KR100199528B1 - 방사 감응성 반도체 장치 - Google Patents
방사 감응성 반도체 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100199528B1 KR100199528B1 KR1019900009447A KR900009447A KR100199528B1 KR 100199528 B1 KR100199528 B1 KR 100199528B1 KR 1019900009447 A KR1019900009447 A KR 1019900009447A KR 900009447 A KR900009447 A KR 900009447A KR 100199528 B1 KR100199528 B1 KR 100199528B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor
- regions
- radiation
- region
- semiconductor device
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 200
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001202 beta-cyclodextrine Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
- G11B7/131—Arrangement of detectors in a multiple array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02024—Position sensitive and lateral effect photodetectors; Quadrant photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor
Abstract
방사 감응성 반도체 장치가 제공되며, 이 방사 감응성 반도체 장치는 제1전도형의 제1반도체 영역(2)을 가지고 있는 반도체 본체(1)를 구비하고 있고, 상기 제1반도체 영역(2)은 상기 반도체 본체(1)의 표면(3)에 한쪽이 인접해 있고, 상기 반도체 본체(1) 내에서 상기 표면(3)으로부터의 특정 거리에서 상기 표면(3)에 평행하게 상기 제1전도형의 반대인 제2전도형의 제2반도체 영역(4)에 인접해 있으며, 상기 제2반도체 영역(4)과 함께 제 1 pn 접합부(5)를 형성하고 있고, 투영적으로 보았을 때, 상기 제1반도체 영역(2) 내에 제2전도형의 적어도 2 개의 추가 영역(6, 7)을 구비하고 있으며, 상기 2개의 추가 영역은 상기 표면(3)에 위치되어 있고, 상기 2개의 추가 영역은 상기 표면(3)에 평행하게 상기 표면(3)으로부터 상기 제 1 pn 접합부(5)보다 짧은 거리에서 상기 제1반도체 영역(2)과 함께 추가 pn 접합부(8, 9)를 각각 형성하고 있다. 상기 제1반도체 영역(2)과 상기 적어도 2개의 추가 영역(6, 7)은 이들 영역(2, 6, 7)의 방사 전류 신호를 측정할 수 있는 판독 부재(10, 11, 12)에 접속되어 있다.
Description
제1도는 본 발명에 따른 방사 감응성 반도체 장치의 일실시예의 제2도의 라인
-
상에 취해진 단면도.
제2도는 제1도의 방사 감응성 반도체 장치의 평면도.
제3도는 제1도의 방사 감응성 반도체 장치가 포함되어 있는 광학 기록 시스템용 증폭기의 개략도.
제4도 및 제5도는 연속된 제조 단계에서의 제1도의 방사 감응성 반도체 장치를 나타낸 도면.
제6도는 B급 증폭기의 전기 회로도.
제7도는 제6도의 B급 증폭기가 집적화된, 본 발명에 따른 방사 감응성 반도체 장치의 일시시예의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 반도체 본체 2 : 반도체 영역
3 : 표면 6, 7, 6', 7' : 추가 영역
8, 9 : pn 접합부 13 : 반도체층
14 : 기판 30, 31, 33 : 접속 영역
본 발명은 반도체 본체를 구비한 방사 감응성 반도체 장치(radiation-sensitive semiconductor device)에 관한 것으로, 상기 반도체 본체는 상기 반도체 본체의 표면에 한쪽이 인접해 있는 제1전도형의 제1반도체 영역을 가지고 있으며, 또한 상기 제1반도체 영역은 상기 반도체 본체 내에서 상기 표면으로부터의 특정 거리에서 상기 표면에 실질적으로 평행하게 상기 제1전도형과 반대인 제2전도형의 제2반도체 영역에 인접하여, 이 제2반도체 영역과 함께 제1 pn 접합부를 형성하고 있다. 본 발명은 또한 이와 같은 장치를 구비한 판독 유닛 또는 기록 유닛에 관한 것이다.
이와 같은 방사 감응성 반도체 장치는 특히, 정보가 광학적으로 판독될 수 있는 이른바 컴팩트 디스크(CD), 레이저 비젼(laser vision)(LV) 및 컴팩트 디스크 비디오(CDV), 또는 정보가 기록 및 판독되는 디지털 광학 기록(DOR)과 같은 광학 기록 시스템의 필수 부분을 구성한다. 이와 같은 시스템에 있어서, 정보 캐리어 및 정보에 대한 전자기 방사는 서두에서 언급한 종류의 방사 감응성 반도체 장치에 의해 반사된 방사광을 검출함으로써 상기 반사된 방사광으로부터 얻어진다. 특히 서로 인접해서 배열된 다수(예컨대, 4 개)의 세트의 반도체 영역 및 관련 pn 접합부가 사용된다.
