JPH1074620A - 金属薄膜型磁気記録媒体 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体Info
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- JPH1074620A JPH1074620A JP22961796A JP22961796A JPH1074620A JP H1074620 A JPH1074620 A JP H1074620A JP 22961796 A JP22961796 A JP 22961796A JP 22961796 A JP22961796 A JP 22961796A JP H1074620 A JPH1074620 A JP H1074620A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高保磁力化と媒体ノイズの低減化を同時に達
成できる金属薄膜型磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 媒体基板とＣｒ下地層の間に、原子％に
て、Ｎｉ：３６〜４６％、Ｃｕ：０.５〜６％、残部実
質的にＣｒからなる結晶質合金のシード層を形成する。
シード層は、媒体基板に負のバイアス電圧を印加しなが
ら形成される。
成できる金属薄膜型磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 媒体基板とＣｒ下地層の間に、原子％に
て、Ｎｉ：３６〜４６％、Ｃｕ：０.５〜６％、残部実
質的にＣｒからなる結晶質合金のシード層を形成する。
シード層は、媒体基板に負のバイアス電圧を印加しなが
ら形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク等
の磁気ディスク装置に使用される磁気記録媒体に関し、
より具体的には、保磁力及び記録再生特性にすぐれた金
属薄膜型磁気記録媒体に関するものである。
の磁気ディスク装置に使用される磁気記録媒体に関し、
より具体的には、保磁力及び記録再生特性にすぐれた金
属薄膜型磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスクに用いられる金属薄膜型
磁気記録媒体は、一般に図４に示す如く、Ａｌ合金から
なる非磁性のサブストレート(21)上に非晶質のＮｉＰ層
(22)が形成された媒体基板(2)に、実質的にＣｒからな
る下地層(4)、Ｃｏ合金の磁性層(5)、カーボン等の保護
膜(6)を順次積層成膜して形成されている。
磁気記録媒体は、一般に図４に示す如く、Ａｌ合金から
なる非磁性のサブストレート(21)上に非晶質のＮｉＰ層
(22)が形成された媒体基板(2)に、実質的にＣｒからな
る下地層(4)、Ｃｏ合金の磁性層(5)、カーボン等の保護
膜(6)を順次積層成膜して形成されている。
【０００３】金属薄膜型磁気記録媒体には、記録密度、
即ち線記録密度とトラック密度の向上が望まれている。
しかしながら、線記録密度を向上させると、線形等価に
よって除去できない非線形な波形干渉が生じ、記録分解
能の劣化の原因となる。この非線形波形干渉は、円周方
向の磁気的異方性が大きくなるほど増大する傾向にあ
る。トラック密度の向上には、トラック全体に占めるト
ラックエッジでの媒体ノイズの低減が非常に重要とな
る。トラックエッジでの媒体ノイズの増加は、円周方向
の磁気的異方性に起因する。
即ち線記録密度とトラック密度の向上が望まれている。
しかしながら、線記録密度を向上させると、線形等価に
よって除去できない非線形な波形干渉が生じ、記録分解
能の劣化の原因となる。この非線形波形干渉は、円周方
向の磁気的異方性が大きくなるほど増大する傾向にあ
る。トラック密度の向上には、トラック全体に占めるト
ラックエッジでの媒体ノイズの低減が非常に重要とな
る。トラックエッジでの媒体ノイズの増加は、円周方向
