JP3713881B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路に関するものであり、特に半導体集積回路の入力端子に外部から印加される上向きノイズおよび下向きノイズを除去し、内部回路に伝達されないようにするノイズ除去回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路に対して外部から入力端子にごく短い幅のパルスがノイズとして入力され、誤動作を引き起こす場合がある。この問題を避けるため、入力端子に印加されるごく短時間のパルスを内部回路に伝達しないようにするノイズ除去回路が使用される。
【0003】
この種のノイズ除去回路は、入力信号を遅延する遅延素子を設け、入力信号とその遅延信号が論理的に一致した場合に限って、その入力信号に応じたハイレベルまたはローレベルの出力信号を出力し、両者が不一致の間は出力を高インピーダンス状態にし、ラッチ回路で以前の状態を保持するよう構成される。この構成によって、遅延素子の遅延時間よりも短い短時間のパルスが入力しても、出力は一時的に高インピーダンス状態になるのみであり、レベル変化は生じない。したがって、入力信号に乗った短時間のノイズパルスが内部回路まで伝達されず、ノイズが除去されたことになる。
【0004】
従来のノイズ除去回路では、入力信号を遅延するための回路が1系統のみであり、上向きのノイズパルスに対しても、下向きのノイズパルスに対しても、この1系統の遅延回路を用いてノイズの除去を行うのが一般的であった。
【0005】
ただし、上向きのノイズを除去するための遅延回路と下向きのノイズを除去するための遅延回路がそれぞれ別個に設けられる場合もある。特開平6−216723号公報にはこのような例が示されている。
【0006】
以下、図3を用いて、このような従来のノイズ除去回路を用いた半導体集積回路について説明する。図中、Aは外部入力端子、11はノイズ除去回路、12はラッチ回路、13は内部回路である。ここでe、f、g、h、i、jはノイズ除去回路11の内部ノード、IV5は入力端子からの信号のレベルを反転して伝達するCMOSインバータ回路、P3は内部ノードeが入力されているpチャンネルMOS型トランジスタ、C2はコンデンサであり、電源と内部ノードeの間に直列接続され挿入されている。N3は内部ノードeが入力されているnチャンネルMOS型トランジスタ、C3はコンデンサであり、接地電源と内部ノードeの間に直列接続され挿入されている。P4、P5は電源と内部ノードiの間に直列接続され挿入されているpチャンネルMOS型トランジスタであり、P4には内部ノードgが、P5には内部ノードhが入力している。N4,N5は接地電源と内部ノードiの間に直列接続され挿入されているnチャンネルMOS型トランジスタであり、N4には内部ノードfが、N5には内部ノードhが入力している。ここでpチャンネルMOS型トランジスタP4、P5及び、nチャンネルMOS型トランジスタN4、N5は波形整形回路を構成している。IV6、IV7はCOMSインバータであり、IV7はCMOSインバータIV6の出力ノードjと入力ノードiの間に帰還接続されている。
【0007】
以上のように構成された半導体集積回路について、図3及び、図4を参照しながら説明する。
【0008】
図4は図3の回路における主要信号の動作波形を示す。T1の期間において、内部ノードeは”H”レベルである場合を示している。この場合、pチャンネルMOS型トランジスタP3は非導通状態、nチャンネルMOS型トランジスタN3は導通状態となり、内部ノードgは”L”レベルとなる。また、コンデンサC2の電荷保存により、内部ノードfは”H”レベルとなる。一方、前記内部ノードfが入力するnチャンネルMOS型トランジスタN4は導通状態、前記内部ノードgが入力するpチャンネルMOS型トランジスタP4は導通状態、また、CMOSインバータIV5の出力端子である内部ノードhは”L”レベルであるので、前記内部ノードhが入力するpチャンネルMOS型トランジスタP5は導通状態、nチャンネルMOS型トランジスタN5は非導通状態となるので、内部ノードiは”H”レベルとなり、内部回路13に伝達される。
【0009】
T2の期間は、内部ノードeが”H”レベルから”L”レベルへ遷移した場合を示している。この場合には、コンデンサC2及び、C3の容量結合効果によって、内部ノードfは”L”レベルに引き下げられる。また、内部ノードgは接地電位より低い電位まで、一瞬過昇圧されるが、nチャンネルMOS型トランジスタN3を通してGNDから電流が流入するため、GND−Vtn(VtnはnチャンネルMOS型トランジスタN3のしきい値電圧)となる。この時、内部ノードfが入力するnチャンネルMOS型トランジスタN4は非導通状態、内部ノードgが入力するpチャンネルMOS型トランジスタP4は導通状態となる。また、CMOSインバータIV5の出力ノードhの電位が”H”レベルに遷移するので、内部ノードhが入力するpチャンネルMOS型トランジスタP4は非導通状態になり、nチャンネルMOS型トランジスタN4は導通状態になるので、出力ノードiは高インピーダンス状態になるが、次段のラッチ回路12によって、それまでの状態(”H”)が保持されることになる。
