JPH10330155A - 低温焼成磁器組成物および磁器の製造方法 - Google Patents
低温焼成磁器組成物および磁器の製造方法Info
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- JPH10330155A JPH10330155A JP9137128A JP13712897A JPH10330155A JP H10330155 A JPH10330155 A JP H10330155A JP 9137128 A JP9137128 A JP 9137128A JP 13712897 A JP13712897 A JP 13712897A JP H10330155 A JPH10330155 A JP H10330155A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】金、銀、銅を配線導体として多層化が可能で、
高い比誘電率、高強度の磁器を得ることのできる磁器組
成物と、磁器の製造方法を提供する。 【構成】少なくともＺｎとＴｉを含み、該金属の原子比
による組成をＺｎ・ｘＴｉと表したとき、０．３≦ｘ≦
８を満足する複合酸化物を３０〜９７重量％と、少なく
ともＡｌ、Ｓｉを酸化物換算の合量で３〜７０重量％と
からなる主成分１００重量部に対して、Ｂ2 Ｏ3 を０．
５〜１０重量部、または少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3
含むガラスを１〜２０重量部添加した組成物を所定形状
に成形後８００〜１０００℃で焼成し、ガーナイト結晶
相、ウレマイト結晶相、ＴｉＯ2 結晶相を含み、さらに
はスピネル結晶相、イルメナイト結晶相、Ａｌ2 Ｏ3 結
晶相、ＳｉＯ2 結晶相のうちの１種以上が析出した誘電
率８以上、抗折強度２５０ＭＰａ以上の磁器を得る。
高い比誘電率、高強度の磁器を得ることのできる磁器組
成物と、磁器の製造方法を提供する。 【構成】少なくともＺｎとＴｉを含み、該金属の原子比
による組成をＺｎ・ｘＴｉと表したとき、０．３≦ｘ≦
８を満足する複合酸化物を３０〜９７重量％と、少なく
ともＡｌ、Ｓｉを酸化物換算の合量で３〜７０重量％と
からなる主成分１００重量部に対して、Ｂ2 Ｏ3 を０．
５〜１０重量部、または少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3
含むガラスを１〜２０重量部添加した組成物を所定形状
に成形後８００〜１０００℃で焼成し、ガーナイト結晶
相、ウレマイト結晶相、ＴｉＯ2 結晶相を含み、さらに
はスピネル結晶相、イルメナイト結晶相、Ａｌ2 Ｏ3 結
晶相、ＳｉＯ2 結晶相のうちの１種以上が析出した誘電
率８以上、抗折強度２５０ＭＰａ以上の磁器を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板等に
適した低温焼成磁器組成物に関するものであり、例えば
集積回路（ＩＣ）や電子部品を多層に積層し、焼成して
なる銅配線可能な低温焼成磁器組成物と、磁器の製造方
法に関する。
適した低温焼成磁器組成物に関するものであり、例えば
集積回路（ＩＣ）や電子部品を多層に積層し、焼成して
なる銅配線可能な低温焼成磁器組成物と、磁器の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、高度情報化時代を迎え、情報伝送は
より高速化・高周波化が進行する傾向にある。自動車電
話やパーソナル無線等の移動無線、衛星放送、衛星通信
やＣＡＴＶ等のニューメディアでは、機器のコンパクト
化が推し進められており、これに伴い誘電体共振器等の
マイクロ波用回路素子やマイクロ波用回路基板に対して
も小型化が強く望まれている。
より高速化・高周波化が進行する傾向にある。自動車電
話やパーソナル無線等の移動無線、衛星放送、衛星通信
やＣＡＴＶ等のニューメディアでは、機器のコンパクト
化が推し進められており、これに伴い誘電体共振器等の
マイクロ波用回路素子やマイクロ波用回路基板に対して
も小型化が強く望まれている。
【０００３】このようなマイクロ波用回路素子の大きさ
は、使用電磁波の波長が基準となる。比誘電率εｒの誘
電体中を伝播する電磁波の波長λは、真空中の伝播波長
をλ0 とするとλ＝λ0 ／（εｒ）1/2 となる。したが
って、回路素子は、使用される回路用基板の誘電率が大
きい程、小型になる。
は、使用電磁波の波長が基準となる。比誘電率εｒの誘
電体中を伝播する電磁波の波長λは、真空中の伝播波長
をλ0 とするとλ＝λ0 ／（εｒ）1/2 となる。したが
って、回路素子は、使用される回路用基板の誘電率が大
きい程、小型になる。
【０００４】さらに、回路基板に種々の電子部品や入出
力端子等を接続する工程上で基板に加わる応力から基板
が破壊したり、欠けを生じたりすることを防止する為に
材料の機械的強度が高いことも要求されている。
力端子等を接続する工程上で基板に加わる応力から基板
が破壊したり、欠けを生じたりすることを防止する為に
材料の機械的強度が高いことも要求されている。
【０００５】よって、上述した高誘電率化および高強度
化等の要求を満足するため、例えば、特開平６−１３２
６２１号公報に示すように、樹脂中に無機誘電体粒子を
分散したものや、特開平６−２６００３５号公報に示さ
れるように、高誘電率フィラーとガラスとの複合材料か
らなるガラスセラミック基板材料からなるが提案されて
いる。
化等の要求を満足するため、例えば、特開平６−１３２
６２１号公報に示すように、樹脂中に無機誘電体粒子を
分散したものや、特開平６−２６００３５号公報に示さ
れるように、高誘電率フィラーとガラスとの複合材料か
らなるガラスセラミック基板材料からなるが提案されて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
６−１３２６２１号公報に示された回路基板では、焼成
温度が４００℃程度であり銅等を配線導体として用いて
の多層化、微細な配線化ができないという問題があっ
た。
６−１３２６２１号公報に示された回路基板では、焼成
温度が４００℃程度であり銅等を配線導体として用いて
の多層化、微細な配線化ができないという問題があっ
た。
