JPH1032483A - 集積回路直流分離装置およびその方法 - Google Patents
集積回路直流分離装置およびその方法Info
- Publication number
- JPH1032483A JPH1032483A JP9089530A JP8953097A JPH1032483A JP H1032483 A JPH1032483 A JP H1032483A JP 9089530 A JP9089530 A JP 9089530A JP 8953097 A JP8953097 A JP 8953097A JP H1032483 A JPH1032483 A JP H1032483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- input
- output
- signal
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
- H03K19/01759—Coupling arrangements; Interface arrangements with a bidirectional operation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
- H03K19/0016—Arrangements for reducing power consumption by using a control or a clock signal, e.g. in order to apply power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Dc Digital Transmission (AREA)
Abstract
離するための装置および方法。 【解決手段】 分離回路10は各々の回路中に出力バッ
ファ20、20’を含み、前記出力バッファはそれに付
随する回路11、12の入力/出力ピン16、17へ信
号を供給するようにつながれている。単一のコンデンサ
ーでも複数のコンデンサーの組み合わせでもよいが、1
つの容量30が回路11、12の各々のピン16、17
へつながれ、各回路11、12中では入力バッファ2
2、22’がI/Oピン16、17上へ供給される信号
を受信するようにつながれている。入力バッファ22、
22’は容量からの電荷のリークを阻止するための回路
を含み、それは好ましくはバスホルダー36または同等
のものでよい。
Description
離技術および装置に関するものであって、更に詳細に
は、集積回路等の2つの回路をガルバーニ的に互いに分
離するための進歩した装置および方法に関する。
はそれ以上の集積回路の相互間を直流的に分離すること
が必要な場合がしばしばある。例えば、普通に起こるこ
とではないが、1つの集積回路のアース電位が、それが
つながれる相手の別の集積回路のアース電位と異なる直
流レベルにある場合がある。そのようなアース電位の分
離が必要な時は、典型的なアース分離方式が採用されて
きた。そのような方式の1つの例は、例えば、IEEE
1394−1995規格、付録Jに記述されているもの
である。
IEEE1394−1995に規定されたもののような
アース分離設計の回路が必要な時には、IEEE規格に
示唆されている物理層デバイスとリンク層デバイスとの
間の電流分離方式は、必要とされる外部部品、基板空
間、供給電流、およびシリコン面積の点で高くつく。更
に、それは雑音マージンや伝搬遅延の点でも優れていな
い。
を分離する従来技術に関する問題点の1つは、ピン間に
直流的な分離を実効させるために多数の部品が必要にな
るということである。例えば、IEEE1394−19
95規格は、そのコンデンサー方式において、2個の比
較的大型のコンデンサーと7個の抵抗をデバイス外に要
求し、更にデバイス上には、微分を行うための、3値方
式でヒステリシスを持つ特別な入力バッファ回路を要求
する。従って、相互接続される各集積回路上のすべての
ピンへの多数の相互接続に対して、要求される分離回路
を採用するとすれば、膨大な数のそのような分離回路が
必要になろう。更に、コンデンサーが取り扱う、例え
ば、約50ボルトあるいはそれ以下である電圧に依存し
て、比較的大型のコンデンサーが必要とされ、それによ
って、相互接続が施される基板上の空間よりも広い面積
をコンデンサーが占めることになりかねない。更に、集
積回路のインターフェースおよび分離を確立するために
必要とされる非常に多数の部品に伴って、最終製品のコ
ストも同時に増大することは、もちろん理解されよう。
器を使用して実現される分離回路例についても付加的に
規定している。変圧器分離回路例もまた、非常に多数の
部品を必要とするが、コンデンサーによる方式よりも高
い直流電圧、例えば約500ボルトあるいはそれ以下に
耐えるものが構築できる。ここでも、変圧器方式は分離
回路を構築するために、かなり広い、相互接続のための
物理的面積を要求し、従って、相互接続される多数のピ
ン数を乗ずるとなると膨大な量の回路部品およびレイア
ウト面積が必要となる。
に従って、集積回路との間で双方向的な信号のやり取り
を可能にするために用いられるタイプの分離回路を使用
して相互接続される回路の典型的な動作では、微分出力
バッファ回路と信号のヒステリシスを有するデジタル入
力バッファとが設けられる。この出力バッファおよび入
力バッファは一般に、同じ入力/出力ピンへつながれ
て、双方向的な信号伝達を実現する。出力バッファ回路
は一般に、その出力バッファが構築される集積回路デバ
イスと同じ基板上にあるクロックパルス源によってクロ
ック信号を供給される。
タイプの微分回路は、集積回路構造中に構築するのが困
難で複雑であり、更に、集積回路デバイス上にかなり
の”不動産”(real estate )を必要とする。入力/出
力ピンの数が増えれば、各入力バッファ区分に関する微
分回路のピン数倍された数を設けるために必要とされる
集積回路デバイス上の”不動産”の量も増大する。
ァ回路はヒステリシスを持つ増幅器を有するのが一般的
にある。ヒステリシスは、受信された信号が低レベルか
ら特定のレベル、例えば1/2 VDDより上のレベルを越え
る高レベルへ遷移することを要求し、また他方では、検
出器回路をターンオフするために、高レベルから1/2V
DDよりも低い低レベルへの信号遷移を要求する。
回路へ供給される入力信号が約1/2VDDの一般的な振幅
のものであれば、もしその入力回路が典型的なCMOS
インバーターで構成されていれば、インバーターのトラ
ンジスタは両方ともに導通状態にバイアスされるのが普
通である。この結果、そのデバイスを通って比較的大き
な電流が引き出される。引き出される電流が集積回路デ
バイスの入力/出力ピンすべての本数倍されることか
ら、この集積回路デバイスの静的状態において比較的大
きな電流が必要とされることが理解されよう。これは多
くの用途、例えばビデオカメラ/カムコーダー、ラップ
トップコンピュータ等の電池駆動式で長時間動作のため
に電池の消耗を最小限に抑える必要のある用途において
欠点となる。
積回路から他方へ信号を供給する動作において典型的な
ように、もし例えば、出力パルスが1個のクロックパル
ス長を越えて伝達されるべきであれば、1つの集積回路
の出力バッファからクロックパルス出力で高レベル状態
がクロック出力される。その後、出力バッファの出力は
3番目の状態、すなわち高インピーダンス状態へスイッ
チされる。この信号は他方の集積回路の入力バッファ回
路によって検出され、それは高レベル状態へスイッチす
る。入力バッファ回路のヒステリシス効果のお陰で、入
力バッファは、入力信号がしきい値、例えば既に述べた
ように1/2 VDD以下へ低下するまで、高レベル状態が受
信されていることを報告し続ける。
1つは、分離回路が限られた雑音耐性しか持たない場合
が普通であるということである。特に、入力バッファ回
路のヒステリシスの程度に関する設計要求のために、分
離回路は雑音耐性の大きなマージンを許容しないのが一
般的である。この結果、例えば、もし入力電圧が入力ピ
ンにおいて1/2 VDDであれば、その回路が状態変化を起
こすために越える必要のあるしきい値電位と入力電位と
の間の差は非常に小さい。(トランスミッターの出力、
あるいはその回路がつながれた集積回路の出力バッファ
部は典型的には3値目の高インピーダンス状態にあるた
め、入力は1/2 VDDにあるのが一般的である。)従っ
て、もしスパイク雑音や雑音パルスが入力ライン上へ誘
起されれば、入力バッファ回路のスイッチングしきい値
に到達するために必要なパルスの振幅は比較的小さくな
る。典型的な分離回路は、回路の特別な変数に依存し
て、例えば、ほんの約0.2ボルトから約0.8ボルト
の雑音耐性しか提供できない。
構築されるデバイスインターフェース回路の設計におい
て考慮すべき別の点は、インターフェース回路を通して
の伝搬遅延の問題である。典型的には、過去において経
験された伝搬遅延は約2ないし3ナノ秒である。多くの
用途において、この伝搬遅延は少なくとも考慮に入れる
必要があり、最悪の場合には、検討している特別な用途
に対してこの回路を不適なものとする。
で、直流的な分離、あるいはガルバーニ電圧分離を行う
ための回路および方法を提供するための方法および装置
が必要とされる。
の1つの目的は、2個以上の集積回路等の回路間に直流
的な、あるいはガルバーニ電圧の分離を提供するための
進歩した分離回路および方法を提供することである。
4−1955規格の回路例によって要求される多数の部
品よりも少ない外部部品しか要しない、上述のようなイ
ンターフェース回路および方法を提供することである。
力バッファ区分に厳密な微分回路を必要としない、上述
のような集積回路インターフェース回路および方法を提
供することである。
4−1995規格に従って構築されるインターフェース
回路よりも優れた雑音耐性を有する、上述のような進歩
した回路および方法を提供することである。
の詳細な説明を、添付図面および特許請求の範囲を参照
しながら読むことによって明らかになろう。
異なるアース電位を基準とする可能性のある2つの回路
間に直流分離を提供するための分離回路が提供される。
これら分離すべき回路は、例えば、集積回路デバイス上
の回路等でよい。この分離回路は出力バッファを含み、
その出力バッファはそれが付随する回路の出力ノードに
対して信号を供給するようにつながれている。入力バッ
ファは、入力ノードへ供給される信号を受信するように
つながれている。1個のコンデンサーあるいは複数個の
コンデンサーの組から構成される容量が、各回路の出力
ノードと入力ノードとの間につながれている。入力バッ
ファは、この容量からの電荷のリークを阻止するための
回路を含み、この回路は好ましくはバスホルダー回路ま
たは同等な回路である。もしこの回路が集積回路デバイ
ス上に設けられるのであれば、このバスホルダーは集積
回路デバイスの内外部、どちらに設けてもよい。本発明
の別の実施例では、出力バッファには信号エンコーダー
を付随させ、入力バッファには信号デコーダーを付随さ
せて、バスホルダーあるいはその他の電荷保持回路を必
要とせずに、容量からの電荷のリーク効果に対抗、また
は阻止するようになっている。
路と第2の回路との間に直流分離を提供するための分離
回路が提供される。この第1および第2の回路は集積回
路デバイス等の中に含まれることができる。これら回路
は異なるアース電位を基準とすることができるが、必ず
しもそうでなくてもよい。分離回路は第1および第2の
変圧器コイルを有する変圧器を含む。この変圧器の第1
のコイルは第1の回路のアースへつながれ、変圧器の第
2のコイルは第2の回路のアースへつながれる。1個の
コンデンサーまたは複数コンデンサーで構成される第1
の容量が、第1の回路の信号出力ノードと変圧器の第1
