JP3389817B2 - トランス - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種民生機器等に
使用するトランスに関するものである。
使用するトランスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来のトランスについて図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【０００３】図６は従来のトランスの分解斜視図、図７
は同トランスの斜視図である。
は同トランスの斜視図である。
【０００４】図６、図７において、従来のトランスは、
端子１を植設するとともに、第１の貫通孔を有した端子
台２と、この端子台２上に配置するとともに、第２の貫
通孔を有した巻枠３と、この巻枠３に巻回するととも
に、端子１と接続した第１の巻線と、この第１の巻線の
外側に巻回するとともに、端子１と接続した第２の巻線
５と、第１の貫通孔および第２の貫通孔に挿入した閉磁
路磁芯６とを備えている。
端子１を植設するとともに、第１の貫通孔を有した端子
台２と、この端子台２上に配置するとともに、第２の貫
通孔を有した巻枠３と、この巻枠３に巻回するととも
に、端子１と接続した第１の巻線と、この第１の巻線の
外側に巻回するとともに、端子１と接続した第２の巻線
５と、第１の貫通孔および第２の貫通孔に挿入した閉磁
路磁芯６とを備えている。
【０００５】また、閉磁路磁芯６は、Ｅ型形状のＥ型磁
芯を２つ組み合わせており、第１の貫通孔および第２の
貫通孔に挿入する中足部７と、側足部８と、平板部９と
を有し、中足部７の断面形状を円形状にするとともに、
第１の貫通孔および第２の貫通孔の断面形状を中足部７
の断面形状と同等な円形状にした構成である。
芯を２つ組み合わせており、第１の貫通孔および第２の
貫通孔に挿入する中足部７と、側足部８と、平板部９と
を有し、中足部７の断面形状を円形状にするとともに、
第１の貫通孔および第２の貫通孔の断面形状を中足部７
の断面形状と同等な円形状にした構成である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のトランスで
は、低背化を図るために、閉磁路磁芯６の平板部９の厚
さを薄くすると、閉磁路磁芯６の中足部７近傍の磁束の
流れが悪くなる。
は、低背化を図るために、閉磁路磁芯６の平板部９の厚
さを薄くすると、閉磁路磁芯６の中足部７近傍の磁束の
流れが悪くなる。
【０００７】一般に、中足部７近傍を通過する磁束の流
れの善し悪しは、中足部７の断面積と、中足部７に対向
する平板部９の中足対向部の外周表面積に起因する。
れの善し悪しは、中足部７の断面積と、中足部７に対向
する平板部９の中足対向部の外周表面積に起因する。
【０００８】したがって、閉磁路磁芯６の中足部７に対
向する平板部９の中足対向部の外周表面積が減少するの
で、中足部７近傍を通過する磁束の流れが妨げられ、磁
気飽和しやすくなるという問題点を有していた。
向する平板部９の中足対向部の外周表面積が減少するの
で、中足部７近傍を通過する磁束の流れが妨げられ、磁
気飽和しやすくなるという問題点を有していた。
【０００９】本発明は上記問題点を解決するもので、低
背化を図るため、閉磁路磁芯の平板部の厚さを薄くして
も、磁束の流れを妨げない、磁気飽和の発生を抑制した
トランスを提供することを目的としている。
背化を図るため、閉磁路磁芯の平板部の厚さを薄くして
も、磁束の流れを妨げない、磁気飽和の発生を抑制した
トランスを提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、端子を植設するとともに、第１の貫通孔を
有した端子台と、前記端子台上に配置するとともに、第
２の貫通孔を有した巻枠と、前記巻枠に巻回し、前記端
子と接続した巻線と、平板部と中足部と側足部とを有す
る閉磁路磁芯とを備え、前記閉磁路磁芯の中足部は断面
形状を楕円形状にするとともに前記第１の貫通孔および
前記第２の貫通孔に挿入し、前記閉磁路磁芯の平板部は
前記中足部と対向する前記平板部の内部を中足対向部と
しており、前記中足対向部の外周表面積を前記中足部の
断面積以下かつ前記平板部の断面積の２倍以上にした構
成である。
に本発明は、端子を植設するとともに、第１の貫通孔を
有した端子台と、前記端子台上に配置するとともに、第
