JPH10312075A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高感度で且つ残留電位の少ない感光体を提供
することにある。また、繰り返し使用においても膜削れ
の少ない電子写真感光体を提供すること。 【解決手段】 導電性支持体上に少なくとも感光層を有
する電子写真感光体において、該感光層に少なくとも下
記（１）式で表わされる電荷発生物質とトリアリールア
ミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネート
を含有することを特徴とする電子写真感光体。 【化１】 式中、Ｃｐ₁、Ｃｐ₂はカップラー残基を表わし、同一で
も異なっていてもよい。ただし、Ｃｐ₁、Ｃｐ₂のうち少
なくとも片方は、下記（２）式で表わされるカップラー
成分である。 【化２】 （式中、Ｃｐ₃、Ａｒ₂₀₁、Ａｒ₂₀₂、Ａｒ₂₀₃、Ａ及びｎ
₂₀₁はそれぞれ以下のものを表わす。） Ｃｐ₃：２価のカップラー残基 Ａｒ₂₀₁、Ａｒ₂₀₂：置換若しくは無置換のアリール基 Ａｒ₂₀₃：置換若しくは無置換のアリレン基 Ａ：エチレン基、ビニレン基、酸素原子又は硫黄原子 ｎ₂₀₁：０〜２の整数

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高感度で且つ残留
電位の少ない感光体に関する。また、繰り返し使用にお
いても膜削れの少ない電子写真感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真方法としては、カールソンプロ
セスやその他種々の変形プロセスなどが知られており、
複写機やプリンタなどに広く使用されている。このよう
な電子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の
感光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性
などをメリットとして、近年使用されている。

【０００３】有機系の電子写真感光体には、ポリビニル
カルバゾール（ＰＶＫ）に代表される光導電性樹脂、Ｐ
ＶＫ−ＴＮＦ（２，４，７−トリニトロフルオレノン）
に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−バイン
ダーに代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送
物質とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが
知られており、特に機能分離型の感光体が注目されてい
る。

【０００４】この機能分離型の感光体における静電潜像
形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射する
と、光は透明な電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電
荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生物質
は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に注入
され、帯電によって生じている電界に沿って電荷輸送層
中を移動し、感光体表面の電荷を中和することにより静
電潜像を形成するものである。機能分離型感光体におい
ては、主に紫外線部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主に
可視部から近赤外部に吸収を持つ電荷発生物質とを組み
合わせて用いることが知られており、且つ有用である。

【０００５】このような感光体を形成するための材料と
して、特定の電荷発生物質及びそれを用いた感光体が提
案されている（特開昭５４−２２８３４号公報、特開平
５−３２９０５号公報、特開平８−２０９００７号公報
等）。これら電子写真感光体は非常に高感度であり、電
子写真感光体用の電荷発生物質としては非常に有用なも
のであった。しかしながら、繰り返し使用後までは考慮
されておらず、この点を改良する必要があった。

【０００６】また、電荷輸送物質は多くが低分子化合物
として開発されているが、低分子化合物は単独で製膜性
がないため、通常、不活性高分子に分散・混合して用い
られる。しかるに低分子電荷輸送物質と不活性高分子か
らなる電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソンプロセ
スにおいては繰り返し使用による膜削れを生じやすいと
いう欠点がある。このように感光層の膜削れを生じる
と、感光体の帯電電位の低下や光感度の劣化を起こし、
その結果、感光体表面のキズ等によるスジなどの画像不
良の他に、地汚れ或いは画像濃度低下といった不良画像
が形成される。

【０００７】さらに、この構成の感光層（積層タイプの
場合には電荷輸送層）は電荷移動度に限界があり、カー
ルソンプロセスの高速化或いは小型化の障害となってい
た。これは通常、低分子電荷輸送物質の含有量が５０重
量％以下で使用されることに起因している。即ち低分子
電荷輸送物質の含有量を増すことで確かに電荷移動度は
上げられるが、このとき逆に製膜性が劣化するためであ
る。

【０００８】これらの点を克服するために高分子型の電
荷輸送物質が注目され、例えば特開昭５１−７３８８８
号公報、特開昭５４−８５２７号公報、特開昭５４−１
１７３７号公報、特開昭５６−１５０７４９号公報、特
開昭５７−７８４０２号公報、特開昭６３−２８５５５
２号公報、特開平１−１７２８号公報記載、特開平１−
１９０４９号公報、特開平３−５０５５５号公報等に開
示されている。しかしながら、高分子電荷輸送物質を含
有する感光層を用いた感光体の光感度は、上記の低分子
電荷輸送物質を用いた場合に比べて著しく劣っており、
この点の改良が強く望まれていた。

【０００９】また、特開昭５４−２２８３４号公報、特
開平５−３２９０５号公報等に記載されている電荷発生
物質は、いわゆる外因性なキャリア発生（電荷輸送物質
に増感されて光キャリア発生）するタイプの電荷発生物
質であり、上述したような高分子電荷輸送物質との組み
合わせにおいては、光キャリア発生効率がわずかに低下
する。このため、電荷輸送層にわずかでも低分子電荷輸
送物質を添加する必要がある。これゆえ、高分子電荷輸
送物質の高耐摩耗性の機能が十分に発揮されない。一
方、特開平８−２０９００７号公報に記載された電荷発
生物質は、分子内に電荷輸送能を持つ部位（置換基）を
有するため、いわゆる内因的な光キャリア発生（自分自
身で光キャリア発生）するタイプの電荷発生物質であ
る。したがって、高分子電荷輸送物質を用いても光キャ
リア発生効率が低下することはない。しかしながら、上
述の高分子電荷輸送物質では、上述した欠点に加え、繰
り返し使用時に残留電位が増加するという欠点を有して
おり、この点の改良が強く望まれていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、高感度で且
つ残留電位の少ない感光体を提供することにある。ま
た、繰り返し使用においても膜削れの少ない電子写真感
光体を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記のような課題は、本
発明の（１）「導電性支持体上に少なくとも感光層を有
する電子写真感光体において、該感光層に少なくとも下
記（１）式で表わされる電荷発生物質とトリアリールア
ミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネート
を含有することを特徴とする電子写真感光体、

【００１２】

【化３】 式中、Ｃｐ₁、Ｃｐ₂はカップラー残基を表わし、同一で
も異なっていてもよい。ただし、Ｃｐ₁、Ｃｐ₂のうち少
なくとも片方は、下記（２）式で表わされるカップラー
成分である。

【００１３】

【化４】 （式中、Ｃｐ₃、Ａｒ₂₀₁、Ａｒ₂₀₂、Ａｒ₂₀₃、Ａ及びｎ
₂₀₁はそれぞれ以下のものを表わす。） Ｃｐ₃：２価のカップラー残基 Ａｒ₂₀₁、Ａｒ₂₀₂：置換若しくは無置換のアリール基 Ａｒ₂₀₃：置換若しくは無置換のアリレン基 Ａ：エチレン基、ビニレン基、酸素原子又は硫黄原子 ｎ₂₀₁：０〜２の整数」、 （２）「上記電子写真感光体の感光層が少なくとも電荷
発生層とトリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖
に含むポリカーボネートを含有する電荷輸送層の積層構
造からなることを特徴とする前記（１）項に記載の電子
写真感光体。」、（３）「上記電子写真感光体に含有さ
れるトリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含
むポリカーボネートが、少なくとも下記（３）式で表わ
される高分子電荷輸送物質であることを特徴とする前記
（１）、（２）項に記載の電子写真感光体、

【００１４】

【化５】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
表わす。

【００１５】

【化６】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）または、

【００１６】

【化７】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。」、（４）「上記電子写真感光体に含有されるト
リアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリ
カーボネートが、少なくとも下記（４）式で表わされる
高分子電荷輸送物質であることを特徴とする前記
（１）、（２）項に記載の電子写真感光体、

【００１７】

【化８】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記（３）式の場合と同じで
ある。」、（５）「上記電子写真感光体に含有されるト
リアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリ
カーボネートが、少なくとも下記（５）式で表わされる
高分子電荷輸送物質であることを特徴とする前記
（１）、（２）項に記載の電子写真感光体、

【００１８】

【化９】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記（３）式の場合と同じ
である。」、（６）「上記電子写真感光体に含有される
トリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポ
リカーボネートが、少なくとも下記（６）式で表わされ
る高分子電荷輸送物質であることを特徴とする前記
（１）、（２）項に記載の電子写真感光体、