【0010】
内部ノードeの”L”状態がしばらく続くと、T3の期間が示す様に、pチャンネルMOS型トランジスタP3を介してコンデンサC2が充電されるため、内部ノードfの電位は”H”レベルに近づいて行き、次段のnチャンネルMOS型トランジスタN4のしきい値電圧を超えた時点で、nチャンネルMOS型トランジスタN4が導通状態となり、内部ノードiの電位は”L”レベルとなる。つまり内部ノードeの変化よりも遅れて、”H”から”L”に変化する信号が内部回路13に伝達される。この時、コンデンサC2の端子間電圧はVdd−GNDであり、内部ノードfは”H”レベルを保持し、コンデンサC3の電荷保存により、内部ノードgは”L”レベルを保持する。
【0011】
T4は内部ノードeに”L”→”H”→”L”のレベル変化(即ち上向きノイズ)が発生した場合を示している。まず”L”から”H”へと変化した場合、コンデンサC2及び、C3の容量結合効果により、内部ノードgは”H”レベルに引き上げられる。また内部ノードfはVddより高い電位レベルまで、一瞬昇圧されるが、pチャンネルMOS型トランジスタP3を介してVddに電流が流出するため、Vdd+Vtp(pチャンネルMOS型トランジスタP3のしきい値電圧)となる。この時、pチャンネルMOS型トランジスタP4は非導通状態、nチャンネルMOS型トランジスタN4は導通状態となる。また内部ノードhが”L”となるため、pチャンネルMOS型トランジスタP5は導通状態、nチャンネルMOS型トランジスタN5は非導通状態となり、内部ノードiは高インピーダンス状態になるが、ラッチ回路12によって、それまでの電位状態(”L”)を保持する。
【0012】
この時、nチャンネルMOS型トランジスタN3のオン抵抗とコンデンサC3の時定数により、内部ノードgは”L”レベルに近づいていき、pチャンネルMOS型トランジスタP4のしきい値電圧を超えると導通状態になり、内部ノードiは”L”から”H”へと変化してしまう。しかし、nチャンネルMOS型トランジスタN3とコンデンサC3の時定数を、上向きノイズの電位変化幅より長く設定しておけば、内部ノードgの電位がpチャンネルMOS型トランジスタP4を導通状態にする以前に、上向きノイズが”H”から”L”へと再び変化し、内部ノードiが変化することはない。
【0013】
上向きノイズが”H”から”L”へと変化すると、内部ノードhが”L”から”H”へと変化する。この時、コンデンサC2の端子間電圧はVtp程度であり、内部ノードfは”L”レベルに近づく。その結果、内部ノードiは再び高インピーダンス状態になり、ラッチ回路12により内部ノードiの電位は”L”レベルで保持することができる。
【0014】
T5は内部ノードeの”L”期間が十分長い場合であり、内部ノードfはpチャンネルMOSトランジスタP3を介して充電され、”H”レベル(Vdd)となり、内部ノードfが入力しているnチャンネルMOS型トランジスタN4は導通状態となり、内部ノードgは”L”レベルを保持しているため、内部ノードgが入力しているpチャンネルMOS型トランジスタP4は導通状態となる。また、内部ノードhは”H”レベルであるのでnチャンネルMOS型トランジスタN5は導通状態であり、内部ノードiは”L”レベルである。
【0015】
T6は内部ノードeが”L”から”H”に遷移した場合である。この時、コンデンサC2及び、C3の容量結合効果により、内部ノードfは”H”レベル(Vdd+Vtp)まで昇圧され、nチャンネルMOS型トランジスタN4は導通状態、内部ノードgは”H”レベルに引き上げられ、pチャンネルMOS型トランジスタP4は非導通状態となる。また内部ノードhは”H”から”L”と変化するので、nチャンネルMOS型トランジスタN5は非導通状態、pチャンネルMOS型トランジスタP5は導通状態となる。その結果、内部ノードiは高インピーダンス状態になるが、ラッチ回路12によってそれまでの電位状態(”L”)を保持する。
【0016】
内部ノードeの”H”期間が十分長い(T7期間)場合、nチャンネルMOS型トランジスタN3が導通状態になっているので、時定数によって内部ノードgの電位は”L”レベルに近づいていき、pチャンネルMOS型トランジスタP4のしきい値電圧を超えた時点で、pチャンネルMOS型トランジスタP4は導通状態となり、内部ノードiは”H”レベルに遷移する。即ち、内部ノードeの”L”から”H”への遷移より遅れて”L”から”H”に変化する信号が内部回路に伝達される。
