JPH1051234A - 電圧制御発振器およびその調整方法 - Google Patents

電圧制御発振器およびその調整方法

Info

Publication number
JPH1051234A
JPH1051234A JP8223053A JP22305396A JPH1051234A JP H1051234 A JPH1051234 A JP H1051234A JP 8223053 A JP8223053 A JP 8223053A JP 22305396 A JP22305396 A JP 22305396A JP H1051234 A JPH1051234 A JP H1051234A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inductor
voltage
oscillation frequency
capacitor
adjusting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8223053A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinya Nakai
信也 中井
Masashi Katsumata
正史 勝俣
Yasuyuki Hattori
泰幸 服部
Kenta Nagai
健太 永井
Yoshiaki Fukumitsu
由章 福光
Takehiko Ishizuka
武彦 石塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP8223053A priority Critical patent/JPH1051234A/ja
Priority to US08/901,258 priority patent/US5852388A/en
Priority to EP97113265A priority patent/EP0823777B1/en
Priority to DE69719636T priority patent/DE69719636T2/de
Priority to KR1019970036899A priority patent/KR100421554B1/ko
Priority to MYPI97003526A priority patent/MY112863A/en
Priority to CN97117200A priority patent/CN1084082C/zh
Publication of JPH1051234A publication Critical patent/JPH1051234A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
    • H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B1/00—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/1256—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a variable inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/1293—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator having means for achieving a desired tuning characteristic, e.g. linearising the frequency characteristic across the tuning voltage range
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/0014—Structural aspects of oscillators
    • H03B2200/0024—Structural aspects of oscillators including parallel striplines
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
    • H03B2201/011—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being an element with a variable capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
