JPH10513550A - 半導体γ線カメラおよび医療用イメージングシステム - Google Patents

半導体γ線カメラおよび医療用イメージングシステム

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Abstract

(57)【要約】 影像ヘッド、信号処理装置、データ収集システムおよび画像処理コンピュータを含むイメージングシステムが開示されている。影像ヘッドは検出器および放射線を検出器に向ける開口を含む。検出器は複数の高密度実装検出モジュール(206)を備える。検出モジュール(206)は複数の検出要素(212)を備える。検出要素(212)は回路担体(214)に取り付けられている。回路担体(214)は、検出要素が放射線を吸収したときに生成される電気パルスを調整して処理するチャネルを含む。パルスの振幅は吸収された放射線の大きさを示す。検出モジュールはフォールスルー回路を用いて、有効イベント、すなわち、予め決められたしきい値を超える記憶された振幅を有する検出要素のみを発見する。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 半導体γ線カメラおよび医療用イメージングシステム 発明の背景 産業上の利用分野 本発明は、放射線医学、特に核医学における適用を重視した放射線影像の一般 的な分野に関する。特に、本発明は、核医学および他の用途に適用するため、放 射線を検出するとともに放射源の立体的分布に対応する画像を構成するための改 良された装置および方法を提供する。 関連技術 医療用診断影像は、1895年のW.C.RoentgenによるX線の発見 に始まり、今日では、X線撮影法、核医学影像、超音波影像、コンピュータ断層 撮影および磁気共鳴像を含む。一般に、それぞれのタイプの医療用影像の目的は 、患者の病状のパラメータ、特徴、または進行を立体的に写像することである。 X線撮影法およびコンピュータ断層撮影の場合、X線源は患者の身体を通して 適当な検出器、例えば、フィルムまたはプレートに放射される。検出器はX線の 入射ビームの強度分布を測定し、X線が患者の体内で吸収および分散されること によって生じる放射線の減衰を画像で示す。 核医学の場合、放射性医薬品を患者に投与し、患者の身体から放射されるγ放 射線の強度分布を測定する。放射性トレーサを薬剤に装着して放射性医薬品を作 成し、これは患部の器官に優先的に蓄積される。このため、放射パターンは、患 部の血流、代謝、または受容器官密度の測定基準であり、器官の機能に関する情 報を提供する。放射パターンの投影画像を1つ取る場合(平面影像)、あるいは 、多数の投影画像を異なる方向から取る場合も、それを用いて3次元放射分布を コンピュータ処理する(単光子射出コンピュータ断層撮影すなわちSPECT) 。核医学で用いられる放射イメージングシステムは、多くの場合、「γ」カメラ と呼ばれる。 先駆的な核医学イメージングシステムは走査方法を用いて、撮像した。一般に 、このような先駆的なシステムはシンチレーション型γ線検出器を用い、この検 出器は焦点コリメータに装着され、コリメータは選択された座標方向、すなわち 、平行範囲にわたって移動し、患部領域を走査する。このような初期のイメージ ングシステムの不利な点は、検査中の組織または器官の画像をとるために長時間 放射線にさらさなければならないことである。さらに、多くの場合、このような 器官の動的検査を行うのは困難である。 従来技術の別のタイプの放射線検出システムは、「アンガー」型γシンチレー ションカメラ(発明者の名前H.O.Angerにちなんで命名された、「γ線 放射器をマッピングするための新しい器具」、Biology and Med icine Quarterly Report、U.C.R.L.−3653 、1957年参照)を用い、患者の身体から放射される放射パターンを決定した 。このような核医学影像は、大量の沃化ナトリウムシンチレーション結晶を光電 子増倍管(PMT)とともに用いる。シンチレーション結晶の前部に設けられた コリメーティング開口はγ線を結晶に集束させ、患者に投与された放射性医薬品 から放射されるγ線は結晶の中で点滅し(シンチレーション)、結晶はPMTに よって電気信号に変換される。高密度の遮蔽材料、通常、鉛を用いて放射線検出 装置の両側および後部を覆い、放射線がコリメータ以外の通路から検出器に侵入 するのを防ぐ。コンピュータは、PMT信号の相対的な大きさから個々の点滅の 位置を探し当てる。結晶は、通常、面積で200〜400平方インチである。 アンガー型カメラの限界は、シンチレーションを電気信号に変換することに由 来する。ひずみの原因は、1)シンチレーションが起こる場所から離れたPM管 の受入視野角度の変動、2)屈折率の不整合に起因する屈折および導光、3)P MT間に不感領域が生じるのを避けられないこと、4)離れたPMTの高い有効 密度(したがって、重量になる)、5)個々のPMTの不均一な立体的応答、6 )あるPMTから他のPMTへの応答の変動、7)PMT応答の時間的変動、お よび8)PMTの中間部から外側の位置を決定できないことに関連して外周から 数cmの幅の不感周縁が生じるのを避けられないこと、である。他の誤差はPM Tの不安定性およびシンチレーション結晶の脆性および吸湿性によって生じる。 不利なことに、シンチレーション、光管および光電子増倍管を組み合わせるこ とによって検出装置の寸法が大きくなるので、鉛による遮蔽がかなり重くなり、 アンガー型カメラのコストを上げてしまう。さらに、アンガーカメラ周辺の不感 周縁によって、小さな器官および身体の部分(例えば、胸部)の適切なイメージ ングが困難になる。さらに、アンガーカメラは大型かつ重量なので、カメラを手 術室、集中治療室、または患者のベッドサイドのような場所で効果的に用いるこ とができない。 アンガーカメラの設計上、シンチレーション検出要素は平面状である。用途に よっては、撮像対象により近い形状の検出要素を形成する方が非常に有利である 場合がある。 半導体検出器アレイ影像装置はアンガーカメラの問題を解決するため提案され てきた。例えば、米国特許4,292,645号、米国特許5,132,542 号、IEEE核科学会報、Vol.NS−27、No.3、1980年6月号「 核医学における半導体γカメラ」およびIEEE核科学会報、Vol.NS−2 5、No.1、1978年2月号「2検出器、512要素、高純度ゲルマニウム カメラの原型」を参照。半導体検出器アレイは、非常に小型かつ軽量で、優れた 立体分解能を有し、γホトンから電気信号への直接変換が行え、オンボード信号 処理が可能で、高い安定性および信頼性を有するので、核医学影像にとって潜在 的な魅力がある。この技術を用いて、半導体検出器に吸収されたγ放射線は検出 器材料内にホールおよび電子を生成し、バイアス電圧の影響のため、個々の電荷 極性にしたがって分離したり半導体材料の反対面の方向に移動する。次に、電子 およびホールの電流は電子回路によって増幅されて調整され、電気信号を生成し 、電気信号を処理して、対応する入射γ線の放射位置および強度を示す。 このような原理を実施する原型の半導体検出アレイカメラは、成功の度合いを 変えながら開発されてきた。例えば、極低温冷却ゲルマニウム検出器および室温 HgI2検出器の2次元検出器アレイは、一般に、極低温冷却およびHgI2技術 の実用化が困難であることに関連する問題があるため、実験室レベルに限定され てきた。テルル化カドミウム(CdTe)検出器の回転線形アレイに基づいたイ メージングシステムの初期の実行可能性も同様に、満足な解決法とは言えず、断 念されたようである。 従来技術の半導体γカメラの一例は、Schlosser他による米国特許4 ,292,645号に記載されている。Schlosserはゲルマニウムを主 成分とする半導体γ検出器のドープ領域との必要な電気的接触を供給する改良さ れた技術を教示している。抵抗材料層は半導体表面の導電ストリップに接触し、 抵抗層の両側の2つの読み出し接触はストリップに平行に配置されるとともに2 つの増幅器に接続され、それによって、γ線が吸収されたストリップを識別する ことができる。検出器の反対側は、ストリップが頂部のストリップと直交してい る点を除いて同様に配置されている。イベントの立体的位置は、識別されたスト リップの交差部である。頂面用の増幅器および底面用の増幅器は、検出器全体の すべてのイベントを取り扱う。これは電気成分の数を少なく抑えるが、各γ線を 検出するために結晶全体を用いる点が不利である。この結果、検出器の寸法が大 きくなるにつれて、分解能は悪化し、達成可能なカウントレートは低減する。 半導体検出器アレイを用いる従来技術のγ線イメージングシステムの別の例は 、Materials Research Society Symposiu m Proceedings、Vol.302(Materials Rese arch Society、ピッツバーグ、1993年)、pp.43〜54、 Bradley E. Patt著「X線およびγ線影像のための多素子沃化水 銀検出器システム」に記載されている。Pattは、各ストリップに用いられる 1つの増幅器とともに、半導体検出器アレイ画素を形成する半導体結晶の反対側 に設けられた直交ストリップの使用を教示している。直交ストリップから送られ る信号の同時性を用いて、γ線が結晶内で吸収された位置を決定する。あいにく 、検出器の面積が大きくなり、ストリップの長さが長くなると、ストリップに関 連する容量および検出器からストリップに漏れる漏れ電流が増える。容量および 漏れ電流の両方がパルスエネルギ分解を減らし、影像装置の性能を劣化させる。 従来技術には、核医学への適用を満足させるために十分に大きい、または室温 で動作する半導体検出器アレイがかけている。したがって、アンガーカメラの不 利な点を克服し、核医学への適用に適したアクティブエリアを有し、周囲の不感 領域は無視できる程度で、室温で動作する検出器が必要である。核医学および他 の用途に用いるこのような検出器を低コストで製造する手段が必要である。 半導体検出器アレイは、多数の個別の検出素子をともに結合することによって 実現される。しかしながら、個々の検出素子が立体分解能の必要条件を満たすよ うに十分に小さく作られている場合、信号増幅に必要な増幅器の数は非常に多く なる。赤外線および低エネルギX線の場合、従来の焦平面アレイおよびシリコン ストリップ検出器は、各素子ごとの増幅器と1つの出力を多数の入力に供給する マルチプレクサとを結合する(「物理的検査における核器具および方法」、Vo l.226、1984年、pp.200〜203およびIEEE核科学会報、V ol.NS−32、No.1、1985年2月号、p.417参照)。これらの 従来の読み出し回路は、核医学影像に必要なCZT検出器アレイのようなγ線検 出器は生成した信号を取り扱うには適当でない。 さらに、個々の検出素子間および個々の増幅器間の応答が変動するため、各検 出素子の利得および効率性およびそれに関連する増幅器を正規化する方法が必要 になる。 本発明は、平面画像およびSPECT画像が得られる半導体γ線カメラおよび イメージングシステムを提供する。本イメージングシステムは、検査対象から放 射される放射線を検出する検出器と、検出された放射線信号を調整し処理する電 子工学と、検出工程を制御して検出器が生成した信号に基づいて画像を形成し表 示するコンピュータと、画像を表示してデータをユーザに供給する出力装置とを 含む。 発明の概要 影像ヘッド、信号処理装置、データ収集システムおよび画像処理コンピュータ を含むイメージングシステムを説明する。影像ヘッドはX線またはγ線検出器お よび光線を検出器に向けるためのコリメータまたはピンホールのような入射開口 を含むのが好ましい。好適な実施の形態において、検出器は複数の高密度実装検 出モジュールからなる。各検出モジュールは、回路担体に取り付けられた複数の 検出素子からなる。検出素子は、検出素子が吸収した放射線の大きさを示す振幅 を有する電気パルスを生成する。好適な実施の形態において、検出素子は、影像 ヘッドに内蔵された回路担体に接続されている。回路担体は、検出素子が生成し た信号を調整し処理するとともに信号処理装置がさらに処理を行うために処理信 号を準備する回路を含む。検出素子は、それぞれ、対応する調整/処理チャネル を有する。検出素子はテルル化カドミウム−亜鉛材料からなるのが好ましい。 本発明によると、各調整/処理チャネルは、予め決められたしきい値を超える 検出素子電気パルスの振幅を記憶する。検出素子がしきい値を超える振幅を有す る電気パルスを生成するのに十分な放射線を吸収すると、検出素子に関連するチ ャネルは有効検出素子「イベント」を記録する。検出モジュールはフォールスル ー回路を用い、フォールスルー回路は有効ヒットを記録した検出素子のみを自動 的に見つける。信号処理装置が動作を促すと、フォールスルー回路は次の検出素 子および有効イベントを有する関連チャネルを探索する。次に記録されたイベン トを見つけると、検出モジュールは素子のアドレスおよび有効イベントを生成し た電気パルスの振幅を生成する。各検出素子およびパルス振幅のアドレスは信号 処理装置に供給され、さらに処理を行う。 信号処理装置は調整/処理チャネルからデータを収集し、データを正規化する とともにフォーマットし、データ収集コンピュータがアクセスできるようにその データをメモリブロックに記憶させる。さらに、信号処理装置はバイアス電圧を 検出器に供給し、検出モジュールによって用いられるイベントしきい電圧を供給 し、有効イベントを判別する。信号処理装置は、診断、利得正規化および応答効 率正規化機能を果たす。 データ収集システムは、信号処理装置および画像処理コンピュータシステムと 通信するハードウェアおよびソフトウェアを含む。データ収集システムは、調整 /処理チャネルから受信したデータの収集および処理を制御し、既存の撮像カメ ラと互換性のあるフォーマットのイベントデータに基づいて画像データを生成し 、データを画像処理コンピュータに送信する。また、データ収集システムは、検 出素子イベントヒストグラムおよびパルス波高分布データを保持する機構を備え る。データ収集システムは画像を標準フォーマットに生成し、市販のイメージン グシステムを用いて画像を表示することができる。 画像処理コンピュータは、検出素子が生成した信号に基づいて画像を表示する 。 画像処理コンピュータは、処理信号に基づいて画像を結合し、結合された画像を 表示装置に表示する。画像処理コンピュータは作業者とのインタフェースを有し 、データ収集モードを制御し、画像データをデータ収集システムから受け取り、 画像をリアルタイムに表示装置に表示し、表示装置および他の読み出し装置と通 信する。また、画像処理コンピュータはイメージングシステムで用いられる動作 パラメータを調整する機能を備える。 本発明の好適な実施の形態の詳細は、添付図面および以下の説明によって示す 。本発明の詳細が分かれば、様々な追加的改良および変更は当業者には明らかで ある。 図面の簡単な説明 図1は、本発明のカメラおよびイメージングシステムを示す。 図2は、図1のカメラおよびイメージングシステムを示し、本発明の検出器、 信号処理装置、データ収集システムおよび画像処理コンピュータシステムを示す 。 図3aは、図2に示される検出器で用いられる検出モジュールの分解斜視図で ある。 図3bは、図2に示される検出モジュールの代替の実施の形態の分解斜視図で ある。 図4は、図2に示される検出モジュールボードのブロック図である。 図5aは、図4に示される検出モジュールボードで用いられる検出モジュール のブロック図であり、検出モジュール機能を実行するために用いられるアナログ ASICとディジタルASICとの間の信号の交差部を示す。 図5bは、本発明の検出素子調整/処理チャネルに記録された有効イベントを 読み出すために用いられるフォールスルー回路の簡略ブロック図である。 図6は、図5aに示されるアナログASICのブロック図である。 図7は、図5aに示されるディジタルASICのブロック図である。 図8は、図2に示される信号処理装置の機能ブロック図である。 図9は、図8の信号処理装置のさらに詳細を示す。 図中で同一の符号および名称は同一の構成要素を示す。 [発明の詳細な説明] この説明をとおして、本発明の好適な実施態様および実施例は、本発明に基づ く制限というよりもむしろ、具体例とみなすものとする。以下の説明では、ガン マ線検出を説明するが、X線検出も同様に考えられる。X線を応用するには、様 々な寸法のサブコンポーネントが必要となる。 本発明の半導体ベースのガンマ線カメラおよび医療用イメージングシステム( 以下「カメラ」と称する)は、図1に示されており、参照番号100で参照され る。図1および2を同時に参照すると、本発明のカメラ100は、ガンマ線検出 器200と、検出器へのガンマ線を検出するためのコリメータのような入射開口 またはピンホール205と、信号処理装置300と、データ収集計算機400と 、患者、器官、或は他の被検体102に隣接するカメラの位置決め用ガントリー 500とを具備する。検出器200は、被検体102から放出された放射線を検 出するための使用される。検出器200で発生した信号は、あらゆる便利な手段 、好適にはデジタル通信リンク202を使用して信号処理装置300に送信され る。 図2に示すように、カメラ100は、被検体102から得たイメージを本発明 の装置設置現場(on-site)および遠隔にいるユーザーに送信し且つこれを表示す るための複数の入出力装置を具備している。