【００１９】

【化１０】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ₁
は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記
（３）式の場合と同じである。」、（７）「上記電子写
真感光体に含有されるトリアリールアミン構造を主鎖及
び／又は側鎖に含むポリカーボネートが、少なくとも下
記（７）式で表わされる高分子電荷輸送物質であること
を特徴とする前記（１）、（２）項に記載の電子写真感
光体、

【００２０】

【化１１】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、上記（３）式の場合と同じである。」、（８）
「上記電子写真感光体に含有されるトリアリールアミン
構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネートが、
少なくとも下記（８）式で表わされる高分子電荷輸送物
質であることを特徴とする前記（１）、（２）項に記載
の電子写真感光体、

【００２１】

【化１２】 式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆は同一又
は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単結合、置換若
しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシ
クロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエ
ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上
記（３）式の場合と同じである。」、（９）「上記電子
写真感光体に含有されるトリアリールアミン構造を主鎖
及び／又は側鎖に含むポリカーボネートが、少なくとも
下記（９）式で表わされる高分子電荷輸送物質であるこ
とを特徴とする前記（１）、（２）項に記載の電子写真
感光体、

【００２２】

【化１３】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記（３）式の場合
と同じである。」、（１０）「上記電子写真感光体に含
有されるトリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖
に含むポリカーボネートが、少なくとも下記（１０）式
で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴とす
る前記（１）、（２）項に記載の電子写真感光体、

【００２３】

【化１４】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記（３）式の場
合と同じである。」、（１１）「上記電子写真感光体に
含有されるトリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側
鎖に含むポリカーボネートが、少なくとも下記（１１）
式で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特徴と
する前記（１）、（２）項に記載の電子写真感光体、

【００２４】

【化１５】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、上記（３）式の場合と同じである。」、（１２）
「上記電子写真感光体に含有されるトリアリールアミン
構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネートが、
少なくとも下記（１２）式で表わされる高分子電荷輸送
物質であることを特徴とする前記（１）、（２）項に記
載の電子写真感光体、

【００２５】

【化１６】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、上記（３）式の場合と同
じである。」により達成される。

【００２６】近年の電子写真プロセスにおいては、機械
の小型化・高速化が念頭に置かれており、プロセスの高
耐久化及びそれに用いられる感光体の高感度化が非常に
要望されている。また、近年ではエコロジーなどの観点
から感光体の部品化、或いはメンテナンスフリーが提唱
されており、プロセス（感光体）の耐久性を高めること
は非常に重要な意味を持っている。

【００２７】この点に関して、先述の公知技術のように
電荷輸送層に高分子電荷輸送物質を用いることで、感光
体の機械特性（耐摩耗性）を向上する試みがなされてい
るが、一般に繰り返し使用により低分子電荷輸送物質／
バインダー樹脂（低分子分散）系に比べ、静電特性が悪
く、残留電位上昇が大きい。特に外因性光キャリア発生
する電荷発生物質を用いた場合にはその現象は顕著であ
る。外因性光キャリア発生する電荷発生物質の代表例と
しては、アゾ顔料、ペリレン顔料等が挙げられる。中で
もアゾ顔料は化学構造の多様化が容易で、大きな可能性
を秘めた材料である。発明者らはこの点に鑑み、アゾ顔
料の光キャリア発生過程について検討を行なってきた結
果、アゾ顔料と電荷輸送物質分子との相互作用によって
光キャリアを発生していることを見い出した。また、こ
の両者の接触は、湿式塗工による電荷輸送層の塗布の際
に電荷輸送物質が電荷輸送層から電荷発生層にしみこむ
こと、さらに高分子電荷輸送物質のように分子量の大き
な材料は、しみこみにくいことも見い出した。

【００２８】これらの事実から、アゾ顔料を用い、且つ
高分子電荷輸送物質を用いた感光体においては、両者の
接触が十分でないために、上述の欠点を生じることを理
解した。この欠点を排除するためには、アゾ顔料分子に
電荷輸送分子を化学結合させれば、内因的な光キャリア
発生を起こすのではないかと推定し、実際にそのような
材料を合成し、高分子電荷輸送物質と組み合わせた感光
体を作製した。その結果、確かに電荷輸送分子を化学結
合させたアゾ顔料分子は、それ単独で大きなキャリア発
生能を示し、今までのアゾ顔料の常識を覆すような材料
であった。また、高分子電荷輸送物質を電荷輸送層に用
いた積層感光体においても、十分な光感度及び低残留電
位を示した。しかも、高分子電荷輸送物質の特性である
高耐摩耗性も、通常のアゾ顔料のように低分子電荷輸送
物質の併用が必要ないため、十分に機能されるものであ
った。このように、特定構造の高分子電荷輸送物質と組
み合わせることにより、高耐摩耗性を維持したまま、プ
ロセスの繰り返し使用における安定性を高めることがで
き、本発明を完成するに至った。

【００２９】本発明において、高分子電荷輸送物質を用
いることの利点は以下のとおりである。第１に、高分子
電荷輸送物質の高い耐摩耗性が挙げられる。もちろん、
材料にもよるが分子分散型電荷輸送層に比べ、数倍程度
の耐摩耗性を得ることが可能である。第２に、電荷輸送
サイトの高密度化が挙げられる。これは、分子分散型電
荷輸送層では、その機械的強度の点から低分子電荷輸送
物質をある濃度以上に添加することができないため（低
分子電荷輸送物質濃度が高いほど耐摩耗性が低下する）
であり、一方の高分子電荷輸送物質はそれ単独で製膜性
があり、且つバインダー樹脂として使用できるほどの耐
摩耗性を有しているので、電荷輸送サイト（例えばトリ
アリールアミン部位など）を限りなく高密度にすること
ができるためである。このため、光キャリアの拡散によ
る“にじみ”現象は、電荷輸送サイト密度の低い低分子
分散系に比べて押えられる。第３に、電荷輸送層が高分
子だけ或いはほぼ高分子だけ（場合により各種添加剤は
添加されるが、量的な観点から分子分散高分子の比では
ない）で形成されるため、高硬度な感光体が形成できる
ことが挙げられる。耐摩耗性の点とは別にプロセス内で
は感光体に圧力がかかる部位は多く、高硬度な感光体は
非常に有利である。このような点から、本発明における
電子写真感光体は、電子写真プロセス内に用いられる感
光体としてはかなり優れたものである。

【００３０】次に、図面を用いて本発明に係る電子写真
感光体を説明する。図１は、本発明に係る電子写真感光
体の断面図であり、導電性支持体（２１）上に、感光層
（２３）が形成されたものである。図２は、別の構成を
示す断面図であり、導電性支持体（２１）上に電荷発生
層（３１）と電荷輸送層（３３）からなる感光層（２
３）が形成されたものである。図３は、更に別の構成を
示す断面図であり、導電性支持体（２１）と感光層（２
３）との間に下引き層（２５）が形成されたものであ
る。

【００３１】導電性支持体（２１）としては、体積抵抗
１０¹⁰Ω以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、
鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物
を、蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若しくは
円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或るいは
アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレ
ス等の板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出し、引
き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨等
で表面処理した管等を使用することができる。

【００３２】本発明における感光層（２３）は、単層型
でも積層型でもよいが、ここでは説明の都合上、まず積
層型について述べる。はじめに、電荷発生層（３１）に
ついて説明する。電荷発生層（３１）は、電荷発生物質
を主成分とする層で、必要に応じて、バインダー樹脂を
用いることもある。電荷発生物質としては、下記（１）
式で表わされる電荷発生物質が有効に用いられる。

【００３３】

【化１７】 式中、Ｃｐ₁、Ｃｐ₂はカップラー残基を表わし、同一で
も異なっていてもよい。ただし、Ｃｐ₁、Ｃｐ₂のうち少
なくとも片方は、下記（２）式で表わされるカップラー
成分である。

【００３４】

【化１８】 （式中、Ｃｐ₃、Ａｒ₂₀₁、Ａｒ₂₀₂、Ａｒ₂₀₃、Ａ及びｎ
₂₀₁はそれぞれ以下のものを表わす。） Ｃｐ₃：２価のカップラー残基 Ａｒ₂₀₁、Ａｒ₂₀₂：置換若しくは無置換のアリール基 Ａｒ₂₀₃：置換若しくは無置換のアリレン基 Ａ：エチレン基、ビニレン基、酸素原子又は硫黄原子 ｎ₂₀₁：０〜２の整数