    • H03B2201/012—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being an element with a variable inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
    • H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/03—Varying beside the frequency also another parameter of the oscillator in dependence on the frequency

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】電圧制御感度も調整できる電圧制御発振器と調
整方法を提供し、もって製造上の歩留りを著しく向上さ
せる。 【解決手段】共振器形成用主インダクタＬ２に並列に発
振周波数調整用コンデンサＣ３を接続する。コンデンサ
Ｃ３の代わりに、制御電圧を加える入力端子１と増幅用
トランジスタＴとの間のライン２と、共振器形成用主イ
ンダクタＬ２との間に発振周波数調整用インダクタＬ３
を挿入する。また、制御電圧を加える入力端子１と増幅
用トランジスタＴとの間のライン２上であって、バリキ
ャップダイオードＤのホット端子と共振器形成用主イン
ダクタＬ２との間に、電圧制御感度調整用コンデンサＣ
２、または電圧制御感度調整用インダクタＬ４を挿入す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層構造により内
部に共振器を形成し、該積層体を基板として該基板上に
電子部品を搭載してなる高周波用の電圧制御発振器とそ
の調整方法に係り、特に携帯電話等の無線通信分野にお
いて用いられるものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電圧制御発振器は、図１０（Ａ）
の一部省略回路図に示すように、高周波チョーク用イン
ダクタＬ１、高周波カット用コンデンサＣ１、直流カッ
ト用コンデンサＣ２、バリキャップダイオードＤ、共振
器Ｌ２、発振周波数調整用コンデンサＣ３、結合用コン
デンサＣ４，増幅用トランジスタＴ、該トランジスタＴ
の周辺回路を構成する帰還用コンデンサＣ５および抵抗
Ｒ１、Ｒ２により構成される。
【０００３】この電圧制御発振器は、入力端子１に加わ
る電圧によってバリキャップダイオードＤの容量Ｃvが
変化し、共振器Ｌ２のインダクタンスをＬ2、コンデン
サＣ２、Ｃ３の容量をそれぞれＣ2、Ｃ3とすると、発振
周波数ｆ（ＶT）は〜式のように表現される。 ｆ（ＶT）＝１／〔２π｛１／（１／Ｃ2＋１／Ｃv）＋Ｃ3）｝Ｌ2〕1/2… Ｃv＝Ｃo＋ａＶT …（ただしａ＜０） ｄｆ／ｄＶT＝ｄｆ（ＶT，Ｃ2，Ｃ3，Ｃo，ａ）／ｄＶT ＝−〔１／｛３２π4ｆ（ＶT）3｝〕・｛ａＬ2／（１＋Ｃv／Ｃ2）2｝… 従来は、入力端子１とトランジスタＴとの間に設けるコ
ンデンサＣ２は、積層体基板上に搭載したチップにより
構成するか、あるいは積層体基板内部に埋込んだ構造で
あって、特開平４−３２９７０５号公報に記載のよう
に、共振器Ｌ２を内蔵した積層体の表面に形成した導体
をトリミングしてコンデンサＣ３の容量値を調整するこ
とにより、図１０（Ｂ）に示す中心周波数ｆ（ＶM）、
すなわち中心電圧ＶMを入力端子から加えた場合の発振
周波数を調整している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電圧制
御発振器においては、発振周波数ｆ（ＶT）だけではな
く、電圧制御感度ｄｆ／ｄＶT（ＶT）についても制御す
べき上下限が存在する。すなわち、図１０（Ｂ）に示す
ように、ＶMを中心電圧、ＶHを入力端子１に加わる上限
電圧、ＶLを同じく下限電圧、ｆ（ＶL）を下限電圧ＶL
における発振周波数、ｆ（ＶH）を上限電圧ＶHにおける
発振周波数、ｆL1、ｆL2をそれぞれ下限電圧ＶLにおけ
る上限発振周波数、下限発振周波数、ｆH1、ｆH2をそれ
ぞれ上限電圧ＶHにおける下限発振周波数、上限発振周
波数とすると、〜式が成立することが必要である。 ｆL2＜ｆ（ＶL）＜ｆL1…… ｆH1＜ｆ（ＶH）＜ｆH2…… （ｆH1−ｆL1）／（ＶH−ＶL）＜ｄｆ／ｄＶT（ＶT）＜（ｆH2−ｆL2）／（ＶH −ＶL） …… 従来のように中心周波数ｆ（ＶM）のみのトリミングを
行うと、図１０（Ｂ）に示すように、電圧制御感度ｄｆ
／ｄＶTの方が、標準となる傾斜線Ｓ１から線Ｓ２、Ｓ
３に示すようにずれ、式の上下限を外れてしまうこと
があった。その主原因は、上記の〜から理解される