例えば、本発明のカメラ100は好 適には、最低でも被検体102のイメージを現場ユーザー(図示なし)に対して 表示するための心電計や表示装置604のような装置からの入力を取り込む。し かし、イメージはまた、ファクシミリ600やモデム602を用いる電気通信網 616、或は直接デジタル回線(図示なし)を通して、現場にいない(off-site) 、つまり遠隔にいるユーザーにも伝送できる。カメラ100を使えば、複数の紙 面表示装置を用いて、イメージの「ハード・コピー」をとることができる。例え ば、 カメラ100は、イメージのペーパー・コピーまたはフィルム・コピーを提供す るためのレーザ・プリンタ606と、ドット・マトリクス・プリンタ608と、 プロッタ610とを具備する。カメラ100はまた、磁気データ記録装置614 および/または光学式データ記録装置612において、被検体102のデジタル 化イメージの記録もできる。 放射性同位元素からの放射線の放射の平面及び単光子射出コンピュータ断層撮 影(SPECT)のイメージは、本発明のカメラ100を使用して得ることができる。 カメラ100は、アクセスの難しい領域のイメージと、従来のガンマ・カメラを 使用して得られるイメージとを提供するように設計されている。また、本カメラ 100は、核医学において、従来得られているイメージをも提供するように設計 されている。図2に示されているように、ガンマ線検出器200は、好適には、 モジュール・ボード208に搭載した検出モジュール206のアレイ204を具 備する。モジュール・ボード208は、検出モジュールが発生した信号を、処理 するために、信号処理装置300へ伝送する。図3から4を参照して以下に詳細 に説明するように、各検出モジュール206は、室温で許容できる性能を有する 、ガンマ線放射を検出できる半導体物質から成る検出素子アレイ212を具備し ている。その上さらに、各検出モジュール206は、担体214の中に集積回路 (IC)を具備しており、機能的に作用するように検出素子212に接続されてお り、信号処理装置300への伝送のため、検出素子が発生した電気信号を増幅、 調節して処理する。信号処理装置300は、ガンマ線検出器200からの信号を 取り込み、データに対して修正を行い、被検体102のイメージを形成するため のデータ収集計算機400での使用に供するために、データをメモリーの中にお く。イメージは、表示装置604に表示され、図2に示したその他の装置を用い て、記録されたり、印刷されたり、或は送信される。カメラ100の重要な部品 は、以下の関連のサブセクションにおいて、説明する。 [ガンマ線検出器] 本発明のガンマ線検出器200は、モジュール・ボード208に搭載され、稠 密に収容された検出モジュール206のアレイを具備している。モジュール・ボ ード208は、検出モジュール206が発生した信号を信号処理装置300に送出 する。検出器200は、好適には、検出モジュール206の8×8アレイ含む。 表示の便宜上、図2は、4×5アレイの検出モジュール206を示している。検 出モジュール206は、好適には、1インチ平方の大きさになっている。従って 、ガンマ線検出器200の好適な実施態様では、64平方インチの「活性」検出領 域を有することになる。 本発明の他の実施態様では、何かの被検体を撮像するための、より一層適切な 検出面を形成するため、平面以外の他の形の検出モジュール206を搭載してい る。また図示した実施態様では、アレイ形式に配列した検出モジュール206を 有する検出器200を説明しているが、本発明は、他の形態に配列された検出モ ジュール206を具備する検出器200をも意図している。例えば、モジュール 206は、直線形や、円形、或いは他の都合のよい形態に配列できる。 検出器200のモジュール・ボード208および検出モジュール206は、光 を通さないハウジング内に収容される。シールド物質は好適には鉛等であり、漂 遊放射が、取り込んだイメージに有害な影響を与えないように、モジュール・ボ ード208と検出モジュール206の後ろと側面とに配置される。この代わりで は、シールドを、炭化タングステンや、或いは他の高密度の物質で作る。シール ドは、不要な漂遊放射が検出素子に達してカメラ100が作り出しているイメー ジの質を落としてしまうことがないように、十分な質量を有するものである。ハ ウジング(図示なし)はまた、好適には、検出モジュール206の使用面を覆っ て配置された薄いアルミニウム・ウインドウを具備する。このウインドウは、光 および物理的損傷から検出モジュールを保護するものであるが、それにも関わら ず、検査中の被検体102からのガンマ線放射が、ウインドウを貫通して検出素 子212で吸収されることもできるようになっている。この代わりにウインドウ は、画像化できる、感知可能な放射線量を吸収しない低原子番号材料ならどれか らでも作ることができる。 ハウジングは、モジュール・ボード208、検出素子206、シールド物質の 周りに、ねじまたは他の取付手段を用いて固着される。デジタル通信リンク20 2は、1端部に形成されている穴またはスロット(図示なし)を貫通してハウジ ングに入る。スロット端部とハウジングの端部とは、好適には、光を通さないよ うに作られる。ハウジングは好適には、防振技術を用いて、ガントリー500に 対して支持される。ある実施態様では、ハウジング内の温度を、ハウジングから 熱を除去する冷却システムによって制御している。 検出器の活性面の周りの無駄な領域は小さい。これは、検出器および支持ハウ ジングの側面のシールド物質から形成されており、典型的には 0.5インチよりも 小さいものである。 [検出モジュール] 図3aは、本発明の1つの検出モジュール206の分解斜視図を示す。図3aに 描いたように、検出モジュール206は、1インチ平方のセラミックまたはプラ スチック・担体内に実装した集積回路を具備している。検出モジュール206の 半導体検出物質、即ちサブ・コンポーネント210は、検出素子212のアレイ を具備する。検出素子212は、好適には、8×8アレイに配列される。本発明 の好適な実施態様では、検出素子212は、サブ・コンポーネント210の底面 上に形成された複数のテルル化カドミウム亜鉛(CZT)ガンマ線検出領域から構 成される。その結晶は、テルル化カドミウム、ヨウ化第二水銀、ゲルマニウム、 シリコン、その他X線またはガンマ線に感応する物質で構成できる。従来技術に おいて公知であったように、CZT 結晶では、良好なエネルギーおよび空間分解能 が得られている。この結晶は室温で動作可能で、種々の寸法で大量に製造できる 。CZT 結晶は、検査中の被検体102(図1)から受けたガンマ線を電荷パルス に変換する。電気パルスの振幅は、吸収されたガンマ線のエネルギーを示してい る。 図3aに示した検出モジュール206は、サブ・コンポーネント210の上下 両面に設置した薄い板と共に組み立てられる。上板(図示なし)は、バイアス電 圧を検出モジュール206に印加するための手段を提供して、検出器ハウジング からバイアス電圧を絶縁し、更に、CZT 結晶を物理的に保護している。上板は、 被検体102から放射されたガンマ線が、板を透過して検出素子212で吸収さ れるように設計される。好適な実施態様においては、板は、0.5 mm厚のアルミナ から造られる。この他では、上板および/または下板は、ガラス・エポキシ製回 路板または他の絶縁物質から作られる。下板230は、検出素子212を回路担 体214に接続する手段を提供する。下板230は、検出素子212の位置に場 所が対応している複数の接続パッド232を具備している。複数の接続パッド2 32は、検出素子ごとに、回路担体214最上面の対応する入力接続パッドへの 電気的接続を行っている。また接続パッド232は、電気的に互いに絶縁してあ る。 回路担体214は、ICおよび受動素子を収容しており、且つICから検出素子2 12およびモジュール・ボード300への相互接続を行っている。回路担体21 4は、好適には、セラミックまたはプラスチックから成る。好適な実施例におい ては、回路担体214中の厚膜抵抗およびコンデンサは、検出素子212からIC の入力へ信号をリンクし、且つ検出器漏洩電流を接地へ逃がしている。 本発明の好適な実施態様において、サブ・コンポーネント210の電極は、CZ T 上の金層により形成される。またこの代わりに、白金、炭素、その他導電性物 質を使用することもできる。検出素子212は、サブ・コンポーネント210の 底面の電極アレイによって形成される。ガンマ線検出器200(図1)の空間分 解能は、検出素子212の大きさによって大部分が決定される。性能および長期 にわたる安定性は、電極間のCZT 結晶の領域を不動態化することにより向上する 。 他の実施態様では、検出モジュール206内に形成された検出素子212のアレ イは、4つのCZT 結晶218、220、222、224として図3aに示してあ るように、別々のCZT 結晶から構成される。図示した結晶は、好適には、縦12.7 mm、横12.7mm、厚さ3 mmで、スペクトル・グレード CZTを構成している。金製の 接続薄膜または接続層は、個々の結晶218−224の上下両面に付着している 。各結晶の底面の電極は検出素子ごとに、金の平方パターン、つまり1つの正方 形を形成する。好適な実施例においては、金の正方形は、1辺で、およそ3 mmで ある。四角形の間の分離線216は、好適には不動態化されており、その結果、 100 メグオームより大きい検出素子間の絶縁が得られている。 好適な実施態様においては、導電性エポキシ樹脂は、検出素子212の電極を 下板の接続パッドに結合し、下板のコンタクトを回路担体214の入力接続パッ ドに接続するために使用される。この代わりに、インジウム・バンプ結合のよう な他の導電性結合手段を用いてもよい。 従って、検出器の入力は、回路担体214内で、担体214の上面を介してIC に接続される。他の入力および出力は、回路担体214の底面にある複数のピン 240を通してICに接続している。複数のピン240は、モジュール・ボード2 08(図2)に付着させた挿入物またはソケット・コネクタと掛合するように設 計される。前に説明したように、半導体放射線検出器の従来技術における組立構 造体は、典型的には、組立構造体が多くとも3面で接合されるような方法で、調 節電子回路とインタフェース接続する。図2に示した検出モジュール206の構 造では、都合良く、検出器モジュール206が4面全てで接合できるようになっ ている。従って、本検出モジュール206は、所望の構造をもつ核医学画像を作 るために、幾つかの方法で他の検出モジュール206と組み合わせることができ るモジュール素子を都合良く提供するものである。 この代わりに、図3bでは、同じ検出モジュール206だが、サブ・コンポー ネント210の上下面にある、直角ストリップにより形成された半導体検出素子 213のアレイを有するものを示している。直角ストリップを用いる利点は、空 間分解能が同じでも、信号調節チャネルの数が少なくなることであり、或いは、 信号調節チャネルの数が同じ場合でも、空間分解能を更に高くすることができる 事である。この実施態様では、上面からの信号は、コンデンサおよび抵抗回路網 を通して、集積回路の入力にリンクしている。図3bに示した別の実施態様では 、好適には、縦約32mm横約34 mm の外寸をもつモジュール内の1mm の中心部に32 個の上部ストリップと32個の底部ストリップとを備えている。モジュールは、た だ1つの端部に小さな無駄な領域をもち、全3側面、および小さな無駄な領域を 伴う1側面の4側面で、モジュールを十分に接合できるように、その無駄な空間 を最小にするように作られる。半導体物質は、1種類またはそれ以上の元素から できており、ストリップは表面に形成されて、全アレイを形成するために必要な ように相互に接続される。 CZT 結晶は、1980年代以降、カリフォルニア、サンディエゴのAurora Technol ogies 社、および1993年以降はペンシルバニア州サクソンブルグの eV Products から市販で入手可能であり、テルル化カドミウムは、アメリカ、アジア、ヨーロ ッパのメーカーから入手できる。 [CZT 検出器の不動態化] 本発明の好適な実施態様においては、CZT サブ・コンポーネント210の表面 上の不動態化領域は、CZT 上に絶縁膜を形成することで作り出す。好適な実施態 様では、自然酸化膜をテルル化カドミウム亜鉛基板から成長させる前に、金属層 を基板表面に蒸着しておく。自然酸化膜を成長させれば、基板中に形成する金属 パッド或いは金属線間の抵抗を確実に増大して、これを高い値に維持するための 手段を提供できる。 絶縁膜層216(図2)は、低温で過酸化水素溶液を用いた CZT表面処理によ ってCZT 表面に形成される。 金属層を蒸着した後、濃度約3 %から30%の過酸化水素水溶液に、温度約20℃か ら60℃、温度により2秒から1 時間、CZT 基板をさらして、自然酸化膜を成長さ せる。例えば、CZT 検出素子アレイは、好適には先ず、不動態化してパターニン グしてから、過酸化水素水溶液にさらす。典型的には、CZT サブ・コンポーネン ト210は、濃度約3%の過酸化水素水溶液中に、60℃で約30分間、置かれてい る。しかしながら、この温度は、所望の酸化層の深さと酸化層の成長速度に応じ て変えてもよい。説明したように CZT基板をさらした後には、検出素子212間 の表面漏洩電流を実質的に低減する、黒くて、高抵抗の酸化膜が、CZT 基板表面 に形成される。またこの漏洩電流は、不動態化された検出素子212を、酸素・ 窒素雰囲気中で、比較的低い温度で乾燥すれば更に低減できる。例えば典型的に は、温度約60℃でおよそ30分間、不動態化した検出素子を空気中で乾燥する。 検出素子212間の酸化薄膜216は、塩化水素溶液に可溶である。薄膜はま た、コンタクト・メタリゼーション用に典型的に使用される酸性水溶液であるHA uCl4電解めっき溶液でも溶解することがある。CZT 検出器が、CZT ウェーハによ り作られてからメタリゼーションする場合、酸化膜を溶解できるということは重 要である。加えて、酸化膜を溶解することは、金属蒸着を行うために、酸化層を 選択的に除去する場合や、酸化物エッチング/金属めっき工程において役に立つ 。 CZT 検出結晶の表面を不動態化する本発明の方法によれば、多くの理由により 、フォトリソグラフィに伴う公知の問題を解決する。フォトリソグラフィにより 作られたモノリシック・アレイ構造体には、化学量の変化および他の化学的影響 に起因すると考えられる、金属化されたコンタクト間の表面抵抗の低下傾向が見 られる。フォトリソグラフィにより生じた表面効果は、モノリシック・アレイ素 子では厄介である。また、端部の不動態化により、高電圧で動作するために単一 素子検出器またはアレイ検出器の性能を向上して、漏洩電流を低減する。フォト リソグラフィにより生じる問題は、前に説明した化学的不動態化法によって解消 される。CZT 面を化学的に不動態化することによって、本発明は明らかに、従来 技術では得られない便宜を提供している。例えば、自然成長させた絶縁層により 、CZT 基板上への酸化層の蒸着に伴う問題は解消する。加うるに、自然成長させ た酸化層を有する CZT結晶は容易且つ安価に製造できる。酸化層は、高い抵抗を 生 じて、検出素子212間の表面漏洩電流を低減できる。更にその上、自然酸化物 は化学的には CZT基板と共存可能である。 [検出モジュール・ボード] 図4は、図2で図示した検出モジュール・ボード208のブロック線図を示す 。検出モジュール・ボードは、図2で示した個々の検出モジュール206を内挿 するソケット・コネクタのアレイを備えている。またこの代わりに、モジュール ・ボードに対して、モジュールをはんだ付けすることもできる。図4は、検出モ ジュールの入出力ピンの相互接続を示している。1つの実施態様においては、ガ ンマ線検出器200は、5×7アレイに配列された35個の検出モジュールを具備 する。しかし図示した実施態様において使用されているアレイの大きさは、例示 にすぎず、本発明を制限するものではない。本発明のガンマ線検出器200は、 N×Mアレイに、若しくは形または寸法を問わずに配列したX検出モジュールを 具備するものでもよい。このようなN×Mアレイのカメラと図示した実施例との 違いは、個々のモジュールのイメージ中でのマッピング方法と、必要なアドレス 線の数である。例えば、ある実施態様においては、6本のアドレス線が、正方形 のパターンに配列された64個の検出モジュール206の位置を指定している。同 じ64個の素子を、他の所望の形状、すなわち矩形、円形、環形状、または十字形 のような形状に配列することもできる。16×16アレイの検出モジュールを有 する実施態様においては、8本のアクティブ線が、モジュール・アドレス・バス 256上に必要となる。 図4に示されている個々の検出モジュール206は、モジュール・ボード20 8に対してはんだ付けされているか、さもなければ付着されて電気的に接続され ている対応するソケット・コネクタ(図示なし)に掛合される。モジュールがソ ケットと十分に係合し且つ掛合している場合、ソケットは、4面全部で互いに接 合された検出モジュール206と、モジュール・ボード208上で一緒に稠密に 収容されることになる。モジュール・ボードは好適には、検査および点検中に技 術者がモジュール206を傷付けずに、これをソケットに挿入したり、或いはソ ケットから外したりできるようにする「プッシュ・ホール」(図示なし)を、個 々のモジュール位置に具備している。 