JPH09180150A

JPH09180150A - 金属薄膜型磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH09180150A
Application number: JP23612896A
Authority: JP
Inventors: Yoshinobu Okumura; 善信奥村; Masahiko Yasui; 雅彦安井; Ken Akita; 憲秋田; Makoto Maeda; 誠前田
Original assignee: Kubota Corp
Current assignee: Kubota Corp
Priority date: 1995-10-26
Filing date: 1996-09-06
Publication date: 1997-07-11

Abstract

(57)【要約】【課題】高保磁力化と媒体ノイズの低減を同時に達成
することができる金属薄膜型磁気記録媒体を提供する。【解決手段】媒体基板とＣｒ下地層との間にＣｒ−Ｎ
ｉ合金のアモルファス状のシード層を形成する。アモル
ファス状のシード層を形成するＣｒ−Ｎｉ合金として、
原子％にて、Ｎｉ：３０〜６０％、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎ
ｂのうち少なくとも一種を合計量で４〜１０％、残部実
質的にＣｒからなる合金、または、Ｎｉ：３０〜６０
％、Ｎ：２０％以下、残部実質的にＣｒからなる合金、
または、Ｎｉ：３０〜６０％、Ｎ：２０％以下、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｎｂのうち少なくとも一種を合計量で１０％
以下、残部実質的にＣｒからなる合金を挙げることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク等
の磁気ディスク装置に使用される磁気記録媒体に関し、
より具体的には、磁気特性及び記録再生特性に優れた金
属薄膜型磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスクに用いられる金属薄膜型
磁気記録媒体(1)は、一般に図７に示す如く、Ａｌ合金
からなる非磁性のサブストレート(21)上に非晶質のＮｉ
Ｐ層(22)が形成された媒体基板(2)に、実質的にＣｒか
らなる下地層(4)、Ｃｏ合金等からなる磁性層(5)、カー
ボン等の保護膜(6)を順に成膜積層して形成されてい
る。金属薄膜型磁気記録媒体には、記録密度、即ち線記
録密度とトラック密度の向上と、記録分解能の向上が望
まれており、これらを高めるために、磁気特性の向上
(特に高保磁力化)と、記録再生特性の向上(特に低ノイ
ズ化)が要請されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】磁気記録媒体の線記録
密度を向上させると、線形等価によって除去できない非
線形な波形干渉が生じ、記録分解能の劣化の原因とな
る。この非線形波形干渉は、円周方向の磁気的異方性が
大きくなるほど増大する傾向にある。トラック密度の向
上には、トラック全体に占めるトラックエッジでの媒体
ノイズ低減が非常に重要となる。トラックエッジでの媒
体ノイズの増加は、円周方向の磁気的異方性に起因す
る。また、磁気記録媒体に構造的な工夫をこらすことに
より保磁力を向上させる手段として、媒体基板の表面に
テキスチャーが施されることがある。このテキスチャー
は、ラッピングテープや遊離砥粒により、ＮｉＰ層の円
周方向にＲａ５０〜１００Åの面粗度の微小な凹凸を形
成するものである。ＮｉＰ層にテキスチャーが施される
と、Ｃｏ合金磁性層の周方向の磁気的異方性を高めるこ
とができるため、保磁力の向上に有効である。しかしな
がら、円周方向の磁気的異方性の向上は、上述のとお
り、媒体ノイズの増加に繋がる。テキスチャーによる微
小な凹凸は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの摩擦の軽減
にも有効である。しかしながら、テキスチャー処理によ
り媒体基板表面に異常突起が形成されたり、媒体基板の
平坦度が悪化することがあり、ヘッドと磁気記録媒体と
の接触を避けるためにヘッドの浮上量を大きくせねばな
らず、グライド特性が悪化し、記録密度の低下を招くこ
とがある。また、テキスチャー処理によりスクラッチ等
が形成されて、エラー発生の原因となることがある。こ
のため最近では、要求される面粗度は小さくなる傾向に
あり、基板に起因するエラー欠陥の減少、低浮上域での
ヘッドの安定的走行、及び媒体基板の平坦度を向上させ
るために、媒体基板にスーパーフィニッシュ加工を施し
た超平滑媒体基板の要請もある。しかしながら、テキス
チャーの形成を省略すると、磁性層の円周方向の磁気的
異方性はなくなるが、所望の保磁力を得られない不都合
がある。保磁力の向上には、磁性層のＣｏ合金にＰｔを
添加することが有効であるが、Ｐｔの添加はスパッタリ
ング装置のターゲットが高価になること、さらに媒体ノ
イズが大きくなる問題がある。