ように、発振周波数ｆ（ＶT）はバリキャップダイオー
ドＤの電圧可変容量Ｃvの値に依存し、この電圧可変容
量Ｃvが大きくばらついている（式において、Ｃoとａ
の値が大きくばらつく）ことである。このため、製造上
で歩留りが低下するという問題があった。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑み、電圧制御感
度も調整できる電圧制御発振器と調整方法を提供し、も
って製造上の歩留りを著しく向上させることを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明の電圧制御発振器は、制御電圧を加える入力
端子１と増幅用トランジスタＴとの間のライン上であっ
て、バリキャップダイオードＤのホット端子と共振器形
成用主インダクタＬ２との間に電圧制御感度調整用コン
デンサＣ２を挿入し、共振器形成用主インダクタＬ２に
並列に発振周波数調整用コンデンサＣ３を接続したこと
を特徴とする（請求項１）。
【０００７】また、本発明は、制御電圧を加える入力端
子１と増幅用トランジスタＴとの間のライン２と、共振
器形成用主インダクタＬ２との間に、発振周波数調整用
インダクタＬ３を挿入し、前記ライン上であって、バリ
キャップダイオードＤのホット端子と前記発振周波数調
整用インダクタＬ３のホット端子との間に、電圧制御感
度調整用インダクタＬ４を挿入したことを特徴とする
（請求項２）。
【０００８】また、本発明の電圧制御発振器は、制御電
圧を加える入力端子１と増幅用トランジスタＴとの間の
ライン２と、共振器形成用主インダクタＬ２との間に、
発振周波数調整用インダクタＬ３を挿入し、前記ライン
上であって、バリキャップダイオードＤのホット端子と
前記発振周波数調整用インダクタＬ３のホット端子との
間に、電圧制御感度調整用コンデンサＣ４を挿入したこ
とを特徴とする（請求項３）。
【０００９】また、本発明の電圧制御発振器は、共振器
形成用主インダクタＬ２に並列に発振周波数調整用コン
デンサＣ３を接続し、制御電圧を加える入力端子１と増
幅用トランジスタＴとの間のライン上であって、バリキ
ャップダイオードＤのホット端子と共振器形成用主イン
ダクタＬ２のホット端子との間に、電圧制御感度調整用
インダクタＬ４を挿入したことを特徴とする（請求項
４）。
【００１０】また、本発明の電圧制御発振器は、請求項
１から４までのいずれかにおいて、前記発振周波数調整
用コンデンサＣ３および／またはインダクタＬ３を構成
する導体を電圧制御発振器の基板表面に形成し、前記電
圧制御感度調整用コンデンサＣ２および／またはインダ
クタＬ４を構成する導体を電圧制御発振器の基板表面に
形成したことを特徴とする（請求項５）。
【００１１】また、本発明の電圧制御発振器の調整方法
は、請求項１から５までのいずれかの電圧制御発振器を
調整する場合、前記発振周波数調整用コンデンサＣ３お
よび／またはインダクタＬ３を構成する導体をファンク
ショントリミング（電圧制御発振器の特性を測定しなが
らトリミングすること）して発振周波数を大略調整した
後、前記電圧制御感度調整用コンデンサＣ２および／ま
たはインダクタＬ４を構成する導体をファンクショント
リミングして電圧制御感度を所定値に調整し、その後さ
らに発振周波数調整用コンデンサＣ３および／またはイ
ンダクタＬ３を構成する導体を再度ファンクショントリ
ミングして発振周波数を所定値に調整することを特徴と
する（請求項６）。
【００１２】
【作用】本発明においては、共振器の直列に接続したイ
ンダクタまたは共振器に並列に接続したコンデンサをフ
ァンクショントリミングすることにより、発振周波数を
調整する。また、ライン上に電圧制御感度調整用コンデ
ンサまたはインダクタを設けてファンクショントリミン
グすることにより、電圧制御感度を調整する。従って、
本発明によれば、発振周波数のみならず、電圧制御感度
も調整される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明による電圧制御発振器
の一実施例を図１ないし図４により説明する。図１
（Ａ）は電圧制御発振器の回路の一例であり、この回路
が図１０（Ａ）の従来例と異なるところは、ライン２上
でかつバリキャップダイオードＤのホット端子と共振器
Ｌ２のホット端子との間に設ける直流カット用のコンデ
ンサＣ２を、電圧制御感度調整用にも兼用したことにあ
る。
【００１４】図２は該電圧制御発振器の各層構成を示す
斜視図、図３は各層の導体パターンの位置関係と製造工
程を示す図、図４（Ａ）は本実施例の調整部分を示す断
面図である。図２、図３において、３ａ〜３ｅはアルミ
ナ等の誘電体層、４ａ、４ｂはそれぞれ誘電体層３ａ、
