JPH1077264A - N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環状アミン類およびその製造方法 - Google Patents
N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環状アミン類およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH1077264A JPH1077264A JP8255501A JP25550196A JPH1077264A JP H1077264 A JPH1077264 A JP H1077264A JP 8255501 A JP8255501 A JP 8255501A JP 25550196 A JP25550196 A JP 25550196A JP H1077264 A JPH1077264 A JP H1077264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitrobenzyloxycarbonyl
- formula
- carbonyldiimidazole
- compound
- cyclic amine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Hydrogenated Pyridines (AREA)
- Pyrrole Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 2級アミンを発生することができる新規な光
塩基発生剤およびその安全かつ簡便な製造方法を開発す
る。 【解決手段】 下記一般式(1)(式中、m=5または
6、nは0から2の整数)で表されるN−(2−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル)環状アミン類、および、
N,N’−カルボニルジイミダゾールと2−ニトロベン
ジルアルコールとを反応させた後、下記一般式(2)
(式中、mおよびnは上で定義した通り)で表される環
状アミンを反応させる、一般式(1)で表されるN−
(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環状アミン類
の製造方法。 【化1】
塩基発生剤およびその安全かつ簡便な製造方法を開発す
る。 【解決手段】 下記一般式(1)(式中、m=5または
6、nは0から2の整数)で表されるN−(2−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル)環状アミン類、および、
N,N’−カルボニルジイミダゾールと2−ニトロベン
ジルアルコールとを反応させた後、下記一般式(2)
(式中、mおよびnは上で定義した通り)で表される環
状アミンを反応させる、一般式(1)で表されるN−
(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環状アミン類
の製造方法。 【化1】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジスト用
の光塩基発生剤等として有用な新規化合物であるN−
(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環状アミン類
およびその製造方法に関するものである。
の光塩基発生剤等として有用な新規化合物であるN−
(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環状アミン類
およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】紫外光照射によって分解し、アミンを発
生する化合物が、近年、フォトレジスト用途に開発され
ている。例えば、このような光照射によりアミンを発生
する化合物としてアルキルカルバミン酸2−ニトロベン
ジルエステル類が知られている。この化合物は、酸硬化
型のポリマーに熱酸発生剤とともに添加することによ
り、ポジ型のフォトレジストを与えることが、Jour
nal of Photopolymer Scien
ce and Technology 1990年3巻
3号419−422ページに記載されている。また、同
じ化合物を、カルボン酸含有ポリマーに添加することに
より、ネガ型のフォトレジストを与えることが、Go
v.Rep.Announce Index 1993
年93巻18号1−11ページに記載されている。
生する化合物が、近年、フォトレジスト用途に開発され
ている。例えば、このような光照射によりアミンを発生
する化合物としてアルキルカルバミン酸2−ニトロベン
