JPH10324565A - 高周波用磁器組成物および高周波用磁器の製造方法 - Google Patents
高周波用磁器組成物および高周波用磁器の製造方法Info
- Publication number
- JPH10324565A JPH10324565A JP9134871A JP13487197A JPH10324565A JP H10324565 A JPH10324565 A JP H10324565A JP 9134871 A JP9134871 A JP 9134871A JP 13487197 A JP13487197 A JP 13487197A JP H10324565 A JPH10324565 A JP H10324565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porcelain
- crystal phase
- high frequency
- composition
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】８００〜１０００℃で焼成可能であり、３０Ｇ
Ｈｚ以上の高周波領域で低誘電損失で、且つ比誘電率を
５〜８０で調整可能な高周波用磁器を得る。 【構成】少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを含み、該金
属の原子比による全体組成がｎＺｎ・（Ｔｉ1-y Ｓ
ｉy ）（式中、０＜ｙ＜１．０、０．１４≦ｎ≦３．
５）を満足する複合酸化物の主成分に対してＢ2 Ｏ3 を
０．０５〜２０重量％、又はＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 を含む
ガラスを０．１〜３０重量％添加した組成物を成形後、
酸化性雰囲気中８００℃〜１０００℃で焼成し、少なく
ともＺｎ、Ｓｉを含むウイレマイト結晶相を含み、さら
にスピネル型結晶相、イルメナイト型結晶層、ＴｉＯ2
結晶相およびＳｉＯ2 結晶相のうちの少なくとも１種を
含み、誘電率５〜８０、３０〜６０ＧＨｚで誘電損失３
０×１０-4以下の磁器を得る。
Ｈｚ以上の高周波領域で低誘電損失で、且つ比誘電率を
５〜８０で調整可能な高周波用磁器を得る。 【構成】少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを含み、該金
属の原子比による全体組成がｎＺｎ・（Ｔｉ1-y Ｓ
ｉy ）（式中、０＜ｙ＜１．０、０．１４≦ｎ≦３．
５）を満足する複合酸化物の主成分に対してＢ2 Ｏ3 を
０．０５〜２０重量％、又はＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 を含む
ガラスを０．１〜３０重量％添加した組成物を成形後、
酸化性雰囲気中８００℃〜１０００℃で焼成し、少なく
ともＺｎ、Ｓｉを含むウイレマイト結晶相を含み、さら
にスピネル型結晶相、イルメナイト型結晶層、ＴｉＯ2
結晶相およびＳｉＯ2 結晶相のうちの少なくとも１種を
含み、誘電率５〜８０、３０〜６０ＧＨｚで誘電損失３
０×１０-4以下の磁器を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波用磁器組成
物および高周波用磁器の製造方法に関するものであり、
特に、銀と同時焼成が可能であり、マイクロ波、ミリ波
用等の高周波で用いられる配線基板、誘電体共振器、Ｌ
Ｃフィルター、コンデンサ、誘電体導波路および誘電体
アンテナに用いることのできる高周波用磁器組成物、お
よび高周波用磁器の製造方法に関するものである。
物および高周波用磁器の製造方法に関するものであり、
特に、銀と同時焼成が可能であり、マイクロ波、ミリ波
用等の高周波で用いられる配線基板、誘電体共振器、Ｌ
Ｃフィルター、コンデンサ、誘電体導波路および誘電体
アンテナに用いることのできる高周波用磁器組成物、お
よび高周波用磁器の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年、高度情報化時代を迎え、情報伝送は
より高速化・高周波化が進行する傾向にある。自動車電
話やパーソナル無線等の移動無線、衛星放送、衛星通信
やＣＡＴＶ等のニューメディア（無線ＬＡＮ、自動車用
衝突防止レーダー）では、高周波化が推し進められてお
り、これに伴い誘電体共振器等従来のマイクロ波用回路
素子に対してもより高周波化が強く望まれている。
より高速化・高周波化が進行する傾向にある。自動車電
話やパーソナル無線等の移動無線、衛星放送、衛星通信
やＣＡＴＶ等のニューメディア（無線ＬＡＮ、自動車用
衝突防止レーダー）では、高周波化が推し進められてお
り、これに伴い誘電体共振器等従来のマイクロ波用回路
素子に対してもより高周波化が強く望まれている。
【０００３】このようなマイクロ波用回路素子において
誘電体の誘電損失ばかりではなく導体の損失を考慮し回
路形成のための導体としては、銅や銀などの低抵抗金属
を使用することが望まれている。
誘電体の誘電損失ばかりではなく導体の損失を考慮し回
路形成のための導体としては、銅や銀などの低抵抗金属
を使用することが望まれている。
【０００４】そこで、上述した低損失化等の要求を満足
するため、例えば、特開平５−２２５８２５号公報に示
すように、複合ぺロブスカイト型化合物系の誘電体磁器
組成物からなる回路用基板等が提案されている。
するため、例えば、特開平５−２２５８２５号公報に示
すように、複合ぺロブスカイト型化合物系の誘電体磁器
組成物からなる回路用基板等が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
５−２２５８２５号公報に示されるようなペロブスカイ
ト型化合物系の材料や、従来のアルミナを絶縁基板とし
て用いた回路基板では、焼成温度が１３００〜１６００
℃と高温であるため、銅、銀等を配線導体として用いた
多層化や微細な配線化ができないという問題があった。
５−２２５８２５号公報に示されるようなペロブスカイ
ト型化合物系の材料や、従来のアルミナを絶縁基板とし
て用いた回路基板では、焼成温度が１３００〜１６００
℃と高温であるため、銅、銀等を配線導体として用いた
多層化や微細な配線化ができないという問題があった。
【０００６】また従来のガラスセラミック材料は、銅、
銀等の低抵抗金属との同時焼成が可能であり、また多層
化も可能であるが、そのほとんどが誘電損失が１０ＧＨ
ｚのマイクロ波領域においては３０×１０-4以上と大き
く、高周波用の機器の低誘電損失化の点では満足すべき
特性は得られていない。また、従来のガラスセラミック
スは、１０００℃以下での焼成が可能である反面、この
ような低温焼成を可能とするためには、少なくともガラ
スを３０重量％以上配合する必要とするために、得られ
る磁器の特性がガラスの性質に大きく依存してしまう結
果、フィラ−成分の優れた特性が発揮できないという問
題があった。
銀等の低抵抗金属との同時焼成が可能であり、また多層
化も可能であるが、そのほとんどが誘電損失が１０ＧＨ
ｚのマイクロ波領域においては３０×１０-4以上と大き
く、高周波用の機器の低誘電損失化の点では満足すべき
特性は得られていない。また、従来のガラスセラミック
スは、１０００℃以下での焼成が可能である反面、この
ような低温焼成を可能とするためには、少なくともガラ
スを３０重量％以上配合する必要とするために、得られ
る磁器の特性がガラスの性質に大きく依存してしまう結