コイルの第2の端子との間につながれる。これも1個の
コンデンサーまたは複数コンデンサーで構成される第2
の容量が、第2の回路の信号入力ノードと変圧器の第2
コイルの第2の端子との間につながれる。第1の回路中
には信号出力バッファが設けられて、出力ノードへつな
がれる。第2の回路中には信号入力バッファが設けられ
て、対応する入力ノードへつながれ、前記信号入力バッ
ファは容量からの電荷のリークに係わらず入力ノードに
おける所望の状態を保持するように構築されている。信
号入力バッファは、例えば、バスホルダー回路を含むこ
とができる。
の集積回路デバイス中に含まれることのできる第1の回
路と第2の回路との間に直流分離を供給するための方法
が提供されており、ここで前記第1の回路のアース電位
は前記第2の回路のアース電位と異なっていても構わな
い。この方法は前記第1および第2の回路の各信号入力
および出力ノード間に容量を接続することを含んでい
る。この容量は1個のコンデンサーまたは複数コンデン
サーデバイス上に構成される。信号出力バッファは回路
の1つに含まれ、それが含まれている回路の出力ノード
へつながれている。信号入力バッファは他方の回路に含
まれ、それが含まれている回路の入力ノードへつながれ
ている。信号入力バッファは、容量からの電荷のリーク
に係わらずその入力ノードに所望の状態を保持するよう
に構築されている。
入力ノードへつながれ、出力が前記回路へつながれた第
1のインバーターを設けること、および容量からの電荷
のリークに係わらずインバーターの現在の状態を保持す
るためのバスホルダーをインバーターへの入力に設ける
ことによって実行することができる。バスホルダーを設
ける工程は、第1のインバーターを横切るように第1の
インバーターとは逆向きに第2のインバーターを設ける
ことによって実行することができる。第2のインバータ
ーは、入力ノードを駆動する出力バッファよりも低い出
力駆動を有するのが一般的である。
の回路と第2の回路との間に直流分離を供給するための
方法が提供される。これら回路は第1および第2の集積
回路デバイスの一部で構わないが、第1の回路のアース
電位は第2の回路のアース電位と異なっていても構わな
い。この方法は、変圧器の第1のコイルの1つの端子を
第1の回路のアースへつなぎ、変圧器の第2のコイルの
1つの端子を第2の回路のアースへつなぐことを含む。
第1の容量が、第1の回路の信号出力ノードと変圧器の
第1コイルの第2の端子との間につながれる。第2の容
量が、第2の回路の信号入力ノードと変圧器の第2コイ
ルの第2の端子との間につながれる。第1の回路中には
信号出力バッファが設けられて、前記出力ノードへつな
がれる。第2の回路中には信号入力バッファが設けられ
て、入力ノードへつながれる。信号入力バッファは、容
量からの電荷のリークに係わらず、回路の入力に所望の
状態を保持するように構築される。
入力ノードへつながれ、出力を前記回路へつながれた第
1のインバーターを設けること、および容量からの電荷
のリークに係わらずインバーターの現在の状態を保持す
るためのバスホルダーをインバーターへの入力に設ける
ことによって実行することができる。バスホルダーは、
第1のインバーターを横切るように第1のインバーター
とは逆向きに第2のインバーターを設けることによって
設けることができる。
れる信号を微分するために必要な微分論理回路が不要に
なるという特長が得られる。これにより、シリコンデバ
イス面積が節約できる。更に、IEEE1394−19
95規格のコンデンサー方式に従う回路に使用される最
低でも2個の外部コンデンサーと7個の外部抵抗と比較
して、容量性分離のためのリード線1本当たり1つの外
部コンデンサーしか必要とされない。変圧器分離方式で
は、IEEE規格の変圧器方式に従う回路で最低でも7
個の外部抵抗、および2個の外部コンデンサー、1個の
外部変圧器が必要とされるのとは対照的に、2個の外部
コンデンサーと1個の外部変圧器しか必要とされない。
これにより、部品、基板面積、およびコストが節約され
る。
からレール(rail−to−rail)までスイング
する。これにより雑音マージンが増大する。通常の1/2
VDDに留まるのとは違って、入力はレールに留まる。入
力が1/2 VDDに留まる従来技術では、静的な電流引き出
しは非常に大きく、供給電流が設計の上限を越えないよ
うに注意深い設計が必要とされた。加えて、分離障壁を
通る遅延は従来技術よりもずっと小さい。これにより、
物理層デバイスおよびリンク層デバイスの両方にとっ
て、タイミングの制約が低減する。入力回路の設計上の
制約は、従来技術における厳密なしきい値とヒステリシ
スの制約とは対照的に緩和される。
層デバイスおよびリンク層デバイスの両方でより少ない
供給電流しか使用せず、また以前の技術および回路とは
対照的に、外部部品での供給電流を不要としている。
目的と、それらを達成するやり方は、以下の好適実施例
の詳細な説明を添付図面とともに参照することで明らか
になるであろう。また、それによって本発明それ自体を
最も良く理解できよう。
同じ参照符号が用いられる。
構造は必ずしも集積回路を製造するための完全なプロセ
スフローを構成するものではないことに注意すべきであ
る。本発明は従来技術の中で現在使用されている集積回
路製造技術と一緒に実施されることを意図しており、そ
のため、本発明の理解のために必要な、普通に実施され
ているプロセス工程のみを含めてある。
ッチの使用と、分離障壁として働くコンデンサーを通し
て接続される標準的なCMOS出力の採用である。コン
デンサー上の電荷は瞬間的に変化できないので、分離障
壁の片側にあるCMOS出力は分離障壁の反対側にある
対応する入力を高レベルへプルアップまたは低レベルへ
プルダウンする。この時点で、ラッチ入力はコンデンサ
ー上の電荷を、出力が反対方向へ変化するまで保持す
る。
中の入力は、1/2 VDDという最大スイングを有する従来
技術とは対照的に、レールからレールへとスイングし、
送信信号の微分が不要である。入力が1/2 VDDに保持さ
れていた従来技術とは対照的に、入力はレールに保持さ
れる。
方式の場合、従来技術が最低でも2個の外部コンデンサ
ーと5個の外部抵抗を必要としたのに対して、1個の外
部コンデンサーしか必要としない。変圧器分離方式の場
合、従来技術が最低でも2個の外部コンデンサー、1個
の外部変圧器と5個の外部抵抗を必要としたのに対し
て、本発明は2個の外部コンデンサーと1個の外部変圧
器しか必要としない。
2つの集積回路デバイス11および12を分離するため
の回路10が図1に示されている。本発明はここに、集
積回路デバイスを分離し、インターフェースを構成する
実施例に関して説明するが、本発明が、互いに異なる直
流レベルまたはアース電位を基準にする可能性のある2
つのノードを分離するために使用できることを理解され
るべきである。回路10は、第1の集積回路デバイス1
1を、異なるアース電位にある可能性のある第2の集積
回路デバイス12から分離するために使用されている。
集積回路デバイス11および12は1つのプリント基板
14上に搭載されていてもよいし、あるいはその他の構
造上に搭載されていてもよい。集積回路デバイス11お
よび12はそれぞれ対応する接続ノード16および17
を有しており、それらは接続ピンとしてそれぞれ図示さ
れている。集積回路デバイス11および12の各々に対
して、1本の接続ピンしか示されていないが、これら2
つのデバイス間に多数のピンが相互接続されていること
は理解されよう。
する入力/出力ノード16および17に付随して、対応
する出力バッファ回路20および入力バッファ回路22
が含まれている。集積回路デバイス12の出力バッファ
回路および入力バッファ回路も同じように構成されてい
るが、出力バッファおよび入力バッファの参照符号とし
て、特にプライム(’)を付して、出力バッファ20’
および入力バッファ22’としている。
路(図示されていない)から供給される信号は出力バッ
ファ20へのライン24上へ供給され、出力バッファ2
0の出力は入力/出力ピン16へつながれている。同様
に、デバイス11上の入力/出力ピンまたはノード16
に受信される信号は入力バッファ22の入力へつなが
れ、集積回路11上の回路(図示されていない)へのラ
イン26上へ供給される。同様にして、集積回路12上
の回路(図示されていない)から供給される信号は、ラ
イン24’上へ供給されて入力/出力ノード17へ供給
される。また、集積回路デバイス12への入力/出力ノ
ード17上の入力として供給される信号は、入力バッフ
ァ22’の入力へ供給されて、集積回路デバイス12の
回路(図示されていない)へのライン26’上へ供給さ
れる。
バイス11および12の入力/出力ノード16および1
7を相互接続するコンデンサー30が設けられる。本発
明は1個のコンデンサーを使用するように図示されてい
るが、複数のコンデンサーを用いて当該集積回路の2つ
の相互接続ノード間に1つの容量を構成するようにして
も構わないことは注意されたい。このことは、例えば、
コンデンサー要素によって耐えられるのよりも高い電圧
を達成する場合に有利である。例えば、100ボルト耐
圧のコンデンサーを1個使用することよりも、耐圧50
ボルトのコンデンサーを2個直列につないで100ボル
トの耐圧を実現するほうが安くできる。従って、ここで
はコンデンサー要素を”1個のコンデンサー”としてあ
るが、この用語はIEEE1394−1995規格の集
積回路分離用接続の中に一般に用いられるタイプの電圧
分割器や抵抗相互接続などを必要としない単一の容量を
意味するものと解釈されるべきである。
出力バッファ回路20は、従来技術による以前の出力バ
ッファ回路のそれに類似したやり方で構築されよう。更
に詳細には、本発明の分離回路に用いる出力バッファ回
路に対しては、特別な構成上の修正は必要でない。
ては図2に示されているようなものである。図示のよう
に、入力バッファ22は3つの区分、すなわち、インバ
ーター区分32および34とバスホルダー区分36とを
有する。図示の実施例のインバーター32および34は
各々、VDDとアースとの間につながれたNチャンネルM
OSトランジスタおよびPチャンネルMOSトランジス
タを含んでいる。このように、インバーター32はPチ
ャンネルMOSトランジスタ40およびNチャンネルM
OSトランジスタ42と一緒につながれて、ライン25
上の入力信号をそれらのゲートへつながれ、それらのド
レインを後続のインバーター34の入力へつながれ、更
に、それらのソースを図示のように、それぞれVDDおよ
びアースへつながれている。同様に、インバーター34
はPチャンネルMOSトランジスタ46とNチャンネル
MOSトランジスタ48とを含み、それらの各ゲートは
入力信号を受信し、ドレインは出力ライン26へつなが
れ、ソースはそれぞれVDDおよびアースへつながれてい
る。
力と出力との間につながれている。バスホルダー36
は、この図示の実施例では、PチャンネルMOSトラン
ジスタ50およびNチャンネルMOSトランジスタ52
を備えたインバーター回路である。トランジスタ50お
よび52のゲートはインバーター32からの出力へつな
がれている。他方、トランジスタ50および52のドレ
インはライン25上のインバーター32の入力へつなが
れている。トランジスタ50および52のソースはそれ
ぞれVDDおよびアースへつながれている。他の回路を用
いて、同様に、バスホルダー機能を構築してもよいこと
を理解されたい。
低レベルから高レベル状態へ上昇すると、インバーター
32の状態は、トランジスタ42のしきい値を越えるま
では高レベルに留まり、その時点でトランジスタ42が
導通し、インバーター32の出力を低レベルへ変化させ
る。同時に、Pチャンネルトランジスタ40はターンオ
フされる。インバーター32からの出力が低レベルへ移
行すると、バスホルダー回路36のトランジスタ50は