【０００４】本発明の目的は、高保磁力化と媒体ノイズ
の低減を同時に達成することができる金属薄膜型磁気記
録媒体を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体は、媒体基板とＣ
ｒ下地層との間にＣｒ−Ｎｉ合金（ＣｒとＮｉを主体的
に含有する合金）のアモルファス状のシード層を形成す
るものである。

【０００６】アモルファス状のシード層を構成するＣｒ
−Ｎｉ合金として、原子％にて、Ｎｉ：３０〜６０％、
Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂのうち少なくとも一種を合計量で
４〜１０％、残部実質的にＣｒからなる合金を挙げるこ
とができる。アモルファス状のシード層は、希ガス(Ａ
ｒガス等)の雰囲気、又は希ガスとＯ₂ガスとの混合ガス
雰囲気にて、非磁性の媒体基板上に、上記成分のＣｒ−
Ｎｉ合金をスパッタリングすることにより形成すること
ができる。該シード層の上には、公知の如く、スパッタ
リング等により、下地層、磁性層及び保護膜を順次成膜
して磁気記録媒体が作製される。

【０００７】また、アモルファス状のシード層を構成す
るＣｒ−Ｎｉ合金として、原子％にて、Ｎｉ：３０〜６
０％、Ｎ：２０％以下、残部実質的にＣｒからなる合金
を挙げることができる。さらに、原子％にて、Ｎｉ：３
０〜６０％、Ｎ：２０％以下、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂの
うち少なくとも一種を合計量で１０％以下、残部実質的
にＣｒからなる合金を挙げることができる。アモルファ
ス状のシード層は、希ガス(Ａｒガス等)にＮ₂ガスを加
えた混合ガス雰囲気にて、非磁性の媒体基板上に、Ｃｒ
とＮｉからなる２元合金、またはＣｒとＮｉに加えて、
Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂのうち少なくとも１種をさらに含
む合金をスパッタリングすることにより形成することが
できる。前記成分の合金を、Ｎ₂ガスを含む混合ガス雰
囲気にてスパッタリングすると、雰囲気中のＮ₂ガスが
スパッタ合金中に取り込まれ、原子状態のＮがスパッタ
合金の結晶格子間に侵入し、Ｎを含むアモルファス状の
Ｃｒ−Ｎｉ合金のシード層が形成される。なお、ここ
で、「アモルファス状」とは、ガラスのような完全な非
晶質を意味せず、局所的に観察すればナノサイズの微細
結晶組織は存在するが、Ｘ線回折的にはハロパターンし
か認められない点においてアモルファス状態であること
をいう。磁気記録媒体は、アモルファス状のシード層の
上に、スパッタリング等により、下地層、磁性層及び保
護膜を順次成膜して作製することができる。

【０００８】

【作用】上記組成のアモルファス状のＣｒ−Ｎｉ合金の
シード層を媒体基板上に設けることにより、シード層の
上に成膜されるＣｒ下地層の主たる結晶配向である(２
００)配向が向上し、ひいては該下地層の上に成膜され
るＣｏ合金磁性層の主たる結晶配向である(１１０)配向
が向上する。また、Ｃｒ下地層の結晶が微細化され、ひ
いてはＣｏ合金磁性層の結晶が微細化される。このよう
に、Ｃｏ合金磁性層の結晶配向が向上し、結晶が微細化
されることにより、磁気記録媒体の高保磁力化と媒体ノ
イズの低減化が同時に達成される。

