘着シートに貼り、それを
ダイシングテーブルに固定して粘着シートまで切断して
分離する方法がよく用いられる。

【０００７】しかしながら、前記のような静電気力を利
用した記録ヘッドを作製する場合には、振動板が形成さ
れるシリコン基板の上下には、液室等の蓋となる基板と
電極が形成されるガラスやシリコン基板が接合されるた
め、シリコン基板の表裏面は清浄である必要がある。従
って、シリコン基板を切断しようとする場合には、その
際に用いる粘着シートの粘着剤でシリコン基板表面が汚
染されてしまうため問題となる。また、例え、後でその
基板表面を洗浄するにしても、その粘着シートからシリ
コン基板を剥がす際に、シリコン基板に形成されている
薄い振動板（数μｍ程度の厚さ）が粘着剤で剥ぎ取ら
れ、破壊されるといった問題も存在する。

【０００８】また、前記のように、シリコン基板やガラ
ス基板より複数個の個別ヘッド基板を切り出した後、各
個別ヘッド基板を１対ずつアライメント作業を行って接
合する作製方法は、数十回に分けてアライメントと接合
作業を繰り返す必要があるため、非常に生産効率が悪
い。特に、接合手段として陽極接合法を使用する場合に
は、１回の接合に３〜４時間必要であり、同時に接合で
きる個別ヘッド基板の数は高々数枚程度である。

【０００９】請求項１の発明の課題は、第１及び第２の
基板固定に粘着テープを使用する必要がないインクジェ
ットヘッドの製造方法を提供することである。

【００１０】請求項２の発明の課題は、ヘッド基板の切
断分離を容易かつ正確にできるようにし、切断分離する
際の不良率を減少させるとともに、切断工程の製造時間
を短縮することである。

【００１１】請求項３，９の発明の課題は、第１基板及
び第２基板の切断工程、並びに接合工程を効率化するこ
とである。

【００１２】請求項４及び５の発明の課題は、第１及び
第２の基板接合時の接触によるヘッド基板不良を防ぐこ
とである。

【００１３】請求項６の発明の課題は、第１基板及び第
２基板を陽極接合する際に生じる空気の熱膨張による薄
い振動板への撓み変形や応力等の発生の影響を防ぎ、接
合工程におけるヘッド基板の振動板不良を防ぐことであ
る。

【００１４】請求項７の発明の課題は、切断工程におけ
るヘッドの空間ギャップ不良を防ぐことである。

【００１５】請求項８の発明の課題は、第１基板及び第
２基板を陽極接合する際に生じる高電界の静電引力の影
響による薄い振動板への撓み変形や応力等の発生の影響
を防ぎ、接合工程におけるヘッドの振動板不良を防ぐこ
とである。

【００１６】請求項１０の発明の課題は、製作時におけ
る従来の欠点を解消して、動作が安定しかつ印字品質の
バラツキの少ないインクジェットヘッドを得ることであ
る。

【００１７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、振動
板を有するヘッド基板が形成された第１基板、及び電極
が形成されたヘッド基板を有する第２基板からそれぞれ
ヘッド基板を分離してインクジェットヘッドを製造する
方法であって、前記ヘッド基板の分離の際に前記第１基
板、あるいは前記第２基板の厚み方向の途中まで切断し
た後、前記ヘッド基板を個別に分離するインクジェット
ヘッドの製造方法である。

【００１８】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記第１基板、あるいは前記第２基板の厚みの半分
以上の厚みを切断した後、前記ヘッド基板を個別に分離
したインクジェットヘッドの製造方法である。

【００１９】請求項３の発明は、振動板を有するヘッド
基板が形成された第１の基板、及び電極が形成されたヘ
ッド基板を有する第２の基板からそれぞれヘッド基板を
分離してインクジェットヘッドを製造する方法であっ
て、前記第１基板と前記第２基板を接合し、該接合され
た基板の両面より、前記第１基板、及び前記第２基板の
厚み方向の途中まで切断して接合したヘッド基板を個別
に分離するインクジェットヘッドの製造方法である。

【００２０】請求項４の発明は、請求項３の発明におい
て、前記第２基板の電極引き出し部と、前記第１基板と
を接合しない程度に距離を離したインクジェットヘッド
の製造方法である。

【００２１】請求項５の発明は、請求項３の発明におい
て、前記第２基板上の第１のヘッド基板の各電極引き出
し部と、該ヘッド基板に隣接する第２のヘッド基板の各
電極引き出し部との間に柱を設けたインクジェットヘッ
ドの製造方法である。

【００２２】請求項６の発明は、請求項３乃至５のいず
れかの発明において、前記第１基板と前記第２基板との
接合の際、非接合部が外気と連通する孔を設けたインク
ジェットヘッドの製造方法である。

【００２３】請求項７の発明は、請求項６の発明におい
て、前記第１基板と前記第２基板とを接合した後、接合
された基板をダイシングソー装置で切断する際に、非接
合部が外気と連通するように設けられた孔を封じたイン
クジェットヘッドの製造方法である。

【００２４】請求項８の発明は、請求項３乃至７のいず
れかの発明において、前記第２基板上の第１のヘッド基
板の各電極引き出し部に接続された第１の共通電極と、
該ヘッド基板に隣接する第２のヘッド基板の各電極引き
出し部に接続された第２の共通電極とを接続して共通に
したインクジェットヘッドの製造方法である。

【００２５】請求項９の発明は、請求項３乃至８のいず
れかの発明において、前記第１基板のパターンと前記第
２基板のパターンを整合して接合する際、前記第１基
板、および前記第２基板上の切断線をほぼ一致させ、か
つ、接合後に前記第１基板，前記第２基板の厚み方向の
途中まで切断した後、第２基板側より前記接合したヘッ
ド基板を個別に分離したインクジェットヘッドの製造方
法である。

【００２６】請求項１０の発明は、インクを吐出するた
めのノズルと、該ノズルに連通するインク流路と、該流
路の一部に設けられた振動板と、該振動板に対向して設
けられた電極とを有し、前記振動板と前記電極との間に
生じる静電気力を利用して、前記振動板を変形させ、前
記ノズルからインク液滴を吐出する、請求項１乃至９の
いずれかに記載された方法によって製造されたインクジ
ェットヘッドである。