導通し、トランジスタ52は非導通状態へスイッチされ
る。他方、入力ライン25上の信号が低レベル状態へ落
ち込むと、トランジスタ40が導通させられ、他方、ト
ランジスタ42は非導通状態へスイッチするようにされ
る。これにより、インバーター32からの出力は高レベ
ル状態へ上昇し、その高レベル状態はバスホルダー36
のトランジスタ50および52のゲートへ供給される。
これにより、トランジスタ50は非導通状態へスイッチ
され、トランジスタ52は導通する。こうして、ライン
25へ供給されるバスホルダー36からの出力は低信号
状態に保持される。バスホルダー回路36の出力はライ
ン25上へ供給され、インバーター32の入力/出力信
号状態を保持するように変化する。
状態変化に関して回路22が正しい状態になることを保
証するために、ダイオード要素54および56が設けら
れ、それぞれ入力ライン25とVDDとの間、および入力
ライン25とアースとの間につながれている。ダイオー
ド54および56は更に、出力バッファとその回路への
入力とを同期させ、出力バッファ20および関連する入
力バッファ22’の初期の起動状態に依存して、インバ
ーター32がアースよりも上、あるいは下へ駆動されな
いように保持する。
2が電力投入時に高レベル入力状態を取って、ピン16
上に低レベルから高レベルへの遷移が受信されれば、過
剰な電圧はダイオード54を通してVDDへ導かれ、イン
バーター回路32が保護されると同時に、それが正しい
入力状態へ同期することが保証される。同様に、もしイ
ンバーター32への入力が低レベルで、ピン16上に高
レベルから低レベルへの最初の遷移が受信されれば、ダ
イオード56が導通してインバーター32のトランジス
タがアースよりも低く駆動されないことが保証され、ま
たインバーター32への入力がそれの正しい状態へ同期
することが保証される。このように、ダイオード54お
よび56は入力ライン25上のレベルを、VDDおよびア
ース電位から上下にダイオード電圧降下の1つ分の範囲
にクランプする働きをする。
スホルダー回路36のトランジスタ50および52の導
通状態のスイッチングまたは遷移に打ち勝つのに十分大
きな信号がライン25上に受信されるまでは、インバー
ター32はそれがスイッチされた状態に留まることが理
解されよう。従って、回路22がIEEE1394−1
995規格に従って構築された従来技術の分離回路より
もかなり大きな雑音耐性を有することが直ちに理解でき
よう。
は、コンデンサーのリークが入力バッファ回路の動作に
影響を及ぼさないことを保証することであることに注意
されたい。コンデンサーからのそのような電荷リークの
原因は数多くあり、回路の各種トランジスタによって誘
起されるリーク、およびコンデンサーそれ自身の内部リ
ークも含まれる。このように、図2に示された回路22
は、入力バッファ回路22のインバーターの状態に影響
を与える、コンデンサー30によって経験される電荷リ
ークの可能性を排除するために役立つことを理解されよ
う。こうして、バスホルダー36の動作のために、例え
ばコンデンサー30からの電荷リークによる入力ライン
25上の小さい電圧変動に係わらず、インバーター32
の状態は、それが計画的にスイッチされるまでは保持さ
れる。
は阻止することは、他の方法によっても同様に実現でき
る。例えば、受信区分にデコーダーを用い、符号化され
た出力バッファ信号を使用することによっても、スイッ
チングが十分小さい期間に起こるようにすることで、入
力の状態を変化させるのに十分な電荷がコンデンサーか
らリークによって流れ出ないようにすることができる。
符号化信号は、例えば、予め定められた周波数で各周期
毎に状態を変化させるパルス符号変調信号でよく、ある
いはその他の適当な信号でよい。
ーダンス入力を有するので、回路22はコンデンサー3
0上に現れる電荷の変化に寄与することはほとんどな
い。従って、コンデンサー30は主として、コンデンサ
ーそれ自身の品質、およびコンデンサー内部に存在する
かもしれない内部リークに限定される。従って、バスホ
ルダー回路36は、コンデンサー上の電荷がインバータ
ー32のしきい値を通るリークのため減少することが許
容されないことを保証し、それによって、回路を意図的
にスイッチされた状態に保持する回路全体の信頼性を高
める。従って、バスホルダー36はピン16を所望の状
態に保持するように電流を保つ。
1394−1995規格に従って構築された分離回路に
よって要求されるタイプのヒステリシス回路の必要性
は、本発明の入力バッファ回路22の適正な動作のため
に必要とされない。更に、図示のようにインバーター3
2へ与えられた信号の状態を保持するバスホルダー36
を回路22と一緒に使用することで、互いに分離すべき
他方の集積回路デバイスの入力/出力ノード16および
17間に直流分離を実効させるために必要なものは1個
のコンデンサー要素のみとなる。
ける複雑な微分回路の必要性は排除され、明らかなよう
に、直流分離機能を実現するために必要とされる回路部
品の数は、IEEE1394−1955規格に従う回路
および方法によって必要とされるそれよりも大幅に減少
している。
とで、雑音マージンが大幅に向上していることに注意さ
れたい。これはバスホルダーが雑音スパイクを大幅に減
衰させるためであり、更に、スイッチングを実現するた
めにはバスホルダーに供給される電流はバスホルダーの
電流状態に打ち勝つだけの十分大きなものでなければな
らない。
た2つの集積回路の直流電圧またはガルバーニ電圧が互
いに異なるような用途に使用することを意図している
が、直流電圧またはアースレベルが本質的に同じである
用途では、本回路は2つの集積回路の間へ直接つなぐこ
とができることは理解できよう。更に、本発明に従って
採用されたバスホルダー回路の動作のために、微分回路
は最早必要とされないが、それにも拘わらず微分回路は
それを使用するように選ぶのであれば、それなりに働
く。
本発明に従って変圧器分離回路60を構築することがで
きる。図示のように、2つの集積回路デバイス62およ
び64が分離回路66によって相互接続されている。分
離回路66はプリント基板68あるいはその他の適当な
構造上に構築することができる。集積回路デバイス62
および64は各々、対応する出力バッファ回路70およ
び70’と、入力バッファ回路72および72’とを有
する。出力バッファ回路70および70’と、入力バッ
ファ回路72および72’とは同じように構築できる。
集積回路デバイス62の出力バッファ回路70からの出
力と、入力バッファ回路72への入力とは入力/出力ピ
ン78上に供給される。同じようにして、集積回路デバ
イス64の出力バッファ回路70’からの出力と、入力
バッファ回路72’への入力とはピン80への入力/出
力上に供給される。入力バッファ回路72および72’
は図2に関して既に説明したのと同じように、バスホル
ダー回路またはその他同様な技術を使用して、リーク電
流がそれの一部として採用されたインバーター回路の動
作に影響を与えないことを保証するように構築すること
ができる。
片側は集積回路デバイス62と一緒に使用されるアース
86を基準とし、反対側は集積回路デバイス64に付随
するアース88へつながれた形で変圧器が供給される。
対応するコンデンサー90および92が変圧器85の各
々の側へつながれ、それらをそれぞれ入力ノードあるい
はピン78および80へつないでいる。出力バッファか
らの出力信号を適当に符号化することによって変圧器8
5が飽和しないことを保証すれば、いくつかの用途では
コンデンサー90および92が不要となるということに
注目されたい。使用される変圧器の分離能力のために、
図3に示した変圧器方式の実施例60は、主として2つ
の集積回路デバイス62および64の間により大きな直
流電圧差が予測される場合に使用できる。通常の遷移が
十分短い期間に起こって変圧器が飽和しないようにする
ことを保証するためには、変圧器分離方式に符号化方式
が必要とされるということもまた注意されたい。
実施例に関して説明してきたが、この開示は一例でしか
なく、ここに特許請求された本発明の精神および展望か
ら外れることなしに、組み合わせ、および部品の配置に
対して数多くの変更が当業者には思いつかれるであろう
ことを理解されたい。
る。 (1)異なるアース電位を基準とする可能性のある2つ
の回路間に直流分離を提供するための分離回路であっ
て、前記回路の1つの中にある出力バッファであって、
出力ノードへ信号を供給するようにつながれた出力バッ
ファ、前記回路の別の1つの中にある入力バッファであ
って、入力ノード上の信号を受信するようにつながれた
入力バッファ、前記出力ノードと入力ノードとの間につ
ながれた容量、を含み、前記入力バッファが前記容量か
らの電荷リークを阻止する回路を含んでいる、分離回
路。
量が単一コンデンサーである回路。
量が2個以上のコンデンサーである回路。
号がデジタル信号である回路。
つおよび分離すべき別の1つの回路がそれぞれ第1およ
び第2の集積回路デバイス中に含まれている回路。
量からの電荷リークを阻止する前記回路がバスホルダー
回路である回路。
スホルダー回路が前記第2の集積回路デバイスの内部に
ある回路。
スホルダー回路が前記第2の集積回路の外部にある回
路。
量からの電荷リークを阻止する前記回路がバスホルダー
回路を含んでいる回路。
バスホルダーが前記出力バッファよりも低い駆動を提供
するようになった回路。
入力バッファが第1のインバーターを含み、前記バスホ
ルダーが前記第1のインバーターを横切るように第1の
インバーターとは逆向きにつながれた第2のインバータ
ーを含んでいる回路。
記バスホルダーが、供給電圧とアース電位との間につな
がれたPチャンネルMOSデバイスとNチャンネルMO
Sデバイスとを含み、前記MOSデバイスがゲートを前
記第1のインバーターの出力へつながれ、ドレインを前
記第1のインバーターの入力へつながれている回路。
分離すべき回路の前記1つの前記出力ノードが入力/出
力ノードであり、更に、分離すべき前記回路の前記1つ
の中に、入力を前記入力/出力ノードへつながれた第2
の入力バッファを含み、更に、分離すべき前記回路の前
記1つの中に、前記容量からの電荷のリークを阻止する
ための第2の回路を含む回路。
容量からの電荷のリークを阻止するための前記回路が、
前記出力バッファに付随して信号エンコーダーを、前記
入力バッファに付随して信号デコーダーを含んでいる回
路。
能性のある第1の回路と第2の回路との間に直流分離を
提供するための分離回路であって、第1の変圧器コイル
と第2の変圧器コイルとを有する変圧器、を含み、前記
変圧器の前記第1のコイルが前記第1の回路のアースと
前記第1の回路の出力ノードとへつながれ、前記変圧器
の前記第2のコイルが前記第2の回路のアースと前記第
2の回路の入力ノードとへつながれており、前記第1の
回路中にあって前記出力ノードへつながれた信号出力バ
ッファ、前記第2の回路中にあって、前記入力ノードへ
つながれ、容量からの電荷のリークに係わらず前記入力
ノードを所望の状態に保持するように構築された信号入
力バッファ、を含む分離回路。
に、前記第1の回路の信号出力ノードと前記変圧器の前
記第1第2コイルの第2の端子との間につながれた第1
の容量、および前記第2の回路の信号入力ノードと前記
変圧器の前記第2コイルの第2の端子との間につながれ
た第2の容量を含む回路。
記第1および第2の容量の各々が単一コンデンサーであ
る回路。
記第1および第2の容量の各々が2個以上のコンデンサ
ーである回路。
すべき前記第1および第2の回路が第1および第2の集
積回路デバイス上にある回路。
記信号入力バッファがバスホルダー回路を含んでいる回
路。
記バスホルダー回路が前記入力バッファを収容している
前記集積回路の内部にある回路。
記バスホルダー回路が前記入力バッファを収容している
前記集積回路の外部にある回路。