【０００７】また従来のガラスセラミック材料は、銅等
の低抵抗金属との同時焼成が可能であり、また多層化も
可能であるが、そのほとんどが誘電率が８より低い低誘
電率のものであり、機器の小型化のための高誘電率化の
点では満足すべき特性は得られていない。また、従来の
ガラスセラミックスは、１０００℃以下での焼成が可能
である反面、このような低温焼成を可能とするために
は、少なくとも高価なガラスを３０重量％以上配合する
必要とするために、得られる磁器の特性がガラスの性質
に大きく依存してしまい、フィラーの特性が活かせなか
ったり、高コストとなるなどの問題があった。
の低抵抗金属との同時焼成が可能であり、また多層化も
可能であるが、そのほとんどが誘電率が８より低い低誘
電率のものであり、機器の小型化のための高誘電率化の
点では満足すべき特性は得られていない。また、従来の
ガラスセラミックスは、１０００℃以下での焼成が可能
である反面、このような低温焼成を可能とするために
は、少なくとも高価なガラスを３０重量％以上配合する
必要とするために、得られる磁器の特性がガラスの性質
に大きく依存してしまい、フィラーの特性が活かせなか
ったり、高コストとなるなどの問題があった。
【０００８】従って、本発明は、金、銀、銅を配線導体
として多層化が可能となるように８００〜１０００℃で
焼成されるとともに、比誘電率が高く、かつ高強度の低
温焼成磁器組成物と、磁器の製造方法を提供することを
目的とする。
として多層化が可能となるように８００〜１０００℃で
焼成されるとともに、比誘電率が高く、かつ高強度の低
温焼成磁器組成物と、磁器の製造方法を提供することを
目的とする。
【０００９】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記問
題点を鋭意検討した結果、少なくともＺｎおよびＴｉを
特定組成で含む複合酸化物に対して、焼結助剤としてＢ
2 Ｏ3 、または少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガ
ラスを特定比率で添加することにより複合酸化物中から
生成するＺｎを主とする液相とＢ（ホウ素）成分による
液相反応が生じ、僅かな助剤量により、８００〜１００
０℃の温度で焼成でき、しかも焼成によって、結晶相と
して、上記複合酸化物の分解反応によってＴｉＯ2 結晶
相を析出させることにより高い比誘電率を得ることがで
き、また上記分解反応によって生じたＺｎとＡｌおよび
Ｓｉとを反応させ、少なくともＺｎおよびＳｉを含むウ
レマイト型結晶相、少なくともＺｎおよびＡｌを含むガ
ーナイト結晶相を析出させることにより、高い抗折強度
を達成することができることを知見し、本発明に至っ
た。
題点を鋭意検討した結果、少なくともＺｎおよびＴｉを
特定組成で含む複合酸化物に対して、焼結助剤としてＢ
2 Ｏ3 、または少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガ
ラスを特定比率で添加することにより複合酸化物中から
生成するＺｎを主とする液相とＢ（ホウ素）成分による
液相反応が生じ、僅かな助剤量により、８００〜１００
０℃の温度で焼成でき、しかも焼成によって、結晶相と
して、上記複合酸化物の分解反応によってＴｉＯ2 結晶
相を析出させることにより高い比誘電率を得ることがで
き、また上記分解反応によって生じたＺｎとＡｌおよび
Ｓｉとを反応させ、少なくともＺｎおよびＳｉを含むウ
レマイト型結晶相、少なくともＺｎおよびＡｌを含むガ
ーナイト結晶相を析出させることにより、高い抗折強度
を達成することができることを知見し、本発明に至っ
た。
【００１０】即ち、本発明の低温焼成磁器組成物は、少
なくともＺｎとＴｉを含み、該金属の原子比による組成
を Ｚｎ・ｘＴｉ と表したとき、０．３≦ｘ≦８を満足する複合酸化物３
０〜９７重量％と、ＡｌおよびＳｉを酸化物換算による
合量で３〜７０重量％とからなる主成分１００重量部に
対して、Ｂ2 Ｏ3 を０．５〜１０重量部の割合で添加し
てなることを特徴とする。
なくともＺｎとＴｉを含み、該金属の原子比による組成
を Ｚｎ・ｘＴｉ と表したとき、０．３≦ｘ≦８を満足する複合酸化物３
０〜９７重量％と、ＡｌおよびＳｉを酸化物換算による
合量で３〜７０重量％とからなる主成分１００重量部に
対して、Ｂ2 Ｏ3 を０．５〜１０重量部の割合で添加し
てなることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の他の低温焼成磁器組成物
は、少なくともＺｎとＴｉを含み、該金属の原子比によ
る組成を Ｚｎ・ｘＴｉ と表したとき、０．３≦ｘ≦８を満足する複合酸化物３
０〜９７重量％と、ＡｌおよびＳｉを酸化物換算による
合量で３〜７０重量％からなる主成分１００重量部に対
して、少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラスを１
〜２０重量部の割合で添加してなることを特徴とする。
は、少なくともＺｎとＴｉを含み、該金属の原子比によ
る組成を Ｚｎ・ｘＴｉ と表したとき、０．３≦ｘ≦８を満足する複合酸化物３
０〜９７重量％と、ＡｌおよびＳｉを酸化物換算による
合量で３〜７０重量％からなる主成分１００重量部に対
して、少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラスを１
〜２０重量部の割合で添加してなることを特徴とする。
【００１２】また、上記組成物においては、何れもＴｉ
Ｏ2 結晶相と、少なくともＺｎおよびＳｉを含むウレマ
イト型結晶相、少なくともＺｎおよびＡｌを含むガーナ
イト型結晶相を含むことを特徴とするものであり、特性
上は比誘電率が８以上、抗折強度２５０ＭＰａ以上の優
れた特性を有するものである。
Ｏ2 結晶相と、少なくともＺｎおよびＳｉを含むウレマ
イト型結晶相、少なくともＺｎおよびＡｌを含むガーナ
イト型結晶相を含むことを特徴とするものであり、特性
上は比誘電率が８以上、抗折強度２５０ＭＰａ以上の優
れた特性を有するものである。
【００１３】また、本発明の磁器の製造方法は、前記の
組成物を所定形状に成形後、８００〜１０００℃で焼成
することを特徴とするものである。
組成物を所定形状に成形後、８００〜１０００℃で焼成