３ｃ上に形成された接地導体、Ｌ２はこれらの接地導体
３ａ、３ｂと共にストリップライン共振器を構成する主
インダクタである。
【００１５】Ｌ１は前記誘電体層３ｄ上に形成されて図
１の高周波チョーク用インダクタＬ１を構成する導体、
５ａ、５ｂは前記コンデンサＣ２を構成する導体であ
る。６は前記接地導体４ｂに対面して発振周波数調整用
コンデンサＣ３を構成する導体である。前記導体４ａ、
４ｂ、５ａ、５ｂ、６は、例えば銀あるいはその合金等
でなる。
【００１６】最上層の誘電体層３ｅ上には、図１（Ａ）
に示すトランジスタＴ、コンデンサＣ１、Ｃ４、バリキ
ャップダイオードＤ等が搭載される。
【００１７】この電圧制御発振器を製造する場合は、図
３（Ａ）ないし（Ｅ）の工程図に示すように、誘電体シ
ートでなる各誘電体層３ａ〜３ｅに各導体を形成してお
き、さらには図１（Ａ）の導体パターンを形成した誘電
体シートを準備しておき、これらの誘電体シートを重ね
て熱圧着し、その後各電圧制御発振器ごとのサイズに切
断して、焼成し、その後側面端子電極（図示せず）を焼
き付けやメッキにより形成し、積層体上面へのコンデン
サＣ１、Ｃ４、抵抗Ｒ１、Ｒ２、バリキャップダイオー
ドＤ、トランジスタＴその他の図示しない電子部品の半
田付けを行う。
【００１８】上述の工程により電圧制御発振器を製造す
る場合、図２、図３、図４（Ａ）に示すように、共振器
を構成する主インダクタＬ２は、スルーホール７を介し
て上下の接地導体４ａ、４ｂに接続され、該主インダク
タＬ２の他端は、スルーホール８を介して第５の誘電体
層３ｅ上のコンデンサ用導体５ｂに接続される。
【００１９】図１（Ｂ）は該実施例の電圧制御発振器の
調整方法を説明する電圧ＶTと発振周波数ｆとの関係図
である。図１（Ｂ）の〜は調整の各段階におけるｆ
−Ｖ（周波数−電圧）特性であり、電圧制御発振器の調
整前の段階では、に示すように、中心周波数ＶMにお
ける周波数ｆ（ＶM）は目標とする周波数ｆoより低くな
るように、かつ電圧制御感度のｆ−Ｖ特性線の傾斜は、
目標となるｆ−Ｖ特性線の傾斜より大きくなるように設
定しておく。そして、まず、図３（Ｅ）に示すように、
発振周波数調整用コンデンサＣ３の導体６のトリミング
１０により、図１（Ｂ）のに示すように、中心電圧Ｖ
Mにおける周波数ｆ（ＶM）が目標とする周波数ｆoより
少し低くなるように調整する。
【００２０】次に、図３（Ｅ）に示すように、電圧制御
感度調整用コンデンサＣ２のトリミング１１により、図
１（Ｂ）のに示すように、電圧制御感度ｄｆ／ｄＶT
を目標とする感度に合わせ込む。
【００２１】次に、図３（Ｅ）に示すように、再度発振
周波数調整用コンデンサＣ３をトリミング１２により、
図１（Ｂ）のに示すように、中心周波数ｆ（ＶM）を
目標とする周波数ｆoに合わせ込む。
【００２２】このように、発振周波数のみならず、電圧
制御感度も調整することにより、電圧制御感度不良を防
ぎ、製造上の歩留りを大幅に向上させることができる。
また、トリミングの順序を３段階とすることにより、高
精度の調整が可能となる。
【００２３】図４（Ｂ）、図５〜図７は本発明の他の実
施例であり、図５（Ａ）に示すように、制御電圧を加え
る入力端子１と増幅用トランジスタＴとの間のライン２
と、共振器形成用主インダクタＬ２との間に発振周波数
調整用インダクタＬ３を挿入し、かつ、前記ライン２上
であって、バリキャップダイオードＤのホット端子と前
記発振周波数調整用インダクタＬ３のホット端子との間
に、電圧制御感度調整用インダクタＬ４を挿入したもの
である。
【００２４】図６は本実施例の各層構成を示す斜視図、
図７は各層の導体パターンの位置関係と製造工程を示す
図、図４（Ｂ）は本実施例の調整部分を示す断面図であ
る。図６、図７において、図２、図３と同じ符号は等価
機能を発揮する部分を示しており、図７（Ａ）〜（Ｅ）
は積層工程順序を示す。図６、図７において、Ｌ３は前
記発振周波数調整用インダクタＬ３を構成する導体であ
り、１３〜１５に示す線状のトリミングを行うことによ
り、電流の流れる線路長を長くすることによってインダ
クタンスを増大させ、発振周波数を低下させることがで
きる。
【００２５】また、図６、図７において、Ｌ４は電圧制
御感度調整用インダクタＬ４を構成する導体であり、１
６に示す線状のトリミングを行うことにより、電圧制御
感度を大とすることができる。
【００２６】本実施例の電圧制御発振器の調整は、図５
（Ｂ）のに示すように、調整前の状態においては、中
心電圧における周波数ｆ（ＶM）は目標とする周波数ｆo
より高くなり、また、電圧制御感度のｆ−Ｖ特性線の傾
斜は、目標となるｆ−Ｖ特性線の傾斜より小さくなるよ
うに設定しておく。そして、まず共振器を構成するイン