記信号入力バッファの各々がバスホルダー回路を含んで
いる回路。
記入力バッファが第1のインバーターを含み、前記バス
ホルダーが前記第1のインバーターを横切るように第1
のインバーターとは逆向きにつながれた第2のインバー
ターを含んでいる回路。
記バスホルダーが前記出力バッファよりも低い駆動を提
供するようになった回路。
記バスホルダーが、供給電圧とアース電位との間につな
がれたPチャンネルMOSデバイスとNチャンネルMO
Sデバイスとを含み、前記MOSデバイスがゲートを前
記第1のインバーターの出力へつながれ、ドレインを前
記第1のインバーターの入力へつながれている回路。
記信号がデジタル信号である回路。
記出力ノードが入力/出力ノードであり、更に、前記第
1の回路中に、前記入力/出力ノードへつながれた入力
を有する第2の入力バッファであって、前記容量からの
電荷のリークに係わらず前記入力/出力ノードを所望の
状態に保持するように構築された第2の入力バッファを
含む回路。
記信号出力バッファが信号エンコーダーを含んでいる回
路。
が前記第1の回路のアース電位と異なっている可能性の
ある第2の回路から直流分離するための方法であって、
前記第1の回路の信号出力ノードと前記第2の回路の信
号入力ノードとの間に容量をつなぐこと、出力を前記出
力ノードへつながれた信号出力バッファを前記第1の回
路中に設けること、前記入力ノードへつながれた信号入
力バッファであって、前記容量からの電荷のリークに係
わらず前記入力バッファの入力を所望の状態に保持する
ように構築された信号入力バッファを前記第2の回路中
に設けること、を含む方法。
量をつなぐ前記工程が、複数個の相互接続されたコンデ
ンサーをつないで前記容量を提供することを含んでいる
方法。
量をつなぐ前記工程が、1個のコンデンサーをつないで
前記容量を提供することを含んでいる方法。
号入力バッファを設ける前記工程が、入力を前記入力/
出力ノードへつながれ、出力を前記回路へつながれた第
1のインバーターを設けること、および前記容量からの
電荷のリークに係わらず前記インバーターの現在の状態
を保持するためのバスホルダーを前記インバーターを横
切るように設けることを含んでいる方法。
スホルダーを設ける前記工程が、前記第1のインバータ
ーを横切るように第1のインバーターとは逆向きに第2
のインバーターを設けることを含んでいる方法。
2のインバーターを設ける前記工程が、供給電圧とアー
ス電位との間につながれたPチャンネルMOSデバイス
およびNチャンネルMOSデバイスであって、ゲートを
前記第1のインバーターの出力へつながれ、ドレインを
前記第1のインバーターの入力へつながれたMOSデバ
イスを設けることを含んでいる方法。
記入力ノードが入力/出力ノードであり、更に、前記第
2の回路中に、前記入力/出力ノードに対して出力信号
を供給するようにつながれた第2の信号出力バッファを
設けることを含む方法。
が前記第1の回路のアース電位と異なっている可能性の
ある第2の回路から直流分離するための方法であって、
変圧器の第1のコイルの1つの端子を前記第1の回路の
アースへつなぎ、前記変圧器の第2のコイルの第1の端
子を前記第2の回路のアースへつなぐこと、前記第1の
回路の信号出力ノードと前記変圧器の前記第1コイルの
第2の端子との間に第1の容量をつなぐこと、前記第2
の回路の信号入力ノードと前記変圧器の前記第2コイル
の第2の端子との間に第2の容量をつなぐこと、前記第
1の回路中に、前記出力ノードへつながれた信号出力バ
ッファを設けること、前記第2の回路中に、前記入力ノ
ードへつながれた信号入力バッファであって、前記容量
からの電荷のリークに係わらず前記入力バッファの入力
を所望の状態に保持するように構築された信号入力バッ
ファを設けること、を含む方法。
号入力バッファを設ける前記工程が、入力を前記入力ノ
ードへつながれ、出力を前記回路へつながれた第1のイ
ンバーターを設けること、および前記容量からの電荷の
リークに係わらず前記インバーターの現在の状態を保持
するためのバスホルダーを前記インバーターを横切るよ
うに設けることを含んでいる方法。
スホルダーを設ける前記工程が、前記第1のインバータ
ーを横切るように第1のインバーターとは逆向きに第2
のインバーターを設けることを含んでいる方法。
2のインバーターを設ける前記工程が、供給電圧とアー
ス電位との間につながれたPチャンネルMOSデバイス
およびNチャンネルMOSデバイスであって、ゲートを
前記第1のインバーターの出力へつながれ、ドレインを
前記第1のインバーターの入力へつながれたMOSデバ
イスを設けることを含んでいる方法。
記出力ノードが入力/出力ノードであり、更に、前記第
1の回路中に、前記入力/出力ノードからの信号を受信
するようにつながれた第2の信号入力バッファであっ
て、前記容量からの電荷のリークに係わらず前記第2の
入力バッファの入力を所望の状態に保持するように構築
された第2の信号入力バッファを設けることを含む回
路。
能性のある2つの集積回路デバイス11と12との間に
直流分離を提供するための分離回路10および方法が提
供される。分離回路10は各々の回路中に出力バッファ
20、20’を含み、前記出力バッファはそれに付随す
る回路11、12の入力/出力ピン16、17へ信号を
供給するようにつながれている。単一のコンデンサーで
も複数のコンデンサーの組み合わせでもよいが、1つの
容量30が回路11、12の各々のピン16、17へつ
ながれ、各回路11、12中では入力バッファ22、2
2’がI/Oピン16、17上へ供給される信号を受信
するようにつながれている。入力バッファ22、22’
は容量からの電荷のリークを阻止するための回路を含
み、それは好ましくはバスホルダー36または同等のも
のでよい。別の実施例では、2つの集積回路62、64
間に直流分離を提供するために変圧器85が用いられ
る。
デバイスを分離するために使用される分離回路の模式的
電気回路図。
ッファ回路の模式的電気回路図。
を用いて2つの集積回路デバイスを分離するための分離
回路の模式的電気回路図。
Claims (2)
- 【請求項1】 異なるアース電位を基準とする可能性の
ある2つの回路間に直流分離を提供するための分離回路
であって、 前記回路の1つの中にある出力バッファであって、出力
ノードへ信号を供給するようにつながれた出力バッフ
ァ、 前記回路の別の1つの中にある入力バッファであって、
入力ノード上の信号を受信するようにつながれた入力バ
ッファ、 前記出力ノードと入力ノードとの間につながれた容量、
を含み、 前記入力バッファが前記容量からの電荷リークを阻止す
る回路を含んでいる、分離回路。 - 【請求項2】 第1の回路を、それのアース電位が前記
第1の回路のアース電位と異なっている可能性のある第
2の回路から直流分離するための方法であって、 前記第1の回路の信号出力ノードと前記第2の回路の信
号入力ノードとの間に容量をつなぐこと、 出力を前記出力ノードへつながれた信号出力バッファを
前記第1の回路中に設けること、 前記入力ノードへつながれた信号入力バッファであっ
て、前記容量からの電荷のリークに係わらず前記入力バ
ッファの入力を所望の状態に保持するように構築された
信号入力バッファを前記第2の回路中に設けること、を
含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US1506396P | 1996-04-08 | 1996-04-08 | |
US015063 | 1996-04-08 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007050044A Division JP2007172655A (ja) | 1996-04-08 | 2007-02-28 | 集積回路直流分離装置およびその方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1032483A true JPH1032483A (ja) | 1998-02-03 |
JP3947264B2 JP3947264B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=21769328
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08953097A Expired - Lifetime JP3947264B2 (ja) | 1996-04-08 | 1997-04-08 | 集積回路直流分離装置およびその方法 |
JP2007050044A Abandoned JP2007172655A (ja) | 1996-04-08 | 2007-02-28 | 集積回路直流分離装置およびその方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007050044A Abandoned JP2007172655A (ja) | 1996-04-08 | 2007-02-28 | 集積回路直流分離装置およびその方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6124756A (ja) |
EP (1) | EP0801468A3 (ja) |
JP (2) | JP3947264B2 (ja) |
KR (1) | KR100457935B1 (ja) |
CN (1) | CN1183587C (ja) |
MY (1) | MY118070A (ja) |
SG (2) | SG52945A1 (ja) |
TW (1) | TW342496B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010134469A1 (ja) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | 株式会社 山武 | ネットワークシステムおよびノード |
JP2011061515A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Sharp Corp | 非接触通信システム |
JP2013165382A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Denso Corp | 論理信号絶縁伝送回路 |
WO2015098039A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | 株式会社ソシオネクスト | 信号電位変換回路 |
Families Citing this family (117)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1183587C (zh) | 1996-04-08 | 2005-01-05 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 用于把两个集成电路直流上相互隔离的方法和设备 |
US5870046A (en) | 1997-04-22 | 1999-02-09 | Silicon Laboratories Inc. | Analog isolation system with digital communication across a capacitive barrier |
US6587560B1 (en) | 1997-04-22 | 2003-07-01 | Silicon Laboratories Inc. | Low voltage circuits powered by the phone line |