の磁気的異方性に起因する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】媒体基板の表面には、
ヘッドと媒体との間の摩擦を軽減するために、テキスチ
ャーと呼ばれる微細な凹凸が円周方向に形成されること
が多い。このテキスチャーはＣｏ合金磁性層の周方向の
磁気的異方性を高めることになるため、保磁力の向上に
対しても有効であることが知られている。しかしなが
ら、円周方向の磁気異方性の向上は、上述のとおり、媒
体ノイズの増加に繋がる。非線形波形干渉を軽減し、か
つ媒体ノイズの増加を防ぐために、円周方向のテキスチ
ャーを施さずに、媒体基板の表面に超平滑加工を施した
金属薄膜型磁気記録媒体もある。しかしながら、テキス
チャーの形成を省略すると、磁性層の磁気的異方性はな
くなるが、所望レベルの保磁力を得られない不都合があ
る。保磁力の向上には、磁性層のＣｏ合金にＰｔを添加
することが有効であるが、Ｐｔの添加はスパッタリング
装置のターゲットが高価になること、さらに媒体ノイズ
が大きくなる問題がある。
ヘッドと媒体との間の摩擦を軽減するために、テキスチ
ャーと呼ばれる微細な凹凸が円周方向に形成されること
が多い。このテキスチャーはＣｏ合金磁性層の周方向の
磁気的異方性を高めることになるため、保磁力の向上に
対しても有効であることが知られている。しかしなが
ら、円周方向の磁気異方性の向上は、上述のとおり、媒
体ノイズの増加に繋がる。非線形波形干渉を軽減し、か
つ媒体ノイズの増加を防ぐために、円周方向のテキスチ
ャーを施さずに、媒体基板の表面に超平滑加工を施した
金属薄膜型磁気記録媒体もある。しかしながら、テキス
チャーの形成を省略すると、磁性層の磁気的異方性はな
くなるが、所望レベルの保磁力を得られない不都合があ
る。保磁力の向上には、磁性層のＣｏ合金にＰｔを添加
することが有効であるが、Ｐｔの添加はスパッタリング
装置のターゲットが高価になること、さらに媒体ノイズ
が大きくなる問題がある。
【０００５】本発明の目的は、高保磁力化と媒体ノイズ
の低減を同時に達成できる金属薄膜型磁気記録媒体を提
供することである。
の低減を同時に達成できる金属薄膜型磁気記録媒体を提
供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体は、媒体基板と下
地層の間に、原子％にて、Ｎｉ：３６〜４６％、Ｃｕ：
０.５〜６％、残部実質的にＣｒからなる結晶質合金の
シード層を設けたものであり、該シード層は、媒体基板
に負のバイアス電圧を印加しながら形成される。
に、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体は、媒体基板と下
地層の間に、原子％にて、Ｎｉ：３６〜４６％、Ｃｕ：
０.５〜６％、残部実質的にＣｒからなる結晶質合金の
シード層を設けたものであり、該シード層は、媒体基板
に負のバイアス電圧を印加しながら形成される。
【０００７】
【作用】シード層を構成する結晶質合金には難固溶性の
Ｃｕが含まれており、媒体基板に負のバイアス電圧を印
加しながら、前記組成の結晶質合金のシード層を媒体基
板の上に形成すると、Ｃｕが結晶粒界に偏析として析出
し、Ｎｉ−Ｃｒの母相の結晶成長を抑制し結晶が微細化
される結果、シード層の上に成膜されるＣｒ下地層の主
たる結晶配向である(２１１)配向が向上し、ひいては該
下地層の上に成膜されるＣｏ合金磁性層の主たる結晶配
向である(１００)配向が向上する。また、Ｃｒ下地層の
結晶が微細化されて、ひいてはＣｏ合金磁性層の結晶が
微細化される。このように、Ｃｏ合金磁性層の結晶配向
が向上し、結晶が微細化されることにより、磁気記録媒
体の高保磁力化と媒体ノイズの低減化が同時に達成され
る。
Ｃｕが含まれており、媒体基板に負のバイアス電圧を印
加しながら、前記組成の結晶質合金のシード層を媒体基
板の上に形成すると、Ｃｕが結晶粒界に偏析として析出
し、Ｎｉ−Ｃｒの母相の結晶成長を抑制し結晶が微細化
される結果、シード層の上に成膜されるＣｒ下地層の主
たる結晶配向である(２１１)配向が向上し、ひいては該