【０００９】Ｃｒを主体とするシード層の中に適量のＮ
ｉを含有すると、磁気記録媒体の高保磁力化の達成に有
効である。このため、シード層にはＮｉを３０〜６０原
子％含有させるものとする。Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂの少
なくとも一種を合計量で４原子％以上含有させることに
より、形成されるＣｒ−Ｎｉ合金のシード層をアモルフ
ァス化させることができる、さらに、Ｃｏ合金磁性層の
主たる結晶配向である(１１０)配向をさらに向上させ、
また、微細化を促進させる作用を有する。しかし、あま
りに多く含有しても対応する効果が得られないので、上
限は１０原子％にする

【００１０】Ｎは、スパッタされるＣｒ−Ｎｉ合金の結
晶格子間に侵入することにより、Ｃｒ−Ｎｉ合金をアモ
ルファス化させる作用があり、磁気記録媒体の高保磁力
化に有効である。従って、スパッタされるＣｒ−Ｎｉ合
金に、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂが含まれない場合、又は、
Ｃｒ−Ｎｉ合金に含まれるＷ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂの量が
少ない(例えば、合計で４原子％未満)場合には、形成さ
れたシード層中にＮが２０原子％以下、望ましくは８〜
２０原子％含有されるように、シード層形成時の混合ガ
ス中のＮ₂ガス濃度を調節するなお、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂの少なくとも一種を合計で
４原子％以上含む場合、Ｃｒ−Ｎｉ合金は、前述したよ
うにＮを全く含まなくともアモルファス化するが、Ｗ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂの含有はアモルファス状態の安定化に
寄与する。このため、Ｎを含有させる場合にも、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｎｂの少なくとも一種を合計で１０原子％以
下含有させてよい。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の金属薄膜型磁気
記録媒体(1)の部分断面図を示しており、Ａｌ合金また
はガラスからなるサブストレート(21)にＮｉＰ層(22)を
形成した媒体基板(2)上に、シード層(3)、下地層(4)、
磁性層(5)及び保護膜(6)を、この順序で積層成膜してい
る。図１では、ＮｉＰ層(22)、シード層(3)、下地層
(4)、磁性層(5)及び保護膜(6)がサブストレート(21)に
関して対称に成膜されており、両面で書込み／読出しを
行なえる構成としているが、各層を片面にのみ成膜し
て、片面のみで書込み／読出しを行なう構成とすること
もできる。ＮｉＰ層(22)を形成した媒体基板(2)では、
ヘッドと媒体との間の摩擦を軽減するために、円周方向
にテキスチャーを施してもよい。一方、ヘッドの低浮上
化のために磁気記録媒体(1)に平坦度が要求される場合
には、スーパーフィニッシュ加工を施して表面を超平滑
化させることができる。

【００１２】なお、媒体基板(2)のサブストレート(21)
の材料としてガラスを使用する場合、ガラスは剛性に優
れることから、ＮｉＰ層(22)の形成が省略されることも
ある。この場合、シード層(3)はサブストレート(21)の
上に直接形成すればよい(図２参照)。

【００１３】スパッタされる合金が、原子％にて、Ｎ
ｉ：３０〜６０％、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂのうち少なく
とも一種を合計量で４〜１０％、残部実質的にＣｒであ
る場合には、希ガス(Ａｒガス等)の雰囲気下でスパッタ
リングを行なうことにより、アモルファス状のシード層
が形成される。

【００１４】また、スパッタされる合金が、原子％に
て、Ｎｉ：３０〜６０％、残部実質的にＣｒであるＣｒ
−Ｎｉ合金、または、Ｎｉ：３０〜６０％、Ｗ、Ｍｏを
合計量で１０％以下、残部実質的にＣｒであるＣｒ−Ｎ
ｉ合金である場合には、希ガス(Ａｒガス等)にＮ₂ガス
を加えた混合ガス雰囲気下で、上記成分のＣｒ−Ｎｉ合
金をスパッタリングすることにより、アモルファス状の
シード層が形成される。なお、シード層をアモルファス
状にするため、所定量以上のＮを侵入させるには、混合
ガス雰囲気中のＮ₂ガスの濃度は、１５体積％以上とす
ることが望ましい。混合ガス雰囲気中のＮ₂ガスの濃度
は、５０体積％以下とすることが望ましい。これは、Ｎ
₂ガスの濃度が５０体積％程度のときに、シード層中に
取り込まれるＮの量が飽和するためであって、５０体積
％よりも多く雰囲気ガス中にＮ₂ガスが含まれていて
も、シード層中にはこれ以上Ｎが取り込まれ難いからで
ある。