US6137827A (en) | 1997-04-22 | 2000-10-24 | Silicon Laboratories, Inc. | Isolation system with digital communication across a capacitive barrier |
US6385235B1 (en) | 1997-04-22 | 2002-05-07 | Silicon Laboratories, Inc. | Direct digital access arrangement circuitry and method for connecting to phone lines |
US6167134A (en) * | 1997-04-22 | 2000-12-26 | Silicon Laboratories, Inc. | External resistor and method to minimize power dissipation in DC holding circuitry for a communication system |
US20030042571A1 (en) * | 1997-10-23 | 2003-03-06 | Baoxing Chen | Chip-scale coils and isolators based thereon |
US6873065B2 (en) * | 1997-10-23 | 2005-03-29 | Analog Devices, Inc. | Non-optical signal isolator |
US6226331B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-05-01 | C. P. Clare Corporation | Data access arrangement for a digital subscriber line |
US6255883B1 (en) * | 1998-12-09 | 2001-07-03 | Globespan, Inc. | System and method for balancing clock distribution between two devices |
US6356115B1 (en) * | 1999-08-04 | 2002-03-12 | Intel Corporation | Charge sharing and charge recycling for an on-chip bus |
FI107091B (fi) | 1999-10-05 | 2001-05-31 | Elektroniikkatyoe Oy | Galvaanisesti erottava piiri |
US6262600B1 (en) * | 2000-02-14 | 2001-07-17 | Analog Devices, Inc. | Isolator for transmitting logic signals across an isolation barrier |
GB2385984B (en) | 2001-11-07 | 2006-06-28 | Micron Technology Inc | Semiconductor package assembly and method for electrically isolating modules |
DE10243197B4 (de) | 2002-09-18 | 2011-05-05 | Infineon Technologies Ag | Digitales Signalübertragungsverfahren |
US7275292B2 (en) | 2003-03-07 | 2007-10-02 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate |
US7075329B2 (en) * | 2003-04-30 | 2006-07-11 | Analog Devices, Inc. | Signal isolators using micro-transformers |
US7064442B1 (en) | 2003-07-02 | 2006-06-20 | Analog Devices, Inc. | Integrated circuit package device |
US7332985B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-02-19 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd. | Cavity-less film bulk acoustic resonator (FBAR) devices |
DE602004000851T2 (de) * | 2003-10-30 | 2007-05-16 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Akustisch gekoppelter Dünnschicht-Transformator mit zwei piezoelektrischen Elementen, welche entgegengesetzte C-Axen Orientierung besitzten |
US7400217B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-07-15 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Decoupled stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwith |
US6946928B2 (en) | 2003-10-30 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Thin-film acoustically-coupled transformer |
US7019605B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-03-28 | Larson Iii John D | Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth |
ITTO20040325A1 (it) * | 2004-05-14 | 2004-08-14 | Ansaldo Segnalamento Ferroviario Spa | Dispositivo per la trasmissione sicura di dati verso boe per la segnalazione ferroviaria |
US20050273653A1 (en) * | 2004-05-19 | 2005-12-08 | Honeywell International Inc. | Single fault tolerance in an architecture with redundant systems |
US7302247B2 (en) * | 2004-06-03 | 2007-11-27 | Silicon Laboratories Inc. | Spread spectrum isolator |
US7376212B2 (en) | 2004-06-03 | 2008-05-20 | Silicon Laboratories Inc. | RF isolator with differential input/output |
US8441325B2 (en) | 2004-06-03 | 2013-05-14 | Silicon Laboratories Inc. | Isolator with complementary configurable memory |
US7421028B2 (en) | 2004-06-03 | 2008-09-02 | Silicon Laboratories Inc. | Transformer isolator for digital power supply |
US7902627B2 (en) | 2004-06-03 | 2011-03-08 | Silicon Laboratories Inc. | Capacitive isolation circuitry with improved common mode detector |
US7737871B2 (en) | 2004-06-03 | 2010-06-15 | Silicon Laboratories Inc. | MCU with integrated voltage isolator to provide a galvanic isolation between input and output |
US7738568B2 (en) | 2004-06-03 | 2010-06-15 | Silicon Laboratories Inc. | Multiplexed RF isolator |
US8049573B2 (en) * | 2004-06-03 | 2011-11-01 | Silicon Laboratories Inc. | Bidirectional multiplexed RF isolator |
US7447492B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-11-04 | Silicon Laboratories Inc. | On chip transformer isolator |
US8169108B2 (en) * | 2004-06-03 | 2012-05-01 | Silicon Laboratories Inc. | Capacitive isolator |
US7821428B2 (en) | 2004-06-03 | 2010-10-26 | Silicon Laboratories Inc. | MCU with integrated voltage isolator and integrated galvanically isolated asynchronous serial data link |
US8198951B2 (en) | 2004-06-03 | 2012-06-12 | Silicon Laboratories Inc. | Capacitive isolation circuitry |
US7615833B2 (en) | 2004-07-13 | 2009-11-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator package and method of fabricating same |
US7388454B2 (en) | 2004-10-01 | 2008-06-17 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure |
US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
US7202560B2 (en) | 2004-12-15 | 2007-04-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry |
US7791434B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric |
US7792196B2 (en) * | 2004-12-28 | 2010-09-07 | Intel Corporation | Single conductor bidirectional communication link |