２の貫通孔を有した巻枠と、前記巻枠に巻回し、前記端
子と接続した巻線と、平板部と中足部と側足部とを有す
る閉磁路磁芯とを備え、前記閉磁路磁芯の中足部は断面
形状を楕円形状にするとともに前記第１の貫通孔および
前記第２の貫通孔に挿入し、前記閉磁路磁芯の平板部は
前記中足部と対向する前記平板部の内部を中足対向部と
しており、前記中足対向部の外周表面積を前記中足部の
断面積以下かつ前記平板部の断面積の２倍以上にした構
成である。
【００１１】上記構成により、低背化を図るため、閉磁
路磁芯の平板部を薄くしても、中足部の断面形状が楕円
形状なので、中足部に対向する中足対向部の外周表面積
を減少させることがなく、中足部近傍を通過する磁束の
流れを妨げず、磁気飽和の発生を抑制することができ
る。
路磁芯の平板部を薄くしても、中足部の断面形状が楕円
形状なので、中足部に対向する中足対向部の外周表面積
を減少させることがなく、中足部近傍を通過する磁束の
流れを妨げず、磁気飽和の発生を抑制することができ
る。
【００１２】このとき、閉磁路磁芯の平板部を薄くする
際、平板部の断面積を減少させないように、必然的に平
板部の幅を大きくするので、中足部の断面形状を円形状
から楕円形状にしても、中足部の断面積を減少させるこ
ともない。
際、平板部の断面積を減少させないように、必然的に平
板部の幅を大きくするので、中足部の断面形状を円形状
から楕円形状にしても、中足部の断面積を減少させるこ
ともない。
【００１３】また、中足部に対向する平板部の中足対向
部の外周表面積を中足部の断面積以下にし、かつ平板部
の断面積の２倍以上にしているので、閉磁路磁芯内を流
れる磁束の流量率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型化を
図ることができる。つまり、閉磁路磁芯の薄型化に際し
て、閉磁路磁芯内を流れる磁束の磁束量が、中足部から
中足対向部、中足対向部から平板部にかけて減衰するの
で、最も減衰量の大きい平板部を通過する磁束量以上の
磁束が中足対向部に流れ、中足対向部を通過する磁束量
以上の磁束が中足部に流れるようにすることにより、磁
束の流量効率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型化を図っ
ている。
部の外周表面積を中足部の断面積以下にし、かつ平板部
の断面積の２倍以上にしているので、閉磁路磁芯内を流
れる磁束の流量率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型化を
図ることができる。つまり、閉磁路磁芯の薄型化に際し
て、閉磁路磁芯内を流れる磁束の磁束量が、中足部から
中足対向部、中足対向部から平板部にかけて減衰するの
で、最も減衰量の大きい平板部を通過する磁束量以上の
磁束が中足対向部に流れ、中足対向部を通過する磁束量
以上の磁束が中足部に流れるようにすることにより、磁
束の流量効率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型化を図っ
ている。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
端子を植設するとともに、第１の貫通孔を有した端子台
と、前記端子台上に配置するとともに、第２の貫通孔を
有した巻枠と、前記巻枠に巻回し、前記端子と接続した
巻線と、平板部と中足部と側足部とを有する閉磁路磁芯
とを備え、前記閉磁路磁芯の中足部は断面形状を楕円形
状にするとともに前記第１の貫通孔および前記第２の貫
通孔に挿入し、前記閉磁路磁芯の平板部は前記中足部と
対向する前記平板部の内部を中足対向部としており、前
記中足対向部の外周表面積を前記中足部の断面積以下か
つ前記平板部の断面積の２倍以上にした構成である。
端子を植設するとともに、第１の貫通孔を有した端子台
と、前記端子台上に配置するとともに、第２の貫通孔を
有した巻枠と、前記巻枠に巻回し、前記端子と接続した
巻線と、平板部と中足部と側足部とを有する閉磁路磁芯
とを備え、前記閉磁路磁芯の中足部は断面形状を楕円形
状にするとともに前記第１の貫通孔および前記第２の貫
通孔に挿入し、前記閉磁路磁芯の平板部は前記中足部と
対向する前記平板部の内部を中足対向部としており、前
記中足対向部の外周表面積を前記中足部の断面積以下か
つ前記平板部の断面積の２倍以上にした構成である。