【００１５】Ｃｒ−Ｎｉ合金からなるアモルファス状の
シード層(3)の厚さは約１００〜１０００Åが望まし
い。アモルファス状のシード層の厚さが薄すぎるとシー
ド層(3)の効果が十分に発揮されず、保磁力の向上は不
十分なものとなるからである。一方、アモルファス状の
シード層(3)の厚さが厚すぎると、その上に形成される
Ｃｒ下地層(4)及びＣｏ合金磁性層(5)の粒子の粗大化を
招き、ノイズが増大するおそれがあるからである。な
お、アモルファス状のシード層の厚さは、約２００〜８
００Åがより好ましく、約３００〜６００Åがさらに好
ましい。

【００１６】また、シード層(3)の上に成膜されるＣｒ
下地層(4)の厚さは、２００〜１０００Åが望ましく、
４００〜８００Åがより望ましい。これは、下地層(4)
の層厚を約８００Åより厚くしても、磁気記録媒体(1)
の保磁力のさらなる向上は期待できないためであり、１
０００Åよりも厚くすると、その上に形成されるＣｏ合
金磁性層(5)の粒子の粗大化を招き、ノイズが増大する
おそれがあるためである。下地層(4)は、公知のごと
く、実質的にＣｒから形成する。実質的にＣｒとは、必
ずしも１００％Ｃｒである必要はなく、Ｃｒを約９５原
子％以上含有しておればよい。磁性層(5)は、Ｃｏを主
成分とする公知のＣｏ合金から形成する。

【００１７】ＮｉＰ層(22)、下地層(4)、磁性層(5)及び
保護膜(6)の形成は、公知の如く、ＤＣスパッタリング
法、メッキ法又は真空蒸着法等の方法により行なうこと
ができる。

【００１８】なお、Ｃｒ下地層(4)をＣｒ−Ｎｉのアモ
ルファス状のシード層(3)の上に成膜する際、Ｃｒ下地
層を所望の結晶配向にするために、アモルファス状のシ
ード層(3)及びＮｉＰ層(22)を赤外線ヒータによって約
２５０〜３００℃の温度に加熱した状態で実施してもよ
い。

【００１９】

【実施例】実施例１Ｃｒ−Ｎｉ合金からなるアモルファス状のシード層の保
磁力向上効果を調べるため、シード層の厚さが異なる供
試磁気ディスクを作製し、夫々の磁気ディスクについて
保磁力を調べた。供試磁気ディスクの作製は下記の超平
滑加工を行なった媒体基板を用い、ＤＣスパッタリング
装置により、ＣｒとＮｉからなる２元合金のアモルファ
ス状のシード層、下地層、磁性層及び保護膜を成膜形成
した。・媒体基板サブストレート：Ａｌ合金製（３.５inch−３１.５mi
l）ＮｉＰ層：厚さ１０μm 平坦度：５〜６μm（超平滑加工）粗さ：Ｒａ＝１０Å ・Ｃｒ−Ｎｉ合金のアモルファス状シード層スパッタされる合金の組成：Ｎｉ４５原子％、Ｃｒ残部層形成時の雰囲気ガス：Ｎ₂１５体積％、Ａｒ残部厚さ：０Å、１００Å、２００Å、３００Å及び５００
Åの５種類・下地層組成：実質的にＣｒ厚さ：６００Å 成膜時の基板加熱温度：２００℃ 成膜時のバイアス電圧：−２００Ｖ・磁性層組成：原子％にて、Ｃｒ１３％、Ｔａ６％、Ｐｔ４％、
残部実質的にＣｏ厚さ：２５０Å 成膜時のバイアス電圧：−２００Ｖ・保護膜厚さ：１２０Å 組成：実質的にＣ

【００２０】各供試用磁気ディスクについて、保磁力の
測定結果を図３に示す。図３から明らかなように、Ｃｒ
−Ｎｉ合金のアモルファス状シード層を形成することに
より、保磁力が向上していることがわかる。具体的に
は、シード層の厚さが約１００Åで、保磁力が約１０％
向上しており、層厚の増大と共に保磁力が向上し、約３
００Åの層厚で保磁力の向上効果はほぼ飽和することが
わかる。