US7435964B2 (en) | 2005-01-26 | 2008-10-14 | Analog Devices, Inc. | Thermal sensor with increased sensitivity |
US7718967B2 (en) * | 2005-01-26 | 2010-05-18 | Analog Devices, Inc. | Die temperature sensors |
US7692148B2 (en) * | 2005-01-26 | 2010-04-06 | Analog Devices, Inc. | Thermal sensor with thermal barrier |
US8487260B2 (en) * | 2005-01-26 | 2013-07-16 | Analog Devices, Inc. | Sensor |
US7807972B2 (en) * | 2005-01-26 | 2010-10-05 | Analog Devices, Inc. | Radiation sensor with cap and optical elements |
US7427819B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-09-23 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method |
US7369013B2 (en) | 2005-04-06 | 2008-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region |
US7436269B2 (en) | 2005-04-18 | 2008-10-14 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically coupled resonators and method of making the same |
US7868522B2 (en) | 2005-09-09 | 2011-01-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Adjusted frequency temperature coefficient resonator |
US7391286B2 (en) | 2005-10-06 | 2008-06-24 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters |
US7425787B2 (en) * | 2005-10-18 | 2008-09-16 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator |
US7525398B2 (en) | 2005-10-18 | 2009-04-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier |
US7423503B2 (en) | 2005-10-18 | 2008-09-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer |
US7675390B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-03-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator |
US7737807B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-06-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators |
US7463499B2 (en) | 2005-10-31 | 2008-12-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. | AC-DC power converter |
US7561009B2 (en) | 2005-11-30 | 2009-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation |
US7514844B2 (en) * | 2006-01-23 | 2009-04-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic data coupling system and method |
US7586392B2 (en) * | 2006-01-23 | 2009-09-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Dual path acoustic data coupling system and method |
US7612636B2 (en) | 2006-01-30 | 2009-11-03 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Impedance transforming bulk acoustic wave baluns |
US7746677B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-06-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | AC-DC converter circuit and power supply |
US7479685B2 (en) | 2006-03-10 | 2009-01-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path |
US7629865B2 (en) | 2006-05-31 | 2009-12-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters |
US7719305B2 (en) * | 2006-07-06 | 2010-05-18 | Analog Devices, Inc. | Signal isolator using micro-transformers |
US7508286B2 (en) | 2006-09-28 | 2009-03-24 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | HBAR oscillator and method of manufacture |
US7864546B2 (en) * | 2007-02-13 | 2011-01-04 | Akros Silicon Inc. | DC-DC converter with communication across an isolation pathway |
US7701731B2 (en) | 2007-02-13 | 2010-04-20 | Akros Silicon Inc. | Signal communication across an isolation barrier |
US7923710B2 (en) | 2007-03-08 | 2011-04-12 | Akros Silicon Inc. | Digital isolator with communication across an isolation barrier |
US20080181316A1 (en) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Philip John Crawley | Partitioned Signal and Power Transfer Across an Isolation Barrier |
ITTO20070325A1 (it) * | 2007-05-11 | 2008-11-12 | St Microelectronics Srl | Isolatore galvanico integrato utilizzante trasmissione wireless |
US7791435B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Single stack coupled resonators having differential output |
US8523427B2 (en) | 2008-02-27 | 2013-09-03 | Analog Devices, Inc. | Sensor device with improved sensitivity to temperature variation in a semiconductor substrate |
US7855618B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-12-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers |
US7732977B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-06-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) | Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers |
US20100054001A1 (en) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | Kenneth Dyer | AC/DC Converter with Power Factor Correction |
US8618630B2 (en) | 2009-03-31 | 2013-12-31 | Nec Corporation | Semiconductor device |
US8248185B2 (en) | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
JP2011077672A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 信号入出力回路 |
US8193877B2 (en) | 2009-11-30 | 2012-06-05 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Duplexer with negative phase shifting circuit |
US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
US8451032B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-05-28 | Silicon Laboratories Inc. | Capacitive isolator with schmitt trigger |
IT1404038B1 (it) | 2010-12-29 | 2013-11-08 | St Microelectronics Srl | Dispositivo elettronico a semiconduttore provvisto di un elemento isolatore galvanico integrato, e relativo procedimento di assemblaggio |
US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