することを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の第１の形態の低温焼成磁
器組成物によれば、主成分が少なくともＺｎとＴｉを含
む複合酸化物３０〜９７重量％と、少なくともＡｌおよ
びＳｉを酸化物換算による合量で３〜７０重量％とから
なることが大きな特徴である。
器組成物によれば、主成分が少なくともＺｎとＴｉを含
む複合酸化物３０〜９７重量％と、少なくともＡｌおよ
びＳｉを酸化物換算による合量で３〜７０重量％とから
なることが大きな特徴である。
【００１５】ここで、ＺｎとＴｉを含む複合酸化物の量
が３０重量％よりも少ないか、言い換えるとＡｌおよび
Ｓｉの酸化物換算による合量が７０重量％よりも多い
と、磁器の比誘電率が８より低くなり、ＺｎとＴｉを含
む複合酸化物の量が９７重量％よりも多いか、言い換え
るとＡｌおよびＳｉの酸化物換算による合量が３重量％
よりも少ないと、強度の向上効果が小さく、抗折強度が
２５０ＭＰａ以下となる。望ましい組成は、ＺｎとＴｉ
を含む複合酸化物が４０〜９０重量％、ＡｌとＳｉの酸
化物換算による合量が１０〜６０重量％である。
が３０重量％よりも少ないか、言い換えるとＡｌおよび
Ｓｉの酸化物換算による合量が７０重量％よりも多い
と、磁器の比誘電率が８より低くなり、ＺｎとＴｉを含
む複合酸化物の量が９７重量％よりも多いか、言い換え
るとＡｌおよびＳｉの酸化物換算による合量が３重量％
よりも少ないと、強度の向上効果が小さく、抗折強度が
２５０ＭＰａ以下となる。望ましい組成は、ＺｎとＴｉ
を含む複合酸化物が４０〜９０重量％、ＡｌとＳｉの酸
化物換算による合量が１０〜６０重量％である。
【００１６】また、本発明によれば、上記のＺｎとＴｉ
を含む複合酸化物は、前記金属の原子比による組成を Ｚｎ・ｘＴｉ と表したとき、０．３≦ｘ≦８を満足するものである。
ここで、上記の複合酸化物のＺｎとＴｉとの原子比率を
示すｘにおいて、ｘが０．３よりも小さいとＺｎＯ相が
過剰となり誘電特性が劣化し、ｘが８を超えるとＴｉＯ
2 相が過剰となり焼結性が低下し、Ｂ2 Ｏ3 量を１０重
量部以上添加しないと磁器が緻密化しなくなる。ｘの望
ましい範囲は、０．５≦ｘ≦１．５である。
を含む複合酸化物は、前記金属の原子比による組成を Ｚｎ・ｘＴｉ と表したとき、０．３≦ｘ≦８を満足するものである。
ここで、上記の複合酸化物のＺｎとＴｉとの原子比率を
示すｘにおいて、ｘが０．３よりも小さいとＺｎＯ相が
過剰となり誘電特性が劣化し、ｘが８を超えるとＴｉＯ
2 相が過剰となり焼結性が低下し、Ｂ2 Ｏ3 量を１０重
量部以上添加しないと磁器が緻密化しなくなる。ｘの望
ましい範囲は、０．５≦ｘ≦１．５である。
【００１７】また、上記の主成分に対して、焼結助剤と
なるＢ2 Ｏ3 の添加量を上記のように限定したのは、Ｂ
2 Ｏ3 の添加量が０．５重量部よりも少ないと、８００
〜１０００℃の温度で十分に緻密化する事ができず、作
製される磁器の誘電率が低下し、また抗折強度が低下す
る。逆に、Ｂ2 Ｏ3 の添加量が１０重量部よりも多い
と、７００℃以下の低温で液相が流出し磁器の形状を損
ない製品形状を保てなくなり、また磁器特性の点から誘
電率は８よりも小さくなり、また液相が増加し、抗折強
度が低下する。望ましいＢ2 Ｏ3 の添加量は１〜１０重
量部である。
なるＢ2 Ｏ3 の添加量を上記のように限定したのは、Ｂ
2 Ｏ3 の添加量が０．５重量部よりも少ないと、８００
〜１０００℃の温度で十分に緻密化する事ができず、作
製される磁器の誘電率が低下し、また抗折強度が低下す
る。逆に、Ｂ2 Ｏ3 の添加量が１０重量部よりも多い
と、７００℃以下の低温で液相が流出し磁器の形状を損
ない製品形状を保てなくなり、また磁器特性の点から誘
電率は８よりも小さくなり、また液相が増加し、抗折強
度が低下する。望ましいＢ2 Ｏ3 の添加量は１〜１０重
量部である。
【００１８】また、本発明の第２の発明によれば、前記
ＺｎとＴｉを含む複合酸化物を３０〜９７重量％と、Ａ
ｌおよびＳｉを酸化物換算による合量で３〜７０重量％
とからなる主成分１００重量部に対して、少なくともＳ
ｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 含むガラスを１〜２０重量部の割合で
添加してなる。
ＺｎとＴｉを含む複合酸化物を３０〜９７重量％と、Ａ
ｌおよびＳｉを酸化物換算による合量で３〜７０重量％
とからなる主成分１００重量部に対して、少なくともＳ
ｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 含むガラスを１〜２０重量部の割合で
添加してなる。
【００１９】ここで、ＺｎとＴｉを含む複合酸化物の量
が３０重量％よりも少ないか、言い換えるとＡｌおよび
Ｓｉの酸化物換算による合量が７０重量％よりも多い
と、磁器の比誘電率が８より低くなり、ＺｎとＴｉを含
む複合酸化物の量が９７重量％よりも多いか、言い換え
るとＡｌおよびＳｉの酸化物換算による合量が３重量％
よりも少ないと、強度の向上効果が小さく、抗折強度が
２５０ＭＰａ以下となる。望ましい組成は、ＺｎとＴｉ
を含む複合酸化物が４０〜９０重量％、ＡｌとＳｉの酸
化物換算による合量が１０〜６０重量％である。
が３０重量％よりも少ないか、言い換えるとＡｌおよび
Ｓｉの酸化物換算による合量が７０重量％よりも多い
と、磁器の比誘電率が８より低くなり、ＺｎとＴｉを含
む複合酸化物の量が９７重量％よりも多いか、言い換え
るとＡｌおよびＳｉの酸化物換算による合量が３重量％
よりも少ないと、強度の向上効果が小さく、抗折強度が
２５０ＭＰａ以下となる。望ましい組成は、ＺｎとＴｉ
を含む複合酸化物が４０〜９０重量％、ＡｌとＳｉの酸
化物換算による合量が１０〜６０重量％である。
【００２０】また、本発明によれば、上記のＺｎとＴｉ
を含む複合酸化物は、前記金属の原子比による組成を Ｚｎ・ｘＴｉ と表したとき、０．３≦ｘ≦８を満足するものである。
ここで、上記の複合酸化物のＺｎとＴｉとの原子比率を
示すｘにおいて、ｘが０．３よりも小さいとＺｎＯ相が
過剰となり誘電特性が劣化し、ｘが８を超えるとＴｉＯ
2 相が過剰となり焼結性が低下し、Ｂ2 Ｏ3 量を１０重
量部以上添加しないと磁器が緻密化しなくなる。ｘの望