ダクタＬ２に直列に接続したインダクタＬ３のトリミン
グ（図７（Ｅ）のトリミング１３〜１５）により、電流
の流れる線路長を長くしてインダクタンスを増大させ、
これにより図５（Ｂ）のに示すように、中心発振周波
数ｆ（ＶM）を目標とする周波数ｆoに近づける。
【００２７】次にインダクタＬ４のトリミング（図７
（Ｅ）のトリミング１６）により、インダクタンスを増
大させ、これにより図５（Ｂ）のに示すように、電圧
制御感度を調整する（上げる）。このとき、同時に発振
周波数は低下する。
【００２８】次に共振器の主インダクタＬ２に直列のイ
ンダクタＬ３をさらにトリミングすることにより、図５
（Ｂ）のに示すように、中心周波数ｆ（ＶM）を目標
とする発振周波数ｆoに調整する。
【００２９】このような３段階の調整により、前記実施
例と同様の効果をあげることができる。
【００３０】図８（Ａ）は本発明の他の実施例であり、
本実施例は、図４（Ｂ）ないし図７の実施例において、
電圧制御感度調整用インダクタＬ４の代わりに図１ない
し図４（Ａ）の電圧制御感度調整用コンデンサＣ２を設
けたものである。
【００３１】図８（Ａ）の実施例においては、調整前の
状態においては、図８（Ｂ）のに示すように、調整前
の状態においては、中心電圧における周波数ｆ（ＶM）
は目標とする周波数ｆoより高くなり、また、電圧制御
感度のｆ−Ｖ特性線の傾斜は、目標となるｆ−Ｖ特性線
の傾斜より大きくなるように設定しておく。そして、ま
ず共振器を構成するインダクタＬ２に直列に接続したイ
ンダクタＬ３のトリミング（図７（Ｅ）のトリミング１
３〜１５）により、電流の流れる線路長を長くしてイン
ダクタンスを増大させ、これにより図８（Ｂ）のに示
すように、中心発振周波数ｆ（ＶM）を目標とする周波
数ｆo以下として近づける。
【００３２】次に電圧制御感度調整用コンデンサＣ２の
トリミングにより、容量を減少させ、これにより図８
（Ｂ）のに示すように、電圧制御感度を調整する（下
げる）。このとき、同時に発振周波数は高くなる。
【００３３】次に共振器Ｌ２に直列のインダクタＬ３を
さらにトリミングすることにより、図８（Ｂ）のに示
すように、中心周波数ｆ（ＶM）を目標とする発振周波
数ｆoに調整する。本実施例によっても前記と同様の効
果をあげることができる。
【００３４】図９（Ａ）は本発明の他の実施例であり、
本実施例は、図１ないし図４（Ａ）の実施例において、
電圧制御感度調整用インダクタＣ２の代わりに図４
（Ｂ）ないし図７の電圧制御感度調整用インダクタＬ４
を設けたものである。
【００３５】図９（Ａ）の実施例においては、調整前の
状態においては、図９（Ｂ）のに示すように、調整前
の状態においては、中心電圧における周波数ｆ（ＶM）
は目標とする周波数ｆoより低くなり、また、電圧制御
感度のｆ−Ｖ特性線の傾斜は、目標となるｆ−Ｖ特性線
の傾斜より小さくなるように設定しておく。そして、ま
ず共振器を構成するインダクタＬ２に並列に接続した発
振周波数調整用コンデンサＣ３のトリミングにより、図
９（Ｂ）のに示すように、中心発振周波数ｆ（ＶM）
を目標とする周波数ｆoよりやや高くする。
【００３６】次に電圧制御感度調整用インダクタＬ４の
トリミングにより、インダクタンスを増大させ、これに
より図９（Ｂ）のに示すように、電圧制御感度を目標
の感度に調整する（上げる）。このとき、同時に発振周
波数は低くなる。
【００３７】次に共振器Ｌ２に並列のコンデンサＣ３を
さらにトリミングすることにより、図９（Ｂ）のに示
すように、中心周波数ｆ（ＶM）を目標とする発振周波
数ｆoに調整する。本実施例によっても前記と同様の効
果をあげることができる。
【００３８】以上本発明を実施例により説明したが、本
発明を実施する場合の各部の材料や搭載電子部品の配
置、電子部品にするか層状に形成するか等は、種々に変
更しうることはいうまでもない。また、発振周波数調整
用コンデンサまたはインダクタや、電圧制御感度調整用
コンデンサやインダクタは、いずれか一方のみを設ける
のではなく、双方を設けても良い。
【００３９】
【発明の効果】請求項１〜４によれば、発振周波数調整
用コンデンサおよびインダクタのみならず、電圧制御感
度調整用コンデンサまたはインダクタを設けたことによ
り、電圧制御感度の調整が可能となり、製造上の歩留り
を向上させることができる。
【００４０】請求項５によれば、調整用コンデンサおよ
び／またはインダクタを基板の表面に設けたので、トリ
ミングが容易となる。
【００４１】請求項６によれば、３段階の調整を行うこ
とにより、高精度の調整が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は本発明の電圧制御発振器の一実施例を