ジルエステル類が知られている。この化合物は、酸硬化
型のポリマーに熱酸発生剤とともに添加することによ
り、ポジ型のフォトレジストを与えることが、Jour
nal of Photopolymer Scien
ce and Technology 1990年3巻
3号419−422ページに記載されている。また、同
じ化合物を、カルボン酸含有ポリマーに添加することに
より、ネガ型のフォトレジストを与えることが、Go
v.Rep.Announce Index 1993
年93巻18号1−11ページに記載されている。
【0003】さらに、アルキルカルバミン酸3,5−ジ
メトキシベンジルエステル類も、同様に、光照射により
アミンを発生することが、J.Org.Chem.19
90年55巻5919−5922ページに記載されてい
る。そしてこれらの化合物が発生するアミンはいずれも
1級アミンである。
メトキシベンジルエステル類も、同様に、光照射により
アミンを発生することが、J.Org.Chem.19
90年55巻5919−5922ページに記載されてい
る。そしてこれらの化合物が発生するアミンはいずれも
1級アミンである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、発生する塩
基が2級アミンである方が、より塩基性が高く求核性が
小さいので、性能のよいフォトレジストが得られると考
えられることから、2級アミンを発生する光塩基発生剤
の開発が望まれていた。従って、本発明は、光照射によ
り2級アミンを発生する新規な光塩基発生剤およびその
安全かつ簡便な製造方法を開発することを目的とする。
基が2級アミンである方が、より塩基性が高く求核性が
小さいので、性能のよいフォトレジストが得られると考
えられることから、2級アミンを発生する光塩基発生剤
の開発が望まれていた。従って、本発明は、光照射によ
り2級アミンを発生する新規な光塩基発生剤およびその
安全かつ簡便な製造方法を開発することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記目的を解
決すべく検討を行った結果、下記一般式(1)
決すべく検討を行った結果、下記一般式(1)
【化3】 (式中、m=5または6であり、nは0から2の整数を
表す。)で表されるN−(2−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル)環状アミン類を見いだすにいたった。上記一
般式(1)の環状アミンの部分は、5員環または6員環
である。また、環状アミン中のメチレン基の水素原子は
2個までメチル基で置換されていてもよい。
表す。)で表されるN−(2−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル)環状アミン類を見いだすにいたった。上記一
般式(1)の環状アミンの部分は、5員環または6員環
である。また、環状アミン中のメチレン基の水素原子は
2個までメチル基で置換されていてもよい。
【0006】さらに、この一般式(1)の化合物を安全
かつ簡便に製造する方法を検討した結果、発明者は以下
の方法を見いだした。すなわち、N,N’−カルボニル
ジイミダゾールと2−ニトロベンジルアルコールとを反
応させた後、下記一般式(2)
かつ簡便に製造する方法を検討した結果、発明者は以下
の方法を見いだした。すなわち、N,N’−カルボニル
ジイミダゾールと2−ニトロベンジルアルコールとを反
応させた後、下記一般式(2)
【化4】 (式中、mおよびnは、上で定義した通りである。)で
表される環状アミンを反応させる、ことを特徴とする製
造方法である。
表される環状アミンを反応させる、ことを特徴とする製
造方法である。
【0007】以下に、この製造方法を詳しく説明する。
まず、N,N’−カルボニルジイミダゾールと2−ニト
ロベンジルアルコールとを反応させてN−(2−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル)イミダゾールを生成する
(第一工程)。N,N’−カルボニルジイミダゾールと
反応させる2−ニトロベンジルアルコールの量は、N,
N’−カルボニルジイミダゾール1モルに対して一般に
0.95〜1.0モルであり、2−ニトロベンジルアル
コールが過剰にならないようにするのが好ましい。過剰
の2−ニトロベンジルアルコールは生成したN−(2−
ニトロベンジルオキシカルボニル)イミダゾールと反応
して副産物のビス(2−ニトロベンジル)カーボネート
となり、目的物の収率が低下するからである。
まず、N,N’−カルボニルジイミダゾールと2−ニト
ロベンジルアルコールとを反応させてN−(2−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル)イミダゾールを生成する