果、フィラ−成分の優れた特性が発揮できないという問
題があった。
【０００７】従って、本発明は、８００〜１０００℃で
の焼成が可能であり、特に３０ＧＨｚ以上の高周波領域
において５〜８０で調整可能な比誘電率と、低い誘電損
失を有する高周波用磁器組成物と、高周波用磁器の製造
方法を提供することを目的とする。
の焼成が可能であり、特に３０ＧＨｚ以上の高周波領域
において５〜８０で調整可能な比誘電率と、低い誘電損
失を有する高周波用磁器組成物と、高周波用磁器の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題点
を鋭意検討した結果、Ｚｎ、ＴｉおよびＳｉを特定組成
で含む複合酸化物に対して、焼結助剤として、Ｂ
2 Ｏ3 、または少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガ
ラスを特定比率で添加することにより複合酸化物中から
生成するＺｎを主とする液相とＢ（ホウ素）成分による
液相反応が生じ、僅かな助剤量により、８００〜１００
０℃の温度で焼成でき、しかも焼成によって、結晶相と
して、少なくともＺｎおよびＳｉを含むウイレマイト結
晶相と、スピネル型結晶相、イルメナイト型結晶相、Ｔ
ｉＯ2 結晶相、ＳｉＯ2 結晶相等を析出させることによ
り、５〜８０で調整可能な比誘電率と低い誘電損失を有
する磁器を得ることができることを知見し、本発明に至
った。
を鋭意検討した結果、Ｚｎ、ＴｉおよびＳｉを特定組成
で含む複合酸化物に対して、焼結助剤として、Ｂ
2 Ｏ3 、または少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガ
ラスを特定比率で添加することにより複合酸化物中から
生成するＺｎを主とする液相とＢ（ホウ素）成分による
液相反応が生じ、僅かな助剤量により、８００〜１００
０℃の温度で焼成でき、しかも焼成によって、結晶相と
して、少なくともＺｎおよびＳｉを含むウイレマイト結
晶相と、スピネル型結晶相、イルメナイト型結晶相、Ｔ
ｉＯ2 結晶相、ＳｉＯ2 結晶相等を析出させることによ
り、５〜８０で調整可能な比誘電率と低い誘電損失を有
する磁器を得ることができることを知見し、本発明に至
った。
【０００９】即ち、本発明の高周波用磁器組成物は、少
なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを含み、該金属の原子比
による組成を ｎＺｎ・（Ｔｉ1-y Ｓｉy ） と表した時、０＜ｙ＜１．０、０．１４≦ｎ≦３．５を
満足する複合酸化物からからなる主成分８０〜９９．９
５重量％と、Ｂ2 Ｏ3 ０．０５〜２０重量％とからなる
ことを特徴とする。
なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを含み、該金属の原子比
による組成を ｎＺｎ・（Ｔｉ1-y Ｓｉy ） と表した時、０＜ｙ＜１．０、０．１４≦ｎ≦３．５を
満足する複合酸化物からからなる主成分８０〜９９．９
５重量％と、Ｂ2 Ｏ3 ０．０５〜２０重量％とからなる
ことを特徴とする。
【００１０】また、本発明の他の高周波用磁器組成物
は、少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを含み、該金属の
原子比による組成を ｎＺｎ・（Ｔｉ1-y Ｓｉy ） と表した時、０＜ｙ＜１．０、０．１４≦ｎ≦３．５を
満足する複合酸化物からなる主成分７０〜９９．９重量
％と、少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラス０．
１〜３０重量％とからなることを特徴とするものであ
る。
は、少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを含み、該金属の
原子比による組成を ｎＺｎ・（Ｔｉ1-y Ｓｉy ） と表した時、０＜ｙ＜１．０、０．１４≦ｎ≦３．５を
満足する複合酸化物からなる主成分７０〜９９．９重量
％と、少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラス０．
１〜３０重量％とからなることを特徴とするものであ
る。
【００１１】また、上記組成物においては、少なくとも
ＺｎおよびＳｉを含むウイレマイト結晶相を含むことを
特徴とするもので、さらには、少なくともＺｎおよびＴ
ｉを含むスピネル型結晶相、少なくともＺｎおよびＴｉ
を含むイルメナイト型結晶相、ＴｉＯ2 結晶相およびＳ
ｉＯ2 結晶相のうちの少なくとも１種を含むことを特徴
とする。
ＺｎおよびＳｉを含むウイレマイト結晶相を含むことを
特徴とするもので、さらには、少なくともＺｎおよびＴ
ｉを含むスピネル型結晶相、少なくともＺｎおよびＴｉ
を含むイルメナイト型結晶相、ＴｉＯ2 結晶相およびＳ
ｉＯ2 結晶相のうちの少なくとも１種を含むことを特徴
とする。
【００１２】また、特性上は、３０〜６０ＧＨｚでの誘
電率（εｒ）が５〜８０の範囲で調整可能で、誘電損失
が３０×１０-4以下の優れた特性を有するものである。
電率（εｒ）が５〜８０の範囲で調整可能で、誘電損失
が３０×１０-4以下の優れた特性を有するものである。
【００１３】また、本発明の高周波用磁器の製造方法
は、前記の組成物を所定形状に成形後、８００〜１００
０℃で焼成することを特徴とするものである。
は、前記の組成物を所定形状に成形後、８００〜１００
０℃で焼成することを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の高周波用磁器組成物は、
第１の形態として、少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを
含む複合酸化物からなる主成分８０〜９９．９５重量％
と、焼結助剤としてＢ2 Ｏ3 ０．０５〜２０重量％とか
らなるものである。上記の主成分は、複合酸化物を構成
する前記金属の原子比による組成を ｎＺｎ・（Ｔｉ1-y Ｓｉy ） と表した時、０＜ｙ＜１．０、０．１４≦ｎ≦３．５を
満足する複合酸化物からからなる。
第１の形態として、少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを
含む複合酸化物からなる主成分８０〜９９．９５重量％
と、焼結助剤としてＢ2 Ｏ3 ０．０５〜２０重量％とか
らなるものである。上記の主成分は、複合酸化物を構成
する前記金属の原子比による組成を ｎＺｎ・（Ｔｉ1-y Ｓｉy ） と表した時、０＜ｙ＜１．０、０．１４≦ｎ≦３．５を
満足する複合酸化物からからなる。
【００１５】上記主成分組成における（Ｔｉ＋Ｓｉ）に
対するＺｎの比率ｎ値を０．１４≦ｎ≦３．５としたの
は、ｎが０．１４より小さいと、ＺｎＯ相が過剰となり
誘電特性が劣化し、ｎが３．５を越えるとＴｉＯ2 相が
過剰となり焼結性が劣化し、焼結助剤を多量に添加しな
いと焼結できず、その結果、誘電特性が劣化してしまう
ためである。ｎの望ましい範囲は０．５≦ｎ≦１．５で
ある。
対するＺｎの比率ｎ値を０．１４≦ｎ≦３．５としたの
は、ｎが０．１４より小さいと、ＺｎＯ相が過剰となり
誘電特性が劣化し、ｎが３．５を越えるとＴｉＯ2 相が
過剰となり焼結性が劣化し、焼結助剤を多量に添加しな
いと焼結できず、その結果、誘電特性が劣化してしまう
ためである。ｎの望ましい範囲は０．５≦ｎ≦１．５で
ある。
