JPH10321444A

JPH10321444A - トランス

Info

Publication number: JPH10321444A
Application number: JP9129261A
Authority: JP
Inventors: Mutsuyasu Otsubo; 睦泰大坪; Yoshihiro Kuniya; 佳弘国谷; Katsumi Matsumura; 勝己松村; Yutaka Hirooka; 裕広岡
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-05-20
Filing date: 1997-05-20
Publication date: 1998-12-04
Anticipated expiration: 2017-05-20
Also published as: JP3282540B2

Abstract

(57)【要約】【課題】低背化を図るため、閉磁路磁芯の平板部の厚
さを薄くしても、磁束の流れを妨げない、磁気飽和の発
生を抑制したトランスを提供することを目的としてい
る。【解決手段】閉磁路磁芯１６は、第１の貫通孔１２に
挿入する中足部１９と、中足部１９を支持する平板部２
０と、側足部２１を有し、中足部１９の断面形状を楕円
形状にしたＥ型形状磁芯を２つ組み合わせ、中足部１９
の外側に、直接第１の巻線１４を巻回するとともに、中
足部１９に対向する平板部２０の中足対向部２８の側面
外周表面積３０を中足部１９の断面積以下にし、かつ平
板部２０の断面積の２倍以上にした構成である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種民生機器等に
使用するトランスに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】以下、従来のトランスについて図面を参
照しながら説明する。

【０００３】図５、図６において、従来のトランスは、
端子１を植設するとともに、第１の貫通孔を有した端子
台２と、この端子台２上に配置するとともに、第２の貫
通孔を有した巻枠３と、この巻枠３に巻回するととも
に、端子１と接続した第１の巻線と、この第１の巻線の
外側に巻回するとともに、端子１と接続した第２の巻線
５と、第１の貫通孔および第２の貫通孔に挿入した閉磁
路磁芯６とを備えている。

【０００４】また、閉磁路磁芯６は、Ｅ型形状のＥ型磁
芯を２つ組み合わせており、第１の貫通孔および第２の
貫通孔に挿入する中足部７と、側足部８と、平板部９と
を有し、中足部７の断面形状を円形状にするとともに、
第１の貫通孔および第２の貫通孔の断面形状を中足部７
の断面形状と同等な円形状にした構成である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来のトランスで
は、低背化を図るために、閉磁路磁芯６の平板部９の厚
さを薄くすると、閉磁路磁芯６の中足部７近傍の磁束の
流れが悪くなる。

【０００６】一般に、中足部７近傍を通過する磁束の流
れの善し悪しは、中足部７の断面積と、中足部７に対応
する平板部９の容積に起因する。

【０００７】したがって、閉磁路磁芯６の中足部７に対
応する平板部９の容積が減少するので、中足部７近傍を
通過する磁束の流れが妨げられ、磁気飽和しやすくなる
という問題点を有していた。

【０００８】本発明は上記問題点を解決するもので、低
背化を図るため、閉磁路磁芯の平板部の厚さを薄くして
も、磁束の流れを妨げない、磁気飽和の発生を抑制した
トランスを提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、端子を植設するとともに、第１の貫通孔を
有した端子台と、前記端子に接続するとともに、前記端
子台上に配置した第１の巻線と、前記端子に接続すると
ともに、前記第１の巻線の外側に巻回した第２の巻線
と、前記第１の貫通孔に挿入した閉磁路磁芯とを備え、
前記閉磁路磁芯は、前記第１の貫通孔に挿入する中足部
と、前記中足部を支持する平板部とを有しており、前記
中足部の外側に、直接前記第１の巻線を巻回するととも
に、前記中足部の断面形状を楕円形状にし、前記中足部
に対向する前記平板部の中足対向部の側面外周表面積を
前記中足部の断面積以下、かつ前記平板部の断面積の２
倍以上にした構成である。