【００３５】本発明の前記（１）、（２）式で示される
アゾ化合物の中のＣｐ₁、Ｃｐ₂、Ｃｐ₃で表わされるカ
ップラー残基としては、例えばフェノール類、ナフトー
ル類などの水酸基を有する芳香族炭化水素化合物及び水
酸基を有する複素環式化合物、アミノ基を有する芳香族
炭化水素化合物及びアミノ基を有する複素環式化合物、
アミノナフトール類などの水素基及びアミノ基を有する
芳香族炭化水素化合物及び水素基およびアミノ基を有す
る複素環式化合物、脂肪族若しくは芳香族のフェノール
性ケトン基を有する化合物（活性メチレン基を有する化
合物）などから由来する残基である。１価のカップラー
残基Ｃｐ₁、Ｃｐ₂の好ましいものは、下記（Ａ）〜
（Ｎ）式で表わされるものである。

【００３６】

【化１９】

【００３７】

【化２０】

【００３８】

【化２１】

【００３９】

【化２２】

【００４０】上記（Ａ）〜（Ｄ）式中、Ｘ₂₀₁、Ｙ₂₀₁、
Ｚ₂₀₁、ｌ₂₀₁及びｍ₂₀₂はそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｘ：−ＯＨ、−Ｎ（Ｒ₂₀₁）（Ｒ₂₀₂）又は−ＮＨＳＯ₄
−Ｒ₂₀₃ （Ｒ₂₀₁及びＲ₂₀₂は水素原子又は置換若しくは無置換の
アルキル基を表わし、Ｒ₂₀₃は置換若しくは無置換のア
ルキル基又は置換若しくは無置換のアリール基を表わ
す。） Ｙ₂₀₁：水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換
のアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、カ
ルボキシ基、スルホン基、置換若しくは無置換のスルフ
ァモイル基、−ＣＯＮ（Ｒ₂₀₄）（Ｙ₂₀₂）又は−ＣＯＮ
ＨＣＯＮ（Ｒ₂₀₄）（Ｙ₂₀₂）。［Ｒ₂₀₄は水素原子、ア
ルキル基若しくはその置換体又はフェニル基若しくはそ
の置換体を表わし、Ｙ₂₀₂は炭化水素環基若しくはその
置換体、複素環基若しくはその置換体、又は−Ｎ＝Ｃ
（Ｒ₂₀₅）（Ｒ₂₀₆）。（ただし、Ｒ₂₀₅は炭化水素環基
若しくはその置換体、複素環基若しくはその置換体又は
スチリル基若しくはその置換体、Ｒ₂₀₆は水素原子、ア
ルキル基又はフェニル基若しくはその置換体を表わす
か、或いはＲ₂₀₅及びＲ₂₀₆はそれらに結合する炭素原子
と共に環を形成してもよい）を示す。］ Ｚ₂₀₁：置換若しくは無置換の芳香族炭素環又は置換若
しくは無置換の芳香族複素環を構成するのに必要な原子
群。 ｌ₂₀₁：１又は２の整数。 ｍ₂₀₂：１又は２の整数。

【００４１】

【化２３】 （上式中、Ｒ₂₀₇は置換若しくは無置換の炭化水素基を
表わし、Ｘ₂₀₁は前記と同じである。）

【００４２】

【化２４】 ［上式中、Ｗ₂₀₁は芳香族炭化水素の２価基又は窒素原
子を環内に含む複素環の２価基を表わす（これらの環は
置換若しくは無置換でよい。）。Ｘ₂₀₁は前記と同じで
ある。］

【００４３】

【化２５】 （式中、Ｒ₂₀₈はアルキル基、カルバモイル基、カルボ
キシ基、又はそのエステルを表わし、Ａｒ₂₀₅は炭化水
素環基又はその置換体を表わし、Ｘ₂₀₁は前記と同じで
ある。）

【００４４】

【化２６】

【００４５】

【化２７】 ［上記（Ｈ）式及び（Ｊ）式中、Ｒ₂₀₉は水素原子又は
置換若しくは無置換の炭化水素基を表わし、Ａｒ₂₀₆は
炭化水素環基又はその置換体を表わす。］

【００４６】前記（Ａ）式〜（Ｄ）式のＺ₂₀₁の炭化水
素環としてはベンゼン環、ナフタレン環などが例示で
き、また、複素環（置換基を持っていても良い）として
は、インドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環、
ジベンゾフラン環などが例示できる。Ｚ₂₀₁の環におけ
る置換基としては、塩素原子、臭素原子などのハロゲン
原子が例示できる。Ｙ₂₀₂又はＲ₂₀₅における炭化水素環
基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、
ピレニル基などが、また複素環基としては、ピリジル
基、チエニル基、フリル基、インドリル基、ベンゾフラ
ニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などが例
示でき、更にＲ₂₀₅及びＲ₂₀₆が結合して形成する環とし
ては、フルオレン環などが例示できる。また、Ｙ₂₀₂又
はＲ₂₀₅の炭化水素環基又は複素環基或いはＲ₂₀₅及びＲ
₂₀₆によって形成される環における置換基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基などのアルコキシ基；塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基など
のジアルキルアミノ基；トリフルオロメチル基などのハ
ロメチル基；ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基又はそ
のエステル、水酸基、−ＳＯ₃Ｎａなどのスルホン酸塩
基などが挙げられる。Ｒ₄のフェニル基の置換体として
は、塩素原子又は臭素原子などのハロゲン原子が例示で
きる。Ｒ₂₀₇又はＲ₂₀₉における炭化水素基の代表例とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など
のアルキル基；フェニル基などのアリール基又はこれら
の置換体が例示できる。また、Ｒ₂₀₇又はＲ₂₀₉における
炭化水素基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基；塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子；水
酸基、ニトロ基などが例示できる。Ａｒ₂₀₅又はＡｒ₂₀₆
における炭化水素環基としては、フェニル基、ナフチル
基などがその代表例であり、またこれらの基における置
換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基などのアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基；塩素原子、
臭素原子などのハロゲン原子；シアノ基、ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルアミノ基など
が例示できる。また、Ｘ₂₀₁の中では特に水酸基が適当
である。

【００４７】上記カップラー残基の中で好ましいものは
上記（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｇ）、（Ｈ）、（Ｊ）
で示されるものであり、この中でも上記式におけるＸ
₂₀₁が水酸基のものが好ましい。また、この中でも特に
下記（Ｋ）式で表わされるカップラー残基が好ましく、
更に好ましいものは（Ｌ）式で表わされるカップラー残
基である。

【００４８】

【化２８】 （Ｙ₂₀₁及びＺ₂₀₁は前記に同じである。）

【００４９】

【化２９】 （Ｚ₂₀₁、Ｙ₂₀₂及びＲ₂₀₄は前記に同じである。） さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも、特
に（Ｍ）式又は（Ｎ）式で表わされるものが好ましい。

【００５０】

【化３０】

【００５１】

【化３１】 （Ｚ₂₀₁及びＲ₂₀₄〜Ｒ₂₀₆は前記に同じであり、またＲ
₂₁₀としては前記Ｙ₂₀₂の置換基が例示できる。） また、２価のカップラー残基−Ｃｐ₁−は、前記−Ｃｐ₂
−の説明で示した（Ａ）式〜（Ｎ）式で表わされる残基
の２価基であるが、その中でも下記（Ｐ）式及び（Ｑ）
式で表わされるものが好ましい。

【００５２】

【化３２】

【００５３】

【化３３】 （Ｚ₂₀₁、Ｒ₂₀₄及びＲ₂₀₆は前記に同じであり、またＲ
₂₁₀としては前記Ｙ₂₀₂の置換基が、Ｒ₂₁₁としては前記
のＲ₂₀₅から誘導される２価基が例示できる。）