【００１６】また、上記主成分組成におけるｙを０＜ｙ
＜１．０とすることにより、誘電率を５〜８０の範囲で
任意に制御することが可能となる。
＜１．０とすることにより、誘電率を５〜８０の範囲で
任意に制御することが可能となる。
【００１７】また、焼結助剤として、Ｂ2 Ｏ3 量を上記
の比率に限定したのは、Ｂ2 Ｏ3 量が０．０５重量％よ
り少ないか、言い換えれば、少なくともＺｎ、Ｔｉ，Ｓ
ｉを含む複合酸化物からなる主成分量が９９．９５重量
％より多いと、８００〜１０００℃の低温で十分に緻密
化することができず、この組成物を用いて作製される基
板特性において、磁器がが緻密化しないため誘電率が低
下し、また誘電損失は増大してしまうためである。ま
た、Ｂ2 Ｏ3 の量が２０重量％より多いか、言い換えれ
ば前記主成分量が８０重量％より少ないと、７００℃以
下の低温で液相が流失し磁器の形状を損ない製品形状を
保てず、また磁器特性の点から３０〜６０ＧＨｚの高周
波領域における誘電損失が３０×１０-4以上と高くなる
ためである。上記の複合酸化物からなる主成分とＢ2 Ｏ
3 との好ましい組成範囲は、前記主成分が９０〜９９．
９重量％、Ｂ2 Ｏ3 が０．１〜１０重量％である。
の比率に限定したのは、Ｂ2 Ｏ3 量が０．０５重量％よ
り少ないか、言い換えれば、少なくともＺｎ、Ｔｉ，Ｓ
ｉを含む複合酸化物からなる主成分量が９９．９５重量
％より多いと、８００〜１０００℃の低温で十分に緻密
化することができず、この組成物を用いて作製される基
板特性において、磁器がが緻密化しないため誘電率が低
下し、また誘電損失は増大してしまうためである。ま
た、Ｂ2 Ｏ3 の量が２０重量％より多いか、言い換えれ
ば前記主成分量が８０重量％より少ないと、７００℃以
下の低温で液相が流失し磁器の形状を損ない製品形状を
保てず、また磁器特性の点から３０〜６０ＧＨｚの高周
波領域における誘電損失が３０×１０-4以上と高くなる
ためである。上記の複合酸化物からなる主成分とＢ2 Ｏ
3 との好ましい組成範囲は、前記主成分が９０〜９９．
９重量％、Ｂ2 Ｏ3 が０．１〜１０重量％である。
【００１８】また、本発明の高周波用磁器組成物におけ
る第２の形態としては、少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳ
ｉを含む前述した複合酸化物からなる主成分７０〜９
９．９重量％と、焼結助剤として少なくともＳｉＯ2 お
よびＢ2 Ｏ3 を含有するガラス０．１〜３０重量％とか
らなるものである。
る第２の形態としては、少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳ
ｉを含む前述した複合酸化物からなる主成分７０〜９
９．９重量％と、焼結助剤として少なくともＳｉＯ2 お
よびＢ2 Ｏ3 を含有するガラス０．１〜３０重量％とか
らなるものである。
【００１９】ここで、前記ガラス量を上記の比率に限定
したのは、Ｂ2 Ｏ3 量が０．１重量％より少ないか、言
い換えれば、少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを含む複
合酸化物からなる主成分量が９９．９重量％より多い
と、８００〜１０００℃の低温で十分に緻密化すること
ができず、この組成物を用いて作製される基板特性にお
いて、磁器が緻密化しないため誘電率が低下し、また誘
電損失は増大してしまうためである。また、上記ガラス
量が３０重量％より多いか、言い換えれば前記主成分量
が７０重量％より少ないと、７００℃以下の低温で液相
が流失し磁器の形状を損ない製品形状を保てず、また磁
器特性の点から３０〜６０ＧＨｚの高周波領域における
誘電損失が３０×１０-4よりも高くなるためである。上
記の複合酸化物からなる主成分と上記ガラスとの好まし
い組成範囲は、前記主成分が８０〜９９．５重量％、Ｂ
2 Ｏ3 が０．５〜２０重量％である。
したのは、Ｂ2 Ｏ3 量が０．１重量％より少ないか、言
い換えれば、少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを含む複
合酸化物からなる主成分量が９９．９重量％より多い
と、８００〜１０００℃の低温で十分に緻密化すること
ができず、この組成物を用いて作製される基板特性にお
いて、磁器が緻密化しないため誘電率が低下し、また誘
電損失は増大してしまうためである。また、上記ガラス
量が３０重量％より多いか、言い換えれば前記主成分量
が７０重量％より少ないと、７００℃以下の低温で液相
が流失し磁器の形状を損ない製品形状を保てず、また磁
器特性の点から３０〜６０ＧＨｚの高周波領域における
誘電損失が３０×１０-4よりも高くなるためである。上
記の複合酸化物からなる主成分と上記ガラスとの好まし
い組成範囲は、前記主成分が８０〜９９．５重量％、Ｂ
2 Ｏ3 が０．５〜２０重量％である。
【００２０】また、本発明の高周波用磁器組成物は、第
１および第２の形態のいずれの組成物も、大気などの酸
化性雰囲気、あるいは窒素、アルゴンなどの非酸化性雰
囲気中で８００〜１０００℃の温度範囲での焼成によっ
て、相対密度９５％以上まで緻密化することができる。
１および第２の形態のいずれの組成物も、大気などの酸
化性雰囲気、あるいは窒素、アルゴンなどの非酸化性雰
囲気中で８００〜１０００℃の温度範囲での焼成によっ
て、相対密度９５％以上まで緻密化することができる。
【００２１】このようにして作製される高周波用磁器
は、少なくともＺｎおよびＳｉを含むウイレマイト結晶
相を含み、さらには、少なくともＺｎおよびＴｉを含む
スピネル型結晶相、少なくともＺｎおよびＴｉを含むイ
ルメナイト型結晶相、ＴｉＯ2結晶相およびＳｉＯ2 結
晶相のうちの少なくとも１種を含む。
は、少なくともＺｎおよびＳｉを含むウイレマイト結晶
相を含み、さらには、少なくともＺｎおよびＴｉを含む
スピネル型結晶相、少なくともＺｎおよびＴｉを含むイ
ルメナイト型結晶相、ＴｉＯ2結晶相およびＳｉＯ2 結
晶相のうちの少なくとも１種を含む。
【００２２】例えば、図１および図２に示されるような
組織構造を有する。図１は、少なくともＺｎおよびＴｉ
を含むスピネル型結晶相１と、少なくともＺｎおよびＳ
ｉを含むウイレマイト結晶相２と、少なくともＺｎおよ
びＴｉを含むイルメナイト型結晶相４と、非晶質の粒界
相３とから構成される。図２は、少なくともＺｎおよび
Ｔｉを含むスピネル型結晶相１と、少なくともＺｎおよ
びＳｉを含むウイレマイト結晶相２と、少なくともＺｎ
およびＴｉを含むイルメナイト型結晶相４と、ＴｉＯ2
相５と、ＳｉＯ2 相６と、非晶質の粒界相３とから構成
される。
組織構造を有する。図１は、少なくともＺｎおよびＴｉ
を含むスピネル型結晶相１と、少なくともＺｎおよびＳ
ｉを含むウイレマイト結晶相２と、少なくともＺｎおよ
びＴｉを含むイルメナイト型結晶相４と、非晶質の粒界
相３とから構成される。図２は、少なくともＺｎおよび
Ｔｉを含むスピネル型結晶相１と、少なくともＺｎおよ
びＳｉを含むウイレマイト結晶相２と、少なくともＺｎ
およびＴｉを含むイルメナイト型結晶相４と、ＴｉＯ2
相５と、ＳｉＯ2 相６と、非晶質の粒界相３とから構成
される。
【００２３】イルメナイト型結晶とは、ＦｅＴｉＯ3 で
代表される三方格子に属する結晶構造を呈し、本発明の
磁器では、前記ＦｅがＺｎに置き換わったものと推定さ
れる。また、ウイレマイト結晶相は、Ｚｎ2 ＳｉＯ4 と
推定される。