【００１５】上記構成により、低背化を図るため、閉磁
路磁芯の平板部を薄くしても、中足部の断面形状が楕円
形状なので、中足部に対向する中足対向部の外周表面積
を減少させることがなく、中足部近傍を通過する磁束の
流れを妨げず、磁気飽和の発生を抑制することができ
る。
路磁芯の平板部を薄くしても、中足部の断面形状が楕円
形状なので、中足部に対向する中足対向部の外周表面積
を減少させることがなく、中足部近傍を通過する磁束の
流れを妨げず、磁気飽和の発生を抑制することができ
る。
【００１６】また、中足部に対向する平板部の中足対向
部の外周表面積を中足部の断面積以下にし、かつ平板部
の断面積の２倍以上にしているので、閉磁路磁芯内を流
れる磁束の流量率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型化を
図ることができる。つまり、閉磁路磁芯の薄型化に際し
て、閉磁路磁芯内を流れる磁束の磁束量が、中足部から
中足対向部、中足対向部から平板部にかけて減衰するの
で、最も減衰量の大きい平板部を通過する磁束量以上の
磁束が中足対向部に流れ、中足対向部を通過する磁束量
以上の磁束が中足部に流れるようにすることにより、磁
束の流量効率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型化を図っ
ている。
部の外周表面積を中足部の断面積以下にし、かつ平板部
の断面積の２倍以上にしているので、閉磁路磁芯内を流
れる磁束の流量率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型化を
図ることができる。つまり、閉磁路磁芯の薄型化に際し
て、閉磁路磁芯内を流れる磁束の磁束量が、中足部から
中足対向部、中足対向部から平板部にかけて減衰するの
で、最も減衰量の大きい平板部を通過する磁束量以上の
磁束が中足対向部に流れ、中足対向部を通過する磁束量
以上の磁束が中足部に流れるようにすることにより、磁
束の流量効率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型化を図っ
ている。
【００１７】本発明の請求項２記載の発明は、請求項１
記載の発明において、閉磁路磁芯は、平板部と中足部と
側足部を有したＥ型形状磁芯を２つ組み合わせており、
楕円形状の中足部の短手方向を側足部方向とし、長手方
向を前記Ｅ型形状磁芯の側面方向とした構成である。
記載の発明において、閉磁路磁芯は、平板部と中足部と
側足部を有したＥ型形状磁芯を２つ組み合わせており、
楕円形状の中足部の短手方向を側足部方向とし、長手方
向を前記Ｅ型形状磁芯の側面方向とした構成である。
【００１８】上記構成により、閉磁路磁芯をＥ型形状磁
芯としても、低背化を図った際に、磁気飽和の発生を抑
制できる。
芯としても、低背化を図った際に、磁気飽和の発生を抑
制できる。
【００１９】本発明の請求項３記載の発明は、請求項１
記載の発明において、閉磁路磁芯は、平板部と中足部と
側足部を有したＥ型形状磁芯と、平板部のみを有した平
板形状のＩ型形状磁芯とを組み合わせており、楕円形状
の中足部の短手方向を側足部方向とし、長手方向を前記
Ｅ型形状磁芯の側面方向とした構成である。
記載の発明において、閉磁路磁芯は、平板部と中足部と
側足部を有したＥ型形状磁芯と、平板部のみを有した平
板形状のＩ型形状磁芯とを組み合わせており、楕円形状
の中足部の短手方向を側足部方向とし、長手方向を前記
Ｅ型形状磁芯の側面方向とした構成である。
【００２０】上記構成により、閉磁路磁芯をＥ型、Ｉ型
形状磁芯としても、低背化を図った際に、磁気飽和の発
生を抑制できる。
形状磁芯としても、低背化を図った際に、磁気飽和の発
生を抑制できる。
【００２１】本発明の請求項４記載の発明は、請求項１
記載の発明において、断面形状が楕円形状の中足部の長
手方向の長さを、前記中足部の長手方向と同一方向の平
板部の幅よりも小さくした構成である。
記載の発明において、断面形状が楕円形状の中足部の長
手方向の長さを、前記中足部の長手方向と同一方向の平
板部の幅よりも小さくした構成である。
【００２２】上記構成により、楕円形状の中足部の長手
方向の長さを平板部の幅よりも小さくしているので、閉
磁路磁芯の中足部の側面と、閉磁路磁芯の平板部の側面
との間に空隙部が存在し、中足部を通過する磁束は、中
足部に対応する平板部内だけでなく、空隙部に対応する