【００２１】実施例２Ｃｒ−Ｎｉ合金からなるアモルファス状のシード層の記
録再生特性向上効果を調べるために、組成の異なるＣｒ
とＮｉからなる２元合金をスパッタしたアモルファス状
のシード層を形成した２種類の供試磁気ディスク(本発
明例)と、シード層を設けない供試磁気ディスク(比較
例)を作製した。媒体基板、下地層、磁性層及び保護膜
の構成は実施例１と同じである。スパッタされるＣｒ−
Ｎｉ合金の組成、雰囲気、及び形成されたアモルファス
状のシード層の組成は、表１に示されるとおりである。
表１中、供試No.１及びNo.２は本発明例であり、No.３
は比較例である。表１を参照すると、スパッタしたＣｒ
−Ｎｉ合金の組成には含まれていないＮが、形成された
シード層の組成に含まれていることがわかる。これは、
シード層成膜の際、雰囲気中のＮ₂ガスがＣｒ−Ｎｉ合
金の結晶格子間に取り込まれたためである。

【００２２】

【表１】

【００２３】作製された磁気記録媒体の記録再生特性を
測定した。なお、磁気特性が異なると記録再生特性も異
なるため、本発明例No.１及びＮｏ．２については、表
１に示される如く、磁気特性が比較例Ｎｏ．３とほぼ同
じ性能となるように条件を調整して供試ディスクを作製
している。表１中、Ｈｃは保磁力、Ｂｒｄは残留磁束密
度、Ｓは角形比、ＴＡＡは出力、ＳＮｍは媒体のノイズ
と信号強度の比、Ｎｍは媒体のノイズを示している。供
試No.１及びNo.２の保磁力は、実施例１における層厚３
００Åのデータよりも劣っているが、これは、前述した
ように記録再生特性の性能比較を行なうために、比較例
のレベルまで意図的に低下させた供試ディスクを作製し
たためである。表１の結果から明らかなように、本発明
の供試No.１及びNo.２は、出力、ノイズに対する信号強
度の比、ノイズの全ての記録再生特性に関して、比較例
である供試No.３よりもすぐれていることがわかる。

【００２４】実施例３この実施例は、シード層の組成と、その上に形成される
下地層の厚さを変えて、保磁力(Ｈｃ)及びＯＲ(orienta
tion ratio)との関係を調べるものであり、下記条件で
ＤＣスパッタリング装置を用いて各層を順に成膜した。
また、比較のためシード層を具えない磁気記録媒体も同
様の方法で作製した。・媒体基板サブストレート：Ａｌ合金製(３.５inch−３１.５mil) ＮｉＰ層：厚さ１０μm 表面処理：円周方向の機械的テキスチャー粗さ：Ｒａ＝２８Å ・シード層スパッタリングされる合金の組成：表２参照成膜時の雰囲気：表２参照厚さ：４００Å 組織：アモルファスシード層の組成：表２参照

【００２５】

【表２】

【００２６】・下地層組成：実質的にＣｒ厚さ：３００Å、４００Å、６００Å、８００Å、１０
００Åの５種成膜時の基板加熱温度：２６０℃ 成膜時のバイアス電圧：−２００Ｖ・磁性層組成：原子％にて、Ｃｒ１０.５％、Ｔａ６％、残部実
質的にＣｏ厚さ：４００Å 成膜時のバイアス電圧：−２００Ｖ・保護膜厚さ：１２０Å 組成：実質的にＣ

【００２７】まず、表２を参照すると、Ｎ₂ガスを含む
雰囲気ガス中でスパッタしたＣｒとＮｉからなる２元合
金や、Ｗ又はＭｏを含むＣｒ−Ｎｉ合金の組成には含ま
れていないＮが、形成されたシード層の組成に含まれて
いることがわかる。これは、シード層の成膜の際、雰囲
気中のＮ₂ガスがＣｒ−Ｎｉ合金の結晶格子間に取り込
まれたためである。