示す回路図、（Ｂ）はその調整工程を示す周波数−電圧
特性図である。
【図２】図１の実施例の層構成を示す分解斜視図であ
る。
【図３】（Ａ）〜（Ｅ）は図１の実施例の積層工程図で
ある。
【図４】（Ａ）は図３（Ｅ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｂ）は
図７（Ｅ）のＦ−Ｆ断面図である。
【図５】（Ａ）は本発明の電圧制御発振器の他の実施例
を示す回路図、（Ｂ）はその調整工程を示す周波数−電
圧特性図である。
【図６】図５の実施例の層構成を示す分解斜視図であ
る。
【図７】（Ａ）〜（Ｅ）は図５の実施例の積層工程図で
ある。
【図８】（Ａ）は本発明の電圧制御発振器の他の実施例
を示す回路図、（Ｂ）はその調整工程を示す周波数−電
圧特性図である。
【図９】（Ａ）は本発明の電圧制御発振器の他の実施例
を示す回路図、（Ｂ）はその調整工程を示す周波数−電
圧特性図である。
【図１０】（Ａ）は従来の電圧制御発振器を示す回路
図、（Ｂ）はその問題点を説明する周波数−電圧特性図
である。
【符号の説明】
１：入力端子、２：ライン、３ａ〜３ｅ：誘電体層、４
ａ、４ｂ：接地導体層、５ａ、５ｂ、６：コンデンサ形
成電極、Ｃ１〜Ｃ５：コンデンサ、Ｄ：バリキャップダ
イオード、Ｌ１：インダクタ、Ｌ３、Ｌ４：インダク
タ、Ｌ２：共振器（主インダクタ）、Ｔ：トランジスタ
フロントページの続き (72)発明者 永井 健太 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ −ディ−ケイ株式会社内 (72)発明者 福光 由章 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ −ディ−ケイ株式会社内 (72)発明者 石塚 武彦 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ −ディ−ケイ株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】制御電圧を加える入力端子１と増幅用トラ
    ンジスタＴとの間のライン２上であって、バリキャップ
    ダイオードＤのホット端子と共振器形成用主インダクタ
    Ｌ２との間に電圧制御感度調整用コンデンサＣ２を挿入
    し、 共振器形成用主インダクタＬ２に並列に発振周波数調整
    用コンデンサＣ３を接続したことを特徴とする電圧制御
    発振器。
  2. 【請求項２】制御電圧を加える入力端子１と増幅用トラ
    ンジスタＴとの間のライン２と、共振器形成用主インダ
    クタＬ２との間に、発振周波数調整用インダクタＬ３を
    挿入し、 前記ライン２上であって、バリキャップダイオードＤの
    ホット端子と前記発振周波数調整用インダクタＬ３のホ
    ット端子との間に、電圧制御感度調整用インダクタＬ４
    を挿入したことを特徴とする電圧制御発振器。
  3. 【請求項３】制御電圧を加える入力端子１と増幅用トラ
    ンジスタＴとの間のライン２と、共振器形成用主インダ
    クタＬ２との間に、発振周波数調整用インダクタＬ３を
    挿入し、 前記ライン２上であって、バリキャップダイオードＤの
    ホット端子と前記発振周波数調整用インダクタＬ３のホ
    ット端子との間に、電圧制御感度調整用コンデンサＣ４
    を挿入したことを特徴とする電圧制御発振器。
  4. 【請求項４】共振器形成用主インダクタＬ２に並列に発
    振周波数調整用コンデンサＣ３を接続し、 制御電圧を加える入力端子１と増幅用トランジスタＴと
    の間のライン２上であって、バリキャップダイオードＤ
    のホット端子と共振器形成用主インダクタＬ２のホット
    端子との間に、電圧制御感度調整用インダクタＬ４を挿
    入したことを特徴とする電圧制御発振器。
  5. 【請求項５】請求項１から４までのいずれかにおいて、 前記発振周波数調整用コンデンサＣ３および／またはイ
    ンダクタＬ３を構成する導体を電圧制御発振器の基板表
    面に形成し、 前記電圧制御感度調整用コンデンサＣ２および／または
    インダクタＬ４を構成する導体を電圧制御発振器の基板
    表面に形成したことを特徴とする電圧制御発振器。
  6. 【請求項６】請求項１から５までのいずれかの電圧制御
    発振器を調整する場合、 前記発振周波数調整用コンデンサＣ３および／またはイ
    ンダクタＬ３を構成する導体をファンクショントリミン
    グして発振周波数を大略調整した後、 前記電圧制御感度調整用コンデンサＣ２および／または
    インダクタＬ４を構成する導体をファンクショントリミ