【００５４】本発明において使用される（１）式のカッ
プラーの具体例を以下に示す。

【００５５】

【化３４】

【００５６】

【表１−１】

【００５７】

【表１−２】

【００５８】

【化３５】

【００５９】

【表２−１】

【００６０】

【表２−２】

【００６１】

【化３６】

【００６２】

【表３】

【００６３】

【化３７】

【００６４】

【表４−１】

【００６５】

【表４−２】

【００６６】

【化３８】

【００６７】

【表５】

【００６８】

【化３９】

【００６９】

【表６】

【００７０】

【化４０】

【００７１】

【表７】

【００７２】

【化４１】

【００７３】

【表８】

【００７４】

【化４２】

【００７５】

【表９】

【００７６】

【化４３】

【００７７】

【表１０】

【００７８】

【化４４】

【００７９】

【表１１−１】

【００８０】

【表１１−２】

【００８１】

【表１１−３】

【００８２】

【表１１−４】

【００８３】

【表１１−５】

【００８４】

【化４５】

【００８５】

【表１２−１】

【００８６】

【表１２−２】

【００８７】

【表１２−３】

【００８８】

【表１２−４】

【００８９】

【化４６】

【００９０】

【表１３】

【００９１】

【化４７】

【００９２】

【表１４】

【００９３】また、必要に応じて公知の他の電荷発生物
質を併用することができる。例えば、金属フタロシアニ
ン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔
料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔
料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニル
アミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を
有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ
顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジア
ゾール骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有
するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有す
るアゾ顔料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ
顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノ
ン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及び
トリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキ
ノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴ
イド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げ
られ、（１）式の電荷発生物質と併用することが可能で
ある。

【００９４】本発明の電荷発生層（３１）には、必要に
応じてバインダー樹脂が併用されることもある。このバ
インダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エ
ポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコー
ン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビ
ニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなど
が用いられる。これらのバインダー樹脂は、単独又は２
種以上の混合物として用いることができる。また、電荷
発生物質のバインダー樹脂として上述のバインダー樹脂
の他に、先述の高分子電荷輸送物質を用いることができ
る。更に必要に応じて低分子電荷輸送物質を添加しても
よい。

【００９５】電荷輸送層（３１）に併用できる低分子電
荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。電子輸送物質としては、例えばクロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、
２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、
２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８
−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ
−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４オン、
１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−
ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。これ
らの電子輸送物質は、単独又は２種以上の混合物として
用いることができる。

【００９６】正孔輸送物質としては、以下に表わされる
電子供与性物質が挙げられ、良好に用いられる。例え
ば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イ
ミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−
（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１
−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、
スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニル
ヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾ
ール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、
アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンゾイミダ
ゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられる。こ
れらの正孔輸送物質は、単独又は２種以上の混合物とし
て用いることができる。

【００９７】電荷発生層（３１）を形成する方法には、
溶液分散系からのキャスティング法が挙げられる。キャ
スティング法によって電荷発生層を設けるには、上述し
た電荷発生物質を必要ならバインダー樹脂と共にテトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アト
ライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に
希釈して塗布することにより形成できる。塗布は、浸漬
塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて
行なうことができる。以上のようにして設けられる電荷
発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、
好ましくは０．０５〜２μｍである。

【００９８】次に、電荷輸送層（３３）について説明す
る。電荷輸送層は、高分子電荷輸送物質を主成分とする
ものであり、必要に応じて用いられるバインダー樹脂か
らなる層である。高分子電荷輸送物質としては、トリア
リールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカー
ボネートが良好に用いられる。中でも、（３）〜（１
２）式で表わされる高分子電荷輸送物質が良好に用いら
れ、これらを以下に例示し、具体例を示す。

【００９９】

【化４８】 式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ₄は水素原子
又は置換若しくは無置換のアルキル基、Ｒ₅、Ｒ₆は置換
若しくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独
立して０〜４の整数、ｋ、ｊは組成を表わし、０．１≦
ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし
５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状
脂肪族の２価基、又は下記一般式で表わされる２価基を
表わす。

【０１００】

【化４９】 式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置換
のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表わす。
ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１
２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わ
す。）又は、

【０１０１】

【化５０】 （式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基又はア
リール基を表わす。）を表わす。ここで、Ｒ₁₀₁と
Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なっても
よい。

【０１０２】（３）式の具体例 Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃はそれぞれ独立して置換若しくは無置換
のアルキル基又はハロゲン原子を表わすが、その具体例
としては以下のものを挙げることができ、同一であって
も異なってもよい。

【０１０３】アルキル基として好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又
は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさ
らにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のア
ルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置換された
フェニル基を含有していてもよい。具体的には、メチル
基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔー
ブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル
基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、
２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メト
キシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４
−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フ
ェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１０４】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。Ｒ₄は水素
原子又は置換若しくは無置換のアルキル基を表わすが、
そのアルキル基の具体例としては上記のＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃
と同様のものが挙げられる。Ｒ₅、Ｒ₆は置換若しくは無
置換のアリール基（芳香族炭化水素基及び不飽和複素環
基）を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【０１０５】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１０６】上記のアリール基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、上記のＲ₁、
Ｒ₂、Ｒ₃と同様のものが挙げられる。

【０１０７】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₅）としては、Ｒ₁₀₅が上記（２）で
定義したアルキル基であるものが挙げられ、具体的に
は、メトキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉー
プロポキシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓー
ブトキシ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ
基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メ
チルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙
げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェニノキシ基、４−クロロフェ
ノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げ
られる。

【０１０８】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が前記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１０９】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ａ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合すると
き、下記一般式（Ｂ'）のジオール化合物を併用するこ
とにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポ
リカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック
共重合体となる。また、Ｘで表わされる構造部分は下記
一般式（Ａ'）のトリアリールアミノ基を有するジオー
ル化合物と下記一般式（Ｂ'）から誘導されるビスクロ
ロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に
導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは
交互共重合体となる。

【０１１０】

【化５１】 一般式（Ｂ'）のジオール化合物の具体例としては以下
のものが挙げられる。１，３−プロパンジオール、１，
４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，
６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、
１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロ
パンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジ
オール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエ
チレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチ
レングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコー
ル等の脂肪族ジオールや１，４−シクロヘキサンジオー
ル、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン
−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙
げられる。

【０１１１】また、芳香環を有するジオールとしては、
４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，
２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテ
ン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキ
シベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４
−ヒドロキシベンゾエート）、１，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノ
ール変性シリコーンオイル等が挙げられる。

【０１１２】

【化５２】 式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（３）式の場合と同じであ
る。

【０１１３】（４）式の具体例 Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基、又は

【０１１４】

【化５３】 （ここで、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂−、−ＣＯ−又は以下の２価基を表わす。）

【０１１５】

【化５４】

【０１１６】

【化５５】

【０１１７】

【化５６】

【０１１８】

【化５７】 で表わされる。

【０１１９】複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。また、Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃で
示されるアリレン基としてはＲ₇及びＲ₈で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基
（１）〜基（７）を置換基として有してもよい。また、
これら置換基は上記一般式中のＲ₁₀₆、Ｒ₁₀₇、Ｒ₁₀₈と
同じ意味を有する。

【０１２０】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくはＣ
₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₁₈さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の
直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル
基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄の
アルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基で置
換されたフェニル基を含有していてもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１２１】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₀₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₀₉）としては、Ｒ₁₀₉が（２）で定義
したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エ
トキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポキシ基、ｔー
ブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキシ基、ｉーブ
トキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエト
キシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ
基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するもの
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【０１２２】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）次式で表わされるアルキル置換アミノ基。

【０１２３】

【化５８】 式中、Ｒ₁₁₀及びＲ₁₁₁は各々独立に前記（２）で定義し
たアルキル基又はアリール基を表わす。アリール基とし
ては例えばフェニル基、ビフェニル基、又はナフチル基
が挙げられ、これらはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含有
してもよい。またアリール基上の炭素原子と共同で環を
形成してもよい。このアルキル置換アミノ基としては具
体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ
（ｐートリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリ
ジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。

【０１２４】（７）メチレンジオキシ基、又はメチレン
ジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチ
オ基等。

【０１２５】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｃ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合すると
き、下記一般式（Ｂ'）のジオール化合物を併用するこ
とにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポ
リカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック
共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式
（Ｃ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物と下記一般式（Ｂ'）から誘導されるビスクロロホー
メートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入さ
れる。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共
重合体となる。

【０１２６】

【化５９】 一般式（Ｂ'）のジオール化合物としては（３）式と同
じものが挙げられる。

【０１２７】

【化６０】 式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一又は異なるアリレン基を表
わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（３）式の場合と同じであ
る。