이와 같은 방사 감응성 반도체 장치는 일본국 특허 출원 제61-154063호(공개일 1986. 12. 7)의 영문 요약서에 공지되어 있으며, 이 특허 출원은 일본국 특허 공보 제 10 권 E-45926(1986. 11. 29 일 발행)의 26 페이지, No. 356(E-459)의 특허 초록에 게재되어 있다. 이 공보에는 표면에 인접한 n 전도형의 에피택셜층(epitaxial layer)에 설치되어, 반도체 본체 내에서 상기 표면으로부터의 특정 거리에서 상기 표면에 평행하게 p 전도형의 에피택셜층과 인접해서, 이 p 전도형의 에피택셜층과 pn 접합부를 형성한 n 전도형의 제1반도체 영역을 가지고 있는 반도체 본체가 기재되어 있다.
상기 공지된 방사 감응성 반도체 장치의 단점은, 여러 개의 상기와 같은 pn 접합부가 예컨대 방사 빔의 상이한 부분들을 검출하기 위해 상기 반도체 본체 내에서 서로 옆으로 배열될 때, 측방향에서 본 상기와 같은 pn 접합부의 분리 영역이 방사 감도를 크게 저하시킨다는 점이다. 2 개의 pn 접합부들이 n 전도형의 에피택셜층에 침하된 p 전도형의 영역에 의해 상기 공지된 반도체 본체 내에서 측방형으로 분리되어 있다. 상기 표면으로부터의 상기 pn 접합부의 거리가 예컨대 10
, 즉 깊은 침투 깊이(depth of penetration)를 가진 방사에 필요한 거리이면, 이 비감지 영역의 폭도 약 10
이다. 이와 같은 사실은 수십 미크론의 직경을 가지고 있는, 실제로 흔히 사용되는 방사 빔의 경우에 특히 바람직하지 않다. 상기 분리가 에칭된 홈(etched groove)에 의해 이루어질 때에도 동일한 단점이 생긴다.
상기 공지된 반도체 장치의 또 다른 단점은, 상기 pn 접합부에 접속되어 분산 대역 증폭기(split-band amplifier)로서 구성된 증폭기들 사이에 약 40 pF의 정전 용량을 가지고 있는 커패시터를 구비한 분리 회로의 존재로 인해 생긴다. 상기 증폭기들은 한편으로는 pn 접합부를 통해 흐르는 전류를 각각 증폭함으로써 이른바 초점 오류 신호(focus error signal)를 형성하는 4 개의 D.C. 접속된 증폭기를 구비하고 있고, 다른 한편으로는 상기 pn 접합부를 통해 흐르는 전류들의 합을 증폭함으로써 이른바 데이타 신호를 형성하는 하나의 A.C. 접속된 증폭기를 구비하고 있다. 이들 커패시터가 집적되면, 기판에 대해 비교적 큰 기생 정전 용량이 얻어지며, 이는 상기 데이타 신호의 증폭에 바람직하지 않다.
상기 공지된 방사 감응성 반도체 장치의 또 다른 단점은 상기 초점 오류 신호에 대한 최적의 증폭기의 집적화 가능성이 제한된다는 점이다. 상기 초점 오류 신호에 대해, 최적의 증폭기는 작은 오프셋을 가지고 있는 이른바 B 급 증폭기이다. 기판이 p 전도형이면, 제1반도체 영역은 n 전도형의 에피택셜층의 일부를 형성하며, 상기 B 급 증폭기는 pnp 트랜지스터를 구비해야 한다. 정확하게 설정된 특성을 가지고 있는 pnp 트랜지스터는 측방향으로 형성되어야 하기 때문에 n 형 에피택셜층 내에 쉽게 제조될 수 없다. n 형 기판과 p 형 에피택셜층에 있어서, 이때 필요한 npn 트랜지스터의 경우도 마찬가지이다.
본 발명의 목적은 여러 개의 pn 접합부가 존재하는 경우에도 방사 감도가 적어도 실질적으로 저하되지 않고, 큰 정전 용량의 요구 없이 B 급 증폭기의 집적이 가능한 방사 감응성 반도체 장치를 제공하는데 있다.