【0017】
T8は内部ノードeに”H”→”L”→”H”なる電位変化(下向きノイズ)が発生した場合を示している。まず”H”から”L”へと変化した場合、コンデンサC2及び、C3の容量結合効果により、内部ノードfは”L”レベルに引き下げられ、nチャンネルMOS型トランジスタN4は非導通状態になり、内部ノードgは”L”レベル(GND−Vtn)となるため、pチャンネルMOS型トランジスタP4は導通状態になる。また、内部ノードhは”L”から”H”へと変化するため、nチャンネルMOSトランジスタN5が導通状態、pチャンネルMOSトランジスタP5が非導通状態になる。その結果、内部ノードiは高インピーダンス状態になり、ラッチ回路にて”H”レベルを保持することになる。
【0018】
この時、pチャンネルMOS型トランジスタP3のオン抵抗とコンデンサC2の時定数により、内部ノードfは”H”レベルに近づいて行き、nチャンネルMOS型トランジスタN4のしきい値を超えると、導通状態になり、内部ノードiは”H”から”L”へと変化してしまう。しかし、pチャンネルMOS型トランジスタP3とコンデンサC2の時定数を、下向きノイズの電位変化幅より長く設定しておけば、内部ノードfの電位がnチャンネルMOS型トランジスタN4を導通状態にする以前に、下向きノイズが”L”から”H”へと再び変化し、内部ノードiが変化することはない。
【0019】
下向きノイズが”L”から”H”へと変化すると、内部ノードhが”H”から”L”へと、内部ノードgが”L”から”H”へと変化するため、内部ノードiは再び高インピーダンス状態になり、ラッチ回路12により内部ノードiの電位は”H”レベルで保持することができる。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明した、図3の例の場合、上向きノイズを除去するための遅延回路の遅延量と下向きノイズを除去するための遅延回路の遅延量とは、例えばコンデンサC2、C3の容量を調整することによって、それぞれ独立に調整することは可能であるが、内部ノードf及び、内部ノードgがそれぞれ、一瞬、過昇圧される場合があり、信頼性上の問題を引き起こす可能性がある。また、トランジスタのオン抵抗とコンデンサの時定数によって遅延した信号により、波形整形回路内部のトランジスタを導通状態にすることで、ノイズを除去しているが、半導体拡散プロセスのバラツキにより、前記波形整形回路内部のトランジスタのしきい値電圧が変動した場合、安定したノイズ除去特性を得ることができない。
【0021】
また、従来の一般的な半導体集積回路のノイズ除去回路では、上向きノイズを除去するための遅延回路と下向きノイズを除去するための遅延回路が共通になっているため、それぞれの遅延量を独立して最適値に調整することができない。
【0022】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明の半導体集積回路は、第1の信号を入力して第1の出力を出力し、第1の遅延素子により前記第1の信号に乗った短時間の上向きノイズパルスを吸収する第1のノイズ吸収手段と、前記第1の信号を入力して第2の出力を出力し、第2の遅延素子により前記第1の信号に乗った短時間の下向きノイズパルスを吸収する第2のノイズ吸収手段と、前記第1の出力と前記第2の出力とを入力して第3の出力を出力し、前記第1の出力と前記第2の出力とが論理的に一致した場合に、前記第3の出力として前記一致した論理に応じたハイレベルまたはローレベルの出力を出力し、前記第1の出力と前記第2の出力が論理的に不一致の場合に、前記第3の出力を高インピーダンスとする波形整形手段と、前記第3の出力が高インピーダンスのとき、前記第3の出力のレベルを保持する保持手段とを備え、前記波形整形手段は、電源と第3の出力との間に直列接続された第1のpチャンネルMOSトランジスタおよび第2のpチャンネルMOSトランジスタと、第3の出力と基準電位との間に接続された第1のnチャンネルMOSトランジスタおよび第2のnチャンネルMOSトランジスタとを備え、前記第1のpチャンネルMOSトランジスタおよび前記第1のnチャンネルMOSトランジスタのゲートに第1の出力が入力され、前記第2のpチャンネルMOSトランジスタおよび前記第2のnチャンネルMOSトランジスタのゲートに第2の出力が入力されることを特徴とする。
【0027】
以上の構成により、請求項1に記載の発明では、下向きノイズ吸収回路と上向きノイズ吸収回路とを独立に設け、両者を波形整形回路に接続することで、上向きノイズに対しても、下向きノイズに対しても、それぞれ独立して、ノイズ除去のための最適の遅延量を設定することができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【0030】
