JPH107487A - 磁場印加による半導体単結晶の製造方法 - Google Patents

磁場印加による半導体単結晶の製造方法

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JPH107487A
JPH107487A JP8181210A JP18121096A JPH107487A JP H107487 A JPH107487 A JP H107487A JP 8181210 A JP8181210 A JP 8181210A JP 18121096 A JP18121096 A JP 18121096A JP H107487 A JPH107487 A JP H107487A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 絞り部を破断させずに大重量の半導体単結晶
を引き上げることが可能なＭＣＺ法による半導体単結晶
の製造方法を提供する。 【解決手段】 絞り工程において、対流による融液表面
近傍の温度変動幅を５℃以上にすることにより結晶成長
界面の形状に変化を起こさせ、絞り部を無転位化する。
磁石６，６により横磁場を印加する場合、磁場強度を２
０００ガウス以下に下げ、結晶成長界面の形状を適度に
変化させて絞り部１０を形成する。これにより、絞り部
１０の直径を通常より太くしても無転位化を達成するこ
とができる。無転位化後は磁場強度を復元し、肩部１１
以降を形成する。なお、カスプ磁場印加の場合は、上下
の磁石の一方の磁場強度を増加するとともに他方の磁場
強度を減少させ、または上下の磁石を垂直移動させるこ
とにより、融液表面近傍を縦磁場に近似する状態にして
絞りを行う。無転位化後は磁場強度または磁石位置を復
元する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁場印加による半
導体単結晶の製造方法に係り、特に絞り部の直径を大重
量の半導体単結晶の引き上げに耐え得る太さにしても無
転位化を達成することが可能な半導体単結晶の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁場印加による半導体単結晶の製造方法
（以下ＭＣＺ法という）は、半導体単結晶製造装置の周
囲に設けた磁石により融液に磁場を印加して融液の動粘
性率を高め、チョクラルスキー法（以下ＣＺ法という）
によるシリコン単結晶の引き上げを行う方法である。磁
場の作用により融液の対流が抑制されるため、融液表面
近傍の温度変動が低減し、安定したシリコン単結晶の育
成を進めることができる。また、融液と石英るつぼ（Ｓ
ｉＯ2 ）との反応が抑制または促進されるので、シリコ
ン単結晶中の酸素濃度の制御に有効な方法である。
【０００３】ＭＣＺ法によるシリコン単結晶の引き上げ
においては、ＣＺ法の場合と同様にシードチャックに取
り付けた種結晶を多結晶シリコンの融液に浸漬してなじ
ませた後、シードチャックを引き上げてシリコン単結晶
を成長させる。種結晶には、融液に浸漬させたときに加
えられる熱衝撃によって転位が発生するため、シリコン
単結晶を細く長く成長させる絞り工程で無転位化し、肩
工程でシリコン単結晶の直径を所定の寸法まで拡大した
後、直胴工程に移行する。印加する磁場の強度は各工程
とも一定の値に維持されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＣＺ
法によるシリコン単結晶の製造においては、磁場の印加
により融液の対流が抑えられて融液表面近傍の温度変動
が小さくなるため固液界面が安定し、種結晶に存在して
いる転位が左右方向に逃げず、シリコン単結晶の内部に
残存したままとなることがある。そこで、無転位化を達
成するためには、ＣＺ法を用いてシリコン単結晶を引き
上げる場合よりも絞り部の直径を更に細くして転位が抜
けるまで長く絞らなければならない。ＣＺ法によるシリ
コン単結晶の製造においては、引き上げるシリコン単結
晶の重量が絞り部の直径によって制限され、制限重量を
超えると絞り部が破断してシリコン単結晶が落下する危
険性があるが、ＭＣＺ法を用いた場合はＣＺ法を用いた
場合よりも落下の危険性が一層高くなる。また、近年は
シリコン単結晶の大径化に伴ってその重量が増大してお
り、ＭＣＺ法による大径のシリコン単結晶量の引き上げ
は一層困難となっている。
【０００５】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、大径、大重量の半導体単結晶を絞り部の破
断を起こさずに安全に引き上げることが可能な、ＭＣＺ