下地層の上に成膜されるＣｏ合金磁性層の主たる結晶配
向である(１００)配向が向上する。また、Ｃｒ下地層の
結晶が微細化されて、ひいてはＣｏ合金磁性層の結晶が
微細化される。このように、Ｃｏ合金磁性層の結晶配向
が向上し、結晶が微細化されることにより、磁気記録媒
体の高保磁力化と媒体ノイズの低減化が同時に達成され
る。
【０００８】Ｃｒを主体とするシード層の中に適量のＮ
ｉを含有すると、磁気記録媒体の高保磁力化に有効であ
る。このため、シード層にはＮｉを３６〜４６原子％含
有させるものとし、３８〜４４原子％がより望ましい。
Ｃｕは、シード層を形成する際、媒体基板に負のバイア
ス電圧を印加したとき、シード層の結晶を微細化する作
用を有しており、Ｃｏ合金磁性層の主たる結晶配向であ
る(１００)配向をさらに向上させて、また微細化を促進
する作用を有する。このため、０.５原子％以上含有さ
せるが、あまりに多く含有すると、Ｃｕの偏析量が多く
なりすぎるので上限は６原子％とする。
ｉを含有すると、磁気記録媒体の高保磁力化に有効であ
る。このため、シード層にはＮｉを３６〜４６原子％含
有させるものとし、３８〜４４原子％がより望ましい。
Ｃｕは、シード層を形成する際、媒体基板に負のバイア
ス電圧を印加したとき、シード層の結晶を微細化する作
用を有しており、Ｃｏ合金磁性層の主たる結晶配向であ
る(１００)配向をさらに向上させて、また微細化を促進
する作用を有する。このため、０.５原子％以上含有さ
せるが、あまりに多く含有すると、Ｃｕの偏析量が多く
なりすぎるので上限は６原子％とする。
【０００９】媒体基板にテキスチャーを施した場合であ
っても、Ｃｒ下地層との間に前記組成の結晶質シード層
を設けたことにより、磁性層の磁気的異方性は低減され
る。従って、磁気的異方性に起因する媒体ノイズの増加
は抑制され、かつ非線形波形干渉を低減することができ
る。
っても、Ｃｒ下地層との間に前記組成の結晶質シード層
を設けたことにより、磁性層の磁気的異方性は低減され
る。従って、磁気的異方性に起因する媒体ノイズの増加
は抑制され、かつ非線形波形干渉を低減することができ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の金属薄膜型磁気
記録媒体(1)の部分断面図を示しており、Ａｌ合金また
はガラスからなるサブストレート(21)にＮｉＰ層(22)を
形成した媒体基板(2)上に、結晶質シード層(3)、下地層
(4)、磁性層(5)及び保護膜(6)を、この順序で積層成膜
している。結晶質シード層(3)は、望ましくはＡｒガス
等の不活性ガス雰囲気中で、媒体基板(2)に負のバイア
ス電圧を印加しながらスパッタリングにより、媒体基板
(2)のＮｉＰ層(22)の上に形成される。図１では、Ｎｉ
Ｐ層(22)、シード層(3)、下地層(4)、磁性層(5)及び保
護膜(6)がサブストレート(21)に関して対称に成膜され
ており、両面で書込み／読出しを行なえる構成としてい
るが、各層を片面にのみ成膜して、片面のみで書込み／
読出しを行なう構成とすることもできる。
記録媒体(1)の部分断面図を示しており、Ａｌ合金また
はガラスからなるサブストレート(21)にＮｉＰ層(22)を
形成した媒体基板(2)上に、結晶質シード層(3)、下地層
(4)、磁性層(5)及び保護膜(6)を、この順序で積層成膜
している。結晶質シード層(3)は、望ましくはＡｒガス
等の不活性ガス雰囲気中で、媒体基板(2)に負のバイア
ス電圧を印加しながらスパッタリングにより、媒体基板
(2)のＮｉＰ層(22)の上に形成される。図１では、Ｎｉ
Ｐ層(22)、シード層(3)、下地層(4)、磁性層(5)及び保
護膜(6)がサブストレート(21)に関して対称に成膜され
ており、両面で書込み／読出しを行なえる構成としてい
るが、各層を片面にのみ成膜して、片面のみで書込み／
読出しを行なう構成とすることもできる。
【００１１】媒体基板(2)のＮｉＰ層(22)には、ヘッド
と媒体との間の摩擦を軽減するために、円周方向にテキ
