JPH10284315A - 酸化物磁性材料およびインダクタンス素子 - Google Patents
酸化物磁性材料およびインダクタンス素子Info
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- JPH10284315A JPH10284315A JP9081765A JP8176597A JPH10284315A JP H10284315 A JPH10284315 A JP H10284315A JP 9081765 A JP9081765 A JP 9081765A JP 8176597 A JP8176597 A JP 8176597A JP H10284315 A JPH10284315 A JP H10284315A
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来、ページャーのような電子機器にはループ
アンテナが用いられているが、これにはＱが高いという
利点はあるけれども全体として大形化する傾向がある。
また、公知の酸化物磁性材料からなる磁心を用いたのコ
イルでは、インダクタンスが高いので小型化が可能であ
り、Ｑも大きくなるが、インダクタンスの温度変化率が
大きいという課題がある。本発明はこのような課題を解
決することを目的とするものであって、酸化物磁性材料
からなる磁心について、高いＱを維持しつつインダクタ
ンスの温度変化率を改善する添加成分及び添加物量を選
択した酸化物磁性材料を提供することを目的とする。 【解決手段】高周波帯で使用される酸化物磁性材料であ
って、酸化物換算でＦｅ2Ｏ3を１５乃至３０ｍｏｌ％、
ＣｕＯを６乃至１２ｍｏｌ％、ＮｉＯを５８乃至７９ｍ
ｏｌ％を主成分とし、ＰｂＯ を １．５乃至４．
５ｗｔ％、ＳｉＯ2を１．０乃至３．７ｗｔ％、ＣｏＯ
を０．７乃至１．０ｗｔ％、及びＺｎＯを０．０乃至
１．０ｗｔ％、を添加成分として含有する。
アンテナが用いられているが、これにはＱが高いという
利点はあるけれども全体として大形化する傾向がある。
また、公知の酸化物磁性材料からなる磁心を用いたのコ
イルでは、インダクタンスが高いので小型化が可能であ
り、Ｑも大きくなるが、インダクタンスの温度変化率が
大きいという課題がある。本発明はこのような課題を解
決することを目的とするものであって、酸化物磁性材料
からなる磁心について、高いＱを維持しつつインダクタ
ンスの温度変化率を改善する添加成分及び添加物量を選
択した酸化物磁性材料を提供することを目的とする。 【解決手段】高周波帯で使用される酸化物磁性材料であ
って、酸化物換算でＦｅ2Ｏ3を１５乃至３０ｍｏｌ％、
ＣｕＯを６乃至１２ｍｏｌ％、ＮｉＯを５８乃至７９ｍ
ｏｌ％を主成分とし、ＰｂＯ を １．５乃至４．
５ｗｔ％、ＳｉＯ2を１．０乃至３．７ｗｔ％、ＣｏＯ
を０．７乃至１．０ｗｔ％、及びＺｎＯを０．０乃至
１．０ｗｔ％、を添加成分として含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は酸化物磁性材料お
よびその製造方法に関するものであり、例えば、需要が
高水準にあるページャー（ポケベル）等のような、２０
０〜５００ＭＨｚの高周波帯で使用される電子機器に使
用される、アンテナコイルやインダクタンス素子のため
の磁心の好適な酸化物磁性材料およびその製造方法に関
するものである。
よびその製造方法に関するものであり、例えば、需要が
高水準にあるページャー（ポケベル）等のような、２０
０〜５００ＭＨｚの高周波帯で使用される電子機器に使
用される、アンテナコイルやインダクタンス素子のため
の磁心の好適な酸化物磁性材料およびその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の磁心を構成するための酸化物磁
性材料は、例えば特開昭６３−１６９００５号公報に開
示されているように、２００ＭＨｚ以上の高周波帯で用
いられている電子機器の帯域フィルター等のインダクタ
ンス素子用磁心に使われている。
性材料は、例えば特開昭６３−１６９００５号公報に開
示されているように、２００ＭＨｚ以上の高周波帯で用
いられている電子機器の帯域フィルター等のインダクタ
ンス素子用磁心に使われている。
【０００３】前記のページャーのためのアンテナコイル
としては、通常はループアンテナ（空心コイル）が用い
られている。ところが、このようなループアンテナはＱ
が高い長所はあるが、インダクタンス等の特性を調整す
ることが困難であり、また、振動等の外力のために変動
しやすいという短所がある。更に、インダクタンスを増
大させるためには巻線の巻回数を増大させる必要がある
が、そのため全体として大形化するという欠点もある。
としては、通常はループアンテナ（空心コイル）が用い
られている。ところが、このようなループアンテナはＱ
が高い長所はあるが、インダクタンス等の特性を調整す
ることが困難であり、また、振動等の外力のために変動
しやすいという短所がある。更に、インダクタンスを増
大させるためには巻線の巻回数を増大させる必要がある
が、そのため全体として大形化するという欠点もある。
【０００４】これに対して、前記特開昭６３−１６９０
０５号公報において開示されているような酸化物磁性材
料からなる磁心入りのコイルにおいてはインダクタンス
の調整が容易であり、小形化に適当であるという利点は
あるが、Ｑが低いという欠点がある。
０５号公報において開示されているような酸化物磁性材
料からなる磁心入りのコイルにおいてはインダクタンス
の調整が容易であり、小形化に適当であるという利点は
あるが、Ｑが低いという欠点がある。
【０００５】Ｑの改善は特開平０８−３３９９１３号公
報に示されるように達成することが可能である。しかし
ながら、高いＱが得られるという利点があるがインダク
タンスの温度変化率が大きい。
報に示されるように達成することが可能である。しかし
ながら、高いＱが得られるという利点があるがインダク
タンスの温度変化率が大きい。
【０００６】表１にＦｅ2Ｏ3を２３ｍｏｌ％、ＣｕＯを
９ｍｏｌ％、ＮｉＯを６８ｍｏｌ％主成分として含有
し、添加物を含有させて得られた酸化物磁性材料の２８
０ＭＨｚにおけるＱ値、１００ＫＨｚにおけるインダク
タンスの温度変化率を測定したところ表１に示すような
結果が得られた。
９ｍｏｌ％、ＮｉＯを６８ｍｏｌ％主成分として含有
し、添加物を含有させて得られた酸化物磁性材料の２８
０ＭＨｚにおけるＱ値、１００ＫＨｚにおけるインダク
タンスの温度変化率を測定したところ表１に示すような
結果が得られた。
【０００７】
【表１】
【０００８】このように、Ｑは改善されているがインダ
クタンスの温度変化率が大きく、アンテナコイル等の高
周波インダクタに用いるのには不適当である。
クタンスの温度変化率が大きく、アンテナコイル等の高
周波インダクタに用いるのには不適当である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来、ページャーのよ
うな電子機器にはループアンテナが用いられているが、
これにはＱが高いという利点はあるけれども全体として
大形化する傾向がある。また、特開平０８−３３９９１
３号公報に記載されている酸化物磁性材料からなる磁心
を用いたのコイルでは、インダクタンスが高いので小型
化が可能であり、Ｑも大きくなるが、インダクタンスの
温度変化率が大きいという課題がある。
うな電子機器にはループアンテナが用いられているが、
これにはＱが高いという利点はあるけれども全体として
大形化する傾向がある。また、特開平０８−３３９９１
３号公報に記載されている酸化物磁性材料からなる磁心
を用いたのコイルでは、インダクタンスが高いので小型
化が可能であり、Ｑも大きくなるが、インダクタンスの
温度変化率が大きいという課題がある。
【００１０】インダクタンスの温度変化率が大きいと、
温度変化によりインダクタンスが大きく変化するので、
たとえばアンテナコイル等に使用した場合には同調周波
数や感度が不安定となる。 本
発明はこのような課題を解決することを目的とするもの
であって、酸化物磁性材料からなる磁心について、高い
Ｑを維持しつつインダクタンスの温度変化率を改善する
添加成分及び添加物量を選択した酸化物磁性材料を提供
することを目的とする。
温度変化によりインダクタンスが大きく変化するので、
たとえばアンテナコイル等に使用した場合には同調周波
数や感度が不安定となる。 本
発明はこのような課題を解決することを目的とするもの
であって、酸化物磁性材料からなる磁心について、高い
Ｑを維持しつつインダクタンスの温度変化率を改善する
添加成分及び添加物量を選択した酸化物磁性材料を提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するためになされたものであり、以下の諸事項を特徴
とするものである。即ち、（１）高周波帯で使用される
酸化物磁性材料であって、酸化物換算で Ｆｅ2Ｏ3 を １５乃至３０ｍｏｌ％ ＣｕＯ を ６乃至１２ｍｏｌ％ ＮｉＯ を ５８乃至７９ｍｏｌ％
を主成分とし ＰｂＯ を １．５乃至４．５ｗｔ％ ＳｉＯ2 を １．０乃至３．７ｗｔ％ ＣｏＯ を ０．７乃至１．０ｗｔ％ 及び ＺｎＯ を ０．０乃至１．０ｗｔ％ を添加成分として含有することを特徴とする酸化物磁性
材料を提供する。
決するためになされたものであり、以下の諸事項を特徴
とするものである。即ち、（１）高周波帯で使用される
酸化物磁性材料であって、酸化物換算で Ｆｅ2Ｏ3 を １５乃至３０ｍｏｌ％ ＣｕＯ を ６乃至１２ｍｏｌ％ ＮｉＯ を ５８乃至７９ｍｏｌ％
を主成分とし ＰｂＯ を １．５乃至４．５ｗｔ％ ＳｉＯ2 を １．０乃至３．７ｗｔ％ ＣｏＯ を ０．７乃至１．０ｗｔ％ 及び ＺｎＯ を ０．０乃至１．０ｗｔ％ を添加成分として含有することを特徴とする酸化物磁性
材料を提供する。
【００１２】（２）高周波帯で使用される酸化物磁性材
料の使用方法であって、酸化物換算で Ｆｅ2Ｏ3 を １５乃至３０ｍｏｌ％ ＣｕＯ を ６乃至１２ｍｏｌ％ ＮｉＯ を ５８乃至７９ｍｏｌ％
を主成分として混合し ＰｂＯ を １．５乃至４．５ｗｔ％ Ｔａｌｃ を １．５乃至５．５ｗｔ％ ＣｏＯ を ０．７乃至１．０ｗｔ％ 及び ＺｎＯ を ０．０乃至１．０ｗｔ％ を添加成分として添加することを特徴とする酸化物磁性
材料の製造方法を提供する。
料の使用方法であって、酸化物換算で Ｆｅ2Ｏ3 を １５乃至３０ｍｏｌ％ ＣｕＯ を ６乃至１２ｍｏｌ％ ＮｉＯ を ５８乃至７９ｍｏｌ％
を主成分として混合し ＰｂＯ を １．５乃至４．５ｗｔ％ Ｔａｌｃ を １．５乃至５．５ｗｔ％ ＣｏＯ を ０．７乃至１．０ｗｔ％ 及び ＺｎＯ を ０．０乃至１．０ｗｔ％ を添加成分として添加することを特徴とする酸化物磁性
材料の製造方法を提供する。
【００１３】（３） （１）または（２）記載の酸化
物磁性材料からなる磁心を用いたことを特徴とするアン
テナコイルである。
物磁性材料からなる磁心を用いたことを特徴とするアン
テナコイルである。
【００１４】（４） （１）または（２）記載の酸化
物磁性材料からなる磁心を用いたことを特徴とするイン
ダクタンス素子である。
物磁性材料からなる磁心を用いたことを特徴とするイン
ダクタンス素子である。
【００１５】
【発明の実施の形態】請求項１におけるこの発明に係わ
る酸化物磁性材料は、請求項２の酸化物磁性材料の製造
方法に基づいて製造されるものであるが、請求項２にお
いて添加原料としてＳｉＯ2に代えてＴａｌｃを用いる
のはコストの低減のためである。ここに、ＴａｌｃはＭ
ｇ3（Ｓｉ4Ｏ10）（ＯＨ）2からなるから、焼成後に若
干のＭｇＯが残留するが、焼成後の酸化物磁性材料は同
等であり、特性にも殆ど影響がない。請求項１および請
求項２のいずれの酸化物磁性材料によっても、２００〜
５００ＭＨｚの周波数帯で高いＱを維持しつつインダク
タンスの温度変化率を改善できる。
る酸化物磁性材料は、請求項２の酸化物磁性材料の製造
方法に基づいて製造されるものであるが、請求項２にお
いて添加原料としてＳｉＯ2に代えてＴａｌｃを用いる
のはコストの低減のためである。ここに、ＴａｌｃはＭ
ｇ3（Ｓｉ4Ｏ10）（ＯＨ）2からなるから、焼成後に若
干のＭｇＯが残留するが、焼成後の酸化物磁性材料は同
等であり、特性にも殆ど影響がない。請求項１および請
求項２のいずれの酸化物磁性材料によっても、２００〜
５００ＭＨｚの周波数帯で高いＱを維持しつつインダク
タンスの温度変化率を改善できる。
【００１６】請求項３および請求項４はそれぞれにアン
テナコイルおよびインダクタンス素子に係わる発明であ
るが、請求項１に記載の酸化物磁性材料からなる磁心を
用いているために、高周波数帯において高いＱを維持し
つつインダクタンスの温度変化率を改善できる。
テナコイルおよびインダクタンス素子に係わる発明であ
るが、請求項１に記載の酸化物磁性材料からなる磁心を
用いているために、高周波数帯において高いＱを維持し
つつインダクタンスの温度変化率を改善できる。
【００１７】
（実施例1）従来慣用の方法により、後述[Ａ]に示すよ
うな組成となるよう、「混合→仮焼成→粉砕→（棒状コ
アおよびトロイダルコアのような）所要形状への加圧成
型→（８００〜１０００℃のような）所定の温度で（2
時間程度の）所要時間の焼成」を行い、試料１、２を作
成した。
うな組成となるよう、「混合→仮焼成→粉砕→（棒状コ
アおよびトロイダルコアのような）所要形状への加圧成
型→（８００〜１０００℃のような）所定の温度で（2
時間程度の）所要時間の焼成」を行い、試料１、２を作
成した。
【００１８】［Ａ］基材組成として Ｆｅ2Ｏ3 ： ２３ｍｏｌ％ ＣｕＯ ： ９ｍｏｌ％ ＮｉＯ ： ６８ｍｏｌ％を含んでおり、 添加成分として、 ＰｂＯ ： ３．０ｗｔ％ ＳｉＯ2 ： １．７ｗｔ％ ＣｏＯ ： １．０ｗｔ％ 含有させ、 さらに試料１はＺｎＯを０．３ｗｔ％、試料２は同Ｚｎ
Ｏを０．７ｗｔ％含有し、棒状コア（２１ｍｍ長×９ｍ
ｍ幅×５．５ｍｍ厚）およびトロイダルコア（１８．６
ｍｍφ×１０．４ｍｍφ×４．７５ｍｍ厚）の形状に加
工されている。
Ｏを０．７ｗｔ％含有し、棒状コア（２１ｍｍ長×９ｍ
ｍ幅×５．５ｍｍ厚）およびトロイダルコア（１８．６
ｍｍφ×１０．４ｍｍφ×４．７５ｍｍ厚）の形状に加
工されている。
【００１９】このようにして得られた前記棒状コアに、
すずめっきを施した軟銅箔（１．３ｍｍ幅×０．２５ｍ
ｍ厚）を２Ｔｓ巻線してコイルを作成し、インピーダン
ス・アナライザーを用いて２８０ＭＨｚにおけるＱを測
定する。さらに、前記トロイダルコアに銅線（０．３５
ｍｍφ）を３０Ｔｓ巻線してコイルを作成し、該コイル
を恒温層内に設置して１００ｋＨｚにおけるインダクタ
ンスの温度変化をインピーダンス・アナライザーを用い
て測定した。以上の結果を表２に示す。
すずめっきを施した軟銅箔（１．３ｍｍ幅×０．２５ｍ
ｍ厚）を２Ｔｓ巻線してコイルを作成し、インピーダン
ス・アナライザーを用いて２８０ＭＨｚにおけるＱを測
定する。さらに、前記トロイダルコアに銅線（０．３５
ｍｍφ）を３０Ｔｓ巻線してコイルを作成し、該コイル
を恒温層内に設置して１００ｋＨｚにおけるインダクタ
ンスの温度変化をインピーダンス・アナライザーを用い
て測定した。以上の結果を表２に示す。
【００２０】
【表２】
【００２１】特開平０８−３３９９１３号公報に示され
る公知の酸化物と同等のＱ値が得ることができ、インダ
クタンスの温度変化率が改善されていることがわかる。
る公知の酸化物と同等のＱ値が得ることができ、インダ
クタンスの温度変化率が改善されていることがわかる。
【００２２】（実施例２）次に、従来の慣用方法により
後述［Ｂ］に示す基材および添加材料について、「混合
→仮焼成→粉砕→（棒状コアおよびトロイダルコアのよ
うな）所要形状への加圧成型→（８００〜１０００℃の
ような）所定の温度で（2時間程度の）所要時間の焼
成」を行った。
後述［Ｂ］に示す基材および添加材料について、「混合
→仮焼成→粉砕→（棒状コアおよびトロイダルコアのよ
うな）所要形状への加圧成型→（８００〜１０００℃の
ような）所定の温度で（2時間程度の）所要時間の焼
成」を行った。
【００２３】［Ｂ］基材組成として Ｆｅ2Ｏ3 ： ２３ｍｏｌ％ ＣｕＯ ： ９ｍｏｌ％ ＮｉＯ ： ６８ｍｏｌ％を含有させ、 添加成分として、 ＰｂＯ ： ０．５〜６．０ｗｔ％ Ｔａｌｃ ： ０．６〜８．０ｗｔ％ （ＳｉＯ2換算で
０．３〜４．０ｗｔ％） ＣｏＯ ： ０．５〜３．０ｗｔ％ ＺｎＯ ： ０〜１．０ｗｔ％
変化させ、棒状コア（２１ｍｍ長×９ｍｍ幅×５．５
ｍｍ厚）およびトロイダルコア（１８．６ｍｍφ×１
０．４ｍｍφ×４．７５ｍｍ厚）の形状の酸化物磁性材
料を作成してＱ値およびインダクタンスの温度変化率を
測定した。
０．３〜４．０ｗｔ％） ＣｏＯ ： ０．５〜３．０ｗｔ％ ＺｎＯ ： ０〜１．０ｗｔ％
変化させ、棒状コア（２１ｍｍ長×９ｍｍ幅×５．５
ｍｍ厚）およびトロイダルコア（１８．６ｍｍφ×１
０．４ｍｍφ×４．７５ｍｍ厚）の形状の酸化物磁性材
料を作成してＱ値およびインダクタンスの温度変化率を
測定した。
【００２４】図１はＰｂＯの含有量をパラメータとして
Ｔａｌｃ：２．５ｗｔ％、ＣｏＯ：１．０ｗｔ％、Ｚｎ
Ｏ：０ｗｔ％、としたときの２８０ＭＨｚにおけるＱお
よび１００ｋＨｚにおけるインダクタンスの温度変化率
を示すグラフであり、１１がＱの変化を１２がインダク
タンス温度変化率の変化を表す。
Ｔａｌｃ：２．５ｗｔ％、ＣｏＯ：１．０ｗｔ％、Ｚｎ
Ｏ：０ｗｔ％、としたときの２８０ＭＨｚにおけるＱお
よび１００ｋＨｚにおけるインダクタンスの温度変化率
を示すグラフであり、１１がＱの変化を１２がインダク
タンス温度変化率の変化を表す。
【００２５】一般にＱは２５０以上あれば高周波用酸化
物磁性材料として実用になるとされるので、ＰｂＯは
１．５ｗｔ％〜４．５ｗｔ％であればＱも高くインダク
タンスの温度変化率も２５０ｐｐｍ／℃以下となって当
初の目的である高いＱと小さな温度変化率を持つ酸化物
磁性材料を得ることができる。
物磁性材料として実用になるとされるので、ＰｂＯは
１．５ｗｔ％〜４．５ｗｔ％であればＱも高くインダク
タンスの温度変化率も２５０ｐｐｍ／℃以下となって当
初の目的である高いＱと小さな温度変化率を持つ酸化物
磁性材料を得ることができる。
【００２６】図２はＳｉＯ2の含有量をパラメータとし
てＰｂＯ：３．０ｗｔ％、ＣｏＯ：１．０ｗｔ％、Ｚｎ
Ｏ：０ｗｔ％、としたときの２８０ＭＨｚにおけるＱお
よび１００ｋＨｚにおけるインダクタンスの温度変化率
を示すグラフであり、２１がＱの変化を２２がインダク
タンス温度変化率の変化を表す。
てＰｂＯ：３．０ｗｔ％、ＣｏＯ：１．０ｗｔ％、Ｚｎ
Ｏ：０ｗｔ％、としたときの２８０ＭＨｚにおけるＱお
よび１００ｋＨｚにおけるインダクタンスの温度変化率
を示すグラフであり、２１がＱの変化を２２がインダク
タンス温度変化率の変化を表す。
【００２７】ＳｉＯ2は１．０ｗｔ％〜３．７ｗｔ％で
あればＱも高く（２５０以上）インダクタンスの温度変
化率も２５０ｐｐｍ／℃以下となる。
あればＱも高く（２５０以上）インダクタンスの温度変
化率も２５０ｐｐｍ／℃以下となる。
【００２８】図３はＣｏＯの含有量をパラメータとして
ＰｂＯ：３．０ｗｔ％、 ＳｉＯ2：１．７ｗｔ％、Ｚｎ
Ｏ：０ｗｔ％、としたときの２８０ＭＨｚにおけるＱお
よび１００ｋＨｚにおけるインダクタンスの温度変化率
を示すグラフであり、３１がＱの変化を３２がインダク
タンス温度変化率の変化を表す。
ＰｂＯ：３．０ｗｔ％、 ＳｉＯ2：１．７ｗｔ％、Ｚｎ
Ｏ：０ｗｔ％、としたときの２８０ＭＨｚにおけるＱお
よび１００ｋＨｚにおけるインダクタンスの温度変化率
を示すグラフであり、３１がＱの変化を３２がインダク
タンス温度変化率の変化を表す。
【００２９】ＣｏＯは０．７ｗｔ％〜１．０ｗｔ％であ
ればＱも高く（２５０以上）インダクタンスの温度変化
率も２５０ｐｐｍ／℃以下となる。
ればＱも高く（２５０以上）インダクタンスの温度変化
率も２５０ｐｐｍ／℃以下となる。
【００３０】図４はＺｎＯの含有量をパラメータとして
ＰｂＯ：３．０ｗｔ％、 ＳｉＯ2：１．７ｗｔ％、 Ｃ
ｏＯ：１．０ｗｔ％、としたときの２８０ＭＨｚにおけ
るＱおよび１００ｋＨｚにおけるインダクタンスの温度
変化率を示すグラフであり、４１がＱの変化を４２がイ
ンダクタンス温度変化率の変化を表す。
ＰｂＯ：３．０ｗｔ％、 ＳｉＯ2：１．７ｗｔ％、 Ｃ
ｏＯ：１．０ｗｔ％、としたときの２８０ＭＨｚにおけ
るＱおよび１００ｋＨｚにおけるインダクタンスの温度
変化率を示すグラフであり、４１がＱの変化を４２がイ
ンダクタンス温度変化率の変化を表す。
【００３１】ＺｎＯは０ｗｔ％〜１．０ｗｔ％であれば
Ｑも高く（２５０以上）インダクタンスの温度変化率も
２５０ｐｐｍ／℃以下となる。
Ｑも高く（２５０以上）インダクタンスの温度変化率も
２５０ｐｐｍ／℃以下となる。
【００３２】以上のように、本発明にかかる磁性材料は
従来から知られている含有量である Ｆｅ2Ｏ3 を １５〜３０ｍｏｌ％ ＣｕＯ を ６〜１２ｍｏｌ％ ＮｉＯ を ５８〜７９ｍｏｌ％
を主成分として含有し ＰｂＯ を １．５〜４．５ｗｔ％ ＳｉＯ2 を １．０〜３．７ｗｔ％ ＣｏＯ を ０．７〜１．０ｗｔ％ 及び ＺｎＯ を ０．０〜１．０ｗｔ％添加成分として
含有すれば、Ｑも高くインダクタンスの温度変化率も２
５０ｐｐｍ／℃以下となって、高いＱと小さな温度変化
率を持つ酸化物磁性材料を得ることができる。
従来から知られている含有量である Ｆｅ2Ｏ3 を １５〜３０ｍｏｌ％ ＣｕＯ を ６〜１２ｍｏｌ％ ＮｉＯ を ５８〜７９ｍｏｌ％
を主成分として含有し ＰｂＯ を １．５〜４．５ｗｔ％ ＳｉＯ2 を １．０〜３．７ｗｔ％ ＣｏＯ を ０．７〜１．０ｗｔ％ 及び ＺｎＯ を ０．０〜１．０ｗｔ％添加成分として
含有すれば、Ｑも高くインダクタンスの温度変化率も２
５０ｐｐｍ／℃以下となって、高いＱと小さな温度変化
率を持つ酸化物磁性材料を得ることができる。
【００３３】さらに、製造時においては、 ＳｉＯ2の代
替えとしてＴａｌｃを用いて本発明にかかる酸化物磁性
材料を作成しても特性に差がなく、 ＳｉＯ2の必要量で
ある１．０〜３．７ｗｔ％と同等となるようＴａｌｃを
１．５〜５．５ｗｔ％混合すればよいことがわかる。
替えとしてＴａｌｃを用いて本発明にかかる酸化物磁性
材料を作成しても特性に差がなく、 ＳｉＯ2の必要量で
ある１．０〜３．７ｗｔ％と同等となるようＴａｌｃを
１．５〜５．５ｗｔ％混合すればよいことがわかる。
【００３４】また、本発明にかかる酸化物磁性材料から
なるコアを用いて、ページャー等の電子機器用のアンテ
ナコイルやインダクタンス素子を構成したところ、所望
の高いＱと安定した温度特性を実現することができた。
なるコアを用いて、ページャー等の電子機器用のアンテ
ナコイルやインダクタンス素子を構成したところ、所望
の高いＱと安定した温度特性を実現することができた。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる酸
化物磁性材料は、１００ＭＨｚ以上の高周波領域で所望
の高いＱと安定した温度特性得ることができる。また、
本発明にかかる酸化物磁性材料の製造法においてはＴａ
ｌｃをＳｉＯ2の代替えとして用いても、多少のＭｇＯ
が残留成分として残るが特性上の差異はなく、単体とし
てＳｉＯ2に比較して低廉なＴａｌｃを用いながら、高
いＱを維持しつつ安定した温度特性を示す酸化物磁性材
料を作ることができる。
化物磁性材料は、１００ＭＨｚ以上の高周波領域で所望
の高いＱと安定した温度特性得ることができる。また、
本発明にかかる酸化物磁性材料の製造法においてはＴａ
ｌｃをＳｉＯ2の代替えとして用いても、多少のＭｇＯ
が残留成分として残るが特性上の差異はなく、単体とし
てＳｉＯ2に比較して低廉なＴａｌｃを用いながら、高
いＱを維持しつつ安定した温度特性を示す酸化物磁性材
料を作ることができる。
【００３６】さらに、本発明にかかる酸化物磁性材料を
用いて、ページャー等の電子機器用アンテナコイルやイ
ンダクタンス素子を構成すれば、所望の高いＱを実現し
つつインダクタンスの温度変化を改善できるという効果
を有する。
用いて、ページャー等の電子機器用アンテナコイルやイ
ンダクタンス素子を構成すれば、所望の高いＱを実現し
つつインダクタンスの温度変化を改善できるという効果
を有する。
【図１】本発明にかかる酸化物磁性材料の特性をＰｂＯ
をパラメータとしたグラフである。
をパラメータとしたグラフである。
【図２】本発明にかかる酸化物磁性材料の特性をＳｉＯ
2をパラメータとしたグラフである。
2をパラメータとしたグラフである。
【図３】本発明にかかる酸化物磁性材料の特性をＣｏＯ
をパラメータとしたグラフである。
をパラメータとしたグラフである。
【図４】本発明にかかる酸化物磁性材料の特性をＺｎＯ
をパラメータとしたグラフである。
をパラメータとしたグラフである。
Claims (4)
- 【請求項１】高周波帯で使用される酸化物磁性材料であ
って、酸化物換算で Ｆｅ2Ｏ3 を １５乃至３０ｍｏｌ％ ＣｕＯ を ６乃至１２ｍｏｌ％ ＮｉＯ を ５８乃至７９ｍｏｌ％
を主成分とし ＰｂＯ を １．５乃至４．５ｗｔ％ ＳｉＯ2 を １．０乃至３．７ｗｔ％ ＣｏＯ を ０．７乃至１．０ｗｔ％ 及び ＺｎＯ を ０．０乃至１．０ｗｔ％ を添加成分として含有することを特徴とする酸化物磁性
材料。 - 【請求項２】高周波帯で使用される酸化物磁性材料の使
用方法であって、酸化物換算で Ｆｅ2Ｏ3 を １５乃至３０ｍｏｌ％ ＣｕＯ を ６乃至１２ｍｏｌ％ ＮｉＯ を ５８乃至７９ｍｏｌ％
を主成分として混合し ＰｂＯ を １．５乃至４．５ｗｔ％ Ｔａｌｃ を １．５乃至５．５ｗｔ％ ＣｏＯ を ０．７乃至１．０ｗｔ％ 及び ＺｎＯ を ０．０乃至１．０ｗｔ％ を添加成分として添加することを特徴とする酸化物磁性
材料の製造方法。 - 【請求項３】請求項1または２記載の酸化物磁性材料か
らなる磁心を用いたことを特徴とするアンテナコイル。 - 【請求項４】請求項1または２記載の酸化物磁性材料か
らなる磁心を用いたことを特徴とするインダクタンス素
子。
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|---|---|---|---|
| JP08176597A JP3839546B2 (ja) | 1997-04-01 | 1997-04-01 | 酸化物磁性材料およびインダクタンス素子 |
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| CN98108874A CN1111312C (zh) | 1997-04-01 | 1998-03-27 | 氧化物磁性材料及其制造方法、天线线圈和电感元件 |
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|---|---|---|---|
| JP08176597A JP3839546B2 (ja) | 1997-04-01 | 1997-04-01 | 酸化物磁性材料およびインダクタンス素子 |
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| JP3839546B2 JP3839546B2 (ja) | 2006-11-01 |
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|---|---|---|---|---|
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| WO2012073704A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | アンテナ装置、及び、通信装置 |
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| JPH0891919A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Tdk Corp | 酸化物磁性材料組成物とその製造方法、ならびにインダクタ、積層チップインダクタ、および複合積層部品 |
| JP3170179B2 (ja) * | 1995-06-13 | 2001-05-28 | ティーディーケイ株式会社 | 酸化物磁性材料およびその製造方法 |
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- 1997-04-01 JP JP08176597A patent/JP3839546B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-26 US US09/047,999 patent/US5916476A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-27 CN CN98108874A patent/CN1111312C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-01-14 HK HK99100182A patent/HK1015067A1/xx not_active IP Right Cessation
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| JP5216920B2 (ja) * | 2009-07-28 | 2013-06-19 | デクセリアルズ株式会社 | アンテナ装置、及び、通信装置 |
| WO2012073704A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | アンテナ装置、及び、通信装置 |
| JP2012119974A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Sony Chemical & Information Device Corp | アンテナ装置、及び、通信装置 |
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|---|---|
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| HK1015067A1 (en) | 1999-10-08 |
| CN1197987A (zh) | 1998-11-04 |
| CN1111312C (zh) | 2003-06-11 |
| US5916476A (en) | 1999-06-29 |
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