図1は、本実施の形態におけるノイズ除去回路の概略図である。図中、1は下向きノイズ吸収回路、2は上向きノイズ吸収回路、10は内部回路である。3、4、5、6、7、11、12、及び13は内部ノードである。図示していないが、内部ノード7には外部入力端子から入力された信号が入力バッファを介して結合される。1a、1b、1d、2a、2b、及び2dはCMOSインバータ回路、1c及び2cはコンデンサ、1e及び2eはNAND回路である。CMOSインバータ1b、1d及びコンデンサ1cと、CMOSインバータ2b、2d及びコンデンサ2cとは、それぞれ、通常の論理遅延を利用した論理遅延素子を構成している。Q1、Q2は、電源と内部ノード5の間に直列接続にて挿入されているpチャンネルMOS型トランジスタ、Q3、Q4は接地電源と内部ノード5の間に直列接続にて挿入されているnチャンネルMOS型トランジスタであり、波形整形回路を構成している。8、9はCMOSインバータであり、ラッチ回路を構成している。また、下向きノイズ除去回路1の出力端子である内部ノード3は、pチャンネルMOS型トランジスタQ1及びnチャンネルMOS型トランジスタQ3のゲートに入力され、上向きノイズ除去回路2の出力端子である内部ノード4は、pチャンネルMOS型トランジスタQ2及びnチャンネルMOS型トランジスタQ4のゲートに入力されている。
【0031】
以上の様に構成された半導体装置について、図2を参照しながら動作を説明する。図2は本発明の実施の形態おける主要信号の動作波形図である。
【0032】
T1の期間は、内部ノード7が”H”レベルである場合を示す。内部ノード11は、CMOSインバータ回路1aの出力であるため”L”レベルである。同様に内部ノード12は、内部ノード11との間にCMOSインバータ回路1b及び1dが直列に接続されているため”L”レベルであり、NAND回路1eの出力である内部ノード3は”H”レベルとなる。また、内部ノード13は、内部ノード7との間にCMOSインバータ回路2b及び2dが直列に接続されているため”H”レベルとなり、NAND回路2e及びCMOSインバータ回路2aによって、内部ノード4は”H”レベルとなっている。この時、pチャンネルMOS型トランジスタQ1及び、Q2は非導通状態、nチャンネルMOS型トランジスタQ3及び、Q4は導通状態であるので、内部ノード5は”L”レベルであり、CMOSインバータ回路8によって、内部ノード6は”H”レベルとなる。
【0033】
T2は内部ノード7が”H”から”L”に遷移した場合を示している。この時、内部ノード11はCMOSインバータ1aによって”L”から”H”に変化する。ここで内部ノード12は、CMOSインバータ回路1b、1d及びコンデンサ1cによる論理遅延により、内部ノード11より遅れて”L”から”H”へと変化し、内部ノード3は、内部ノード11及び12の”H”レベルが重なった時点で、”H”から”L”へと変化する。また内部ノード13は、CMOSインバータ回路2b、2d及びコンデンサ2cによって論理遅延するため、内部ノード7より遅れて”H”から”L”へと変化するが、内部ノード4は、内部ノード7と内部ノード13が”H”レベル同士で重ならなくなった時点で変化するので、内部ノード7とほぼ同時に”H”から”L”へとすでに変化している。その結果、内部ノード3が”L”レベルになった時点で、pチャンネルMOS型トランジスタQ1及びQ2がそれぞれ導通状態になるので、内部ノード5は”L”から”H”へと変化し、それをCMOSインバータ8によって反転した内部ノード6の”H”から”L”への変化が内部回路10に信号伝達される。
【0034】
T3は、外部入力端子から上向きノイズパルスが入力され、内部ノード7の信号に短時間の上向きノイズパルスが重なり、その電圧レベルが”L”→”H”→”L”と短時間に変化した場合を示している。内部ノード11には、CMOSインバータ1aにて論理反転した”H”、”L”、”H”なる電圧変化が転送され、内部ノード12には内部ノード11と同じ極性で、論理遅延した電圧変化が発生する。ここで内部ノード3は、内部ノード11及び12が”H”レベルで重なった期間のみ”L”レベルになる。即ち内部ノード11が”H”から”L”へと電圧変化してから内部ノード12が”L”から”H”へと変化するまでの間において、内部ノード3は”H”レベルになり得る。
【0035】