ましい範囲は、０．５≦ｘ≦１．５である。
を含む複合酸化物は、前記金属の原子比による組成を Ｚｎ・ｘＴｉ と表したとき、０．３≦ｘ≦８を満足するものである。
ここで、上記の複合酸化物のＺｎとＴｉとの原子比率を
示すｘにおいて、ｘが０．３よりも小さいとＺｎＯ相が
過剰となり誘電特性が劣化し、ｘが８を超えるとＴｉＯ
2 相が過剰となり焼結性が低下し、Ｂ2 Ｏ3 量を１０重
量部以上添加しないと磁器が緻密化しなくなる。ｘの望
ましい範囲は、０．５≦ｘ≦１．５である。
【００２１】また、上記の主成分に対して、焼結助剤と
なるＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラスの添加量を上記の
ように限定したのは、ガラスの添加量が１重量部よりも
少ないと、８００〜１０００℃の温度で十分に緻密化す
る事ができず、作製される磁器の誘電率が低下し、また
抗折強度が低下する。逆に、ガラスの添加量が２０重量
部よりも多いと、７００℃以下の低温で液相が流出し磁
器の形状を損ない製品形状を保てなくなり、また磁器特
性の点から誘電率は８よりも小さくなり、また液相が増
加し、抗折強度が低下する。望ましいガラスの添加量は
２〜２０重量部である。
なるＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラスの添加量を上記の
ように限定したのは、ガラスの添加量が１重量部よりも
少ないと、８００〜１０００℃の温度で十分に緻密化す
る事ができず、作製される磁器の誘電率が低下し、また
抗折強度が低下する。逆に、ガラスの添加量が２０重量
部よりも多いと、７００℃以下の低温で液相が流出し磁
器の形状を損ない製品形状を保てなくなり、また磁器特
性の点から誘電率は８よりも小さくなり、また液相が増
加し、抗折強度が低下する。望ましいガラスの添加量は
２〜２０重量部である。
【００２２】また、本発明の低温焼成磁器組成物は、前
記第１および第２の形態のいずれも酸化性雰囲気下およ
び非酸化性雰囲気下で、８００〜１０００℃の温度範囲
での焼成によって相対密度９５％以上にまで緻密化でき
る。この焼成時に少なくともＺｎおよびＴｉを含む複合
酸化物の一部あるいは全量が分解してＡｌおよびＳｉと
反応する結果、ＴｉＯ2 結晶相、ＺｎとＳｉを含むウレ
マイト型結晶相、ＺｎとＡｌを含むガーナイト結晶相が
析出すると考えられる。
記第１および第２の形態のいずれも酸化性雰囲気下およ
び非酸化性雰囲気下で、８００〜１０００℃の温度範囲
での焼成によって相対密度９５％以上にまで緻密化でき
る。この焼成時に少なくともＺｎおよびＴｉを含む複合
酸化物の一部あるいは全量が分解してＡｌおよびＳｉと
反応する結果、ＴｉＯ2 結晶相、ＺｎとＳｉを含むウレ
マイト型結晶相、ＺｎとＡｌを含むガーナイト結晶相が
析出すると考えられる。
【００２３】その結果、本発明の低温焼成磁器組成物の
焼成後の組織は図１に示すようになる。図１に示すよう
に、本発明の低温焼成磁器組成物は、ＴｉＯ2 結晶相１
と、少なくともＺｎおよびＳｉを含むウレマイト型結晶
相２、少なくともＺｎおよびＡｌを含むガーナイト結晶
相３、非晶質の粒界相４とから構成されている。
焼成後の組織は図１に示すようになる。図１に示すよう
に、本発明の低温焼成磁器組成物は、ＴｉＯ2 結晶相１
と、少なくともＺｎおよびＳｉを含むウレマイト型結晶
相２、少なくともＺｎおよびＡｌを含むガーナイト結晶
相３、非晶質の粒界相４とから構成されている。
【００２４】さらに、場合によっては、図１の組織に対
して、少なくともＺｎおよびＴｉを含むスピネル型結晶
相、少なくともＺｎおよびＴｉを含むイルメナイト型結
晶相、ＺｎＯ結晶相、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相、ＳｉＯ2 結晶
相のうちの１種以上の結晶相が析出する場合がある。
して、少なくともＺｎおよびＴｉを含むスピネル型結晶
相、少なくともＺｎおよびＴｉを含むイルメナイト型結
晶相、ＺｎＯ結晶相、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相、ＳｉＯ2 結晶
相のうちの１種以上の結晶相が析出する場合がある。
【００２５】このように本発明によれば、焼結体中にＴ
ｉＯ2 結晶相、ＺｎとＳｉを含むウレマイト型結晶相、
ＺｎとＡｌを含むガーナイト結晶相を存在させ、さらに
場合によっては、ＺｎとＴｉを含むスピネル型結晶相、
ＺｎおよびＴｉを含むイルメナイト型結晶相、ＺｎＯ結
晶相、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相、ＳｉＯ2 結晶相を具備させる
ことにより、比誘電率を８以上に向上することができる
と同時に、抗折強度が２５０ＭＰａ以上の高強度を示す
低温焼成磁器を得ることができる。
ｉＯ2 結晶相、ＺｎとＳｉを含むウレマイト型結晶相、
ＺｎとＡｌを含むガーナイト結晶相を存在させ、さらに
場合によっては、ＺｎとＴｉを含むスピネル型結晶相、
ＺｎおよびＴｉを含むイルメナイト型結晶相、ＺｎＯ結
晶相、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相、ＳｉＯ2 結晶相を具備させる
ことにより、比誘電率を８以上に向上することができる
と同時に、抗折強度が２５０ＭＰａ以上の高強度を示す
低温焼成磁器を得ることができる。
【００２６】なお、上記非晶質の粒界相４は、焼結助剤
としてＢ2 Ｏ3 を用いた第１の形態の場合には、少なく
ともＺｎおよびＢを含み、焼結助剤としてＳｉＯ2 およ
びＢ2 Ｏ3 を含むガラスを用いた第２の形態の場合に
は、少なくともＳｉ、ＺｎおよびＢを含むものから構成
される。
としてＢ2 Ｏ3 を用いた第１の形態の場合には、少なく
ともＺｎおよびＢを含み、焼結助剤としてＳｉＯ2 およ
びＢ2 Ｏ3 を含むガラスを用いた第２の形態の場合に
は、少なくともＳｉ、ＺｎおよびＢを含むものから構成
される。
【００２７】なお、本発明の第２の形態において用いる
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラスとしては、一般にホウ
ケイ酸ガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラス、ホウケイ酸鉛ガ