平板部内にも流れる。
方向の長さを平板部の幅よりも小さくしているので、閉
磁路磁芯の中足部の側面と、閉磁路磁芯の平板部の側面
との間に空隙部が存在し、中足部を通過する磁束は、中
足部に対応する平板部内だけでなく、空隙部に対応する
平板部内にも流れる。
【００２３】これにより、平板部を薄くした際におけ
る、中足部近傍の磁束の流れをより一層良くすることが
でき、磁気飽和の発生を抑制できる。
る、中足部近傍の磁束の流れをより一層良くすることが
でき、磁気飽和の発生を抑制できる。
【００２４】以下、本発明の一実施の形態におけるトラ
ンスについて図面を参照しながら説明する。
ンスについて図面を参照しながら説明する。
【００２５】図１は本発明の一実施の形態におけるトラ
ンスの分解斜視図、図２は同トランスの斜視図、図３は
同トランスの断面図、図４は同トランスの中足対向部を
示したＥ型形状磁芯の透過斜視図、図５は同トランスに
おける他の端子台の斜視図である。
ンスの分解斜視図、図２は同トランスの斜視図、図３は
同トランスの断面図、図４は同トランスの中足対向部を
示したＥ型形状磁芯の透過斜視図、図５は同トランスに
おける他の端子台の斜視図である。
【００２６】図１〜図５において、本発明の一実施の形
態におけるトランスは、端子１１を植設するとともに、
第１の貫通孔１２を有した端子台１３と、この端子台１
３上に配置するとともに、第２の貫通孔１４を有した巻
枠１５と、この巻枠１５に巻回するとともに、端子１１
と接続した第１の巻線１６と、第１の巻線１６の外側に
巻回するとともに、端子１１と接続した第２の巻線１７
と、第１の貫通孔１２および第２の貫通孔１４に挿入し
た閉磁路磁芯１８とを備えている。
態におけるトランスは、端子１１を植設するとともに、
第１の貫通孔１２を有した端子台１３と、この端子台１
３上に配置するとともに、第２の貫通孔１４を有した巻
枠１５と、この巻枠１５に巻回するとともに、端子１１
と接続した第１の巻線１６と、第１の巻線１６の外側に
巻回するとともに、端子１１と接続した第２の巻線１７
と、第１の貫通孔１２および第２の貫通孔１４に挿入し
た閉磁路磁芯１８とを備えている。
【００２７】また、閉磁路磁芯１８は、第１の貫通孔１
２および第２の貫通孔１４に挿入する中足部１９と、中
足部１９を支持する平板部２０と、側足部２１を有し、
中足部１９の断面形状を楕円形状にしたＥ型形状磁芯を
２つ組み合わせている。そして、楕円形状の中足部１９
の短手方向（Ｘ）を側足部方向とし、長手方向（Ｙ）を
Ｅ型形状磁芯の側面方向とし、平板部２０の厚さ（Ｗ
１）を中足部１９の厚さ（Ｗ２）および側足部２１の厚
さ（Ｗ３）よりも薄くしている。
２および第２の貫通孔１４に挿入する中足部１９と、中
足部１９を支持する平板部２０と、側足部２１を有し、
中足部１９の断面形状を楕円形状にしたＥ型形状磁芯を
２つ組み合わせている。そして、楕円形状の中足部１９
の短手方向（Ｘ）を側足部方向とし、長手方向（Ｙ）を
Ｅ型形状磁芯の側面方向とし、平板部２０の厚さ（Ｗ
１）を中足部１９の厚さ（Ｗ２）および側足部２１の厚
さ（Ｗ３）よりも薄くしている。
【００２８】さらに、中足部１９に対向する平板部２０
の中足対向部２８の外周表面積３０を中足部１９の断面
積以下にし、かつ平板部２０の断面積の２倍以上にして
いる。
の中足対向部２８の外周表面積３０を中足部１９の断面
積以下にし、かつ平板部２０の断面積の２倍以上にして
いる。
【００２９】その上、楕円形状の中足部１９の幅（Ｈ
２）（長手方向の長さ）を平板部２０の幅（Ｈ１）より
も小さくして、中足部１９の側面と平板部２０の側面と
の間に空隙部２５を設けるとともに、側足部２１の幅
（Ｈ３）と平板部２０の幅（Ｈ１）とを同一にしてい
る。
２）（長手方向の長さ）を平板部２０の幅（Ｈ１）より
も小さくして、中足部１９の側面と平板部２０の側面と
の間に空隙部２５を設けるとともに、側足部２１の幅
（Ｈ３）と平板部２０の幅（Ｈ１）とを同一にしてい
る。
【００３０】そして、閉磁路磁芯１８は、巻枠１５の上
端面２２と端子台１３の下端面２３に平板部２０が配置
されるようにするとともに、端子台１３の下端面２３に
凹部２４を設けて、凹部２４に閉磁路磁芯１８の平板部
２０を配置した構成である。
端面２２と端子台１３の下端面２３に平板部２０が配置
されるようにするとともに、端子台１３の下端面２３に
凹部２４を設けて、凹部２４に閉磁路磁芯１８の平板部