図4に概略的に示されるように、デジタル信号およびアナログ信号とも、公知 のやり方で、モジュール・ボード208内で配線を介して、個々のソケットに送 出される。デジタル信号と供給線は、デジタル通信リンク202(図2)に接続 されている入出力ポートを介して、モジュール・ボード208に提供されている 。図2に示されているように、また図8を参照してより詳細に以下で説明するよ うに、デジタル通信リンク202は、信号処理装置300に接続されている。ア ナログ信号、即ち、個々の検出モジュール206による出力は、モジュール・ボ ード208上で一緒にバスにより伝送されて、線形バッファ250、252を経 て、アナログ・リンク203、好適には対ケーブルを媒介として、信号処理装置 300(図2)に送出される。この方法によって、アナログ信号とデジタル信号 との間のクロス・トークは、アナログ出力信号を調節してシールドし、且つ別々 の通信リンク202、203にアナログ信号とデジタル信号を伝送することによ って大幅に低減する。 図4に示された実施態様において、検出モジュールは、複数の入力/出力ピン 240(図3a)を具備しており、このピンは、モジュール・ボード208に付 けたモジュール・ソケット内にある対応する内挿コネクタと掛合するものである 。図示した実施態様の個々のモジュール・ソケットに関するピンの機能リストは 、以下の表1に掲載する。ピンおよび以下に列挙した機能は、図4を参照して以 下で機能的に説明するように、対応する集積回路の入力/出力との相関関係を有 するものである。 接地接続、バイアス信号、供給電圧は、検出モジュール・ボード208の内側 層を介して検出モジュール206へ送られる。電源ピンは、電源を個々の接地板 にバイパスしているバイパスコンデンサ(図示なし)に接続されている。デジタ ル信号および線形信号は、モジュール・ボード208上と、信号処理装置300 (図2)上との両方で緩和される。表2は、モジュール・ボード208を信号処 理装置300に接続するデジタル通信リンク202に関するピンの機能リストを 示している。 好適な実施態様において、信号処理装置300から検出モジュール・ボード2 08へ提供される信号には、電圧信号および接地参照信号と、「アドバンス(adv anc e)」信号とが含まれる。さらに詳細に以下で説明するように、フォールスル ーアドレス指定が、検出素子212の中で有効なイベントを同定する時、アドレ ス信号、「有効(valid)」信号、およびアナログ出力が、検出モジュール・ボー ド208から信号処理装置300に提供される。これらの信号は、モジュール・ ボード208上のいずれの検出モジュール206へもバスにより伝送される。例 えば、検出モジュール206の全ての有効線は、線260上の一緒のバスにまと められる。バイアス電圧(好適には、200−500ボルト)は、各検出モジュ ールの最上面にリンクされて、カメラの操作中に検出素子212を励起している 。 モジュールアドレスおよび素子アドレスともに、モジュール・ボード208上 の各検出モジュールの位置から接続されている共通のアドレス線256、262 を通して、信号処理装置300に供給される。モジュール・アドレス・バス25 6と素子アドレス・バス262とは、n ビット幅のアドレス・バスを作るよう に、論理的に組み合わせられる。好適な実施態様においては、信号処理装置30 0へ送られるアドレス・バスは、14ビット幅である。好適な実施態様において は、モジュール・アドレス線256は、信号処理装置300により最上位のアド レス・ビットとして処理され、素子アドレス線262は、最下位のアドレス・ビ ットとして処理される。アドレス・バス256、262は、個々の検出モジュー ルの位置で、トライステート・バッファにより駆動される。1つの検出モジュー ル206のみが、所定の時間に、アドレス・バス256、262上にアドレスを 送出する。 好適な実施例においては、個々の検出モジュール206のモジュール・アドレ スは、モジュール・ボード208上の各モジュールに(at)配置されたトライステ ート・トランシーバの中へ「結線(hard-wired)」される。即ち、各モジュール・ ソケット用のバイナリ・アドレスは、適切なビットをデジタル接地および電源に 接続することによって、予め配線される。図5−7を参照して、より詳細に以下 で説明するように、フォールスルー・アドレス指定が、有効信号をもつ検出モジ ュールに到達した時、そのモジュールは、アナログ信号(線形信号出力線270 経由)、「有効(valid)」信号、「アドレス・イネーブル(address enable)」信 号を出力し、この出力は、唯一の検出素子212を同定する。「アドレス・イネ ーブル」信号が真(true)であると仮定する時、検出モジュール206中のデジタ ルICは、アドレス・バス256上に検出素子のアドレスを送出し、そのモジュー ルの位置にあるトライステート・アドレス・バッファは、バス262上に検出モ ジュールのアドレスを流す。従って、検出モジュール206は、完全に相互に交 換可能なように設計される。その結果、検出モジュール206は、従来の意味で 、データ収集計算機400によって「アドレス指定」されることはない。むしろ 図5ー7を参照して後に詳細に説明するように、イベントが起きた時、モジュー ル206はアドレスを初期化する。図4に示されているように、検出モジュール 206は、1つのモジュールからの「フォールアウト」出力信号(例えば、フォ ールアウト信号280)を、連続モジュールの「フォールイン」入力信号(例え ばフォールイン信号282)に対して結合することによって、「数珠つなぎ(dai sy-chain)」構造で一緒にリンクされる。以下で説明するように、「フォールイ ン」信号および「フォールアウト」信号は、本発明の「フォールスルー」データ 方式を実行するために使用される。 以下で更に詳細に説明するように、検出モジュール206が、線260上に有 効信号を流した場合、信号処理装置300は、「アドレス」線上のその検出素子 のアドレスと、「線形出力」線上のアナログ信号とを、読出して処理する。次に 、信号処理装置300は、デジタル通信リンク202越しに「アドバンス(advan ce)」信号を発生して送信することにより、フォールスルー・アドレス指定とデ ータ収集工程を再び初期化する。 [検出モジュール −− アナログおよびデジタル集積回路の相互接続] 回路担体214は、好適には、3つの集積回路、即ち同一のアナログASIC2つ とデジタルASIC1つを内蔵する。2つのアナログASICは、デジタルASICを用いて 、処理用のアナログ信号を増幅して成形する。デジタルASICは、アナログASICが 発生したアナログ信号を、参照電圧またはしきい値電圧と比較する。信号がしき い値(「有効ヒット(valid hit)」)よりも大きい場合は、アナログ値をピーク 検出回路中に保存されるようにするラッチが設定される。フォールスルー信号に より動作可能にされた場合、デジタルASICは、「有効」信号と「アドレス・イネ ーブル」信号とを発生する。検出モジュール内の2つのアナログASIC700とデ ジタルASIC800間の相互接続については、図5aのブロック線図に示してある 。検出素子212からの64通りの信号は、担体214内の厚膜コンデンサを通し てアナログASICの入力端に接続される。個々の検出素子212からの漏洩電流は 、担体上にまたリソグラフィで形成された厚膜抵抗を通して、接地に逃がすよう になっている。 本発明では、各検出モジュール206において2つのアナログASIC700があ るように示されているが、当業者ならば、アナログASIC700により行われる信 号調節作用は、1つのASIC700内の他の実施態様でも実行できるという事と、 1つのASIC700内のアナログ・チャネルの数が32より大きくなるか、または小 さくなるだろう事とを理解するものと考えられる。更に本発明では、単一の集積 回路上で、アナログ処理機能とデジタル処理機能とを組み合わせている。 検出素子212は、放射線にさらされた時、低振幅の電気パルスを生じるので 、これらの信号の処理中に発生する如何なるノイズも、合成されたイメージに有 害な影響を及ぼす。本発明は、アナログ回路とデジタル回路とを別々のASIC中に 分離することにより、漏話とノイズとを大幅に低減している。 従来技術におけるイメージング装置には、検出器および増幅器の入力電流を補 正するために、各検出素子212の前置増幅器を周期的にリセットしなければな らないASICs を使用しているものもある。このリセットは、前置増幅器帰還経路 を横切って接続したアナログ・スイッチで行われる。またスイッチの操作は、大 きなスプリアス信号を引き起こして、一瞬、増幅器の機能を阻害する。ノイズ・ レベルを効果的に低減するために高い値の抵抗を使用しなければならないため、 受動帰還回路網を、条件に適うようにするのは難しい。そのような抵抗値の高い 抵抗器を製造することは、今のところ可能ではない。図5aに示すように、本発 明は、入力ポート704と、これに接続するアナログASIC 700の個々の入力 端子上の入力パッド706との間に抵抗器/コンデンサ回路網702を配置する ことによって、この問題のうち検出電流についての問題を解消している。漏洩電 流をアナログASIC 700へ入れてしまう前に、抵抗器/コンデンサ回路網70 2は、検出素子212からの漏洩電流をモジュール・ボード208上のアナログ 接地712へ逃がしている。この抵抗器/コンデンサ回路網702の抵抗器70 8とコンデンサ710の典型的な値は、それぞれ、200 MΩ、100 pFである。 増幅器の入力電流は、前置増幅器を巡る帰還素子として高出力インピーダンス増 幅器を用いることで、補正される。各検出モジュール206の 8×8アレイn の個々検出素子212は、回路担体214上の入力ポート704と電気的に結合 している。検出素子212で生成されて、64個の入力ポート704へ伝送される 信号は、6,000〜60,000電子なる数値範囲の比較的低いレベルの信号である。 検出モジュール206のうちの1つによる有効線260のアサーションは、少 なくとも検出素子212のうちの1つが、処理を要求するヒット(hit)を受け取 り、それがフォールスルー・アドレス指定によって選択されることを示している 。有効ヒットに続いて、ピーク検出器内で、線形信号が十分に安定できる短い時 間待機した後、デジタルASIC 800は、内部ゲートをかけられるようにして、 以降で詳細に説明するフォールスルー信号により動作状態にされるまで待機する 。有効ヒットは、検出モジュール206内の全部の検出素子212について、デ ジタルASICにより、同時に記録できる。検出素子212は有効ヒットを受け取っ た後、フォールスルー信号により動作状態にされるまで待機する。次にASIC 8 00は、「有効」信号を出力線260上に流し、アドレス・イネーブル信号を出 力パッド831上に流す。以上で説明しかつ図4に示すように、検出モジュール 2 06全ての有効線260は、電気的に一緒に結合されており、有効信号は、デジ タル通信リンク202で、信号処理装置300へ伝送される。 この結果、ガンマ線検出器200中の何れかの検出素子に有効ヒットが生じた 場合に、その素子がフォールスルー信号により機能状態にされていれば、その検 出素子に関する有効およびアドレス・イネーブル信号が送出される。デジタルAS IC 800の各チャネル内のピーク検出器は、信号処理装置300によって読出 されるまで、検出素子212から受信した電荷信号の振幅を保存する。図5aに 示すように、保存したアナログ信号は、線形バス270に接続されたアナログパ ッド817を介して信号処理装置300に提供される。そのヒットは、信号処理 装置300により作られたアドバンス(advance)信号258によって、読出され て処理されてから、消去されるまで、デジタルASIC 800内に保持される。デ ジタルASIC 800内の各ピーク検出器は、信号処理装置300によりリセット されるまで、検出素子212が発生した連続ヒットの最大振幅の振幅を保存する 。ピーク検出器の「保持垂下(hold droop)」は、好適には、約0.0001%毎マイク ロ秒しかない。 信号処理装置800がイベントの処理を終了する時、この処理装置は、「アド バンス(advance)」信号をアドバンス信号線258に流す。図4に示すように、 各モジュール206のアドバンス信号線258は、電気的に一緒に結合されてい る。アドバンス線258に真(true)と送出された場合、活性状態にある検出モジ ュール206(すなわちアドレス・バス256、262および線形バス270を ただちに操作できる検出モジュール)が、活性状態の出力線(有効線、アドレス 線、線形信号)をクリアし、フォールスルー信号を次にラッチがかかる検出素子 に送れるようにする。 [フォールスルー回路] フォールスルー回路は、検出素子ごとにASIC 800の中に具備されている。 このフォールスルー回路の簡略化したブロック線図は、互いに結合した、一連の 論理的な「AND」ゲートおよび「OR」ゲートとして、図5bに示してある。このフ ォールスルー回路の表示は、その機能を説明するために簡単にしたものである。 各検出素子212は、検出素子212が受けた有効ヒットを蓄積するために、AS IC 800内に対応するラッチを具備している。例えば図5bに示すように、ラ ッチ808は、第1検出素子(DE 0)が受けたヒットを蓄積し、ラッチ810は8 ×8アレイ中の第2検出素子(DE 1)が受けたヒットを蓄積して、以下同様に行わ れる。ラッチ出力は、対応するフォールスルーブロック812、814、に対し て接続されている。ブロック812は、フォールイン信号線282に接続された その OR ゲート816の第1入力端を有する。ボード208上の検出モジュール 266のフォールイン信号線およびフォールアウト信号線は、一緒に「数珠つな ぎ」にされている(図4)。例えば、検出モジュール266のフォールアウト信 号線280は、次の検出モジュール268のフォールイン入力端282に接続さ れている。検出モジュール206アレイの最後の検出モジュール284は、NOR ゲート286に接続されたフォールアウト線280を有する。NOR ゲート286 の出力端は、第1検出モジュール266のフォールイン入力端282に接続され る。 従って、ガンマ線検出器200の各検出モジュール206内のフォールスルー 回路は全て一緒につなぎ合わされており、1つの環状のフォールスルー・ループ を形成している。NOR ゲート286によって、パワーアップ・シーケンスの最中 にフォールスルー・システムを初期化することが可能になっている。例えば、パ ワーアップ時には、PWR#UP信号 288が「High」で送出されるが、これにより ワンショットマルチバイブレータ290は、第1検出モジュール266のフォー ルイン信号線282への論理的 0パルスの送出を停止することになる。再び図 5bを参照すると、第1検出モジュール266の第1検出素子ラッチ808が設 定されていない(換言すれば、ラッチ808に関わる第1検出素子212が有効 ヒットを受け取っていない)場合、ORゲート816は、論理的に「Low」値を出 力する。論理的「Low」は、 8×8アレイの検出素子212の次の検出素子2 12(例えば「DE 1)に連結されている次のフォールスルー・ブロック814 のORゲート818へ入力される。次の検出素子ラッチ810が設定されていない (換言すれば、ラッチ810に連結されている第2検出素子212が有効ヒット を受け取っていない)場合、ORゲート818はまた、論理的に低い値を出力する ことになる。次のフォールスルーブロックは、同様に、論理的に低い値を発生し 続けるが、この値は、ヒットを受け取り且つそれによって対応するラッチを設定 した検出素子が見つかるまで、フォールスルー・ブロックの連鎖を通って伝搬す る。有効ヒットを受けた検出モジュール266内に検出素子212がない場合、 即ち、検出モジュール266のデジタルASIC800のラッチ設定が行われていな い場合、検出モジュールは、そのフォールアウト信号線280から論理的「Low 」を出力する。その「Low」の値は、次のモジュール268のフォールイン入力 線282へ入力される。このため、論理的「Low」は、処理の準備ができたイベ ントを有する素子に出くわすか、或いは信号が最後のモジュールを通過して最初 のモジュールに戻るまで、次の各モジュールのORゲートを通って進み続ける。 どのORゲート(即ち ORゲート816、818など)でも、論理的「High」入 力があれば、フォールスルー処理は停止する。イベントが見いだされた時、デジ タルASIC800は、ASICがデジタル・アドレス・バス256、262と、線形信 号線270との両方(図4)を制御できるようにするトライステート・バッファ (図示なし)を活性化する。ヒットを受け取り、その後フォールスルー回路を停 止(halt)させる検出素子212のアドレスは、ASIC800により素子アドレス ・バス262上へ出力される。ASICの検出モジュール206のアドレスはまた、 トランシーバからモジュール・アドレス先256上へ、アドレス・イネーブル線 832により送出される。以上に説明したように、モジュール・アドレスは、モ ジュール・ボード208上で、アドレス・イネーブル信号により機能する8ビッ トのトランシーバ内へ結線されている。