【００２７】

【発明の実施の形態】〔発明（１）〕 （構成）図１は、振動板５が形成された第１基板２の全
体構成図である。本発明では、第１基板２は単結晶のシ
リコン基板、あるいはシリコンウェハを使用したもので
ある。第１基板２は、振動板５を形成できる材質のもの
であれば、単結晶のシリコン基板に限られるものではな
い。その第１基板２内には、エッチングによりノズル溝
４，振動板５，インク吐出室６，オリフィス７，共通液
室８が形成されている。また、それらを一体とした個別
のヘッド基板が３ヘッド基板（１０１，１０２，１０
３）分形成されたものである。２ａはシリコンウェハを
使用した場合のオリフラである。また、１１１〜１１８
の破線は、その第１基板２から個別ヘッド基板（１０
１，１０２，１０３）を切り出す際の切断線を表すもの
である。

【００２８】図２は、静電気力を利用するための電極３
１，電極リード３２，電極パッド３３，および空間ギャ
ップを形成するための第２基板３の全体構成図である。
本発明では、第２基板３は第１基板２のシリコン基板と
比較的熱膨張率が近いパイレックスガラス（コーニング
＃７７４０）基板を使用したものである。パイレックス
ガラス（コーニング＃７７４０）基板は、第１基板２と
接合する際、後述する陽極接合法を使用する際に好適な
基板である。第２基板３には、第１基板２と比較的熱膨
張率が近い、あるいは一致していれば、本発明のような
パイレックスガラス（コーニング＃７７４０）基板に限
られるものではなく、例えば、同一材質であるシリコン
基板を使用し、その基板内に電極３１等や、空間ギャッ
プを形成して使用することも可能である。

【００２９】その第２基板３内には、空間ギャップを形
成するための段差部がエッチングにより形成され、その
段差部内に上記振動板５と対応する電極３１が成膜パタ
ーニングされている。また、それらを一体とした個別の
ヘッド基板が３ヘッド基板（２０１，２０２，２０３）
分形成されている。また、３４は各電極３１を接続した
共通電極部であり、３５は第１基板２と接合する際の接
合用電極パッド部である。２１１〜２１６の破線は、そ
の第２基板３から個別ヘッド基板（２０１，２０２，２
０３）を切り出す際の切断線を表すものである。

【００３０】図３は、図１の第１基板２のＡ−Ａ′線に
沿った断面図を示す。１１１ａ〜１１６ａは、ダイシン
グソー装置等により切り込まれた切り込み跡を示すもの
である。図４は、図３の各個別ヘッド基板から切断・分
離した後の個別ヘッド基板１０１の断面図である。図５
は、図２の第２基板３のＢ−Ｂ′線に沿った断面図を示
す。２１１ａ〜２１４ａは、ダイシングソー装置等によ
り切り込まれた切り込み跡を示すものである。図６は、
図５各個別ヘッド基板から切断・分離した後の個別ヘッ
ド基板２０１の断面図である。９はエッチングにより形
成された空間ギャップを示す。

【００３１】（動作）本発明では、先ず、ダイシングソ
ー装置を利用し、図１，図２に示した各第１基板２、あ
るいは第２基板３を粘着テープ等を使用せずに基板を直
接ダイシングテーブルに固定する。通常、ダイシングテ
ーブルは、基板を傷つけずに固定できるように真空チャ
ックにて固定される。粘着テープを使用した場合には、
その粘着テープを介して基板が真空チャックで固定され
る。基板をテーブルに固定した後、図１，図２で示した
切断線に沿って切断する。その際、ダイシングソーのブ
レードの刃はテーブルを切断しないように、図３，図５
に示すように、基板の厚みの途中まで切り込みを入れ
る。また、その途中までの切り込みにより、各個別ヘッ
ド基板が切断時にダイシングソーの切削水と共に流れ出
すことはない。

【００３２】基板を途中まで切断した後、基板をダイシ
ングテーブルより取り出し、切断した側より基板を劈開
することにより、図４，図６のような個別ヘッド基板を
分離，取り出すことができる。このようにして取り出さ
れた各個別ヘッド基板（１０１，２０１）は、陽極接合
法を利用して接合される。陽極接合法は、他の接合法
（ろう接，融接）と比較して、ギャップの寸法精度の確
保が期待でき、基板間に電圧印加（−３００Ｖ〜−５０
０Ｖ程度）を行うことにより、比較的低温（３００〜４
００℃）で精密な接合ができる。このような陽極接合を
確実に行うには、基板の接合界面で基板同士の共有結合
が生じるように、第１基板２、あるいは第２基板３のど
ちらかがアルカリイオンを多く含む基板である必要があ
り、また、接合する際、熱応力による基板同士の歪みが
少なくなるように基板同士の熱膨張係数が比較的一致し
ている材料を選択することが好ましい。本発明では、上
記のように、第１基板２に単結晶のシリコン基板を使用
し、第２基板３にＮａ等のアルカリイオンを多く含み、
シリコン基板と比較的熱膨張係数が一致するパイレック
スガラス（硼珪酸系ガラス）基板を使用するため、基板
同士の熱歪みの少ない確実な接合が得られる。

【００３３】また、基板１０１の上側に図示しない供給
口が設けられた第３基板が接合され、そのインク供給口
は図示しない接続パイプ及びチューブを介して図示しな
いインクタンクに接続されて、インクジェットヘッドが
組み立てられる。本発明の方法によれば、基板固定に粘
着テープを使用しないため、清浄な接合面が得られる。
また、切断後、粘着テープを剥がす際に薄い振動板（数
μｍ程度の厚さ）が破壊されることはない。また、粘着
テープを貼る工程，剥がす工程が省略され、基板接合前
の基板洗浄工程が簡略化されるため、生産効率が向上す
る。

【００３４】（実施例）直径４インチ，厚さ２００μｍ
の両面研磨された（１００）面方位のｎ型単結晶シリコ
ンウェハ内に異方性エッチングにより１０μｍ程度の厚
みの振動板５等を形成し、そのウェハ内に２０ｍｍ×１
８ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１６ヘッド分形成し
た基板を作製した。その基板をＤＩＳＣＯ社製のダイシ
ングソー装置（ＤＡＤ５２２型）のダイシングテーブル
に直接真空チャック固定し、その基板をブレード幅３５
μｍのＳｉ用のブレードを使用して、両面に設けられた
切断線に沿って１００μｍの基板深さまで切り込みを入
れた。その後、切断側より各個別ヘッド基板別に劈開し
た結果、１６枚の個別ヘッド基板を全て不良なく分離
し、取り出すことができた。

【００３５】また、直径４インチ，厚さ１ｍｍの両面研
磨されたパイレックスガラス基板（コーニング社製＃７
７４０）内に等方性エッチングにより１.０μｍ程度の
空間ギャップ用凹部を設け、その凹部内に１０００Å程
度の厚みの白金電極をパターン形成し、その基板内に２
０ｍｍ×２５ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１６ヘッ
ド分形成した基板を作製した。その基板を上記同様に、
ＤＩＳＣＯ社製のダイシングソー装置（ＤＡＤ５２２
型）のダイシングテーブルに直接真空チャック固定し、
その基板をブレード幅１００μｍのガラス用のブレード
を使用して、面内に設けられた切断線に沿って５００μ
ｍの基板深さまで切り込みを入れた。その後、切断側よ
り各個別ヘッド基板別に劈開した結果、１６枚の個別ヘ
ッド基板基板を全て不良なく分離し、取り出すことがで
きた。また、そのようにして取り出されたシリコン，ガ
ラスの個別ヘッド基板を接合した結果、ボイド等の発生
がなく一様な接合が得られた。さらにまた、粘着テープ
を使用した場合に比べて、基板切断工程の製造時間が１
時間短縮され、生産効率が向上した。

【００３６】〔発明（２）〕 （構成）図７は、図３の第１基板２の断面図の切断部付
近の拡大図である。記号Ｄは第１基板２の初期の厚みを
示すものであり、１００はそのＤの半分（Ｄ／２）以上
の厚みを切り込んだ際の切り込み跡を示すものである。

【００３７】（動作）本発明では、発明（１）の場合と
同様に、ダイシングソー装置を利用し、図１に示すよう
な第１基板２を粘着テープ等を使用せずに直接ダイシン
グテーブル上に真空チャック固定した後、図１に示した
ような切断線に沿って切断する。その際、前記同様にダ
イシングソーのブレードの刃はテーブルを切断しないよ
うに、図３に示すように、基板の厚みの途中まで切り込
みを入れるが、その切り込み深さは基板の厚みＤの半分
（Ｄ／２）以上の途中まで切り込む（図７）。

【００３８】基板をそのように途中まで切断した後、基
板をダイシングテーブルより取り出し、切断した側より
基板を劈開することにより、図４のごとく個別ヘッド基
板にして分離・取り出すことができる。また、そのよう
にして取り出した後の工程は、前記発明（１）について
説明したのと同様であり、個別のヘッド基板１０１の上
側には、図示しないインク供給口が設けられた第３基板
が接合され、そのインク供給口は図示しない接続パイプ
及びチューブを介して図示しないインクタンクに接続さ
れて、インクジェットヘッドが組み立てられる。

【００３９】本発明の方法によれば、第１基板２，及び
第２基板３を劈開分離する際に切り込み部の基板の厚み
が初期厚みのＤの半分（Ｄ／２）以下であるため、劈開
が容易，正確にできるようになり、切断分離する際の不
良率が減少する。また、劈開作業が容易となるため、切
断工程の製造時間がさらに短縮される。

【００４０】（実施例）直径４インチ，厚さ２００μｍ
の両面研磨された（１００）面方位のｎ型単結晶シリコ
ンウェハ内に異方性エッチングにより１０μｍ程度の厚
みの振動板５等を形成し、そのウェハ内に２０ｍｍ×１
８ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１６ヘッド分形成し
た基板を作製した。その基板をＤＩＳＣＯ社製のダイシ
ングソー装置（ＤＡＤ５２２型）のダイシングテーブル
に直接真空チャック固定し、その基板をブレード幅３５
μｍのＳｉ用のブレードを使用して、両面に設けられた
切断線に沿って１５０μｍの基板深さまで切り込みを入
れた。その後、切断側より各個別ヘッド別に劈開した結
果、１６枚の個別ヘッド基板を全て容易に不良なく分離
し、取り出すことができた。また、従来、切断時に発生
していたヘッド基板不良率が２０％程度であったもの
が、５％程度に減少した。更にまた、切断工程の製造時
間が３０分程度短縮され、生産効率が向上した。

【００４１】また、直径４インチ，厚さ１ｍｍの両面研
磨されたパイレックスガラス基板（コーニング社製＃７
７４０）内に等方性エッチングにより１.０μｍ程度の
空間ギャップ用凹部を設け、その凹部内に１０００Å程
度の厚みの白金電極をパターン形成し、その基板内に２
０ｍｍ×２５ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１６ヘッ
ド分形成した基板を作製した。その基板を上記同様に、
ＤＩＳＣＯ社製のダイシングソー装置（ＤＡＤ５２２
型）のダイシングテーブルに直接真空チャック固定し、
その基板をブレード幅１００μｍのガラス用のブレード
を使用して、面内に設けられた切断線に沿って７５０μ
ｍの基板深さまで切り込みを入れた。その後、切断側よ
り各個別ヘッド基板別に劈開した結果、１６枚の個別ヘ
ッド基板を全て容易に不良なく分離し、取り出すことが
できた。また、従来、切断時に発生していたヘッド基板
不良率が２０％程度であったものが、５％程度に減少し
た。更にまた、切断工程の製造時間が３０分程度短縮さ
れ、生産効率が向上した。

【００４２】〔発明（３）〕 （構成）図８は、図３の第１基板２、及び図５の第２基
板３を接合した後、各基板の厚みの途中まで切断した際
の個別ヘッド基板（１０２，２０２）部分の切断部断面
の拡大図である。１１２〜１１５と、２１２，２１３
は、切断線を表すものであり、２１２ｂ，２１３ｂは第
２基板３側の切り込み跡を表すものである。また、本構
成では、第１基板２側の切断線１１３，１１５と、第２
基板３側の切断線２１２，２１３との位置関係を一致さ
せて、つまり整合させて接合している。

【００４３】（動作）本発明では、先ず、図１，図２に
示した第１基板２，第２基板３を前述の陽極接合法を利
用して接合する。その際、第１基板２の各振動板パター
ンに対応して、第２基板３の各電極パターンが一致する
ように整合して接合する必要がある。特に、第１基板２
側の切断線と第２基板３側の切断線とを一致させて接合
することにより、接合後に１回劈開をするだけで、接合
された個別ヘッド基板を容易に得ることができる。

【００４４】図８のように、第１基板２，第２基板３を
接合した後、前記発明（１）の場合と同様に、先ず、ど
ちらか片面側から粘着テープ等を使用せずに基板を直接
ダイシングテーブルに真空チャック固定し、図１，図２
で示した切断線に沿って両面を基板の厚みの途中まで切
断する（図８）。両面から各基板を途中まで切断した
後、その接合された基板をダイシングテーブルより取り
外し、第２基板３の切断された（２１２ｂ，２１３ｂ）
側より基板を劈開することにより、図４，図６の各個別
ヘッド基板が接合された状態の個別ヘッド基板を容易に
分離・取り出すことができる。

【００４５】本発明でも、基板１０２の上側に図示しな
いインク供給口が設けられた第３基板が接合され、その
インク供給口は図示しない接続パイプ及びチューブを介
して図示しないインクタンクに接続されて、インクジェ
ットヘッドが組み立てられる。

【００４６】本発明の方法によれば、第１基板２，第２
基板３の各々基板から各個別ヘッド基板に切断・分離
し、１対ずつ各個別ヘッド基板を整合し、接合する必要
がないので、切断工程，及び接合工程の生産効率が大幅
に改善される。

【００４７】（実施例）直径４インチ，厚さ２００μｍ
の両面研磨された（１００）面方位のｎ型単結晶シリコ
ンウェハ内に異方性エッチングにより１０μｍ程度の厚
みの振動板５等を形成し、そのウェハ内に２０ｍｍ×１
８ｍｍの大きさの個別ヘッドを１６ヘッド分形成した基
板を作製した。

【００４８】また、直径４インチ，厚さ１ｍｍの両面研
磨されたパイレックスガラス基板（コーニング社製＃７
７４０）内に等方性エッチングにより１.０μｍ程度の
空間ギャップ用凹部を設け、その凹部内に１０００Å程
度の厚みの白金電極をパターン形成し、その基板内に２
０ｍｍ×２５ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１６ヘッ
ド形成した基板を作製した。

【００４９】次に、それら各々の基板をアライメントマ
ークを利用して、前述のように、各パターン，各切断線
の位置合わせを行い、個別ヘッド基板に切断・分離する
前にシリコン基板とガラス基板同士の陽極接合を行っ
た。次に、その接合した基板をＤＩＳＣＯ社製のダイシ
ングソー装置（ＤＡＤ５２２型）を利用して、どちらか
片方の基板面を直接ダイシングテーブルに真空チャック
固定し、その反対側の基板から順にＳｉ用、及びガラス
用のブレードを使用して、各々の基板の切断線に沿って
１５０μｍ、及び７５０μｍの基板深さまで切り込みを
入れた。その後、切断されたガラス基板側より各個別ヘ
ッド基板別に劈開した結果、１６個の各個別ヘッド基板
を全て容易に不良なく分離し、取り出すことができた。
また、切断、及び接合工程に要する製造時間が従来の１
／１６程度の時間に短縮され、生産効率が大幅に改善さ
れた。

【００５０】〔発明（４）〕 （構成）図９は、図８と同様の振動板基板と電極基板を
接合した後、各基板の厚みの途中まで切断した際の個別
ヘッド基板（１０２，２０４）の切断部の断面の拡大図
である。本構成では、図８に示す第２基板３の電極リー
ド部、及び電極パッド部と第１基板２との間の距離ｄ₂
を振動板と電極との間の距離ｄ₁よりも広げて、第１基
板２の振動板と接合しない程度に距離を離した第２基板
３ａで構成される。１１２〜１１５と、２１５〜２１６
は切断線を表すものであり、２１５ａ，２１６ａは第２
基板３ａ側の切り込み跡を表すものである。また、本構
成でも、第１基板２側の切断線１１３，１１５と、第２
基板３ａ側の切断線２１５，２１６との位置関係を一致
させて、接合している。

【００５１】（動作）本発明においても、先ず、図９に
示した第１基板２と第２基板３ａを前述の陽極接合法を
利用して接合する。その際、第１基板２の各振動板パタ
ーンに対応して、第２基板３ａの各電極パターンが一致
するように整合し、接合する。同様に、第１基板２側の
切断線と第２基板３ａ側の切断線とを一致させて接合す
ることにより、接合後に１回劈開をするだけで、接合さ
れた個別ヘッド基板を容易に得ることができる。

【００５２】図９に図示したものも、第１基板２，第２
基板３ａを接合した後、前記発明（１）の場合と同様
に、先ず、どちらか片面側から粘着テープ等を使用せず
に、基板を直接ダイシングテーブルに真空チャック固定
し、図１，図２で示したような切断線に沿って両面を基
板の厚みの途中まで切断する（図９）。両面から各基板
を途中まで切断した後、その接合された基板をダイシン
グテーブルより取り外し、第２基板３ａの切断された
（切り込み跡２１５ａ，２１６ａ）側より基板を劈開す
ることにより、接合された各個別ヘッド基板を容易に分
離，取り出すことができる。

【００５３】本発明でも、基板１０２の上側に図示しな
いインク供給口が設けられた第３基板が接合され、その
インク供給口は図示しない接続パイプ及びチューブを介
して図示しないインクタンクに接続されて、インクジェ
ットヘッドが組み立てられる。

【００５４】本発明の方法によれば、陽極接合の際、通
常、振動板と電極との間の距離ｄ₁が非常に狭い（０.５
〜２.０μｍ程度）ために、電極リード部や電極パット
部が第１基板２と接触、あるいは接合されて、電極が電
気的に短絡・溶融してヘッド基板不良となってしまうの
を、電極リード部、及び電極パッド部と第１基板２との
間の距離ｄ₂を振動板と電極との間の距離ｄ₁よりも広げ
て、第１基板２の振動板基板と接合しない程度に距離を
離すことにより、基板接合時の接触によるヘッド基板不
良を防ぐことができる。なお、電極リード部、及び電極
パッド部と第１基板２との間の距離ｄ₂を離す方法とし
ては、第１基板２側の相当する部分の距離を離してもよ
い。

【００５５】（実施例）直径４インチ，厚さ２００μｍ
の両面研磨された（１００）面方位のｎ型単結晶シリコ
ンウェハ内に異方性エッチングにより１０μｍ程度の厚
みの振動板５等を形成し、そのウェハ内に２０ｍｍ×１
８ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１６ヘッド形成した
基板を作製した。

【００５６】また、直径４インチ，厚さ１ｍｍの両面研
磨されたパイレックスガラス基板（コーニング社製＃７
７４０）内に等方性エッチングにより１.０μｍ程度の
空間ギャップ用凹部を設け、さらに電極リード部、及び
電極パッド部に相当する部分に２０μｍ程度の凹部を設
け、各々の凹部内に１０００Å程度の厚みの白金電極を
パターン形成し、その基板内に２０ｍｍ×２５ｍｍの大
きさの個別ヘッド基板を１６ヘッド形成した基板を作製
した。

【００５７】次に、それら各々の基板をアライメントマ
ークを利用して、前述のように、各パターン，各切断線
の位置合わせを行い、個別ヘッド基板に切断・分離する
前にシリコン基板とガラス基板同士の陽極接合を行っ
た。次に、その接合した基板をＤＩＳＣＯ社製のダイシ
ングソー装置（ＤＡＤ５２２型）を利用して、どちらか
片方の基板面を直接ダイシングテーブルに真空チャック
固定し、その反対側の基板から順にＳｉ用、及びガラス
用のブレードを使用して、各々の基板の切断線に沿って
１５０μｍ、及び７５０μｍの基板深さまで切り込みを
入れた。その後、切断されたガラス基板側より各個別ヘ
ッド基板別に劈開した結果、１６個の各個別ヘッド基板
を全て容易に不良なく分離し、取り出すことができた。
また、特に接合時に発生していたヘッド基板不良率が、
従来よりも５％程度に改善された。

【００５８】〔発明（５）〕 （構成）図１０は、電極リード部、及び電極パッド部が
隣接するようにパターン配置した場合の第１基板２ｂと
第２基板３ｂと、それらの各基板を接合した後、各基板
の厚みを途中まで切断した際の個別ヘッド部（１０４，
２０５）、及び（１０５，２０６）の切断部断面の拡大
図である。本構成では、隣接する電極リード部、及び電
極パッド部の間に柱７０が形成されている。１１６〜１
１９と、２１７〜２２０は切断線を表すものであり、２
１７ａ〜２２０ａは第２基板３ｂ側の切り込み跡を表す
ものである。また、本構成でも、第１基板２ｂ側の切断
線１１６〜１１９と、第２基板３ｂ側の切断線２１７〜
２２０との位置関係を一致させて、接合している。

【００５９】（動作）本発明でも、先ず、図１０に示し
た第１基板２ｂと第２基板３ｂを前述の陽極接合法を利
用して接合する。その際、第１基板２ｂの各振動板パタ
ーンに対応して、第２基板３ｂの各電極パターンが一致
するように整合し、接合する。同様に、第１基板２ｂ側
の切断線と第２基板３ｂ側の切断線とを一致させて接合
することにより、接合後に１回劈開をするだけで、接合
された個別ヘッド基板を容易に得ることができる。

【００６０】図１０の場合も同様に、第１基板２ｂ，第
２基板３ｂを接合した後、前記発明（１）の場合と同様
に、先ず、どちらか片面側から粘着テープ等を使用せず
に、基板を直接ダイシングテーブルに真空チャック固定
し、図１，図２で示したような切断線に沿って両面を基
板の厚みの途中まで切断する（図１０）。両面から各基
板を途中まで切断した後、その接合された基板をダイシ
ングテーブルより取り外し、第２基板３ｂの切断された
（切り込み跡２１７ａ〜２２０ａ）側より基板を劈開す
ることにより、接合された各個別ヘッド基板を容易に分
離，取り出すことができる。

【００６１】本発明でも、基板（個別ヘッド部）１０
４，１０５の上側に図示しないインク供給口が設けられ
た第３基板が各々接合され、そのインク供給口は図示し
ない接続パイプ及びチューブを介して図示しないインク
タンクに接続されて、インクジェットヘッドが組み立て
られる。

【００６２】本発明の方法によれば、前記発明（４）の
ごとく陽極接合の際、通常、振動板と電極との間の距離
ｄ₁が非常に狭い（０.５〜２.０μｍ程度）ために、電
極リード部や電極パット部が第１基板２と接触、あるい
は接合されて、電極が電気的に短絡・溶融してヘッド基
板不良となってしまうのを、隣接する電極リード部、及
び電極パッド部との間に柱を設けたことにより、基板接
合時の接触によるヘッド基板不良を防ぐことができる。

【００６３】（実施例）直径４インチ，厚さ２００μｍ
の両面研磨された（１００）面方位のｎ型単結晶シリコ
ンウェハ内に異方性エッチングにより１０μｍ程度の厚
みの振動板５等を形成し、そのウェハ内に２０ｍｍ×１
８ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１６ヘッド分形成し
た基板を作製した。

【００６４】また、直径４インチ，厚さ１ｍｍの両面研
磨されたパイレックスガラス基板（コーニング社製＃７
７４０）内に等方性エッチングにより電極リード部、及
び電極パッド部が隣接するように配置して、１.０μｍ
程度の空間ギャップ用凹部を設け、その凹部内に１００
０Å程度の厚みの白金電極をパターン形成し、その基板
内に２０ｍｍ×２５ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１
６ヘッド分形成した基板を作製した。

【００６５】次に、それら各々の基板をアライメントマ
ークを利用して、前述のように、各パターン，各切断線
の位置合わせを行い、個別ヘッド基板に切断・分離する
前にシリコン基板とガラス基板同士の陽極接合を行っ
た。次に、その接合した基板をＤＩＳＣＯ社製のダイシ
ングソー装置（ＤＡＤ５２２型）を利用して、どちらか
片方の基板面を直接ダイシングテーブルに真空チャック
固定し、その反対側の基板から順にＳｉ用、及びガラス
用のブレードを使用して、各々の基板の切断線に沿って
１５０μｍ、及び７５０μｍの基板深さまで切り込みを
入れた。その後、切断されたガラス基板側より各個別ヘ
ッド基板別に劈開した結果、１６個の各個別ヘッド基板
を全て容易に不良なく分離し、取り出すことができた。
また、特に接合時に電極リード部や、電極パッド部で発
生していたヘッド基板不良率が、従来よりも５％程度に
改善された。

【００６６】〔発明（６）〕 （構成）図１１は、図２の接合用電極パッド部３５から
共通電極部３４付近へかけての断面図を表す。図１１及
び図２とも９０は第１基板２と第１基板３とを接合する
際の外気連通孔を示すものである。

【００６７】（動作）本発明では、図１，図２に示した
第１基板２，第２基板３を前述の陽極接合法を利用して
接合する際に、第２基板３側に形成した空間ギャップ用
の凹部、及びその他第１基板２との非接合部で閉じこめ
られた空気が陽極接合時の温度で膨張しても、第２基板
３側に設けられた外気連通孔９０を通して、膨張した空
気が排出される。なお、外気連通孔９０は第１基板２側
に設けても、何ら問題はない。

【００６８】本発明の方法によれば、第１基板２，第２
基板３を陽極接合した際に生じる空気の熱膨張による薄
い振動板への撓み変形や応力等の発生の影響を防ぐこと
ができるため、接合工程におけるヘッド基板の振動板不
良を防ぐことができる。

【００６９】（実施例）直径４インチ，厚さ２００μｍ
の両面研磨された（１００）面方位のｎ型単結晶シリコ
ンウェハ内に異方性エッチングにより１０μｍ程度の厚
みの振動板５等を形成し、そのウェハ内に２０ｍｍ×１
８ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１６ヘッド分形成し
た基板を作製した。

【００７０】また、直径４インチ，厚さ１ｍｍの両面研
磨されたパイレックスガラス基板（コーニング社製＃７
７４０）内に等方性エッチングにより１.０μｍ程度の
空間ギャップ用凹部、及びその凹部を連通し外気へ通ず
るような凹部を設けて、その凹部内の全面に渡り１００
０Å程度の厚みの白金電極をパターン形成し、その基板
内に２０ｍｍ×２５ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１
６ヘッド分形成した基板を作製した。

【００７１】次に、それら各々の基板をアライメントマ
ークを利用して、前述のように、各パターン，各切断線
の位置合わせを行い、個別ヘッド基板に切断・分離する
前にシリコン基板とガラス基板同士の陽極接合を行っ
た。次に、その接合した基板をＤＩＳＣＯ社製のダイシ
ングソー装置（ＤＡＤ５２２型）を利用して、どちらか
片方の基板面を直接ダイシングテーブルに真空チャック
固定し、その反対側の基板から順にＳｉ用、及びガラス
用のブレードを使用して、各々の基板の切断線に沿って
１５０μｍ、及び７５０μｍの基板深さまで切り込みを
入れた。その後、切断されたガラス基板側より各個別ヘ
ッド基板別に劈開した結果、１６個の各個別ヘッド基板
を全て容易に不良なく分離し、取り出すことができた。
また、接合工程におけるヘッド基板の振動板不良率が従
来に比べて１０％程度に改善された。

【００７２】〔発明（７）〕 （構成）図１１は、前記のように図２の接合用電極パッ
ド部３５から共通電極部３４付近へかけての断面図を表
すものであり、８０は第１基板２と第２基板３とを接合
する際の外気連通孔を封止するための封着剤を表すもの
である。

【００７３】（動作）本発明では、図１，図２に示した
第１基板２，第２基板３を前述の陽極接合法を利用して
接合した後、その接合された基板をダイシングソー装置
にて切断する際、前述の発明（６）で設けられた外気連
通孔を封着剤にて封止した後、基板の切断を行う。

【００７４】本発明の方法によれば、接合された基板を
ダイシングソー装置にて切断する際、両基板間で形成さ
れた微少な空間ギャップへ前記外気連通孔を通してダイ
シングソー装置の切削水が侵入して、空間ギャップが閉
塞されることを防ぐことができるため、切断工程におけ
るヘッドの空間ギャップ不良を防ぐことができる。

【００７５】（実施例）直径４インチ，厚さ２００μｍ
の両面研磨された（１００）面方位のｎ型単結晶シリコ
ンウェハ内に異方性エッチングにより１０μｍ程度の厚
みの振動板５等を形成し、そのウェハ内に２０ｍｍ×１
８ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１６ヘッド形成した
基板を作製した。

【００７６】また、直径４インチ，厚さ１ｍｍの両面研
磨されたパイレックスガラス基板（コーニング社製＃７
７４０）内に等方性エッチングにより１.０μｍ程度の
空間ギャップ用凹部、及びその凹部を連通し外気へ通ず
るような凹部を設けて、その凹部内の全面に渡り１００
０Å程度の厚みの白金電極をパターン形成し、その基板
内に２０ｍｍ×２５ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１
６ヘッド分形成した基板を作製した。