スチャーを施してもよい。一方、ヘッドの低浮上化のた
めに磁気記録媒体(1)に平坦度が要求される場合には、
スーパーフィニッシュ加工を施して表面を超平滑化させ
ることができる。
と媒体との間の摩擦を軽減するために、円周方向にテキ
スチャーを施してもよい。一方、ヘッドの低浮上化のた
めに磁気記録媒体(1)に平坦度が要求される場合には、
スーパーフィニッシュ加工を施して表面を超平滑化させ
ることができる。
【００１２】シード層(3)の厚さは約１００〜１０００
Åが望ましい。シード層(3)の厚さが薄すぎるとシード
層(3)の効果が十分に発揮されず、あまり厚くなりすぎ
ると、その上に形成されるＣｒ下地層(4)及びＣｏ合金
磁性層(5)の粒子の粗大化を招き、ノイズが増大するお
それがあるからである。また、シード層(3)の上に成膜
されるＣｒ下地層(4)の厚さは、２００〜１０００Åが
望ましく、４００〜８００Åがより望ましい。これは、
下地層(4)の層厚を約８００Åより厚くしても、磁気記
録媒体(1)の保磁力のさらなる向上は期待できないため
であり、１０００Åよりも厚くすると、その上に形成さ
れるＣｏ合金磁性層(5)の粒子の粗大化を招き、ノイズ
が増大するおそれがあるためである。
Åが望ましい。シード層(3)の厚さが薄すぎるとシード
層(3)の効果が十分に発揮されず、あまり厚くなりすぎ
ると、その上に形成されるＣｒ下地層(4)及びＣｏ合金
磁性層(5)の粒子の粗大化を招き、ノイズが増大するお
それがあるからである。また、シード層(3)の上に成膜
されるＣｒ下地層(4)の厚さは、２００〜１０００Åが
望ましく、４００〜８００Åがより望ましい。これは、
下地層(4)の層厚を約８００Åより厚くしても、磁気記
録媒体(1)の保磁力のさらなる向上は期待できないため
であり、１０００Åよりも厚くすると、その上に形成さ
れるＣｏ合金磁性層(5)の粒子の粗大化を招き、ノイズ
が増大するおそれがあるためである。
【００１３】下地層(4)は、公知の如く、実質的にＣｒ
から形成する。実質的にＣｒとは、必ずしも１００％Ｃ
ｒである必要はなく、Ｃｒを約９５原子％以上含有して
おればよい。なお、下地層(4)をシード層(3)の上に成膜
する際、Ｃｒ下地層(4)を所望の結晶配向とするため
に、シード層(3)及びＮｉＰ層(22)を赤外線ヒーター等
によって約２５０〜３００℃に加熱した状態で実施する
ことが望ましい。
から形成する。実質的にＣｒとは、必ずしも１００％Ｃ
ｒである必要はなく、Ｃｒを約９５原子％以上含有して
おればよい。なお、下地層(4)をシード層(3)の上に成膜
する際、Ｃｒ下地層(4)を所望の結晶配向とするため
に、シード層(3)及びＮｉＰ層(22)を赤外線ヒーター等
によって約２５０〜３００℃に加熱した状態で実施する
ことが望ましい。
【００１４】磁性層(5)は、Ｃｏを主成分とする公知の
Ｃｏ合金から形成する。ＮｉＰ層(22)、下地層(4)、磁
性層(5)及び保護膜(6)の形成は、公知の如く、ＤＣスパ
ッタリング法、メッキ法又は真空蒸着法等の方法により
行なうことができる。
Ｃｏ合金から形成する。ＮｉＰ層(22)、下地層(4)、磁
性層(5)及び保護膜(6)の形成は、公知の如く、ＤＣスパ
ッタリング法、メッキ法又は真空蒸着法等の方法により
行なうことができる。
【００１５】
【実施例】実施例１ この実施例は、シード層を形成する際に印加するバイア
ス電圧と保磁力(Ｈｃ)との関係を調べるものであり、下
記条件でＤＣスパッタリング装置を用いて各層を順に成
膜した。 ・媒体基板 サブストレート：Ａｌ合金製(３.５inch−３１.５mil) ＮｉＰ層 ：厚さ１０μm 表面処理 ：円周方向の機械的テキスチャー 粗さ ：Ｒａ＝２８Å ・シード層 組成：Ｎｉ４０原子％、Ｃｕ２原子％、残部実質Ｃｒ(Ｃ
ｒ58Ｎｉ40Ｃｕ2) 厚さ：６００Å 組織：結晶質 成膜時のバイアス電圧：０Ｖ、−１００Ｖ、−２００
Ｖ、−３００Ｖ ・下地層 組成：実質的にＣｒ 厚さ：６００Å 成膜時の基板加熱温度：２６０℃ 成膜時のバイアス電圧：−２００Ｖ ・磁性層 組成：原子％にて、Ｃｒ１４％、Ｔａ６％、残部実質的