フォールスルー処理の停止(halt)を引き 起こす検出素子212のアナログ信号は、デジタルASIC800の検出素子アドレ ス出力262を用いて選択される。 ヒットにより生じた有効信号は、信号処理装置300にアドレスおよびアナロ グ信号を読出させて処理させる。フォールスルー構造によって、確実に1つの検 出モジュール206だけが一度に機能するようにしているため、他の検出モジュ ールは、バス・ラインにアクセスできない。信号処理装置300がイベントの処 理を終了して検出モジュールに共用されているアドバンス信号線258に「アド バンス(advance)」信号を送出するまで、ホールスルー処理は停止されたままで ある。活性検出モジュールは、アドバンス信号を受信すると、その時点でアドレ ス指定されているピーク検出器をリセットし;有効信号線260に論理的「Low 」値をとらせている有効信号の送出を停止し;アドレス・イネーブル信号の送出 を停止し;トライステート・バッファを機能しないようにして、これによりアド レスバスおよび信号バスを解放し;そのフォールアウト線に論理的「Low」パル スを送出する、という作用を順次行う。フォールスルー処理は、デジタルASIC8 00の中の次のフォールスルーブロックで、再び続く。 フォールスルー方式は、連続した方法で検出素子を走査、つまり一度に1つの 素子を走査しているので、有効ヒットを受けた検出素子212は、他の検出素子 の走査に影響せず、或いはその走査を妨げることはない。その後のフォールスル ー走査の最中に読出されるまで、全ての素子は、「ラッチ・アウト」若しくは抑 制される。従って、各モジュール206の個々の検出素子212は、信号処理装 置300により処理される機会を平等に与えられる。集積回路(IC) 図6は図5aのアナログASIC700のブロック図である。各アナログAS IC700は32チャネルを含むのが好ましい。各チャネルは入力パッド706 を有するのが好ましく、入力パッド706は、γ線が吸収されたとき関連する検 出要素212が生成するアナログ信号を受信するとともに調整する。チャネルは 、それぞれ、電荷増幅器718および整形増幅器720を含む。前置増幅器は電 流源増幅器(図6ではレジスタ738を示す)を内蔵し、回路の直流安定性を維 持 する。整形増幅器の立ち上がり時間および立ち下がり時間は、ASIC700の 外部のレジスタを介して設定される。 コンデンサ740の好ましい値を選択し、所望の遅延時間を供給する。増幅器 718は、検出要素212が生成したパルスを、ディジタルASIC800内の コンパレータを作動できるレベルに増幅するように設計されている。増幅器71 8はアナログ信号をほぼ1Vのレベルまで増幅するのが好ましい。 整形増幅器720のピーク時間および立ち下がり時間は、白色雑音およびI/ F雑音寄与を最小化するとともに良好な基底線回復を得るように選択される。ピ ーク時間は0.1〜1.0msecで立ち下がり時間は1〜10msecが好ま しい。整形増幅器720の出力は、ディジタルASIC800内の対応するピー ク検出器の入力に接続されている。 図7に示されるように、ディジタルASI C800は、各検出モジュール206に関連する64個の検出要素212に対応 する64個の並列チャネルを含むのが好ましい。チャネルは、それぞれ、ピーク 検出器820、コンパレータ822、イベントラッチ824、ANDゲート82 6、828、フォールスルーブロック830およびアドレスエンコーダ832を 含む。 図5aを参照した上記のとおり、ピーク検出器820は、有効信号が順次生成 されたパルスを「ロックアウト」するまで、検出要素212が生成した連続パル スのうち最高パルスを記憶することによってアナログピーク検出を行う。ピーク 値が読出されるまで、順次生成されたパルスは「ロックアウト」される。検出要 素のアドレスが有効である場合、スイッチ814は、選択されたピーク検出器か ら送られるアナログ信号を線形out sig線路817を介して信号処理装置 300に送信することができる。 図7に示されるように、ピーク検出器820は、フォールスルーブロック(8 30、836、838)からスイッチ814に接続された制御線路833を含む 。スイッチ814は、制御線路833によって作動されると、選択されたピーク 検出器820の出力を信号バッファ812に接続する。ピーク検出器820のい ずれか1つによって記憶されたアナログ電圧は、要素のアドレスがイネーブルで ある場合およびその場合にのみ、アドバンス信号842によって再設定される。 す なわち、スイッチ814がフォールスルーブロック(すなわち、830)によっ て作動された場合、アドバンス信号842の存在が検出されると、作動スイッチ 814に接続されたピーク検出器は再設定される。このため、信号処理装置30 0がピーク検出器に記憶されたイベントを処理した後、信号処理装置300は選 択されたピーク検出器820をクリアし、続いてヒットを累積し始める。 バッファ/ドライバ812はスイッチ810に接続されている。スイッチ81 0は、アドレス有効信号線路848によって制御される。アドレス有効信号線路 848は、フォールスルーブロックイネーブル信号を参照しながら以下に詳細に 示す。バッファ/ドライバ812の出力はout sig出力パッド817に接 続され、out sig出力パッド817は線形アウト信号線路270を介して 信号処理装置300に接続されている(図4および図5参照)。 図7に示されるように、第1の入力は入力パッド802を介してコンパレータ 822に供給される。コンパレータ822に送られる第2の入力はしきい値電圧 (VTH)入力線路804を介して供給され、しきい値電圧入力線路804はシス テムのすべてのモジュールに共通している。検出要素信号の振幅がしきい値電圧 より低い電圧の場合、イベントは記録されない。しかしながら、検出要素信号の 振幅がしきい値電圧(VTH)より高い場合、コンパレータ822は出力の存在を 確認し(出力で論理的に高い値を確認するのが好ましい)、対応するラッチ82 4を設定する。以下に詳細に示すように信号が信号処理装置300によって処理 され再設定されるまで、信号はイベントラッチに記録されたままである。 ANDゲート826、828は、2つの異なるタイミング機能を果たす。AN Dゲート826を用いて、有効信号が生成される前に、検出要素212が生成し たパルスを検出要素212に関連するピーク検出器820(図7参照)内で安定 化することができる。論理1はANDゲート826に入力される前に反転され、 ANDゲート826はANDゲートの出力を論理的に低い値に遷移させる。 入 力802が受けたパルスがしきい値電圧未満に遷移するまで、ANDゲート82 6の出力は論理的に低い値に保持され続ける。したがって、ANDゲート826 は、パルスがしきい値電圧を下回るレベルに戻るまで、イベントラッチ824の 出力がANDゲート826を通過してANDゲート828の入力に達するのを防 ぐ。このような遅延によって、ヒットがフォールスルーブロック830を通過す る前に、ピーク検出器820を確実に安定化できる。これによって、out s igパッド817を介してピーク検出器820によって生成されたアナログ信号 は確実にパルスのピーク振幅に対応する。 ANDゲート828をフォールスルーブロック830とともに用いて、上記の フォールスルー方法を簡単に行う。以下に詳細に示すように、検出要素がフォー ルスルー回路によって走査されるまで、ANDゲート828は、ヒットを受ける 検出要素212がフォールスルー処理を遮断するのを防ぐ。ANDゲート828 およびフォールスルーブロックによって、確実にすべてのイベントラッチ824 が順番に走査され、すべての検出要素が等しく信号処理装置300に処理される 。 図5aを参照して以上に示すように、「アドバンス」信号258がアドバンス 入力パッド842で確認されると、走査されたイベントラッチ824が再設定線 路644を介して再設定される。図7に示されるように、イネーブルラッチ82 4の再設定線路844は優先選択/フォールスルーブロック830に接続される 。選択されたブロック830がアドバンス信号842を受信すると、ブロック8 30は再設定線路844を介してラッチ824を再設定する。 フォールスルーブロックは、複数のアドレスエンコーダ(例えば、832、8 70、890等)に接続される「イネーブル」出力を含む。選択された優先選択 ブロックに接続されたイベントラッチ824がイベントを含むとともに選択され た優先選択ブロックが走査されている(例えば、フォールスルー処理が選択され た優先選択ブロックに到達した)ときは常に、選択されたフォールスルーブロッ クのイネーブル出力は確認される。このため、イネーブル出力によって、アドレ スエンコーダ(すなわち、832)の1つが内部アドレスバス846でアドレス を示し、アドレスバス846は有効ヒットを含む選択された検出要素212を示 す。次に、有効アドレス信号848の存在が確認されることによって、アナログ スイッチ850は閉じられる。その後、検出要素のアドレスが検出要素アドレス バス262で確認され、信号処理装置300に伝送される。 図5〜図7を参照して以上に示したように、各検出モジュール206はアナロ グASIC700を有し、アナログASIC700は検出要素212が生成した アナログ信号を増幅し、アナログ信号とイベントしきい値電圧を比較する。なお 、しきい値電圧は検出モジュール206のすべてに共通する。イベントしきい値 電圧は上記雑音レベルに設定されるのが好ましい。検出要素212が生成したア ナログ信号がイベントしきい値電圧を上回り、検出要素が上記フォールスルー方 法によって「アドレス指定」された場合、ディジタルASIC800は有効信号 260を発生させ、有効信号260はコンピュータの信号処理装置300に少な くとも1つの検出要素212がヒット要求処理を受けたことを知らせる。ディジ タルASIC800は線形アドレスバスを制御し、検出要素212のアドレスお よび増幅信号の大きさの両方を出力する。いったん信号処理装置がイベントを読 出し処理すると、ASIC700および800は、アドレス指定された検出要素 212が生成したフラグおよび線形信号をクリアする。以下に詳細に示すように 、信号処理装置300は、アドバンス信号線路258を介して「アドバンス」信 号を確認することによってイベントを処理したときを示す。 このため、γ線検出器200および特にモジュールボード208は、信号処理 装置300にとって非常に簡易なアナログ/ディジタル入力装置である。このア ナログ/ディジタル入力装置は、読出し完了応答が(アドバンス信号258を介 して)信号処理装置300によって生成されるまで、パルス波高およびアドレス 情報を生成するとともにこの情報を記憶する検出器のアレイからなる。信号処理 装置300が検出要素のアドレス処理および要素の線形信号読出しを完了すると 、システムはアドバンス信号258を発生させることによって、次に待機中の検 出要素のアドレス指定を行う。ヒット待機中の検出モジュールアレイに含まれる 次の要素は、そのアドレス、アドレス信号および有効フラグを生成する。それに よって、信号処理装置300は、各検出要素212(ヒット待機中でない検出要 素を含む)のポーリングのような時間集約的な作業から解放される。実際、図5 〜図7を参照して以上に示されたフォールスルー方法を用いると、検出要素のア ドレス指定は、信号処理装置300が行う処理から独立して行われる。信号処理 装置300は、検出要素のイベントデータを読出したとき、アドバンス信号線路 258にパルス処理を行うだけでよい。図2に示されるように、信号処理装置3 00は回路盤に収納され、回路盤はデータ収集計算機400とインタフェースを 形 成する。信号処理装置300と検出器200間のすべての通信は、通信リンク2 02および203を介して行われる。信号処理装置300 信号処理装置300はγ線検出器200から送られるデータを収集し、データ を正規化するとともにフォーマットし、データ収集計算機400がアクセスでき るようにデータをメモリブロックに記憶する。さらに、信号処理装置300はバ イアス電圧を検出器200に供給し、有効γ線パルスを判別するため検出モジュ ール206によって用いられるイベントしきい値電圧を供給する。 図8は信号処理装置300の機能ブロック図である。信号処理装置300は、 現場でプログラム可能なゲートアレイ(FPGA)302、フラッシュAD変換 器(ADC)304、利得正規化に用いる高速DA変換器(DAC)306、イ ベントしきい値電圧を設定するしきい値DAC316、データ収集計算機400 と通信するための入力/出力ポート318、ゲートトランシーバ314、低ポー ト324および高ポート326を有するディジタルウィンドウブロック322、 ラッチ328、試験信号発生器370、1msecクロック372およびバイア ス電圧供給源254を備えるのが好ましい。以下に詳細に示すように、信号処理 装置300は、数ブロックに割り当てられたランダムアクセスメモリ(RAM) 、利得メモリブロック308、ヒストグラムメモリブロック310および記憶さ れている情報のタイプ毎に名づけられているパルス波高分布メモリブロック31 2も含む。図9を参照して以下に詳細に示すように、信号処理装置300は2つ の「ピンポン」バッファ346、348を含み、これらのバッファはデータ記憶 装置の「ストリームモード」で用いられるアドレスを記憶する。 信号処理装置300とモジュールボード間のすべての通信信号および電力は通 信リンク202および203を介して伝送される。例えば、図8に示されるよう に、線形入力線路270は、アナログ通信リンク203を介してすべての検出モ ジュール206の線形出力に接続されている。アドレスはアドレス線路256お よび262を介してFPGA302に入力される。有効線路は有効信号線路26 0に接続される。アドバンス信号はアドバンス信号線路258を介して供給され る。しきい値電圧はしきい値信号線路272で伝送される。試験信号は試験信号 線路274で供給される。バイアス電圧はバイアス信号線路254で供給される 。これらはすべてアナログリンク203を介して行われる。 FPGA302によって、信号処理装置300の機能はソフトウェアを介して 制御可能になる。初期化のとき、データ収集計算機400は、コンフィグレーシ ョン情報を並列入力/出力ポート318を介して信号処理装置300に送信する 。このコンフィグレーション情報はデータ収集モードを示す。例えば、信号処理 装置300は、ソフトウェアによって制御されたしきい値電圧を上回るイベント データをヒストグラムメモリブロック310に記憶するように、FPGA302 を構成する。この代わりに、いくつかのパルス波高を特定し、分離ヒストグラム をウィンドウ毎にヒストグラムメモリブロック310に累積することもできる。 さらに、各検出要素212から受信したパルス波高分布またはスペクトルをパル ス波高メモリブロック312に記憶することができる。このようなモードは、そ れぞれ、FPGA302の初期化時に個別に特定できる。 有効信号線路260が真になると、検出要素アドレスはアドレス線路256お よび262から読出される。このアドレスを用いて、要素の利得正規化係数を含 むメモリロケーションのアドレス指定をする。この情報はDAC306に転送さ れ、DAC306は要素利得に比例する電圧を出力する。DAC306が出力し た電圧は、選択された処理チャネルによって生成されて線路270に供給された アナログ信号を正規化し変換するとき、ADC304によって用いられる。 また、要素アドレスを用いて、パルス波高振幅をヒストグラムメモリブロック 310またはパルス波高分布メモリブロック312にマッピングする。初期測定 時、利得正規化係数は均一に設定され、等方性信号源を用いて個々の要素の応答 を測定する。次に、これらの応答はホストコンピュータによって分析され、影像 時に用いられる利得係数を得る。このように、要素応答の分散を排除することに よって、画像の品質を向上させる。イベントが収集され、正規化されて記憶され ると、アドバンス信号が線路258で生成され、それによって、γ線検出器20 0は有効ヒットを有する次の検出要素に進むことができる。 上記のとおり、信号処理装置300が行う機能で重要な点の1つは、検出要素 利得の正規化である。信号処理装置は利得メモリブロック308を用いて、この 利得正規化機能を行う。この利得メモリブロック308は、γ線検出器200の 各検出要素毎の利得正規化係数を含む。好適な実施の形態において、モジュール あたり256個の検出モジュール206および64個の検出要素212がある。 パルス波高分布は、深さ2バイトのチャネルを128個備える。したがって、本 例において、利得メモリブロック308は、256×64×128×2すなわち 4,194,304メモリバイトのロケーションを有する。イベントが発生する と、利得メモリ308はアドレス指定され、データは正規化DAC306に転送 される。これは順番にADC304の瞬間的な全域を制御する。このように、A DC304の出力は「利得正規化」される。ADC「出力完了」信号344によ ってデータ記憶動作が続行される。 利得正規化係数は、まず、係数を均一に設定して得られる。次に、信号処理装 置300は、パルス波高メモリブロック312の各検出要素のパルス波高分布を 累積する。パルス波高分布はデータ収集計算機400によって分析され、各要素 ごとの相対利得を得る。この値に比例する数が、利得メモリブロック308の各 検出要素の利得正規化係数として記憶される。