    ングして電圧制御感度を所定値に調整し、 その後、さらに発振周波数調整用コンデンサＣ３および
    ／またはインダクタＬ３を構成する導体を再度ファンク
    ショントリミングして発振周波数を所定値に調整するこ
    とを特徴とする電圧制御発振器の調整方法。
JP8223053A 1996-08-05 1996-08-05 電圧制御発振器およびその調整方法 Pending JPH1051234A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8223053A JPH1051234A (ja) 1996-08-05 1996-08-05 電圧制御発振器およびその調整方法
US08/901,258 US5852388A (en) 1996-08-05 1997-07-28 Voltage controlled oscillator and sensitivity adjustment
EP97113265A EP0823777B1 (en) 1996-08-05 1997-07-31 Voltage controlled oscillator and adjusting method thereof
DE69719636T DE69719636T2 (de) 1996-08-05 1997-07-31 Spannungsgesteuerter Oszillator und Abstimmverfahren dafür
KR1019970036899A KR100421554B1 (ko) 1996-08-05 1997-08-01 전압제어발진기및그조정방법
MYPI97003526A MY112863A (en) 1996-08-05 1997-08-01 Voltage controlled oscillator and adjusting method thereof
CN97117200A CN1084082C (zh) 1996-08-05 1997-08-05 压控振荡器及其调整方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8223053A JPH1051234A (ja) 1996-08-05 1996-08-05 電圧制御発振器およびその調整方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1051234A true JPH1051234A (ja) 1998-02-20

Family

ID=16792105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8223053A Pending JPH1051234A (ja) 1996-08-05 1996-08-05 電圧制御発振器およびその調整方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5852388A (ja)
EP (1) EP0823777B1 (ja)
JP (1) JPH1051234A (ja)
KR (1) KR100421554B1 (ja)
CN (1) CN1084082C (ja)
DE (1) DE69719636T2 (ja)
MY (1) MY112863A (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW347936U (en) * 1997-11-28 1998-12-11 Delta Electronics Inc Apparatus for oscillator
JP2999445B2 (ja) * 1998-02-18 2000-01-17 ティーディーケイ株式会社 電圧制御発振器の周波数シフト量調整方法
US6188295B1 (en) * 1999-04-13 2001-02-13 Delta Electronics, Inc. Frequency adjustments by patterning micro-strips to form serially connected capacitors or inductor-capacitor (LC) Circuit
JP3740977B2 (ja) * 1999-12-22 2006-02-01 株式会社村田製作所 電圧制御発振器、及び、これを用いた電子装置
DE10107176A1 (de) * 2001-02-15 2002-09-26 Siemens Ag Verfahren zum Aufbau einer Oszillatorvorrichtung und elektronische Oszillatorvorrichtung...