【００７７】次に、それら各々の基板をアライメントマ
ークを利用して、前述のように、各パターン，各切断線
の位置合わせを行い、個別ヘッド基板に切断・分離する
前にシリコン基板とガラス基板同士の陽極接合を行っ
た。ここで、陽極接合を行った後、前記外気へ通じる凹
部に形成された孔を２液性のエポキシ系接着剤にて封じ
た。次に、その接合した基板をＤＩＳＣＯ社製のダイシ
ングソー装置（ＤＡＤ５２２型）を利用して、どちらか
片方の基板面を直接ダイシングテーブルに真空チャック
固定し、その反対側の基板から順にＳｉ用、及びガラス
用のブレードを使用して、各々の基板の切断線に沿って
１５０μｍ、及び７５０μｍの基板深さまで切り込みを
入れた。その後、切断されたガラス基板側より各個別ヘ
ッド基板別に劈開した結果、１６個の各個別ヘッド基板
を全て容易に不良なく分離し、取り出すことができた。
また、切断工程におけるヘッドの空間ギャップ不良率が
従来に比べて５％程度に改善された。なお、前記外気連
通孔の封着剤として、有機感光性のレジストを塗布・ベ
ークしたものも有効であった。

【００７８】〔発明（８）〕 （構成）図２に示すように、先ず、各個別ヘッド基板
（２０１，２０２，２０３）において、その電極，電極
リード部、及び電極パッド部を共通とした電極を設け、
さらにその各ヘッド基板の共通電極を共通とした電極３
４と、その共通電極３４に接続される接合用電極パッド
部３５を第２基板３内に形成している。

【００７９】（動作）本発明では、図１，図２に示した
第１基板２，第２基板３を前述の陽極接合法を利用して
接合する際に、第１基板２内の所定の箇所と第２基板３
内の接合用電極パッド部３５との間を接続し、第１基板
２と第２基板３との間の接合時の高電圧（−３００Ｖ〜
−５００Ｖ）に対して、第１基板２側の振動板と第２基
板３側の電極と間が共通電極３４を介して電気的に等電
位となるようにして、各基板同士を接合する。

【００８０】本発明の方法によれば、第１基板２，第２
基板３を陽極接合した際に生じる高電界の静電引力の影
響による薄い振動板への撓み変形や応力等の発生の影響
を防ぐことができるため、接合工程におけるヘッドの振
動板不良を防ぐことができる。

【００８１】（実施例）直径４インチ，厚さ２００μｍ
の両面研磨された（１００）面方位のｎ型単結晶シリコ
ンウェハ内に異方性エッチングにより１０μｍ程度の厚
みの振動板５等を形成し、そのウェハ内に２０ｍｍ×１
８ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１６ヘッド分形成し
た基板を作製した。

【００８２】また、直径４インチ，厚さ１ｍｍの両面研
磨されたパイレックスガラス基板（コーニング社製＃７
７４０）内に等方性エッチングにより１.０μｍ程度の
空間ギャップ用凹部、及びその凹部を連通し外気へ通ず
るような凹部を設け、その凹部内に各ヘッド基板の電
極，共通電極、及び接合用の電極パッド部となる１００
０Å程度の厚みの白金電極をパターン形成し、その基板
内に２０ｍｍ×２５ｍｍの大きさの個別ヘッド基板を１
６ヘッド分形成した基板を作製した。

【００８３】次に、それら各々の基板をアライメントマ
ークを利用して、前述のように、各パターン，各切断線
の位置合わせを行い、個別ヘッド基板に切断・分離する
前にシリコン基板とガラス基板同士の陽極接合を行っ
た。次に、その接合した基板をＤＩＳＣＯ社製のダイシ
ングソー装置（ＤＡＤ５２２型）を利用して、どちらか
片方の基板面を直接ダイシングテーブルに真空チャック
固定し、その反対側の基板から順にＳｉ用、及びガラス
用のブレードを使用して、各々の基板の切断線に沿って
１５０μｍ、及び７５０μｍの基板深さまで切り込みを
入れた。その後、切断されたガラス基板側より各個別ヘ
ッド基板別に劈開した結果、１６個の各個別ヘッド基板
を全て容易に不良なく分離し、取り出すことができた。
また、接合工程におけるヘッドの振動板不良率が従来に
比べて５％程度に改善された。

【００８４】

【発明の効果】請求項１に対応する効果：ヘッド基板が
切削水によって流出することがないから、基板固定に粘
着テープを使用する必要がなく、切断後粘着テープを剥
がす際に薄い振動板（数μｍ程度の厚さ）が破壊される
こともなくかつ、清浄な接合面が得られる。また、粘着
テープを貼る工程，剥がす工程が省略され、基板接合前
の基板洗浄工程が簡略化されるため、生産効率が向上す
る。

【００８５】請求項２に対応する効果：第１基板、及び
第２基板を劈開分離する際に切り込み部の基板の厚みが
初期厚みのＤの半分（Ｄ／２）以下であるため、劈開が
容易，正確にできるようになり、切断分離する際の不良
率が減少する。また、劈開作業が容易となるため、切断
工程の製造時間がさらに短縮される。

【００８６】請求項３，９に対応する効果：第１基板，
第２基板の各々基板から各個別ヘッド基板に切断・分離
し、１対ずつ各個別ヘッド基板を整合し、接合する必要
がないので、切断工程，及び接合工程の生産効率が大幅
に改善される。

【００８７】請求項４に対応する効果：陽極接合の際、
通常、振動板と電極との間の距離が非常に狭いために、
電極リード部や電極パット部が第１基板と接触、あるい
は接合されて、電極が電気的に短絡・溶融してヘッド基
板不良となってしまうのを、電極リード部、及び電極パ
ッド部と第１基板との間の距離を振動板と電極との間の
距離よりも広げて、第１基板の振動板基板と接合しない
程度に距離を離すことにより、基板接合時の接触による
ヘッド基板不良を防ぐことができる。

【００８８】請求項５に対応する効果：陽極接合の際、
通常、振動板と電極との間の距離が非常に狭いために、
電極リード部や電極パット部が第１基板と接触、あるい
は接合されて、電極が電気的に短絡・溶融してヘッド基
板不良となってしまうのを、隣接する電極リード部、及
び電極パッド部との間に柱を設けたことにより、基板接
合時の接触によるヘッド基板不良を防ぐことができる。

【００８９】請求項６に対応する作用効果：第１基板，
第２基板を陽極接合した際に生じる空気の熱膨張による
薄い振動板への撓み変形や応力等の発生の影響を防ぐこ
とができるため、接合工程におけるヘッド基板の振動板
不良を防ぐことができる。