にＣｏ 厚さ：４００Å 成膜時のバイアス電圧：−２００Ｖ ・保護膜 厚さ：１２０Å 組成：実質的にＣ
ス電圧と保磁力(Ｈｃ)との関係を調べるものであり、下
記条件でＤＣスパッタリング装置を用いて各層を順に成
膜した。 ・媒体基板 サブストレート：Ａｌ合金製(３.５inch−３１.５mil) ＮｉＰ層 ：厚さ１０μm 表面処理 ：円周方向の機械的テキスチャー 粗さ ：Ｒａ＝２８Å ・シード層 組成：Ｎｉ４０原子％、Ｃｕ２原子％、残部実質Ｃｒ(Ｃ
ｒ58Ｎｉ40Ｃｕ2) 厚さ：６００Å 組織：結晶質 成膜時のバイアス電圧：０Ｖ、−１００Ｖ、−２００
Ｖ、−３００Ｖ ・下地層 組成：実質的にＣｒ 厚さ：６００Å 成膜時の基板加熱温度：２６０℃ 成膜時のバイアス電圧：−２００Ｖ ・磁性層 組成：原子％にて、Ｃｒ１４％、Ｔａ６％、残部実質的
にＣｏ 厚さ：４００Å 成膜時のバイアス電圧：−２００Ｖ ・保護膜 厚さ：１２０Å 組成：実質的にＣ
【００１６】各磁気記録媒体の保磁力Ｈｃの測定結果を
図２に示す。図２を参照すると、媒体基板に印加する負
のバイアス電圧が大きくなるにつれて、磁気記録媒体の
保磁力Ｈｃが上昇しており、難固溶性のＣｕによるＮｉ
−Ｃｒの母相の結晶成長抑制と結晶微細化効果は、負の
バイアス電圧の印加により高められることを示してい
る。
図２に示す。図２を参照すると、媒体基板に印加する負
のバイアス電圧が大きくなるにつれて、磁気記録媒体の
保磁力Ｈｃが上昇しており、難固溶性のＣｕによるＮｉ
−Ｃｒの母相の結晶成長抑制と結晶微細化効果は、負の
バイアス電圧の印加により高められることを示してい
る。
【００１７】図２の結果より、約１９００Ｏｅ以上の保
磁力を得るためには、シード層の形成時に媒体基板に印
加するバイアス電圧を約−１５０Ｖ以上にすることが望
ましく、約２１００Ｏｅ以上の保磁力を得るためには、
約−２００Ｖ以上のバイアス電圧を印加することがより
望ましい。
磁力を得るためには、シード層の形成時に媒体基板に印
加するバイアス電圧を約−１５０Ｖ以上にすることが望
ましく、約２１００Ｏｅ以上の保磁力を得るためには、
約−２００Ｖ以上のバイアス電圧を印加することがより
望ましい。
【００１８】実施例２ この実施例は、記録再生特性を調べるものである。上記
磁気記録媒体に加えて、組成が原子％にて、Ｎｉ：４２
％、Ｃｕ：３％、残部実質的にＣｒ(Ｃｒ55Ｎｉ42Ｃｕ
3)である合金を、媒体基板にバイアス電圧−３００Ｖを
印加しつつスパッタリングして、結晶質シード層を形成
した磁気記録媒体を作製した。なお、シード層の成分及
び印加するバイアス電圧以外は、実施例１の磁気記録媒
体と同様である。得られた磁気記録媒体は、磁気特性が
異なると記録再生特性も異なるため、磁気記録媒体は、
磁性層の成膜時のバイアス電圧及び基板温度を調整し
て、Ｂｒ・δが約２２０Ｇμとなるように作製した。記
録再生特性の測定は、Ｓｉｌｍａｇ社製のＰＨＳヘッド
を用いて行なった。測定結果を表１に示す。
磁気記録媒体に加えて、組成が原子％にて、Ｎｉ：４２
％、Ｃｕ：３％、残部実質的にＣｒ(Ｃｒ55Ｎｉ42Ｃｕ
3)である合金を、媒体基板にバイアス電圧−３００Ｖを
印加しつつスパッタリングして、結晶質シード層を形成
した磁気記録媒体を作製した。なお、シード層の成分及
び印加するバイアス電圧以外は、実施例１の磁気記録媒
体と同様である。得られた磁気記録媒体は、磁気特性が
異なると記録再生特性も異なるため、磁気記録媒体は、
磁性層の成膜時のバイアス電圧及び基板温度を調整し
て、Ｂｒ・δが約２２０Ｇμとなるように作製した。記
録再生特性の測定は、Ｓｉｌｍａｇ社製のＰＨＳヘッド
を用いて行なった。測定結果を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１中、ＳＮｍは媒体ノイズと信号強度と
の比、Ｎｍは媒体のノイズを表わす。ＮＬＴＳは、Non
Linear Transition Shiftの略語で、既に書き込まれた