２０を配置した構成である。
【００３１】上記構成のトランスについて、以下その動
作を説明する。
作を説明する。
【００３２】低背化を図るため、閉磁路磁芯１８の平板
部２０を薄くしても、中足部１９の断面形状が楕円形状
なので、中足部１９に対向する中足対向部２８の外周表
面積３０を減少させることがなく、中足部１９近傍を通
過する磁束の流れを妨げず、磁気飽和の発生を抑制する
ことができるとともに、平板部２０と中足部１９と側足
部２１を有したＥ型形状磁芯を２つ組み合わせることに
より、Ｅ型形状磁芯で閉磁路磁芯１８を形成しても、低
背化を図る際の磁気飽和の発生を抑制できる。
部２０を薄くしても、中足部１９の断面形状が楕円形状
なので、中足部１９に対向する中足対向部２８の外周表
面積３０を減少させることがなく、中足部１９近傍を通
過する磁束の流れを妨げず、磁気飽和の発生を抑制する
ことができるとともに、平板部２０と中足部１９と側足
部２１を有したＥ型形状磁芯を２つ組み合わせることに
より、Ｅ型形状磁芯で閉磁路磁芯１８を形成しても、低
背化を図る際の磁気飽和の発生を抑制できる。
【００３３】また、中足部１９に対向する平板部２０の
中足対向部２８の外周表面積３０を中足部１９の断面積
以下にし、かつ平板部２０の断面積の２倍以上にしてい
るので、閉磁路磁芯１８内を流れる磁束の流量率を良く
しつつ、閉磁路磁芯１８の薄型化を図ることができる。
つまり、閉磁路磁芯１８の薄型化に際して、閉磁路磁芯
１８内を流れる磁束の磁束量が、中足部１９から中足対
向部２８、中足対向部２８から平板部２０にかけて減衰
するので、最も減衰量の大きい平板部２０を通過する磁
束量以上の磁束が中足対向部２８に流れ、中足対向部２
８を通過する磁束量以上の磁束が中足部１９に流れるよ
うにすることにより、磁束の流量効率を良くしつつ、閉
磁路磁芯１８の薄型化を図っている。
中足対向部２８の外周表面積３０を中足部１９の断面積
以下にし、かつ平板部２０の断面積の２倍以上にしてい
るので、閉磁路磁芯１８内を流れる磁束の流量率を良く
しつつ、閉磁路磁芯１８の薄型化を図ることができる。
つまり、閉磁路磁芯１８の薄型化に際して、閉磁路磁芯
１８内を流れる磁束の磁束量が、中足部１９から中足対
向部２８、中足対向部２８から平板部２０にかけて減衰
するので、最も減衰量の大きい平板部２０を通過する磁
束量以上の磁束が中足対向部２８に流れ、中足対向部２
８を通過する磁束量以上の磁束が中足部１９に流れるよ
うにすることにより、磁束の流量効率を良くしつつ、閉
磁路磁芯１８の薄型化を図っている。
【００３４】さらに、側足部２１の厚さ（Ｗ３）を平板
部２０の厚さ（Ｗ１）よりも厚くしているので、２つの
Ｅ型形状磁芯を組み合わせる際、側足部２１どうしの接
合において、多少の接合ずれが生じても、磁束の流れる
量を減衰させることがない。
部２０の厚さ（Ｗ１）よりも厚くしているので、２つの
Ｅ型形状磁芯を組み合わせる際、側足部２１どうしの接
合において、多少の接合ずれが生じても、磁束の流れる
量を減衰させることがない。
【００３５】そして、楕円形状の中足部１９の幅（Ｈ
２）（長手方向の長さ）を平板部２０の幅（Ｈ１）より
も小さくして、中足部１９の側面と、側足部２１の側面
との間に空隙部２５を設けているので、中足部１９を通
過する磁束は、中足部１９に対応する平板部２０内だけ
でなく、空隙部２５に対応する平板部２０内にも、流れ
ることが可能となる。
２）（長手方向の長さ）を平板部２０の幅（Ｈ１）より
も小さくして、中足部１９の側面と、側足部２１の側面
との間に空隙部２５を設けているので、中足部１９を通
過する磁束は、中足部１９に対応する平板部２０内だけ
でなく、空隙部２５に対応する平板部２０内にも、流れ
ることが可能となる。
【００３６】その上、閉磁路磁芯１８は、巻枠１５の上
端面２２と端子台１３の下端面２３に平板部２０が配置
されるようにしているので、外形寸法を極力小さくでき
るとともに、端子台１３の下端面２３に凹部２４を設
け、この凹部２４に閉磁路磁芯１８の平板部２０を配置
するので、端子台１３の下端面２３側の閉磁路磁芯１８
の平板部２０の厚さ（Ｗ１）分の高さを低くすることも
できる。
端面２２と端子台１３の下端面２３に平板部２０が配置
されるようにしているので、外形寸法を極力小さくでき
るとともに、端子台１３の下端面２３に凹部２４を設
け、この凹部２４に閉磁路磁芯１８の平板部２０を配置