(第一工程)。N,N’−カルボニルジイミダゾールと
反応させる2−ニトロベンジルアルコールの量は、N,
N’−カルボニルジイミダゾール1モルに対して一般に
0.95〜1.0モルであり、2−ニトロベンジルアル
コールが過剰にならないようにするのが好ましい。過剰
の2−ニトロベンジルアルコールは生成したN−(2−
ニトロベンジルオキシカルボニル)イミダゾールと反応
して副産物のビス(2−ニトロベンジル)カーボネート
となり、目的物の収率が低下するからである。
【0008】N,N’−カルボニルジイミダゾールと2
−ニトロベンジルアルコールとの反応は、反応溶媒中で
行われる。反応溶媒としては、N,N−ジメチルホルム
アミド(DMF)、ジメチルスルホキシド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、テ
トラメチル尿素、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジ
ノン等の非プロトン性の極性溶媒が単独でまたは2種以
上を組み合わせて用いられ、なかでもDMFが好まし
い。N,N’−カルボニルジイミダゾールと2−ニトロ
ベンジルアルコールとを反応させる際、N,N’−カル
ボニルジイミダゾールをDMF溶液または懸濁液とし、
これに2−ニトロベンジルアルコールのDMF溶液を加
えるのが一般的である。
−ニトロベンジルアルコールとの反応は、反応溶媒中で
行われる。反応溶媒としては、N,N−ジメチルホルム
アミド(DMF)、ジメチルスルホキシド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、テ
トラメチル尿素、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジ
ノン等の非プロトン性の極性溶媒が単独でまたは2種以
上を組み合わせて用いられ、なかでもDMFが好まし
い。N,N’−カルボニルジイミダゾールと2−ニトロ
ベンジルアルコールとを反応させる際、N,N’−カル
ボニルジイミダゾールをDMF溶液または懸濁液とし、
これに2−ニトロベンジルアルコールのDMF溶液を加
えるのが一般的である。
【0009】N,N’−カルボニルジイミダゾールと2
−ニトロベンジルアルコールとの反応温度は、一般に−
20℃〜+30℃、好ましくは0℃〜+10℃である。
これより高い温度では、副産物のビス(2−ニトロベン
ジル)カーボネートの割合が高くなり、目的物の収率が
低下するからである。さらに、上記反応は発熱反応であ
るので、反応温度が高くならないように、N,N’−カ
ルボニルジイミダゾールと2−ニトロベンジルアルコー
ルとを反応させることが必要である。例えば、反応器を
冷却しながら、反応器から除熱できる速度で、N,N’
−カルボニルジイミダゾールのDMF溶液または懸濁液
に2−ニトロベンジルアルコールのDMF溶液を加え
る。
−ニトロベンジルアルコールとの反応温度は、一般に−
20℃〜+30℃、好ましくは0℃〜+10℃である。
これより高い温度では、副産物のビス(2−ニトロベン
ジル)カーボネートの割合が高くなり、目的物の収率が
低下するからである。さらに、上記反応は発熱反応であ
るので、反応温度が高くならないように、N,N’−カ
ルボニルジイミダゾールと2−ニトロベンジルアルコー
ルとを反応させることが必要である。例えば、反応器を
冷却しながら、反応器から除熱できる速度で、N,N’
−カルボニルジイミダゾールのDMF溶液または懸濁液
に2−ニトロベンジルアルコールのDMF溶液を加え
る。
【0010】次に、第一工程で生成したN−(2−ニト
ロベンジルオキシカルボニル)イミダゾールと上記一般
式(2)で表される環状アミンとを反応させる(第二工
程)。その際、第一工程で生成したN−(2−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル)イミダゾールを反応液から単
離してから第二工程に進んでもよいが、単離せずに反応
液のまま第二工程に進むのが簡便で好ましい。すなわ
ち、第二工程の反応も、第一工程の反応と同様の反応溶
媒、好ましくはDMF中で行われるので、例えば、上記
第一工程で得られた、反応溶媒としてDMFが使用され
ている反応液に、一般式(2)で表される環状アミンの
DMF溶液を加える。
ロベンジルオキシカルボニル)イミダゾールと上記一般
式(2)で表される環状アミンとを反応させる(第二工
程)。その際、第一工程で生成したN−(2−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル)イミダゾールを反応液から単
離してから第二工程に進んでもよいが、単離せずに反応
液のまま第二工程に進むのが簡便で好ましい。すなわ