US9203374B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator comprising a bridge |
US9154112B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge |
US9425764B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features |
US9148117B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
US9136818B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked acoustic resonator comprising a bridge |
US9048812B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer |
US9083302B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator |
US9444426B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-09-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
US8575820B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-11-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator |
US8350445B1 (en) | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
US8922302B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-12-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator formed on a pedestal |
US8497700B2 (en) | 2011-10-21 | 2013-07-30 | Samsung Electro-Mechanics | Systems and methods for propagating digital data across an isolation barrier |
US8988142B2 (en) * | 2013-03-10 | 2015-03-24 | Microchip Technology Incorporated | Integrated high voltage isolation using low value capacitors |
US9293997B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-22 | Analog Devices Global | Isolated error amplifier for isolated power supplies |
US8829955B1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-09 | Analog Devices, Inc. | Isolator-based transmission system with side isolator channel for refresh signals |
US9541604B2 (en) | 2013-04-29 | 2017-01-10 | Ge Intelligent Platforms, Inc. | Loop powered isolated contact input circuit and method for operating the same |
US9660848B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-05-23 | Analog Devices Global | Methods and structures to generate on/off keyed carrier signals for signal isolators |
US10536309B2 (en) | 2014-09-15 | 2020-01-14 | Analog Devices, Inc. | Demodulation of on-off-key modulated signals in signal isolator systems |
US10270630B2 (en) | 2014-09-15 | 2019-04-23 | Analog Devices, Inc. | Demodulation of on-off-key modulated signals in signal isolator systems |
WO2016048423A1 (en) | 2014-09-24 | 2016-03-31 | Analog Devices, Inc. | Circuits and systems for multiplexed isolator communication |
US9998301B2 (en) | 2014-11-03 | 2018-06-12 | Analog Devices, Inc. | Signal isolator system with protection for common mode transients |
US9996193B2 (en) * | 2016-08-29 | 2018-06-12 | Panasonic Avionics Corporation | Methods and systems for display device touch panels |
US10290608B2 (en) | 2016-09-13 | 2019-05-14 | Allegro Microsystems, Llc | Signal isolator having bidirectional diagnostic signal exchange |
US10008457B2 (en) * | 2016-10-18 | 2018-06-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Resonance-coupled signaling between IC modules |
US11094688B2 (en) | 2018-08-23 | 2021-08-17 | Analog Devices International Unlimited Company | Isolation architecture |
EP3716554B1 (en) * | 2019-03-29 | 2024-03-13 | Nxp B.V. | Galvanic isolation circuit |
US11115244B2 (en) | 2019-09-17 | 2021-09-07 | Allegro Microsystems, Llc | Signal isolator with three state data transmission |
US11533027B2 (en) | 2019-10-18 | 2022-12-20 | Analog Devices, Inc. | Low power receiver circuit for isolated data communications |
CN112039517B (zh) * | 2020-09-04 | 2024-03-22 | 上海川土微电子有限公司 | 基于Pulse-Coding的超低功耗电容式数字隔离器电路 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3889072A (en) * | 1973-10-19 | 1975-06-10 | Itt | Bi-directional amplification apparatus |
US3984703A (en) * | 1975-06-02 | 1976-10-05 | National Semiconductor Corporation | CMOS Schmitt trigger |
JPS5915567B2 (ja) * | 1979-07-19 | 1984-04-10 | 富士通株式会社 | Cmosのシュミット回路 |
JPS58156225A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パルスのアイソレ−タ |
JPS6064547A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Fujitsu Ltd | 双方向信号伝送方式 |
JPS615657A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 送受信回路 |
GB2210183B (en) * | 1987-09-18 | 1991-09-11 | Integrated Power Semiconductor | Energy-transfer arrangement |
JPH01138813A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-05-31 | Toshiba Corp | Ecl―cmosレベル変換回路 |
JPH02260438A (ja) | 1989-03-30 | 1990-10-23 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
IT1243676B (it) * | 1990-07-19 | 1994-06-21 | Sgs Thomson Microelectronics | Stadio d'ingresso pluricompatibile particolarmente per porte logiche in circuiti integrati |
JPH05291887A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | シミットトリガ回路 |
JPH0674788A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-18 | Tamagawa Seiki Co Ltd | 複速回転検出器の零調方法 |
US5384808A (en) * | 1992-12-31 | 1995-01-24 | Apple Computer, Inc. | Method and apparatus for transmitting NRZ data signals across an isolation barrier disposed in an interface between adjacent devices on a bus |
US5311083A (en) * | 1993-01-25 | 1994-05-10 | Standard Microsystems Corporation | Very low voltage inter-chip CMOS logic signaling for large numbers of high-speed output lines each associated with large capacitive loads |
JP3155866B2 (ja) * | 1993-06-30 | 2001-04-16 | 株式会社東芝 | アイソレ―ションアンプ |