代表される三方格子に属する結晶構造を呈し、本発明の
磁器では、前記ＦｅがＺｎに置き換わったものと推定さ
れる。また、ウイレマイト結晶相は、Ｚｎ2 ＳｉＯ4 と
推定される。
【００２４】このように本発明によれば、磁器中に、少
なくともＺｎおよびＳｉを含むウイレマイト型結晶相、
さらには、少なくともＺｎおよびＴｉを含むイルメナイ
ト型結晶相、少なくともＺｎおよびＴｉを含むスピネル
型結晶相、ＴｉＯ2 結晶相およびＳｉＯ2 結晶相のうち
の少なくとも１種を析出させることにより、比誘電率を
５〜８０の間で調整でき、低い誘電損失を得ることがで
きるのである。
なくともＺｎおよびＳｉを含むウイレマイト型結晶相、
さらには、少なくともＺｎおよびＴｉを含むイルメナイ
ト型結晶相、少なくともＺｎおよびＴｉを含むスピネル
型結晶相、ＴｉＯ2 結晶相およびＳｉＯ2 結晶相のうち
の少なくとも１種を析出させることにより、比誘電率を
５〜８０の間で調整でき、低い誘電損失を得ることがで
きるのである。
【００２５】なお、上記非晶質の粒界相３は、焼結助剤
としてＢ2 Ｏ3 を用いた第１の形態の場合には、Ｚｎお
よびＢを含み、焼結助剤としてＳｉＯ2 およびＢ2 Ｏ3
を含むガラスを用いた第２の形態の場合には、Ｓｉ、Ｚ
ｎおよびＢを含むものから構成される。
としてＢ2 Ｏ3 を用いた第１の形態の場合には、Ｚｎお
よびＢを含み、焼結助剤としてＳｉＯ2 およびＢ2 Ｏ3
を含むガラスを用いた第２の形態の場合には、Ｓｉ、Ｚ
ｎおよびＢを含むものから構成される。
【００２６】なお、本発明の第２の形態において用いる
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラスとしては、一般にホウ
ケイ酸系ガラス、ホウケイ酸亜鉛系ガラス、ホウケイ酸
鉛ガラスなどが挙げられるが、特にＳｉＯ2 を５〜８０
重量％、Ｂ2 Ｏ3 を４〜５０重量％の割合でそれぞれ含
み、他の成分としてＡｌ2 Ｏ3 を３０重量％以下、アル
カリ金属酸化物を２０重量％以下の割合で含むものが好
適に使用され、これらの酸化物成分を所定割合で配合し
たものを溶融、冷却し、ガラス化したものが使用され
る。
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラスとしては、一般にホウ
ケイ酸系ガラス、ホウケイ酸亜鉛系ガラス、ホウケイ酸
鉛ガラスなどが挙げられるが、特にＳｉＯ2 を５〜８０
重量％、Ｂ2 Ｏ3 を４〜５０重量％の割合でそれぞれ含
み、他の成分としてＡｌ2 Ｏ3 を３０重量％以下、アル
カリ金属酸化物を２０重量％以下の割合で含むものが好
適に使用され、これらの酸化物成分を所定割合で配合し
たものを溶融、冷却し、ガラス化したものが使用され
る。
【００２７】また、本発明の高周波用磁器を製造する方
法としては、主成分原料として、ＺｎＯ、ＴｉＯ2 の各
酸化物粉末、あるいはこれらの２種以上の複合化合物
（例えば、ＺｎＴｉＯ3 、Ｚｎ2 ＴｉＯ4 、ＺｎＳｉＯ
3 、Ｚｎ2 ＳｉＯ4 ）など、さらには、酸化物以外に焼
結過程で酸化物を形成し得る炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩等
の形態で用いることができる。この主成分原料は、それ
ら金属の原子比が上記主成分組成を満足するように秤量
混合される。
法としては、主成分原料として、ＺｎＯ、ＴｉＯ2 の各
酸化物粉末、あるいはこれらの２種以上の複合化合物
（例えば、ＺｎＴｉＯ3 、Ｚｎ2 ＴｉＯ4 、ＺｎＳｉＯ
3 、Ｚｎ2 ＳｉＯ4 ）など、さらには、酸化物以外に焼
結過程で酸化物を形成し得る炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩等
の形態で用いることができる。この主成分原料は、それ
ら金属の原子比が上記主成分組成を満足するように秤量
混合される。
【００２８】本発明の第１の形態に基づくと、上記の主
成分原料に対して、焼結助剤としてＢ2 Ｏ3 粉末あるい
は焼結過程で酸化物を形成し得るＢ2 Ｓ3 、Ｈ2 Ｂ
Ｏ3 、ＢＮ、Ｂ4 Ｃ等をＢ2 Ｏ3 として、主成分原料８
０〜９９．９５重量％、Ｂ2 Ｏ3０．０５〜２０重量％
となるように添加混合する。
成分原料に対して、焼結助剤としてＢ2 Ｏ3 粉末あるい
は焼結過程で酸化物を形成し得るＢ2 Ｓ3 、Ｈ2 Ｂ
Ｏ3 、ＢＮ、Ｂ4 Ｃ等をＢ2 Ｏ3 として、主成分原料８
０〜９９．９５重量％、Ｂ2 Ｏ3０．０５〜２０重量％
となるように添加混合する。
【００２９】また、本発明の第２の形態に基づくと、上
記の主成分原料に対して、焼結助剤として前述したよう
なＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラス粉末を、主成分原料
７０〜９９．９重量％、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラ
ス０．１〜３０重量％となるように添加混合する。
記の主成分原料に対して、焼結助剤として前述したよう
なＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラス粉末を、主成分原料
７０〜９９．９重量％、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラ
ス０．１〜３０重量％となるように添加混合する。
【００３０】なお、上記原料粉末は、分散性を高め安定
した誘電率や低い誘電損失を得るために平均粒径がいず
れも２．０μｍ以下、特に１．０μｍ以下の微粉末であ
ることが望ましい。
した誘電率や低い誘電損失を得るために平均粒径がいず
れも２．０μｍ以下、特に１．０μｍ以下の微粉末であ
ることが望ましい。
【００３１】次に、上記のような割合で添加混合した混
合粉末に適宜バインダ−を添加した後、例えば、金型プ
レス、冷間静水圧プレス、押し出し成形、ドクターブレ
ード法、圧延法等により任意の形状に成形後、空気中な
どの酸化性雰囲気中で８００℃〜１０００℃、特に９０
０〜１０００℃の温度で０．１〜５時間焼成することに
より相対密度９５％以上に緻密化することができる。こ
の時の焼成温度が８００℃より低いと、磁器が十分に緻
密化せず、１０００℃を越えると緻密化は可能である
が、銀などの導体と同時焼成ができなくなる。因みに、
同時焼成時に、銀を用いる場合には非酸化性または酸化
性雰囲気で焼成することが必要である。
合粉末に適宜バインダ−を添加した後、例えば、金型プ
レス、冷間静水圧プレス、押し出し成形、ドクターブレ
ード法、圧延法等により任意の形状に成形後、空気中な
どの酸化性雰囲気中で８００℃〜１０００℃、特に９０
０〜１０００℃の温度で０．１〜５時間焼成することに
より相対密度９５％以上に緻密化することができる。こ
の時の焼成温度が８００℃より低いと、磁器が十分に緻
密化せず、１０００℃を越えると緻密化は可能である
が、銀などの導体と同時焼成ができなくなる。因みに、
同時焼成時に、銀を用いる場合には非酸化性または酸化
性雰囲気で焼成することが必要である。
【００３２】本発明の上記方法によれば、Ｚｎ、Ｔｉお
よびＳｉからなる複合酸化物とＢ2Ｏ3 、またはＳｉＯ
2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラスを組み合わせることにより、
複合酸化物から生成するＺｎを主とする液相とＢ（ホウ
素）成分のより活性な液相反応が生じる結果、少ない焼