法による半導体単結晶の製造方法を提供することを目的
としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体単結晶の製造方法は、磁場印加
による半導体単結晶の製造に際し、肩工程に先立つ絞り
工程において、対流による融液表面近傍の温度変動幅を
５℃以上にすることにより結晶成長界面の形状に変化を
起こさせ、絞り部を無転位化することを特徴とする。
【０００７】上記半導体単結晶の製造方法において、横
磁場を印加している場合は磁場強度を２０００ガウス以
下に下げて絞りを行い、無転位化した後、磁場強度を復
元して半導体単結晶を引き上げる構成とした。
【０００８】また、カスプ磁場を印加している場合は、
カスプ磁場を形成する上下の磁石の一方の磁場強度を増
加するとともに他方の磁場強度を減少させ、または上下
の磁石を垂直方向に移動させることにより、融液表面近
傍を縦磁場に近似する状態にして絞りを行い、無転位化
した後、上下の磁石の磁場強度または上下の磁石位置を
復元して半導体単結晶を引き上げる構成とした。
【０００９】
【発明の実施の形態および実施例】本発明は、特に大
径、大重量の半導体単結晶をＭＣＺ法によって引き上げ
る場合に、絞り部の破断を起こさないように太くし、か
つ、種結晶に存在する転位の伝播を防止することを目的
とした半導体単結晶の製造方法である。上記構成によれ
ば、ＭＣＺ法による半導体単結晶製造の絞り工程におい
て、融液表面近傍の温度変動を適度に起こさせて結晶成
長界面の形状を変化させることにしたので、転位が絞り
部の外周面に抜けやすくなる。従って、絞り部を、大重
量の半導体単結晶を引き上げるのに適した強度を備えた
直径としても無転位化を達成することができる。
【００１０】横磁場を印加して半導体単結晶を製造する
場合は、絞り工程において磁場強度を２０００ガウス以
下に下げることにより、結晶成長界面の形状が適度に変
化する。これにより、絞り部の直径を通常より太くして
も無転位化を達成することができる。
【００１１】また、カスプ磁場を印加して半導体単結晶
を製造する場合は、絞り工程において上下の磁石の磁場
強度を変え、または上下の磁石の位置を変えることによ
り、融液表面近傍に縦磁場に近似する磁場が形成され、
結晶成長界面の形状が適度に変化するので、絞り部の直
径を通常より太くしても無転位化を達成することができ
る。
【００１２】次に、本発明に係る半導体単結晶の製造方
法の実施例について図面を参照して説明する。図１は、
横磁場を印加する半導体単結晶製造装置の要部断面説明
図である。この半導体単結晶製造装置は、ＣＺ法による
通常の半導体単結晶製造装置と同様に、メインチャンバ
１内に黒鉛るつぼ２が回転および昇降自在に設置され、
黒鉛るつぼ２に石英るつぼ３が収容されている。前記黒
鉛るつぼ３の周囲には円筒状のヒータ４と保温筒５とが
設置されている。また、メインチャンバ１の左右両側に
は環状の磁石６，６がそれぞれ垂直に立てた状態で設置
されている。
【００１３】石英るつぼ３に原料である塊状の多結晶シ
リコンを充填し、ヒータ４によって原料を加熱溶解して
融液７とする。そして、シードチャック８に取り付けた
種結晶９を融液７に浸漬してなじませた後、シードチャ
ック８および黒鉛るつぼ２を互いに同方向または逆方向
に回転しつつシードチャック８を引き上げて単結晶を成
長させる。磁石６，６に通電した場合、融液７を水平方
向に横断する磁界が印加され、磁力線と直交する上下方
向の融液対流が抑制されるため、融液７の温度変動が小
さくなる。
【００１４】絞り工程の開始に当たり、融液７の表面近
傍における温度変動動幅を５℃以上にするため、磁場強
度を２０００ガウス以下に下げる。これにより、融液７
の上下方向対流が活発になり、それまで安定状態にあっ
た結晶成長界面の形状が適度に変化する。この状態で種
結晶９を徐々に絞り込み、最終的な絞り部１０の直径を
４ｍｍφとする。この間に、種結晶９に存在している垂
直方向の転位は、絞り部１０の直径が４ｍｍ以上であっ
ても絞り部１０の外周面に抜け、その下方に形成される
肩部１１に伝播しない。
【００１５】絞り部１０の無転位化が確認された後、肩
工程に移行する。このとき、磁場強度を徐々に高め、所
定の値に復元する。肩工程では、育成する単結晶シリコ
ンの直径を所定の寸法まで徐々に拡大し、引き続いて直
胴部１２を形成する。肩工程以降の磁場強度は所定値を
維持する。
【００１６】図２は、カスプ磁場を印加する半導体単結
晶製造装置の要部断面説明図である。この装置の場合、
メインチャンバ１の周囲には環状の上部磁石１３、下部