【００２８】上記各磁気記録媒体の保磁力Ｈｃの測定結
果を図４に示す。図４を参照すると、アモルファス状合
金のシード層を設けた磁気記録媒体は、シード層なしの
磁気記録媒体よりも高い保磁力を示している。特に、シ
ード層中にＷ、またはＭｏを含有する磁気記録媒体は、
ＣｒとＮｉからなる２元合金のシード層に比べて、更に
すぐれた保磁力を示している。このように磁気記録媒体
の保磁力Ｈｃが向上したのは、アモルファス状合金のシ
ード層の存在により、Ｃｒ下地層とＣｏ磁性層の結晶配
向性が高まり、且つそれらの結晶がより微細化したもの
と考えられる。

【００２９】次に、各磁気記録媒体のＯＲを測定した。
ＯＲとは、金属薄膜型磁気記録媒体の円周方向の保磁力
と半径方向の保磁力の比(円周方向の保磁力／半径方向
の保磁力)を表わし、ＯＲが１に近いほど、周方向への
磁気的異方性の影響は制御されていることを意味し、高
記録密度時での磁気記録媒体のサイドフリンジは小さ
く、また媒体ノイズも小さくなる。結果を図５に示す。
図５を参照すると、アモルファス状合金のシード層を設
けた磁気記録媒体は、シード層なしの磁気記録媒体より
もＯＲの値が小さくなっている。特に、シード層中に
Ｗ、またはＭｏを含有する磁気記録媒体は、Ｃｒ−Ｎｉ
２元合金のシード層に比べて、ＯＲが更に小さくなって
おり、すぐれていることが判る。

【００３０】実施例４この実施例は、実施例２と同様に、記録再生特性を調べ
るものである。測定には、実施例３で作製された各磁気
記録媒体のうち、Ｃｒ下地層の厚さが６００Åである磁
気記録媒体を用いた。なお、磁気特性が異なると記録再
生特性も異なるため、磁気記録媒体は、Ｂｒ・δが約２
４０Ｇμとなるように調整し、各媒体の保磁力Ｈｃが約
２２００Ｏｅとなるように磁性層の成膜時のバイアス電
圧及び基板温度を変えて作製した。

【００３１】記録再生特性の測定は、Ｓｉｌｍａｇ社製
のＰＨＳヘッドを用いて行なった。測定結果を表３に示
す。

【００３２】

【表３】

【００３３】表３中、ＮＬＴＳは、Non Linear Transit
ion Shiftの略語で、既に書き込まれた記録パターン上
の漏洩磁場がヘッドの記録磁界に影響を及ぼした結果、
次にディスクに書き込まれる磁化遷移領域の位置がずれ
る量を表わしている。表３の記録再生特性結果を参照す
ると、ＳＮｍ、Ｎｍ、ＮＬＴＳの全ての特性に関して、
アモルファス状合金のシード層を設けた磁気記録媒体
は、シード層なしの磁気記録媒体よりもすぐれており、
記録再生特性が改善されていることを示している。つま
り、媒体基板にテキスチャーを施した場合であっても、
アモルファス状のシード層を設けたことにより、磁性層
の円周方向への磁気的異方性は低減され、これに起因す
る媒体ノイズの増加が抑制され、且つ非線形波形干渉を
低減できることがわかる。

【００３４】実施例５シード層の形成を、ＡｒガスにＮ₂ガスを加えた混合ガ
ス雰囲気と、Ａｒガス単独の雰囲気(Ｎ₂ガスを含まな
い)中で夫々行ない、得られた磁気記録媒体について、
夫々Ｘ線回析を行なった。なお、媒体基板は、ＮｉＰ層
なしのガラス基板を使用した。媒体基板にスパッタリン
グする合金、雰囲気ガスを表４に示す。