【００１０】上記構成により、低背化を図るため、閉磁
路磁芯の平板部を薄くしても、中足部の断面形状が楕円
形状なので、中足部に対向する中足対向部の側面外周表
面積を減少させることがなく、中足部近傍を通過する磁
束の流れを妨げず、磁気飽和の発生を抑制することがで
きる。

【００１１】このとき、閉磁路磁芯の平板部を薄くする
際、平板部の断面積を減少させないように、必然的に平
板部の幅を大きくするので、中足部の断面形状を円形状
から楕円形状にしても、中足部の断面積を減少させるこ
ともない。

【００１２】また、中足部に対向する平板部の中足対向
部の側面外周表面積を中足部の断面積以下にし、かつ平
板部の断面積の２倍以上にしているので、閉磁路磁芯内
を流れる磁束の流量率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型
化を図ることができる。つまり、閉磁路磁芯の薄型化に
際して、閉磁路磁芯内を流れる磁束の磁束量が、中足部
から中足対向部、中足対向部から平板部にかけて減衰す
るので、最も減衰量の大きい平板部を通過する磁束量以
上の磁束が中足対向部に流れ、中足対向部を通過する磁
束量以上の磁束が中足部に流れるようにすることによ
り、磁束の流量効率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型化
を図っている。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
端子を植設するとともに、第１の貫通孔を有した端子台
と、前記端子に接続するとともに、前記端子台上に配置
した第１の巻線と、前記端子に接続するとともに、前記
第１の巻線の外側に巻回した第２の巻線と、前記第１の
貫通孔に挿入した閉磁路磁芯とを備え、前記閉磁路磁芯
は、前記第１の貫通孔に挿入する中足部と、前記中足部
を支持する平板部とを有しており、前記中足部の外側
に、直接前記第１の巻線を巻回するとともに、前記中足
部の断面形状を楕円形状にし、前記中足部に対向する前
記平板部の中足対向部の側面外周表面積を前記中足部の
断面積以下、かつ前記平板部の断面積の２倍以上にした
構成である。

【００１４】上記構成により、低背化を図るため、閉磁
路磁芯の平板部を薄くしても、中足部の断面形状が楕円
形状なので、中足部に対向する中足対向部の側面外周表
面積を減少させることがなく、中足部近傍を通過する磁
束の流れを妨げず、磁気飽和の発生を抑制することがで
きる。

【００１５】このとき、閉磁路磁芯の平板部を薄くする
際、平板部の断面積を減少させないように、必然的に平
板部の幅を大きくするので、中足部の断面形状を円形状
から楕円形状にしても、中足部の断面積を減少させるこ
ともない。

【００１６】また、中足部に対向する平板部の中足対向
部の側面外周表面積を中足部の断面積以下にし、かつ平
板部の断面積の２倍以上にしているので、閉磁路磁芯内
を流れる磁束の流量率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型
化を図ることができる。つまり、閉磁路磁芯の薄型化に
際して、閉磁路磁芯内を流れる磁束の磁束量が、中足部
から中足対向部、中足対向部から平板部にかけて減衰す
るので、最も減衰量の大きい平板部を通過する磁束量以
上の磁束が中足対向部に流れ、中足対向部を通過する磁
束量以上の磁束が中足部に流れるようにすることによ
り、磁束の流量効率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型化
を図っている。

【００１７】さらに、閉磁路磁芯の中足部の外側に、直
接、第１の巻線を巻回するので、ボビン等の巻枠を必要
とせず、巻枠の使用時における、巻枠の両端の鍔の厚み
分の高さを低くでき、低背化を図ることができる。

【００１８】本発明の請求項２記載の発明は、請求項１
記載の発明において、第１の巻線を空芯コイルにすると
ともに、前記第１の巻線を閉磁路磁芯の中足部の外側に
配置した構成である。