次に、この時の、上向きノイズ吸収回路2の動作を説明する。内部ノード13には、内部ノード7よりも遅れて”L”→”H”→”L”なる電圧変化が伝達される。この遅延時間が十分であれば、内部ノード7と13は”H”レベルが重なる期間が存在しないので、内部ノード4は”L”レベルを保持する。このように、インバータ2a、2b及び容量2cからなる論理遅延素子の遅延量を、除去すべき上向きノイズパルスのパルス幅に合わせて調整し、最適値を選ぶことができる。
【0036】
内部ノード3および内部ノード4はpチャンネルMOSトランジスタQ1、Q2およびnチャンネルMOSトランジスタQ3、Q4からなる波形整形回路に入力される。波形整形回路は、内部ノード3、4が”H”レベルで一致した場合に”L”を出力し、内部ノード3、4が”L”レベルで一致した場合に”H”を出力し、内部ノード3、4のレベルが異なる場合には出力が高インピーダンス状態になるように構成されている。
【0037】
外部入力端子から上向きノイズパルスが入力され、内部ノード7が”L”→”H”→”L”と短時間に変化する場合、内部ノード7が”L”から”H”へと電圧変化し、ほぼ同時に内部ノード3が”L”から”H”へと電圧変化しても、内部ノード4は、上向きノイズ吸収回路の働きにより”L”レベルを維持する。この時、pチャンネルMOS型トランジスタQ1は非導通状態、pチャンネルMOS型トランジスタQ2は導通状態、nチャンネルMOS型トランジスタQ3は導通状態、nチャンネルMOS型トランジスタQ4は非導通状態となり、内部ノード5は高インピーダンス状態となり、ラッチ回路によってそれまでの電圧状態(”H”)が保持される。内部回路10に入力される内部ノード6の電圧も保持され、変化しないので、内部ノード7に発生した上向きノイズが除去されたことになる。
【0038】
T4は、内部ノード7が”L”から”H”へと電圧変化する場合を示している。この時、内部ノード11は”H”から”L”へと電圧変化する。内部ノード12は、遅延して”H”から”L”へと電圧変化するが、内部ノード3は内部ノード7の電圧変化とほぼ同時に”L”から”H”へと電圧変化し、nチャンネルMOS型トランジスタQ3が導通状態となる。また内部ノード13は、内部ノード7に対して遅延して”L”から”H”へと電圧変化し、内部ノード4は内部ノード13の遅延した電圧変化とほぼ同時に”L”から”H”へと変化し、nチャンネルMOS型トランジスタQ4が導通状態になる。この時点で、内部ノード5は”L”レベルとなる。
【0039】
次に、外部入力端子から下向きノイズパルスが入力され、内部ノード7の信号に短時間の下向きノイズパルスが重なり、その電圧レベルが”H”→”L”→”H”と短時間に変化した場合をT5に示す。まず下向きノイズ吸収回路1の動作を説明する。内部ノード11には”L”→”H”→”L”なる電圧変化が伝達され、内部ノード12には同じ極性で、遅延した電圧変化が伝達されることになる。この時、その遅延量が適正であれば、内部ノード11及び、12は”H”レベルが重なる期間が存在しないので、内部ノード3は”H”レベルを保持する。このように、インバータ1a、1b及び容量1cからなる論理遅延素子の遅延量を、除去すべき下向きノイズパルスのパルス幅に合わせて調整し、最適値を選ぶことができる。
【0040】
この時、内部ノード13には内部ノード7よりも遅れて、”H”→”L”→”H”なる電圧変化が伝達されるため、内部ノード4は、内部ノード7が”H”から”L”へと変化してから内部ノード13が”L”から”H”へと変化するまでの間、”L”レベルとなり得る。内部ノード4が”L”レベルになると、波形整形回路にて、pチャンネルMOS型トランジスタQ1が非導通状態、pチャンネルMOS型トランジスタQ2が導通状態、nチャンネルMOS型トランジスタQ3が導通状態、nチャンネルMOS型トランジスタQ4が非導通状態となり、内部ノード5が高インピーダンス状態になる。この時ラッチ回路にてそれまでの状態(”L”レベル)が保持される。内部回路10に入力される内部ノード6の電圧も保持され、変化しないので、内部ノード7の下向きノイズは除去されたことになる。
【0041】
以上の説明から分かるように、本実施の形態によれば、外部入力端子から内部ノード7に入力される上向きノイズに対しては、上向きノイズ吸収回路中の論理遅延素子の遅延量を調整することによって、除去すべきノイズパルスのパルス幅との関連で最適の遅延量を設定することができる。また外部入力端子から内部ノード7に入力される下向きノイズに対しては、下向きノイズ吸収回路中の論理遅延素子の遅延量を調整することによって、上向きノイズに対するものとは独立に、最適の遅延量を設定することができる。
【0042】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、下向きノイズ吸収回路と上向きノイズ吸収回路とを独立に設け、両者を波形整形回路に接続することで、上向きノイズに対しても、下向きノイズに対しても、それぞれ独立して、ノイズ除去のための最適の遅延量を設定することができる。