ち、第二工程の反応も、第一工程の反応と同様の反応溶
媒、好ましくはDMF中で行われるので、例えば、上記
第一工程で得られた、反応溶媒としてDMFが使用され
ている反応液に、一般式(2)で表される環状アミンの
DMF溶液を加える。
【0011】上記一般式(2)で表される環状アミンと
しては、ピロリジン、ピペリジン、2,5−ジメチルピ
ロリジン、2−メチルピペリジン、3−メチルピペリジ
ン、4−メチルピペリジン、2,6−ジメチルピペリジ
ン、3,3−ジメチルピペリジン、3,5−ジメチルピ
ペリジン等が挙げられる。また、反応させる一般式
(2)の環状アミンの量は、第一工程で用いたN,N’
−カルボニルジイミダゾール1モルに対して一般に1〜
1.5モルである。窒素原子のまわりの立体障害が大き
く反応し難いアミンを用いる場合には、アミンを過剰に
用いるのが好ましい。
しては、ピロリジン、ピペリジン、2,5−ジメチルピ
ロリジン、2−メチルピペリジン、3−メチルピペリジ
ン、4−メチルピペリジン、2,6−ジメチルピペリジ
ン、3,3−ジメチルピペリジン、3,5−ジメチルピ
ペリジン等が挙げられる。また、反応させる一般式
(2)の環状アミンの量は、第一工程で用いたN,N’
−カルボニルジイミダゾール1モルに対して一般に1〜
1.5モルである。窒素原子のまわりの立体障害が大き
く反応し難いアミンを用いる場合には、アミンを過剰に
用いるのが好ましい。
【0012】N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル)イミダゾールと一般式(2)で表される環状アミン
との反応温度は、一般に−20℃〜+80℃であり、環
状アミンのかさ高さによって適当な温度を選択するのが
好ましい。N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル)イミダゾールと上記一般式(2)で表される環状ア
ミンとの反応によって、目的とするN−(2−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル)環状アミンが生成する。生成
されたN−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環
状アミンは、慣用の方法で、例えば反応溶媒を除去する
ことにより、反応液から単離され、場合によりさらに、
再結晶化またはクロマトグラフィーなどにより精製され
る。
ル)イミダゾールと一般式(2)で表される環状アミン
との反応温度は、一般に−20℃〜+80℃であり、環
状アミンのかさ高さによって適当な温度を選択するのが
好ましい。N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル)イミダゾールと上記一般式(2)で表される環状ア
ミンとの反応によって、目的とするN−(2−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル)環状アミンが生成する。生成
されたN−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環
状アミンは、慣用の方法で、例えば反応溶媒を除去する
ことにより、反応液から単離され、場合によりさらに、
再結晶化またはクロマトグラフィーなどにより精製され
る。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を実施例を用
いて説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定さ
れるものではない。
いて説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定さ
れるものではない。
【0014】
【実施例】本発明の実施例を示す。実施例1 N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)ピロリジ
ンの製造 滴下ロート、温度計およびマグネチックスターラーを備
えた100mlの三口ガラスフラスコを窒素置換し、
N,N’−カルボニルジイミダゾール1.78g(11
mmol)を仕込んだ。ここにN,N−ジメチルホルム
アミド5mlを加えて懸濁させ、懸濁液をマグネチック
スターラーで撹拌しながら氷浴で冷却し、0〜5℃とし
た。
ンの製造 滴下ロート、温度計およびマグネチックスターラーを備
えた100mlの三口ガラスフラスコを窒素置換し、
N,N’−カルボニルジイミダゾール1.78g(11
mmol)を仕込んだ。ここにN,N−ジメチルホルム
アミド5mlを加えて懸濁させ、懸濁液をマグネチック
スターラーで撹拌しながら氷浴で冷却し、0〜5℃とし
た。
【0015】一方、2−ニトロベンジルアルコール1.
