JPH1027356A - 光ピックアップ用信号処理装置及び光ピックアップ用半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 入射されるレーザ光が微弱な場合でもノイズ
の小さい精度の高い情報信号が得られる光ピックアップ
用信号処理装置を提供する。 【解決手段】 一方の電極が共通接続されるとともに、
他方の電極が所定電位点に接続される複数のシリコン・
フォト・ダイオードを有する情報信号用ＳＰＤ群と、こ
の情報信号用ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォト・ダイ
オードの一方の電極が共通接続される共通接続点に接続
された情報信号用アンプと、一方の電極が共通接続され
て前記情報信号用アンプの入力ノードに接続される複数
のシリコン・フォト・ダイオードを有するフォーカス信
号用ＳＰＤ群と、このフォーカス信号用ＳＰＤ群の複数
のシリコン・フォト・ダイオードに対応して接続される
フォーカス信号用アンプを備えた光ピックアップ用信号
処理装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクからの
レーザ光によるレーザ反射光を受け、受けたレーザ反射
光に基づいた情報信号を出力する光ピックアップ用信号
処理装置及び光ピックアップ用半導体装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】図１２は光ディスク装置における光ピッ
クアップシステムの概要を示す図である。図１２におい
て、７０は光検出に用いられる４つのシリコン・フォト
・ダイオード（以下、ＳＰＤと称す）Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを
有するＳＰＤ群、１００はＳＰＤ群７０を有する光ピッ
クアップ用信号処理装置、１１０はレーザ光、１２０は
情報が記録された光ディスク、１３０は光ディスク１２
０から反射されたレーザ反射光である。図１２におい
て、レーザ光１１０が光ディスク１２０上に照射され、
光ディスク１２０に記録された情報パターンによって異
なる値を持つレーザ反射光１３０が反射され、光ピック
アップ用信号処理装置１００のＳＰＤ群７０を構成する
ＳＰＤ（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）に照射される。ＳＰＤ群７０
は図示されるように上下左右に隣接して設けられるＡ，
Ｂ，Ｃ，Ｄの４つのＳＰＤにて構成され、その中心部に
レーザ反射光１３０がＳＰＤ（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）に等し
く照射されるように焦点合わせが行われる。ＳＰＤ群７
０の各ＳＰＤ（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）はレーザ反射光１３０
の、例えば、明暗の光に応じて光電流が流れる。光ピッ
クアップ用信号処理装置１００はこの光電流を電圧に変
換し、情報信号またはフォーカス用信号として出力す
る。

【０００３】図１３は、従来の光ピックアップ用信号処
理装置１００を示す例である。図において、１０はＩ−
Ｖ変換アンプからなる情報信号用アンプ（以下ＲＦアン
プと略す）、２０はＩ−Ｖ変換アンプからなるフォーカ
ス信号用アンプ、５０はＲＦアンプ１０の非反転入力端
に第１の基準電圧Ｖref1を印加するための基準電圧源、
６０はフォーカス信号用アンプ２０の非反転入力端に第
２の基準電圧Ｖref2を印加するための第２の基準電圧
源、７０は４つのＳＰＤ（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を含むＳＰ
Ｄ群である。ＲＦアンプ１０は、オペアンプ１１及び抵
抗素子ｒ１１から構成される。抵抗素子ｒ１１はオペア
ンプ１１の出力端とその反転入力端との間に接続され
る。ＲＦアンプ１０の出力ノードは情報信号出力端子１
６に接続され、情報信号ＲＦoutが出力される。フォー
カス信号用アンプ２０は、オペアンプ２１〜２４と抵抗
素子ｒ２１〜ｒ２４から構成される。抵抗素子ｒ２１〜
ｒ２４はそれぞれ対応するオペアンプ２１〜２４の出力
端と反転入力端との間に接続される。フォーカス信号用
アンプ２０の出力ノードはフォーカス信号用出力端子２
６〜２９に接続され、フォーカス用信号Ａout〜Ｄoutが
出力される。ＳＰＤ群７０の各ＳＰＤ（Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄ）は、各カソード電極がフォーカス信号用アンプ２０
の対応するオペアンプ２１〜２４の反転入力端に、アノ
ード電極が接地電位点（アース（ＧＮＤ））に接続され
る。８０はフォーカス信号用アンプ２０のオペアンプ２
１〜２４の出力端に現れた電圧信号を加算してＲＦアン
プ１０に出力するための抵抗素子群である。

【０００４】図１４は図１３に示した光ピックアップ用
信号処理装置を半導体基体に組み込んだ光ピックアップ
用半導体装置におけるＳＰＤ群７０のＳＰＤ（Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄ）を示す図である。各ＳＰＤ（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）
７０Ａ〜７０Ｄは、Ｐ型の半導体基板１及びこの半導体
基板１の表面上に半導体基板１とＰＮ接合をなして形成
されるＮ型のエピタキシャル成長層３４を有する半導体
基体に形成される。各ＳＰＤ（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）７０Ａ
〜７０Ｄはエピタキシャル成長層３４の表面から半導体
基板１の表面に達するＰ型の分離領域３３にて電気的に
分離される上下左右に隣接して配置される４つのＳＰＤ
形成領域に形成される。各ＳＰＤ（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）７
０Ａ〜７０Ｄのアノード領域は、各ＳＰＤ形成領域にお
いて、半導体基板１によって形成され、カソード領域は
分離領域３３にて囲われたエピタキシャル成長層３４に
よって形成される。

【０００５】図において、ダイオードのマークが描かれ
ているが、これは、半導体基板１とエピタキシャル成長
層３４とのＰＮ接合部にＳＰＤが形成され、そのダイオ
ードのアノード領域が半導体基板１になり、カソード領
域がエピタキシャル成長層３４になることを示してい
る。このような構造そのものは、公知の技術によって製
造できるので、その詳細な説明は省略する。

【０００６】次に、従来の光ピックアップシステムの動
作について説明する。図１２の示すように、光ピックア
ップ用信号処理装置１００にはフォーカス信号Ａout〜
Ｄout及び情報信号ＲＦoutを得るために、４つのＳＰＤ
（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を有するＳＰＤ群７０が設けられて
いる。この４つのＳＰＤ（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）はレーザ反
射光１３０を受光し、光電流を発生する。このＳＰＤ
（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）で発生した光電流Ｉは、図１３に示
すように、抵抗素子ｒ２１〜ｒ２４を流れることにな
り、その抵抗素子ｒ２１〜ｒ２４によって電流／電圧
（Ｉ−Ｖ）変換が行われ、フォーカス信号用アンプ２０
の各々のオペアンプ２１〜２４の出力端に光電流に基づ
いた電圧信号が現れ、フォーカス信号用出力端子２６〜
２９からフォーカス用信号Ａout〜Ｄoutとして出力され
る。

【０００７】これらフォーカス信号Ａout〜Ｄoutはレー
ザ反射光１３０がＳＰＤ群７０の中心に焦点を合わすた
めの制御に使用される信号である。

【０００８】さらに、オペアンプ２１〜２４の出力端に
現れた電圧信号それぞれは抵抗素子群８０を介して加算
され、ＲＦアンプ１０に入力される。このＲＦアンプ１
０に入力された加算電圧信号は、増幅されてＲＦアンプ
１０の出力ノードより情報信号出力端子１６ヘ情報信号
ＲＦoutとして出力される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の光ピックアップ
用信号処理装置は、以上のように構成されているため、
次に示すような問題があった。すなわち、情報信号ＲＦ
outは、レーザ反射光１３０が正確な位置に収束するよ
うにレーザ反射光の焦点（フォーカス）合わせを行なう
ためのフォーカス信号Ａout〜Ｄoutを用いて得ていた。
そのため、フォーカス信号Ａout〜Ｄoutを得るためのフ
ォーカス信号用アンプ２０で発生するノイズも抵抗素子
群８０にて同時に加算されてＲＦアンプ１０にて増幅さ
れるため、ＲＦアンプ１０のＳ／Ｎ比が悪くなる。ＲＦ
アンプ１０に入力されるノイズは大半がフォーカス信号
用アンプ２０を構成する抵抗ｒ２１〜ｒ２４の抵抗値に
依存し、抵抗値が高ければ高いほどノイズのＲＦアンプ
１０への入力量が増加する。

【００１０】また、このノイズによって信号の読み取り
がさらに困難になると共に、ジッタ値を悪くすることに
もなる。ところで、光ピックアップ用信号処理装置にお
いて、ＳＰＤ群７０に入力されるレーザ反射光は、半導
体レーザから発光されたレーザ光が、照射されたディス
クの表面により反射された光である。従って、ＤＶＤ等
の光ディスクにおいては、光ディスク１２０における記
録密度の高密度化により、各ビットの面積が小さくな
り、反射率が小さくなるため、ＳＰＤ群７０に入力され
るレーザ反射光、すなわち、光ピックアップにおけるＲ
ＦレベルはＣＤ−ＲＯＭの場合に比べかなり小さくなっ
ている。そのため、上記に示した光ピックアップ用信号
処理装置を、高密度記録される例えばＤＶＤ等の光ピッ
クアップシステムに用いた場合、上記したノイズの影響
はさらに増大するものである。

【００１１】本発明は、上記した点に鑑みてなされたも
のであり、入射されるレーザ光が小さくとも精度高く情
報信号が得られる光ピックアップ用信号処理装置及び光
ピックアップ用半導体装置を得ることを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の発明に
係る光ピックアップ用信号処理装置は、一方の電極が共
通接続されるとともに、他方の電極が所定電位点に接続
される複数のシリコン・フォト・ダイオードを有する情
報信号用ＳＰＤ群と、この情報信号用ＳＰＤ群の複数の
シリコン・フォト・ダイオードの一方の電極が共通接続
される共通接続点に入力ノードが接続され、出力ノード
から情報信号を出力する情報信号用アンプとを設けたも
のである。

【００１３】この発明の第２の発明に係る光ピックアッ
プ用信号処理装置は、第１の発明にさらに、一方の電極
が共通接続されて前記情報信号用アンプの入力ノードに
接続される複数のシリコン・フォト・ダイオードを有す
るフォーカス信号用ＳＰＤ群と、このフォーカス信号用
ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォト・ダイオードに対応
して設けられ、それぞれが対応するシリコン・フォト・
ダイオードの他方の電極に接続される複数の入力ノード
を有し、出力ノードからフォーカス用信号を出力するフ
ォーカス信号用アンプとを設けたものである。

【００１４】この発明の第３の発明に係る光ピックアッ
プ用信号処理装置は、第１の発明にさらに、一方の電極
が上記所定電位点に接続される複数のシリコン・フォト
・ダイオードを有するフォーカス信号用ＳＰＤ群と、こ
のフォーカス信号用ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォト
・ダイオードに対応して設けられ、それぞれが対応する
シリコン・フォト・ダイオードの他方の電極に接続され
る複数の入力ノードを有し、出力ノードからフォーカス
用信号を出力するフォーカス信号用アンプとを設けたも
のである。

【００１５】この発明の第４の発明に係る光ピックアッ
プ用信号処理装置は、一方の電極が共通接続されるとと
もに、他方の電極が所定電位点に接続される複数のシリ
コン・フォト・ダイオードを有する情報信号用ＳＰＤ群
と、この情報信号用ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォト
・ダイオードの一方の電極が共通接続される共通接続点
に接続される入力ノードに反転入力端が接続され、非反
転入力端に第１の基準電位が印加され、出力端が情報信
号を出力する出力ノードに接続されるオペアンプ、及び
このオペアンプの反転入力端と出力端との間に接続され
る抵抗素子を有する情報信号用アンプと、一方の電極が
共通接続されて情報信号用アンプの入力ノードに接続さ
れる複数のシリコン・フォト・ダイオードを有するフォ
ーカス信号用ＳＰＤ群と、このフォーカス信号用ＳＰＤ
群の複数のシリコン・フォト・ダイオードに対応して設
けられ、それぞれが対応するシリコン・フォト・ダイオ
ードの他方の電極に接続される入力ノードに反転入力端
が接続され、非反転入力端に第２の基準電位が印加さ
れ、フォーカス用信号を出力する対応の出力ノードに出
力端が接続される複数のオペアンプ、及びれら複数のオ
ペアンプに対応して設けられ、それぞれが対応するオペ
アンプの反転入力端と出力端との間に接続される複数の
抵抗素子を有するフォーカス信号用アンプとを設けたも
のである。