KR100401507B1 (ko) 2001-05-10 2003-10-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 입력 캐패시턴스의 미세조정 회로및 그 제조방법
US7196591B2 (en) 2003-08-06 2007-03-27 Synergy Microwave Corporation Tunable frequency, low phase noise and low thermal drift oscillator
US7292113B2 (en) 2003-09-09 2007-11-06 Synergy Microwave Corporation Multi-octave band tunable coupled-resonator oscillator
EP1542354B1 (en) 2003-12-09 2021-02-03 Synergy Microwave Corporation Integrated ultra low noise microwave wideband push-push vco
US7262670B2 (en) 2003-12-09 2007-08-28 Synergy Microwave Corporation Low thermal drift, tunable frequency voltage controlled oscillator
CA2515982C (en) 2004-08-16 2008-07-22 Synergy Microwave Corporation Low noise, hybrid tuned wideband voltage controlled oscillator
US20060091981A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Motorola, Inc. Method and system for frequency trimming
CA2608203C (en) 2005-05-20 2012-09-18 Synergy Microwave Corporation Tunable oscillator having series and parallel tuned resonant circuits
CA2566283C (en) 2005-11-02 2011-10-18 Synergy Microwave Corporation User-definable, low cost, low phase hit and spectrally pure tunable oscillator
US7605670B2 (en) 2005-11-15 2009-10-20 Synergy Microwave Corporation User-definable low cost, low noise, and phase hit insensitive multi-octave-band tunable oscillator
KR100821126B1 (ko) * 2006-07-31 2008-04-11 한국전자통신연구원 선형적인 정전용량 변화를 갖는 가변 캐패시터 회로를구비한 장치
JP5826557B2 (ja) * 2011-08-19 2015-12-02 日本電波工業株式会社 感知装置及び感知方法
US9209744B1 (en) 2013-02-13 2015-12-08 M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. Laminate-based voltage-controlled oscillator
US9374037B2 (en) 2014-10-30 2016-06-21 M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. Voltage-controlled oscillator with mask-selectable performance

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4375621A (en) * 1981-03-02 1983-03-01 Ael Microtel, Ltd. Circuit for linearizing frequency modulated oscillators on microstrip
US4450416A (en) * 1981-08-17 1984-05-22 General Electric Company Voltage controlled oscillator
FR2644647B1 (fr) * 1989-03-15 1991-05-24 Alcatel Transmission Oscillateur hyperfrequence commande en tension
US5083098A (en) * 1990-06-25 1992-01-21 Hughes Aircraft Company Tunable VCO frequency sensitivity
JPH07254819A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Toshiba Corp 電圧制御発振器
JP3097444B2 (ja) * 1994-03-31 2000-10-10 株式会社村田製作所 電圧制御形発振器の発振周波数可変範囲調整方法
US5532651A (en) * 1995-04-06 1996-07-02 Motorola, Inc. Tunable voltage controlled oscillator having microstrip resonator with cuts for better tuning

Also Published As

Publication number Publication date
US5852388A (en) 1998-12-22
CN1084082C (zh) 2002-05-01
DE69719636D1 (de) 2003-04-17
KR19980018300A (ko) 1998-06-05
CN1179646A (zh) 1998-04-22
DE69719636T2 (de) 2003-09-18
KR100421554B1 (ko) 2004-05-24
EP0823777B1 (en) 2003-03-12
EP0823777A1 (en) 1998-02-11
MY112863A (en) 2001-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1051234A (ja) 電圧制御発振器およびその調整方法
US6970341B1 (en) Integrated broadband ceramic capacitor array
US6587327B1 (en) Integrated broadband ceramic capacitor array
US7307829B1 (en) Integrated broadband ceramic capacitor array
JP2001338838A (ja) 複合機能電子部品、その製造方法、及びこの複合機能電子部品を備えた電圧制御発振器
US7075776B1 (en) Integrated broadband ceramic capacitor array
CA2228321A1 (en) Multilayer microelectronic circuit with trimmable capacitors
US20040263278A1 (en) Two-port isolator and communication device
JPH10215119A (ja) 電圧制御発振器
JP3402369B2 (ja) 発振器モジュール
JP3092693B2 (ja) 複合電子部品
JPH05152803A (ja) 誘電体フイルタ
JP2004296927A (ja) 電子部品収納用配線基板
JP2853480B2 (ja) バラクタ装荷共振器
JPH06112710A (ja) 高周波回路基板
JP2661004B2 (ja) 誘電体フィルタ
JP2001127547A (ja) 高周波回路の周波数調整方法
JP2001127506A (ja) 高周波回路基板
JP2001244739A (ja) 電圧制御型発振器及びその周波数調整方法
JP2004235706A (ja) 電圧制御型共振器及び電圧制御型発振器のトリミング方法
JP2900736B2 (ja) インピーダンス変換素子
JPH0936603A (ja) アンテナスイッチ
JPH06152240A (ja) 電圧制御型発振器
JPH09106916A (ja) Ｌｃフィルタ及びその周波数調整方法
JP2003037465A (ja) 電子回路用配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20000912