このようにして得られた利得正規 化係数を用いて、データ収集時に各検出要素212から順次受信されたアナログ 信号を正規化する。 パルス波高モードの場合、要素のアドレスおよびADC出力を用いて、各検出 要素212のパルス波高スペクトル生成中に、アドレス線路340および出力線 路338を介してパルス波高メモリブロック312のアドレス指定を行う。この ため、各要素アドレスは128ロケーションのヒストグラムに関連する。ADC の上位7ビットは128ロケーションの「アドレス」を指定する。ヒストグラム の各ロケーションは、そのアドレスがADCに出現すると、1ずつ増分される。 各ロケーションで1バイト以上のメモリは、統計確度を向上させるため指定でき る。このため、パルス波高メモリ312は、γ線検出器200の各検出要素21 2ごとのパルス波高スペクトルを累積する。このスペクトルは、パルス波高メモ リ312にアクセスすることによって、データ収集計算機400によって分析で きる。 画像収集モードの場合、各検出要素アドレスは4バイトの深さで、アドレスが アドレス線路に示されてADC出力が適当な振幅になる度に1ずつ増分される。 このため、到来データのヒストグラムは、検出されたγ線エネルギにしたがって 形成される。図8に示されるように、アドレスおよびイベント振幅は、アドレス 信号線路340、338を介してディジタルウィンドウブロック322に示され る。ディジタルウィンドウブロックは、高ポート326および低ポート324を 有する。データ収集計算機400は、コンピュータバス320を介して高低の振 幅値を低ポート324および高ポート326に書込むことによって、ポートに供 給された値を設定する。ADC304の出力は低ポート324および高ポート3 26に記憶された値と比較される。増幅線路338の値がディジタルウィンドウ の低ポート324および高ポート326記憶された低い値と高い値の間にある場 合、アドレス線路340に供給された要素アドレスを用いて、ヒストグラムメモ リ310のアドレス指定を行う。要素アドレスのヒストグラムメモリ310の値 は1ずつ増分され、そのアドレスに再び書込まれる。 「リスト」モードの場合、各イベントは「時間タグ」を付けられる。アドレス 情報はADCから送られた8ビットおよびクロックから送られた3ビットと結合 され、ピンポンメモリバッファの1つに配置される。このようなバッファの大き さは、高速のデータ収集において容易にデータ転送ができるように決定される。 バッファがデータで満たされると、データ転送を他方のバッファに切り替え、遮 断し、データが充満しているバッファのDMA転送は、データ収集計算機400 または画像処理コンピュータシステム450のいずれかに任意で接続されている ハードディスクにセットアップされる。ポートから送られる出力は、データ収集 完了時にバッファを点滅させる。 γ線検出器200の8つのアドレス線路を介してアドレス指定できる256個 のモジュールの場合、各画像ヒストグラムは65,536バイト(256×64 ×4)のメモリブロックを必要とする。信号処理装置はデュアルポートメモリを 用い、FPGA302およびデータ収集計算機400のCPUは利得メモリに同 時にアクセスできる。 いったんメモリ310、312が検出要素データとともに書込まれると、FP GA302はアドバンス信号線路258でアドバンス信号の存在を確認し、次の イベントがアドレス線路256、262および線形入力線路270に示される。 図5〜図7を参照して以上に示したように、有効ヒットを有するモジュールが見 つかるまで、検出モジュール206は次々に走査される。信号処理装置300は 、有効ヒットアドレスおよび線形データを読出す。好適な実施の形態において、 有効ヒットが存在しない場合、検出モジュール206全体を走査するのにほぼ2 .5msecかかる。各検出要素のヒットを処理するのに約2msecかかる。 およそ220,000回/秒の速度で、信号処理装置300は全走査につき1つ のデータ点の平均値を読出し、その最大読出し速度は500,000回/秒であ る。 画像処理システム450は、予め定義されたパルス波高レベル間で生じるγ線 のパルス波高分布またはイベントヒストグラムをリアルタイムに表示できる。さ らに、データ収集計算機400は、メモリブロック310、312のデータに基 づいて診断機能を実行できる。例えば、予備測定において、影像装置は、影像処 理に用いられる同位体から放射線が放射される一様な場にさらされる。データレ ートはシステムに各要素ごとに記録され、各要素の相対的なカウントレートを用 いて、その要素の検出効率係数を得る。次に行われる画像分析でこれらの係数を 用い、要素検出効率の付帯的な分散を訂正する。 図8に示されるように、信号処理装置300はしきい値DAC316も含み、 しきい値DAC316によって、しきい値電圧線路272を介して検出モジュー ル206に供給されたしきい値電圧をソフトウェアで制御して調整できる。入力 はコンピュータバス320を介してしきい値DAC316に供給される。 好適な実施の形態において、信号処理装置300は図9に示されるブロックを 含む。信号処理装置300は、2つのメモリアドレスバッファ346、348、 バッファポインタ350および1msecクロック352を含む。図9に示され るハードウェアを用いて、信号処理装置300はメモリアドレスバッファ346 、348にアドレス情報を記憶できるとともに、上記のように、ヒストグラムを 形成し、ヒストグラムデータをヒストグラムメモリブロック310に記憶する。 アドレス情報は、クロック352によって生成されたタイミング情報とともに、 メモリアドレスバッファ346、348に記憶される。第1のメモリバッファ3 4 6がいっぱいになると、アドレスはバッファポインタ350によって第2のメモ リバッファ348に送られる。第1のバッファ346がいっぱいになると、バッ ファポインタ350は、制御線路362を介してデータ収集計算機400に対し てディスク白割り込み信号を発生させる。図9に示されるように、制御線路36 2はコンピュータバス320に接続されている。バッファポインタが制御線路3 62に割込み信号の存在を確認すると、データ収集計算機400は第1の割込み ルーチンの実行を開始し、データを第1のメモリバッファ346からデータディ スク(例えば、データ記憶装置614、図1参照)に転送する。第2のメモリバ ッファ348がいっぱいになると、バッファポインタ350は第2のディスク白 割込み信号を発生させることによって、データ収集計算機400は第2の割込み ルーチンを実行し、データを第2のバッファ348からデータディスクに転送す る。次に、アドレス情報は第1のバッファ346にロードされる。このようにア ドレスおよびタイミング情報を記憶する「ストリームモード」は、CPUで動作 するソフトウェアを介してデータ収集計算機400によって制御される。 アドレスおよびデータと外部イベントの発生を同期させるため、信号処理装置 300は、イベントにメモリアドレスバッファ346、348に記憶されたアド レス情報のタグを容易に付ける。例えば、メモリバッファ346、348に記憶 されたアドレスを心臓収縮のようなイベントに同期させるため、信号が心臓モニ タセンサから送られる。論理レベル入力信号は信号線路364を介して供給され る。外部イベントが発生すると、信号線路364を確認し、アドレスデータスト リーム入力内部で特定タグがバッファ346、348に挿入される。例えば、イ ベントによって、アドレスビットのうちの1つを設定またはクリアできるので、 アドレスビットをフラグとして用いることができる。データが時分割で処理され る場合、タグ時間イベントによって、データをフェーズドタイムスライスに細分 化できる。代替の実施の形態において、図9に示されるメモリバッファ346、 348は、アドレス、パルス波高データおよびタイミング情報を格納できる。 次に、このようなストリームデータはハードディスクから読返され、外部イベ ントフラグに関連する時間ビンにソートできる。このため、心臓収縮または他の 反復するイベント発生の時間記録を作成することができる。クロック情報の代わ りに外部位置エンコーダから送られるパルスを用いて、位置による画像を累積し て断層放射線写真に適用できる。 DAC356は調整器358およびDC/DC変換器360とともに動作し、 調整電圧源をバイアス電圧254に供給する。DAC356への入力は、ソフト ウェアの制御によってコンピュータバス320を介して行われる。変換器の出力 電圧の分数を用いて、入力を高利得動作増幅器と比較する。増幅器は変換器に送 信される駆動信号を制御し、所望の値で動作バイアスを維持する。 イベントが発生すると、イベントを引き起こした検出要素212のアドレスを 用いて、利得アドレスバス線路332を介して利得メモリブロック308のアド レス指定をする。本実施の形態において、FPGA302はモジュールアドレス バス356を検出要素アドレスバス262に接続し、利得アドレスバス332を 形成する。上記のとおり、FPGA302はモジュールアドレスを最上位アドレ スビットとして扱い、要素アドレスを最下位アドレスビットとして扱う。利得メ モリブロック308が利得アドレス線路332を介してFPGA302によって アドレス指定されると、前もって計算された待機中の検出要素212の利得正規 化係数は、利得正規化信号線路334に示される。次に、前もって記憶された待 機中の検出要素212の利得正規化係数は、利得正規化ラッチ328にラッチさ れる。本実施の形態において、信号処理装置300は8ビットのDAC306を 用い、DAC306は8ビットの利得正規化係数をラッチ328から受け取る。 選択された利得正規化係数がラッチ328にラッチされると、アナログ参照値は 、8ビットの正規化係数に対応してDAC306によって生成される。利得参照 電圧は参照電圧線路336で出力され、参照電圧線路336はフラッシュADC 304に接続されている。DAC306が生成した参照出力電圧は、フラッシュ ADC304に対する参照値として用いられる。電圧は、検出モジュールボード 208の線形入力線路270からフラッシュADC304に入力される。ADC 304は比例計型AD変換器なので、ADC304の出力は、線形入力線路27 0で受信された入力信号と参照電圧線路336を介してDAC306によって生 成された参照電圧との比に比例する。このため、フラッシュADC304は線形 入力信号の振幅をディジタル表示する。なお、この線形入力信号は検出要素によ っ て生成され、(ヒットを受けた)検出要素は利得正規化係数によって修正され、 利得正規化係数は(検出要素212のために用いられる)利得メモリ308に記 憶されている。したがって、ADC304は増幅線路338に8ビットの出力を 行い、増幅線路338は各検出要素212の特定の利得変動および対応する増幅 /調整回路の変動から独立している。 FPGA302は、変換信号をフラッシュADC304に送信する前にラッチ 328およびDAC306の出力が安定するゲーティング過渡を短時間待機する 。変換信号は変換信号線路342で供給され、フラッシュADC304は増幅線 路338にディジタル出力する。フラッシュADC304はおよそ50nsec 以下でAD変換を行い、信号線路342の変換信号確認から増幅線路338の出 力生成までの全変換時間はほぼ300nsecである。フラッシュADC304 は信号線路344でADC処理完了信号を確認し、FPGA302に変換完了時 間を報知する。ADC処理完了信号が信号線路344で確認されると、FPGA 302はアドバンス信号線路258でアドバンス信号を確認し、アクティブ検出 モジュール206は、次に待機中の検出要素イベントを検索しながら処理を続け ることができる。次の検出要素イベント処理を開始しながら、ヒストグラムメモ リ310を更新できる。データ収集コンピュータ データ収集計算機400は、信号処理装置300および画像処理コンピュータ システム450と通信するハードウェアおよびソフトウェアを含む。データ収集 計算機400は、検出モジュール206のアレイから受信されたデータの収集お よび処理を制御し、既存の影像カメラと互換性のあるフォーマットのイベントデ ータに基づいた画像データを作成し、そのデータを画像処理コンピュータシステ ム450に伝送する。データ収集計算機400は、検出要素イベントヒストグラ ムおよびパルス波高分布データを保持する機構を提供し、標準フォーマットの画 像を作成することができ、画像処理コンピュータ450に用いられる市販のイメ ージングシステムを用いて画像を表示できる。例えば、好適な実施の形態におい て、データ収集計算機400は画像ヒストグラムを第1のデータリンクを介して 画像処理コンピュータに送る。別の実施の形態において、各イベントの相対的位 置および信号振幅は、並列リンクを介して画像処理コンピュータに伝送される。 後者の実施の形態において、画像処理コンピュータはヒストグラムを作成する作 業を行う。 画像は、クロックによって解像できる所望のレートで時間タグ処理できる。好 適な実施の形態において、データは30フレーム/秒のレートでタグ処理される 。したがって、データがほぼ300,000回/秒で収集される場合、時間タグ 処理されたフレームは、それぞれ、ほぼ10,000個のデータ点を含む。 データ収集計算機400は信号処理装置300とともに、検出要素利得および 検出要素効率正規化機能を実行することによって、フレキシビリティを向上させ 、検出器200のコストを削減する。検出要素の品質の必要条件を厳密にせず、 検出要素/増幅/ピーク検出ストリングの利得を整合させる必要がないので、以 上のような利点が得られる。 データ収集計算機400は各検出要素212の相対的な効率性を分析し受信デ ータの正規化を行い、均一に放射線にさらすことによって、確実に強度の均一な 画像を作成する(すなわち、均等に放射された検出要素は画素ごとに同一のグレ ーシェードを生成する)。このため、初期化後、信号処理装置300およびデー タ収集計算機400は、各検出要素212に均等に放射されると、各検出要素2 12が応答を同一に表示することを保証し、この応答は検出要素212が行った 実際の応答から独立している。この正規化特性によって、均一な応答および利得 特性を有する検出要素212および検出モジュール206を生成することに関連 してコストが削減される。この特性によって、各検出要素212の利得調整の必 要性およびそれに関連する増幅および信号調整回路を排除する。また、この特性 によって、各検出要素212のエネルギ分解を向上させ、コンプトン散乱イベン トの拒絶を向上させる。また、イメージングシステムの長期安定化を向上させる 。このような特性は、データ処理量を大幅に減らすことなく実現される。すなわ ち、現存のデータ収集計算機400によって、500,000回/秒のカウント レートが実現できる。 信号処理装置300およびデータ収集計算機400は、ソフトウェアで制御し て機能を変化させることによってフレキシビリティを向上させ、それによって、 機能追加が必要または望ましい場合の回路盤の再設計にコストをかけることを防 ぐ。画像処理コンピュータシステム 画像処理コンピュータシステム450は作業者とのインタフェースを提供し、 データ収集モードを制御し、画像データをデータ収集計算機400から受信し、 画像をリアルタイムに表示装置604に表示し、表示装置および読出し装置と通 信する。また、画像処理コンピュータシステム450は、システムで用いられる γ線エネルギの限界および較正パラメータのような動作パラメータの調整を容易 にする。データ収集計算機400は、特定の画像処理コンピュータシステム45 0に適したデータプロトコルを用いるイーサネットまたはSCSI−2のような 標準的なインタフェースを介して通信する。画像処理コンピュータシステムは、 作業者の制御によって、画像表示、回転、スライス、関連領域のハイライト等を 行う。 図2に示されるように、画像処理コンピュータシステム450は、システムに 接続された他の表示装置に画像を表示できる。このシステムはソフトウェアおよ びハードウェアの両方を含み、図2に示される入力装置および出力装置を制御す る。以上のように、影像ヘッド200、信号処理装置300およびデータ収集計 算機400を含む核医学イメージングシステムを説明してきた。影像ヘッドは高 密度実装検出モジュールのアレイを含む。各検出モジュールは回路担体を含み、 回路担体は、検出要素によって生成された信号を調整し処理するとともに、処理 信号を準備して信号処理装置によってさらに処理する回路を含む。イメージング システムは処理信号に基づいて画像を結合し、結合画像を表示装置に表示する。 検出装置はテルル化カドミウム−亜鉛材料からなるのが好ましい。検出要素が信 号処理装置によって制御されたしきい値より大きいエネルギのγ線(有効ヒット )を吸収する場合、各検出モジュールおよび検出要素のアドレスは信号処理装置 に供給される。検出モジュールはフォールスルー方法を用い、有効ヒットを受信 した検出要素のみを順次自動的に読出し、要素のアドレスおよび吸収ホトンの 大きさを示す。信号処理装置は、診断機能、利得正規化機能、応答効率正規化機 能およびデータ収集機能を行う。イメージングシステムは、検出要素によって生 成された信号に基づいて画像を表示する。 本発明の多数の実施の形態を説明してきた。しかし、様々な変形が本発明の精 神および範囲から逸脱することなくなされるのは理解されるであろう。例えば、 三角形、矩形または六角形のような突き合わせ可能な形状を検出モジュール20 6に用いることができる。同様に、検出要素212は正方形以外の形状でもよい 。また、上記のとおり、各検出モジュールの2つのアナログASICを1つのA SICに結合できる。同様に、ディジタル機能およびアナログ機能の両方は1つ のASICを用いて実現できる。さらに、利得正規化方法は、アナログ値をディ ジタル変換した後、ソフトウェアで完全に行うことができる。したがって、本発 明は特定の上記の実施の形態に限定されず、以下の請求の範囲によってのみ限定 されることが理解されるであろう。