본 발명에 따라, 서두에 설명한 종류의 방사 감응성 반도체 장치는, 상기 목적을 달성하기 위해, 투영적으로 보았을 때, 제1반도체 영역 내에서 표면에 위치된 적어도 2 개의 추가 영역이 존재하며, 상기 추가 영역은 상기 표면에 실질적으로 평행하게 상기 표면으로부터 제 1 pn 접합부보다 짧은 거리에서 상기 제1반도체 영역과 함께 추가 pn 접합부를 각각 형성하고, 상기 제1반도체 영역과 마찬가지로, 전류를 측정할 수 있는 판독 부재에 접속되어 있다.
따라서, 상기한 단점들이 상당히 제거될 수 있다. 먼저, 상기 추가 pn 접합부들은 상기 표면에 보다 인접하여 위치되어 있기 때문에 서로 훨씬 더 인접하여 측방향으로 배열될 수 있다. 결과적으로, 상기 초점 오류 신호에 대한 광 감도(photosensitivity)의 저하가 훨씬 더 적어진다. 동시에, 상기 데이타 신호에 대한 광 감도는 상기 제1반도체 영역에 접속된 판독 부재의 전류로부터 도출되기 때문에 높게 유지된다. 상기 공지된 반도체 장치에 비해 비교적 낮은, 상기 초점 신호용으로 이용되는 상기 추가 pn 접합부의 광감도는 상기 초점 오류 신호가 저주파수(
범위)일 때, 발생된 잡음이 고주파수(
범위)이기 때문에 증폭에 의해 보상될 수 있다.
다음에, 상기 최적의 B급 증폭기는 상기 초점 오류 신호용으로 사용된 상기 추가 pn 접합부의 극성이 상기 공지된 장치의 pn 접합부의 극성과 반대이기 때문에 집적될 수 있다. 상기 n 전도형의 에피택셜층의 경우에, 상기 증폭기는 npn 트랜지스터를 구비하며, p 전도형의 층의 경우에 상기 트랜지스터는 pnp 트랜지스터이다.
마지막으로, 본 발명에 따른 방사 감응성 반도체 장치에의 증폭기 접속 기술로 인해 데이타 신호 및 초점 오류 신호용의 증폭기를 집적화함으로써 비교적 큰 커패시터의 추가가 생략될 수 있다.
제 1 실시예에서, 제1반도체 영역 내에 4 개의 추가 영역이 존재하며, 이 영역들은 표면에 위치되어, 상기 제1반도체 영역 내의 사분면(quadrant)에 각각 배치되어 있다. 이와 같은 실시예는 광학 기록용 시스템에서의 상기와 같은 이용에 특히 적합하다. 데이타 신호는 4개의 사분면의 전체 전류에 대응된다. 초점 오류 신호는 예컨대 대각선에 위치된 사분면의 전류의 합과 다른 대각선에 위치된 사분면의 전류의 합의 차로부터 도출된다.
다른 실시예에서는, 추가 반도체 영역들의 상대 거리가 짧아서 통상적인 컷오프 전압(cut-off voltage)에서 공핍 영역들이 상기 표면에서 서로 접촉하게 된다. 결과적으로, 방사 빔이 상기 추가 반도체 영역들 사이의 영역 상에 존재하면, 응답성이 저하가 최소화된다.
또 다른 실시예에서, 추가 영역은 제2전도형의 영역이며, 이 영역은 표면으로부터 두께의 일부에 걸쳐 상기 제1반도체 영역에 침하되어 있다. 이와 같이, 상기 추가 영역은 예컨대 주입 또는 확산에 의해 간단히 얻어질 수 있다.
상기 추가 영역들의 상대 거리는 5
이하이면 바람직하고, 또한 추가 pn 접합부의 공핍 영역들이 상기 표면에서 서로 접촉함으로써 광 감도의 저하가 최소화될 수 있도록 선택된다. 상기 표면으로부터의 제 1 pn 접합부의 거리는 측정될 전자기 방사의 침투 깊이와 적어도 동일하며, 상기 표면으로부터의 추가 pn 접합부의 거리는 상기 침투 깊이에 비해 짧다. 두께와 도핑 농도는 상기 pn 접합부의 양단의 통상적인 컷오프 전압, 예컨대 5 V에서 완전한 공핍이 일어나도록 선택된다. 여기서 사용되는 용어 침투 깊이는 방사광의 세기가 인자 1/e 만큼 감소된 거리를 의미함을 이해해야 한다. 상기 침투 깊이 내에서 모든 방사광이 검출되면, 즉 발생된 모든 전자-정공 쌍이 수집되면, 양자 효율은 (1-1/e)로서 약 0.63 또는 63%이다. 상기 양자 효율을 증가시키기 위해, 상기 방사 감응성 반도체 본체의 표면은 적절한 이른바 무반사 코팅재(anti-reflex coating)로 피복된다. 광학 기록 시스템에서 통상적인 파장 범위인 700 내지 900
의 전자기 방사를 검출하기 위해, 상기 반도체 본체는 실리콘으로 제조되면 바람직하고, 상기 표면으로부터의 제 1 pn 접합부의 거리는 적어도 약 5 내지 15
이며, 상기 표면으로부터의 추가 pn 접합부의 거리는 약 2
이다. 상기 침투 깊이는 흡수 계수에 따라 좌우되며, 이 수 계수는 2000 내지 650
-1의 파장 범위에 대해 변동되고 약 5
에서 15
로 변동된다. 실제로 흔히 사용되는 GaAs/AlGaAs 반도체 다이오드 레이저의 파장에 대응하는 800
의 파장의 경우에, 상기 표면으로부터의 제 1 pn 접합부의 거리는 약 9
이고, 상기 표면으로부터의 추가 pn 접합부의 거리는 약 2
이다.