【００９０】請求項７に対応する効果：接合された基板
をダイシングソー装置にて切断する際、両基板間で形成
された微少な空間ギャップへ前記外気連通孔を通してダ
イシングソー装置の切削水が侵入して、空間ギャップが
閉塞されることを防ぐことができるため、切断工程にお
けるヘッドの空間ギャップ不良を防ぐことができる。

【００９１】請求項８に対応する効果：第１基板側の振
動板と第２基板側の電極とが等電位となるため、第１基
板，第２基板を陽極接合した際に生じる高電界の静電引
力の影響による薄い振動板への撓み変形や応力等の発生
の影響を防ぐことができる接合工程におけるヘッドの振
動板不良を防ぐことができる。

【００９２】請求項１０に対応する効果：製作時におけ
る欠点が解消され、動作が安定し印字品質のバラツキの
少ないインクジェットヘッドを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 振動板が形成された第１基板の全体構造を示
す図である。

【図２】 第２基板の全体構造を示す図である。

【図３】 図１のＡ−Ａ′線に沿った第１基板の断面図
である。

【図４】 第１基板から切断・分離した後における個別
のヘッド基板の断面図である。

【図５】 図２のＢ−Ｂ′線に沿った第２基板の断面図
である。

【図６】 第２基板から切断・分離した後における個別
のヘッド基板の断面図である。

【図７】 第１基板の断面図における切断部付近の拡大
図である。

【図８】 第１基板及び第２基板を接合した後、各基板
の厚さの途中まで切断した場合における個別ヘッド基板
部の切断部の断面拡大図である。

【図９】 図８と同様の他の実施例を示す図である。

【図１０】 電極リード部及び電極パッド部が隣接すよ
うにパターン配置した場合における、図９と同様の図で
ある。

【図１１】 図２における接合用電極パッド部から共通
電極部付近にかけての断面図を示す図である。

【符号の説明】

２，２ｂ…第１基板、２ａ…オリフラ、３，３ａ，３ｂ
…第２基板、４…ノズル溝、５…振動板、６…インク吐
出室、７…オリフィス、８…共通液室、９…空間ギャッ
プ、３１…電極、３２…電極リード、３３…電極パッ
ド、３４…共通電極部、３５…接合用電極パッド部、７
０…柱、８０…封着剤、９０…外気連通孔、１００…切
り込み跡、１０１，１０２，１０３…個別のヘッド基
板、１０４，１０５，２０５，２０６…個別ヘッド部、
１１１〜１１９，２１１〜２２０…切断線、１１１ａ〜
１１６ａ，２１１ａ〜２２０ａ…切り込み跡、２０１，
２０２，２０３，２０４…個別のヘッド基板。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 振動板を有するヘッド基板が形成された
   第１基板、及び電極が形成されたヘッド基板を有する第
   ２基板からそれぞれヘッド基板を分離してインクジェッ
   トヘッドを製造する方法であって、前記ヘッド基板の分
   離の際に前記第１基板、あるいは前記第２基板の厚み方
   向の途中まで切断した後、前記ヘッド基板を個別に分離
   することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記第１基板、あるいは前記第２基板の
   厚みの半分以上の厚みを切断した後、前記ヘッド基板を
   個別に分離したことを特徴とする請求項１記載のインク
   ジェットヘッドの製造方法。
3. 【請求項３】 振動板を有するヘッド基板が形成された
   第１の基板、及び電極が形成されたヘッド基板を有する
   第２の基板からそれぞれヘッド基板を分離してインクジ
   ェットヘッドを製造する方法であって、前記第１基板と
   前記第２基板を接合し、該接合された基板の両面より、
   前記第１基板、及び前記第２基板の厚み方向の途中まで
   切断して接合したヘッド基板を個別に分離することを特
   徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】 前記第２基板の電極引き出し部と、前記
   第１基板とを接合しない程度に距離を離したことを特徴
   とする請求項３記載のインクジェットヘッドの製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記第２基板上の第１のヘッド基板の各
   電極引き出し部と、該ヘッド基板に隣接する第２のヘッ
   ド基板の各電極引き出し部との間に柱を設けたことを特
   徴とする請求項３記載のインクジェットヘッドの製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記第１基板と前記第２基板との接合の
   際、非接合部が外気と連通する孔を設けたことを特徴と
   する請求項３乃至５のいずれかに記載のインクジェット
   ヘッドの製造方法。
7. 【請求項７】 前記第１基板と前記第２基板とを接合し
   た後、接合された基板をダイシングソー装置で切断する
   際に、非接合部が外気と連通するように設けられた孔を
   封じたことを特徴とする請求項６記載のインクジェット
   ヘッドの製造方法。
8. 【請求項８】 前記第２基板上の第１のヘッド基板の各
   電極引き出し部に接続された第１の共通電極と、該ヘッ
   ド基板に隣接する第２のヘッド基板の各電極引き出し部
   に接続された第２の共通電極とを接続して共通にしたこ
   とを特徴とする請求項３乃至７のいずれかに記載のイン
   クジェットヘッドの製造方法。
9. 【請求項９】 前記第１基板のパターンと前記第２基板
   のパターンを整合して接合する際、前記第１基板、およ
   び前記第２基板上の切断線をほぼ一致させ、かつ、接合
   後に前記第１基板，前記第２基板の厚み方向の途中まで
   切断した後、第２基板側より前記接合したヘッド基板を
   個別に分離したことを特徴とする請求項３乃至８のいず
   れかに記載のインクジェットヘッドの製造方法。
10. 【請求項１０】 インクを吐出するためのノズルと、該
    ノズルに連通するインク流路と、該流路の一部に設けら
    れた振動板と、該振動板に対向して設けられた電極とを
    有し、前記振動板と前記電極との間に生じる静電気力を
    利用して、前記振動板を変形させ、前記ノズルからイン
    ク液滴を吐出する、請求項１乃至９のいずれかに記載さ
    れた方法によって製造されたことを特徴とするインクジ
    ェットヘッド。