【００３５】

【表４】

【００３６】測定結果を図６に示す。図６を参照する
と、Ａｒガス１００％の雰囲気中で成膜したシード層
は、基板表面に平行な配向面のピークが観察されてお
り、結晶質であることが明らかである。これに対して、
Ｎ₂ガスとＡｒガスの混合ガス雰囲気中で成膜した磁気
記録媒体には、上記のようなピークは観察されず、所謂
ハローパターンが観察され、Ｘ線回折的にアモルファス
であることが判る。上記測定結果は、Ａｒガス雰囲気で
Ｃｒ60Ｎｉ40の組成の合金を媒体基板上にスパッタリン
グすると、形成される合金層は結晶質となることを示し
ている。一方、Ｎ₂ガスを含む雰囲気中では、Ｎ₂ガス
が、原子状態のＮとなってＣｒ−Ｎｉ合金の結晶格子中
に侵入し、合金がアモルファス状態となることを示して
いる。なお、図６中、縦軸の強さを示す数値は任意目盛
(arbitrary unit)である。

【００３７】

【発明の効果】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体は、媒
体基板と下地層の間に、上記組成のアモルファス状合金
のシード層を形成したことにより、従来の磁気記録媒体
に比べて高保磁力でありながら、周方向への磁気的異方
性の影響を制御することができるので、磁性層の周方向
の磁気的異方性が低減され、非線形波形干渉を低減する
ことができ、媒体ノイズの低減等の記録再生特性の改善
を達成できる。また、本発明のアモルファス状合金のシ
ード層を、スーパーフィニッシュ加工を施した媒体基板
に形成すると、媒体基板に起因するビットエラー欠陥の
減少及び平坦度の向上を図ることができるから、磁気ヘ
ッド浮上量を可及的に小さくでき、また、グライド特性
を向上させることができ、従来の磁気記録媒体を凌ぐ高
密度記録が可能となる。本発明の金属薄膜型磁気記録媒
体は、高保磁力化、ＯＲの低減及び記録再生特性の向上
を同時に達成することができ、記録密度の向上に対応す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＮｉＰ層の上にアモルファス状合金のシード層
を形成した金属薄膜型磁気記録媒体の部分断面図であ
る。

【図２】ガラス基板の上に直接アモルファス状合金のシ
ード層を形成した金属薄膜型磁気記録媒体の部分断面図
である。

【図３】Ｃｒ−Ｎｉ合金のアモルファス状シード層の厚
さと保磁力との関係を示すグラフである。

【図４】Ｃｒ下地層の厚さと保磁力の関係を示すグラフ
である。

【図５】Ｃｒ下地層の厚さとＯＲとの関係を示すグラフ
である。

【図６】Ｎ₂ガスとＡｒガスの混合ガス雰囲気と、Ａｒ
ガス単独ガス雰囲気で形成されたシード層のＸ線回析結
果を示すグラフである。

【図７】従来の金属薄膜型磁気記録媒体の部分断面図で
ある。

【符号の説明】

(１) 金属薄膜型磁気記録媒体 (２) 媒体基板 (３) Ｃｒ−Ｎｉ合金のアモルファス状のシード層 (４) 下地層 (５) 磁性層 (６) 保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者前田誠大阪府大阪市浪速区敷津東１丁目２番47号株式会社クボタ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性の媒体基板上に、下地層、磁性層
及び保護膜を順次積層成膜してなる金属薄膜型磁気記録
媒体において、媒体基板と下地層の間に、Ｃｒ−Ｎｉ合
金のアモルファス状のシード層を形成したことを特徴と
する金属薄膜型磁気記録媒体。
【請求項２】アモルファス状のシード層を構成するＣ
ｒ−Ｎｉ合金は、原子％にて、Ｎｉ：３０〜６０％、
Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂのうち少なくとも一種を合計量で
４〜１０％、残部実質的にＣｒからなることを特徴とす
る請求項１に記載の金属薄膜型磁気記録媒体。
【請求項３】アモルファス状のシード層を構成するＣ
ｒ−Ｎｉ合金は、原子％にて、Ｎｉ：３０〜６０％、
Ｎ：２０％以下、残部実質的にＣｒからなることを特徴
とする請求項１に記載の金属薄膜型磁気記録媒体。
【請求項４】アモルファス状のシード層を構成するＣ
ｒ−Ｎｉ合金は、原子％にて、Ｎｉ：３０〜６０％、
Ｎ：２０％以下、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂのうち少なくと
も一種を合計量で１０％以下、残部実質的にＣｒからな
ることを特徴とする請求項１に記載の金属薄膜型磁気記
録媒体。