磁石１４が設置されている。通常の場合、上部磁石１３
の磁力線は、図２に点線で示すように融液７の表面上方
でほぼ水平方向に曲がる。下部磁石１４の磁力線は、融
液７の表面下方でほぼ水平方向に曲がり、石英るつぼ３
の側壁をほぼ垂直に貫通する。このため、石英るつぼ３
の側壁に沿う融液対流が抑制される。一方、結晶成長界
面近傍では磁界がほぼ零となるので、融液の対流は抑制
されない。
【００１７】絞り工程の開始に当たり、融液７の温度変
動動幅を５℃以上にする第１の方法として、上部磁石１
３、下部磁石１４の磁場強度の一方を強く、他方を弱く
する。図３は上部磁石１３の磁場強度を強くし、下部磁
石１４の磁場強度を弱くした場合のそれぞれの磁力線を
示す図で、図３以降は石英るつぼ、融液および磁石のみ
を示し、その他は記載を省略している。上部磁石１３の
磁場強度をＢU 、下部磁石１４の磁場強度をＢL とした
とき、磁場強度の増減量は下記の算式を満足する値とな
るようにする。 １．０＜ＢU ÷ＢL ≦３．０ 上部磁石１３の磁力線は上方から融液７にほぼ垂直に入
り、融液７の表面下方でほぼ水平方向に曲がり、石英る
つぼ３の側壁をほぼ垂直に貫通する。これにより、融液
７の表面近傍が縦磁場に近い状態となり、融液７の上下
対流が活発化する。従って、結晶成長界面の形状が適度
に変化し、絞り部の直径が４ｍｍ以上であっても無転位
化が達成される。
【００１８】図４は上部磁石１３の磁場強度を弱くし、
下部磁石１４の磁場強度を強くした場合のそれぞれの磁
力線を示す図である。上部磁石１３の磁場強度をＢU 、
下部磁石１４の磁場強度をＢL としたとき、磁場強度の
増減量は下記の算式を満足する値となるようにする。 １．０＜ＢL ÷ＢU ≦３．０ 下部磁石１４の磁力線は石英るつぼ３の下方から融液７
にほぼ垂直に入り、そのまま融液７を貫通して融液表面
上方でほぼ水平方向に曲がる。これにより、融液表面近
傍が縦磁場に近い状態となり、融液７の上下対流が活発
化して、結晶成長界面の形状が適度に変化するので、絞
り部の直径が４ｍｍ以上であっても無転位化が達成され
る。
【００１９】カスプ磁場を印加する半導体単結晶製造装
置において、融液の温度変動動幅を５℃以上にする第２
の方法として、上部磁石と下部磁石とを同時に垂直方向
に移動させてもよい。図５は融液面と磁石との位置関係
を説明する図で、上部磁石１３と下部磁石１４との間隔
を２ｄ、上下磁石間の中心線から融液表面までの距離を
ａとすると、 ０＜ａ≦２ｄ を満足する範囲で上下の磁石を移動させるものとする。
【００２０】図６は、上部磁石１３および下部磁石１４
を下方に移動させた状態を示し、上部磁石１３の磁力線
は図３と同様に上方から融液７にほぼ垂直に入り、融液
７の表面下方でほぼ水平方向に曲がり、石英るつぼの３
の側壁をほぼ垂直に貫通する。また、図７は、上部磁石
１３および下部磁石１４を上方に移動させた状態を示
し、下部磁石１４の磁力線は、図４と同様にるつぼの下
方から融液７にほぼ垂直に入り、そのまま融液７を貫通
して融液表面上方でほぼ水平方向に曲がる。いずれの場
合も融液表面近傍が縦磁場に近い状態となり、融液７の
上下対流が活発化するので、結晶成長界面の形状が適度
に変化し、絞り部の直径が４ｍｍ以上であっても無転位
化が達成される。
【００２１】上記のように、絞り工程において横磁場の
場合は磁場強度を２０００ガウス以下に下げ、カスプ磁
場の場合は上下の磁石の磁場強度を増減するか、または
上下の磁石をともに垂直方向に移動して融液表面近傍を
縦磁場に近い状態とすることにより、結晶成長界面の形
状変化が大きくなる。いずれの場合も、無転位化率は従
来の磁場印加引き上げ時の５０％に対して９０％に向上
した。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、通
常のＣＺ法による半導体単結晶引き上げの場合よりも絞
り部直径を細くして無転位化する必要があったＭＣＺ法
の半導体単結晶製造において、磁場強度を弱め、または
磁場強度の変更ないし磁石位置を変更して結晶成長界面
に適度の変化を起こさせることにしたので、従来よりも
絞り部直径を太くしても容易に無転位化が達成できる。
これにより、大径、大重量の半導体単結晶を絞り部で破
断することなく、安全に引き上げることができ、半導体
単結晶の生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】横磁場を印加する半導体単結晶製造装置の要部
断面説明図である。
【図２】カスプ磁場を印加する半導体単結晶製造装置の
要部断面説明図である。
【図３】カスプ磁場を印加する半導体単結晶製造装置に
おいて、融液の温度変動動幅を大きくする第１の方法の
一例を説明する図である。
【図４】カスプ磁場を印加する半導体単結晶製造装置に
おいて、融液の温度変動動幅を大きくする第１の方法の
他の例を説明する図である。
【図５】カスプ磁場を印加する半導体単結晶製造装置に
おいて、融液の温度変動動幅を大きくする第２の方法の
融液面と磁石との位置関係を説明する図である。
【図６】カスプ磁場を印加する半導体単結晶製造装置に
おいて、融液の温度変動動幅を大きくする第２の方法の
一例を説明する図である。
【図７】カスプ磁場を印加する半導体単結晶製造装置に
おいて、融液の温度変動動幅を大きくする第２の方法の
他の例を説明する図である。
【符号の説明】
３ 石英るつぼ ６ 磁石 ７ 融液 ９ 種結晶 １０ 絞り部 １１ 肩部 １３ 上部磁石 １４ 下部磁石

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁場印加による半導体単結晶の製造に際
    し、肩工程に先立つ絞り工程において、対流による融液
    表面近傍の温度変動幅を５℃以上にすることにより結晶
    成長界面の形状に変化を起こさせ、絞り部を無転位化す
    ることを特徴とする磁場印加による半導体単結晶の製造
    方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体単結晶の製造方法
    において、横磁場の強度を２０００ガウス以下に下げて
    絞りを行い、無転位化した後、磁場強度を復元して半導
    体単結晶を引き上げることを特徴とする磁場印加による
    半導体単結晶の製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体単結晶の製造方法
    において、カスプ磁場を形成する上下の磁石の一方の磁
    場強度を増加するとともに他方の磁場強度を減少させ、
    または上下の磁石を垂直方向に移動させることにより、
    融液表面近傍を縦磁場に近似する状態にして絞りを行
    い、無転位化した後、上下の磁石の磁場強度または上下
    の磁石位置を復元して半導体単結晶を引き上げることを
    特徴とする磁場印加による半導体単結晶の製造方法。
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TW086103791A TW470788B (en) 1996-06-20 1997-03-25 Magnetic field applied fabrication method for a semiconductor single crystal
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11335198A (ja) * 1998-03-25 1999-12-07 Nsc Electron Corp シリコン単結晶ウェ―ハおよびその製造方法
JP2001261495A (ja) * 2000-03-23 2001-09-26 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 無欠陥結晶の製造方法
JP2007031260A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Siltron Inc 高品質シリコン単結晶インゴット製造方法，成長装置及び前記方法及び装置から製造されたインゴット，ウエハ
KR100804459B1 (ko) 2005-07-25 2008-02-20 가부시키가이샤 사무코 실리콘 단결정 제조 방법 및 실리콘 단결정
JP2008526666A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 成長するシリコン結晶のメルト−固体界面形状の可変磁界を用いる制御
JP2008526667A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 結晶成長プロセスにおける液状シリコンの電磁的ポンピング
CN106498487A (zh) * 2016-11-17 2017-03-15 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 熔区附加磁场装置及具有其的vgf单晶生长炉