본 발명에 따른 방사 감응성 반도체 장치의 또 다른 실시예는, 제1반도체 영역이 제2전도형의 반도체 기판 상에 위치된 제1전도형의 에피택셜층의 일부를 형성하며, 상기 제2전도형의 제3반도체 영역이 표면으로부터 침하되어 설치되어 있고, 상기 반도체 기판까지 도달되어 있으며, 투영적으로 보았을 때 상기 제1반도체 영역을 둘러싸고 있고, 추가 영역들은 상기 표면으로부터 침하된 반도체 영역인 것에 특징이 있다.
에피택셜층을 사용함으로써, 본 발명에 따른 방사 감응성 반도체 장치는 간단한 방식으로 매우 양호한 특성을 가지도록 제조될 수 있다. 또한, 특히, 필요한 증폭기가 쉽게 집적될 수 있다. 상기 제1반도체 영역의 바깥쪽에는, 제1전도형의 침하된 반도체 영역일 수도 있는, 상기 표면에 위치된 다른 영역들이 제공될 수도 있으며, 상기 다른 영역들은 반도체 본체 내에서 상기 표면에 실질적으로 평행하게 상기 표면으로부터 상기 제 1 pn 접합부보다 짧은 거리에서 상기 제2전도형의 다른 반도체 영역과 함께 다른 pn 접합부를 형성하고, 상기 다른 영역들은 전류를 측정할 수 있는 추가 판독 부재에 접속되어 있다. 광학 기록 시스템에서는, 예컨대 사분면에 배열된 pn 접합부의 바깥쪽에 위치된 상기 다른 pn 접합부에 의해 트랙킹이 보장될 수도 있다.
예컨대, 2 개의 상기와 같은 다른 pn 접합부가 존재하는 경우에는, 하나의 pn 접합부를 통해 흐르는 전류와 다른 pn 접합부를 통해 흐르는 전류의 차로부터 트랙킹 신호가 형성될 수도 있다. 이들 다른 pn 접합부는 분리 절연체에 의해 주변으로부터 분리될 수도 있다. 본 발명에 따른 방사 감응성 반도체 장치는 n 형 에피택셜층이 위에 부착된 p 형 실리콘 기판에서부터 출발해서 제조된다.
또 다른 실시예에서는, 제1반도체 영역과 추가 영역 또는 다른 영역에 접속된 판독 부재의 전류용의 증폭기가 반도체 본체에 포함되어 있다. 이 중요한 실시예는 우수한 특성을 가지고 있는, 컴팩트하고 저렴한 장치를 제조할 수 있는 가능성을 제공한다. 상기 추가 영역 또는 다른 영역에 접속된 판독 부재의 전류용의 증폭기는 B 급 증폭기이면 바람직하다. 이와 같은 증폭기는 매우 작은 오프셋을 가지고 있으며, 이 점은 초점 오류 신호의 경우에 특히 중요하다. 제1반도체 영역에 접속된 판독 부재의 전류용의 증폭기는 광 대역 증폭기이며, 이 광 대역 증폭기에 의해 데이타 신호의 저잡음 증폭이 얻어질 수 있다.
본 발명은 또한 광학 기록 시스템에서 정보를 판독 또는 기록하기 위한 판독 또는 기록 유닛에 관한 것이다. 이와 같은 판독 또는 기록 유닛은 청구 범위중 어느 한 항에 청구된 방사 감응성 반도체 장치를 구비한 것을 특징으로 하고 있다. 특히, 증폭기가 반도체 장치에 집적되면, 판독 또는 기록 유닛은 우수한 특성 및 적은 수의 구성 요소를 가지게 되며, 결과적으로 코스트가 비교적 낮다.