53g(10mmol)をN,N−ジメチルホルムアミ
ド5mlに溶解させて、2−ニトロベンジルアルコール
のDMF溶液を得た。氷浴で冷却して懸濁液の温度を0
〜5℃に維持しながら、懸濁液にこの溶液を、滴下ロー
トから30分かけて滴下して加えた。フラスコ内の反応
液を、0〜5℃で30分熟成した後、反応液をこの温度
に維持しながら、これにピロリジン1.00g(14m
mol)のDMF5ml溶液を滴下ロートから10分か
けて滴下して加えた。次いで、氷浴をはずして反応液を
室温で4時間熟成した。その後、反応液をロータリーエ
バポレーターで濃縮しDMFを除いた後、残さをシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、無色油状物
2.31gを得た。
53g(10mmol)をN,N−ジメチルホルムアミ
ド5mlに溶解させて、2−ニトロベンジルアルコール
のDMF溶液を得た。氷浴で冷却して懸濁液の温度を0
〜5℃に維持しながら、懸濁液にこの溶液を、滴下ロー
トから30分かけて滴下して加えた。フラスコ内の反応
液を、0〜5℃で30分熟成した後、反応液をこの温度
に維持しながら、これにピロリジン1.00g(14m
mol)のDMF5ml溶液を滴下ロートから10分か
けて滴下して加えた。次いで、氷浴をはずして反応液を
室温で4時間熟成した。その後、反応液をロータリーエ
バポレーターで濃縮しDMFを除いた後、残さをシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、無色油状物
2.31gを得た。
【0016】1H−核磁気共鳴スペクトル、赤外吸収ス
ペクトルおよび質量スペクトルの結果より、この油状物
は、N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)ピロ
リジンであることが確認された。使用した2−ニトロベ
ンジルアルコールに対する収率は92%であった。
ペクトルおよび質量スペクトルの結果より、この油状物
は、N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)ピロ
リジンであることが確認された。使用した2−ニトロベ
ンジルアルコールに対する収率は92%であった。
【0017】1H−NMR(CDCl3 ):δ(pp
m) 7.4−8.1(4H,m,ベンゼン環),5.5(2
H,s,ベンジル位),3.9(4H,m,N−C
H2 ),1.8(4H,m,N−CH2 CH 2 ) IR(KBr):1702(CO),1528(N
O2 )cm-1 MS(EI)m/z:250(M+ )
m) 7.4−8.1(4H,m,ベンゼン環),5.5(2
H,s,ベンジル位),3.9(4H,m,N−C
H2 ),1.8(4H,m,N−CH2 CH 2 ) IR(KBr):1702(CO),1528(N
O2 )cm-1 MS(EI)m/z:250(M+ )
【0018】実施例2 N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)−3,5
−ジメチルピペリジンの製造 実施例1と同様に行った。但し、ピロリジンの代わり
に、3,5−ジメチルピペリジン1.47g(13mm
ol)を用いた。これによって、白色固体2.82gが
得られた。
−ジメチルピペリジンの製造 実施例1と同様に行った。但し、ピロリジンの代わり
に、3,5−ジメチルピペリジン1.47g(13mm
ol)を用いた。これによって、白色固体2.82gが
得られた。
【0019】1H−核磁気共鳴スペクトル、赤外吸収ス
ペクトルおよび質量スペクトルの結果より、この白色固
体は、N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)−
3,5−ジメチルピペリジンであることが確認された。
使用した2−ニトロベンジルアルコールに対する収率は
96%であった。
ペクトルおよび質量スペクトルの結果より、この白色固
体は、N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)−
3,5−ジメチルピペリジンであることが確認された。
使用した2−ニトロベンジルアルコールに対する収率は
96%であった。
【0020】1H−NMR(CDCl3 ):δ(pp
m) 7.3−8.1(4H,m,ベンゼン環),5.5(2
H,s,ベンジル位),3.9−4.3(2H,m,ピ
ペリジン環),0.8−2.6(12H,m,ピペリジ
ン環) IR(KBr):1703(CO),1527(N
O2 )cm-1 MS(EI)m/z:292(M+ )
m) 7.3−8.1(4H,m,ベンゼン環),5.5(2
H,s,ベンジル位),3.9−4.3(2H,m,ピ
ペリジン環),0.8−2.6(12H,m,ピペリジ
ン環) IR(KBr):1703(CO),1527(N
O2 )cm-1 MS(EI)m/z:292(M+ )
【0021】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではない。上記実施例は例示であり、本発明の特許
請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構
成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるも
のであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ものではない。上記実施例は例示であり、本発明の特許
請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構
成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるも
のであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【0022】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、N−
(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環状アミン類
が、安全かつ簡便に提供される。この化合物は、2級の
環状アミンを発生するので、フォトレジスト用の光塩基
発生剤として有用である。
(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環状アミン類
が、安全かつ簡便に提供される。この化合物は、2級の
環状アミンを発生するので、フォトレジスト用の光塩基
発生剤として有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 智之 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 畠山 潤 新潟県中頚城郡頚城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内
Claims (2)
- 【請求項1】 下記一般式(1) 【化1】 (式中、m=5または6であり、nは0から2の整数を
表す。)で表されるN−(2−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル)環状アミン類。 - 【請求項2】 N,N’−カルボニルジイミダゾールと