ラス等が挙げられるが、特にＳｉＯ2 を５〜８０重量
％、Ｂ2 Ｏ3 を４〜５０重量％の割合でそれぞれ含み、
他の成分としてＡｌ2 Ｏ3 を３０重量％以下、アルカリ
金属酸化物を２０重量％以下の割合で含むものが好適に
使用され、これらの酸化物成分を所定割合で配合したも
のを溶融、冷却し、ガラス化したものが使用される。
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラスとしては、一般にホウ
ケイ酸ガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラス、ホウケイ酸鉛ガ
ラス等が挙げられるが、特にＳｉＯ2 を５〜８０重量
％、Ｂ2 Ｏ3 を４〜５０重量％の割合でそれぞれ含み、
他の成分としてＡｌ2 Ｏ3 を３０重量％以下、アルカリ
金属酸化物を２０重量％以下の割合で含むものが好適に
使用され、これらの酸化物成分を所定割合で配合したも
のを溶融、冷却し、ガラス化したものが使用される。
【００２８】次に、本発明において、上記低温焼成磁器
組成物を用いて磁器を製造するには、少なくともＺｎと
Ｔｉを含む複合酸化物を形成する出発原料として、Ｚｎ
Ｏ、ＴｉＯ2 の各酸化物粉末、あるいはこれらの２種以
上の複合酸化物（例えば、ＺｎＴｉＯ4 ）など、さらに
は上記の酸化物以外に焼結過程で酸化物を形成し得る化
合物である炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩等を用いる。
組成物を用いて磁器を製造するには、少なくともＺｎと
Ｔｉを含む複合酸化物を形成する出発原料として、Ｚｎ
Ｏ、ＴｉＯ2 の各酸化物粉末、あるいはこれらの２種以
上の複合酸化物（例えば、ＺｎＴｉＯ4 ）など、さらに
は上記の酸化物以外に焼結過程で酸化物を形成し得る化
合物である炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩等を用いる。
【００２９】また、少なくともＡｌおよびＳｉを含む酸
化物を形成する出発原料として、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2
の各酸化物粉末、あるいはこれらの２種以上の複合酸化
物であるムライト等の粉末、さらには上記の酸化物以外
に焼結過程で酸化物を形成し得る化合物であるＡｌおよ
びＳｉの炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩等を用いる。
化物を形成する出発原料として、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2
の各酸化物粉末、あるいはこれらの２種以上の複合酸化
物であるムライト等の粉末、さらには上記の酸化物以外
に焼結過程で酸化物を形成し得る化合物であるＡｌおよ
びＳｉの炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩等を用いる。
【００３０】上記主成分原料は、それら金属の原子比が
上記主成分組成を満足するように秤量混合される。本発
明の第１の形態に基づくと、上記の主成分原料１００重
量部に対して、焼結助剤としてＢ2 Ｏ3 粉末あるいは焼
結過程で酸化物を形成し得る化合物であるＢ2 Ｓ3 、Ｈ
2 ＢＯ3 等をＢ2 Ｏ3 として０．５〜１０重量部となる
ように秤量し、添加混合する事によって本発明の組成物
が得られる。
上記主成分組成を満足するように秤量混合される。本発
明の第１の形態に基づくと、上記の主成分原料１００重
量部に対して、焼結助剤としてＢ2 Ｏ3 粉末あるいは焼
結過程で酸化物を形成し得る化合物であるＢ2 Ｓ3 、Ｈ
2 ＢＯ3 等をＢ2 Ｏ3 として０．５〜１０重量部となる
ように秤量し、添加混合する事によって本発明の組成物
が得られる。
【００３１】本発明の第２の形態に基づくと、上記の主
成分原料１００重量部に対して、焼結助剤として前述し
たＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラス粉末を１〜２０重量
部となるように秤量し、添加混合する事によって本発明
の組成物が得られる。
成分原料１００重量部に対して、焼結助剤として前述し
たＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラス粉末を１〜２０重量
部となるように秤量し、添加混合する事によって本発明
の組成物が得られる。
【００３２】なお、上記第１および第２の形態において
は、いずれの場合においても、用いる原料粉末は、分散
性を高め高い比誘電率や高強度を得るために、いずれも
平均粒径がいずれも２．０μｍ以下、特に１．０μｍ以
下の微粉末で有あることが望ましい。
は、いずれの場合においても、用いる原料粉末は、分散
性を高め高い比誘電率や高強度を得るために、いずれも
平均粒径がいずれも２．０μｍ以下、特に１．０μｍ以
下の微粉末で有あることが望ましい。
【００３３】次に、上記のような割合で添加混合した組
成物に適宜、アクリル系樹脂、ポリビニルアルコールな
どのアルコール系樹脂、ポリビニルブチラールなどのブ
チラール系樹脂等の成形用バインダーを添加した後、例
えば、金型プレス、冷間静水圧プレス、押し出し成形、
ドクターブレード法、圧延法等により任意の形状に成形
する。そして、その成形体をＮ2 、Ａｒ等の非酸化性雰
囲気中、または空気中等の酸化性雰囲気中で８００〜１
０００℃の温度で０．５〜５時間焼成することにより相
対密度９５％以上に緻密化することができる。この時の
焼成温度が８００℃よりも低いと磁器が十分に緻密化せ
ず、１０００℃を超えると緻密化は可能であるが、銅、
銀等の導体と同時焼成ができなくなる。因みに、同時焼
成時に導体として銅を用いる場合には焼成雰囲気を非酸
化性雰囲気とし、銀を用いる場合には非酸化性または酸
化性雰囲気下で焼成することが必要である。
成物に適宜、アクリル系樹脂、ポリビニルアルコールな
どのアルコール系樹脂、ポリビニルブチラールなどのブ
チラール系樹脂等の成形用バインダーを添加した後、例
えば、金型プレス、冷間静水圧プレス、押し出し成形、