【００１９】上記構成により、第１の巻線を空芯コイル
にするので、閉磁路磁芯の中足部の外側に第１の巻線が
配置しやすくなるとともに、上記効果を得ることができ
る。

【００２０】本発明の請求項３記載の発明は、請求項１
または請求項２記載の発明において、閉磁路磁芯は、平
板部と中足部と側足部を有したＥ型形状磁芯を２つ組み
合わせており、楕円形状の前記中足部の短手方向を側足
部方向とし、長手方向を前記Ｅ型形状磁芯の側面方向と
した構成である。

【００２１】上記構成により、閉磁路磁芯をＥ型形状磁
芯としても、低背化を図った際に、磁気飽和の発生を抑
制できる。

【００２２】本発明の請求項４記載の発明は、請求項１
または請求項２記載の発明において、閉磁路磁芯は、平
板部と中足部と側足部を有したＥ型形状磁芯と、平板部
のみを有した平板形状のＩ型形状磁芯とを組み合わせて
おり、楕円形状の前記中足部の短手方向を側足部方向と
し、長手方向を前記Ｅ型形状磁芯の側面方向とした構成
である。

【００２３】上記構成により、閉磁路磁芯をＥ型、Ｉ型
形状磁芯としても、低背化を図った際に、磁気飽和の発
生を抑制できる。

【００２４】本発明の請求項５記載の発明は、請求項３
または請求項４記載の発明において、側足部の厚さを平
板部の厚さよりも厚くした構成である。

【００２５】上記構成により、２つの磁芯を組み合わせ
る際、Ｅ型形状磁芯の組み合わせでは、側足部どうし
を、Ｅ型形状磁芯とＩ型形状磁芯の組み合わせでは、Ｅ
型形状磁芯の側足部とＩ型形状磁芯の平板部を接合する
際、多少の接合ずれが生じても、磁束の流れる量を減少
させることがなく、磁気飽和の発生を抑制できる。

【００２６】本発明の請求項６記載の発明は、請求項１
〜請求項５のいずれか一つに記載の発明において、楕円
形状の中足部の長手方向の長さを平板部の幅よりも小さ
くして、中足部の側面と平板部の側面との間に空隙部を
設けた構成である。

【００２７】上記構成により、楕円形状の中足部の長手
方向の長さを平板部の幅よりも小さくするとともに、閉
磁路磁芯の中足部の側面と閉磁路磁芯の平板部の側面と
の間に空隙部を設けているので、中足部を通過する磁束
は、中足部に対応する平板部内だけでなく、空隙部に対
応する平板部内にも、流れることができる。

【００２８】これにより、平板部を薄くした際におけ
る、中足部近傍の磁束の流れをより一層よくすることが
でき、磁気飽和の発生を抑制できる。

【００２９】本発明の請求項７記載の発明は、請求項１
記載の発明において、閉磁路磁芯の平板部を端子台の下
端面に配置するとともに、前記端子台の下端面に凹部を
設け、前記凹部に閉磁路磁芯の平板部を配置した構成で
ある。

【００３０】上記構成により、端子台の下端面側の閉磁
路磁芯の平板部の厚み分の高さを低くすることができる
とともに、これに伴い、外形寸法を極力小さくして、低
背化を図ることができる。

【００３１】以下、本発明の一実施の形態におけるトラ
ンスについて図面を参照しながら説明する。

【００３２】図１は本発明の一実施の形態におけるトラ
ンスの分解斜視図、図２は同トランスの斜視図、図３は
同トランスの断面図、図４は同トランスの中足対向部を
示したＥ型形状磁芯の透過斜視図である。

【００３３】図１〜図４において、本発明の一実施の形
態におけるトランスは、端子１１を植設するとともに、
第１の貫通孔１２を有した端子台１３と、端子１１に接
続するとともに、端子台１３上に配置した第１の巻線１
４と、端子１１に接続するとともに、第１の巻線１４の
外側に巻回した第２の巻線１５と、第１の貫通孔１２に
挿入した閉磁路磁芯１６とを備えている。