記録パターン上の漏洩磁場がヘッドの記録磁界に影響を
及ぼした結果、次にディスクに書き込まれる磁化遷移領
域の位置がずれる量を表わしている。表１の記録再生特
性結果を参照すると、ＳＮｍ、Ｎｍ、ＮＬＴＳの全ての
特性に関して、バイアス電圧を印加して結晶質シード層
を形成した磁気記録媒体は、バイアス電圧を印加せずに
結晶質シード層を形成した磁気記録媒体、またはシード
層を形成していない磁気記録媒体よりもすぐれており、
記録再生特性が改善されていることを示している。
の比、Ｎｍは媒体のノイズを表わす。ＮＬＴＳは、Non
Linear Transition Shiftの略語で、既に書き込まれた
記録パターン上の漏洩磁場がヘッドの記録磁界に影響を
及ぼした結果、次にディスクに書き込まれる磁化遷移領
域の位置がずれる量を表わしている。表１の記録再生特
性結果を参照すると、ＳＮｍ、Ｎｍ、ＮＬＴＳの全ての
特性に関して、バイアス電圧を印加して結晶質シード層
を形成した磁気記録媒体は、バイアス電圧を印加せずに
結晶質シード層を形成した磁気記録媒体、またはシード
層を形成していない磁気記録媒体よりもすぐれており、
記録再生特性が改善されていることを示している。
【００２１】実施例３ 実施例１で作製された磁気記録媒体についてＸ線回析を
行ない、結晶配向を調べた。測定には、バイアス電圧−
３００Ｖで結晶質Ｃｒ58Ｎｉ40Ｃｕ2のシード層を形成
した磁気記録媒体と、バイアス電圧を印加せずに結晶質
Ｃｒ58Ｎｉ40Ｃｕ2のシード層を形成した磁気記録媒体
を用いた。測定結果を図３に示す。なお、図３中、縦軸
の強さを示す数値は任意目盛(arbitrary unit)である。
図３を参照すると、バイアス電圧を印加しつつシード層
を形成した本発明の磁気記録媒体は、Ｃｒ−Ｎｉ−Ｃｕ
のピークが左に大きく移動しており、シード層の結晶配
向性が高まっていることが判る。また、バイアス電圧を
印加せずにシード層を形成した磁気記録媒体は、Ｃｒ下
地層、Ｃｏ磁性層の主たる結晶配向が夫々(００２)、
(１１０)であり、磁性層に垂直方向の磁界が形成されや
すくなっているのに対し、バイアス電圧を印加しつつシ
ード層を形成した磁気記録媒体は、Ｃｒ下地層の結晶配
向が(２１１)、Ｃｏ磁性層の結晶配向が(１００)であ
り、各層が微細化され、面内保磁力が高められているこ
とが判る。
行ない、結晶配向を調べた。測定には、バイアス電圧−
３００Ｖで結晶質Ｃｒ58Ｎｉ40Ｃｕ2のシード層を形成
した磁気記録媒体と、バイアス電圧を印加せずに結晶質
Ｃｒ58Ｎｉ40Ｃｕ2のシード層を形成した磁気記録媒体
を用いた。測定結果を図３に示す。なお、図３中、縦軸
の強さを示す数値は任意目盛(arbitrary unit)である。
図３を参照すると、バイアス電圧を印加しつつシード層
を形成した本発明の磁気記録媒体は、Ｃｒ−Ｎｉ−Ｃｕ
のピークが左に大きく移動しており、シード層の結晶配
向性が高まっていることが判る。また、バイアス電圧を
印加せずにシード層を形成した磁気記録媒体は、Ｃｒ下
地層、Ｃｏ磁性層の主たる結晶配向が夫々(００２)、
(１１０)であり、磁性層に垂直方向の磁界が形成されや
すくなっているのに対し、バイアス電圧を印加しつつシ
ード層を形成した磁気記録媒体は、Ｃｒ下地層の結晶配
向が(２１１)、Ｃｏ磁性層の結晶配向が(１００)であ
り、各層が微細化され、面内保磁力が高められているこ
とが判る。
【００２２】
【発明の効果】媒体基板のＮｉＰ層の上に、Ｎｉ：３６
〜４６原子％、Ｃｕ：０.５〜６％、残部実質的にＣｒ
からなる結晶質合金のシード層を設けたことにより、保
磁力が高く、記録再生特性に優れる磁気記録媒体を得る
ことができる。特に、シード層の形成時、媒体基板に印
加する負のバイアス電圧を大きくするほど、すぐれた保
磁力、記録再生特性を具えた磁気記録媒体を得ることが
できる。このように、本発明により作製された金属薄膜
型磁気記録媒体は、高保磁力と高記録再生特性を同時に
得ることができ、記録密度の向上に対応することができ
る。
〜４６原子％、Ｃｕ：０.５〜６％、残部実質的にＣｒ
からなる結晶質合金のシード層を設けたことにより、保
磁力が高く、記録再生特性に優れる磁気記録媒体を得る
ことができる。特に、シード層の形成時、媒体基板に印
加する負のバイアス電圧を大きくするほど、すぐれた保
磁力、記録再生特性を具えた磁気記録媒体を得ることが
できる。このように、本発明により作製された金属薄膜
型磁気記録媒体は、高保磁力と高記録再生特性を同時に
得ることができ、記録密度の向上に対応することができ
る。
【図１】結晶質Ｃｒ−Ｎｉ−Ｃｕのシード層を形成した
金属薄膜型磁気記録媒体の部分断面図である。
金属薄膜型磁気記録媒体の部分断面図である。
【図２】シード層形成時に印加するバイアス電圧と保磁
力の関係を示すグラフである。
力の関係を示すグラフである。
【図３】磁気記録媒体のＸ線回折結果を示すグラフであ
る。
る。
【図４】従来の金属薄膜型磁気記録媒体の部分断面図で
ある。
ある。
(1) 金属薄膜型磁気記録媒体 (2) 媒体基板 (3) 結晶質シード層 (4) 下地層 (5) 磁性層 (6) 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 誠 大阪府大阪市浪速区敷津東１丁目２番47号 株式会社クボタ内
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性の媒体基板上に、下地層、磁性層
及び保護膜を順次積層成膜してなる金属薄膜型磁気記録
媒体において、媒体基板と下地層の間に、原子％にて、
Ｎｉ：３６〜４６％、Ｃｕ：０.５〜６％、残部実質的
にＣｒからなる結晶質合金のシード層が形成されている
ことを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。 - 【請求項２】 シード層は、媒体基板に負のバイアス電
圧を印加しながら形成されたものである請求項１に記載
の金属薄膜型磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22961796A JP3933732B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22961796A JP3933732B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074620A true JPH1074620A (ja) | 1998-03-17 |
| JP3933732B2 JP3933732B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=16895000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22961796A Expired - Fee Related JP3933732B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3933732B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7604879B2 (en) | 2006-07-31 | 2009-10-20 | Fujitsu Limited | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP22961796A patent/JP3933732B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7604879B2 (en) | 2006-07-31 | 2009-10-20 | Fujitsu Limited | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3933732B2 (ja) | 2007-06-20 |
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