【０１２８】（５）式の具体例 Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【０１２９】また、Ａｒ₄、Ａｒ₅及びＡｒ₆で示される
アリレン基としてはＲ₉及びＲ₁₀で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１３０】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₂）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₂）としては、Ｒ₁₁₂が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１３１】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【０１３２】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１３３】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基は（２）で定義したア
ルキル基を表わす。具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基；具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げら
れる。

【０１３４】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｄ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合すると
き、下記一般式（Ｂ'）のジオール化合物を併用するこ
とにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポ
リカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック
共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式
（Ｄ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物と下記一般式（Ｂ'）から誘導されるビスクロロホー
メートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入さ
れる。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共
重合体となる。

【０１３５】

【化６１】 一般式（Ｂ'）のジオール化合物は（３）式と同じもの
が挙げられる。

【０１３６】

【化６２】 式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ₁
は１〜５の整数を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（３）
式の場合と同じである。

【０１３７】（６）式の具体例 Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【０１３８】また、Ａｒ₇、Ａｒ₈及びＡｒ₉で示される
アリレン基としてはＲ₁₁及びＲ₁₂で示したアリール基の
２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。上
述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換基
として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１３９】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₃）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₃）としては、Ｒ₁₁₃が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。 （４）アリールオキシ基。アリールオキシ基としては、
アリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられ
る。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアル
キル基又はハロゲン原子を置換基として含有してもよ
い。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ
基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、
４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、
６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。

【０１４０】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１４１】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｅ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合すると
き、下記一般式（Ｂ'）のジオール化合物を併用するこ
とにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポ
リカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック
共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式
（Ｅ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物と下記一般式（Ｂ'）から誘導されるビスクロロホー
メートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入さ
れる。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共
重合体となる。

【０１４２】

【化６３】 一般式（Ｂ'）のジオール化合物は（３）式と同じもの
が挙げられる。

【０１４３】

【化６４】 式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一又は異なるアリレン基、
Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換
若しくは無置換のビニレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、（３）式の場合と同じである。

【０１４４】（７）式の具体例 Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。芳香族炭化水素基
としては、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、
ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−
２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、ト
リフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフ
ェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリ
デンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、
ターフェニリル基などが挙げられる。複素環基として
は、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾ
フラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。

【０１４５】また、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁及びＡｒ₁₂で示され
るアリレン基としてはＲ₁₃及びＲ₁₄で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。（２）アルキル基。アルキル基として
は、好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに
好ましくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であ
り、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、
シアノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又は
ハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄
のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよ
い。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル
基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎ
ーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２
−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エト
キシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４
−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メト
キシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられ
る。

【０１４６】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₄）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₄）としては、Ｒ₁₁₄が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１４７】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１４８】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１４９】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１５０】前記Ｘ₁、Ｘ₂の構造部分は置換若しくは無
置換のエチレン基、置換若しくは無置換のビニレン基を
表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、上記Ｒ₁₃、Ｒ₁₄のアリール基、上記
（２）のアルキル基が挙げられる。

【０１５１】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｆ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合すると
き、下記一般式（Ｂ'）のジオール化合物を併用するこ
とにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポ
リカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック
共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式
（Ｆ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物と下記一般式（Ｂ'）から誘導されるビスクロロホー
メートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入さ
れる。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共
重合体となる。

【０１５２】

【化６５】 一般式（Ｂ'）のジオール化合物は（３）式と同じもの
が挙げられる。

【０１５３】

【化６６】

【０１５４】式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若し
くは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａ
ｒ₁₆は同一又は異なるアリレン基、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃は単
結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しく
は無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換の
アルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン
基を表わし同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ
及びｎは、（３）式の場合と同じである。

【０１５５】（８）式の具体例 Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【０１５６】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１５７】また、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅及びＡｒ₁₆
で示されるアリレン基としてはＲ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、及び
Ｒ₁₈で示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同
一であっても異なってもよい。

【０１５８】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１５９】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₅）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₅）としては、Ｒ₁₁₅が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１６０】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換基として含
有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチ
ルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノ
キシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノ
キシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げら
れる。

【０１６１】前記Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃の構造部分は単結合、
置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置
換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキ
レンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表
わし、同一であっても異なっていてもよい。

【０１６２】このアルキレン基としては、上記（２）で
示したアルキル基より誘導される２価基が挙げられ、具
体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレ
ン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロ
ピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン
基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニル
メチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−
プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレ
ン基等を挙げることができる。

【０１６３】同シクロアルキレン基としては、１，１−
シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、
１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。

【０１６４】同アルキレンエーテル基としては、ジメチ
レンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチ
レンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポ
リテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。

【０１６５】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｇ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合すると
き、下記一般式（Ｂ'）のジオール化合物を併用するこ
とにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポ
リカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック
共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式
（Ｇ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物と下記一般式（Ｂ'）から誘導されるビスクロロホー
メートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入さ
れる。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共
重合体となる。

【０１６６】

【化６７】 一般式（Ｂ'）のジオール化合物は（３）式と同じもの
が挙げられる。

【０１６７】

【化６８】 式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は水素原子、置換若しくは無置換のア
リール基を表わし、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよ
い。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉は同一又は異なるアリレン
基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（３）式の場合と同
じである。

【０１６８】（９）式の具体例 Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０１６９】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１７０】また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀は環を形成する場合、９
−フルオリニデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘ
ブテニリデンなどが挙げられる。また、Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈
及びＡｒ₁₉で示されるアリレン基としてはＲ₁₉及びＲ₂₀
で示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であって
も異なってもよい。

【０１７１】上述のアリール基及びアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１７２】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₆）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₆）としては、Ｒ₁₁₆が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１７３】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１７４】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１７５】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｈ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合すると
き、下記一般式（Ｂ'）のジオール化合物を併用するこ
とにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポ
リカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック
共重合体となる。また、Ｘの構造部分は下記一般式
（Ｈ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物と下記一般式（Ｂ'）から誘導されるビスクロロホー
メートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入さ
れる。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共
重合体となる。

【０１７６】

【化６９】 一般式（Ｂ'）のジオール化合物は（３）式と同じもの
が挙げられる。

【０１７７】

【化７０】 式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａ
ｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃は同一又は異なるアリレ
ン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（３）式の場合と
同じである。

【０１７８】（１０）式の具体例 Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基を表わすが、そ
の具体例としては以下のものを挙げることができ、同一
であっても異なってもよい。

【０１７９】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１８０】また、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂及びＡｒ₂₃
で示されるアリレン基としてはＲ₂₁で示したアリール基
の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を置換
基として有してもよい。 （１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。

【０１８１】（２）アルキル基。アルキル基としては、
好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ま
しくはＣ₁〜Ｃ₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。
具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉ
ープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチ
ル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒド
ロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエ
チル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロ
ロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベ
ンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１８２】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₇）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₇）としては、Ｒ₁₁₇が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１８３】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１８４】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１８５】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものを表わす。具体的には、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピル
アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１８６】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｊ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合すると
き、下記一般式（Ｂ'）のジオール化合物を併用するこ
とにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポ
リカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック
共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式
（Ｊ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物と下記一般式（Ｂ'）から誘導されるビスクロロホー
メートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入さ
れる。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共
重合体となる。

【０１８７】

【化７１】 一般式（Ｂ'）のジオール化合物は（３）式と同じもの
が挙げられる。

【０１８８】

【化７２】 式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換の
アリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈
は同一又は異なるアリレン基を表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及び
ｎは、（３）式の場合と同じである。

【０１８９】（１１）式の具体例 Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリー
ル基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げ
ることができ、同一であっても異なってもよい。

【０１９０】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０１９１】また、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、
及びＡｒ₂₈で示されるアリレン基としては、Ｒ₂₂、
Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、及びＲ₂₅で示したアリール基の２価基が挙
げられ、同一であっても異なってもよい。上述のアリー
ル基及びアリレン基は以下に示す基を置換基として有し
てもよい。

【０１９２】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０１９３】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₈）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₈）としては、Ｒ_{11 8}が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０１９４】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０１９５】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。

【０１９６】（６）アルキル置換アミノ基。アルキル置
換アミノ基としては、アルキル基が上記（２）で定義し
たアルキル基のものが挙げられ、具体的には、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピ
ルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられ
る。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０１９７】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｌ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合すると
き、下記一般式（Ｂ'）のジオール化合物を併用するこ
とにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポ
リカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック
共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式
（Ｌ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物と下記一般式（Ｂ'）から誘導されるビスクロロホー
メートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入さ
れる。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共
重合体となる。