【手続補正書】 【提出日】1998年4月21日 【補正内容】 請求の範囲 1. 核イメージングシステムにおいて、 a.コリメータ又はピンホールのいずれか1つを具備する放射線誘導構造と、 b.前記放射線誘導構造の近傍に設けられた影像検出器と、 を備え、前記影像検出器は、 (1)各々が1つの露出面、該露出面に対向する1つの面および複数の側面を有 し、前記露出面は放射線検出物質で実質的に覆われている検出モジュールであっ て、前記影像検出器には隣接する検出モジュール間で実質的に空き領域がないよ うに、すべての側面において隣接する検出モジュールは接することが可能であり 、そして各検出モジュールはさらに、前記露出面に衝突する高エネルギホトンの 放射線エネルギを示す振幅を有する 電気パルスを生成する複数の半導体検出要素 を包含する 複数の検出モジュールと、 (2)前記検出要素に作動的に接続され、前記パルスの低雑音増幅を行い、前記 パルスを調整する調整回路と、を備える ことを特徴とする核イメージングシステム。 2. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記調整回路 はさらに、前記パルスを整形する ことを特徴とする核イメージングシステム。 3. 請求項2記載のイメージングシステムにおいて、前記影像検出 器は、前記調整回路に作動的に接続され前記パルスを処理するイベント処理器を さらに備え、該イベント処理器は、 a.振幅弁別を使用して有効イベントを識別し、 b.有効イベントに対応するイベント・アドレスを発生する ことを特徴とする核イメージングシステム。 4. 請求項記載のイメージングシステムにおいて、前記イベント 処理器は入射ホトンエネルギの振幅を表す電圧を記憶する ことを特徴とする核イ メージングシステム。 5. 請求項記載のイメージングシステムにおいて、さらに、 a.データ処理器を備え、前記データ処理器は、 (1)前記有効イベントに対応するアドレスを記憶し、 (2)正規化されたイベントの振幅を求め、 (3)前記イベントを選択されたメモリバンクに記憶する ことによって、前記有効イベントに応答する ことを特徴とする核イメージングシ ステム。 6. 請求項記載のイメージングシステムにおいて、さらに、前記 データ処理器に接続されたコンピュータイメージングシステムを備え、前記コン ピュータイメージングシステムは前記選択メモリバンクに記憶された前記データ にアクセスして影像データモードを制御するとともに、前記コンピュータイメー ジングシステムは前記データを画像にフォーマットして前記画像を表示媒体に表 示する ことを特徴とする核イメージングシステム。 . 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記検出モジ ュールは頭部または胸部のような非平面に適合できるように構成されていること を特徴とする核イメージングシステム。 . 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記検出要素 は、検出要素のアレイを形成するように区分された少なくとも1つの半導体ウェ ーハを具備することを特徴とする核イメージングシステム。 . 請求項記載のイメージングシステムにおいて、複数の半導体 ウェーハ互いにタイルばり状にされていることを特徴とする核イメージングシ ステム。 1. 請求項記載のイメージングシステムにおいて、半導体ウ ェーハは、高エネルギホトンにさらされる前記ウェーハの一方の側に接続された 電極を含み、半導体ウェーハは、さらに、前記ウェーハの反対側に接続された 電極アレイを含むことを特徴とする核イメージングシステム。 1. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記半導 体はテルル化カドミウム−亜鉛(CZT)を具備し、前記電極は金属を具備し、 前記電極はCZTウェーハ上に薄層状に被覆され、CZTウェーハの電極金属が 被覆されていない部分、表面に形成された不動態化層によって被覆されている ことを特徴とする核イメージングシステム。 1. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記検出要 素は少なくとも1つの互いにタイルばり状にされたCZT結晶を具備し、前記C ZT結晶は分離検出要素を形成する導体領域でパターニングされ、前記導体領域 は不動態化領域によって分離され、前記不動態化領域は、前記導体領域間の領域 を過酸化水素溶液で処理することによって形成されることを特徴とする核イメー ジングシステム。 1. 請求項記載のイメージングシステムにおいて、前記イベン ト処理器 はピーク検出回路および比較回路を備え、前記調整回路は前記ピーク検 出回路および前記比較回路の両方に接続され、前記イベント処理器は、さらに、 前記比較回路に接続された複数のラッチを備え、前記比較回路は前記検出要素の 振幅と参照値を比較し、前記比較回路は前記比較に基づいて選択ラッチを設定す ることを特徴とする核イメージングシステム。 14. 請求項13記載のイメージングシステムにおいて、前記イベ ント処理器 は設定ラッチを処理するフォールスルー方法を用い、すべての設定ラ ッチは予め決められたシーケンス読込まれることを特徴とする核イメージング システム。 15. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、複数の抵抗 およびコンデンサ前記検出要素と前記調整回路との間で作動的に接続されてい ることを特徴とする核イメージングシステム。 16. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記検出 モジュールは、さらに、前記CZTウェーハを前記調整回路に接続する複数の相 互接続部を有する回路担体を含むことを特徴とする核イメージングシステム。 17. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、さらに、前 記検出モジュールは回路担体を含み、前記担体の材料はCZTの膨張率と実質的 等しい熱膨張率を有することを特徴とする核イメージングシステム。 18. 請求項記載のイメージングシステムにおいて、前記イメー ジングシステム単光子射出コンピュータ断層撮影(SPECT)の応用に使用 される ことを特徴とする核イメージングシステム。 19. 請求項記載のイメージングシステムにおいて、半導体ウ ェーハは区分されて第1組および第2組の並列ストリップを形成し、前記第1組 のストリップは前記検出モジュールの前記露出面に設けられ、前記第2組のスト リップは前記検出モジュールの前記露出面に対向する面に設けられ、前記第2組 のストリップは前記第1組のストリップと直交することを特徴とする核イメージ ングシステム。 20. 請求項19記載のイメージングシステムにおいて、前記検出 要素は前記第1組および第2組の直交ストリップの交差部で形成されていること を特徴とする核イメージングシステム。 21放射源が放射した放射線の位置および強度の画像を得るため のイメージングシステムにおいて、放射線のエネルギおよび入射位置を検出する 影像検出器を備え、前記影像検出器は複数の検出モジュールを備え、該検出モジ ュールの各々は1つの露出面、該露出面に対向する1つの面および複数の側面を 有し、前記露出面は放射線検出物質で実質的に覆われていて、前記検出モジュー ルはN×Mアレイになるように構成でき、前記影像検出器には接する検出モジュ ール間で実質的に空き領域がないように、各検出モジュールはすべての側面にお いて隣接する検出モジュールと接することが可能であり、各検出モジュールはさ らに、前記露出面に衝突する高エネルギホトンの放射線エネルギを示す電気パル スを生成する複数の半導体検出要素を包含することを特徴とするイメージングシ ステム。 22請求項21記載のイメージングシステムにおいて、機械的支 持、電気的雑音に対する遮蔽、漂遊ホトン放射に対する遮蔽および電気的相互接 続部となる支持構造を、さらに包含することを特徴とするイメージングシステム 。 23請求項21記載のイメージングシステムにおいて、ホトンイ ベントを処理する調整回路をさらに包含し、前記調整回路は 前記検出要素に作動 的に接続され、そして前記調整回路は、前記検出要素が生成したパルスの低雑音 増幅および整形を行うことを特徴とするイメージングシステム。 24請求項23記載のイメージングシステムにおいて、前記調整回路 に作動的に接続され、前記調整されたホトンイベントを処理するイベント処 理器をさらに包含し、該イベント処理は、 a.振幅弁別を使用して有効イベントを識別し、 b.有効イベントに対応するイベントアドレスを発生する ことを特徴とするイメージングシステム。 25. 請求項24記載のイメージングシステムにおいて、前記イベ ント処理器は、さらに各入射ホトンエネルギの大きさを表す電圧を記憶すること を特徴とするイメージングシステム。 26請求項24記載のイメージングシステムにおいて、前記イベ ント処理に作動的に接続されたデータ処理器をさらに包含し、該データ処理 は、a. 有効イベントに対応するイベントアドレスを記憶し、b. 正規化されたイベントの振幅を求め、c. 前記イベントを選択されたメモリバンクに記憶する ことによって、前記有効イベントに応答することを特徴とするイメージングシス テム。 27. 請求項21記載のイメージングシステムにおいて、前記検出 要素は、n×mアレイの検出要素を形成するように区分された少なくとも1つの 半導体ウェーハを備えることを特徴とするイメージングシステム。 28. 請求項27記載のイメージングシステムにおいて、複数の半 導体ウェーハ互いにタイルばり状にされていることを特徴とするイメージング システム。 29. 請求項27記載のイメージングシステムにおいて、半導体 ウェーハは区分されて第1組および第2組の並列ストリップを形成し、第1組の ストリップは前記検出モジュールの前記露出面に設けられ、第2組のストリップ は前記検出モジュールの前記露出面に対向する面に設けられ、前記第2組のスト リップは前記第1組のストリップと直交することを特徴とするイメージングシス テム。 3. 請求項29記載のイメージングシステムにおいて、前記検出 要素は第1組および第2組の直交ストリップの交差部で形成されていることを特 徴とする核イメージングシステム。 3. 請求項27記載のイメージングシステムにおいて、半導体 ウェーハは、高エネルギホトンにさらされる前記ウェーハの一方の側に接続され た電極を含み、さらに、半導体ウェーハは、前記ウェーハの反対側に接続され た電極アレイを含むことを特徴とするイメージングシステム。 3. 請求項3記載のイメージングシステムにおいて、半導体 はテルル化カドミウム−亜鉛(CZT)を具備し、前記電極は金属を具備し、前 記電極はCZTウェーハ上に薄層状に被覆され、CZTウェーハの電極金属が被 覆されていない部分、表面に形成された不動態化酸化層によって被覆されてい ることを特徴とするイメージングシステム。 33a.検出モジュールにおいて、 .頂面および底面を有し、前記底面は、導体領域で表面の選択された部分をパ ターニングすることによって形成された複数の検出要素にパターニングされ、各 検出要素は各要素が受けた放射線の大きさを示す電荷検出要素パルスを生成し、 前記検出要素パルスは各要素の前記底面に接続された電極に送られる半導体放射 線検出器と、 .前記検出器に機械的に接続され、前記検出要素パルスを処理する回路を含み 、前記回路は各検出要素に接続され前記検出要素パルスを調整し処理するため の少なくとも1つのチャネルを含む電子回路担体と を備えることを特徴とする検出モジュール。 34. 請求項33記載の検出モジュールにおいて、さらに、前記検 出器と前記担体との間に取り付けられた回路盤を備え、前記回路盤は、各要素の 前記底面からの前記電極を各要素の調整および処理チャネルに接続することを特 徴とする検出モジュール。 35. 請求項33記載の検出モジュールにおいて、前記チャネルは 前記検出要素パルスの増幅、調整および処理を行い、前記調整および処理チャネ ルは、参照しきい値を超える前記検出要素パルスの振幅およびアドレスを記憶す ることを特徴とする検出モジュール。 36. 請求項35記載の検出モジュールにおいて、前記チャネルは 、フォールスルー手段によってイネーブルになると、前記記憶された振幅および アドレスを伝送し、前記フォールスルー手段は、上流チャネルを処理した後に前 記チャネルをイネーブルにすることを特徴とする検出モジュール。 37. 請求項35記載の検出モジュールにおいて、前記調整および 処理チャネルは、さらに、漏れ電流補償回路を含み、前記補償回路は、前記検出 要素によって生じたかなり大量かつ変動する漏れ電流を補償することを特徴とす る検出モジュール。 38. 検出モジュールにおいて、 a.頂面および底面を有し、前記底面は複数の検出要素にパターニングされ、各 検出要素は、各要素が受けた放射線の吸収ホトンのエネルギを示すパルスを生成 し、前記検出要素パルスは各要素の前記底面に接続された電極に送られる半導体 放射線検出器と、 b.前記検出器に機械的に接続され、前記検出要素パルスを処理するための電子 回路を含み、前記回路は各検出要素に対して少なくとも1つの処理チャネルを含 み、前記処理チャネルは検出要素パルスが参照しきい値を超える度にフラグを生 成する電子回路担体と を備えることを特徴とする検出モジュール。 39. 複数のγ線検出要素から受けたパルスを処理する電子回路に おいて、 a.各々が前記検出要素の1つずつに対応し、前記対応要素に接続され、前記対 応検出要素が生成した前記パルスの増幅、整形および積分を行う複数のアナログ チャネルと、 b.前記アナログチャネルの1つずつに対応し、前記対応アナログチャネルに接 続され、前記対応検出要素が生成した前記増幅パルスの振幅をしきい値と比較し 、前記比較結果をラッチし、イメージングシステムがアクセスできるように前記 対応検出要素および前記対応パルス振幅のアドレスを供給する複数のディジタル チャネルと を備えることを特徴とする電子回路。 40. 請求項39記載の回路において、前記アナログチャネルおよ びディジタルチャネルは物理的に離れ、耐雑音障害性を向上させるとともに漏話 を軽減することを特徴とする電子回路。 41検出要素のアレイを形成する導体領域のアレイでパターニン グされた半導体検出器において、前記半導体はCZTを具備し導体領域は不動態 化され、該 不動態化は前記導体領域間の領域を過酸化水素溶液で処理することに よって行われることを特徴とする半導体検出器。 42. 試験対象が放射した放射線を撮像する核医学イメージングシ ステムにおいて、 a.複数の検出モジュールを備え、各検出モジュールは1つの露出面、該露出面 に対向する1つの面および複数の側面を有し、前記露出面は放射線検出物質で実 質的に覆われている検出モジュールであって、前記影像検出器には隣接する検出 モジュール間で実質的に空き領域がないように、すべての側面において隣接する 検出モジュールは接することが可能であり、そして各検出モジュールはさらに、 前記露出面に衝突する高エネルギホトンの放射線エネルギを示す 電気パルスを生 成する複数の半導体検出要素を包含する影像ヘッドと、 b.前記検出モジュール内に取り付けられ、前記パルスを処理し、予め決められ たしきい値を超えるパルスを生成する各検出要素に対応するイベントのフラグを 形成するイベント処理と、 c.前記イベント処理に接続され、前記フラグイベントを連続的に読出すデー タ処理と、 d.前記データ処理に接続され、前記イメージングシステムは前記データ処理 にアクセスして前記連続的なフラグイベントを読出し、前記フラグイベントに 対応する前記検出要素の前記パルスを画像にフォーマットし、前記画像を表示装 置に表示するコンピュータイメージングシステムと を備えることを特徴とする核医学イメージングシステム。 43. 試験対象が放射した放射線を撮像するカメラにおいて、 a.複数の検出モジュールを備え、影像ヘッドには隣接する検出モジュール間で 実質的に空き領域がないように、 前記検出モジュールはアレイ内で互いに突き合 わされ、前記検出モジュールは複数の半導体検出要素を含み、前記検出要素は前 記検出要素が吸収した放射線の大きさを示すパルスを生成する影像ヘッドと、 b.前記パルスを処理するために前記検出モジュール内に取り付けられ、前記パ ルスの増幅、調整および処理を行い、しきい値を超える処理されたパルスを記憶 する処理と を備えることを特徴とするカメラ。 44. 複数の信号調整および処理チャネルが生成したイベントを選 択するフォールスルーイベントシステムにおいて、各チャネルは対応する検出要 素に接続され、各チャネルは前記対応検出要素が生成した電気パルスを調整して 処理し、各チャネルは、前記対応検出要素が所定しきい値を超えるパルスを生成 する度に有効イベントを生成し、前記フォールスルーイベントシステムは、 a.