WO2023008508A1 (ja) * 2021-07-29 2023-02-02 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2992988B2 (ja) * 1997-11-06 1999-12-20 日本電気株式会社 シリコン単結晶育成方法
JP3783495B2 (ja) * 1999-11-30 2006-06-07 株式会社Ｓｕｍｃｏ 高品質シリコン単結晶の製造方法
JP3598972B2 (ja) * 2000-12-20 2004-12-08 三菱住友シリコン株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JP4187998B2 (ja) * 2002-05-10 2008-11-26 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 単結晶の製造方法及び製造装置
US7713888B2 (en) * 2004-05-24 2010-05-11 Ashkenazi Brian I Magnetic processing of electronic materials
US9988740B1 (en) 2016-08-16 2018-06-05 Northrop Grumman Systems Corporation Shaped induction field crystal printer

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6027682A (ja) * 1983-07-26 1985-02-12 Toshiba Corp 単結晶引上装置
JPH0431386A (ja) * 1990-05-25 1992-02-03 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体単結晶引上方法
US5178720A (en) * 1991-08-14 1993-01-12 Memc Electronic Materials, Inc. Method for controlling oxygen content of silicon crystals using a combination of cusp magnetic field and crystal and crucible rotation rates

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11335198A (ja) * 1998-03-25 1999-12-07 Nsc Electron Corp シリコン単結晶ウェ―ハおよびその製造方法
JP2001261495A (ja) * 2000-03-23 2001-09-26 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 無欠陥結晶の製造方法
JP2008526666A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 成長するシリコン結晶のメルト−固体界面形状の可変磁界を用いる制御
JP2008526667A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 結晶成長プロセスにおける液状シリコンの電磁的ポンピング
KR100804459B1 (ko) 2005-07-25 2008-02-20 가부시키가이샤 사무코 실리콘 단결정 제조 방법 및 실리콘 단결정
JP2007031260A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Siltron Inc 高品質シリコン単結晶インゴット製造方法，成長装置及び前記方法及び装置から製造されたインゴット，ウエハ
CN106498487A (zh) * 2016-11-17 2017-03-15 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 熔区附加磁场装置及具有其的vgf单晶生长炉
WO2023008508A1 (ja) * 2021-07-29 2023-02-02 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JP2023019420A (ja) * 2021-07-29 2023-02-09 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法

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