【０１９８】

【化７３】 一般式（Ｂ'）のジオール化合物は（３）式と同じもの
が挙げられる。

【０１９９】

【化７４】 式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基、
Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一又は異なるアリレン基を
表わす。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（３）式の場合と同じで
ある。

【０２００】（１２）式の具体例 Ｒ₂₆、Ｒ₂₇は置換若しくは無置換のアリール基を表わす
が、その具体例としては以下のものを挙げることがで
き、同一であっても異なってもよい。

【０２０１】芳香族炭化水素基としては、フェニル基、
縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオ
レニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベン
ゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合
多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが
挙げられる。複素環基としては、チエニル基、ベンゾチ
エニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基などが挙げられる。

【０２０２】また、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、及びＡｒ₃₁で示さ
れるアリレン基としては、Ｒ₂₆及びＲ₂₇で示したアリー
ル基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよ
い。上述のアリール基及びアリレン基は以下に示す基を
置換基として有してもよい。

【０２０３】（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 （２）アルキル基。アルキル基としては、好ましくは、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂とりわけＣ₁〜Ｃ₈、さらに好ましくはＣ₁〜Ｃ
₄の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアル
キル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ₁〜
Ｃ₄のアルコキシ基、フェニル基、又はハロゲン原子、
Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基若しくはＣ₁〜Ｃ₄のアルコキシ基
で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピ
ル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉ
ーブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエ
チル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、
２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジ
ル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル
基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。

【０２０４】（３）アルコキシ基（−ＯＲ₁₁₉）。アル
コキシ基（−ＯＲ₁₁₉）としては、Ｒ_{11 9}が上記（２）で
定義したアルキル基のものが挙げられ、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎープロポキシ基、ｉープロポ
キシ基、ｔーブトキシ基、ｎーブトキシ基、ｓーブトキ
シ基、ｉーブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。

【０２０５】（４）アリールオキシ基。アリールオキシ
基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基
を有するものが挙げられる。これは、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルコ
キシ基、Ｃ₁〜Ｃ₄のアルキル基又はハロゲン原子を置換
基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、
１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メ
チルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−ク
ロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基
等が挙げられる。

【０２０６】（５）置換メルカプト基又はアリールメル
カプト基。置換メルカプト基又はアリールメルカプト基
としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ｐーメチルフェニルチオ基等が挙げられ
る。 （６）アルキル置換アミノ基。アルキル置換アミノ基と
しては、アルキル基が上記（２）で定義したアルキル基
のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。 （７）アシル基。アシル基としては、具体的にはアセチ
ル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベン
ゾイル基等が挙げられる。

【０２０７】前記Ｘで表わされる構造部分は下記一般式
（Ｍ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合すると
き、下記一般式（Ｂ'）のジオール化合物を併用するこ
とにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポ
リカーボネート樹脂はランダム共重合体、又はブロック
共重合体となる。また、この構造部分Ｘは下記一般式
（Ｍ'）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合
物と下記一般式（Ｂ'）から誘導されるビスクロロホー
メートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入さ
れる。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共
重合体となる。

【０２０８】

【化７５】 一般式（Ｂ'）のジオール化合物は（３）式と同じもの
が挙げられる。

【０２０９】電荷輸送層（３３）に併用できるバインダ
ー樹脂としては、ポリカーボネート（ビスフェノールＡ
タイプ、ビスフェノールＺタイプ）、ポリエステル、メ
タクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニ
ル、酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキ
ッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアク
リレート、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などが
用いられる。これらのバインダーは、単独又は２種以上
の混合物として用いることができる。

【０２１０】電荷輸送層（３３）に併用できる低分子電
荷輸送物質は、電荷発生層（３１）の説明において記載
したものと同じものを用いることができが、耐摩耗性の
観点から、使用量はできる限り少ない方が好ましい。ま
た、本発明において電荷輸送層（３３）中に可塑剤やレ
ベリング剤を添加してもよい。

【０２１１】可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジ
オクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用
されているものがそのまま使用でき、その使用量は、バ
インダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量部程度
が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコ
ーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリ
コーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有
するポリマー或いはオリゴマーが使用され、その使用量
は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部
程度が適当である。

【０２１２】次に、感光層（２３）が単層構成の場合に
ついて述べる。キャスティング法で単層感光層を設ける
場合、多くは電荷発生物質と高分子電荷輸送物質を主成
分とする機能分離型のものが挙げられる。即ち、電荷発
生物質並びに電荷輸送物質には、前出の材料を用いるこ
とができる。また、必要により可塑剤やレベリング剤を
添加することもできる。更に、必要に応じて用いること
のできるバインダー樹脂としては、先に電荷輸送層（３
３）で挙げたバインダー樹脂をそのまま用いる他に、電
荷発生層（３１）で挙げたバインダー樹脂を混合して用
いてもよい。

【０２１３】本発明に用いられる電子写真感光体には、
導電性支持体（２１）と感光層（２３）［積層タイプの
場合には、電荷発生層（３３）］との間に下引き層（２
５）を設けることができる。下引き層（２５）は、接着
性を向上する、モワレなどを防止する、上層の塗工性を
改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられ
る。下引き層（２５）は一般に樹脂を主成分とするが、
これらの樹脂はその上に感光層を溶剤でもって塗布する
ことを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高
い樹脂であることが望ましい。このような樹脂として
は、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸
ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシ
メチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレ
タン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂など
が挙げられる。また、酸化チタン、シリカ、アルミナ、
酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示
できる金属酸化物、或るいは金属硫化物、金属窒化物な
どの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述
の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形
成することができる。

【０２１４】さらに、本発明における感光体の下引き層
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用して、例えばゾルー
ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用である。こ
の他に、本発明の下引き層にはＡｌ₂Ｏ₃を陽極酸化にて
設けたものや、ポリパラキシレン（パリレン）等の有機
物や、ＳｉＯ、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、ＣｅＯ₂等
の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用
できる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。

【０２１５】また、本発明においては、耐環境性の改善
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、酸化防止剤を添加することができる。酸化防
止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよい
が、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得
られる。本発明に用いることができる酸化防止剤とし
て、下記のものが挙げられる。

【０２１６】モノフェノール系化合物 ２，６−ジ−ｔーブチル−ｐークレゾール、ブチル化ヒ
ドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔーブチル−４−エ
チルフェノール、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔー
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートな
ど。

【０２１７】ビスフェノール系化合物 ２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔーブ
チルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−
エチル−６−ｔーブチルフェノール）、４，４’−チオ
ビス−（３−メチル−６−ｔーブチルフェノール）、
４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔーブ
チルフェノール）など。

【０２１８】高分子フェノール系化合物 １，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−
５−ｔーブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメ
チル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔーブチル−
４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メ
チレン−３−（３’，５’−ジ−ｔーブチル−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス
［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔーブチ
ルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステ
ル、トコフェノール類など。

【０２１９】パラフェニレンジアミン類 Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐーフェニレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐーフェニレ
ンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐー
フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ
ーフェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’
−ジ−ｔーブチル−ｐーフェニレンジアミンなど。

【０２２０】ハイドロキノン類 ２，５−ジ−ｔーオクチルハイドロキノン、２，６−ジ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノ
ン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ
ーオクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オ
クタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。

【０２２１】有機硫黄化合物類 ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−３，３’−チオジプロピオネートなど。

【０２２２】有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキ
シ）ホスフィンなど。

【０２２３】これら化合物は、ゴム、プラスチック、油
脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品とし
て容易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添加
量は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１０
０重量部、好ましくは０．５〜３０重量部である。

【０２２４】

【実施例】次に、実施例によって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。なお、実施例において、使用する部は全て重量部
を表わす。

【０２２５】実施例１ φ６０ｍｍのアルミニウムドラム上に、下記組成の下引
き層用塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工
液を順次、塗布乾燥することにより、３．５μｍの下引
き層、０．２μｍの電荷発生層、２５μｍの電荷輸送層
を形成して、本発明の電子写真感光体を得た。

【０２２６】 ［下引き層用塗工液］ アルキッド樹脂 ６部 （ベッコゾール １３０７−６０−ＥＬ、大日本インキ化学工業製） メラミン樹脂 ４部 （スーパーベッカミン Ｇ−８２１−６０、大日本インキ化学工業製） 酸化チタン ４０部 メチルエチルケトン ２００部 ［電荷発生層用塗工液］ ポリビニルブチラール ０．５部 （エスレックＢＬ−１、積水化学工業製） シクロヘキサノン ２００部 メチルエチルケトン ８０部 下記構造のジスアゾ顔料 ２．５部

【０２２７】

【化７６】 ［電荷輸送層用塗工液］ 塩化メチレン １００部 下記構造の高分子電荷輸送物質 ８部

【０２２８】

【化７７】

【０２２９】実施例２ 実施例１における電荷発生物質を下記構造のものに変更
した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感光体を
作製した。

【０２３０】

【化７８】

【０２３１】比較例１ 実施例１における電荷発生物質を下記構造のものに変更
した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感光体を
作製した。

【０２３２】

【化７９】

【０２３３】比較例２ 実施例１における電荷発生物質を下記構造のものに変更
した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感光体を
作製した。

【０２３４】

【化８０】

【０２３５】実施例３ 実施例１における高分子電荷輸送物質を下記構造のもの
に変更した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感
光体を作製した。

【０２３６】

【化８１】

【０２３７】実施例４ 実施例１における高分子電荷輸送物質を下記構造のもの
に変更した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感
光体を作製した。

【０２３８】

【化８２】

【０２３９】実施例５ 実施例１における高分子電荷輸送物質を下記構造のもの
に変更した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感
光体を作製した。

【０２４０】

【化８３】

【０２４１】実施例６ 実施例１における高分子電荷輸送物質を下記構造のもの
に変更した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感
光体を作製した。

【０２４２】

【化８４】

【０２４３】実施例７ 実施例１における高分子電荷輸送物質を下記構造のもの
に変更した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感
光体を作製した。

【０２４４】

【化８５】

【０２４５】実施例８ 実施例１における高分子電荷輸送物質を下記構造のもの
に変更した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感
光体を作製した。

【０２４６】

【化８６】

【０２４７】実施例９ 実施例１における高分子電荷輸送物質を下記構造のもの
に変更した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感
光体を作製した。

【０２４８】

【化８７】

【０２４９】実施例１０ 実施例１における高分子電荷輸送物質を下記構造のもの
に変更した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感
光体を作製した。

【０２５０】

【化８８】

【０２５１】実施例１１ 実施例１における高分子電荷輸送物質を下記構造のもの
に変更した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感
光体を作製した。

【０２５２】

【化８９】

【０２５３】比較例３ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を下記構造のもの
に変更した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感
光体を作製した。 ［電荷輸送層用塗工液］ ポリカーボネート １０部 （パンライトＫ１３００：帝人製） 塩化メチレン ２５０部 下記構造の低分子電荷輸送物質 ８部

【０２５４】

【化９０】

【０２５５】比較例４ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を下記構造のもの
に変更した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感
光体を作製した。 ［電荷輸送層用塗工液］ ポリカーボネート １０部 （ユーピロンＺ−２００：三菱ガス化学製） 塩化メチレン ２００部 下記構造の電荷輸送物質 ９部

【０２５６】

【化９１】

【０２５７】比較例５ 実施例１における電荷輸送層用塗工液を下記構造のもの
に変更した以外は、実施例１と全く同様に電子写真用感
光体を作製した。 ［電荷輸送層用塗工液］ 塩化メチレン １００部 下記構造の高分子電荷輸送物質 １０部

【０２５８】

【化９２】 下記構造の低分子電荷輸送物質 ５部

【０２５９】

【化９３】

【０２６０】以上のように作製した実施例１〜１１及び
比較例１〜５の電子写真感光体は、特開昭６０−１００
１６７号公報に開示されている装置を用いてそれらの電
子写真特性を次のように評価した。まず、−６．０ｋＶ
の放電電圧にて、コロナ帯電を２０秒間行ない、次いで
２０秒間暗減衰させ、暗減衰後に２．５μＷ／ｃｍ²の
光（５８０±１０ｎｍ）を照射した。この時、暗減衰後
の表面電位を半分の電位に光減衰させるのに必要な露光
量Ｅ_1/2［μＪ／ｃｍ²］を測定した。また、上記感光体
を実装用にした後、複写機（リコー：スピリオ３５５
０）に搭載し、それぞれ３万枚のランニングテストを行
なった。その際の３万枚目の画像評価及び電荷輸送層の
膜厚減少分を測定した。以上の結果を併せて表１５に示
す。

【０２６１】

【表１５】

【０２６２】

【発明の効果】以上、詳細且つ具体的に説明したよう
に、本発明の電子写真感光体を用いた電子写真プロセス
により、繰り返し使用後の感光体の画像部電位の上昇の
少ない、これに伴う異常画像の発生の少ない電子写真シ
ステムが提供される。また、本発明により繰り返し使用
における感光体の膜削れの少ない電子写真プロセスが提
供され、膜削れに伴う異常画像の発生の少ない電子写真
プロセスが提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子写真感光体の構成を示す断面
図である。

【図２】本発明に係る電子写真感光体の別の構成を示す
断面図である。

【図３】本発明に係る電子写真感光体の更に別の構成を
示す断面図である。

【符号の説明】

２１ 導電性支持体 ２３ 感光層 ２５ 下引き層 ３１ 電荷発生層 ３３ 電荷輸送層

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１０年４月７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３１】 導電性支持体（２１）としては、体積抵
抗１０¹⁰Ωｃｍ以下の導電性を示すもの、例えばアルミ
ニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白
金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸
化物を、蒸着又はスパッタリングによりフィルム状若し
くは円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、或る
いはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステ
ンレス等の板及びそれらをＤ．Ｉ．、Ｉ．Ｉ．、押出
し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、
研磨等で表面処理した管等を使用することができる。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３５】 本発明の前記（１）、（２）式で示され
るアゾ化合物の中のＣｐ₁、Ｃｐ₂、Ｃｐ₃で表わされる
カップラー残基としては、例えばフェノール類、ナフト
ール類などの水酸基を有する芳香族炭化水素化合物及び
水酸基を有する複素環式化合物、アミノ基を有する芳香
族炭化水素化合物及びアミノ基を有する複素環式化合
物、アミノナフトール類などの水酸基及びアミノ基を有
する芳香族炭化水素化合物及び水酸基およびアミノ基を
有する複素環式化合物、脂肪族若しくは芳香族のフェノ
ール性ケトン基を有する化合物（活性メチレン基を有す
る化合物）などから由来する残基である。１価のカップ
ラー残基Ｃｐ₁、Ｃｐ₂の好ましいものは、下記（Ａ）〜
（Ｎ）式で表わされるものである。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４０】 上記（Ａ）〜（Ｄ）式中、Ｘ₂₀₁、
Ｙ₂₀₁、Ｚ₂₀₁、ｌ₂₀₁及びｍ₂₀₂はそれぞれ以下のものを
表わす。 Ｘ：−ＯＨ、−Ｎ（Ｒ₂₀₁）（Ｒ₂₀₂）又は−ＮＨＳＯ₄
−Ｒ₂₀₃ （Ｒ₂₀₁及びＲ₂₀₂は水素原子又は置換若しくは無置換の
アルキル基を表わし、Ｒ₂₀₃は置換若しくは無置換のア
ルキル基又は置換若しくは無置換のアリール基を表わ
す。） Ｙ₂₀₁：水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換
のアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、カ
ルボキシ基、スルホン基、置換若しくは無置換のスルフ
ァモイル基、−ＣＯＮ（Ｒ₂₀₄）（Ｙ₂₀₂）又は−ＣＯＮ
ＨＣＯＮ（Ｒ₂₀₄）（Ｙ₂₀₂）。［Ｒ₂₀₄は水素原子、ア
ルキル基若しくはその置換体又はフェニル基若しくはそ
の置換体を表わし、Ｙ₂₀₂は炭化水素環基若しくはその
置換体、複素環基若しくはその置換体、又は−Ｎ＝Ｃ
（Ｒ₂₀₅）（Ｒ₂₀₆）。（ただし、Ｒ₂₀₅は炭化水素環基
若しくはその置換体、複素環基若しくはその置換体又は
スチリル基若しくはその置換体、Ｒ₂₀₆は水素原子、ア
ルキル基又はフェニル基若しくはその置換体を表わす
か、或いはＲ₂₀₅及びＲ₂₀₆はそれらに結合する炭素原子
と共に環を形成してもよい）を示す。］ Ｚ₂₀₁：置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環又は置
換若しくは無置換の芳香族複素環を構成するのに必要な
原子群。 ｌ₂₀₁：１又は２の整数。 ｍ₂₀₂：１又は２の整数。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４６】 前記（Ａ）式〜（Ｄ）式のＺ₂₀₁の炭化
水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環などが例示で
き、また、複素環（置換基を持っていても良い）として
は、インドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環、
ジベンゾフラン環などが例示できる。Ｚ₂₀₁の環におけ
る置換基としては、塩素原子、臭素原子などのハロゲン
原子が例示できる。Ｙ₂₀₂又はＲ₂₀₅における炭化水素環
基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、
ピレニル基などが、また複素環基としては、ピリジル
基、チエニル基、フリル基、インドリル基、ベンゾフラ
ニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などが例
示でき、更にＲ₂₀₅及びＲ₂₀₆が結合して形成する環とし
ては、フルオレン環などが例示できる。また、Ｙ₂₀₂又
はＲ₂₀₅の炭化水素環基又は複素環基或いはＲ₂₀₅及びＲ
₂₀₆によって形成される環における置換基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基などのアルコキシ基；塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基など
のジアルキルアミノ基；トリフルオロメチル基などのハ
ロメチル基；ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基又はそ
のエステル、水酸基、−ＳＯ₃Ｎａなどのスルホン酸塩
基などが挙げられる。Ｒ₂₀₄のフェニル基の置換体とし
ては、塩素原子又は臭素原子などのハロゲン原子が例示
できる。Ｒ₂₀₇又はＲ₂₀₉における炭化水素基の代表例と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基；フェニル基などのアリール基又はこれ
らの置換体が例示できる。また、Ｒ₂₀₇又はＲ₂₀₉におけ
る炭化水素基における置換基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基；メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのア
ルコキシ基；塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子；
水酸基、ニトロ基などが例示できる。Ａｒ₂₀₅又はＡｒ
₂₀₆における炭化水素環基としては、フェニル基、ナフ
チル基などがその代表例であり、またこれらの基におけ
る置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基などのアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基；塩素原
子、臭素原子などのハロゲン原子；シアノ基、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルアミノ基
などが例示できる。また、Ｘ₂₀₁の中では特に水酸基が
適当である。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６２】