【００３４】また、閉磁路磁芯１６は、第１の貫通孔１
２に挿入する中足部１９と、中足部１９を支持する平板
部２０と、側足部２１を有し、中足部１９の断面形状を
楕円形状にしたＥ型形状磁芯を２つ上下に組み合わせ、
中足部１９の外側に、直接第１の巻線１４を巻回してい
る。そして、楕円形状の中足部１９の短手方向（Ｘ）を
側足部２１方向とし、長手方向（Ｙ）をＥ型形状磁芯の
側面方向とし、平板部２０の厚さ（Ｗ１）を中足部１９
の厚さ（Ｗ２）よりも薄くしている。

【００３５】さらに、中足部１９に対向する平板部２０
の中足対向部２８の側面外周表面積３０を中足部１９の
断面積以下にし、かつ平板部２０の断面積の２倍以上に
している。

【００３６】その上、楕円形状の中足部１９の幅（Ｈ
２）（長手方向の長さ）を平板部２０の幅（Ｈ１）より
も小さくして、中足部１９の側面と平板部２０の側面と
の間に空隙部２５を設けるとともに、側足部２１の幅
（Ｈ３）と平板部２０の幅（Ｈ１）とを同一にしてい
る。

【００３７】そして、一方のＥ型形状磁芯の平板部２０
を端子台１３の下端面２３に配置するとともに、端子台
１３の下端面２３に凹部２４を設けて、この凹部２４に
平板部２０を配置した構成である。

【００３８】上記構成のトランスについて、以下その動
作を説明する。低背化を図るため、閉磁路磁芯１６の平
板部２０を薄くしても、中足部１９の断面形状が楕円形
状なので、中足部１９に対向する中足対向部２８の側面
外周表面積３０を減少させることがなく、中足部１９近
傍を通過する磁束の流れを妨げず、磁気飽和の発生を抑
制することができるとともに、平板部２０と中足部１９
と側足部２１を有したＥ型形状磁芯を２つ組み合わせる
ことにより、Ｅ型形状磁芯で閉磁路磁芯１６を形成して
も、低背化を図る際の磁気飽和の発生を抑制できる。

【００３９】また、中足部１９に対向する平板部２０の
中足対向部２８の側面外周表面積３０を中足部１９の断
面積以下にし、かつ平板部２０の断面積の２倍以上にし
ているので、閉磁路磁芯１６内を流れる磁束の流量率を
良くしつつ、閉磁路磁芯１６の薄型化を図ることができ
る。つまり、閉磁路磁芯１６の薄型化に際して、閉磁路
磁芯１６内を流れる磁束の磁束量が、中足部１９から中
足対向部２８、中足対向部２８から平板部２０にかけて
減衰するので、最も減衰量の大きい平板部２０を通過す
る磁束量以上の磁束が中足対向部２８に流れ、中足対向
部２８を通過する磁束量以上の磁束が中足部１９に流れ
るようにすることにより、磁束の流量効率を良くしつ
つ、閉磁路磁芯１６の薄型化を図っている。

【００４０】さらに、側足部２１の厚さを平板部２０の
厚さよりも厚くしているので、２つのＥ型形状磁芯を組
み合わせる際、側足部２１どうしの接合において、多少
の接合ずれが生じても、磁束の流れる量を減少させるこ
とがない。

【００４１】そして、楕円形状の中足部１９の幅（Ｈ
２）（長手方向の長さ）を平板部２０の幅（Ｈ１）より
も小さくして、中足部１９の側面と、側足部２１の側面
との間に空隙部２５を設けているので、中足部１９を通
過する磁束は、中足部１９に対応する平板部２０内だけ
でなく、空隙部２５に対応する平板部２０内にも、流れ
ることが可能となる。

【００４２】その上、閉磁路磁芯１６は、端子台１３の
下端面２３に平板部２０が配置されるようにしているの
で、外形寸法を小さくできるとともに、端子台１３の下
端面２３に凹部２４を設け、この凹部２４に閉磁路磁芯
１６の平板部２０を配置するので、端子台１３の下端面
２３側の閉磁路磁芯１６の平板部２０の厚さ（Ｗ１）分
の高さを低くすることもできる。