結助剤量で磁器を緻密化することができる。そのため
に、誘電損失を増大させる要因となる粒界の非晶質相の
量を最小限に押さえることができる。このため高周波領
域においてより低い誘電損失を得ることができるのであ
る。
よびＳｉからなる複合酸化物とＢ2Ｏ3 、またはＳｉＯ
2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラスを組み合わせることにより、
複合酸化物から生成するＺｎを主とする液相とＢ（ホウ
素）成分のより活性な液相反応が生じる結果、少ない焼
結助剤量で磁器を緻密化することができる。そのため
に、誘電損失を増大させる要因となる粒界の非晶質相の
量を最小限に押さえることができる。このため高周波領
域においてより低い誘電損失を得ることができるのであ
る。
【００３３】また、本発明における磁器組成物は、８０
０〜１０００℃で焼成可能であることから、特に銀など
を配線とする配線基板の絶縁基板として用いることがで
きる。かかる磁器組成物を用いて配線基板を作製する場
合には、例えば、上記のようにして調合した混合粉末を
公知のテープ成形法、例えばドクターブレード法、圧延
法等に従い、絶縁層形成用のグリーンシートを作製した
後、そのシートの表面に配線回路層用として、銀、金の
うちの少なくとも１種の金属、特に、銀粉末を含む導体
ペーストを用いて、グリーンシート表面に配線パターン
にスクリーン印刷法、グラビア印刷法等によって回路パ
ターン状に印刷し、場合によってはシートにスルーホー
ルやビアホール形成後、上記導体ペーストを充填する。
その後、複数のグリーンシートを積層圧着した後、上述
した条件で焼成することにより、配線層と絶縁層とを同
時に焼成することができる。
０〜１０００℃で焼成可能であることから、特に銀など
を配線とする配線基板の絶縁基板として用いることがで
きる。かかる磁器組成物を用いて配線基板を作製する場
合には、例えば、上記のようにして調合した混合粉末を
公知のテープ成形法、例えばドクターブレード法、圧延
法等に従い、絶縁層形成用のグリーンシートを作製した
後、そのシートの表面に配線回路層用として、銀、金の
うちの少なくとも１種の金属、特に、銀粉末を含む導体
ペーストを用いて、グリーンシート表面に配線パターン
にスクリーン印刷法、グラビア印刷法等によって回路パ
ターン状に印刷し、場合によってはシートにスルーホー
ルやビアホール形成後、上記導体ペーストを充填する。
その後、複数のグリーンシートを積層圧着した後、上述
した条件で焼成することにより、配線層と絶縁層とを同
時に焼成することができる。
【００３４】以下、本発明を次の例で説明する。
【００３５】
実施例１ 平均粒径が１μｍ以下のＢ2 Ｏ3 、平均粒径が１μｍ以
下のＺｎ2 ＴｉＯ4 、Ｚｎ2 ＳｉＯ4 、ＴｉＯ2 、Ｓｉ
Ｏ2 を表１、２の組成に従い混合した。そして、この混
合物に有機バインダー、可塑剤、トルエンを添加し、ド
クターブレード法により厚さ３００μｍのグリーンシー
トを作製した。そして、このグリーンシートを５枚積層
し、５０℃の温度で１００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を加えて
熱圧着した。一部の組成について得られた積層体を水蒸
気含有／窒素雰囲気中で、５００〜７００℃で脱バイン
ダーした後、大気中で表１、２の条件において焼成して
多層基板用磁器を得た。
下のＺｎ2 ＴｉＯ4 、Ｚｎ2 ＳｉＯ4 、ＴｉＯ2 、Ｓｉ
Ｏ2 を表１、２の組成に従い混合した。そして、この混
合物に有機バインダー、可塑剤、トルエンを添加し、ド
クターブレード法により厚さ３００μｍのグリーンシー
トを作製した。そして、このグリーンシートを５枚積層
し、５０℃の温度で１００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を加えて
熱圧着した。一部の組成について得られた積層体を水蒸
気含有／窒素雰囲気中で、５００〜７００℃で脱バイン
ダーした後、大気中で表１、２の条件において焼成して
多層基板用磁器を得た。
【００３６】得られた焼結体について誘電率、誘電損失
を以下の方法で評価した。測定は、形状直径１〜５ｍ
ｍ、厚み２〜３ｍｍの試料を切り出し、６０ＧＨｚにて
ネットワークアナライザー、シンセサイズドスイーパー
を用いて誘電体円柱共振器法により行った。測定では、
ＮＲＤガイド（非放射性誘電体線路）で、誘電体共振器
の励起を行い、ＴＥ０２１，ＴＥ０３１モードの共振特
性より誘電率、誘電損失を算出し結果を表１、２に示し
た。また、焼結体に対してＸ線回折測定を行い、結晶相
を同定し表１に示した。なお、表中の不等号はピーク強
度比の大小を示すものである。
を以下の方法で評価した。測定は、形状直径１〜５ｍ
ｍ、厚み２〜３ｍｍの試料を切り出し、６０ＧＨｚにて
ネットワークアナライザー、シンセサイズドスイーパー
を用いて誘電体円柱共振器法により行った。測定では、
ＮＲＤガイド（非放射性誘電体線路）で、誘電体共振器
の励起を行い、ＴＥ０２１，ＴＥ０３１モードの共振特
性より誘電率、誘電損失を算出し結果を表１、２に示し
た。また、焼結体に対してＸ線回折測定を行い、結晶相
を同定し表１に示した。なお、表中の不等号はピーク強
度比の大小を示すものである。
【００３７】また、比較例として、Ｚｎ2 ＴｉＯ4 、Ｚ
ｎ2 ＳｉＯ4 に代わり、ＢａＴｉＯ3 、Ａｌ6 Ｓｉ2 Ｏ
13（ムライト) を用いて同様に焼結体を作製し評価した
（試料Ｎo.３８、３９）。
ｎ2 ＳｉＯ4 に代わり、ＢａＴｉＯ3 、Ａｌ6 Ｓｉ2 Ｏ
13（ムライト) を用いて同様に焼結体を作製し評価した
（試料Ｎo.３８、３９）。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【表２】
【００４０】表１、２の結果から明らかなように、結晶
相として、ウイレマイト結晶相（Ｚｎ2 ＳｉＯ4 ）、あ
るいはスピネル型結晶相（Ｚｎ2 ＴｉＯ4 ）が主として
析出した本発明の磁器は、いずれも誘電率が５から８０
で調整可能で、６０ＧＨｚでの誘電損失が３０×１０-4
以下の優れた特性値を示し、８００〜１０００℃で焼結
することができた。なお、本発明品の磁器の結晶粒界相
をＸ線マイクロアナライザーによって分析した結果、い
ずれも粒界相中からＺｎおよびＢ元素が検出された。
相として、ウイレマイト結晶相（Ｚｎ2 ＳｉＯ4 ）、あ
るいはスピネル型結晶相（Ｚｎ2 ＴｉＯ4 ）が主として
析出した本発明の磁器は、いずれも誘電率が５から８０
で調整可能で、６０ＧＨｚでの誘電損失が３０×１０-4
以下の優れた特性値を示し、８００〜１０００℃で焼結
することができた。なお、本発明品の磁器の結晶粒界相
をＸ線マイクロアナライザーによって分析した結果、い
ずれも粒界相中からＺｎおよびＢ元素が検出された。
【００４１】これに対して、Ｂ2 Ｏ3 量が０．０５重量
％未満である試料Ｎo.３２では、焼成温度を１３００℃
まで高めないと緻密化することができず、本発明の目的
に適さないものであった。一方、Ｂ2 Ｏ3 量が２０重量
％を越える試料Ｎo.１５、２８、３７は液相量が多いた
め、誘電損失が増大し６０ＧＨｚにおいて誘電特性が評
価できなかった。
％未満である試料Ｎo.３２では、焼成温度を１３００℃
まで高めないと緻密化することができず、本発明の目的
に適さないものであった。一方、Ｂ2 Ｏ3 量が２０重量
％を越える試料Ｎo.１５、２８、３７は液相量が多いた