【表３】

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９３】 本発明の前記（２）式のＡｒ₂₀₁、Ａｒ
₂₀₂、Ａｒ₂₀₃のアリール基、アリレン基の具体例として
は、以下のものを挙げることができる。即ち、アリール
基は炭素環式芳香族基若しくは複素環式芳香族基を表わ
し、具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェ
ニリル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル
基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル
基、ａｓ−インダセニル基、フルオレニル基、ｓ−イン
ダセニル基、アセナフチレニル基、ブレイアデニル基、
アセナフテニル基、フェナレニル基、フェナントリル
基、アントリル基、フルオランテニル基、アセフェナン
トリレニル基、アセアントリレニル基、トリフェニルレ
ニル基、ピレニル基、クリセニル基、及びナフタセニル
基、スチリルフェニル基、ピリジル基、ピリミジル基、
ピラジニル基、トリアジニル基、フリル基、ピロリル
基、チエニル基、キノリル基、クマリニル基、ベンゾフ
ラニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル
基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾ
チオニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピラゾリ
ル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾ
リル基、チアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾチアゾ
リル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、キナゾリニ
ル基、キノキサリル基、フタラジニル基、フタラジンジ
オニル基、クロモニル基、ナフトラクトニル基、キノロ
ニル基、ｏ−スルホ安息香酸イミジル基、マレイン酸イ
ミジル基、ナフタリジニル基、ベンズイミダゾロニル
基、ベンズオキサゾロニル基、ベンゾチアゾロニル基、
ベンゾチアゾチオニル基、キナゾロニル基、キノキサロ
ニル基、フタラゾニル基、ジオキソピリジニル基、ピリ
ドニル基、イソキノロニル基、イソキノリル基、イソチ
アゾリル基、ベンズイソオキサゾリル基、ベンズイソチ
アゾリル基、インダゾロニル基、アクリジニル基、アク
リドニル基、キナゾリンジオニル基、キノキサリンジオ
ニル基、ベンゾオキサジンジオニル基、ベンゾオキサジ
ニル基、ナフタルイミジル基などが挙げられる。また、
アリレン基は上記アリール基から誘導される２価基を表
わし、具体的には、フェニレン基、ビフェニリレン基、
ピレニレン基、Ｎ−エチルカルバゾリレン基、スチルベ
ンの２価基などを挙げることができる。また、Ａ
ｒ₂₀₁、Ａｒ₂₀₂、Ａｒ₂₀₃における置換基の具体例とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など
のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシ基；ニトロ基、塩素原
子、臭素原子などのハロゲン原子；シアノ基、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルアミノ
基、スチリル基、β−フェニルスチリル基などのスチリ
ル基；上記で定義したアリール基などを挙げることがで
きる。また、Ｒのアルキル基の具体例としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられ
る。また、必要に応じて公知の他の電荷発生物質を併用
することができる。例えば、金属フタロシアニン、無金
属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレ
ニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾ
ール骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を
有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔
料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオ
レノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾール骨格を
有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料、ペ
リレン系顔料、アントラキノン系又は多環キノン系顔
料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフ
ェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系
顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系
顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料などが挙げられ、
（１）式の電荷発生物質と併用することが可能である。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２２３

【補正方法】変更

【補正内容】

【０２２３】 これら化合物は、ゴム、プラスチック、
油脂類などの酸化防止剤として知られており、市販品と
して容易に入手できる。本発明における酸化防止剤の添
加量は、電荷輸送物質１００重量部に対して０．５〜３
０重量部である。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２５７

【補正方法】削除

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２５８

【補正方法】削除

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２５９

【補正方法】削除

【手続補正１１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２６０

【補正方法】変更

【補正内容】

【０２６０】 以上のように作製した実施例１〜１１及
び比較例１〜４の電子写真感光体は、特開昭６０−１０
０１６７号公報に開示されている装置を用いてそれらの
電子写真特性を次のように評価した。まず、−６．０ｋ
Ｖの放電電圧にて、コロナ帯電を２０秒間行ない、次い
で２０秒間暗減衰させ、暗減衰後に２．５μＷ／ｃｍ²
の光（５８０±１０ｎｍ）を照射した。この時、暗減衰
後の表面電位を半分の電位に光減衰させるのに必要な露
光量Ｅ_1/2［μＪ／ｃｍ²］を測定した。また、上記感光
体を実装用にした後、複写機（リコー：スピリオ３５５
０）に搭載し、それぞれ３万枚のランニングテストを行
なった。その際の３万枚目の画像評価及び電荷輸送層の
膜厚減少分を測定した。以上の結果を併せて表１５に示
す。

【手続補正１２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２６１

【補正方法】変更

【補正内容】

【０２６１】

【表１５】

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に少なくとも感光層を有
   する電子写真感光体において、該感光層に少なくとも下
   記（１）式で表わされる電荷発生物質とトリアリールア
   ミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネート
   を含有することを特徴とする電子写真感光体。 【化１】 式中、Ｃｐ₁、Ｃｐ₂はカップラー残基を表わし、同一で
   も異なっていてもよい。ただし、Ｃｐ₁、Ｃｐ₂のうち少
   なくとも片方は、下記（２）式で表わされるカップラー
   成分である。 【化２】 （式中、Ｃｐ₃、Ａｒ₂₀₁、Ａｒ₂₀₂、Ａｒ₂₀₃、Ａ及びｎ
   ₂₀₁はそれぞれ以下のものを表わす。） Ｃｐ₃：２価のカップラー残基 Ａｒ₂₀₁、Ａｒ₂₀₂：置換若しくは無置換のアリール基 Ａｒ₂₀₃：置換若しくは無置換のアリレン基 Ａ：エチレン基、ビニレン基、酸素原子又は硫黄原子 ｎ₂₀₁：０〜２の整数
2. 【請求項２】 上記電子写真感光体の感光層が少なくと
   も電荷発生層とトリアリールアミン構造を主鎖及び／又
   は側鎖に含むポリカーボネートを含有する電荷輸送層の
   積層構造からなることを特徴とする請求項１に記載の電
   子写真感光体。