有効イベントが見つかるまで予め決められたシーケンスで各チャネルを走査 し、有効イベントが見つかると、前記有効イベントを含む前記チャネルをイネー ブルにし、前記シーケンスで次のチャネルの走査を続行する前にアドバンス信号 の受信を待機するチャネル走査手段 を備えることを特徴とするフォールスルーイベントシステム。 45. 請求項44記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、各チャネルは、それぞれ独立して、前記対応検出要素が生成した前記電気パル スを調整し処理することを特徴とするフォールスルーイベントシステム。 46. 請求項44記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、各チャネルは、無作為な時間に前記対応検出要素が生成した前記電気パルスを 受信することを特徴とするフォールスルーイベントシステム。 47. 請求項44記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、各チャネルは、前記対応検出要素が生成した前記電気パルスの振幅に基づいて 有効イベントを生成することを特徴とするフォールスルーイベントシステム。 48. 請求項44記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、各チャネルは、予め決められたしきい値を超える前記電気パルスの振幅を記憶 することを特徴とするフォールスルーイベントシステム。 49. 請求項48記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、前記読出し手段によってイネーブルになったチャネルは有効信号を生成し、前 記イネーブルチャネルに関連するアドレスを出力し、前記イネーブルチャネルが 記憶した前記振幅を出力することを特徴とするフォールスルーイベントシステム 。 50. 請求項49記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、前記アドバンス信号受信時、前記イネーブルチャネルは前記有効信号、前記関 連アドレスおよび前記振幅の出力を完了し、前記イネーブルチャネルは前記イネ ーブルチャネルが記憶した前記振幅を再設定することを特徴とするフォールスル ーイベントシステム。 51. 請求項49記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、 前記イネーブルチャネルは、前記イネーブルチャネルが記憶した前記振幅ディ ジタル表記を発生することを特徴とするフォールスルーイベントシステム。 52. 複数の調整および処理チャネルが生成した信号を処理する信 号処理装置において、各チャネルは、検出要素が吸収した放射線の大きさを示す 電気パルスを生成する対応検出要素に作動的に接続され、各チャネルは予め決め られたしきい値を超える前記電気パルスの振幅を記憶し、各チャネルは、前記電 気パルスが予め決められたしきい値を超える度にイベントを生成し、 前記信号処理装置は、 a.イベントを生成するチャネルの記憶された振幅をサンプリングする手段と、 b.前記サンプリング手段に作動的に接続され、前記チャネルおよび前記対応検 出要素が導入した利得を正規化し、前記サンプル振幅を正規化する正規化手段と 、 c.前記正規化手段に接続され、前記正規化振幅を記憶する手段と を備えることを特徴とする信号処理装置。 53. 請求項52記載の信号処理装置において、各検出要素は固有 のアドレスを有し、イベントを生成する各チャネルは前記対応検出要素のアドレ スを前記信号処理装置に送信し、前記信号処理装置は、さらに、前記サンプル手 段に接続された前記送信アドレス読出し手段を含むことを特徴とする信号処理装 置。 54. 請求項53記載の信号処理装置において、前記信号処理装置 は、前記正規化振幅を記憶した後、アドバンス信号を発生させることを特徴とす る信号処理装置。 55. 請求項53記載の信号処理装置において、前記信号処理装置 は、前記サンプリング手段に接続さ前記送信されたアドレスおよび正規化振幅 に時間タグを付ける手段を、さらに含み、前記アドレス、振幅および時間タグは ともに、前記信号処理装置に接続された記憶装置に記憶されることを特徴とする 信号処理装置。 56. 請求項55記載の信号処理装置において、前記記憶装置に記 憶された前記アドレス、振幅および時間タグは、外部イベントフラグに関連する 時間ビンにソートされることを特徴とする信号処理装置。 57. 請求項52記載の信号処理装置において、前記正規化手段は 、 a.参照入力およびアナログ入力を有し、前記アナログ入力は前記サンプル振幅 に接続されるAD変換器と、 b.前記参照入力に接続されて複数の利得正規化係数を記憶し、各検出要素は 前もって記憶された対応利得正規化係数を有し、前記イベントを生成するチャネ ルに接続された前記検出要素の利得正規化係数を前記参照入力に出力することに よって前記AD変換器が正規化信号を発生させる記憶手段と を備えることを特徴とする信号処理装置。 58. 複数の調整および処理チャネルおよび複数の検出要素が生成 した信号を正規化する方法において、各検出要素は前記検出要素が吸収した放射 線の大きさを示す電気パルスを生成し、各チャネルはそれぞれ固有の前記検出要 素に作動的に接続され、前記方法は、 a.前記検出要素を単一エネルギホトンにさらすステップと、 b.各検出要素が生成したパルスの振幅をマッピングするステップと、 c.前記チャネルが生成した前記電気信号を前記振幅マッピングに基づいて正規 化するステップとを具備する ことを特徴とする信号正規化方法。 59. 複数の検出要素が生成した電気パルスを正規化する方法にお いて、前記電気パルスは前記検出要素が吸収した放射線の大きさを示し、前記方 法は、 a.前記検出要素を一様な放射の場にさらすステップと、 b.各検出要素の効率性をマッピングするステップと、 c.各検出要素が生成した前記電気パルスを前記効率性マッピングに基づいて正 規化するステップとを具備する ことを特徴とする電気パルス正規化方法。 60. 複数の処理チャネルが生成した信号の利得を正規化する回路 において、 a.参照入力およびアナログ入力を有し、前記アナログ入力は選択チャネルが生 成した信号に接続されているAD変換器と、 b.前記参照入力に接続されて複数の利得正規化係数を記憶し、各チャネルは 前もって記憶された対応利得正規化係数を有し、前記選択チャネルに対応する利 得正規化係数を前記参照入力に出力することによって前記AD変換器が利得正規 化信号を発生させる記憶手段と を備えることを特徴とする利得正規化回路。 61. 請求項60記載の利得正規化回路において、前記利得正規化 信号はリアルタイムに生成されることを特徴とする利得正規化回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),AM,AU,BR,BY,C A,CN,CZ,EE,FI,GE,JP,KR,LT ,LV,MD,MX,NO,NZ,PL,RO,RU, SG,SK,UA (72)発明者 バトラー,ジャック,エフ. アメリカ合衆国 92067 カリフォルニア 州,ランチョ サンタフェ,ピー.オー. ボックス 1333 (72)発明者 ドティー,エフ.,パトリック アメリカ合衆国 92128 カリフォルニア 州,サンディエゴ,エスプリ 13719 (72)発明者 アシュバーン,ウィリアム,エル. アメリカ合衆国 92037 カリフォルニア 州,ラ ホヤ,アイバーネス ドライブ 2744 (72)発明者 コンウェル,リチャード,エル. アメリカ合衆国 92014−3408 カリフォ ルニア州,デルマー,ボキータ ドライブ 13684 (72)発明者 オーグスティン,フランク,エル. アメリカ合衆国 92024 カリフォルニア 州,エンシンタス,パーク デール レー ン 2115 (72)発明者 アポトフスキー,ボリス アメリカ合衆国 92122 カリフォルニア 州,サンディエゴ,カミニト カレナ 6243

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 核イメージングシステムにおいて、 a.コリメータと、 b.前記コリメータの近傍に設けられた影像検出器とを備え、 前記影像検出器は、 (1)各々が複数の検出要素を含み、前記検出要素はX線またはγ線放射のホト ンから吸収された放射線の大きさを示す振幅の電気パルスを生成する複数の検出 モジュールと、 (2)前記検出要素に作動的に接続され、前記パルスの低雑音増幅および整形を 行い、前記パルスを調整する手段と、 (3)前記調整手段に作動的に接続され、前記整形パルスを処理する手段とを備 え、 前記処理手段は、 (a)振幅判別を用いて有効イベントを識別し、 (b)入射ホトンエネルギの大きさを示す電圧を記憶し、 (c)有効イベントに対応するイベントアドレスを生成することを特徴とする核 イメージングシステム。 2. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、さらに、 a.データ処理手段を備え、前記データ処理手段は、 (1)有効イベントに対応するアドレスを記憶し、 (2)正規化されたイベントの振幅を求め、 (3)前記イベントを選択されたメモリバンクに記憶することによって、前記 有効イベントに応答することを特徴とする核イメージングシステム。 3. 請求項2記載のイメージングシステムにおいて、さらに、 前記データ処理手段に接続されたコンピュータイメージングシステムを備え、 前記コンピュータイメージングシステムは前記選択メモリバンクに記憶された前 記データにアクセスして影像データモードを制御するとともに、前記コンピュー タイメージングシステムは前記データを画像にフォーマットして前記画像を表示 媒体に表示することを特徴とする核イメージングシステム。 4. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記検出モジ ュールは1×1アレイになるように構成されていることを特徴とする核イメージ ングシステム。 5. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記検出モジ ュールは5×7アレイになるように構成されていることを特徴とする核イメージ ングシステム。 6. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記検出モジ ュールは16×16アレイになるように構成されていることを特徴とする核イメ ージングシステム。 7. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記検出モジ ュールは非矩形状に構成されていることを特徴とする核イメージングシステム。 8. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記検出モジ ュールは頭部または胸部のような非平面に適合できるように構成されていること を特徴とする核イメージングシステム。 9. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記検出要素 は、検出要素のアレイを形成するように区分された半導体ウェーハからなること を特徴とする核イメージングシステム。 10. 請求項9記載のイメージングシステムにおいて、前記半導体 ウェーハは互いにタイルばり状にされた複数の半導体ウェーハからなることを特 徴とする核イメージングシステム。 11. 請求項9記載のイメージングシステムにおいて、前記半導体 ウェーハは、γ線にさらされる前記ウェーハの一方の側に接続された電極を含み 、前記半導体ウェーハは、さらに、前記ウェーハの反対側に接続された電極アレ イを含むことを特徴とする核イメージングシステム。 12. 請求項11記載のイメージングシステムにおいて、前記半導 体はテルル化カドミウム−亜鉛(CZT)からなり、前記電極は金属からなり、 前記電極はCZTウェーハ上に薄層状に被覆され、電極金属が被覆されていない CZTウェーハの一部は、前記表面に形成された不動態化層によって被覆されて いることを特徴とする核イメージングシステム。 13. 請求項12記載のイメージングシステムにおいて、前記不動 態化層は、前記CZTウェーハを過酸化水素水溶液に浸漬して前記CZTを空気 中で乾燥することによって形成されることを特徴とする核イメージングシステム 。 14. 請求項12記載のイメージングシステムにおいて、前記不動 態化層は、前記CZTウェーハを60℃の温度で重量の3%の過酸化水素水溶液 に浸漬して前記CZTウェーハを60℃で約30分間空気中で乾燥することによ って形成されることを特徴とする核イメージングシステム。 15. 請求項9記載のイメージングシステムにおいて、前記検出要 素のアレイは8×8の正方形アレイであることを特徴とする核イメージングシス テム。 16. 請求項15記載のイメージングシステムにおいて、前記検出 要素のアレイの外部寸法は1平方インチであることを特徴とする核イメージング システム。 17. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記検出要 素は少なくとも1つの互いにタイルばり状にされたCZT結晶からなり、前記C ZT結晶は分離検出要素を形成する導体領域でパターニングされ、前記導体領域 は不動態化領域によって分離され、前記不動態化領域は、前記導体領域間の領域 を過酸化水素溶液で処理することによって形成されることを特徴とする核イメー ジングシステム。 18. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記γ線放 射はおよそ5keV〜10MeVの範囲であることを特徴とする核イメージング システム。 19. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記処理手 段はアナログ集積回路およびディジタル集積回路からなることを特徴とする核イ メージングシステム。 20. 請求項2記載のイメージングシステムにおいて、前記処理手 段はピーク検出手段および比較手段からなり、前記調整手段は前記ピーク検出手 段および前記比較手段の両方に接続され、前記処理手段は、さらに、前記比較手 段に接続された複数のラッチからなり、前記比較手段は前記検出要素の振幅と参 照値を比較し、前記比較手段は前記比較に基づいて選択ラッチを設定することを 特徴とする核イメージングシステム。 21. 請求項20記載のイメージングシステムにおいて、前記デー タ処理手段は設定ラッチを処理するフォールスルー方法を用い、すべての設定ラ ッチは予め決められたシーケンスに読込まれることを特徴とする核イメージング システム。 22. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、複数のレジ スタおよびコンデンサは前記検出要素と前記調整手段との間で作動的に接続され ていることを特徴とする核イメージングシステム。 23. 請求項22記載のイメージングシステムにおいて、前記レジ スタおよびコンデンサは厚膜技術を用いることを特徴とする核イメージングシス テム。 24. 請求項22記載のイメージングシステムにおいて、前記レジ スタおよびコンデンサは薄膜技術を用いることを特徴とする核イメージングシス テム。 25. 請求項12記載のイメージングシステムにおいて、前記検出 モジュールは、さらに、前記CZTウェーハを前記調整手段に接続する複数の相 互接続部を有する回路担体を含むことを特徴とする核イメージングシステム。 26. 請求項25記載のイメージングシステムにおいて、前記回路 担体はピングリッドアレイであることを特徴とする核イメージングシステム。 27. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、さらに、前 記検出モジュールは回路担体を含み、前記担体の材料はCZTの膨張率とほぼ等 しい熱膨張率を有することを特徴とする核イメージングシステム。 28. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記検出モ ジュールは複数の側面を有し、全表面領域は放射線検出材料で被覆され、各検出 モジュールは他の検出モジュールの各側面に突き合わせ可能であることを特徴と する核イメージングシステム。 29. 請求項1記載のイメージングシステムにおいて、前記イメー ジングシステムを用いて、生物学的組織または器官が放射した放射線を検出する ことを特徴とする核イメージングシステム。 30. 請求項29記載のイメージングシステムにおいて、前記イメ ージングシステムを用いて単光子射出コンピュータ断層撮影(SPECT)に適 用することを特徴とする核イメージングシステム。 31. 請求項9記載のイメージングシステムにおいて、前記半導体 ウェーハは区分されて第1組および第2組の並列ストリップを形成し、前記第1 組のストリップは前記検出モジュールの頂部に面する面に設けられ、前記第2組 のストリップは前記検出モジュールの底部に面する面に設けられ、前記第2組の ストリップは前記第1組のストリップと直交することを特徴とする核イメージン グシステム。 32. 