め、誘電損失が増大し６０ＧＨｚにおいて誘電特性が評
価できなかった。
【００４２】また、Ｚｎに対して（Ｔｉ＋Ｓｉ）の比率
が少ない（３．５＜ｎ）試料Ｎo.１１では過剰なＺｎＯ
相が析出し、このため誘電損失が増大し６０ＧＨｚにお
いて誘電特性が評価できなかった。Ｚｎに対して（Ｔｉ
＋Ｓｉ）の比率が多い（ｎ＜０．１４）試料Ｎo.１５で
はＢ2 Ｏ3 量を２０重量％を越えて添加しないと磁器を
緻密化することができず、Ｂ2 Ｏ3 を２０重量％を越え
て添加すると、液相が過剰となり磁器の誘電損失が増大
した。
が少ない（３．５＜ｎ）試料Ｎo.１１では過剰なＺｎＯ
相が析出し、このため誘電損失が増大し６０ＧＨｚにお
いて誘電特性が評価できなかった。Ｚｎに対して（Ｔｉ
＋Ｓｉ）の比率が多い（ｎ＜０．１４）試料Ｎo.１５で
はＢ2 Ｏ3 量を２０重量％を越えて添加しないと磁器を
緻密化することができず、Ｂ2 Ｏ3 を２０重量％を越え
て添加すると、液相が過剰となり磁器の誘電損失が増大
した。
【００４３】また、比較例として、ＢａＴｉＯ3 やＡｌ
6 Ｓｉ2 Ｏ13（ムライト) を用いた試料Ｎo.３８、３９
では誘電損失が高く６０ＧＨｚでは測定不可能であっ
た。
6 Ｓｉ2 Ｏ13（ムライト) を用いた試料Ｎo.３８、３９
では誘電損失が高く６０ＧＨｚでは測定不可能であっ
た。
【００４４】実施例２ 平均粒径が１μｍ以下の表３に示すガラス粉末、平均粒
径が１μｍ以下のＺｎ2 ＴｉＯ4 を表４、５の組成に従
い混合した。そして、この混合物を用いて実施例１と同
様にしてグリーンシートを作製した。そして、このグリ
ーンシートを５枚積層し、５０℃の温度で１００ｋｇ／
ｃｍ2 の圧力を加えて熱圧着した。一部の組成について
得られた積層体を水蒸気含有／窒素雰囲気中で、５００
〜７００℃で脱バインダーした後、乾燥窒素中で表４、
５の条件において焼成して多層基板用磁器を得た。ま
た、他の組成について積層体を大気中、５００〜７００
℃で脱バインダーした後、大気中で表４、５の条件にお
いて焼成して多層基板用磁器を得た。得られた焼結体に
ついて、Ｘ線回折測定を行い、また、実施例１と同様な
方法で誘電率、誘電損失を評価し結果を表４、５に示し
た。
径が１μｍ以下のＺｎ2 ＴｉＯ4 を表４、５の組成に従
い混合した。そして、この混合物を用いて実施例１と同
様にしてグリーンシートを作製した。そして、このグリ
ーンシートを５枚積層し、５０℃の温度で１００ｋｇ／
ｃｍ2 の圧力を加えて熱圧着した。一部の組成について
得られた積層体を水蒸気含有／窒素雰囲気中で、５００
〜７００℃で脱バインダーした後、乾燥窒素中で表４、
５の条件において焼成して多層基板用磁器を得た。ま
た、他の組成について積層体を大気中、５００〜７００
℃で脱バインダーした後、大気中で表４、５の条件にお
いて焼成して多層基板用磁器を得た。得られた焼結体に
ついて、Ｘ線回折測定を行い、また、実施例１と同様な
方法で誘電率、誘電損失を評価し結果を表４、５に示し
た。
【００４５】
【表３】
【００４６】
【表４】
【００４７】
【表５】
【００４８】表４、５の結果から明らかなように、結晶
相として、ウイレマイト結晶相（Ｚｎ2 ＳｉＯ4 ）、あ
るいはスピネル型結晶相（Ｚｎ2 ＴｉＯ4 ）が主として
析出した本発明の磁器は、いずれも誘電率が５〜８０、
６０ＧＨｚでの誘電損失が３０×１０-4以下の優れた特
性値を示し、８００〜１０００℃で焼結することができ
た。なお、本発明品の磁器の結晶粒界相をＸ線マイクロ
アナライザーによって分析した結果、いずれも粒界相中
から、ＺｎおよびＢ元素が検出された。
相として、ウイレマイト結晶相（Ｚｎ2 ＳｉＯ4 ）、あ
るいはスピネル型結晶相（Ｚｎ2 ＴｉＯ4 ）が主として
析出した本発明の磁器は、いずれも誘電率が５〜８０、
６０ＧＨｚでの誘電損失が３０×１０-4以下の優れた特
性値を示し、８００〜１０００℃で焼結することができ
た。なお、本発明品の磁器の結晶粒界相をＸ線マイクロ
アナライザーによって分析した結果、いずれも粒界相中
から、ＺｎおよびＢ元素が検出された。
【００４９】これに対して、ガラス量が０．１重量％未
満である試料Ｎo.６５では、焼成温度を１３００℃まで
高めないと緻密化することができず、本発明の目的に適
さないものであった。一方、ガラス量が３０重量％を越
える試料Ｎo.７０は液相量が多いため、誘電損失が増大
し６０ＧＨｚにおいて誘電特性が評価できなかった。
満である試料Ｎo.６５では、焼成温度を１３００℃まで
高めないと緻密化することができず、本発明の目的に適
さないものであった。一方、ガラス量が３０重量％を越
える試料Ｎo.７０は液相量が多いため、誘電損失が増大
し６０ＧＨｚにおいて誘電特性が評価できなかった。
【００５０】また、Ｚｎに対して（Ｔｉ＋Ｓｉ）の比率
が少ない（ｎ＞３．５）試料Ｎo.７５では過剰なＺｎＯ
相が析出し、このため誘電損失が増大し６０ＧＨｚにお
いて誘電特性が評価できなかった。Ｚｎに対して（Ｔｉ
＋Ｓｉ）の比率が多い（ｎ＜０．１４）試料Ｎo.７２で
は磁器の誘電損失が増大し測定できなかった。
が少ない（ｎ＞３．５）試料Ｎo.７５では過剰なＺｎＯ
相が析出し、このため誘電損失が増大し６０ＧＨｚにお
いて誘電特性が評価できなかった。Ｚｎに対して（Ｔｉ
＋Ｓｉ）の比率が多い（ｎ＜０．１４）試料Ｎo.７２で
は磁器の誘電損失が増大し測定できなかった。
【００５１】実施例３ 各種の磁器について、直径１〜３０ｍｍ、厚み２〜１５
ｍｍの円柱サンプルａ）を作製し、誘電損失の周波数と
の関係について測定し図３に示した。図３において、
１、２は、上記実施例１中のＮo.７、１４の磁器、３は
上記実施例２中のＮo.４１の磁器、また比較として、４
は、汎用品のコージェライト系ガラスセラミックス（硼
珪酸ガラス７５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ２５重量％）、５は
汎用のアルミナ磁器（Ａｌ2 Ｏ3 ９５重量％、ＣａＯ、
ＭｇＯ５重量％）である。各磁器について、１ＧＨｚ、
１０ＧＨｚ、２０ＧＨｚ、３０ＧＨｚおよび６０ＧＨｚ
の高周波、マイクロ波、ミリ波領域において、誘電体円
柱共振器法により誘電損失を測定した。
ｍｍの円柱サンプルａ）を作製し、誘電損失の周波数と
の関係について測定し図３に示した。図３において、
１、２は、上記実施例１中のＮo.７、１４の磁器、３は
上記実施例２中のＮo.４１の磁器、また比較として、４
は、汎用品のコージェライト系ガラスセラミックス（硼
珪酸ガラス７５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ２５重量％）、５は
汎用のアルミナ磁器（Ａｌ2 Ｏ3 ９５重量％、ＣａＯ、
ＭｇＯ５重量％）である。各磁器について、１ＧＨｚ、
１０ＧＨｚ、２０ＧＨｚ、３０ＧＨｚおよび６０ＧＨｚ
の高周波、マイクロ波、ミリ波領域において、誘電体円
柱共振器法により誘電損失を測定した。
【００５２】図３の結果、汎用品のガラスセラミックス
は低周波領域において誘電損失は低いが、高周波領域に
なるに従い特性が劣化してしまい３０ＧＨｚ以上では２
０×１０-4を越えてしまう。また、汎用のアルミナ磁器
も６０ＧＨｚで４０×１０-4と高くなった。一方、本発
明の１、２、３は、６０ＧＨｚでの高周波領域において
も誘電損失は２０×１０-4以下と低いものであった。
は低周波領域において誘電損失は低いが、高周波領域に
なるに従い特性が劣化してしまい３０ＧＨｚ以上では２