【００４３】さらに、閉磁路磁芯１６の中足部１９の外
側に、直接第１の巻線１４を巻回するので、ボビン等の
巻枠を必要とせず、巻枠の使用時における、巻枠の両端
の鍔の厚み分の高さを低くでき、一層の低背化を図るこ
とができる。

【００４４】このように本実施の形態によれば、低背化
を図るため、閉磁路磁芯１６の平板部２０を薄くして
も、中足部１９の断面形状が楕円形状なので、中足部１
９に対向する中足対向部２８の側面外周表面積３０を減
少させることがなく、中足部１９近傍を通過する磁束の
流れを妨げず、磁気飽和の発生を抑制することができる
とともに、平板部２０と中足部１９と側足部２１を有し
たＥ型形状磁芯を２つ組み合わせることにより、Ｅ型形
状磁芯で閉磁路磁芯１６を形成しても、低背化を図る際
の磁気飽和の発生を抑制できる。

【００４５】また、中足部１９に対向する平板部２０の
中足対向部２８の側面外周表面積３０を中足部１９の断
面積以下にし、かつ平板部２０の断面積の２倍以上にし
ているので、閉磁路磁芯１６内を流れる磁束の流量率を
良くしつつ、閉磁路磁芯１６の薄型化を図ることができ
る。さらに、側足部２１の厚さを平板部２０の厚さより
も厚くしているので、２つのＥ型形状磁芯を組み合わせ
る際、側足部２１どうしの接合において、多少の接合ず
れが生じても、磁束の流れる量を減少させることがな
く、磁気飽和の発生を抑制できる。

【００４６】そして、楕円形状の中足部１９の幅（Ｈ
２）（長手方向の長さ）を平板部２０の幅（Ｈ１）より
も小さくして、中足部１９の側面と、側足部２１の側面
との間に空隙部２５を設けているので、中足部１９を通
過する磁束は、中足部１９に対応する平板部２０内だけ
でなく、空隙部２５に対応する平板部２０内にも、流れ
ることが可能となり、これにより、平板部２０を薄くし
た際における、中足部１９近傍の磁束の流れをより一層
良くすることができ、磁気飽和の発生を抑制できる。

【００４７】その上、閉磁路磁芯１６は、端子台１３の
下端面２３に平板部２０を配置しているので、外形寸法
を極力小さくして、低背化を図ることができるととも
に、端子台１３の下端面２３に凹部２４を設け、この凹
部２４に閉磁路磁芯１６の平板部２０を配置するので、
端子台１３の下端面２３側の閉磁路磁芯１６の平板部２
０の厚さ（Ｗ１）分の高さを低くすることができ、低背
化をより図ることができる。

【００４８】さらに、閉磁路磁芯１６の中足部１９の外
側に、直接第１の巻線１４を巻回するので、ボビン等の
巻枠を必要とせず、巻枠の使用時における、巻枠の両端
の鍔の厚み分の高さを低くでき、一層の低背化を図るこ
とができる。

【００４９】なお、本発明の一実施の形態では、閉磁路
磁芯１６をＥ型形状磁芯を用いて形成したが、平板部２
０と中足部１９と側足部２１を有したＥ型形状磁芯と、
平板部２０のみを有した平板形状のＩ型形状磁芯とを組
み合わせても、Ｅ型形状磁芯を２つ組み合わせた場合と
同様に、低背化を図った際の磁気飽和の発生を抑制で
き、また、側足部２１の厚さ（Ｗ３）を平板部２０の厚
さ（Ｗ１）よりも厚くすることにより、Ｅ型形状磁芯の
側足部２１とＩ型形状磁芯の平板部２０を接合する際、
多少のずれが生じても、磁束の流れる量を減少させるこ
とがなく、磁気飽和の発生を抑制できる。