US5627839A (en) * | 1995-02-28 | 1997-05-06 | Texas Instruments Incorporated | Scan cell output latches using switches and bus holders |
US5604450A (en) * | 1995-07-27 | 1997-02-18 | Intel Corporation | High speed bidirectional signaling scheme |
US5793754A (en) * | 1996-03-29 | 1998-08-11 | Eurotherm Controls, Inc. | Two-way, two-wire analog/digital communication system |
CN1183587C (zh) | 1996-04-08 | 2005-01-05 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 用于把两个集成电路直流上相互隔离的方法和设备 |
US5952849A (en) * | 1997-02-21 | 1999-09-14 | Analog Devices, Inc. | Logic isolator with high transient immunity |
-
1997
- 1997-03-31 CN CNB971045933A patent/CN1183587C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-04 SG SG1997001053A patent/SG52945A1/en unknown
- 1997-04-04 SG SG1998003801A patent/SG71845A1/en unknown
- 1997-04-07 MY MYPI97001488A patent/MY118070A/en unknown
- 1997-04-07 KR KR1019970012719A patent/KR100457935B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-04-07 EP EP97302366A patent/EP0801468A3/en not_active Withdrawn
- 1997-04-08 JP JP08953097A patent/JP3947264B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-08 US US08/835,888 patent/US6124756A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-08 TW TW086104387A patent/TW342496B/zh not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-02-11 US US09/503,598 patent/US6249171B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-02-28 JP JP2007050044A patent/JP2007172655A/ja not_active Abandoned
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010134469A1 (ja) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | 株式会社 山武 | ネットワークシステムおよびノード |
JP2010273164A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Yamatake Corp | ネットワークシステムおよびノード |
JP2011061515A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Sharp Corp | 非接触通信システム |
JP2013165382A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Denso Corp | 論理信号絶縁伝送回路 |
WO2015098039A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | 株式会社ソシオネクスト | 信号電位変換回路 |
JPWO2015098039A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2017-03-23 | 株式会社ソシオネクスト | 信号電位変換回路 |
US9847777B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-12-19 | Socionext Inc. | Signal potential converter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100457935B1 (ko) | 2005-04-06 |
SG52945A1 (en) | 1998-09-28 |
US6124756A (en) | 2000-09-26 |
TW342496B (en) | 1998-10-11 |
MY118070A (en) | 2004-08-30 |
CN1183587C (zh) | 2005-01-05 |
CN1165403A (zh) | 1997-11-19 |
KR970072391A (ko) | 1997-11-07 |
EP0801468A3 (en) | 1999-03-24 |
SG71845A1 (en) | 2000-04-18 |
US6249171B1 (en) | 2001-06-19 |
EP0801468A2 (en) | 1997-10-15 |
JP2007172655A (ja) | 2007-07-05 |
JP3947264B2 (ja) | 2007-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3947264B2 (ja) | 集積回路直流分離装置およびその方法 | |
US5430335A (en) | Simplified low-noise output buffer circuit | |
EP0072686B1 (en) | A buffer circuit including inverter circuitry | |
KR100487097B1 (ko) | 디지털신호전달장치 | |
EP0434380B1 (en) | Noise tolerant input buffer | |
EP0583881A1 (en) | CMOS differential driver circuit for high offset ground | |
EP1384325B1 (en) | Resonant logic driver circuit | |
US6127840A (en) | Dynamic line termination clamping circuit | |
JPS6377217A (ja) | オフ・チップ駆動回路 | |
US4291247A (en) | Multistage logic circuit arrangement | |
JP3024774B2 (ja) | 回路素子 | |
US6642748B2 (en) | Input circuit | |
US6614291B1 (en) | Low voltage, high speed CMOS CML latch and MUX devices | |
US5818264A (en) | Dynamic circuit having improved noise immunity and method therefor | |
US7218145B2 (en) | Level conversion circuit | |
JPS61294695A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US6373276B1 (en) | CMOS small signal switchable impedence and voltage adjustable terminator with hysteresis receiver network | |
US5160860A (en) | Input transition responsive CMOS self-boost circuit | |
JP3713881B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
US6650156B1 (en) | Integrated circuit charge pumps having control circuits therein that inhibit parasitic charge injection from control signals | |
US6535021B1 (en) | Logic gate circuit with low sub-threshold leakage current | |
US6329834B1 (en) | Reduction of switching noise in integrated circuits | |
US6310490B1 (en) | CMOS small signal switchable, impedence and voltage adjustable terminator network and receiver integration | |
JP4803775B2 (ja) | ボディグラッビングスイッチ | |
US6279145B1 (en) | Apparatus and method for isolating noisy signals in an integrated circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040408 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060307 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060607 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060612 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061031 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070228 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070403 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110420 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130420 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130420 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140420 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |