JPH10303568A

JPH10303568A - 多層プリント基板の配線構造

Info

Publication number: JPH10303568A
Application number: JP9109330A
Authority: JP
Inventors: Shiro Yoshida; 史郎吉田; Hirokazu Toya; 弘和遠矢; Yoshitsugu Okada; 芳嗣岡田; Yuzo Shimada; 勇三嶋田; Toshiyuki Kaneko; 俊之金子
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-04-25
Filing date: 1997-04-25
Publication date: 1998-11-13
Anticipated expiration: 2017-04-25
Also published as: JP2988431B2

Abstract

(57)【要約】【課題】多層プリント基板の配線構造からの電磁ノイ
ズの放射を低減させる。【解決手段】多層プリント配線１の電源層３には電源
供給線４が形成され、グラウンド層１０にはグラウンド
線１１が形成されている。電源供給線４とグラウンド線
１１との間には、スルーホール９，１６を介してデカッ
プリングコンデンサ８や回路素子（不図示）が接続され
ている。電源供給線４は、電源装置（不図示）が接続さ
れる電源供給端子５を有する幹配線６と、細線状に形成
されてインダクタとして機能する複数の枝配線７とによ
り構成され、枝配線７の先端に前記のスルーホール９が
設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント基板
の配線構造に関する。さらに詳しくは、トランジスタ、
ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の回路
素子が搭載された多層プリント基板の配線構造に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の回路素
子が搭載された多層プリント基板の配線構造では、回路
素子から発生した高周波電流や、多層プリント基板の回
路が有する寄生容量や寄生相互インダクタによって流れ
る廻り込み電流等のいわゆるコモンモードによって、電
磁ノイズが放射される。一方、回路素子のスイッチング
動作に起因して回路素子の電源端子部に電圧変動が発生
すると、回路素子の誤作動を引き起こすおそれがある。
そこで、従来は、図９に示す回路配線の構成によって上
記の問題の解決を図っていた。

【０００３】図９は、従来の多層プリント基板の配線構
造における等価回路図である。

【０００４】図９に示すように、従来の多層プリント基
板の配線構造１０１では、発生する高周波電流の大きさ
が互いに異なる回路素子１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ
が、それぞれ電源供給線１０３およびグラウンド線１０
４に並列に接続されている。発生する高周波電流は、回
路素子１０２ａが一番大きく、次いで回路素子１０２
ｂ、その次に回路素子１０２ｃである。電源供給線１０
３は多層プリント基板の電源層（不図示）に形成され、
グラウンド線１０４は多層プリント基板のグラウンド層
（不図示）に形成されている。なお、電源層は、導電膜
層が基板の全面に渡って形成され、平板状に構成されて
いる。また、多層プリント基板の配線構造１０１には、
電源装置１０６から電源が供給されている。

【０００５】さらに、各回路素子１０２ａ，１０２ｂ，
１０２ｃの近傍には、各回路素子から発生する高周波電
流の大きさに対応する容量を備えたデカップリングコン
デンサ１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃが、電源供給線１
０３およびグラウンド線１０４に配線されている。各デ
カップリングコンデンサの容量は、デカップリングコン
デンサ１０５ａが一番大きく、次いでデカップリングコ
ンデンサ１０５ｂ、その次にデカップリングコンデンサ
１０５ｃである。なお、デカップリングコンデンサ１０
５ａ，１０５ｂ，１０５ｃにおけるインピーダンスは容
量の大きさに反比例するため、デカップリングコンデン
サ１０５ａにおけるインピーダンスが一番小さく、次い
でデカップリングコンデンサ１０５ｂ、その次にデカッ
プリングコンデンサ１０５ｃである。

【０００６】上記のように構成された多層プリント基板
の配線構造１０１では、各回路素子１０２ａ，１０２
ｂ，１０２ｃから発生した高周波電流は、各々の近傍に
配置されているデカップリングコンデンサ１０５ａ，１
０５ｂ，１０５ｃを迂回してグラウンド線１０４に排除
される。また、回路素子１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ
でのスイッチング動作により回路素子１０２ａ，１０２
ｂ，１０２ｃに電圧変動が生じた場合でも、デカップリ
ングコンデンサ１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃの作用に
より、各回路素子１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの電源
端子部での電圧変動が抑制される。

【０００７】さらに、多層プリント基板の電源層は、基
板全面に平板状に構成されているので、電源供給線１０
３の抵抗が小さいため、高周波電流の流入や回路素子の
電圧変動があっても、電源層における直流的な電圧変動
が抑制される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の多層プリント基板の配線構造では、多層プリン
ト基板の電源層におけるインピーダンスはデカップリン
グコンデンサのインピーダンスよりも小さいため、回路
素子から発生した高周波電流は、その回路素子の近傍に
配置されたデカップリングコンデンサを迂回されず、電
源層を通って他の回路素子やデカップリングコンデンサ
に流れ込んでしまうことがある。

【０００９】そのため、各々のデカップリングコンデン
サを流れる高周波電流は非常に複雑になるので、各デカ
ップリングコンデンサの容量値を正確に設定することが
困難である。また、平板状に構成された電源層に高周波
電流が流れ込むと、場合によっては電源層で高周波電流
が大きなループ電流を形成し、電磁ノイズ放射の要因と
なることがある。さらに、回路素子から発生した高周波
電流が、その回路素子の近傍に配置されたデカップリン
グコンデンサを迂回せずに他の経路に流れ込むと、その
経路のインピーダンスが大きくなる。すると、他の回路
素子での交流的な電圧変動が大きくなるので、回路素子
の安定動作にも悪影響を及ぼすおそれがある。

【００１０】一方、このような多層プリント基板の配線
構造が多数組み合わされて構成される電子機器は、金属
性の筐体内に収納されることにより、外部への電磁ノイ
ズの漏洩が防止されている。しかし、電子機器の操作部
等を設ける必要があるため、筐体には開口部を設けなけ
ればならない。そのため、筐体外部への電磁ノイズの漏
洩を完全に防止することは困難である。

【００１１】そこで本発明は、電磁ノイズの放射が一層
低減される多層プリント基板の配線構造を提供すること
を目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の多層プリント基板の配線構造は、電源層と
グラウンド層とが積層された多層プリント基板を有し、
前記電源層には、電源装置から前記電源層に供給される
電源を前記多層プリント基板に実装される回路素子に供
給する電源供給線が形成され、前記グラウンド層には、
前記回路素子が接続されるグラウンド線が形成され、前
記電源供給線と前記グラウンド線との間には、前記回路
素子が接続される部分の近傍にデカップリングコンデン
サが接続され、前記電源供給線には前記電源装置が接続
される電源供給端子が形成されている多層プリント基板
の配線構造において、前記電源供給線には、前記デカッ
プリングコンデンサの接続部と前記電源供給端子との間
にインピーダンス付加回路が設けられている。

【００１３】これにより、電源供給線のインピーダンス
が大きくなるので、回路素子から発生した高周波電流は
デカップリングコンデンサを迂回してグラウンド線に排
除される。

【００１４】また、前記電源供給線は平板状に形成され
た幹配線部と、細線状に形成され前記インピーダンス付
加回路として機能する枝配線部とを有し、前記回路素子
は前記枝配線部に接続されていることにより、幹配線部
での抵抗が小さいので、回路素子から発生した高周波電
流が幹配線に流入したり、回路素子に電圧変動が発生し
た場合でも、幹配線における直流的な電圧変動が抑制さ
れる。さらに、電源供給線のインピーダンスが大きくな
るので、回路素子から発生した高周波電流はデカップリ
ングコンデンサを迂回してグラウンド線に排除される。

【００１５】さらに、前記幹配線部と前記グラウンド線
との間にデカップリングコンデンサが配線されているこ
とにより、枝配線と、回路素子近傍に配線されたデカッ
プリングコンデンサと、幹配線とグラウンド層との間に
配線されたデカップリングコンデンサとによって、電源
層とグラウンド層との間にいわゆるπ型フィルタが形成
される。

【００１６】また、前記電源層上に、磁性体を含有する
磁性体混合絶縁層が設けられていることにより、電源供
給線の枝配線におけるインダクタンス値が増幅され、枝
配線でのインピーダンスが大きくなる。

【００１７】さらに、前記磁性体の比透磁率は、前記イ
ンピーダンス付加回路を流れる高周波電流が抑止される
値となるように前記インピーダンス付加回路のインピー
ダンス値を増幅することができる周波数特性を有するこ
とにより、インピーダンス付加回路は高周波域でも高い
インピーダンスを有し、インピーダンス付加回路を流れ
る高周波電流がさらに抑止される。

【００１８】加えて、前記磁性体は、前記インピーダン
ス付加回路を流れる電流によって発生する磁界によって
は飽和しない飽和磁束密度を有することにより、インピ
ーダンス付加回路に瞬間的に大きな電流が流れた場合で
も、インピーダンス付加回路におけるインピーダンス
は、瞬間的に流れる電流の大きさに応じて増幅される。

【００１９】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。

【００２０】（第１の実施形態）図１は、本発明の多層
プリント基板の配線構造の第１の実施形態における多層
プリント基板の電源層およびグラウンド層を示す斜視図
である。図１に示すように、多層プリント基板１の絶縁
層２ａ上に設けられた電源層３に形成されている電源供
給線４は、電源装置（不図示）に接続される電源供給端
子５を有する平板状の幹配線６と、幹配線６に接続され
た多数本の枝配線７とから構成されている。各枝配線７
の先端には、デカップリングコンデンサ８および回路素
子等の電子部品の電源端子（不図示）が接続されるスル
ーホール９が設けられている。さらに、幹配線６にもデ
カップリングコンデンサ８ｄが配設されている。各デカ
ップリングコンデンサ８，８ｄの他端は、後述するグラ
ウンド線１１に接続される。なお、枝配線７の線幅は幹
配線６よりも細く、細線状に形成されている。これによ
り、枝配線７はインダクタとしての機能を有する。ま
た、枝配線７同士が接続されることはない。

【００２１】一方、多層プリント基板１の絶縁層２ｂ上
に設けられたグラウンド層１０に形成されているグラウ
ンド線１１は、電源装置（不図示）に接続される電源供
給グラウンド端子１２を有し、絶縁層２ｂ上に全面に渡
って平板状に形成されている。グラウンド線１１には、
電子部品のグラウンド端子（不図示）やデカップリング
コンデンサ８，８ｄが接続されるスルーホール１６がさ
らに設けられている。グラウンド層１０は、上記の電源
層３に対向する一方もしくは両方の絶縁層上に設けられ
る。なお、電源層３およびグラウンド層１０は、銅箔等
からなる導電性部材によって形成されている。

【００２２】図２は、図１に示した多層プリント基板の
配線構造における等価回路図である。

【００２３】図２に示すように、本実施形態の多層プリ
ント基板の配線構造１’では、デカップリングコンデン
サ８ａ，８ｂ，８ｃと電源供給線４との接続部の近傍で
あって電源装置１３に近い側の電源供給線４に、インピ
ーダンス付加回路としてのインダクタ１４ａ，１４ｂ，
１４ｃが配線されている。なお、インダクタ１４ａ，１
４ｂ，１４ｃは、前述したように枝配線７（図１参照）
によって構成される。さらに、電源供給線４とグラウン
ド線１１との間には、デカップリングコンデンサ８ｄが
配線されている。その他、回路素子１５ａ，１５ｂ，１
５ｃ、グラウンド線１１、デカップリングコンデンサ８
ａ，８ｂ，８ｃ、電源装置１３の各構成は、図９に示し
た従来の多層プリント基板の配線構造１０１と同様であ
るので、詳しい説明は省略する。

【００２４】従来の多層プリント基板の配線構造では、
前述したように、多層プリント基板の電源層におけるイ
ンピーダンスがデカップリングコンデンサのインピーダ
ンスよりも小さいため、回路素子から発生した高周波電
流は、その回路素子の近傍に配置されたデカップリング
コンデンサを迂回せず、電源層を通って他の回路素子や
デカップリングコンデンサに流れ込んでしまうことがあ
った。

【００２５】一方、上記のような本実施形態の多層プリ
ント基板の配線構造１’の構成によれば、枝配線７（図
１参照）で構成されるインダクタ１４ａ，１４ｂ，１４
ｃによって、電源供給線４のインピーダンスが大きくな
る。そのため、回路素子１５ａ，１５ｂ，１５ｃから発
生した高周波電流は、電源供給線４を通過せずにデカッ
プリングコンデンサ８ａ，８ｂ，８ｃを迂回して、グラ
ウンド線１１に排除される。従って、ある回路素子１５
ａ，１５ｂ，１５ｃから発生した高周波電流が、電源層
を通って他の回路素子１５ａ，１５ｂ，１５ｃやデカッ
プリングコンデンサ８ａ，８ｂ，８ｃに流れ込むことが
従来よりも一層抑制される。

【００２６】従って、各々のデカップリングコンデンサ
８ａ，８ｂ，８ｃには、近傍に配置された回路素子１５
ａ，１５ｂ，１５ｃからの高周波電流だけが流れるの
で、その高周波電流の大きさを予知でき、各デカップリ
ングコンデンサ８ａ，８ｂ，８ｃの容量値を正確に設定
することができる。また、電源層に流れ込む高周波電流
が一層抑制されるので、電源層で高周波電流がループ電
流を形成して電磁ノイズを放射することを防止すること
ができる。さらに、ある回路素子１５ａ，１５ｂ，１５
ｃから発生した高周波電流が他の回路素子１５ａ，１５
ｂ，１５ｃが接続された経路に流れ込むことが防止され
るので、回路素子１５ａ，１５ｂ，１５ｃにおける交流
的な電圧変動が抑えられ、回路素子１５ａ，１５ｂ，１
５ｃの動作をより安定させることができる。

【００２７】また、図１に示すように、幹配線６は平板
状に形成されているので、幹配線６での抵抗が小さいた
め、幹配線６（すなわち電源層３）における直流的な電
圧変動が抑制される。さらに、電源供給線４の枝配線７
によってインダクタが構成されるので、インダクタ素子
を多層プリント基板１に別途搭載する必要がないため、
多層プリント基板１上の配線スペースを有効に活用する
ことができる。

【００２８】さらに、図１に示すように電源供給線４の
幹配線６とグラウンド線１１との間にデカップリングコ
ンデンサ８ｄが配設されていることにより、図２に示す
ように、枝配線７（図１参照）で構成されたインダクタ
１４ａ，１４ｂ，１４ｃと、回路素子の近傍に配線され
たデカップリングコンデンサ８ａ，８ｂ，８ｃと、デカ
ップリングコンデンサ８ｄとによって、電源層３（図１
参照）とグラウンド層１０（図１参照）との間にいわゆ
るπ型フィルタが形成される。従って、電源層に流入す
る高周波電流の抑止効果をより向上させることができ
る。

【００２９】次に、図１および図２に示した多層プリン
ト基板の配線構造の変形例を図３に示す。図３は、図１
および図２に示した多層プリント基板の配線構造の変形
例における電源層を示す斜視図である。

【００３０】図３に示すように、本変形例の多層プリン
ト基板２１の電源層２３における幹配線２６は、可能な
限り広くなるように設けられることが望ましい。その
他、電源供給線２４、絶縁層２２ａ、電源供給端子２
５、枝配線２７およびスルーホール２９の各構成は、図
１に示した多層プリント基板１の構成と同様であるの
で、説明は省略する。

【００３１】上記の構成により、幹配線２６の抵抗が一
層小さくなるため、幹配線２６（すなわち電源層２３）
における直流的な電圧変動を、より一層抑制することが
できる。

【００３２】次に、図１および図２に示した多層プリン
ト基板の配線構造の他の変形例を図４に示す。図４は、
図１および図２に示した多層プリント基板の配線構造の
他の変形例における電源層を示す斜視図である。

【００３３】図４に示すように、本変形例の多層プリン
ト基板４１の電源層４３には、複数の電源供給線４４が
各々独立して設けられている。各電源供給線４４におけ
る絶縁層４２ａ、電源供給端子４５、幹配線４６、枝配
線４７およびスルーホール４９の各構成は、図１に示し
た多層プリント基板１の構成と同様であるので、説明は
省略する。

【００３４】上記の構成により、それぞれの電源供給線
４４ごとに独立して電源を供給することができる。

【００３５】（第２の実施形態）図５は、本発明の多層
プリント基板の配線構造の第２の実施形態の構成を示す
断面図である。

【００３６】図５に示すように、本実施形態の多層プリ
ント基板の配線構造における多層プリント基板６１で
は、電源層６９の両面に第１の絶縁層６２ａが設けら
れ、各第１の絶縁層６２ａの表面にはグラウンド層７０
が設けられている。さらに、各グラウンド層７０の表面
には第２の絶縁層６２ｂが設けられ、各第２の絶縁層６
２ｂの表面には、信号を伝送するための配線回路が形成
された信号層７７が設けられている。第１の絶縁層６２
ａは、飽和磁束密度が十分大きい磁性体と、残留磁束密
度が十分小さい磁性体とを含有する磁性体混合絶縁材に
よって形成されている。また、第２の絶縁層６２ｂは、
エポキシ樹脂等からなる一般的な絶縁材料によって形成
されている。

【００３７】電源層６９における電源供給線、電源供給
端子、幹配線、枝配線およびスルーホール等（いずれも
不図示）は、図１に示した多層プリント基板１の電源層
３と同様の構成であるので、説明は省略する。また、各
グラウンド層７０におけるグラウンド線、電源供給グラ
ウンド端子、スルーホール、回路素子およびデカップリ
ングコンデンサ等（いずれも不図示）も、図１に示した
多層プリント基板１のグラウンド層１０と同様の構成で
あるので、説明は省略する。

【００３８】なお、多層プリント基板における電源層、
グラウンド層、信号層の層数は図５に示した多層プリン
ト基板６１の層数に限られず、任意の層数に設けてもよ
い。また、磁性体混合絶縁材からなる絶縁層は電源層の
両面に設けられている必要はなく、少なくとも片面に設
けられていればよい。

【００３９】このように、電源層６９の表面に磁性体混
合絶縁材からなる絶縁層６２ａが設けられていることに
より、電源供給線の枝配線におけるインダクタンス値が
増幅される。従って、枝配線でのインピーダンスが大き
くなるので、電源層６９を通って他の回路素子やデカッ
プリングコンデンサに流れ込む高周波電流を、さらに低
減することができる。

【００４０】ここで、上述した磁性体混合絶縁材の特性
を説明する。

【００４１】図６は、金属板８０の表面に磁性体混合絶
縁材からなる磁性体層８１が形成された構造体モデル８
２を示す斜視図である。図６に示す構造体モデル８２に
おける、Ｙ軸方向の単位長さあたりのインピーダンスＺ
は、Ｚ＝Ｐ_sd＋ｊωμ₀（μ_a−１）ｄと表される。ただし、Ｐ_sdは表皮効果によるインピーダ
ンス、ｊωμ₀（μ_a−１）ｄは磁性体層８１の効果によ
るインピーダンス、μ₀は真空中の透磁率、μ_aは磁性体
混合絶縁材の比透磁率、ｄは磁性体層８１の厚さであ
る。

【００４２】なお、磁性体混合絶縁材の比透磁率μ_aは
複素透磁率として表され、 μ_a＝μ_a’−ｉμ_a” の関係を有する。図７に、磁性体混合絶縁材の比透磁率
の周波数特性を示す。

【００４３】前述したように、電源層の表面に磁性体混
合絶縁材からなる絶縁層が設けられると、電源供給線の
インピーダンス付加回路における分布インダクタンスが
増幅される。この分布インダクタンス値は、磁性体混合
絶縁材の比透磁率μ_aの実数部μ_a’の大きさに比例して
大きくなるという特性を有する。インピーダンス付加回
路は高周波電流を除去するために設けられているので、
数百ＭＨｚ以上の高周波域でも高いインダクタンス値を
有することが必要とされる。そのため、比透磁率μ_aの
実数部μ_a’は、図７に示すように、高周波域での低下
傾向が小さいことが望ましい。

【００４４】一方、磁性体混合絶縁材の比透磁率μ_aの
虚数部μ_a”は、比透磁率μ_aにおける抵抗成分であり、
インピーダンス付加回路におけるインピーダンスを低下
させる作用がある。そのため、比透磁率μ_aの虚数部
μ_a”は、図７に示すように、数百ＭＨｚ以上の高周波
数域での増加傾向が小さいことが望ましい。

【００４５】このように、インピーダンス付加回路は、
数百ＭＨｚ以上の高周波域でも高いインダクタンス値を
有することが求められている。そのため、磁性体混合絶
縁材には、高周波域における比透磁率の周波数特性が良
好な磁性体材料を用いることが好ましい。つまり、磁性
体混合絶縁材の比透磁率は、高周波電流が抑止される値
にインピーダンス付加回路でのインピーダンスを増幅す
ることができる周波数特性を有することが望ましい。こ
れにより、インピーダンス付加回路を流れる高周波電流
をさらに抑止することができる。

【００４６】図８は、磁性体混合絶縁材の磁化曲線
（「Ｂ−Ｈ曲線」ともいう。）を示す図である。図８に
おいて、縦軸のＢは磁束密度を表し、横軸のＨは磁界を
表す。磁界Ｈは、磁性体混合絶縁材の近傍を流れる電流
によって励磁され、磁界Ｈの大きさはその電流の大きさ
に比例する。また、図８に示すように、磁性体混合絶縁
材の磁化曲線はヒステリシス曲線を描く。

【００４７】インピーダンス付加回路には、回路素子の
スイッチング動作時に発生する貫通電流等のように瞬間
的に数アンペア程度の大きな電流が流れることがある。
しかし、前述したように、磁性体混合絶縁材は飽和磁束
密度Ｂｓが十分大きい磁性体を含有するので、前記の貫
通電流のような電流がインピーダンス付加回路を流れて
比較的大きな磁界Ｈｍが発生しても、磁束密度Ｂｍは飽
和しない。そのため、インピーダンス付加回路における
インピーダンスは、瞬間的に流れる電流の大きさに応じ
て増幅されるので、インピーダンス付加回路に瞬間的に
大きな電流が流れても、その電流が電源層を通って他の
回路素子やデカップリングコンデンサに流れ込むことを
防ぐことができる。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層プリ
ント基板の配線構造は、前記電源供給線には、電源供給
線とグラウンド線との間に配線されたデカップリングコ
ンデンサの接続部と電源供給端子との間における電源供
給線にインピーダンス付加回路が設けられているので、
ある回路素子から発生した高周波電流が、電源層を通っ
て他の回路素子やデカップリングコンデンサに流れ込む
ことを従来よりも一層抑制することができる。

【００４９】また、電源供給線を平板状の幹配線部と細
線状に形成されインピーダンス付加回路として機能する
枝配線部とで構成し、枝配線部に回路素子を接続するこ
とにより、幹配線における直流的な電圧変動を抑制する
ことができるとともに、回路素子から発生した高周波電
流をデカップリングコンデンサを迂回してグラウンド線
に排除させることができる。

【００５０】さらに、幹配線部とグラウンド線との間に
デカップリングコンデンサを配線することにより、電源
層とグラウンド層との間にπ型フィルタが形成されるの
で、電源層に流入する高周波電流の抑止効果をより向上
させることができる。

【００５１】また、電源層上に磁性体を含有する磁性体
混合絶縁層を設けることにより、枝配線でのインピーダ
ンスが大きくなるので、電源層を通って他の回路素子や
デカップリングコンデンサに流れ込む高周波電流をさら
に低減することができる。

【００５２】さらに、磁性体の比透磁率は、インピーダ
ンス付加回路を流れる高周波電流が抑止される値となる
ようにインピーダンス付加回路のインピーダンス値を増
幅することができる周波数特性を有することにより、イ
ンピーダンス付加回路を流れる高周波電流をさらに抑止
することができる。

【００５３】加えて、磁性体は、インピーダンス付加回
路を流れる電流によって発生する磁界によっては飽和し
ない飽和磁束密度を有することにより、インピーダンス
付加回路に瞬間的に大きな電流が流れても、その電流が
電源層を通って他の回路素子やデカップリングコンデン
サに流れ込むことを防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施形態の多層プリント基板の配線構造にお
ける多層プリント基板の電源層およびグラウンド層を示
す斜視図である。

【図２】図１に示した多層プリント基板の配線構造にお
ける等価回路図である。

【図３】図１および図２に示した多層プリント基板の配
線構造の変形例における多層プリント基板の電源層を示
す斜視図である。

【図４】図１および図２に示した多層プリント基板の配
線構造の他の変形例における多層プリント基板の電源層
を示す斜視図である。

【図５】本発明の多層プリント基板の配線構造の第２の
実施形態の構成を示す断面図である。

【図６】金属板の表面に磁性体混合絶縁材からなる磁性
体層が形成された構造体モデルを示す斜視図である。

【図７】磁性体混合絶縁材の比透磁率の周波数特性を示
す図である。

【図８】磁性体混合絶縁材の磁化曲線を示す図である。

【図９】従来の多層プリント基板の配線構造における等
価回路図である。

【符号の説明】

１，２１，４１，６１多層プリント基板１’ 多層プリント基板の配線構造２ａ，２ｂ，２２ａ，４２ａ絶縁層３，２３，４３，６９電源層４，２４，４４電源供給線５，２５，４５電源供給端子６，２６，４６幹配線７，２７，４７枝配線８，８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄデカップリングコンデ
ンサ９，１６，２９，４９スルーホール１０，７０グラウンド層１１グラウンド線１２電源供給グラウンド端子１３電源装置１４ａ，１４ｂ，１４ｃインダクタ１５ａ，１５ｂ，１５ｃ回路素子６２ａ第１の絶縁層６２ｂ第２の絶縁層７７信号層８０金属板８１磁性体層８２構造体モデル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者嶋田勇三東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内 (72)発明者金子俊之東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電源層とグラウンド層とが積層された多
層プリント基板を有し、前記電源層には、電源装置から
前記電源層に供給される電源を前記多層プリント基板に
実装される回路素子に供給する電源供給線が形成され、
前記グラウンド層には、前記回路素子が接続されるグラ
ウンド線が形成され、前記電源供給線と前記グラウンド
線との間には、前記回路素子が接続される部分の近傍に
デカップリングコンデンサが接続され、前記電源供給線
には前記電源装置が接続される電源供給端子が形成され
ている多層プリント基板の配線構造において、前記電源供給線には、前記デカップリングコンデンサの
接続部と前記電源供給端子との間にインピーダンス付加
回路が設けられていることを特徴とする多層プリント基
板の配線構造。
【請求項２】前記電源供給線は平板状に形成された幹
配線部と、細線状に形成され前記インピーダンス付加回
路として機能する枝配線部とを有し、前記回路素子は前
記枝配線部に接続されている請求項１記載の多層プリン
ト基板の配線構造。
【請求項３】前記幹配線部と前記グラウンド線との間
にデカップリングコンデンサが配線されている請求項２
記載の多層プリント基板の配線構造。
【請求項４】前記電源層上に、磁性体を含有する磁性
体混合絶縁層が設けられている請求項２または３記載の
多層プリント基板の配線構造。
【請求項５】前記磁性体の比透磁率は、前記インピー
ダンス付加回路を流れる高周波電流が抑止される値とな
るように前記インピーダンス付加回路のインピーダンス
値を増幅することができる周波数特性を有する請求項４
記載の多層プリント基板の配線構造。
【請求項６】前記磁性体は、前記インピーダンス付加
回路を流れる電流によって発生する磁界によっては飽和
しない飽和磁束密度を有する請求項４または５記載の多
層プリント基板の配線構造。