するので、端子台１３の下端面２３側の閉磁路磁芯１８
の平板部２０の厚さ（Ｗ１）分の高さを低くすることも
できる。
【００３７】このように本実施の形態によれば、低背化
を図るため、閉磁路磁芯１８の平板部２０を薄くして
も、中足部１９の断面形状が楕円形状なので、中足部１
９に対向する中足対向部２８の外周表面積３０を減少さ
せることがなく、中足部１９近傍を通過する磁束の流れ
を妨げず、磁気飽和の発生を抑制することができるとと
もに、平板部２０と中足部１９と側足部２１を有したＥ
型形状磁芯を２つ組み合わせることにより、Ｅ型形状磁
芯で閉磁路磁芯１８を形成しても、低背化を図る際の磁
気飽和の発生を抑制できる。
を図るため、閉磁路磁芯１８の平板部２０を薄くして
も、中足部１９の断面形状が楕円形状なので、中足部１
９に対向する中足対向部２８の外周表面積３０を減少さ
せることがなく、中足部１９近傍を通過する磁束の流れ
を妨げず、磁気飽和の発生を抑制することができるとと
もに、平板部２０と中足部１９と側足部２１を有したＥ
型形状磁芯を２つ組み合わせることにより、Ｅ型形状磁
芯で閉磁路磁芯１８を形成しても、低背化を図る際の磁
気飽和の発生を抑制できる。
【００３８】また、中足部１９に対向する平板部２０の
中足対向部２８の外周表面積３０を中足部１９の断面積
以下にし、かつ平板部２０の断面積の２倍以上にしてい
るので、閉磁路磁芯１８内を流れる磁束の流量率を良く
しつつ、閉磁路磁芯１８の薄型化を図ることができる。
つまり、閉磁路磁芯１８の薄型化に際して、閉磁路磁芯
１８内を流れる磁束の磁束量が、中足部１９から中足対
向部２８、中足対向部２８から平板部２０にかけて減衰
するので、最も減衰量の大きい平板部２０を通過する磁
束量以上の磁束が中足対向部２８に流れ、中足対向部２
８を通過する磁束量以上の磁束が中足部１９に流れるよ
うにすることにより、磁束の流量効率を良くしつつ、閉
磁路磁芯１８の薄型化を図っている。
中足対向部２８の外周表面積３０を中足部１９の断面積
以下にし、かつ平板部２０の断面積の２倍以上にしてい
るので、閉磁路磁芯１８内を流れる磁束の流量率を良く
しつつ、閉磁路磁芯１８の薄型化を図ることができる。
つまり、閉磁路磁芯１８の薄型化に際して、閉磁路磁芯
１８内を流れる磁束の磁束量が、中足部１９から中足対
向部２８、中足対向部２８から平板部２０にかけて減衰
するので、最も減衰量の大きい平板部２０を通過する磁
束量以上の磁束が中足対向部２８に流れ、中足対向部２
８を通過する磁束量以上の磁束が中足部１９に流れるよ
うにすることにより、磁束の流量効率を良くしつつ、閉
磁路磁芯１８の薄型化を図っている。
【００３９】さらに、側足部２１の厚さ（Ｗ３）を平板
部２０の厚さ（Ｗ１）よりも厚くしているので、２つの
Ｅ型形状磁芯を組み合わせる際、側足部２１どうしの接
合において、多少の接合ずれが生じても、磁束の流れる
量を減衰させることがなく、磁気飽和の発生を抑制でき
る。
部２０の厚さ（Ｗ１）よりも厚くしているので、２つの
Ｅ型形状磁芯を組み合わせる際、側足部２１どうしの接
合において、多少の接合ずれが生じても、磁束の流れる
量を減衰させることがなく、磁気飽和の発生を抑制でき
る。
【００４０】そして、楕円形状の中足部１９の幅（Ｈ
２）（長手方向の長さ）を平板部２０の幅（Ｈ１）より
も小さくして、中足部１９の側面と、側足部２１の側面
との間に空隙部２５を設けているので、中足部１９を通
過する磁束は、中足部１９に対応する平板部２０内だけ
でなく、空隙部２５に対応する平板部２０内にも、流れ
ることが可能となり、これにより、平板部２０を薄くし
た際における、中足部１９近傍の磁束の流れをより一層
良くすることができ、磁気飽和の発生を抑制できる。
２）（長手方向の長さ）を平板部２０の幅（Ｈ１）より
も小さくして、中足部１９の側面と、側足部２１の側面
との間に空隙部２５を設けているので、中足部１９を通
過する磁束は、中足部１９に対応する平板部２０内だけ
でなく、空隙部２５に対応する平板部２０内にも、流れ
ることが可能となり、これにより、平板部２０を薄くし
た際における、中足部１９近傍の磁束の流れをより一層
良くすることができ、磁気飽和の発生を抑制できる。
【００４１】その上、閉磁路磁芯１８は、巻枠１５の上
端面２２と端子台１３の下端面２３に平板部２０が配置
されるようにしているので、外形寸法を極力小さくし
て、低背化を図ることができるとともに、端子台１３の
下端面２３に凹部２４を設け、この凹部２４に閉磁路磁
芯１８の平板部２０を配置するので、端子台１３の下端
面２３側の閉磁路磁芯１８の平板部２０の厚み分の高さ
を低くすることができ、低背化をより図ることができ
る。
端面２２と端子台１３の下端面２３に平板部２０が配置
されるようにしているので、外形寸法を極力小さくし
て、低背化を図ることができるとともに、端子台１３の
下端面２３に凹部２４を設け、この凹部２４に閉磁路磁
芯１８の平板部２０を配置するので、端子台１３の下端
面２３側の閉磁路磁芯１８の平板部２０の厚み分の高さ
を低くすることができ、低背化をより図ることができ
る。
【００４２】なお、本発明の一実施の形態では、閉磁路
磁芯１８をＥ型形状磁芯を用いて形成したが、平板部２
０と中足部１９と側足部２１を有したＥ型形状磁芯と、
平板部２０のみを有した平板形状のＩ型形状磁芯とを組
み合わせても、Ｅ型形状磁芯を２つ組み合わせた場合と
同様に、低背化を図った際の磁気飽和の発生を抑制で
き、また、側足部２１の厚さを平板部２０の厚さよりも
厚くすることにより、Ｅ型形状磁芯の側足部２１とＩ型
形状磁芯の平板部２０を接合する際、多少の接合ずれが
生じても、磁束の流れる量を減少させることがなく、磁
気飽和の発生を抑制できる。
磁芯１８をＥ型形状磁芯を用いて形成したが、平板部２
０と中足部１９と側足部２１を有したＥ型形状磁芯と、
平板部２０のみを有した平板形状のＩ型形状磁芯とを組
み合わせても、Ｅ型形状磁芯を２つ組み合わせた場合と
同様に、低背化を図った際の磁気飽和の発生を抑制で
き、また、側足部２１の厚さを平板部２０の厚さよりも
厚くすることにより、Ｅ型形状磁芯の側足部２１とＩ型
形状磁芯の平板部２０を接合する際、多少の接合ずれが
生じても、磁束の流れる量を減少させることがなく、磁
気飽和の発生を抑制できる。
【００４３】さらに、図５に示すように、巻枠１５の上
端側の鍔がない端子台１３を用いてもよい。
端側の鍔がない端子台１３を用いてもよい。
【００４４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、上記構成
により、低背化を図るため、閉磁路磁芯の平板部を薄く
しても、中足部の断面形状が楕円形状なので、中足部に
対向する中足対向部の外周表面積を減少させることがな
く、中足部近傍を通過する磁束の流れを妨げず、磁気飽
和の発生を抑制したトランスを提供することができるも
のである。
により、低背化を図るため、閉磁路磁芯の平板部を薄く
しても、中足部の断面形状が楕円形状なので、中足部に
対向する中足対向部の外周表面積を減少させることがな
く、中足部近傍を通過する磁束の流れを妨げず、磁気飽
和の発生を抑制したトランスを提供することができるも
のである。
【００４５】このとき、閉磁路磁芯の平板部を薄くする
際、平板部の断面積を減少させないように、必然的に平
板部の幅を大きくするので、中足部の断面形状を円形状
から楕円形状にしても、中足部の断面積を減少させるこ
ともない。
際、平板部の断面積を減少させないように、必然的に平
板部の幅を大きくするので、中足部の断面形状を円形状
から楕円形状にしても、中足部の断面積を減少させるこ
ともない。
【００４６】また、中足部に対向する平板部の中足対向
部の外周表面積を中足部の断面積以下にし、かつ平板部
の断面積の２倍以上にしているので、閉磁路磁芯内を流
れる磁束の流量率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型化を
図ることができるものである。
部の外周表面積を中足部の断面積以下にし、かつ平板部
の断面積の２倍以上にしているので、閉磁路磁芯内を流
れる磁束の流量率を良くしつつ、閉磁路磁芯の薄型化を
図ることができるものである。
【図１】本発明の一実施の形態におけるトランスの分解
斜視図
斜視図
【図２】同トランスの斜視図
【図３】同トランスの断面図
【図４】同トランスの中足対向部を示したＥ型形状磁芯
の透過斜視図
の透過斜視図
【図５】同トランスにおける他の端子台の斜視図
【図６】従来のトランスの分解斜視図
【図７】同トランスの斜視図
１１ 端子
１２ 第１の貫通孔
１３ 端子台
１４ 第２の貫通孔
１５ 巻枠
１７ 第２の巻線
１８ 閉磁路磁芯
１９ 中足部
２０ 平板部
２１ 側足部
２２ 上端面
２３ 下端面
２４ 凹部
２５ 空隙部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 広岡 裕
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(56)参考文献 特開 昭58−95804（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−321444（ＪＰ，Ａ)
実開 昭61−136514（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01F 27/24 - 27/255
H01F 30/00
Claims (4)
- 【請求項１】 端子を植設するとともに、第１の貫通孔
を有した端子台と、前記端子台上に配置するとともに、
第２の貫通孔を有した巻枠と、前記巻枠に巻回し、前記
端子と接続した巻線と、平板部と中足部と側足部とを有
する閉磁路磁芯とを備え、前記閉磁路磁芯の中足部は断
面形状を楕円形状にするとともに前記第１の貫通孔およ
び前記第２の貫通孔に挿入し、前記閉磁路磁芯の平板部
は前記中足部と対向する前記平板部の内部を中足対向部
としており、前記中足対向部の外周表面積を前記中足部
の断面積以下かつ前記平板部の断面積の２倍以上にした
トランス。 - 【請求項２】 閉磁路磁芯は、平板部と中足部と側足部
を有したＥ型形状磁芯を２つ組み合わせており、楕円形
状の前記中足部の短手方向を側足部方向とし、長手方向
を前記Ｅ型形状磁芯の側面方向とした請求項１記載のト
ランス。 - 【請求項３】 閉磁路磁芯は、平板部と中足部と側足部
を有したＥ型形状磁芯と、平板部のみを有した平板形状
磁芯とを組み合わせており、楕円形状の前記中足部の短
手方向を側足部方向とし、長手方向を前記Ｅ型形状磁芯
の側面方向とした請求項１記載のトランス。 - 【請求項４】 断面形状が楕円形状の中足部の長手方向
の長さを、前記中足部の長手方向と同一方向の平板部の
幅よりも小さくした請求項１記載のトランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12926097A JP3389817B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | トランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12926097A JP3389817B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | トランス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321443A JPH10321443A (ja) | 1998-12-04 |
| JP3389817B2 true JP3389817B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
ID=15005178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12926097A Expired - Fee Related JP3389817B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | トランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3389817B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6132461B2 (ja) * | 2011-10-05 | 2017-05-24 | Tdk株式会社 | コイル部品 |
| CN102592782B (zh) * | 2012-03-14 | 2013-09-25 | 北京七星飞行电子有限公司 | 扼流圈及其制造方法 |
-
1997
- 1997-05-20 JP JP12926097A patent/JP3389817B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10321443A (ja) | 1998-12-04 |
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