【００５０】さらに、本発明の一実施の形態では、閉磁
路磁芯１６の中足部１９に、直接第１の巻線１４を巻回
したが、第１の巻線１４を空芯コイルにするとともに、
第１の巻線１４を閉磁路磁芯１６の中足部１９の外側に
配置しても同様の効果を得ることができる。

【００５１】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、低背化を
図るため、閉磁路磁芯の平板部を薄くしても、中足部の
断面形状が楕円形状なので、中足部に対向する中足対向
部の側面外周表面積を減少させることがなく、中足部近
傍を通過する磁束の流れを妨げず、磁気飽和の発生を抑
制したトランスを提供することができるものである。

【００５２】このとき、閉磁路磁芯の平板部を薄くする
際、平板部の断面積を減少させないように、必然的に平
板部の幅を大きくするので、中足部の断面形状を円形状
から楕円形状にしても、中足部の断面積を減少させるこ
ともない。

【００５３】また、中足部に対向する平板部の中足対向
部の側面外周表面積を中足部の断面積以下にし、かつ平
板部の断面積の２倍以上にしているので、閉磁路磁芯内
を流れる磁束の流量率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型
化を図ることができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態におけるトランスの分解
斜視図

【図２】同トランスの斜視図

【図３】同トランスの断面図

【図４】同トランスの中足対向部を示したＥ型形状磁芯
の透過斜視図

【図５】従来のトランスの分解斜視図

【図６】同トランスの斜視図

【符号の説明】

１１端子１２貫通孔１３端子台１４第１の巻線１５第２の巻線１６閉磁路磁芯１９中足部２０平板部２１側足部２３下端面２４凹部２５空隙部

フロントページの続き (72)発明者広岡裕大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】端子を植設するとともに、第１の貫通孔
を有した端子台と、前記端子に接続するとともに、前記
端子台上に配置した第１の巻線と、前記端子に接続する
とともに、前記第１の巻線の外側に巻回した第２の巻線
と、前記第１の貫通孔に挿入した閉磁路磁芯とを備え、
前記閉磁路磁芯は、前記第１の貫通孔に挿入する中足部
と、前記中足部を支持する平板部とを有しており、前記
中足部の外側に、直接前記第１の巻線を巻回するととも
に、前記中足部の断面形状を楕円形状にし、前記中足部
に対向する前記平板部の中足対向部の側面外周表面積を
前記中足部の断面積以下、かつ前記平板部の断面積の２
倍以上にしたトランス。
【請求項２】第１の巻線を空芯コイルにするととも
に、前記第１の巻線を閉磁路磁芯の中足部の外側に配置
した請求項１記載のトランス。
【請求項３】閉磁路磁芯は、平板部と中足部と側足部
を有したＥ型形状磁芯を２つ組み合わせており、楕円形
状の前記中足部の短手方向を側足部方向とし、長手方向
を前記Ｅ型形状磁芯の側面方向とした請求項１または請
求項２記載のトランス。
【請求項４】閉磁路磁芯は、平板部と中足部と側足部
を有したＥ型形状磁芯と、平板部のみを有した平板形状
のＩ型形状磁芯とを組み合わせており、楕円形状の前記
中足部の短手方向を側足部方向とし、長手方向を前記Ｅ
型形状磁芯の側面方向とした請求項１または請求項２記
載のトランス。
【請求項５】側足部の厚さを平板部の厚さよりも厚く
した請求項３または請求項４記載のトランス。
【請求項６】楕円形状の中足部の長手方向の長さを平
板部の幅よりも小さくして、中足部の側面と平板部の側
面との間に空隙部を設けた請求項１〜請求項５のいずれ
か一つに記載のトランス。
【請求項７】閉磁路磁芯の平板部を端子台の下端面に
配置するとともに、前記端子台の下端面に凹部を設け、
前記凹部に閉磁路磁芯の平板部を配置した請求項１記載
のトランス。