請求項31記載のイメージングシステムにおいて、前記検出 要素は前記第1組および第2組の直交ストリップの交差部で形成されていること を特徴とする核イメージングシステム。 33. 放射源が放射した放射線の位置および強度の画像を得るため のイメージングシステムにおいて、 a.放射線のエネルギおよび入射位置を検出する影像検出器を備え、 前記影像検出器は、 (1)N×Mアレイになるように構成でき、各々が複数の検出要素を含み、吸収 された放射線の大きさを示す電気パルスを生成する複数の検出モジュールと、 (2)機械的支持、電気的雑音に対する遮蔽、漂遊ホトン放射に対する遮蔽およ び電気的相互接続部を備える検出モジュール支持手段と、 (3)前記検出要素に作動的に接続され、前記検出要素が生成したパルスの低雑 音増幅および整形を行う吸収ホトンイベント調整手段と、 (4)前記調整手段に作動的に接続され、調整された吸収ホトンイベントをイベ ント処理する手段とからなり、 前記イベント処理手段は、 (a)振幅判別を用いて有効イベントを識別し、 (b)各入射ホトンエネルギの大きさを示す電圧を記憶し、 (c)有効イベントに対応するイベントアドレスを生成し、 b. 前記イベント処理手段に作動的に接続されたデータ処理手段を備え、 前記データ処理手段は、 (1)前記有効イベントのイベントアドレスを記憶し、 (2)正規化されたイベントの振幅を求め、 (3)前記イベントを選択されたメモリバンクに記憶することによって、前記有 効イベントに応答することを特徴とする核イメージングシステム。 34. 請求項33記載のイメージングシステムにおいて、前記検出 要素は、n×mアレイの検出要素を形成するように区分された半導体ウェーハか らなることを特徴とする核イメージングシステム。 35. 請求項34記載のイメージングシステムにおいて、前記半導 体ウェーハは、互いにタイルばり状にされた複数の半導体ウェーハからなること を特徴とする核イメージングシステム。 36. 請求項34記載のイメージングシステムにおいて、前記半導 体ウェーハは区分されて第1組および第2組の並列ストリップを形成し、前記第 1組のストリップは前記検出モジュールの頂部に面する面に設けられ、前記第2 組のストリップは前記検出モジュールの底部に面する面に設けられ、前記第2組 のストリップは前記第1組のストリップと直交することを特徴とする核イメージ ングシステム。 37. 請求項36記載のイメージングシステムにおいて、前記検出 要素は前記第1組および第2組の直交ストリップの交差部で形成されていること を特徴とする核イメージングシステム。 38. 請求項34記載のイメージングシステムにおいて、前記半導 体ウェーハは、γ線にさらされる前記ウェーハの一方の側に接続された電極を含 み、さらに、前記半導体ウェーハは、前記ウェーハの反対側に接続された電極ア レイを含むことを特徴とする核イメージングシステム。 39. 請求項38記載のイメージングシステムにおいて、前記半導 体はテルル化カドミウム−亜鉛(CZT)からなり、前記電極は金属からなり、 前記電極はCZTウェーハ上に薄層状に被覆され、電極金属が被覆されていない CZTウェーハの一部は、前記表面に形成された不動態化酸化層によって被覆さ れていることを特徴とする核イメージングシステム。 40. 請求項39記載のイメージングシステムにおいて、前記不動 態化酸化層は、前記CZTウェーハを過酸化水素水溶液に浸漬して前記CZTを 空気中で乾燥することによって形成されることを特徴とする核イメージングシス テム。 41. 請求項39記載のイメージングシステムにおいて、前記不動 態化酸化層は、前記CZTウェーハを60℃の温度で重量の3%の過酸化水素水 溶液に浸漬して前記CZTウェーハを60℃で30分間空気中で乾燥することに よって形成されることを特徴とする核イメージングシステム。 42. 請求項34記載のイメージングシステムにおいて、前記検出 要素のアレイは8×8の正方形アレイであることを特徴とする核イメージングシ ステム。 43. 請求項42記載のイメージングシステムにおいて、前記検出 要素のアレイの外部寸法は1平方インチであることを特徴とする核イメージング システム。 44. 検出モジュールにおいて、 a.頂面および底面を有し、前記底面は、導体領域で表面の選択された部分をパ ターニングすることによって形成された複数の検出要素にパターニングされ、各 検出要素は各要素が受けた放射線の大きさを示す電荷検出要素パルスを生成し、 前記検出要素パルスは各要素の前記底面に接続された電極に送られる半導体放射 線検出器と、 b.前記検出器に機械的に接続され、前記検出要素パルスを処理する回路を含み 、前記回路は各検出要素に接続された前記検出要素パルスを調整し処理するため の少なくとも1つのチャネルを含む電子回路担体とを備えることを特徴とする検 出モジュール。 45. 請求項44記載の検出モジュールにおいて、さらに、 前記検出器と前記担体との間に取り付けられた回路盤を備え、 前記回路盤は、前記電極を各要素の前記底面から各要素の調整/処理チャネルに 接続することを特徴とする検出モジュール。 46. 請求項44記載の検出モジュールにおいて、さらに、前記検 出器の前記頂面に取り付けられ電気的に接続されたかなり薄いプレートを備える ことを特徴とする検出モジュール。 47. 請求項44記載の検出モジュールにおいて、さらに、前記検 出器の前記底面に取り付けられたかなり薄いプレートを備えることを特徴とする 検出モジュール。 48. 請求項46および47記載の検出モジュールにおいて、前記 プレートはセラミックからなることを特徴とする検出モジュール。 49. 請求項48記載の検出モジュールにおいて、前記プレートの 厚さは0.025インチ未満であることを特徴とする検出モジュール。 50. 請求項44記載の検出モジュールにおいて、前記チャネルは 前記検出要素パルスの増幅、調整および処理を行い、前記調整/処理チャネルは 、参照しきい値を超える前記検出要素パルスの振幅およびアドレスを記憶するこ とを特徴とする検出モジュール。 51. 請求項50記載の検出モジュールにおいて、前記チャネルは 、フォールスルー手段によってイネーブルになると、前記記憶された振幅および アドレスを伝送し、前記フォールスルー手段は、上流チャネルを処理した後に前 記チャネルをイネーブルにすることを特徴とする検出モジュール。 52. 請求項50記載の検出モジュールにおいて、前記調整/処理 チャネルは、さらに、漏れ電流補償手段を含み、前記補償手段は、前記検出要素 によって生じたかなり大量かつ変動する漏れ電流を補償することを特徴とする検 出モジュール。 53. 検出モジュールにおいて、 a.頂面および底面を有し、前記底面は複数の検出要素にパターニングされ、各 検出要素は、各要素が受けた放射線の吸収ホトンのエネルギを示すパルスを生成 し、前記検出要素パルスは各要素の前記底面に接続された電極に送られる半導体 放射線検出器と、 b.前記検出器に機械的に接続され、前記検出要素パルスを処理するための電子 回路を含み、前記回路は各検出要素を処理するための少なくとも1つの処理チャ ネルを含み、前記処理チャネルは検出要素パルスが参照しきい値を超える度にフ ラグを生成する電子回路担体とを備えることを特徴とする検出モジュール。 54. 複数のγ線検出要素から受けたパルスを処理する電子回路に おいて、 a.各々が前記検出要素の1つずつに対応し、前記対応要素に接続され、前記対 応要素が生成した前記パルスの増幅、整形および積分を行う複数のアナログチャ ネルと、 b.前記アナログチャネルの1つずつに対応し、前記対応アナログチャネルに接 続され、前記対応検出要素が生成した前記増幅パルスの振幅をしきい値と比較し 、前記比較結果をラッチし、イメージングシステムがアクセスできるように前記 対応検出要素のアドレスおよび前記対応パルス振幅を供給する複数のディジタル チャネルとを備えることを特徴とする電子回路。 55. 請求項54記載の回路において、前記電子回路は集積回路か らなることを特徴とする電子回路。 56. 請求項54記載の回路において、前記アナログチャネルおよ びディジタルチャネルは物理的に離れ、耐雑音障害性を向上させるとともに漏話 を軽減することを特徴とする電子回路。 57. 検出要素のアレイを形成する導体領域のアレイでパターニン グされた半導体検出器。 58. 請求項57記載の半導体検出器において、前記半導体はCZ Tからなることを特徴とする半導体検出器。 59. 請求項58記載の半導体検出器において、前記導体領域間の 領域は不動態化されていることを特徴とする半導体検出器。 60. 請求項59記載の半導体検出器において、前記不動態化は、 前記導体領域間の領域を過酸化水素溶液で処理することによって行われることを 特徴とする半導体検出器。 61. 試験対象が放射した放射線を撮像する核医学イメージングシ ステムにおいて、 a.複数の検出モジュールからなり、各検出モジュールは複数の検出要素を含み 、前記検出要素は、放射されたときに前記検出要素が吸収した放射線の大きさを 示すパルスを生成する影像ヘッドと、 b.前記検出モジュール内に取り付けられ、前記パルスを処理し、予め決められ たしきい値を超えるパルスを生成する各検出要素に対応するイベントのフラグを 形成するイベント処理手段と、 c.前記イベント処理手段に接続され、前記フラグイベントを連続的に読出すデ ータ処理手段と、 d.前記データ処理手段に接続され、前記イメージングシステムは前記データ処 理手段にアクセスして前記連続的なフラグイベントを読出し、前記フラグイベン トに対応する前記検出要素の前記パルスを画像にフォーマットし、前記画像を表 示装置に表示するコンピュータイメージングシステムとを備えることを特徴とす る核医学イメージングシステム。 62. 試験対象が放射した放射線を撮像するカメラにおいて、 a.複数の検出モジュールからなり、前記検出モジュールはアレイ内で互いに突 き合わされ、前記検出モジュールは複数の半導体検出要素を含み、前記検出要素 は前記検出要素が吸収した放射線の大きさを示すパルスを生成する影像ヘッドと 、 b.前記パルスを処理する前記検出モジュール内に取り付けられ、前記パルスの 増幅、調整および処理を行い、しきい値を超えるパルスを記憶する処理手段とを 備えることを特徴とするカメラ。 63. 複数の信号調整/処理チャネルが生成したイベントを選択す るフォールスルーイベントシステムにおいて、各チャネルは対応する検出要素に 接続され、各チャネルは前記対応検出要素が生成した電気パルスを調整して処理 し、各チャネルは、前記対応検出要素が所定しきい値を超えるパルスを生成する 度に有効イベントを生成し、 前記フォールスルーイベントシステムは、 a.有効イベントが見つかるまで予め決められたシーケンスで各チャネルを走査 し、有効イベントが見つかると、前記有効イベントを含む前記チャネルをイネー ブルにし、前記シーケンスで次のチャネルの走査を続行するまでアドバンス信号 の受信待機状態になるチャネル走査手段を備えることを特徴とするフォールスル ーイベントシステム。 64. 請求項63記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、各チャネルは、それぞれ独立して、前記対応検出要素が生成した前記電気パル スを調整し処理することを特徴とするフォールスルーイベントシステム。 65. 請求項63記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、各チャネルは、無作為な時間に前記対応検出要素が生成した前記電気パルスを 受信することを特徴とするフォールスルーイベントシステム。 66. 請求項63記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、各チャネルは、前記対応検出要素が生成した前記電気パルスの振幅に基づいて 有効イベントを生成することを特徴とするフォールスルーイベントシステム。 67. 請求項63記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、各チャネルは、予め決められたしきい値を超える前記電気パルスの振幅を記憶 することを特徴とするフォールスルーイベントシステム。 68. 請求項67記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、前記読出し手段によってイネーブルになったチャネルは有効信号を生成し、前 記イネーブルチャネルに関連するアドレスを出力し、前記イネーブルチャネルが 記憶した前記振幅を出力することを特徴とするフォールスルーイベントシステム 。 69. 請求項68記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、前記アドバンス信号受信時、前記イネーブルチャネルは前記有効信号、前記関 連アドレスおよび前記振幅の出力を完了し、前記イネーブルチャネルは前記イネ ー ブルチャネルが記憶した前記振幅を再設定することを特徴とするフォールスルー イベントシステム。 70. 請求項68記載のフォールスルーイベントシステムにおいて 、前記イネーブルチャネルは、前記イネーブルチャネルが記憶した前記振幅をデ ィジタル表示することを特徴とするフォールスルーイベントシステム。 71. 複数の調整/処理チャネルが生成した信号を処理する信号処 理装置において、各チャネルは、検出要素が吸収した放射線の大きさを示す電気 パルスを生成する対応検出要素に作動的に接続され、各チャネルは予め決められ たしきい値を超える前記電気パルスの振幅を記憶し、各チャネルは、前記電気パ ルスが予め決められたしきい値を超える度にイベントを生成し、 前記信号処理装置は、 a.イベントを生成するチャネルの記憶された振幅をサンプリングする手段と、 b.前記サンプリング手段に作動的に接続され、前記チャネルおよび前記対応検 出要素が導入した利得を正規化し、前記サンプル振幅を正規化する正規化手段と 、 c.前記正規化手段に接続され、前記正規化振幅を記憶する手段とを備えること を特徴とする信号処理装置。 72. 請求項71記載の信号処理装置において、各検出要素は独自 のアドレスを有し、イベントを生成する各チャネルは前記対応検出要素のアドレ スを前記信号処理装置に送信し、前記信号処理装置は、さらに、前記サンプル手 段に接続された前記送信アドレス読出し手段を含むことを特徴とする信号処理装 置。 73. 請求項72記載の信号処理装置において、前記信号処理装置 は、前記正規化振幅を記憶した後、アドバンス信号を発生させることを特徴とす る信号処理装置。 74. 請求項72記載の信号処理装置において、前記信号処理装置 は、さらに、前記サンプリング手段に接続された、前記送信されたアドレスおよ び正規化振幅に時間タグを付ける手段を含み、前記アドレス、振幅および時間タ グはともに、前記信号処理装置に接続された記憶装置に記憶されることを特徴と する信号処理装置。 75. 請求項74記載の信号処理装置において、前記記憶装置に記 憶された前記アドレス、振幅および時間タグは、外部イベントフラグに関連する 時間ビンにソートされることを特徴とする信号処理装置。 76. 請求項71記載の信号処理装置において、 前記正規化手段は、 a.参照入力およびアナログ入力を有し、前記アナログ入力は前記サンプル振幅 に接続されるAD変換器と、 b.前記参照入力に接続されて複数の利得正規化係数を記憶し、各検出要素は前 もって記憶された対応利得正規化係数を有し、前記イベントを生成するチャネル に接続された前記検出要素の利得正規化係数を前記参照入力に出力することによ って前記AD変換器が正規化信号を発生させる記憶手段とを備えることを特徴と する信号処理装置。 77. 複数の調整/処理チャネルおよび複数の検出要素が生成した 信号を正規化する方法において、各検出要素は前記検出要素が吸収した放射線の 大きさを示す電気パルスを生成し、各チャネルは前記検出要素の個々に作動的に 接続され、 前記方法は、 a.前記検出要素を単一エネルギホトンにさらすステップと、 b.各検出要素が生成したパルスの振幅をマッピングするステップと、 c.前記チャネルが生成した前記電気信号を前記振幅マッピングに基づいて正規 化するステップとからなることを特徴とする信号正規化方法。 78. 複数の検出要素が生成した電気パルスを正規化する方法にお いて、前記電気パルスは前記検出要素が吸収した放射線の大きさを示し、 前記方法は、 a.前記検出要素を一様な放射の場にさらすステップと、 b.各検出要素の効率性をマッピングするステップと、 c.各検出要素が生成した前記電気パルスを前記効率性マッピングに基づいて正 規化するステップとからなることを特徴とする電気パルス正規化方法。 79. 複数の処理チャネルが生成した信号の利得を正規化する回路 において、 a.参照入力およびアナログ入力を有し、前記アナログ入力は選択チャネルが生 成した信号に接続されているAD変換器と、 b.前記参照入力に接続されて複数の利得正規化係数を記憶し、各チャネルは前 もって記憶された対応利得正規化係数を有し、前記選択チャネルに対応する利得 正規化係数を前記参照入力に出力することによって前記AD変換器が利得正規化 信号を発生させる記憶手段とを備えることを特徴とする利得正規化回路。 80. 請求項79記載の利得正規化回路において、 前記利得正規化信号はリアルタイムに生成されることを特徴とする利得正規 化回路。
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