【0043】
また、ノイズ吸収手段中の遅延素子として、通常の論理遅延が利用でき、したがって、過昇圧ノードが存在せず、信頼性が高く、また、半導体拡散プロセスがバラついた場合でも、安定したノイズ除去特性を得ることができる。更に、通常の論理遅延素子を利用することにより、ノイズ除去回路の入力に直接遅延用のコンデンサを接続する必要がないのでノイズ除去回路の入力容量が小さくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す回路図
【図2】図1における主要信号の動作波形を示す波形図
【図3】従来のノイズ除去回路の一例を示す回路図
【図4】図3における主要信号の動作波形を示す波形図
【符号の説明】
1 下向きノイズ吸収回路
1a、1b、1d インバータ
1c コンデンサ
1e NAND回路
2 上向きノイズ吸収回路
2a、2b、2d インバータ
2c コンデンサ
2e NAND回路
3、4、5、6、7 内部ノード
Q1、Q2 pチャンネルMOSトランジスタ
Q3、Q4 nチャンネルMOSトランジスタ
8、9 インバータ
10 内部回路
Claims (1)
- 第1の信号を入力して第1の出力を出力し、第1の遅延素子により前記第1の信号に乗った短時間の上向きノイズパルスを吸収する第1のノイズ吸収手段と、前記第1の信号を入力して第2の出力を出力し、第2の遅延素子により前記第1の信号に乗った短時間の下向きノイズパルスを吸収する第2のノイズ吸収手段と、前記第1の出力と前記第2の出力とを入力して第3の出力を出力し、前記第1の出力と前記第2の出力とが論理的に一致した場合に、前記第3の出力として前記一致した論理に応じたハイレベルまたはローレベルの出力を出力し、前記第1の出力と前記第2の出力が論理的に不一致の場合に、前記第3の出力を高インピーダンスとする波形整形手段と、前記第3の出力が高インピーダンスのとき、前記第3の出力のレベルを保持する保持手段とを備え、
前記波形整形手段は、電源と第3の出力との間に直列接続された第1のpチャンネルMOSトランジスタおよび第2のpチャンネルMOSトランジスタと、第3の出力と基準電位との間に接続された第1のnチャンネルMOSトランジスタおよび第2のnチャンネルMOSトランジスタとを備え、前記第1のpチャンネルMOSトランジスタおよび前記第1のnチャンネルMOSトランジスタのゲートに第1の出力が入力され、前記第2のpチャンネルMOSトランジスタおよび前記第2のnチャンネルMOSトランジスタのゲートに第2の出力が入力されることを特徴とする半導体集積回路。
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US6392474B1 (en) | 1999-09-07 | 2002-05-21 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Circuit for filtering single event effect (see) induced glitches |
US6614257B2 (en) * | 2000-05-12 | 2003-09-02 | Bae Systems Information And Electronics Systems Integration, Inc. | Logic architecture for single event upset immunity |
JP4245466B2 (ja) | 2003-12-04 | 2009-03-25 | Necエレクトロニクス株式会社 | ノイズ除去回路 |
JP5151413B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2013-02-27 | 富士通セミコンダクター株式会社 | データ保持回路 |
WO2012008164A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | パナソニック株式会社 | ノイズ除去装置、ノイズ除去方法及びそのノイズ除去装置を用いた車載ディスプレイ装置 |
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JP6011806B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2016-10-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ラッチ及びフリップフロップ |
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