2−ニトロベンジルアルコールとを反応させた後、下記
一般式(2) 【化2】 (式中、mおよびnは、請求項1で定義した通りであ
る。)で表される環状アミンを反応させる、ことを特徴
とする請求項1に記載の一般式(1)で表されるN−
(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環状アミン類
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8255501A JPH1077264A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環状アミン類およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8255501A JPH1077264A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環状アミン類およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1077264A true JPH1077264A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=17279635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8255501A Pending JPH1077264A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環状アミン類およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1077264A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100670090B1 (ko) * | 2000-11-29 | 2007-01-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 아민 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
WO2008072651A1 (ja) | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | 光塩基発生剤及び光硬化性樹脂組成物 |
WO2010038828A1 (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | 昭和電工株式会社 | N-(α-芳香族置換-2-ニトロ-4,5-ジアルコキシベンジルオキシカルボニル)アミン化合物およびその製造方法 |
WO2010064631A1 (ja) | 2008-12-02 | 2010-06-10 | 和光純薬工業株式会社 | 光塩基発生剤 |
KR20110109911A (ko) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 및 레지스트 조성물 |
JP2013142810A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2014134570A (ja) * | 2013-01-08 | 2014-07-24 | Eiweiss Kk | 光塩基発生剤組成物 |
JP2014162778A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Eiweiss Kk | 化合物、その製造方法および光塩基発生剤組成物 |
CN104285168A (zh) * | 2012-05-11 | 2015-01-14 | 住友化学株式会社 | 偏振板 |
KR20150109454A (ko) | 2013-02-21 | 2015-10-01 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감광성 조성물, 광 경화성 조성물, 화학증폭형 레지스트 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스 |
US9377685B2 (en) | 2011-09-22 | 2016-06-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
US9405200B2 (en) | 2011-09-22 | 2016-08-02 | Toyko Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
US9411224B2 (en) | 2011-05-11 | 2016-08-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming resist pattern |
-
1996
- 1996-09-05 JP JP8255501A patent/JPH1077264A/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100670090B1 (ko) * | 2000-11-29 | 2007-01-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 아민 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
WO2008072651A1 (ja) | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | 光塩基発生剤及び光硬化性樹脂組成物 |
US8137892B2 (en) | 2006-12-14 | 2012-03-20 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Photobase generator and photocurable resin composition |
JPWO2010038828A1 (ja) * | 2008-10-02 | 2012-03-01 | 昭和電工株式会社 | N−(α−芳香族置換−2−ニトロ−4,5−ジアルコキシベンジルオキシカルボニル)アミン化合物およびその製造方法 |
WO2010038828A1 (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | 昭和電工株式会社 | N-(α-芳香族置換-2-ニトロ-4,5-ジアルコキシベンジルオキシカルボニル)アミン化合物およびその製造方法 |
US8957212B2 (en) | 2008-12-02 | 2015-02-17 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Photobase generator |
WO2010064631A1 (ja) | 2008-12-02 | 2010-06-10 | 和光純薬工業株式会社 | 光塩基発生剤 |
KR20110106859A (ko) | 2008-12-02 | 2011-09-29 | 와코 쥰야꾸 고교 가부시키가이샤 | 광염기 발생제 |
KR20110109911A (ko) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 및 레지스트 조성물 |
US9411224B2 (en) | 2011-05-11 | 2016-08-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming resist pattern |
US9405200B2 (en) | 2011-09-22 | 2016-08-02 | Toyko Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
US9377685B2 (en) | 2011-09-22 | 2016-06-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
US9494866B2 (en) | 2011-09-22 | 2016-11-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
JP2013142810A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
CN104285168A (zh) * | 2012-05-11 | 2015-01-14 | 住友化学株式会社 | 偏振板 |
JP2014134570A (ja) * | 2013-01-08 | 2014-07-24 | Eiweiss Kk | 光塩基発生剤組成物 |
KR20150109454A (ko) | 2013-02-21 | 2015-10-01 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감광성 조성물, 광 경화성 조성물, 화학증폭형 레지스트 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스 |
US9488911B2 (en) | 2013-02-21 | 2016-11-08 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition, photocurable composition, chemical amplification resist composition, resist film, pattern forming method, method of manufacturing electronic device and electronic device |
JP2014162778A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Eiweiss Kk | 化合物、その製造方法および光塩基発生剤組成物 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH1077264A (ja) | N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)環状アミン類およびその製造方法 | |
EP0529842B1 (en) | Production of fluoxetine and new intermediates | |
TW513399B (en) | Method for preparing triarylsulfonium salts | |
JPS6160077B2 (ja) | ||
JPH1077257A (ja) | N,n−ジアルキルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル類およびその製造方法 | |
RU2272036C2 (ru) | Способ получения мезилатов производных пиперазина | |
JP4118949B2 (ja) | 2―クロロ―5―クロロメチルチアゾールの合成方法 | |
JPH07316111A (ja) | N,n−二置換(メタ)アクリルアミド誘導体の製造方法 | |
JP2008273906A (ja) | ニトロ化ウレタン化合物およびその製造方法 | |
JP7370195B2 (ja) | ヘキサヒドロベンゾジピロリウム塩を用いたゼオライトの製造方法及び新規なヘキサヒドロベンゾジピロリウム塩 | |
JPH0784427B2 (ja) | 医・農薬中間原料の製造方法 | |
JPS6272662A (ja) | 4−アルコキシ−3−ピロリン−2−オン−1−イル−酢酸アルキルエステルおよびその製造方法 | |
WO2010038828A1 (ja) | N-(α-芳香族置換-2-ニトロ-4,5-ジアルコキシベンジルオキシカルボニル)アミン化合物およびその製造方法 | |
JPS5830312B2 (ja) | シンキナピラゾ−ルスルホンアミドルイノ セイゾウホウ | |
JPS588065A (ja) | エタンブト−ルスルホン酸誘導体の製造方法 | |
JPH04308578A (ja) | 1−〔2−(メタクリロイルオキシ)エチル〕−2−アルキルイミダゾール化合物 | |
CA1293263C (en) | Process for the preparation of substituted sulfonamidobenzamides and a novel intermediate thereto | |
US3751462A (en) | Process for preparation of substituted fluoromethanesulfonanilides | |
WO2001044152A1 (en) | Process for the production of trifluoromethylacetophenones | |
JP4136007B2 (ja) | 分子内に2−トリハロメチル−1,3,4−オキサジアゾール−5−イル基を有するカルボン酸塩誘導体およびカルボン酸エステル誘導体の製造方法 | |
JPH0413674A (ja) | ジヒドロフラノン誘導体の製造方法 | |
JP3961049B2 (ja) | 3−アミノ−4−(1−ヒドロキシアルキル)ピラゾリン化合物、その製造方法およびそれを使用した製造方法 | |
JPS5813551B2 (ja) | シンキナピリド ( 4,3−d ) ピリミジンジオンユウドウタイノセイゾウホウ | |
JPH02145578A (ja) | アシルモルホリドの製造方法 | |
KR100487959B1 (ko) | 광이미지 및 광메모리용 찰콘 화합물 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050531 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050524 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050712 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051004 |