ドクターブレード法、圧延法等により任意の形状に成形
する。そして、その成形体をＮ2 、Ａｒ等の非酸化性雰
囲気中、または空気中等の酸化性雰囲気中で８００〜１
０００℃の温度で０．５〜５時間焼成することにより相
対密度９５％以上に緻密化することができる。この時の
焼成温度が８００℃よりも低いと磁器が十分に緻密化せ
ず、１０００℃を超えると緻密化は可能であるが、銅、
銀等の導体と同時焼成ができなくなる。因みに、同時焼
成時に導体として銅を用いる場合には焼成雰囲気を非酸
化性雰囲気とし、銀を用いる場合には非酸化性または酸
化性雰囲気下で焼成することが必要である。
【００３４】本発明の上記方法によれば、ＺｎおよびＴ
ｉから成る複合酸化物とＢ2 Ｏ3 あるいは、ＳｉＯ2 、
Ｂ2 Ｏ3 を含むガラスを組み合わせることにより、複合
酸化物から生成するＺｎを主体とする液相とＢ（ほう
素）成分との活性な液相反応が生じる結果、少ない焼結
助剤量で磁器を緻密化することができる。そのために、
比誘電率を低下させる非晶質相の量を最小限に抑えるこ
とができるため、高い比誘電率を得ることができる。ま
た、ガーナイト相、ウレマイト相を析出させることによ
って、系全体のヤング率が向上する結果、抗折強度が向
上する。さらに、微細なガーナイト相を析出させること
によって、クラックの偏向がおこり破壊エネルギーが増
大する結果、靭性の向上するのにともなって抗折強度が
向上する。
ｉから成る複合酸化物とＢ2 Ｏ3 あるいは、ＳｉＯ2 、
Ｂ2 Ｏ3 を含むガラスを組み合わせることにより、複合
酸化物から生成するＺｎを主体とする液相とＢ（ほう
素）成分との活性な液相反応が生じる結果、少ない焼結
助剤量で磁器を緻密化することができる。そのために、
比誘電率を低下させる非晶質相の量を最小限に抑えるこ
とができるため、高い比誘電率を得ることができる。ま
た、ガーナイト相、ウレマイト相を析出させることによ
って、系全体のヤング率が向上する結果、抗折強度が向
上する。さらに、微細なガーナイト相を析出させること
によって、クラックの偏向がおこり破壊エネルギーが増
大する結果、靭性の向上するのにともなって抗折強度が
向上する。
【００３５】また、本発明における磁器組成物は、８０
０〜１０００℃で焼成可能であることから、特に金、
銀、銅などを配線導体として用いる配線基板として用い
ることができる。かかる低温焼成磁器組成物を用いて配
線基板を作製する場合には、例えば、上記のようにして
調合した混合粉末を公知のテープ成形法、例えばドクタ
ーブレード法、圧延法等に従い、絶縁層形成用のグリー
ンシートを作製した後、そのシートの表面に配線層用の
メタライズとして、銀、金や銅の粉末、特に銅粉末を含
む金属ペーストを用いて、シート表面に配線パターンに
スクリーン印刷し、場合によってはシートにスルーホー
ルを形成してホール内に上記ペーストを充填する。その
後、複数のシートを積層圧着した後、上述した条件で焼
成することにより、配線層と絶縁層とを同時に焼成する
ことができる。
０〜１０００℃で焼成可能であることから、特に金、
銀、銅などを配線導体として用いる配線基板として用い
ることができる。かかる低温焼成磁器組成物を用いて配
線基板を作製する場合には、例えば、上記のようにして
調合した混合粉末を公知のテープ成形法、例えばドクタ
ーブレード法、圧延法等に従い、絶縁層形成用のグリー
ンシートを作製した後、そのシートの表面に配線層用の
メタライズとして、銀、金や銅の粉末、特に銅粉末を含
む金属ペーストを用いて、シート表面に配線パターンに
スクリーン印刷し、場合によってはシートにスルーホー
ルを形成してホール内に上記ペーストを充填する。その
後、複数のシートを積層圧着した後、上述した条件で焼
成することにより、配線層と絶縁層とを同時に焼成する
ことができる。
【００３６】
実施例１ 平均粒径がそれぞれ１μｍ以下のＺｎＯ粉末、ＴｉＯ2
粉末、ムライト粉末および平均粒径が１μｍ以下のＢ2
Ｏ3 粉末を用いて表１の組成に従い評量、混合した。
粉末、ムライト粉末および平均粒径が１μｍ以下のＢ2
Ｏ3 粉末を用いて表１の組成に従い評量、混合した。
【００３７】そして、この混合物に有機バインダー、可
塑剤、トルエンを添加し、ドクターブレード法により厚
さ３００μｍのグリーンシートを作製した。そして、こ
のグリーンシートに密着液を塗布して５枚積層し、５５
℃の温度で５０ｋｇ／ｃｍ2の圧力を加えて圧着した。
得られた積層体を水蒸気含有／窒素雰囲気中で、７００
℃で脱バインダーした後、乾燥窒素中で表１の条件にお
いて焼成して低温焼成磁器組成物の焼結体を得た。
塑剤、トルエンを添加し、ドクターブレード法により厚
さ３００μｍのグリーンシートを作製した。そして、こ
のグリーンシートに密着液を塗布して５枚積層し、５５
℃の温度で５０ｋｇ／ｃｍ2の圧力を加えて圧着した。
得られた積層体を水蒸気含有／窒素雰囲気中で、７００
℃で脱バインダーした後、乾燥窒素中で表１の条件にお
いて焼成して低温焼成磁器組成物の焼結体を得た。
【００３８】得られた焼結体について誘電率、抗折強度
を以下の方法で評価した。誘電率は、試料形状 直径５
０ｍｍ、厚み１ｍｍの試料を切り出し、３．０ＧＨｚに
てネットワークアナライザー、シンセサイズドスイーパ
ーを用いて空洞共振器法により測定した。測定では、サ
ファイヤを充填した円筒空洞共振器の間に試料の誘電体
基板を挟んで測定し、共振器のＴＥ011 モードの共振特
性より、誘電率を算出した。抗折強度は、ＪＩＳＲ１６
０１に準じて３点曲げ試験を行った。測定の結果は表
１、２に示した。また、焼結体に対してＸ線回折測定を
行い、結晶相を同定し、表１に示した。なお、表中の不
等号はピーク強度の大小を示す。
を以下の方法で評価した。誘電率は、試料形状 直径５
０ｍｍ、厚み１ｍｍの試料を切り出し、３．０ＧＨｚに
てネットワークアナライザー、シンセサイズドスイーパ
ーを用いて空洞共振器法により測定した。測定では、サ
ファイヤを充填した円筒空洞共振器の間に試料の誘電体
基板を挟んで測定し、共振器のＴＥ011 モードの共振特
性より、誘電率を算出した。抗折強度は、ＪＩＳＲ１６
０１に準じて３点曲げ試験を行った。測定の結果は表
１、２に示した。また、焼結体に対してＸ線回折測定を
行い、結晶相を同定し、表１に示した。なお、表中の不
等号はピーク強度の大小を示す。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【表２】
【００４１】表１、表２の結果から明らかなように、Ｔ
ｉＯ2 結晶相、ガーナイト（ＺｎＡｌＯ4 ）結晶相、ウ
レマイト（Ｚｎ2 ＳｉＯ4 ）結晶相が析出し、さらに場
合によって、スピネル（Ｚｎ2 ＴｉＯ4 ）型結晶相、イ
ルメナイト（ＺｎＴｉＯ3 ）型結晶相、Ａｌ2 Ｏ3 結晶
相、ＳｉＯ2 結晶相のうちの１種以上が析出した本発明
の低温焼成磁器は、いずれも誘電率が８以上を示すと同
時に、抗折強度が２５０ＭＰａ以上を示すものであっ
た。なお、本発明の磁器の粒界相をＸ線マイクロアナラ
イザーによって分析した結果、いずれも粒界相中からＺ
ｎおよびＢが検出された。
ｉＯ2 結晶相、ガーナイト（ＺｎＡｌＯ4 ）結晶相、ウ
レマイト（Ｚｎ2 ＳｉＯ4 ）結晶相が析出し、さらに場
合によって、スピネル（Ｚｎ2 ＴｉＯ4 ）型結晶相、イ
ルメナイト（ＺｎＴｉＯ3 ）型結晶相、Ａｌ2 Ｏ3 結晶
相、ＳｉＯ2 結晶相のうちの１種以上が析出した本発明
の低温焼成磁器は、いずれも誘電率が８以上を示すと同
時に、抗折強度が２５０ＭＰａ以上を示すものであっ
た。なお、本発明の磁器の粒界相をＸ線マイクロアナラ
イザーによって分析した結果、いずれも粒界相中からＺ
ｎおよびＢが検出された。
【００４２】これに対して、ＺｎとＴｉとの比率ｘが
０．３よりも小さい試料Ｎo.１では、比誘電率が８より
も低く、ｘが８よりも大きい試料Ｎo.９では、Ｂ2 Ｏ3
を１０重量％配合しても１０００℃で焼成することがで
きなかった。また、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 の合計量が３
重量％よりも少ない試料Ｎo.１０では、抗折強度が低
く、７０重量％よりも多い試料Ｎo.１７では、比誘電率
が低いものであった。
０．３よりも小さい試料Ｎo.１では、比誘電率が８より
も低く、ｘが８よりも大きい試料Ｎo.９では、Ｂ2 Ｏ3
を１０重量％配合しても１０００℃で焼成することがで
きなかった。また、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 の合計量が３
重量％よりも少ない試料Ｎo.１０では、抗折強度が低
く、７０重量％よりも多い試料Ｎo.１７では、比誘電率
が低いものであった。
【００４３】さらに、Ｂ2 Ｏ3 量が０．５重量部よりも
少ない試料Ｎo.１８では、１０００℃での緻密化ができ
ず、１０重量部を越える試料Ｎo.２４では、液相が流出
し測定不可能となった。
少ない試料Ｎo.１８では、１０００℃での緻密化ができ
ず、１０重量部を越える試料Ｎo.２４では、液相が流出
し測定不可能となった。
【００４４】実施例２ 平均粒径がそれぞれ１μｍ以下のＺｎＯ粉末、ＴｉＯ2
粉末、ムライト粉末およびＳｉＯ2 １０．４重量％−Ｂ
2 Ｏ3 ４５．３重量％−Ａｌ2 Ｏ3 ２．５重量％−Ｚｎ
Ｏ３５．２重量％−Ｎａ2 Ｏ６．６重量％の組成からな
るガラスＡ、ＳｉＯ2 ９．５重量％−Ｂ2 Ｏ3 ４４重量
％−Ａｌ2 Ｏ3 ４．５重量％−ＺｎＯ３３．５重量％−
Ｋ2 Ｏ８．５重量％の組成からなるガラスＢを用いて、
表２の組成に従い評量、混合した。この混合物を実施例
１と同様にして、低温焼成磁器を得た。また、得られた
焼結体について、実施例１と全く同様な方法で、Ｘ線回
折測定、誘電率、抗折強度を評価した。結果は、表３、
４に示した。
粉末、ムライト粉末およびＳｉＯ2 １０．４重量％−Ｂ
2 Ｏ3 ４５．３重量％−Ａｌ2 Ｏ3 ２．５重量％−Ｚｎ
Ｏ３５．２重量％−Ｎａ2 Ｏ６．６重量％の組成からな
るガラスＡ、ＳｉＯ2 ９．５重量％−Ｂ2 Ｏ3 ４４重量
％−Ａｌ2 Ｏ3 ４．５重量％−ＺｎＯ３３．５重量％−
Ｋ2 Ｏ８．５重量％の組成からなるガラスＢを用いて、
表２の組成に従い評量、混合した。この混合物を実施例
１と同様にして、低温焼成磁器を得た。また、得られた
焼結体について、実施例１と全く同様な方法で、Ｘ線回
折測定、誘電率、抗折強度を評価した。結果は、表３、
４に示した。
【００４５】
【表３】
【００４６】
【表４】
【００４７】表３、４の結果から明らかなように、Ｔｉ
Ｏ2 結晶相、ガーナイト（ＺｎＡｌＯ4 ）結晶相、ウレ
マイト（Ｚｎ2 ＳｉＯ4 ）結晶相が析出し、さらに場合
によって、スピネル（Ｚｎ2 ＴｉＯ4 ）型結晶相、イル
メナイト（ＺｎＴｉＯ3 ）型結晶相、Ａｌ2 Ｏ3 結晶
相、ＳｉＯ2 結晶相のうちの１種以上が析出した本発明
の低温焼成磁器は、いずれも誘電率が８以上を示すと同
時に、抗折強度が２５０ＭＰａ以上を示すものであっ
た。なお、本発明の磁器の粒界相をＸ線マイクロアナラ
イザーによって分析した結果、いずれも粒界相中からＺ
ｎおよびＢが検出された。
Ｏ2 結晶相、ガーナイト（ＺｎＡｌＯ4 ）結晶相、ウレ
マイト（Ｚｎ2 ＳｉＯ4 ）結晶相が析出し、さらに場合
によって、スピネル（Ｚｎ2 ＴｉＯ4 ）型結晶相、イル
メナイト（ＺｎＴｉＯ3 ）型結晶相、Ａｌ2 Ｏ3 結晶
相、ＳｉＯ2 結晶相のうちの１種以上が析出した本発明
の低温焼成磁器は、いずれも誘電率が８以上を示すと同
時に、抗折強度が２５０ＭＰａ以上を示すものであっ
た。なお、本発明の磁器の粒界相をＸ線マイクロアナラ
イザーによって分析した結果、いずれも粒界相中からＺ
ｎおよびＢが検出された。
【００４８】これに対して、ＺｎとＴｉとの比率ｘが
０．３よりも小さい試料Ｎo.３５では比誘電率が８より
小さく、ｘが８よりも大きい試料Ｎo.４３ではガラス量
を２０重量部配合しても１０００℃で焼成することがで
きなかった。また、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 の合計量が３
重量％よりも少ない試料Ｎo.４４では抗折強度が低く、
７０重量％よりも多い試料Ｎo.５１では比誘電率が低い
ものであった。
０．３よりも小さい試料Ｎo.３５では比誘電率が８より
小さく、ｘが８よりも大きい試料Ｎo.４３ではガラス量
を２０重量部配合しても１０００℃で焼成することがで
きなかった。また、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 の合計量が３