０×１０-4を越えてしまう。また、汎用のアルミナ磁器
も６０ＧＨｚで４０×１０-4と高くなった。一方、本発
明の１、２、３は、６０ＧＨｚでの高周波領域において
も誘電損失は２０×１０-4以下と低いものであった。
【００５３】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波用磁
器組成物は、８００〜１０００℃の温度で緻密化できる
ことから、銀などの配線と同時に焼成することができ
る。しかも、上記組成物を焼成して得られる磁器は、３
０ＧＨｚ以上の高周波帯において低い誘電損失を示すた
めに、マイクロ波、ミリ波用回路素子等において低損失
化が可能となる。
器組成物は、８００〜１０００℃の温度で緻密化できる
ことから、銀などの配線と同時に焼成することができ
る。しかも、上記組成物を焼成して得られる磁器は、３
０ＧＨｚ以上の高周波帯において低い誘電損失を示すた
めに、マイクロ波、ミリ波用回路素子等において低損失
化が可能となる。
【図１】本発明の高周波用磁器の組織の一例を示す概略
図である。
図である。
【図２】本発明の高周波用磁器の組織の他の例を示す概
略図である。
略図である。
【図３】本発明の磁器と従来の磁器との誘電損失ｔａｎ
δと周波数ｆ0 との関係を示した図である。
δと周波数ｆ0 との関係を示した図である。
１ スピネル型結晶相（ＳＰ） ２ ウイレマイト結晶相（ＺＳ） ３ 粒界相（Ｇ） ４ イルメナイト型結晶相（Ｉ） ５ ＴｉＯ2 相（Ｔ） ６ ＳｉＯ2 相（Ｓ）
Claims (7)
- 【請求項１】少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを含み、
該金属の原子比による組成を ｎＺｎ・（Ｔｉ1-y Ｓｉy ） と表した時、０＜ｙ＜１．０、０．１４≦ｎ≦３．５を
満足する複合酸化物からなる主成分８０〜９９．９５重
量％と、Ｂ2 Ｏ3 ０．０５〜２０重量％とからなること
を特徴とする高周波用磁器組成物。 - 【請求項２】少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを含み、
該金属の原子比による組成を ｎＺｎ・（Ｔｉ1-y Ｓｉy ） と表した時、０＜ｙ＜１．０、０．１４≦ｎ≦３．５を
満足する複合酸化物からなる主成分７０〜９９．９重量
％と、少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 を含むガラス０．
１〜３０重量％とからなることを特徴とする高周波用磁
器組成物。 - 【請求項３】少なくともＺｎおよびＳｉを含むウイレマ
イト結晶相を含むことを特徴とする請求項１または請求
項２記載の高周波用磁器組成物。 - 【請求項４】少なくともＺｎおよびＴｉを含むスピネル
型結晶相、少なくともＺｎおよびＴｉを含むイルメナイ
ト型結晶相、ＴｉＯ2 結晶相およびＳｉＯ2 結晶相のう
ちの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項３記
載の高周波用磁器組成物。 - 【請求項５】３０〜６０ＧＨｚでの誘電率（εｒ）が５
〜８０であり、且つ誘電損失が３０×１０-4以下である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記
載の高周波用磁器組成物。 - 【請求項６】少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを含み、
該金属の原子比による組成を ｎＺｎ・（Ｔｉ1-y Ｓｉy ） と表した時、０＜ｙ＜１．０、０．１４≦ｎ≦３．５を
満足する複合酸化物からなる主成分８０〜９９．９５重
量％と、Ｂ2 Ｏ3 ０．０５〜２０重量％とからなる組成
物を所定形状に成形後、８００〜１０００℃の酸化性雰
囲気中で焼成することを特徴とする高周波用磁器の製造
方法。 - 【請求項７】少なくともＺｎ、ＴｉおよびＳｉを含み、
該金属の原子比による組成を ｎＺｎ・（Ｔｉ1-y Ｓｉy ） と表した時、０＜ｙ＜１．０、０．１４≦ｎ≦３．５を
満足する複合酸化物からなる主成分７０〜９９．９重量
％と、少なくともＳｉＯ2 およびＢ2 Ｏ3 を含むガラス
０．１〜３０重量％とからなる組成物を所定形状に成形
後、８００〜１０００℃の酸化性雰囲気中で焼成するこ
とを特徴とする高周波用磁器の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13487197A JP3754798B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 高周波用磁器組成物、高周波用磁器およびその製造方法 |
| US08/999,484 US5916834A (en) | 1996-12-27 | 1997-12-29 | Dielectric ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13487197A JP3754798B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 高周波用磁器組成物、高周波用磁器およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10324565A true JPH10324565A (ja) | 1998-12-08 |
| JP3754798B2 JP3754798B2 (ja) | 2006-03-15 |
Family
ID=15138435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13487197A Expired - Fee Related JP3754798B2 (ja) | 1996-12-27 | 1997-05-26 | 高周波用磁器組成物、高周波用磁器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3754798B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006041093A1 (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-20 | Nagoya Industrial Science Research Institute | 高周波用誘電体セラミックス |
| EP2135917A1 (en) * | 2008-06-18 | 2009-12-23 | Samsung SDI Co., Ltd. | Green phosphor, display device including the same, and associated methods |
| WO2019009320A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | 株式会社村田製作所 | 焼結体の製造方法、構造体および複合構造体 |
-
1997
- 1997-05-26 JP JP13487197A patent/JP3754798B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006041093A1 (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-20 | Nagoya Industrial Science Research Institute | 高周波用誘電体セラミックス |