【００１６】この発明の第５の発明に係る光ピックアッ
プ用半導体装置は、一方の電極が共通接続されて情報信
号用アンプの入力ノードに接続され、他方の電極が所定
電位点に接続される４つのシリコン・フォト・ダイオー
ドを有する情報信号用ＳＰＤ群と、一方の電極が共通接
続されて情報信号用アンプの入力ノードに接続され、そ
れぞれの他方の電極がフォーカス信号用アンプにおける
対応の入力ノードに接続される４つのシリコン・フォト
・ダイオードを有するフォーカス信号用ＳＰＤ群とを備
え、第１導電型の半導体基板、及びこの半導体基板の表
面上に半導体基板とＰＮ接合をなして形成される第２導
電型のエピタキシャル成長層を有し、このエピタキシャ
ル成長層の表面から半導体基板の表面に達する第１導電
型の分離領域にて電気的に分離される上下左右に隣接し
て配置され、それぞれが情報信号用ＳＰＤ群及びフォー
カス信号用ＳＰＤ群のそれぞれのシリコン・フォト・ダ
イオードに対応する４つのＳＰＤ形成領域を有し、各Ｓ
ＰＤ形成領域において、半導体基板が情報信号用ＳＰＤ
群の対応のシリコン・フォト・ダイオードの一方の電極
領域をなすとともに、分離領域にて囲われたエピタキシ
ャル成長層が情報信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・フ
ォト・ダイオードの他方の電極領域及び前記フォーカス
信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・フォト・ダイオード
の他方の電極領域をなす半導体基体と、それぞれがこの
半導体基体の各ＳＰＤ形成領域における分離領域にて囲
われたエピタキシャル成長層の表面に形成され、前記フ
ォーカス信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・フォト・ダ
イオードの一方の電極領域となる第１導電型の４つの第
１の半導体領域とを設けたものである。

【００１７】この発明の第６の発明に係る光ピックアッ
プ用半導体装置は、第５の発明にさらに、情報信号用ア
ンプ及びフォーカス信号用アンプともに半導体基板の表
面に形成され、情報信号用アンプ及びフォーカス信号用
アンプを構成する少なくとも一つの抵抗素子は、エピタ
キシャル成長層の表面から半導体基板の表面に達する第
１導電型の分離領域にて囲われたエピタキシャル成長層
の表面に形成される第２の半導体領域にて形成され、４
つの第１の半導体領域の拡散深さ及び不純物濃度が第２
の半導体領域の拡散深さ及び不純物濃度と同じである。

【００１８】この発明の第７の発明に係る光ピックアッ
プ用半導体装置は、第５の発明にさらに、情報信号用ア
ンプ及びフォーカス信号用アンプともに半導体基板の表
面に形成され、情報信号用アンプ及びフォーカス信号用
アンプを構成する少なくとも一つのトランジスタ素子
は、エピタキシャル成長層の表面から半導体基板の表０
面に達する第１導電型の分離領域にて囲われたエピタキ
シャル成長層をコレクタ領域となし、このコレクタ領域
の表面に形成される第１導電型の第２の半導体領域をベ
ース領域となし、このベース領域の表面に形成される第
２導電型の第３の半導体領域をエミッタ領域となして形
成され、４つの第１の半導体領域の不純物、拡散深さ及
び不純物濃度が第２の半導体領域の不純物、拡散深さ及
び不純物濃度と同じである。

【００１９】この発明の第８の発明に係る光ピックアッ
プ用半導体装置は、それぞれが並列接続される第１及び
第２のシリコン・フォト・ダイオードからなり、一方の
電極が共通接続されて情報信号用アンプの入力ノードに
接続され、他方の電極が所定電位点に接続される４つの
シリコン・フォト・ダイオードを有する情報信号用ＳＰ
Ｄ群と、一方の電極が共通接続されて情報信号用アンプ
の入力ノードに接続され、それぞれの他方の電極がフォ
ーカス信号用アンプにおける対応の入力ノードに接続さ
れる４つのシリコン・フォト・ダイオードを有するフォ
ーカス信号用ＳＰＤ群とを備え、第１導電型の半導体基
板、及びこの半導体基板の表面上に半導体基板とＰＮ接
合をなして形成される第２導電型のエピタキシャル成長
層を有し、このエピタキシャル成長層の表面から半導体
基板の表面に達する第１導電型の分離領域にて電気的に
分離される上下左右に隣接して配置され、それぞれが情
報信号用ＳＰＤ群及びフォーカス信号用ＳＰＤ群のそれ
ぞれのシリコン・フォト・ダイオードに対応する４つの
ＳＰＤ形成領域を有し、各ＳＰＤ形成領域において、半
導体基板が情報信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・フォ
ト・ダイオードの第１のシリコン・フォト・ダイオード
の一方の電極領域をなすとともに、分離領域にて囲われ
たエピタキシャル成長層がフォーカス信号用ＳＰＤ群の
対応のシリコン・フォト・ダイオードの他方の電極領域
をなす半導体基体と、それぞれがこの半導体基体の各Ｓ
ＰＤ形成領域における分離領域にて囲われた前記半導体
基体とエピタキシャル成長層とのＰＮ接合部に埋め込ま
れて形成され、情報信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・
フォト・ダイオードの第１及び第２のシリコン・フォト
・ダイオードの他方の電極領域をなす第２導電型の４つ
の第１の埋め込み領域と、それぞれが各第１の埋め込み
領域の表面に形成され、情報信号用ＳＰＤ群の対応のシ
リコン・フォト・ダイオードの第２のシリコン・フォト
・ダイオードの一方の電極領域及びフォーカス信号用Ｓ
ＰＤ群の対応のシリコン・フォト・ダイオードの一方の
電極領域をなす第１導電型の４つの第２の埋め込み領域
とを設けたものである。

【００２０】この発明の第９の発明に係る光ピックアッ
プ用半導体装置は、第８の発明にさらに、情報信号用ア
ンプ及びフォーカス信号用アンプともに半導体基板の表
面に形成され、情報信号用アンプ及びフォーカス信号用
アンプを構成する少なくとも一つのトランジスタ素子
は、エピタキシャル成長層の表面から半導体基板の表面
に達する第１導電型の分離領域にて囲われた半導体基体
とエピタキシャル成長層とのＰＮ接合部に埋め込まれた
第２導電型の第３の埋め込み領域の表面に形成された第
１導電型の第４の埋め込み領域をコレクタ領域となし、
このコレクタ領域とＰＮ接合するエピタキシャル成長層
をベース領域となし、このベース領域の表面に形成され
る第１導電型の半導体領域をエミッタ領域となして形成
され、４つの第１の埋め込み領域の不純物及び不純物濃
度が第３の埋め込み領域の不純物及び不純物濃度と同じ
であり、４つの第２の埋め込み領域の不純物及び不純物
濃度が第４の埋め込み領域の不純物及び不純物濃度と同
じである。

【００２１】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１を示す光
ピックアップ用信号処理装置のブロック図である。図１
において、１０は情報信号用出力端子１６に接続される
出力ノードから情報信号ＲＦoutを出力する情報信号用
アンプ（以下、ＲＦアンプと称す。）で、図１に示すよ
うに、入力ノードに反転入力端＋が接続され、非反転入
力端−に第１の基準電位Ｖref1が印加され、出力端が出
力ノードに接続されるオペアンプ１１と、このオペアン
プ１１の反転入力端−と出力端との間に接続される抵抗
素子ｒ１１とを有する。

【００２２】２０は、複数の入力ノード（この例におい
ては４つ）を有するとともに、複数のフォーカス信号用
出力端子２６〜２９（この例においては４つ）にそれぞ
れ接続されるフォーカス信号用アンプである。その出力
ノードからはフォーカス用信号Ａout〜Ｄoutを出力す
る。このフォーカス信号用アンプは、各入力ノード及び
出力ノードに対応して設けられ、それぞれが対応の入力
ノードに反転入力端−が接続され、非反転入力端＋に第
２の基準電位Ｖｒｅｆ２が印加される。複数のオペアン
プ２１〜２４の出力端は対応の出力ノードに接続され
る。複数の抵抗素子ｒ２１〜ｒ２４は、これら複数のオ
ペアンプ２１〜２４に対応して設けられ、それぞれが対
応のオペアンプ２１〜２４の反転入力端−と出力端との
間に接続される。

【００２３】３０は一方の電極、この例においてはカソ
ード電極が共通接続されて情報信号用アンプ１０の入力
ノードに接続される複数（この例では４つ）のシリコン
・フォト・ダイオード（以下、ＳＰＤ・Ａ１、ＳＰＤ・
Ｂ１、ＳＰＤ・Ｃ１、ＳＰＤ・Ｄ１と称す）を有するフ
ォーカス信号用ＳＰＤ群である。ここで、ＳＰＤ・Ａ１
はシリコン・フォト・ダイオードパッドＡの部分（ＳＰ
Ｄ形成領域Ａ）に形成されるＳＰＤであり、ＳＰＤ・Ｂ
１はシリコン・フォト・ダイオードパッドＢの部分（Ｓ
ＰＤ形成領域Ｂ）に形成されるＳＰＤであり、ＳＰＤ・
Ｃ１はシリコン・フォト・ダイオードパッドＣの部分
（ＳＰＤ形成領域Ｃ）に形成されるＳＰＤであり、ＳＰ
Ｄ・Ｄ１はシリコン・フォト・ダイオードパッドＤの部
分（ＳＰＤ形成領域Ｄ）に形成されるＳＰＤである。ま
た、フォーカス信号用ＳＰＤ群３０においては、各ＳＰ
Ｄ・Ａ１〜Ｄ１の他方の電極、この例ではアノード電極
がフォーカス信号用アンプ２０の対応の入力ノードに接
続される。

【００２４】４０は一方の電極、この例においてはカソ
ード電極が共通接続されるとともに、他方の電極、この
例ではアノード電極が所定電位点、この例では接地電位
が印加される接地電位点に接続される複数のシリコン・
フォト・ダイオード（以下、ＳＰＤ・Ａ２、ＳＰＤ・Ｂ
２、ＳＰＤ・Ｃ２、ＳＰＤ・Ｄ２と称す）を有する情報
信号用ＳＰＤ群である。ここで、ＳＰＤ・Ａ２はシリコ
ン・フォト・ダイオードパッドＡの部分（ＳＰＤ形成領
域Ａ）に形成されるＳＰＤであり、ＳＰＤ・Ｂ２はシリ
コン・フォト・ダイオードパッドＢの部分（ＳＰＤ形成
領域Ｂ）に形成されるＳＰＤであり、ＳＰＤ・Ｃ２はシ
リコン・フォト・ダイオードパッドＣの部分（ＳＰＤ形
成領域Ｃ）に形成されるＳＰＤであり、ＳＰＤ・Ｄ２は
シリコン・フォト・ダイオードパッドＤの部分（ＳＰＤ
形成領域Ｄ）に形成されるＳＰＤである。また、情報信
号用ＳＰＤ群４０においては、各ＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の
共通接続された一方の電極であるカソード電極がＲＦア
ンプ１０の入力ノードに接続される。

【００２５】５０はＲＦアンプ１０を構成するオペアン
プ１１の非反転入力端＋に接続された第１の基準電圧源
で、オペアンプ１１の非反転入力端＋に第１の基準電圧
Ｖref1を印加する。６０はフォーカス信号用アンプ２０
を構成するオペアンプ２１〜２４の非反転入力端＋に接
続された第２の基準電圧源で、オペアンプ２１〜２４の
非反転入力端＋に第２の基準電圧Ｖref2を印加する。こ
の場合、フォーカス信号用ＳＰＤ群３０中の各ＳＰＤ・
Ａ１〜Ｄ１に逆バイアスをかけるために、第１の基準電
圧Ｖref1と第２の基準電圧との関係は、Ｖref1＞Ｖref2
の関係に設定される。なお、情報信号用出力端子１６
は、図示されない次段のＡ／Ｄ変換器に接続される。フ
ォーカス信号用出力端子２６〜２９は次段の焦点合わせ
制御回路に接続される。

【００２６】図５は、図１に示した光ピックアップ用信
号処理装置を１つの半導体基体に組み込んだ光ピックア
ップ用半導体装置の主要部、具体的には情報信号用ＳＰ
Ｄ群４０のＳＰＤ・Ｃ２、Ｄ２及びフォーカス信号用Ｓ
ＰＤ群３０のＳＰＤ・Ｃ１、Ｄ１が形成された部分の断
面図である。なお、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・
Ａ２、Ｂ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ
・Ａ１、Ｂ１も情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ｃ
２、Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・
Ｃ１、Ｄ１と同様に形成されている。

【００２７】図５において、Ｐ型の半導体基板１及びこ
の半導体基板１の表面上に半導体基板１とＰＮ接合をな
して形成されるＮ型のエピタキシャル成長層３４とによ
って半導体基体を構成している。この半導体基体は、図
５の上部に平面パターンを示すように、エピタキシャル
成長層３４の表面から半導体基板１の表面に達するＰ型
の分離領域３３にて電気的に分離される上下左右に隣接
して配置されるＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄを有している。各
ＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄには、情報信号用ＳＰＤ群４０の
ＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群のＳ
ＰＤ・Ａ１〜Ｄ１が形成される。各ＳＰＤ形成領域Ａ〜
Ｄにおいて、半導体基板１が、図５にダイオードのマー
クで示しているように、情報信号用ＳＰＤ群４０の対応
のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２のアノード領域をなすとともに、
分離領域３３にて囲われたエピタキシャル成長層３４が
情報信号用ＳＰＤ群４０の対応のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の
カソード領域及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０の対応
のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１のカソード領域をなしている。

【００２８】また、半導体基体の各ＳＰＤ形成領域Ａ〜
Ｄにおける分離領域３３にて囲われたエピタキシャル成
長層３４の表面にＰ型の第１の半導体領域３８が形成さ
れる。各第１の半導体領域３８は、フォーカス信号用Ｓ
ＰＤ群３０の対応のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１のアノード領域
となる。半導体基板１は、図５に示されるように、分離
領域３３を介して接地電位点に接続され、接地される。
その結果、情報信号用ＳＰＤ群４０の対応のＳＰＤ・Ａ
２〜Ｄ２のアノード領域は接地されることになる。

【００２９】半導体基体の各ＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄにお
ける分離領域３３にて囲われたエピタキシャル成長層３
４は、図５に示されるように、ＲＦアンプ１０の入力ノ
ードに、表面に形成されたＮ＋領域（カソード取出領
域）３４ａを介して共通に接続される。その結果、情報
信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２のカソード領
域及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜
Ｄ１のカソード領域はＲＦアンプ１０の入力ノードに接
続される。各第１の半導体領域３８は表面に形成された
Ｐ＋領域（アノード取出領域）３８ａを介してフォーカ
ス信号用アンプ２０の対応の入力ノードに接続される。
その結果、フォーカス信号用ＳＰＤ群３０の各ＳＰＤ・
Ａ１〜Ｄ１のアノード領域はフォーカス信号用アンプ２
０の対応の入力ノードに接続される。

【００３０】次に動作について説明する。光ディスク１
２０から反射されたレーザ反射光１３０は、光ピックア
ップ用半導体装置における４つのＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄ
を照射する。各ＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄに形成された情報
信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカ
ス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１は、このレ
ーザ反射光１３０を受光し、それぞれが受けたレーザ反
射光に基づいた光電流を発生する。フォーカス信号用Ｓ
ＰＤ群３０の各ＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１のアノード電極から
は光電流に応じた電流が流れ出る。この流れ出る電流
は、フォーカス信号用アンプ２０の対応の抵抗素子ｒ２
１〜ｒ２４を流れる。したがって、流れる電流に基づく
抵抗素子ｒ２１〜ｒ２４の電圧降下によって、フォーカ
ス信号用アンプ２０の各オペアンプ２１〜２４の出力
端、つまり、フォーカス信号用出力端子２６〜２９には
第２の基準電圧Ｖref2より対応の抵抗素子ｒ２１〜ｒ２
４による電圧降下分だけ低い電圧が現れ、この電圧がフ
ォーカス用信号Ａout〜Ｄoutとして出力される。このフ
ォーカス用信号Ａout〜Ｄoutによって、レーザ反射光１
３０の焦点合わせが行われる。

【００３１】一方、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・
Ａ２〜Ｄ２のアノード電極からも光電流に応じた電流が
流れ出る。言い換えれば、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳ
ＰＤ・Ａ２〜Ｄ２のカソード電極に光電流に応じた電流
が流れ込む。この流れ込む電流は、フォーカス信号用Ｓ
ＰＤ群３０の各ＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１のカソード電極に流
れ込む電流と加算されてＲＦアンプ１０の抵抗素子ｒ１
１に流れる。従って、流れる電流に基づく抵抗素子ｒ１
１の電圧降下によって、ＲＦアンプ１０の出力ノード、
つまり、情報信号出力端子１６には第１の基準電圧Ｖre
f1より抵抗ｒ１１による電圧降下分だけ高い電圧が現
れ、この電圧が情報信号ＲＦoutとして出力される。

【００３２】このように構成された光ピックアップ用信
号処理装置及び光ピックアップ用半導体装置の特徴は、
上記したように、レーザ反射光の焦点合わせを行なうた
めのフォーカス用信号Ａout〜Ｄoutは、フォーカス信号
用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１を用いて行い、情
報信号ＲＦoutは、フォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳ
ＰＤ・Ａ１〜Ｄ１及び情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ
・Ａ２〜Ｄ２を用いて行なう、つまり、フォーカス信号
用ＳＰＤ群３０及び情報信号用ＳＰＤ群４０を構成する
全てのＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１及びＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２で発
生される光電流を直接加算して、その加算した値に基づ
いてＲＦアンプ１０から出力される点にある。したがっ
て、レーザ反射光１３０が微弱な場合でも十分な値の情
報信号ＲＦoutが得られることになる。さらに、従来の
技術で述べたもののように、フォーカス信号用アンプ２
０を通した後の信号を用いて情報信号を得ていないの
で、フォーカス信号用アンプ２０で発生するノイズによ
って発生されるノイズが情報信号に重畳されることがな
く、誤りの小さい情報信号が得られる。

【００３３】実施の形態２．図２及び図６は、本発明の
実施の形態２を示す光ピックアップ用信号処理装置のブ
ロック図及び図２に示した光ピックアップ用信号処理装
置を１つの半導体基体に組み込んだ光ピックアップ用半
導体装置の主要部、具体的には情報信号用ＳＰＤ群４０
のＳＰＤ・Ｃ２、Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３
０のＳＰＤ・Ｃ１、Ｄ１が形成された部分の断面図であ
る。この実施の形態２における光ピックアップ用信号処
理装置及び光ピックアップ用半導体装置は上記した実施
の形態１における光ピックアップ用信号処理装置及び光
ピックアップ用半導体装置に対して、半導体基板とし
て、Ｐ型の半導体基板１及びＮ型のエピタキシャル成長
層３４を用いたものの変わりに、Ｎ型の半導体基板及び
Ｐ型のエピタキシャル成長層を用いて構成したものであ
り、その他の点においては同じである。

【００３４】この実施の形態２において、フォーカス信
号用ＳＰＤ群３０を構成するＳＰＤ・Ａ１、ＳＰＤ・Ｂ
１、ＳＰＤ・Ｃ１、ＳＰＤ・Ｄ１のアノード領域及び情
報信号用ＳＰＤ群４０を構成するＳＰＤ・Ａ２、ＳＰＤ
・Ｂ２、ＳＰＤ・Ｃ２、ＳＰＤ・Ｄ２のアノード領域
は、図２に示すように、共通に接続されてＲＦアンプ１
０の入力ノードに接続される。これらアノード領域は、
図６に示すように、各ＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄにおいて、
Ｎ型の半導体基板１の表面に形成されたＰ型のエピタキ
シャル成長層における、Ｎ型の分離領域４３によって囲
まれたＰ型のエピタキシャル成長層４４によって形成さ
れる。情報信号用ＳＰＤ群４０を構成するＳＰＤ・Ａ
２、ＳＰＤ・Ｂ２、ＳＰＤ・Ｃ２、ＳＰＤ・Ｄ２のカソ
ード領域は、図２に示すように、所定電位点、この例で
は電源電位が印加される電源電位点に接続される。これ
らカソード領域は、図６に示すように、各ＳＰＤ形成領
域Ａ〜Ｄにおいて、半導体基板１によって形成される。

【００３５】フォーカス信号用ＳＰＤ群３０を構成する
ＳＰＤ・Ａ１、ＳＰＤ・Ｂ１、ＳＰＤ・Ｃ１、ＳＰＤ・
Ｄ１のカソード領域は、図２に示すように、フォーカス
信号用アンプ２０の対応の入力ノードに接続される。こ
れらカソード領域は、図６に示すように、各ＳＰＤ形成
領域Ａ〜Ｄにおいて、分離領域４３にて囲われたエピタ
キシャル成長層４４の表面に形成されたＮ型の第１の半
導体領域４８によって形成される。

【００３６】また、ＲＦアンプ１０を構成するオペアン
プ１１の非反転入力端＋に接続された第１の基準電圧源
５０からの第１の基準電圧Ｖref1と、フォーカス信号用
アンプ２０を構成するオぺアンプ２１〜２４の非反転入
力端＋に接続された第２の基準電圧源６０からの第２の
基準電圧Ｖref2との関係は、フォーカス信号用ＳＰＤ群
３０の各ＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１に逆バイアスをかけるため
に、Ｖref1＜Ｖref2の関係に設定される。

【００３７】次に動作について説明する。この実施の形
態２においても、上記した実施の形態１と同様に、各Ｓ
ＰＤ形成領域Ａ〜Ｄに形成された情報信号用ＳＰＤ群４
０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群
３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１は、このレーザ反射光１３０
を受光し、それぞれが受けたレーザ反射光に基づいた光
電流を発生する。

【００３８】フォーカス信号用アンプ２０の各抵抗素子
ｒ２１〜ｒ２４には、フォーカス信号用ＳＰＤ群３０の
対応のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１のカソード電極に流れ込む電
流が流れる。したがって、流れる電流に基づく抵抗素子
ｒ２１〜ｒ２４の電圧降下によって、フォーカス信号用
アンプ２０の各オペアンプ２１〜２４の出力端、つま
り、フォーカス信号用出力端子２６〜２９には第２の基
準電圧Ｖref2より対応の抵抗素子ｒ２１〜ｒ２４による
電圧降下分だけ高い電圧が現れ、この電圧がフォーカス
信号Ａout〜Ｄoutとして出力される。このフォーカス信
号Ａout〜Ｄoutによって、レーザ反射光１３０の焦点合
わせが行われる。

【００３９】一方、ＲＦアンプ１０の抵抗素子ｒ１１に
は、フォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ
１のアノード電極から流れ出る電流と、情報信号用ＳＰ
Ｄ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２のアノード電極から流れ
出る電流の加算された電流が流れる。従って、流れる電
流に基づく抵抗素子ｒ１１の電圧降下によって、ＲＦア
ンプ１０のオペアンプ１１の出力端、つまり情報信号用
出力端子１６には第１の基準電圧Ｖref1より抵抗素子ｒ
１１による電圧降下分だけ低い電圧が現れ、この電圧が
情報信号ＲＦoutとして出力される。

【００４０】このように構成された光ピックアップ用信
号処理装置及び光ピックアップ用半導体装置の特徴は、
上記したように、上記した実施の形態１と同様に、レー
ザ反射光の焦点合わせを行なうためのフォーカス用信号
Ａout〜Ｄoutは、フォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰ
Ｄ・Ａ１〜Ｄ１を用いて行い、情報信号ＲＦoutは、フ
ォーカス信号用ＳＰＤ群３０及び情報信号用ＳＰＤ群４
０を構成する全てのＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１及びＳＰＤ・Ａ
２〜Ｄ２で発生される光電流を直接加算して、その加算
した値に基づいてＲＦアンプ１０から出力される点にあ
る。

【００４１】したがって、レーザ反射光１３０が微弱な
場合でも十分な値の情報信号ＲＦoutが得られることに
なる。さらに、従来の技術で述べたもののように、フォ
ーカス信号用アンプ２０によって発生されるノイズが情
報信号に重畳されることがなく、誤りの小さい情報信号
が得られる。

【００４２】実施の形態３．図３は、本発明の実施の形
態３を示す光ピックアップ用信号処理装置のブロック図
である。図３において、１０及び２０は上記実施の形態
１と同じＲＦアンプ及びフォーカス信号用アンプであ
る。

【００４３】３０は、一方の電極、この例においてはカ
ソード電極がフォーカス信号用アンプ２０の対応の入力
ノードに接続され、他方の電極、この例においてはアノ
ード電極が所定電位点、この例においては接地電位が印
加される接地電位点に接続される複数、この例では４つ
のシリコン・フォト・ダイオード（以下、ＳＰＤ・Ａ
１、ＳＰＤ・Ｂ１、ＳＰＤ・Ｃ１、ＳＰＤ・Ｄ１と称
す）を有するフォーカス信号用ＳＰＤ群である。ここ
で、ＳＰＤ・Ａ１はシリコン・フォト・ダイオードパッ
ドＡの部分（ＳＰＤ形成領域Ａ）に形成されるＳＰＤで
あり、ＳＰＤ・Ｂ１はシリコン・フォト・ダイオードパ
ッドＢの部分（ＳＰＤ形成領域Ｂ）に形成されるＳＰＤ
であり、ＳＰＤ・Ｃ１はシリコン・フォト・ダイオード
パッドＣの部分（ＳＰＤ形成領域Ｃ）に形成されるＳＰ
Ｄであり、ＳＰＤ・Ｄ１はシリコン・フォト・ダイオー
ドパッドＤの部分（ＳＰＤ形成領域Ｄ）に形成されるＳ
ＰＤである。

【００４４】４０はそれぞれが並列接続される第１及び
第２のシリコン・フォト・ダイオードからなり、一方の
電極、この例においてはカソード電極が共通接続されて
ＲＦアンプ１０の入力ノードに接続されるとともに、他
方の電極、この例ではアノード電極が所定電位点、この
例では接地電位が印加される接地電位点に接続される複
数、この例では４つ（４対）のシリコン・フォト・ダイ
オード（以下、ＳＰＤ・Ａ２、ＳＰＤ・Ｂ２、ＳＰＤ・
Ｃ２、ＳＰＤ・Ｄ２と称す）を有する情報信号用ＳＰＤ
群である。ここで、ＳＰＤ・Ａ２はシリコン・フォト・
ダイオードパッドＡの部分（ＳＰＤ形成領域Ａ）に形成
される１対のＳＰＤであり、ＳＰＤ・Ｂ２はシリコン・
フォト・ダイオードパッドＢの部分（ＳＰＤ形成領域
Ｂ）に形成される１対のＳＰＤであり、ＳＰＤ・Ｃ２は
シリコン・フォト・ダイオードパッドＣの部分（ＳＰＤ
形成領域Ｃ）に形成される１対のＳＰＤであり、ＳＰＤ
・Ｄ２はシリコン・フォト・ダイオードパッドＤの部分
（ＳＰＤ形成領域Ｄ）に形成される１対のＳＰＤであ
る。

【００４５】５０はＲＦアンプ１０を構成するオペアン
プ１１の非反転入力端＋及びフォーカス信号用アンプ２
０を構成するオペアンプ２１〜２４の非反転入力端＋に
それぞれ接続された基準電圧源で、オペアンプ１１の非
反転入力端＋及びオペアンプ２１〜２４の非反転入力端
＋にそれぞれ基準電圧Ｖref1を印加する。なお、情報信
号用出力端子１６は、図示されない次段のＡ／Ｄ変換器
に接続される。フォーカス信号用出力端子２６〜２９は
次段の焦点合わせ制御回路に接続される。

【００４６】図７は、図３に示した光ピックアップ用信
号処理装置を１つの半導体基体に組み込んだ光ピックア
ップ用半導体装置の主要部、具体的には情報信号用ＳＰ
Ｄ群４０のＳＰＤ・Ｃ２、Ｄ２及びフォーカス信号用Ｓ
ＰＤ群３０のＳＰＤ・Ｃ１、Ｄ１が形成された部分の断
面図である。なお、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・
Ａ２、Ｂ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ
・Ａ１、Ｂ１も情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ｃ
２、Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・
Ｃ１、Ｄ１と同様に形成されている。

【００４７】図７において、Ｐ型の半導体基板１及びこ
の半導体基板１の表面上に半導体基板１とＰＮ接合をな
して形成されるＮ型のエピタキシャル成長層３４とによ
って半導体基体を構成している。この半導体基体は、図
７の上部に平面パターンを示すように、エピタキシャル
成長層３４の表面から半導体基板１の表面に達するＰ型
の分離領域３３にて電気的に分離される上下左右に隣接
して配置されるＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄを有している。各
ＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄには、情報信号用ＳＰＤ群４０の
ＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群のＳ
ＰＤ・Ａ１〜Ｄ１が形成される。各ＳＰＤ形成領域Ａ〜
Ｄにおいて、半導体基板１が、図７にダイオードのマー
クで示しているように、情報信号用ＳＰＤ群４０の対応
のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の第１のＳＰＤのアノード領域を
なしている。

【００４８】また、半導体基体の各ＳＰＤ形成領域Ａ〜
Ｄにおける分離領域３３にて囲われた半導体基板１とエ
ピタキシャル成長層３４とのＰＮ接合部にＮ型の第１の
埋め込み領域３１が埋め込まれて形成される。各第１の
埋め込み領域３１は、情報信号用ＳＰＤ群４０の対応の
ＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の第１のＳＰＤのカソード領域及び
情報信号用ＳＰＤ群４０の対応のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の
第２のＳＰＤのカソード領域をなしている。各第１の埋
め込み領域３１の表面にＰ型の第２の埋め込み領域３２
が埋め込まれて形成される。各第２の埋め込み領域３２
は、情報信号用ＳＰＤ群４０の対応のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ
２の第２のＳＰＤのアノード領域及びフォーカス信号用
ＳＰＤ群３０の対応のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１のアノード領
域をなしている。

【００４９】各ＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄにおいて、分離領
域３３にて囲われたエピタキシャル成長層３４の表面か
ら第２の埋め込み領域３２の表面に達し、各ＳＰＤ形成
領域Ａ〜Ｄにおけるエピタキシャル成長層を内側と外側
とで電気的に分離するＰ型の引出領域３９が環状に形成
されている。各引出領域３９は、対応の第２の埋め込み
領域３２の電極引き出しを行なうための領域をなしてい
る。各ＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄにおいて、引出領域３９に
て電気的に分離された外側のエピタキシャル成長層３４
は、対応の第１の埋め込み領域３１の電極を引き出すた
めの領域をなしており、内側のエピタキシャル成長層３
５がフォーカス信号用ＳＰＤ群３０の対応のＳＰＤ・Ａ
１〜Ｄ１のカソード領域をなしている。

【００５０】半導体基板１は、図７に示されるように、
分離領域３３を介して接地電位点に接続され、接地され
る。その結果、情報信号用ＳＰＤ群４０の対応のＳＰＤ
・Ａ２〜Ｄ２の第１のＳＰＤのアノード領域は接地され
ることになる。各第１の埋め込み領域３１は、図７に示
されるように、分離領域３３にて囲われたエピタキシャ
ル成長層における引出領域３９の外側のエピタキシャル
成長層３４を介してＲＦアンプ１０の入力ノードに接続
される。その結果、情報信号用ＳＰＤ群４０の対応のＳ
ＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の第１のＳＰＤのカソード領域及び情
報信号用ＳＰＤ群４０の対応のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の第
２のＳＰＤのカソード領域は共通接続されて情報信号用
アンプ１０の入力ノードに接続されることになる。

【００５１】各第２の埋め込み領域３２は、図７に示さ
れるように、引出領域３９を介して接地電位点に接続さ
れ、接地される。その結果、情報信号用ＳＰＤ群４０の
対応のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の第２のＳＰＤのアノード領
域及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０の対応のＳＰＤ・
Ａ１〜Ｄ１のアノード領域は接地されることになる。半
導体基体の各ＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄにおける分離領域３
３にて囲われたエピタキシャル成長層における引出領域
３９に囲われた内側のエピタキシャル成長層３５は、図
７に示されるように、フォーカス信号用アンプ２０の対
応の入力ノードに、表面に形成されたＮ＋領域を介して
接続される。その結果、フォーカス信号用ＳＰＤ群３０
のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１のアノード領域はフォーカス信号
用アンプ２０の対応の入力ノードに接続されることにな
る。

【００５２】次に動作について説明する。光ディスク１
２０から反射されたレーザ反射光１３０は、光ピックア
ップ用半導体装置における４つのＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄ
を照射する。各ＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄに形成された情報
信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の第１及び第
２のＳＰＤ並びにフォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰ
Ｄ・Ａ１〜Ｄ１は、このレーザ反射光１３０を受光し、
それぞれが受けたレーザ反射光に基づいた光電流を発生
する。

【００５３】フォーカス信号用ＳＰＤ群３０の各ＳＰＤ
・Ａ１〜Ｄ１のカソード電極に光電流に応じた電流が流
れ込む。この流れ込む電流は、フォーカス信号用アンプ
２０の対応の抵抗素子ｒ２１〜ｒ２４を流れる。したが
って、流れる電流に基づく抵抗素子ｒ２１〜ｒ２４の電
圧降下によって、フォーカス信号用アンプ２０の各オペ
アンプ２１〜２４の出力端、つまり、フォーカス信号用
出力端子２６〜２９には基準電圧Ｖref1より対応の抵抗
素子ｒ２１〜ｒ２４による電圧降下分だけ高い電圧が現
れ、この電圧がフォーカス用信号Ａout〜Ｄoutとして出
力される。このフォーカス用信号Ａout〜Ｄoutによっ
て、レーザ反射光１３０の焦点合わせが行われる。

【００５４】一方、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・
Ａ２〜Ｄ２の第１及び第２のＳＰＤのカソード電極にも
光電流に応じた電流が流れ込む。これら流れ込む電流は
すべて加算されてＲＦアンプ１０の抵抗素子ｒ１１に流
れる。従って、流れる電流に基づく抵抗素子ｒ１１の電
圧降下によって、ＲＦアンプ１０の出力ノード、つま
り、情報信号出力端子１６には基準電圧Ｖref1より抵抗
ｒ１１による電圧降下分だけ高い電圧が現れ、この電圧
が情報信号ＲＦoutとして出力される。

【００５５】このように構成された光ピックアップ用信
号処理装置及び光ピックアップ用半導体装置の特徴は、
上記したように、レーザ反射光の焦点合わせを行なうた
めのフォーカス用信号Ａout〜Ｄoutは、フォーカス信号
用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１を用いて行い、情
報信号ＲＦoutは、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・
Ａ２〜Ｄ２の第１及び第２のＳＰＤを用いて行なう、つ
まり、情報信号用ＳＰＤ群４０を構成する全てのＳＰＤ
で発生される光電流を直接加算して、その加算した値に
基づいてＲＦアンプ１０から出力される点にある。した
がって、レーザ反射光１３０が微弱な場合でも十分な値
の情報信号ＲＦoutが得られることになる。さらに、従
来の技術で述べたもののように、フォーカス信号用アン
プ２０を通した後の信号を用いて情報信号を得ていない
ので、フォーカス信号用アンプ２０で発生するノイズに
よって発生されるノイズが情報信号に重畳されることが
なく、誤りの小さい情報信号が得られる。

【００５６】実施の形態４．図４及び図８は、本発明の
実施の形態４を示す光ピックアップ用信号処理装置のブ
ロック図及び図４に示した光ピックアップ用信号処理装
置を１つの半導体基体に組み込んだ光ピックアップ用半
導体装置の主要部、具体的には情報信号用ＳＰＤ群４０
のＳＰＤ・Ｃ２、Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３
０のＳＰＤ・Ｃ１、Ｄ１が形成された部分の断面図であ
る。この実施の形態４における光ピックアップ用信号処
理装置及び光ピックアップ用半導体装置は上記した実施
の形態３における光ピックアップ用信号処理装置及び光
ピックアップ用半導体装置に対して、半導体基板とし
て、Ｐ型の半導体基板１及びＮ型のエピタキシャル成長
層３４を用いたものの変わりに、Ｎ型の半導体基板及び
Ｐ型のエピタキシャル成長層を用いて構成したものであ
り、その他の点においては同じである。

【００５７】この実施の形態４において、情報信号用Ｓ
ＰＤ群４０を構成するＳＰＤ・Ａ２、ＳＰＤ・Ｂ２、Ｓ
ＰＤ・Ｃ２、ＳＰＤ・Ｄ２の第１のＳＰＤのカソード領
域は、図４に示すように、所定電位点、この例では電源
電位が印加される電源電位点に接続される。これらカソ
ード領域は、図８に示すように、各ＳＰＤ形成領域Ａ〜
Ｄにおいて、半導体基板１によって形成される。

【００５８】情報信号用ＳＰＤ群４０を構成するＳＰＤ
・Ａ２、ＳＰＤ・Ｂ２、ＳＰＤ・Ｃ２、ＳＰＤ・Ｄ２の
第１及び第２のＳＰＤのアノード領域は、図４に示すよ
うに、共通に接続されてＲＦアンプ１０の入力ノードに
接続される。これらアノード領域は、図８に示すよう
に、各ＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄにおいて、Ｎ型の半導体基
板１の表面に形成されたＰ型のエピタキシャル成長層に
おける、Ｎ型の分離領域６３によって囲まれた半導体基
板１とエピタキシャル成長層６４とのＰＮ接合部に形成
されたＰ型の第１の埋め込み領域６１によって形成され
る。

【００５９】情報信号用ＳＰＤ群４０を構成するＳＰＤ
・Ａ２、ＳＰＤ・Ｂ２、ＳＰＤ・Ｃ２、ＳＰＤ・Ｄ２の
第２のＳＰＤのカソード領域は、図４に示すように、所
定電位点に接続される。これらカソード領域は、図８に
示すように、各ＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄにおいて、第１の
埋め込み領域６１の表面に埋め込み、形成されたＮ型の
第２の埋め込み領域６２によって形成される。フォーカ
ス信号用ＳＰＤ群３０を構成するＳＰＤ・Ａ１、ＳＰＤ
・Ｂ１、ＳＰＤ・Ｃ１、ＳＰＤ・Ｄ１のカソード領域
は、図４に示すように、所定電位点に接続される。これ
らカソード領域は、図８に示すように、各ＳＰＤ形成領
域Ａ〜Ｄにおいて、第２の埋め込み領域６２によって形
成される。

【００６０】フォーカス信号用ＳＰＤ群３０を構成する
ＳＰＤ・Ａ１、ＳＰＤ・Ｂ１、ＳＰＤ・Ｃ１、ＳＰＤ・
Ｄ１のアノード領域は、図４に示すように、フォーカス
信号用アンプ２０の対応の入力ノードに接続される。こ
れらアノード領域は、図８に示すように、各ＳＰＤ形成
領域Ａ〜Ｄにおいて、分離領域６３にて囲われたエピタ
キシャル成長層における引出領域６９に囲われた内側の
エピタキシャル成長層６５によって形成される。なお、
半導体基板１は、図８に示すように、分離領域６３を介
して所定電位点に接続される。

【００６１】各ＳＰＤ形成領域Ａ〜Ｄにおける第１の埋
め込み領域６１は、図８に示すように、分離領域６３に
て囲われたエピタキシャル成長層における引出領域６９
の外側のエピタキシャル成長層６４を介してＲＦアンプ
１０の入力ノードに接続される。各ＳＰＤ形成領域Ａ〜
Ｄにおける第２の埋め込み領域６２は、図８に示すよう
に、引出領域３９を介して所定電位点に接続される。

【００６２】次に動作について説明する。この実施の形
態４においても、上記した実施の形態３と同様に、各Ｓ
ＰＤ形成領域Ａ〜Ｄに形成された情報信号用ＳＰＤ群４
０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の第１及び第２のＳＰＤ並びに
フォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１
は、このレーザ反射光１３０を受光し、それぞれが受け
たレーザ反射光に基づいた光電流を発生する。

【００６３】フォーカス信号用アンプ２０の各抵抗素子
ｒ２１〜ｒ２４には、フォーカス信号用ＳＰＤ群３０の
対応のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１のアノード電極から流れ出す
電流が流れる。したがって、流れる電流に基づく抵抗素
子ｒ２１〜ｒ２４の電圧降下によって、フォーカス信号
用アンプ２０の各オペアンプ２１〜２４の出力端、つま
り、フォーカス信号用出力端子２６〜２９には基準電圧
Ｖref1より対応の抵抗素子ｒ２１〜ｒ２４による電圧降
下分だけ低い電圧が現れ、この電圧がフォーカス信号Ａ
out〜Ｄoutとして出力される。このフォーカス信号Ａou
t〜Ｄoutによって、レーザ反射光１３０の焦点合わせが
行われる。

【００６４】一方、ＲＦアンプ１０の抵抗素子ｒ１１に
は、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の第
１及び第２のＳＰＤのアノード電極から流れ出る全ての
電流の加算された電流が流れる。従って、流れる電流に
基づく抵抗素子ｒ１１の電圧降下によって、ＲＦアンプ
１０のオペアンプ１１の出力端、つまり情報信号用出力
端子１６には基準電圧Ｖref1より抵抗素子ｒ１１による
電圧降下分だけ低い電圧が現れ、この電圧が情報信号Ｒ
ＦＯＵＴとして出力される。

【００６５】このように構成された光ピックアップ用信
号処理装置及び光ピックアップ用半導体装置の特徴は、
上記したように、上記した実施の形態３と同様に、レー
ザ反射光の焦点合わせを行なうためのフォーカス用信号
Ａout〜Ｄoutは、フォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰ
Ｄ・Ａ１〜Ｄ１を用いて行い、情報信号ＲＦoutは、情
報信号用ＳＰＤ群４０を構成する全てのＳＰＤで発生さ
れる光電流を直接加算して、その加算した値に基づいて
ＲＦアンプ１０から出力される点にある。したがって、
レーザ反射光１３０が微弱な場合でも十分な値の情報信
号ＲＦoutが得られることになる。さらに、従来の技術
で述べたもののように、フォーカス信号用アンプ２０に
よって発生されるノイズが情報信号に重畳されることが
なく、誤りの小さい情報信号が得られる。

【００６６】実施の形態５．図９は、本発明の実施の形
態５を示す光ピックアップ用半導体装置を示す。この実
施の形態５に示す光ピックアップ用半導体装置は、図１
に示される光ピックアップ用処理装置におけるＲＦアン
プ１０及びフォーカス信号用アンプ２０ともに、情報信
号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカス
信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１と一緒に半導
体基体の表面に形成したものである。

【００６７】そして、図９は光ピックアップ用半導体装
置の主要部、具体的には情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰ
Ｄ・Ｃ２、Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳ
ＰＤ・Ｃ１、Ｄ１が形成された部分、及びＲＦアンプ１
０及びフォーカス信号用アンプ２０を構成する抵抗素子
ｒ１１、ｒ２１〜ｒ２４のうちの一つを代表的に示す抵
抗素子が形成された部分の断面図である。情報信号用Ｓ
ＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカス信号用
ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１の構成は図５にて示
した実施の形態１と同じであるので説明を省略し、主と
してＲＦアンプ１０及びフォーカス信号用アンプ２０を
構成する抵抗素子ｒ１１、ｒ２１〜ｒ２４の構成につい
て主として以下に説明する。

【００６８】図９において、２００はＮ型のエピタキシ
ャル成長層３４の表面からＰ型の半導体基板１の表面に
達するＰ型の分離領域３３にて電気的に分離される抵抗
素子形成領域、７０はこの抵抗素子形成領域２００にお
ける分離領域３３にて囲われたエピタキシャル成長層３
４の表面に形成されたＰ型の半導体領域からなる抵抗素
子部である。なお、図９において図５に示した符号と同
一符号は同一又は相当部分を示している。そして、この
ように構成された光ピックアップ用半導体装置は、情報
信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカ
ス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１が、上記し
たＲＦアンプ１０及びフォーカス信号用アンプ２０を構
成する抵抗素子ｒ１１、ｒ２１〜ｒ２４と同じプロセス
で形成される。

【００６９】すなわち、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰ
Ｄ・Ａ２〜Ｄ２のアノード領域となる第１の半導体領域
３８の形成を、抵抗素子ｒ１１、ｒ２１〜ｒ２４となる
抵抗素子部７０を形成するためのプロセスと同じプロセ
スにて行なうものである。なお、第１の半導体領域３８
の表面に形成されたＰ＋型のアノード取出領域３８ａは
抵抗素子部７０の表面に形成されたＰ＋型の抵抗端取出
領域７１、７２と同じプロセスで形成される。このよう
に製造することによって、何等製造プロセスを増やすこ
となく、抵抗素子の形成プロセスによって情報信号用Ｓ
ＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカス信号用
ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１を形成できる。

【００７０】なお、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・
Ａ２〜Ｄ２のアノード領域となる第１の半導体領域３８
は抵抗素子ｒ１１、ｒ２１〜ｒ２４となる抵抗素子部７
０と同じプロセスで形成されるため、抵抗素子ｒ１１、
ｒ２１〜ｒ２４となる抵抗素子部７０と不純物が同じで
あるとともに、拡散深さ及び不純物濃度が同じに形成さ
れている。

【００７１】このように構成された光ピックアップ用半
導体装置においても、上記した実施の形態１と同様の効
果を奏する他、何等プロセスを増加させることなく、情
報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォー
カス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１を形成で
きるという効果も有する。なお、この実施の形態５で
は、半導体基板として、Ｐ型の半導体基板１及びＮ型の
エピタキシャル成長層３４を用いたものであるが、Ｎ型
の半導体基板及びＰ型のエピタキシャル成長層を用いた
ものであってもよい。この場合、情報信号用ＳＰＤ群４
０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群
３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１の構成は図６にて示した実施
の形態２と同じであり、抵抗素子部７０は、抵抗素子形
成領域２００におけるＮ型の分離領域３３にて囲われた
Ｐ型のエピタキシャル成長層３４の表面に形成されたＮ
型の半導体領域となる。

【００７２】実施の形態６．図１０は本発明の実施の形
態６を示す光ピックアップ用半導体装置を示す。この実
施の形態６に示す光ピックアップ用半導体装置は、図１
に示される光ピックアップ用処理装置におけるＲＦアン
プ１０及びフォーカス信号用アンプ２０ともに、情報信
号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカス
信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１と一緒に半導
体基体の表面に形成したものである。

【００７３】そして、図１０は光ピックアップ用半導体
装置の主要部、具体的には情報信号用ＳＰＤ群４０のＳ
ＰＤ・Ｃ２、Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０の
ＳＰＤ・Ｃ１、Ｄ１が形成された部分、及びＲＦアンプ
１０及びフォーカス信号用アンプ２０におけるオペアン
プ１１、２１〜２４を構成するＮＰＮバイポーラトラン
ジスタ素子のうちの一つを代表的に示すＮＰＮバイポー
ラトランジスタ素子が形成された部分の断面図である。

【００７４】情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜
Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１
〜Ｄ１の構成は図５にて示した実施の形態１と同じであ
るので説明を省略し、主としてＲＦアンプ１０及びフォ
ーカス信号用アンプ２０におけるオペアンプ１１、２１
〜２４を構成するＮＰＮバイポーラトランジスタ素子の
構成について主として以下に説明する。

【００７５】図１０において、３００はＮ型のエピタキ
シャル成長層３４の表面からＰ型の半導体基板１の表面
に達するＰ型の分離領域３３にて電気的に分離されるト
ランジスタ素子形成領域、８１はこのトランジスタ素子
形成領域３００における分離領域３３にて囲われたエピ
タキシャル成長層３４にて構成されるコレクタ領域に対
するＮ＋型のコレクタ取出領域、８２は抵抗素子形成領
域２００における分離領域３３にて囲われたエピタキシ
ャル成長層３４の表面に形成されたＰ型の半導体領域か
らなるベース領域、８３はこのベース領域の表面に形成
されたＰ＋型のベース取出領域、８４はベース領域８２
の表面に形成されたＮ型のエミッタ領域、８５はこのエ
ミッタ領域の表面に形成されたＮ＋型のエミッタ取出領
域である。なお、図１０において図５に示した符号と同
一符号は同一又は相当部分を示している。

【００７６】そして、このように構成された光ピックア
ップ用半導体装置は、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ
・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰ
Ｄ・Ａ１〜Ｄ１が、上記したＲＦアンプ１０及びフォー
カス信号用アンプ２０におけるオペアンプ１１、２１〜
２４を構成するＮＰＮバイポーラトランジスタ素子と同
じプロセスで形成される。

【００７７】すなわち、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰ
Ｄ・Ａ２〜Ｄ２のアノード領域となる第１の半導体領域
３８の形成を、ＮＰＮバイポーラトランジスタ素子のベ
ース領域８２を形成するためのプロセスと同じプロセス
にて行なうものである。なお、第１の半導体領域３８の
表面に形成されたＰ＋型のアノード取出領域３８ａはＮ
ＰＮバイポーラトランジスタ素子のＰ＋型のベース取出
領域と同じプロセスで形成される。このように製造する
ことによって、何等製造プロセスを増やすことなく、Ｎ
ＰＮバイポーラトランジスタ素子の形成プロセスによっ
て情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフ
ォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１を形
成できる。なお、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ
２〜Ｄ２のアノード領域となる第１の半導体領域３８は
ＮＰＮバイポーラトランジスタ素子のベース領域８２と
同じプロセスで形成されるため、ＮＰＮバイポーラトラ
ンジスタ素子のベース領域８２と不純物が同じであると
ともに、拡散深さ及び不純物濃度が同じに形成されてい
る。

【００７８】このように構成された光ピックアップ用半
導体装置においても、上記した実施の形態１と同様の効
果を奏する他、何等プロセスを増加させることなく、情
報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォー
カス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１を形成で
きるという効果も有する。なお、この実施の形態６で
は、半導体基板として、Ｐ型の半導体基板１及びＮ型の
エピタキシャル成長層３４を用いたものであるが、Ｎ型
の半導体基板及びＰ型のエピタキシャル成長層を用いた
ものであってもよい。この場合、情報信号用ＳＰＤ群４
０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群
３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１の構成は図６にて示した実施
の形態２と同じであり、ＮＰＮバイポーラトランジスタ
素子は、トランジスタ素子形成領域３００におけるＮ型
の分離領域３３にて囲われたＰ型のエピタキシャル成長
層３４がコレクタ領域、このコレクタ領域の表面に形成
されたＮ型の半導体領域がベース領域、このベース領域
の表面に形成されたＰ型の半導体領域がエミッタ領域と
なる。

【００７９】実施の形態７．図１１は本発明の実施の形
態７を示す光ピックアップ用半導体装置を示す。この実
施の形態７に示す光ピックアップ用半導体装置は、図３
に示される光ピックアップ用処理装置におけるＲＦアン
プ１０及びフォーカス信号用アンプ２０ともに、情報信
号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカス
信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１と一緒に半導
体基体の表面に形成したものである。

【００８０】そして、図１１は光ピックアップ用半導体
装置の主要部、具体的には情報信号用ＳＰＤ群４０のＳ
ＰＤ・Ｃ２、Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０の
ＳＰＤ・Ｃ１、Ｄ１が形成された部分、及びＲＦアンプ
１０及びフォーカス信号用アンプ２０におけるオペアン
プ１１、２１〜２４を構成するＰＮＰバイポーラトラン
ジスタ素子のうちの一つを代表的に示すＰＮＰバイポー
ラトランジスタ素子が形成された部分の断面図である。

【００８１】情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜
Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１
〜Ｄ１の構成は図７にて示した実施の形態３と同じであ
るので説明を省略し、主としてＲＦアンプ１０及びフォ
ーカス信号用アンプ２０におけるオペアンプ１１、２１
〜２４を構成するＰＮＰバイポーラトランジスタ素子の
構成について主として以下に説明する。

【００８２】図１１において、４００はＮ型のエピタキ
シャル成長層３４の表面からＰ型の半導体基板１の表面
に達するＰ型の分離領域３３にて電気的に分離されるト
ランジスタ素子形成領域、９１はこのトランジスタ素子
形成領域４００における分離領域３３にて囲われた半導
体基板１とエピタキシャル成長層３４とのＰＮ接合部に
埋め込み形成されたＮ型の第１の埋め込み領域３１の表
面に埋め込み形成されたＰ型の第２の埋め込み領域３２
にて構成されるコレクタ領域に対するＰ＋型のコレクタ
取出領域で、コレクタ引出領域３９の表面に形成され
る。９２はトランジスタ素子形成領域４００におけるコ
レクタ引出領域３９に囲われた内側のエピタキシャル成
長層３５にて構成されるベース領域の表面に形成された
Ｎ＋型のベース取出領域、９３はトランジスタ素子形成
領域４００におけるコレクタ引出領域３９に囲われた内
側のエピタキシャル成長層３５にて構成されるベース領
域の表面に形成されたＰ型のエミッタ領域、９４はこの
エミッタ領域の表面に形成されたＰ＋型のエミッタ取出
領域である。なお、図１１において図７に示した符号と
同一符号は同一又は相当部分を示している。

【００８３】そして、このように構成された光ピックア
ップ用半導体装置は、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ
・Ａ２〜Ｄ２及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰ
Ｄ・Ａ１〜Ｄ１が、上記したＲＦアンプ１０及びフォー
カス信号用アンプ２０におけるオペアンプ１１、２１〜
２４を構成するＰＮＰバイポーラトランジスタ素子と同
じプロセスで形成される。

【００８４】すなわち、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰ
Ｄ・Ａ２〜Ｄ２の第１及び第２のＳＰＤのカソード領域
となる第１の埋め込み領域３１の形成を、ＰＮＰバイポ
ーラトランジスタ素子を半導体基板１から電気的に分離
するために設けられた第１の埋め込み領域３１を形成す
るためのプロセスと同じプロセスにて行なう。

【００８５】情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜
Ｄ２の第１のＳＰＤのアノード領域及びフォーカス信号
用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１のアノード領域と
なる第２の埋め込み領域３２の形成を、ＰＮＰバイポー
ラトランジスタ素子のコレクタ領域となる第２の埋め込
み領域３２を形成するためのプロセスと同じプロセスに
て行なう。

【００８６】情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜
Ｄ２の第１のＳＰＤのアノード領域及びフォーカス信号
用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１のアノード領域に
対する引出領域３９の形成を、ＰＮＰバイポーラトラン
ジスタ素子のコレクタ領域に対する引出領域３９を形成
するためのプロセスと同じプロセスにて行なう。なお、
Ｎ＋型のカソード取出領域３５ａ及びＰ＋型のアノード
取出領域３９ａはそれぞれＰＮＰバイポーラトランジス
タ素子のＮ＋型のコレクタ取出領域９１及びＰ＋型のベ
ース取出領域９２と同じプロセスで形成される。

【００８７】このように製造することによって、何等製
造プロセスを増やすことなく、ＰＮＰバイポーラトラン
ジスタ素子の形成プロセスによって情報信号用ＳＰＤ群
４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の第１及び第２のＳＰＤ並び
にフォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１
を形成できる。

【００８８】なお、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・
Ａ２〜Ｄ２の第１及び第２のＳＰＤのカソード領域とな
る第１の埋め込み領域３１、情報信号用ＳＰＤ群４０の
ＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の第１のＳＰＤのアノード領域及び
フォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１の
アノード領域となる第２の埋め込み領域３２、及び情報
信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の第１のＳＰ
Ｄのアノード領域及びフォーカス信号用ＳＰＤ群３０の
ＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１のアノード領域に対する引出領域３
９それぞれは、ＰＮＰバイポーラトランジスタ素子に対
する第１の埋め込み領域３１、コレクタ領域となる第２
の埋め込み領域３２、及びコレクタ領域に対する引出領
域３９それぞれと同じプロセスで形成されるため、ＰＮ
Ｐバイポーラトランジスタ素子に対する第１の埋め込み
領域３１、コレクタ領域となる第２の埋め込み領域３
２、及びコレクタ領域に対する引出領域３９それぞれと
不純物が同じであるとともに、拡散深さ及び不純物濃度
が同じに形成されている。

【００８９】このように構成された光ピックアップ用半
導体装置においても、上記した実施の形態３と同様の効
果を奏する他、何等プロセスを増加させることなく、情
報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の第１及び
第２のＳＰＤ並びにフォーカス信号用ＳＰＤ群３０のＳ
ＰＤ・Ａ１〜Ｄ１を形成できるという効果も有する。な
お、この実施の形態７では、半導体基板として、Ｐ型の
半導体基板１及びＮ型のエピタキシャル成長層３４を用
いたものであるが、Ｎ型の半導体基板及びＰ型のエピタ
キシャル成長層を用いたものであってもよい。この場
合、情報信号用ＳＰＤ群４０のＳＰＤ・Ａ２〜Ｄ２の第
１及び第２のＳＰＤ並びにフォーカス信号用ＳＰＤ群３
０のＳＰＤ・Ａ１〜Ｄ１の構成は図８にて示した実施の
形態４と同じであり、ＰＮＰバイポーラトランジスタ素
子は、トランジスタ素子形成領域４００におけるＮ型の
分離領域３３にて囲われたＮ型の半導体基板１とＰ型の
エピタキシャル成長層３４とのＰＮ接合部に埋め込み形
成されたＰ型の第１の埋め込み領域３１の表面に埋め込
み形成されたＮ型の第２の埋め込み領域３２がコレクタ
領域、Ｐ型のコレクタ引出領域３９に囲まれたエピタキ
シャル成長層３５がベース領域、このベース領域の表面
に形成されたＮ型の半導体領域９３がエミッタ領域とな
る。

【００９０】

【発明の効果】この発明の第１の発明に係る光ピックア
ップ用信号処理装置は、一方の電極が共通接続されると
ともに、他方の電極が所定電位点に接続される複数のシ
リコン・フォト・ダイオードを有する情報信号用ＳＰＤ
群と、この情報信号用ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォ
ト・ダイオードの一方の電極が共通接続される共通接続
点に入力ノードが接続され、出力ノードから情報信号を
出力する情報信号用アンプとを設けたので、レーザ反射
光が微弱な場合でも十分な値の情報信号が得られる。さ
らに、従来の技術のように、フォーカス信号用アンプを
通した後の信号を用いて情報信号を得ていないので、フ
ォーカス信号用アンプで発生するノイズによって発生さ
れるノイズが情報信号に重畳されることがなく、誤りの
小さい情報信号が得られる。

【００９１】この発明の第２の発明に係る光ピックアッ
プ用信号処理装置は、第１の発明にさらに、一方の電極
が共通接続されて前記情報信号用アンプの入力ノードに
接続される複数のシリコン・フォト・ダイオードを有す
るフォーカス信号用ＳＰＤ群と、このフォーカス信号用
ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォト・ダイオードに対応
して設けられ、それぞれが対応するシリコン・フォト・
ダイオードの他方の電極に接続される複数の入力ノード
を有し、出力ノードからフォーカス用信号を出力するフ
ォーカス信号用アンプとを設けたので、レーザ反射光が
微弱な場合でも十分な値の情報信号が得られる。さら
に、従来の技術のように、フォーカス信号用アンプを通
した後の信号を用いて情報信号を得ていないので、フォ
ーカス信号用アンプで発生するノイズによって発生され
るノイズが情報信号に重畳されることがなく、誤りの小
さい情報信号が得られる。

【００９２】この発明の第３の発明に係る光ピックアッ
プ用信号処理装置は、第１の発明にさらに、一方の電極
が上記所定電位点に接続される複数のシリコン・フォト
・ダイオードを有するフォーカス信号用ＳＰＤ群と、こ
のフォーカス信号用ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォト
・ダイオードに対応して設けられ、それぞれが対応する
シリコン・フォト・ダイオードの他方の電極に接続され
る複数の入力ノードを有し、出力ノードからフォーカス
用信号を出力するフォーカス信号用アンプとを設けたの
で、レーザ反射光が微弱な場合でも十分な値の情報信号
が得られる。さらに、従来の技術のように、フォーカス
信号用アンプを通した後の信号を用いて情報信号を得て
いないので、フォーカス信号用アンプで発生するノイズ
によって発生されるノイズが情報信号に重畳されること
がなく、誤りの小さい情報信号が得られる。

【００９３】この発明の第４の発明に係る光ピックアッ
プ用信号処理装置は、一方の電極が共通接続されるとと
もに、他方の電極が所定電位点に接続される複数のシリ
コン・フォト・ダイオードを有する情報信号用ＳＰＤ群
と、この情報信号用ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォト
・ダイオードの一方の電極が共通接続される共通接続点
に接続される入力ノードに反転入力端が接続され、非反
転入力端に第１の基準電位が印加され、出力端が情報信
号を出力する出力ノードに接続されるオペアンプ、及び
このオペアンプの反転入力端と出力端との間に接続され
る抵抗素子を有する情報信号用アンプと、一方の電極が
共通接続されて情報信号用アンプの入力ノードに接続さ
れる複数のシリコン・フォト・ダイオードを有するフォ
ーカス信号用ＳＰＤ群と、このフォーカス信号用ＳＰＤ
群の複数のシリコン・フォト・ダイオードに対応して設
けられ、それぞれが対応するシリコン・フォト・ダイオ
ードの他方の電極に接続される入力ノードに反転入力端
が接続され、非反転入力端に第２の基準電位が印加さ
れ、フォーカス用信号を出力する対応の出力ノードに出
力端が接続される複数のオペアンプ、及びれら複数のオ
ペアンプに対応して設けられ、それぞれが対応するオペ
アンプの反転入力端と出力端との間に接続される複数の
抵抗素子を有するフォーカス信号用アンプとを設けたの
で、レーザ反射光が微弱な場合でも十分な値の情報信号
が得られる。さらに、従来の技術のように、フォーカス
信号用アンプを通した後の信号を用いて情報信号を得て
いないので、フォーカス信号用アンプで発生するノイズ
によって発生されるノイズが情報信号に重畳されること
がなく、誤りの小さい情報信号が得られる。

【００９４】この発明の第５の発明に係る光ピックアッ
プ用半導体装置は、一方の電極が共通接続されて情報信
号用アンプの入力ノードに接続され、他方の電極が所定
電位点に接続される４つのシリコン・フォト・ダイオー
ドを有する情報信号用ＳＰＤ群と、一方の電極が共通接
続されて情報信号用アンプの入力ノードに接続され、そ
れぞれの他方の電極がフォーカス信号用アンプにおける
対応の入力ノードに接続される４つのシリコン・フォト
・ダイオードを有するフォーカス信号用ＳＰＤ群とを備
え、第１導電型の半導体基板、及びこの半導体基板の表
面上に半導体基板とＰＮ接合をなして形成される第２導
電型のエピタキシャル成長層を有し、このエピタキシャ
ル成長層の表面から半導体基板の表面に達する第１導電
型の分離領域にて電気的に分離される上下左右に隣接し
て配置され、それぞれが情報信号用ＳＰＤ群及びフォー
カス信号用ＳＰＤ群のそれぞれのシリコン・フォト・ダ
イオードに対応する４つのＳＰＤ形成領域を有し、各Ｓ
ＰＤ形成領域において、半導体基板が情報信号用ＳＰＤ
群の対応のシリコン・フォト・ダイオードの一方の電極
領域をなすとともに、分離領域にて囲われたエピタキシ
ャル成長層が情報信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・フ
ォト・ダイオードの他方の電極領域及び前記フォーカス
信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・フォト・ダイオード
の他方の電極領域をなす半導体基体と、それぞれがこの
半導体基体の各ＳＰＤ形成領域における分離領域にて囲
われたエピタキシャル成長層の表面に形成され、前記フ
ォーカス信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・フォト・ダ
イオードの一方の電極領域となる第１導電型の４つの第
１の半導体領域とを設けたので、レーザ反射光が微弱な
場合でも十分な値の情報信号が得られる。さらに、従来
の技術のように、フォーカス信号用アンプを通した後の
信号を用いて情報信号を得ていないので、フォーカス信
号用アンプで発生するノイズによって発生されるノイズ
が情報信号に重畳されることがなく、誤りの小さい情報
信号が得られる。さらに、何等プロセスを増加させるこ
となく、情報信号用ＳＰＤ群の第１及び第２のＳＰＤ並
びにフォーカス信号用ＳＰＤ群を形成できるという効果
も有する。

【００９５】この発明の第６の発明に係る光ピックアッ
プ用半導体装置は、第５の発明にさらに、情報信号用ア
ンプ及びフォーカス信号用アンプともに半導体基板の表
面に形成され、情報信号用アンプ及びフォーカス信号用
アンプを構成する少なくとも一つの抵抗素子は、エピタ
キシャル成長層の表面から半導体基板の表面に達する第
１導電型の分離領域にて囲われたエピタキシャル成長層
の表面に形成される第２の半導体領域にて形成されるの
で、レーザ反射光が微弱な場合でも十分な値の情報信号
が得られる。さらに、従来の技術のように、フォーカス
信号用アンプを通した後の信号を用いて情報信号を得て
いないので、フォーカス信号用アンプで発生するノイズ
によって発生されるノイズが情報信号に重畳されること
がなく、誤りの小さい情報信号が得られる。さらに、何
等プロセスを増加させることなく、情報信号用ＳＰＤ群
及びフォーカス信号用ＳＰＤ群と共に抵抗素子をも形成
できるという効果も有する。

【００９６】この発明の第７の発明に係る光ピックアッ
プ用半導体装置は、第５の発明にさらに、情報信号用ア
ンプ及びフォーカス信号用アンプともに半導体基板の表
面に形成され、情報信号用アンプ及びフォーカス信号用
アンプを構成する少なくとも一つのトランジスタ素子
は、エピタキシャル成長層の表面から半導体基板の表０
面に達する第１導電型の分離領域にて囲われたエピタキ
シャル成長層をコレクタ領域となし、このコレクタ領域
の表面に形成される第１導電型の第２の半導体領域をベ
ース領域となし、このベース領域の表面に形成される第
２導電型の第３の半導体領域をエミッタ領域となして形
成されるので、レーザ反射光が微弱な場合でも十分な値
の情報信号が得られる。さらに、従来の技術のように、
フォーカス信号用アンプを通した後の信号を用いて情報
信号を得ていないので、フォーカス信号用アンプで発生
するノイズによって発生されるノイズが情報信号に重畳
されることがなく、誤りの小さい情報信号が得られる。
さらに、何等プロセスを増加させることなく、情報信号
用ＳＰＤ群及びフォーカス信号用ＳＰＤ群と共にトラン
ジスタ素子をも形成できるという効果も有する。

【００９７】この発明の第８の発明に係る光ピックアッ
プ用半導体装置は、それぞれが並列接続される第１及び
第２のシリコン・フォト・ダイオードからなり、一方の
電極が共通接続されて情報信号用アンプの入力ノードに
接続され、他方の電極が所定電位点に接続される４つの
シリコン・フォト・ダイオードを有する情報信号用ＳＰ
Ｄ群と、一方の電極が共通接続されて情報信号用アンプ
の入力ノードに接続され、それぞれの他方の電極がフォ
ーカス信号用アンプにおける対応の入力ノードに接続さ
れる４つのシリコン・フォト・ダイオードを有するフォ
ーカス信号用ＳＰＤ群とを備え、第１導電型の半導体基
板、及びこの半導体基板の表面上に半導体基板とＰＮ接
合をなして形成される第２導電型のエピタキシャル成長
層を有し、このエピタキシャル成長層の表面から半導体
基板の表面に達する第１導電型の分離領域にて電気的に
分離される上下左右に隣接して配置され、それぞれが情
報信号用ＳＰＤ群及びフォーカス信号用ＳＰＤ群のそれ
ぞれのシリコン・フォト・ダイオードに対応する４つの
ＳＰＤ形成領域を有し、各ＳＰＤ形成領域において、半
導体基板が情報信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・フォ
ト・ダイオードの第１のシリコン・フォト・ダイオード
の一方の電極領域をなすとともに、分離領域にて囲われ
たエピタキシャル成長層がフォーカス信号用ＳＰＤ群の
対応のシリコン・フォト・ダイオードの他方の電極領域
をなす半導体基体と、それぞれがこの半導体基体の各Ｓ
ＰＤ形成領域における分離領域にて囲われた前記半導体
基体とエピタキシャル成長層とのＰＮ接合部に埋め込ま
れて形成され、情報信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・
フォト・ダイオードの第１及び第２のシリコン・フォト
・ダイオードの他方の電極領域をなす第２導電型の４つ
の第１の埋め込み領域と、それぞれが各第１の埋め込み
領域の表面に形成され、情報信号用ＳＰＤ群の対応のシ
リコン・フォト・ダイオードの第２のシリコン・フォト
・ダイオードの他方の電極領域及びフォーカス信号用Ｓ
ＰＤ群の対応のシリコン・フォト・ダイオードの他方の
電極領域をなす第１導電型の４つの第２の埋め込み領域
とを設けたので、レーザ反射光が微弱な場合でも十分な
値の情報信号が得られる。さらに、従来の技術のよう
に、フォーカス信号用アンプを通した後の信号を用いて
情報信号を得ていないので、フォーカス信号用アンプで
発生するノイズによって発生されるノイズが情報信号に
重畳されることがなく、誤りの小さい情報信号が得られ
る。さらに、何等プロセスを増加させることなく、情報
信号用ＳＰＤ群及びフォーカス信号用ＳＰＤ群と共にト
ランジスタ素子をも形成できるという効果も有する。

【００９８】この発明の第９の発明に係る光ピックアッ
プ用半導体装置は、第８の発明にさらに、情報信号用ア
ンプ及びフォーカス信号用アンプともに半導体基板の表
面に形成され、情報信号用アンプ及びフォーカス信号用
アンプを構成する少なくとも一つのトランジスタ素子
は、エピタキシャル成長層の表面から半導体基板の表面
に達する第１導電型の分離領域にて囲われた半導体基体
とエピタキシャル成長層とのＰＮ接合部に埋め込まれた
第２導電型の第３の埋め込み領域の表面に形成された第
１導電型の第４の埋め込み領域をコレクタ領域となし、
このコレクタ領域とＰＮ接合するエピタキシャル成長層
をベース領域となし、このベース領域の表面に形成され
る第１導電型の半導体領域をエミッタ領域となして形成
されるので、レーザ反射光が微弱な場合でも十分な値の
情報信号が得られる。さらに、従来の技術のように、フ
ォーカス信号用アンプを通した後の信号を用いて情報信
号を得ていないので、フォーカス信号用アンプで発生す
るノイズによって発生されるノイズが情報信号に重畳さ
れることがなく、誤りの小さい情報信号が得られる。さ
らに、何等プロセスを増加させることなく、情報信号用
ＳＰＤ群及びフォーカス信号用ＳＰＤ群と共にトランジ
スタ素子をも形成できるという効果も有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１の光ピックアップ用信
号処理装置を示す回路図である。

【図２】 本発明の実施の形態２の光ピックアップ用信
号処理装置を示す回路図である。

【図３】 本発明の実施の形態３の光ピックアップ用信
号処理装置を示す回路図である。

【図４】 本発明の実施の形態４の光ピックアップ用信
号処理装置を示す回路図である。

【図５】 本発明の実施の形態１の光ピックアップ用半
導体装置を示す主要部断面図である。

【図６】 本発明の実施の形態２の光ピックアップ用半
導体装置を示す主要部断面図である。

【図７】 本発明の実施の形態３の光ピックアップ用半
導体装置を示す主要部断面図である。

【図８】 本発明の実施の形態４の光ピックアップ用半
導体装置を示す主要部断面図である。

【図９】 本発明の実施の形態５の光ピックアップ用半
導体装置を示す主要部断面図である。

【図１０】 本発明の実施の形態６の光ピックアップ用
半導体装置を示す主要部断面図である。

【図１１】 本発明の実施の形態７の光ピックアップ用
半導体装置を示す主要部断面図である。

【図１２】 光ピックアップシステムを示す概略図であ
る。

【図１３】 従来の光ピックアップ用信号処理装置を示
す回路図である。

【図１４】 従来の光ピックアップ用半導体装置を示す
主要部断面図である。

【符号の説明】

１０…ＲＦアンプ、１１…オペアンプ、ｒ１１…抵抗素
子、２０…フォーカス信号用アンプ、ｒ２１〜ｒ２４…
抵抗素子、２６〜２９…フォーカス信号用出力端子、３
０…フォーカス信号用ＳＰＤ群、３１、６１…第１の埋
め込み領域、３２、６２…第２の埋め込み領域、３３、
４３、６３…分離領域、３４、３５、４４、６４、６５
…エピタキシャル成長層、３８、４８…第１の半導体領
域、３９、６９…引出領域、４０…情報信号用ＳＰＤ
群、５０…第１の基準電圧源、６０…第２の基準電圧
源、７０…抵抗素子部、８１、９１…コレクタ取出領
域、８２…ベース領域、８３、９２…ベース取出領域、
８４、９３…エミッタ領域、８５、９４…エミッタ取出
領域、２００…抵抗素子形成領域、３００、４００…ト
ランジスタ素子形成領域

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方の電極が共通接続されるとともに、
   他方の電極が所定電位点に接続される複数のシリコン・
   フォト・ダイオードを有する情報信号用ＳＰＤ群、 この情報信号用ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォト・ダ
   イオードの一方の電極が共通接続される共通接続点に入
   力ノードが接続され、出力ノードから情報信号を出力す
   る情報信号用アンプを備えた光ピックアップ用信号処理
   装置。
2. 【請求項２】 一方の電極が共通接続されて前記情報信
   号用アンプの入力ノードに接続される複数のシリコン・
   フォト・ダイオードを有するフォーカス信号用ＳＰＤ
   群、 このフォーカス信号用ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォ
   ト・ダイオードに対応して設けられ、それぞれが対応す
   るシリコン・フォト・ダイオードの他方の電極に接続さ
   れる複数の入力ノードを有し、出力ノードからフォーカ
   ス用信号を出力するフォーカス信号用アンプを備えた請
   求項１記載の光ピックアップ用信号処理装置。
3. 【請求項３】 一方の電極が上記所定電位点に接続され
   る複数のシリコン・フォト・ダイオードを有するフォー
   カス信号用ＳＰＤ群、 このフォーカス信号用ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォ
   ト・ダイオードに対応して設けられ、それぞれが対応す
   るシリコン・フォト・ダイオードの他方の電極に接続さ
   れる複数の入力ノードを有し、出力ノードからフォーカ
   ス用信号を出力するフォーカス信号用アンプを備えた請
   求項１記載の光ピックアップ用信号処理装置。
4. 【請求項４】 上記情報信号用ＳＰＤ群の各シリコン・
   フォト・ダイオードは、前記所定電位点と前記共通接続
   点との間に並列接続される複数のシリコン・フォト・ダ
   イオードからなる請求項１ないし請求項３のいずれかに
   記載の光ピックアップ用信号処理装置。
5. 【請求項５】 一方の電極が共通接続されるとともに、
   他方の電極が所定電位点に接続される複数のシリコン・
   フォト・ダイオードを有する情報信号用ＳＰＤ群、 この情報信号用ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォト・ダ
   イオードの一方の電極が共通接続される共通接続点に接
   続される入力ノードに反転入力端が接続され、非反転入
   力端に第１の基準電位が印加され、出力端が情報信号を
   出力する出力ノードに接続されるオペアンプと、このオ
   ペアンプの反転入力端と出力端との間に接続される抵抗
   素子とを有する情報信号用アンプ、 一方の電極が共通接続されて前記情報信号用アンプの入
   力ノードに接続される複数のシリコン・フォト・ダイオ
   ードを有するフォーカス信号用ＳＰＤ群、 このフォーカス信号用ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォ
   ト・ダイオードに対応して設けられ、それぞれが対応す
   るシリコン・フォト・ダイオードの他方の電極に接続さ
   れる入力ノードに反転入力端が接続され、非反転入力端
   に第２の基準電位が印加され、フォーカス用信号を出力
   する対応の出力ノードに出力端が接続される複数のオペ
   アンプと、これら複数のオペアンプに対応して設けら
   れ、それぞれが対応するオペアンプの反転入力端と出力
   端との間に接続される複数の抵抗素子とを有するフォー
   カス信号用アンプを備えた光ピックアップ用信号処理装
   置。
6. 【請求項６】 前記情報信号用ＳＰＤ群の複数のシリコ
   ン・フォト・ダイオードの一方の電極はカソード電極で
   あり、他方の電極がアノード電極であり、 前記フォーカス信号用ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォ
   ト・ダイオードの一方の電極はカソード電極であり、他
   方の電極がアノード電極であり、 前記所定電位点は接地電位とされる接地電位点であり、 前記第１の基準電位は前記第２の基準電位より高い電位
   であることを特徴とする請求項５記載の光ピックアップ
   用信号処理装置。
7. 【請求項７】 前記情報信号用ＳＰＤ群の複数のシリコ
   ン・フォト・ダイオードの一方の電極はアノード電極で
   あり、他方の電極がカソード電極であり、 前記フォーカス信号用ＳＰＤ群の複数のシリコン・フォ
   ト・ダイオードの一方の電極はアノード電極であり、他
   方の電極がカソード電極であり、 前記所定電位点は電源電位が印加される電源電位点であ
   り、 前記第１の基準電位は前記第２の基準電位より低い電位
   であることを特徴とする請求項５記載の光ピックアップ
   用信号処理装置。
8. 【請求項８】 一方の電極が共通接続されて情報信号用
   アンプの入力ノードに接続され、他方の電極が所定電位
   点に接続される４つのシリコン・フォト・ダイオードを
   有する情報信号用ＳＰＤ群と、 一方の電極が共通接続されて前記情報信号用アンプの入
   力ノードに接続され、それぞれの他方の電極がフォーカ
   ス信号用アンプにおける対応の入力ノードに接続される
   ４つのシリコン・フォト・ダイオードを有するフォーカ
   ス信号用ＳＰＤ群とを備え、 第１導電型の半導体基板、及びこの半導体基板の表面上
   に前記半導体基板とＰＮ接合をなして形成される第２導
   電型のエピタキシャル成長層を有し、このエピタキシャ
   ル成長層の表面から前記半導体基板の表面に達する第１
   導電型の分離領域にて電気的に分離される上下左右に隣
   接して配置され、それぞれが前記情報信号用ＳＰＤ群及
   びフォーカス信号用ＳＰＤ群のそれぞれのシリコン・フ
   ォト・ダイオードに対応する４つのＳＰＤ形成領域を有
   し、各ＳＰＤ形成領域において、前記半導体基板が前記
   情報信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・フォト・ダイオ
   ードの一方の電極領域をなすとともに、前記分離領域に
   て囲われたエピタキシャル成長層が前記情報信号用ＳＰ
   Ｄ群の対応のシリコン・フォト・ダイオードの一方の電
   極領域及び前記フォーカス信号用ＳＰＤ群の対応のシリ
   コン・フォト・ダイオードの一方の電極領域をなす半導
   体基体、 それぞれがこの半導体基体の各ＳＰＤ形成領域における
   前記分離領域にて囲われたエピタキシャル成長層の表面
   に形成され、前記フォーカス信号用ＳＰＤ群の対応のシ
   リコン・フォト・ダイオードの他方電極領域となる第１
   導電型の４つの第１の半導体領域を備えた光ピックアッ
   プ用半導体装置。
9. 【請求項９】 前記情報信号用アンプ及び前記フォーカ
   ス信号用アンプともに前記半導体基体の表面に形成さ
   れ、 前記情報信号用アンプ及び前記フォーカス信号用アンプ
   を構成する少なくとも一つの抵抗素子は、前記エピタキ
   シャル成長層の表面から前記半導体基板の表面に達する
   第１導電型の分離領域にて囲われたエピタキシャル成長
   層の表面に形成される第２の半導体領域にて形成され、 前記４つの第１の半導体領域の拡散深さ及び不純物濃度
   が前記第２の半導体領域の拡散深さ及び不純物濃度と同
   じであることを特徴とする請求項８記載の光ピックアッ
   プ用半導体装置。
10. 【請求項１０】 前記情報信号用アンプ及び前記フォー
    カス信号用アンプともに前記半導体基板の表面に形成さ
    れ、 前記情報信号用アンプ及び前記フォーカス信号用アンプ
    を構成する少なくとも一つのトランジスタ素子は、前記
    エピタキシャル成長層の表面から前記半導体基板の表面
    に達する第１導電型の分離領域にて囲われたエピタキシ
    ャル成長層をコレクタ領域となし、このコレクタ領域の
    表面に形成される第１導電型の第２の半導体領域をベー
    ス領域となし、このベース領域の表面に形成される第２
    導電型の第３の半導体領域をエミッタ領域となして形成
    され、 前記４つの第１の半導体領域の不純物、拡散深さ及び不
    純物濃度が前記第２の半導体領域の不純物、拡散深さ及
    び不純物濃度と同じであることを特徴とする請求項８記
    載の光ピックアップ用半導体装置。
11. 【請求項１１】 それぞれが並列接続される第１及び第
    ２のシリコン・フォト・ダイオードからなり、一方の電
    極が共通接続されて情報信号用アンプの入力ノードに接
    続され、他方の電極が所定電位点に接続される４対のシ
    リコン・フォト・ダイオードを有する情報信号用ＳＰＤ
    群と、 それぞれの一方の電極がフォーカス信号用アンプにおけ
    る対応の入力ノードに接続されるとともに、他方の電極
    が所定電位点に接続される４つのシリコン・フォト・ダ
    イオードを有するフォーカス信号用ＳＰＤ群とを備え、 第１導電型の半導体基板、及びこの半導体基板の表面上
    に前記半導体基板とＰＮ接合をなして形成される第２導
    電型のエピタキシャル成長層を有し、このエピタキシャ
    ル成長層の表面から前記半導体基板の表面に達する第１
    導電型の分離領域にて電気的に分離される上下左右に隣
    接して配置され、それぞれが前記情報信号用ＳＰＤ群及
    びフォーカス信号用ＳＰＤ群のそれぞれのシリコン・フ
    ォト・ダイオードに対応する４つのＳＰＤ形成領域を有
    し、各ＳＰＤ形成領域において、前記半導体基板が前記
    情報信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・フォト・ダイオ
    ードの第１のシリコン・フォト・ダイオードの一方の電
    極領域をなす半導体基体、 それぞれがこの半導体基体の各ＳＰＤ形成領域における
    前記分離領域にて囲われた前記半導体基板と前記エピタ
    キシャル成長層とのＰＮ接合部に埋め込まれて形成さ
    れ、前記情報信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・フォト
    ・ダイオードの第１及び第２のシリコン・フォト・ダイ
    オードの他方の電極領域をなす第２導電型の４つの第１
    の埋め込み領域、 それぞれが各第１の埋め込み領域の表面に形成され、前
    記情報信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・フォト・ダイ
    オードの第２のシリコン・フォト・ダイオードの他方の
    電極領域及び前記フォーカス信号用ＳＰＤ群の対応のシ
    リコン・フォト・ダイオードの他方の電極領域をなす第
    １導電型の４つの第２の埋め込み領域、 それぞれが前記各ＳＰＤ形成領域における前記分離領域
    にて囲われたエピタキシャル成長層の表面から前記第２
    の埋め込み領域の表面に達し、各ＳＰＤ形成領域におけ
    るエピタキシャル成長層を内側と外側とで電気的に分離
    するとともに前記第２の埋め込み領域の電極引出を行な
    うための第１導電型の引出領域３９領域を備え、 前記各ＳＰＤ形成領域における前記引出領域３９領域に
    て電気的に分離された外側のエピタキシャル成長層が対
    応の前記第１の埋め込み領域の電極を引き出すための領
    域となり、内側のエピタキシャル成長層が前記フォーカ
    ス信号用ＳＰＤ群の対応のシリコン・フォト・ダイオー
    ドの他方の電極領域となる光ピックアップ用半導体装
    置。
12. 【請求項１２】 前記情報信号用アンプ及び前記フォー
    カス信号用アンプともに前記半導体基板の表面に形成さ
    れ、 前記情報信号用アンプ及び前記フォーカス信号用アンプ
    を構成する少なくとも一つのトランジスタ素子は、前記
    エピタキシャル成長層の表面から前記半導体基板の表面
    に達する第１導電型の分離領域にて囲われた前記半導体
    基体と前記エピタキシャル成長層とのＰＮ接合部に埋め
    込まれた第２導電型の第３の埋め込み領域の表面に形成
    された第１導電型の第４の埋め込み領域をコレクタ領域
    となし、このコレクタ領域とＰＮ接合するエピタキシャ
    ル成長層をベース領域となし、このベース領域の表面に
    形成される第１導電型の半導体領域をエミッタ領域とな
    して形成され、 前記４つの第１の埋め込み領域の不純物及び不純物濃度
    が前記第３の埋め込み領域の不純物及び不純物濃度と同
    じであり、 前記４つの第２の埋め込み領域の不純物及び不純物濃度
    が前記第４の埋め込み領域の不純物及び不純物濃度と同
    じであることを特徴とする請求項１１記載の光ピックア
    ップ用半導体装置。