重量％よりも少ない試料Ｎo.４４では抗折強度が低く、
７０重量％よりも多い試料Ｎo.５１では比誘電率が低い
ものであった。
【００４９】さらに、ガラス量が１重量部よりも少ない
試料Ｎo.５２では、１０００℃での緻密化ができず、２
０重量部を越える試料Ｎo.５６では、液相が流出し測定
不可能となった。
試料Ｎo.５２では、１０００℃での緻密化ができず、２
０重量部を越える試料Ｎo.５６では、液相が流出し測定
不可能となった。
【００５０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の低温焼成磁
器組成物は、高い誘電率と強度を有するために、マイク
ロ波用回路素子等において小型化が可能となり、さら
に、基板材料の高強度化により入出力端子部に施すリー
ドの接合や実装における基板の信頼性を向上できる。し
かも、８００〜１０００℃で焼成されるため、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ等による配線を同時焼成により形成することが
できる。
器組成物は、高い誘電率と強度を有するために、マイク
ロ波用回路素子等において小型化が可能となり、さら
に、基板材料の高強度化により入出力端子部に施すリー
ドの接合や実装における基板の信頼性を向上できる。し
かも、８００〜１０００℃で焼成されるため、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ等による配線を同時焼成により形成することが
できる。
【図１】本発明の低温焼成磁器組成物の組織の概略図で
ある。
ある。
１ ＴｉＯ2 結晶相（Ｔ） ２ ウイレマイト結晶相（Ｕ） ３ ガ−ナイト型結晶相（Ｇ） ４ 非晶質相（Ａ）
Claims (6)
- 【請求項１】少なくともＺｎとＴｉを含み、該金属の原
子比による組成を Ｚｎ・ｘＴｉ と表したとき、０．３≦ｘ≦８を満足する複合酸化物を
３０〜９７重量％と、ＡｌおよびＳｉを酸化物換算によ
る合量で３〜７０重量％とからなる主成分１００重量部
に対して、Ｂ2 Ｏ3 を０．５〜１０重量部の割合で添加
してなることを特徴とする低温焼成磁器組成物。 - 【請求項２】少なくともＺｎとＴｉを含み、該金属の原
子比による組成を Ｚｎ・ｘＴｉ と表したとき、０．３≦ｘ≦８を満足する複合酸化物を
３０〜９７重量％と、ＡｌおよびＳｉを酸化物換算によ
る合量で３〜７０重量％とからなる主成分１００重量部
に対して、少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 含むガラスを
１〜２０重量部の割合で添加してなることを特徴とする
低温焼成磁器組成物。 - 【請求項３】少なくともＺｎおよびＡｌを含むガーナイ
ト型結晶相と、少なくともＺｎおよびＳｉを含むウレマ
イト型結晶相と、ＴｉＯ2 結晶相を含むことを特徴とす
る請求項１または請求項２記載の低温焼成磁器組成物。 - 【請求項４】比誘電率（εｒ）が８以上、抗折強度２５
０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１または請
求項２記載の低温焼成磁器組成物。 - 【請求項５】少なくともＺｎとＴｉを含み、該金属の原
子比による組成を Ｚｎ・ｘＴｉ と表したとき、０．３≦ｘ≦８を満足する複合酸化物を
３０〜９７重量％と、ＡｌおよびＳｉを酸化物換算によ
る合量で３〜７０重量％とからなる主成分１００重量部
に対して、Ｂ2 Ｏ3 を０．５〜１０重量部の割合で添加
してなる組成物を所定形状に成形後、８００〜１０００
℃で焼成することを特徴とする磁器の製造方法。 - 【請求項６】少なくともＺｎとＴｉを含み、該金属の原
子比による組成を Ｚｎ・ｘＴｉ と表したとき、０．３≦ｘ≦８を満足する複合酸化物を
３０〜９７重量％と、ＡｌおよびＳｉを酸化物換算によ
る合量で３〜７０重量％とからなる主成分１００重量部
に対して、少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラス
を１〜２０重量部の割合で添加してなる組成物を所定形
状に成形後８００〜１０００℃で焼成することを特徴と
する磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13712897A JP3833340B2 (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 低温焼成磁器組成物、低温焼成磁器および低温焼成磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13712897A JP3833340B2 (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 低温焼成磁器組成物、低温焼成磁器および低温焼成磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10330155A true JPH10330155A (ja) | 1998-12-15 |
| JP3833340B2 JP3833340B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=15191483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13712897A Expired - Fee Related JP3833340B2 (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 低温焼成磁器組成物、低温焼成磁器および低温焼成磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3833340B2 (ja) |
-
1997
- 1997-05-27 JP JP13712897A patent/JP3833340B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP3833340B2 (ja) | 2006-10-11 |
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