| JPWO2006041093A1 (ja) * | 2004-10-12 | 2008-05-15 | 財団法人名古屋産業科学研究所 | 高周波用誘電体セラミックス |
| JP5134819B2 (ja) * | 2004-10-12 | 2013-01-30 | 株式会社ヤスフクセラミックス | 高周波用誘電体セラミックス |
| EP2135917A1 (en) * | 2008-06-18 | 2009-12-23 | Samsung SDI Co., Ltd. | Green phosphor, display device including the same, and associated methods |
| WO2019009320A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | 株式会社村田製作所 | 焼結体の製造方法、構造体および複合構造体 |
| CN110997594A (zh) * | 2017-07-05 | 2020-04-10 | 株式会社村田制作所 | 烧结体的制造方法、结构体以及复合结构体 |
| JPWO2019009320A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2020-04-23 | 株式会社村田製作所 | 焼結体の製造方法、構造体および複合構造体 |
| EP3608298A4 (en) * | 2017-07-05 | 2020-12-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | METHOD FOR MANUFACTURING A SINTER BODY, STRUCTURE AND COMPOSITE STRUCTURE |
| JP2022084725A (ja) * | 2017-07-05 | 2022-06-07 | 株式会社村田製作所 | 焼結体の製造方法、構造体および複合構造体 |
| CN110997594B (zh) * | 2017-07-05 | 2022-10-04 | 株式会社村田制作所 | 烧结体的制造方法、结构体以及复合结构体 |
| US11607728B2 (en) | 2017-07-05 | 2023-03-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing sintered body, structure, and composite structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3754798B2 (ja) | 2006-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6293704B2 (ja) | ガラスセラミックス焼結体及び配線基板 | |
| JP4535592B2 (ja) | 積層体 | |
| JP3860687B2 (ja) | 誘電体磁器および積層体 | |
| WO2007119312A1 (ja) | セラミック積層デバイスおよびその製造方法 | |
| JP2004115295A (ja) | 高周波用低温焼結磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP3754798B2 (ja) | 高周波用磁器組成物、高周波用磁器およびその製造方法 | |
| JP3833383B2 (ja) | 高周波用磁器組成物、高周波用磁器および高周波用磁器の製造方法 | |
| JP3527818B2 (ja) | 低温焼成磁器およびその製造方法 | |
| JP3754778B2 (ja) | 高周波用磁器組成物、高周波用磁器およびその製造方法 | |
| JP3406787B2 (ja) | 誘電体磁器の製造方法 | |
| JPH10297960A (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器の製造方法 | |
| JP3631580B2 (ja) | 高周波用磁器組成物および高周波用磁器の製造方法 | |
| JP3311924B2 (ja) | 磁器組成物および磁器の製造方法 | |
| JP3754782B2 (ja) | 高周波用配線基板およびその製造方法 | |
| JP4249690B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器および積層体 | |
| JP3406786B2 (ja) | 誘電体磁器の製造方法 | |
| JP2004210568A (ja) | 高周波用低温焼成磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2003238235A (ja) | 高周波用低温焼結磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP3631607B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器および積層体 | |
| JP3441940B2 (ja) | 高周波用磁器組成物および高周波用磁器の製造方法 | |
| JP3754827B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および積層体 | |
| JP3628146B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器 | |
| JPH10212163A (ja) | 高周波用磁器組成物および高周波用磁器の製造方法 | |
| JP3905993B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層部品 | |
| JP4618856B2 (ja) | 低温焼成磁器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040324 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040824 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041130 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050131 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051213 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051219 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111222 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111222 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131222 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |