JPH05347207A - インダクタ用フェライトコア及びその製造方法 - Google Patents
インダクタ用フェライトコア及びその製造方法Info
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- JPH05347207A JPH05347207A JP4156389A JP15638992A JPH05347207A JP H05347207 A JPH05347207 A JP H05347207A JP 4156389 A JP4156389 A JP 4156389A JP 15638992 A JP15638992 A JP 15638992A JP H05347207 A JPH05347207 A JP H05347207A
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- inductor
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- ferrite core
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波領域で使用される小型の薄型インダク
タにおける絶縁が充分にでき，しかも高効率な電源が実
現できる低損失な薄型インダクタ用フェライトコアとそ
の製造方法を提供すること。 【構成】 インダクタ用フェライトコアは，主成分とし
て，３７〜４２ mol％のＭｎＯ，４〜１０．５ mol％の
ＺｎＯ，５２．５〜５４ mol％のＦｅ2 Ｏ3 を含有し，
第１及び第２の副成分として，総量に対して０．０２５
重量％のＳｉＯ2と，０．０３〜０．１５wt％のＣａＯ
とを含有し，且つ第３の副成分として，総量に対して
０．０５〜０．６wt％のＨｆＯ2 及び０．０３〜０．１
５wt％のＺｒＯ2 のうちの少なくとも一種を含有するス
ピネル型Ｍｎ−Ｚｎフェライト焼成体と，前記焼成体の
表面を被覆する絶縁皮膜とを備えている。このインダク
タ用フェライトコアは，アルコラートをスピネル型Ｍｎ
−Ｚｎフェライト焼成体に塗布後，加水分解，加熱酸化
によって金属酸化物被膜を形成することによって製造さ
れている。
タにおける絶縁が充分にでき，しかも高効率な電源が実
現できる低損失な薄型インダクタ用フェライトコアとそ
の製造方法を提供すること。 【構成】 インダクタ用フェライトコアは，主成分とし
て，３７〜４２ mol％のＭｎＯ，４〜１０．５ mol％の
ＺｎＯ，５２．５〜５４ mol％のＦｅ2 Ｏ3 を含有し，
第１及び第２の副成分として，総量に対して０．０２５
重量％のＳｉＯ2と，０．０３〜０．１５wt％のＣａＯ
とを含有し，且つ第３の副成分として，総量に対して
０．０５〜０．６wt％のＨｆＯ2 及び０．０３〜０．１
５wt％のＺｒＯ2 のうちの少なくとも一種を含有するス
ピネル型Ｍｎ−Ｚｎフェライト焼成体と，前記焼成体の
表面を被覆する絶縁皮膜とを備えている。このインダク
タ用フェライトコアは，アルコラートをスピネル型Ｍｎ
−Ｚｎフェライト焼成体に塗布後，加水分解，加熱酸化
によって金属酸化物被膜を形成することによって製造さ
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，移動通信機等に用いら
れる小型電源に搭載される薄型インダクタ用フェライト
コア，及びその製造方法に関する。
れる小型電源に搭載される薄型インダクタ用フェライト
コア，及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の著しい電子機器，通信機の小型化
に伴い，これら機器に搭載される電源の小型化，高性能
化が強く要望されている。
に伴い，これら機器に搭載される電源の小型化，高性能
化が強く要望されている。
【０００３】それ故トランス部として用いられるインダ
クタの駆動周波数をMHz 帯まで上昇させ，小型化を図る
ことを行っている。また小型化になるに伴い，その他電
源構成部品との接続する端子部をコアの表面に設ける構
造が主流となりつつある。具体的には，インダクタを構
成する２ヶのコアの中にコイルを配置し，コアの縁部に
コの字型の端子をかしめ，このかしめた端子にコイルの
引き出し線及び他素子との配線をハンダ付けするという
方法がある。
クタの駆動周波数をMHz 帯まで上昇させ，小型化を図る
ことを行っている。また小型化になるに伴い，その他電
源構成部品との接続する端子部をコアの表面に設ける構
造が主流となりつつある。具体的には，インダクタを構
成する２ヶのコアの中にコイルを配置し，コアの縁部に
コの字型の端子をかしめ，このかしめた端子にコイルの
引き出し線及び他素子との配線をハンダ付けするという
方法がある。
【０００４】この時，組み上げたインダクタはせいぜい
５×１０の面積でその高さもせいぜい３〜５mm程度と極
めて小さいものとなる。さらにコアに直接，組み込んだ
コの字型の端子部間の距離も，１〜２mmと極めて短距離
のものとなる。
５×１０の面積でその高さもせいぜい３〜５mm程度と極
めて小さいものとなる。さらにコアに直接，組み込んだ
コの字型の端子部間の距離も，１〜２mmと極めて短距離
のものとなる。
【０００５】これまではこの構造のように極めて小型の
インダクタ用のフェライトコアとしては，コアでの絶縁
（端子間での）を考慮し，比較的低誘電率で高周波領域
での抵抗が高いＮｉ−Ｚｎ系フェライトが使用されてき
た。
インダクタ用のフェライトコアとしては，コアでの絶縁
（端子間での）を考慮し，比較的低誘電率で高周波領域
での抵抗が高いＮｉ−Ｚｎ系フェライトが使用されてき
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし，前述したよう
に，インダクタ用のフェライトコアとしてＮｉ−Ｚｎ系
フェライトを用いた場合では，コアロスが大きいため，
効率が悪く，低パワーの電源しか作成できないという欠
点を有していた。
に，インダクタ用のフェライトコアとしてＮｉ−Ｚｎ系
フェライトを用いた場合では，コアロスが大きいため，
効率が悪く，低パワーの電源しか作成できないという欠
点を有していた。
【０００７】また，低損失なフェライトとしてＭｎ−Ｚ
ｎフェライトがあるが，この種の材料は高周波での電気
抵抗が著しく小さいため，前述したインダクタ構造で
は，端子間での漏電が生じ，インダクタとして，機能し
ないという欠点を有していた。
ｎフェライトがあるが，この種の材料は高周波での電気
抵抗が著しく小さいため，前述したインダクタ構造で
は，端子間での漏電が生じ，インダクタとして，機能し
ないという欠点を有していた。
【０００８】そこで，本発明の技術的課題は，高周波領
域で使用される小型の薄型インダクタにおける絶縁が充
分にでき，しかも高効率な電源が実現できる低損失な薄
型インダクタ用フェライトコアとその製造方法を提供す
ることにある。
域で使用される小型の薄型インダクタにおける絶縁が充
分にでき，しかも高効率な電源が実現できる低損失な薄
型インダクタ用フェライトコアとその製造方法を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト
のトランス材としては，従来の電源のスイッチング駆動
周波数が，１００〜２００kHz の領域であったために，
その駆動周波数に適合したＦｅ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ，ＺｎＯ
組成を用い，さらにＭｎ−Ｚｎ系フェライトの高特性化
に不可欠な粒界相成分となるＳｉＯ2 ，ＣａＯもその駆
動周波数に適合した組成を用いている。しかしながら，
近年の電子機器の小型化に伴う駆動周波数の大巾な上昇
に伴い（例えば１MHz)，従来のＭｎ−Ｚｎフェライトの
組成，副成分組成では，この１MHz 帯の領域のパワーロ
スが大きすぎ，しかも，高周波での電気抵抗が，低くな
りすぎてしまうため前述した薄型で小型のトランスとし
ては使用できなかった。これは，Ｆｅ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ，
ＺｎＯ組成が，MHz 帯のコア材として適していないこ
と，及び粒界成分であるＳｉＯ2 ，ＣａＯ等の組成が適
していないために，高周波での渦電流損失が大きくなり
過ぎてしまうためである。
のトランス材としては，従来の電源のスイッチング駆動
周波数が，１００〜２００kHz の領域であったために，
その駆動周波数に適合したＦｅ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ，ＺｎＯ
組成を用い，さらにＭｎ−Ｚｎ系フェライトの高特性化
に不可欠な粒界相成分となるＳｉＯ2 ，ＣａＯもその駆
動周波数に適合した組成を用いている。しかしながら，
近年の電子機器の小型化に伴う駆動周波数の大巾な上昇
に伴い（例えば１MHz)，従来のＭｎ−Ｚｎフェライトの
組成，副成分組成では，この１MHz 帯の領域のパワーロ
スが大きすぎ，しかも，高周波での電気抵抗が，低くな
りすぎてしまうため前述した薄型で小型のトランスとし
ては使用できなかった。これは，Ｆｅ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ，
ＺｎＯ組成が，MHz 帯のコア材として適していないこ
と，及び粒界成分であるＳｉＯ2 ，ＣａＯ等の組成が適
していないために，高周波での渦電流損失が大きくなり
過ぎてしまうためである。
【００１０】そこで，本発明では，コア材としての組成
をMHz 帯のような高周波材として適したものを見い出
し，さらにコアでの絶縁がとれ，しかも，ハンダ付作業
等時に皮膜の損傷がなく，しかも，皮膜形成時の加熱等
によるコア自身の特性劣化がない方法を見い出したもの
である。
をMHz 帯のような高周波材として適したものを見い出
し，さらにコアでの絶縁がとれ，しかも，ハンダ付作業
等時に皮膜の損傷がなく，しかも，皮膜形成時の加熱等
によるコア自身の特性劣化がない方法を見い出したもの
である。
【００１１】即ち，本発明によれば，主成分として，３
７〜４２ mol％のＭｎＯ，４〜１０．５ mol％のＺｎ
Ｏ，５２．５〜５４ mol％のＦｅ2 Ｏ3 を含有し，第１
及び第２の副成分として，総量に対して０．０２５重量
％のＳｉＯ2 と，０．０３〜０．１５wt％のＣａＯとを
含有し，且つ第３の副成分として，総量に対して０．０
５〜０．６wt％のＨｆＯ2 及び０．０３〜０．１５wt％
のＺｒＯ2 のうちの少なくとも一種を含有するスピネル
型Ｍｎ−Ｚｎフェライト焼成体と，前記焼成体の表面を
被覆する絶縁皮膜とを備えていることを特徴とするイン
ダクタ用フェライトコアが得られる。
７〜４２ mol％のＭｎＯ，４〜１０．５ mol％のＺｎ
Ｏ，５２．５〜５４ mol％のＦｅ2 Ｏ3 を含有し，第１
及び第２の副成分として，総量に対して０．０２５重量
％のＳｉＯ2 と，０．０３〜０．１５wt％のＣａＯとを
含有し，且つ第３の副成分として，総量に対して０．０
５〜０．６wt％のＨｆＯ2 及び０．０３〜０．１５wt％
のＺｒＯ2 のうちの少なくとも一種を含有するスピネル
型Ｍｎ−Ｚｎフェライト焼成体と，前記焼成体の表面を
被覆する絶縁皮膜とを備えていることを特徴とするイン
ダクタ用フェライトコアが得られる。
【００１２】また，本発明によれば，前記インダクタ用
フェライトコアにおいて，前記絶縁皮膜は，フッ素系ポ
リイミドアミド及びポリイミドアミドの内の少なくとも
一種を含むことを特徴とするインダクタ用フェライトコ
アが得られる。
フェライトコアにおいて，前記絶縁皮膜は，フッ素系ポ
リイミドアミド及びポリイミドアミドの内の少なくとも
一種を含むことを特徴とするインダクタ用フェライトコ
アが得られる。
【００１３】また，本発明によれば，前記インダクタ用
フェライトコアにおいて，前記絶縁皮膜は，ＳｉＯ2 ，
ＴｉＯ2 の内の少なくとも一種を含むことを特徴とする
インダクタ用フェライトコアが得られる。
フェライトコアにおいて，前記絶縁皮膜は，ＳｉＯ2 ，
ＴｉＯ2 の内の少なくとも一種を含むことを特徴とする
インダクタ用フェライトコアが得られる。
【００１４】また，本発明によれば，アルコラートをス
ピネル型Ｍｎ−Ｚｎフェライト焼成体に塗布後，加水分
解，加熱酸化によって金属酸化物皮膜を形成することを
特徴とするインダクタ用フェライトコアの製造方法が得
られる。
ピネル型Ｍｎ−Ｚｎフェライト焼成体に塗布後，加水分
解，加熱酸化によって金属酸化物皮膜を形成することを
特徴とするインダクタ用フェライトコアの製造方法が得
られる。
【００１５】更に，本発明によれば，前記インダクタ用
フェライトコアの製造方法において，前記スピネル型Ｍ
ｎ−Ｚｎフェライト焼成体は，主成分として，３７〜４
２ mol％のＭｎＯ，４〜１０．５ mol％のＺｎＯ，５
２．５〜５４ mol％のＦｅ2 Ｏ3 を含有し，第１及び第
２の副成分として，総量に対して０．０２５重量％のＳ
ｉＯ2 と，０．０３〜０．１５wt％のＣａＯとを含有
し，且つ第３の副成分として，総量に対して０．０５〜
０．６wt％のＨｆＯ2 及び０．０３〜０．１５wt％のＺ
ｒＯ2 のうちの少なくとも一種を含有することを特徴と
するインダクタ用フェライトコアの製造方法が得られ
る。
フェライトコアの製造方法において，前記スピネル型Ｍ
ｎ−Ｚｎフェライト焼成体は，主成分として，３７〜４
２ mol％のＭｎＯ，４〜１０．５ mol％のＺｎＯ，５
２．５〜５４ mol％のＦｅ2 Ｏ3 を含有し，第１及び第
２の副成分として，総量に対して０．０２５重量％のＳ
ｉＯ2 と，０．０３〜０．１５wt％のＣａＯとを含有
し，且つ第３の副成分として，総量に対して０．０５〜
０．６wt％のＨｆＯ2 及び０．０３〜０．１５wt％のＺ
ｒＯ2 のうちの少なくとも一種を含有することを特徴と
するインダクタ用フェライトコアの製造方法が得られ
る。
【００１６】通常，コアの絶縁をとるためには，様々な
有機高分子，ＳｉＯ2 等の酸化物を用いれば達成でき
る。しかしながら，有機高分子を用いる場合においても
エポキシ，アクリル等の樹脂では，耐熱性が低く，ハン
ダ付作業時に焼けてしまうため絶縁をとることができな
い場合もあり，適していない。又，ＳｉＯ2 等のガラス
を被覆する方法としては，スパッタ，イオンプレーティ
ング，ＣＶＤ法があるが，この方法は，コスト高となる
だけでなく基板温度が高くなることでフェライトコアの
特性が劣化する場合もあり，好ましくない。さらにガラ
スペーストを塗布して加熱焼付する方法もあるが，その
焼付温度が，５００℃以上を要するため，フェライトの
磁気特性を劣化させるため用いることはできない。
有機高分子，ＳｉＯ2 等の酸化物を用いれば達成でき
る。しかしながら，有機高分子を用いる場合においても
エポキシ，アクリル等の樹脂では，耐熱性が低く，ハン
ダ付作業時に焼けてしまうため絶縁をとることができな
い場合もあり，適していない。又，ＳｉＯ2 等のガラス
を被覆する方法としては，スパッタ，イオンプレーティ
ング，ＣＶＤ法があるが，この方法は，コスト高となる
だけでなく基板温度が高くなることでフェライトコアの
特性が劣化する場合もあり，好ましくない。さらにガラ
スペーストを塗布して加熱焼付する方法もあるが，その
焼付温度が，５００℃以上を要するため，フェライトの
磁気特性を劣化させるため用いることはできない。
【００１７】そこで，本発明では，上記の各種問題を解
決する方策として，コア組成をＭｎＯを３７〜４２ mol
％，ＺｎＯを４〜１０．５ mol％，残部Ｆｅ2 Ｏ3 と
し，さらに粒界成分としての副成分をＳｉＯ2 を０．０
２５〜０．１wt％，ＣａＯを０．０３〜０．１５wt％，
ＨｆＯ2 を０．０５〜０．６wt％，ＺｒＯ2 を０．０３
〜０．１５wt％とすることにより，高周波でのロス特性
は従来品に比べ向上する。さらに有機高分子材として耐
熱性に優れしかも絶縁性に優れたフッ素系ポリイミドア
ミド，ポリイミド，ポリアミド樹脂を用いること又は，
焼付温度がせいぜい２００℃前後で，フェライトコアの
磁気特性劣化のない方策であるＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 等の
金属酸化物皮膜をアルコラートの加水分解，加熱処理を
用いることで，高周波でのロスが低く，しかも絶縁性に
優れ，作業性がよく，コストが低い薄型トランスを得る
ことを可能としたものである。
決する方策として，コア組成をＭｎＯを３７〜４２ mol
％，ＺｎＯを４〜１０．５ mol％，残部Ｆｅ2 Ｏ3 と
し，さらに粒界成分としての副成分をＳｉＯ2 を０．０
２５〜０．１wt％，ＣａＯを０．０３〜０．１５wt％，
ＨｆＯ2 を０．０５〜０．６wt％，ＺｒＯ2 を０．０３
〜０．１５wt％とすることにより，高周波でのロス特性
は従来品に比べ向上する。さらに有機高分子材として耐
熱性に優れしかも絶縁性に優れたフッ素系ポリイミドア
ミド，ポリイミド，ポリアミド樹脂を用いること又は，
焼付温度がせいぜい２００℃前後で，フェライトコアの
磁気特性劣化のない方策であるＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 等の
金属酸化物皮膜をアルコラートの加水分解，加熱処理を
用いることで，高周波でのロスが低く，しかも絶縁性に
優れ，作業性がよく，コストが低い薄型トランスを得る
ことを可能としたものである。
【００１８】ここで，本発明において，各皮膜の厚みは
そのトランスの大きさ，絶縁度合いに適した厚みを選択
するが，あまり薄すぎても絶縁がとれず，逆に厚すぎて
も皮膜の応力による特性劣化を招くこともあるので，
０．５μm 以上１００μm 以下が好ましい。
そのトランスの大きさ，絶縁度合いに適した厚みを選択
するが，あまり薄すぎても絶縁がとれず，逆に厚すぎて
も皮膜の応力による特性劣化を招くこともあるので，
０．５μm 以上１００μm 以下が好ましい。
【００１９】
【実施例】以下，本発明の実施例について説明する。
【００２０】（実施例１）高純度のＦｅ2 Ｏ3 ，Ｍｎ3
Ｏ4 ，ＺｎＯの原料を用意し，ボールミルを用いて湿式
混合した。得られた混合粉を乾燥した後に１０００℃で
予焼した。さらにボールミルで湿式法で微粉砕した。得
られた微粉末を２ ton／cm2 で形成し，トロイダル状の
圧粉体を得た。（圧粉体の形状は，φ１５×φ１０×ｔ
４（mm) である。）この圧粉体を１１００〜１２００℃
の間で０．０５〜３％酸素分Ｔ2 を含む窒素雰囲気中で
焼結した。この際，副成分としては，０．０５wt％Ｓｉ
Ｏ2 ，０．１wt％ＣａＯ，０．４wt％ＨｆＯ2 を，混合
時に添加している。また，比較材として，従来の電源用
Ｍｎ−Ｚｎフェライトである５２．０Ｆｅ2 Ｏ3 −３
４．５mol％ＭｎＯ−１３．５ mol％ＺｎＯ，副成分
０．０１５ＳｉＯ2 −０．０３ＣａＯ（wt％）の焼結体
を上記と同様の方法で作製して用いた。
Ｏ4 ，ＺｎＯの原料を用意し，ボールミルを用いて湿式
混合した。得られた混合粉を乾燥した後に１０００℃で
予焼した。さらにボールミルで湿式法で微粉砕した。得
られた微粉末を２ ton／cm2 で形成し，トロイダル状の
圧粉体を得た。（圧粉体の形状は，φ１５×φ１０×ｔ
４（mm) である。）この圧粉体を１１００〜１２００℃
の間で０．０５〜３％酸素分Ｔ2 を含む窒素雰囲気中で
焼結した。この際，副成分としては，０．０５wt％Ｓｉ
Ｏ2 ，０．１wt％ＣａＯ，０．４wt％ＨｆＯ2 を，混合
時に添加している。また，比較材として，従来の電源用
Ｍｎ−Ｚｎフェライトである５２．０Ｆｅ2 Ｏ3 −３
４．５mol％ＭｎＯ−１３．５ mol％ＺｎＯ，副成分
０．０１５ＳｉＯ2 −０．０３ＣａＯ（wt％）の焼結体
を上記と同様の方法で作製して用いた。
【００２１】図１は，上記製法で製造されたＭｎ−Ｚｎ
フェライトにおいて，Ｆｅ2 Ｏ3 をパラメーターとした
時のコアロスとＭｎＯ組成の関係を示す図である。（コ
アロスは１MHz −５００Ｇ ａｔ ６０℃時）図１で示
すように，本発明の実施例１に係るＭｎＯ３７〜４２mo
l ，Ｆｅ2 Ｏ3 ５２．５〜５４ mol％，残部ＺｎＯの組
成範囲では，従来のＭｎ−Ｚｎフェライトに比べ低いロ
スが得られることがわかる。
フェライトにおいて，Ｆｅ2 Ｏ3 をパラメーターとした
時のコアロスとＭｎＯ組成の関係を示す図である。（コ
アロスは１MHz −５００Ｇ ａｔ ６０℃時）図１で示
すように，本発明の実施例１に係るＭｎＯ３７〜４２mo
l ，Ｆｅ2 Ｏ3 ５２．５〜５４ mol％，残部ＺｎＯの組
成範囲では，従来のＭｎ−Ｚｎフェライトに比べ低いロ
スが得られることがわかる。
【００２２】（実施例２）実施例１と同様な製法にて，
５３．０Ｆｅ2 Ｏ3 −３８．８ＭｎＯ−８．２ＺｎＯ(m
ol％）を主成分とし，副成分として０．２wt％のＨｆＯ
2 ，０．０１５〜０．１２wt％のＳｉＯ2 ，０．０２〜
０．１８wt％のＣａＯを含有するＭｎ−Ｚｎ系フェライ
トを作成した。（試料形状，寸法も実施例１と同様であ
る）図２はこれら試料の１MHz −５００Ｇ ａｔ ６０
℃におけるコアロスをマップ図として示す。図示のよう
に実施例−１のところで説明した比較材（従来品）に比
べ，本発明の実施例２に係る０．０２５〜０．１wt％Ｓ
ｉＯ2 ，０．０３〜０．１５wt％のＣａＯの領域の試料
は低いコアロスを示すことがわかる。（従来品は７４５
kW／ｍ3 である） （実施例３）実施例１と同様な製法にて５３．０Ｆｅ2
Ｏ3 −３８．８ＭｎＯ−８．２ＺｎＯ(mol％）を主成分
とし，副成分として０．０５wt％ＳｉＯ2 ，０．０８wt
％ＣａＯ，０．０１〜０．８wt％のＨｆＯ2 を含有する
Ｍｎ−Ｚｎフェライトコアを得た。
５３．０Ｆｅ2 Ｏ3 −３８．８ＭｎＯ−８．２ＺｎＯ(m
ol％）を主成分とし，副成分として０．２wt％のＨｆＯ
2 ，０．０１５〜０．１２wt％のＳｉＯ2 ，０．０２〜
０．１８wt％のＣａＯを含有するＭｎ−Ｚｎ系フェライ
トを作成した。（試料形状，寸法も実施例１と同様であ
る）図２はこれら試料の１MHz −５００Ｇ ａｔ ６０
℃におけるコアロスをマップ図として示す。図示のよう
に実施例−１のところで説明した比較材（従来品）に比
べ，本発明の実施例２に係る０．０２５〜０．１wt％Ｓ
ｉＯ2 ，０．０３〜０．１５wt％のＣａＯの領域の試料
は低いコアロスを示すことがわかる。（従来品は７４５
kW／ｍ3 である） （実施例３）実施例１と同様な製法にて５３．０Ｆｅ2
Ｏ3 −３８．８ＭｎＯ−８．２ＺｎＯ(mol％）を主成分
とし，副成分として０．０５wt％ＳｉＯ2 ，０．０８wt
％ＣａＯ，０．０１〜０．８wt％のＨｆＯ2 を含有する
Ｍｎ−Ｚｎフェライトコアを得た。
【００２３】図３には実施例３に係るＭｎ−Ｚｎフェラ
イトコアのＨｆＯ2 量とコアロス（１MHz −５００Ｇ−
ａｔ ６０℃）の関係を示す。
イトコアのＨｆＯ2 量とコアロス（１MHz −５００Ｇ−
ａｔ ６０℃）の関係を示す。
【００２４】実施例１の従来品に比べ，ＨｆＯ2 が０．
０５〜０．６wt％の時に低いコアロス特性を示すことが
わかる。
０５〜０．６wt％の時に低いコアロス特性を示すことが
わかる。
【００２５】（実施例４）実施例１と同様な製法にて５
３．０Ｆｅ2 Ｏ3 −３９．０ＭｎＯ−８．０ＺｎＯ(mol
％）を主成分とし，副成分として０．０６wt％Ｓｉ
Ｏ2 ，０．１２wt％ＣａＯ，０．０１〜０．１８wt％の
ＺｒＯ2 を含有するＭｎ−Ｚｎフェライトコアを得た。
３．０Ｆｅ2 Ｏ3 −３９．０ＭｎＯ−８．０ＺｎＯ(mol
％）を主成分とし，副成分として０．０６wt％Ｓｉ
Ｏ2 ，０．１２wt％ＣａＯ，０．０１〜０．１８wt％の
ＺｒＯ2 を含有するＭｎ−Ｚｎフェライトコアを得た。
【００２６】図４は実施例４に係るＭｎ−Ｚｎフェライ
トコアのＺｒＯ2 含有量とコアロス（１MHz −５００Ｇ
−ａｔ ６０℃）の関係を示す。
トコアのＺｒＯ2 含有量とコアロス（１MHz −５００Ｇ
−ａｔ ６０℃）の関係を示す。
【００２７】実施例１の従来品に比べ，ＺｒＯ2 が０．
０３〜０．１５wt％の間で低損失なフェライトコアが得
られることがわかる。
０３〜０．１５wt％の間で低損失なフェライトコアが得
られることがわかる。
【００２８】（実施例５）実施例−１と同様の製法によ
り５３．０Ｆｅ2 Ｏ3 −３９ＭｎＯ−８ＺｎＯ(mol％）
を主成分とし，０．０５wt％ＳｉＯ2 ，０．０８wt％Ｃ
ａＯ，，０．０２wt％ＨｆＯ2 を副成分とする粉末を得
た。この粉末を用いて図５に示すような形状寸法を有す
る焼結体コアを作製した（尚，焼結条件は実施例１と同
様である）。図５で示すコア１を用いて，図６に示すよ
うな薄型インダクタ１０を作成した。この時コア１に
は，フッ素系ポリイミドアミド，ポリイミド，ポリアミ
ド樹脂，Ｓｉ−アルコラートを用いてＳｉＯ2 ，Ｔｉ−
アルコラートを用いてＴｉＯ2被膜をおのおのコア２ヶ
づつにコーティングした。またコア１の接合面となる部
分は，後加工で研磨して被膜を除去したものを用いた。
また，コア１の中芯１ａに巻きつけたコイル３の引き出
し線は，各被膜でコーティングされたコアの縁部にコの
字型の端子２をかしめてこの端子にハンダ付４をして固
定した。この時，端子２−２間の距離は１mmとなるよう
にした。表１に各コート材の被膜形成条件と１MHz −５
００Ｇ ａｔ ６０℃時のコアロス，及び１MHz ａｔ
常温での端子間での電気抵抗を示す。また比較材として
上記と同様で何ら表面処理を施さないコアを用いた。
り５３．０Ｆｅ2 Ｏ3 −３９ＭｎＯ−８ＺｎＯ(mol％）
を主成分とし，０．０５wt％ＳｉＯ2 ，０．０８wt％Ｃ
ａＯ，，０．０２wt％ＨｆＯ2 を副成分とする粉末を得
た。この粉末を用いて図５に示すような形状寸法を有す
る焼結体コアを作製した（尚，焼結条件は実施例１と同
様である）。図５で示すコア１を用いて，図６に示すよ
うな薄型インダクタ１０を作成した。この時コア１に
は，フッ素系ポリイミドアミド，ポリイミド，ポリアミ
ド樹脂，Ｓｉ−アルコラートを用いてＳｉＯ2 ，Ｔｉ−
アルコラートを用いてＴｉＯ2被膜をおのおのコア２ヶ
づつにコーティングした。またコア１の接合面となる部
分は，後加工で研磨して被膜を除去したものを用いた。
また，コア１の中芯１ａに巻きつけたコイル３の引き出
し線は，各被膜でコーティングされたコアの縁部にコの
字型の端子２をかしめてこの端子にハンダ付４をして固
定した。この時，端子２−２間の距離は１mmとなるよう
にした。表１に各コート材の被膜形成条件と１MHz −５
００Ｇ ａｔ ６０℃時のコアロス，及び１MHz ａｔ
常温での端子間での電気抵抗を示す。また比較材として
上記と同様で何ら表面処理を施さないコアを用いた。
【００２９】表１に示す如く，本発明の実施例５に係る
各コーティングを施したコアではコアロスは，コーティ
ングしないものと同様で，しかも端子間の抵抗はコーテ
ィングしない試料に比べ極めて高い値を示し，絶縁性に
も優れていることがわかる。
各コーティングを施したコアではコアロスは，コーティ
ングしないものと同様で，しかも端子間の抵抗はコーテ
ィングしない試料に比べ極めて高い値を示し，絶縁性に
も優れていることがわかる。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【発明の効果】以上述べた如く，本発明によれば，Ｆｅ
2 Ｏ3 ５２．５〜５４ mol％，ＭｎＯ３７〜４２ mol
％，残部ＺｎＯを主成分とし，さらに副成分としてＳｉ
Ｏ2 を０．２２５〜０．１wt％，ＣａＯ０．０３〜０．
１５wt％，ＨｆＯ2 ０．０５〜０．６wt％，ＺｒＯ2 を
０．０３〜０．１５wt％を含有するＭｎ−Ｚｎフェライ
トの表面を絶縁皮膜，例えば有機高分子被膜（フッ素系
ポリイミドアミド，ポリイミド，ポリアミド）又は有機
金属を加水分解，加熱処理にて得られる金属酸化物（Ｓ
ｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ），で被覆したコアを用いることによ
り，低損失でしかも絶縁特性に優れた薄型インダクタを
得ることが可能となる。
2 Ｏ3 ５２．５〜５４ mol％，ＭｎＯ３７〜４２ mol
％，残部ＺｎＯを主成分とし，さらに副成分としてＳｉ
Ｏ2 を０．２２５〜０．１wt％，ＣａＯ０．０３〜０．
１５wt％，ＨｆＯ2 ０．０５〜０．６wt％，ＺｒＯ2 を
０．０３〜０．１５wt％を含有するＭｎ−Ｚｎフェライ
トの表面を絶縁皮膜，例えば有機高分子被膜（フッ素系
ポリイミドアミド，ポリイミド，ポリアミド）又は有機
金属を加水分解，加熱処理にて得られる金属酸化物（Ｓ
ｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ），で被覆したコアを用いることによ
り，低損失でしかも絶縁特性に優れた薄型インダクタを
得ることが可能となる。
【００３２】これは，高周波での低損失化を図るために
適した主成分組成，副成分組成を見い出し，さらにその
焼結体表面にコアの磁気特性を劣化せしめることなく，
耐熱性，絶縁性に優れた被膜を，形成することができた
ためである。
適した主成分組成，副成分組成を見い出し，さらにその
焼結体表面にコアの磁気特性を劣化せしめることなく，
耐熱性，絶縁性に優れた被膜を，形成することができた
ためである。
【図１】本発明の実施例１に係るＭｎ−Ｚｎフェライト
におけるＦｅ2 Ｏ3 量をパラメーターとした時のコアロ
スのＭｎＯ量依存性を示す図で，従来のＭｎ−Ｚｎフェ
ライトとの比較をしたものである。
におけるＦｅ2 Ｏ3 量をパラメーターとした時のコアロ
スのＭｎＯ量依存性を示す図で，従来のＭｎ−Ｚｎフェ
ライトとの比較をしたものである。
【図２】本発明の実施例２に係るＭｎ−Ｚｎフェライト
のコアロスのＳｉＯ2 −ＣａＯ組成マップ示す図であ
る。
のコアロスのＳｉＯ2 −ＣａＯ組成マップ示す図であ
る。
【図３】本発明の実施例３に係るＭｎ−Ｚｎフェライト
のコアロスのＨｆＯ2 量依存性を示す図で，従来のＭｎ
−Ｚｎフェライトのコアロスと比較したものである。
のコアロスのＨｆＯ2 量依存性を示す図で，従来のＭｎ
−Ｚｎフェライトのコアロスと比較したものである。
【図４】本発明の実施例４に係るＭｎ−Ｚｎフェライト
のコアロスのＺｒＯ2 量依存性を示す図で，従来のＭｎ
−Ｚｎフェライトのコアロスと比較したものである。
のコアロスのＺｒＯ2 量依存性を示す図で，従来のＭｎ
−Ｚｎフェライトのコアロスと比較したものである。
【図５】本発明の実施例５に係るＭｎ−Ｚｎフェライト
を用いて作成した薄型インダクタ用のコアを示したもの
である。
を用いて作成した薄型インダクタ用のコアを示したもの
である。
【図６】本発明の実施例５に係るＭｎ−Ｚｎフェライト
を用いて作成した薄型インダクタの外観図である。
を用いて作成した薄型インダクタの外観図である。
１ Ｍｎ−Ｚｎフェライトコア ２ 端子 ３ コイルの引出し線 ４ ハンダ付部 １０ 薄型インダクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山下 隆司 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 遠藤 久仁 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 主成分として，３７〜４２ mol％のＭｎ
Ｏ，４〜１０．５ mol％のＺｎＯ，５２．５〜５４ mol
％のＦｅ2 Ｏ3 を含有し，第１及び第２の副成分とし
て，総量に対して０．０２５重量％のＳｉＯ2 と，０．
０３〜０．１５wt％のＣａＯとを含有し，且つ第３の副
成分として，総量に対して０．０５〜０．６wt％のＨｆ
Ｏ2 及び０．０３〜０．１５wt％のＺｒＯ2 のうちの少
なくとも一種を含有するスピネル型Ｍｎ−Ｚｎフェライ
ト焼成体と，前記焼成体の表面を被覆する絶縁皮膜とを
備えていることを特徴とするインダクタ用フェライトコ
ア。 - 【請求項２】 請求項１記載のインダクタ用フェライト
コアにおいて，前記絶縁皮膜は，フッ素系ポリイミドア
ミド及びポリイミドアミドの内の少なくとも一種を含む
ことを特徴とするインダクタ用フェライトコア。 - 【請求項３】 請求項１記載のインダクタ用フェライト
コアにおいて，前記絶縁皮膜は，ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 の
内の少なくとも一種を含むことを特徴とするインダクタ
用フェライトコア。 - 【請求項４】 アルコラートをスピネル型Ｍｎ−Ｚｎフ
ェライト焼成体に塗布後，加水分解，加熱酸化によって
金属酸化物被膜を形成することを特徴とするインダクタ
用フェライトコアの製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載のインダクタ用フェライト
コアの製造方法において，前記スピネル型Ｍｎ−Ｚｎフ
ェライト焼成体は，主成分として，３７〜４２ mol％の
ＭｎＯ，４〜１０．５ mol％のＺｎＯ，５２．５〜５４
mol％のＦｅ2 Ｏ3 を含有し，第１及び第２の副成分と
して，総量に対して０．０２５重量％のＳｉＯ2 と０．
０３〜０．１５wt％のＣａＯとを含有し，且つ第３の副
成分として，総量に対して０．０５〜０．６wt％のＨｆ
Ｏ2 及び０．０３〜０．１５wt％のＺｒＯ2 のうちの少
なくとも一種を含有することを特徴とするインダクタ用
フェライトコアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156389A JPH05347207A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | インダクタ用フェライトコア及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156389A JPH05347207A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | インダクタ用フェライトコア及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347207A true JPH05347207A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15626679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4156389A Pending JPH05347207A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | インダクタ用フェライトコア及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347207A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8164409B2 (en) | 2009-07-02 | 2012-04-24 | Tdk Corporation | Coil component |
| US8183969B2 (en) | 2009-06-17 | 2012-05-22 | Tdk Corporation | Coil component |
| CN111850371A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-10-30 | 安徽虹泰磁电有限公司 | 一种提高磁性耐磨性的磁环及其制备方法 |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP4156389A patent/JPH05347207A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8183969B2 (en) | 2009-06-17 | 2012-05-22 | Tdk Corporation | Coil component |
| US8164409B2 (en) | 2009-07-02 | 2012-04-24 | Tdk Corporation | Coil component |
| CN111850371A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-10-30 | 安徽虹泰磁电有限公司 | 一种提高磁性耐磨性的磁环及其制备方法 |
| CN111850371B (zh) * | 2020-06-29 | 2021-09-28 | 安徽虹泰磁电有限公司 | 一种提高磁性耐磨性的磁环及其制备方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010926 |