이제, 본 발명의 추가적인 설명이 실시예 및 첨부 도면을 참조하여 주어진다.
첨부 도면은 개략적으로 도시된 것으로, 명료성을 위해 두께 방향의 치수가 확대되었다. 상이한 도면에서 대응하는 부분들은 일반적으로 동일한 참조 부호에 표기되어 있다. 동일한 전도형의 반도체 영역에는 일반적으로 동일한 방향으로 빗금이 표기되어 있다.
제1도에는 반도체 본체(1)를 구비한 본 발명에 따른 방사 감응성 반도체 장치의 일실시예가 단면도로 도시되어 있다. 제2도는 제1도의 방사 감응성 반도체 장치의 평면도이다.
상기 반도체 본체 (1)는 기판(14)을 구비하고 있고, 본 실시예에서 상기 기판(14)은 도핑 농도 5
1015at/
를 가지고 있고 p 전도형인 실리콘으로 되어 있다. 이 기판(14)상에는 두께 9
, 도핑 농도 3.5
1015at/
의 n 전도형인 실리콘 반도체층(13)이 설치되어 있다. 반도체층(13)에는 p 전도형 영역(15)이 있고, 이 영역은 1018at/
의 도핑 농도를 가지고 있고 기판(14)까지 도달되어 있다. 반도체층(13)의 침하된 영역(15)에는 기판(14)과 함께 pn 접합부(15)를 형성하고 있는 반도체 영역(2)이 제공되어 있고, 표면(3)으로부터 예컨대 9
거리에 위치되어, 상기 표면에 실질적으로 평행하게 되어 있다.
도면을 투영적으로 보았을 때, 상기 표면에 위치되어, 이 예에서 p 전도형의 침하된 반도체 영역을 구성하고 있는 다수(본 실시예에서 4 개)의 추가 영역(6, 7, 6', 7')이 상기 반도체 영역(2) 내에 있고, 상기 추가 영역(6, 7, 6', 7')은 상기 표면(3)과 실질적으로 평행하게 상기 표면(3)으로부터 제 1 pn 접합부(5)보다 짧은 거리에서 제1반도체 영역(2)과 함께 추가 pn 접합부(8, 9)를 형성하고 있다. 제1반도체 영역(2)은 판독 부재(10)에 접속되어 있고, 상기 추가 영역(6, 7, 6', 7')은 전류를 측정할 수 있는 판독 부재(11, 12, 11', 12')에 접속되어 있다. 상기 반도체 영역(6, 7, 6', 7')의 도핑 농도는 약 1018at/
이다. 접촉 영역(30, 31, 33)의 치수는 약 6
6
이다. 상기 반도체 영역(2)의 치수는 약 90
90
이고, 상기 반도체 영역(6, 7)의 치수는 40
40
이다. 상기 침하된 반도체 영역(15)의 폭은 약 10
이고, 상기 반도체 영역(6, 7)들의 상대 거리와 상기 반도체 영역(15)으로부터의 최소 거리는 5
이다. 본 실시예에서, 상기 반도체층(13) 내에서, 투영적으로 보았을 때, 상기 제1반도체 영역(2)의 바깥쪽에는 상기 표면에 위치된 다른 추가영역(16, 17), 즉 본 실시예에서는 p 전도형의 2 개의 침하된 반도체 영역이 상기 n 전도형의 다른 반도체 영역(18, 19) 내에 존재하며, 상기 다른 영역은 반도체 본체(1) 내에서 이 예에서는 상기 표면(3)으로부터 2
의 거리에서 상기 표면(3)에 실질적으로 평행하게 상기 다른 반도체 영역(18, 19)과 함께 다른 pn 접합부(20, 21)를 형성한다. 상기 다른 추가 영역(16, 17)은 접촉 영역(33)을 통해 전류를 측정할 수 있는 추가 판독 부재(22, 23)에 접속되어 있다. 상기 다른 반도체 영역(18, 19)은 또한 p 형 반도체 영역(15)에 의해 둘러싸여 있다. 상기 표면(3) 상에는 이산화 실리콘으로 된 약 1
두께의 전기 절연층(25)이 설치되어 있으며, 이 절연층(15)은 상기 반도체 영역(6, 7, 16, 17)에 설치되어 있다. 본 실시예에서, 질화 실리콘으로 된 두께가 약 100
인 이른바 무반사 코팅재가 상기 절연층(25) 상에 존재한다. 상기 반도체 영역(6, 7, 6', 7')들의 상대 거리, 즉 이 예에서 3
는 상기 pn 접합부(8, 9, 8', 9')의 공핍 영역이 5 V 전압에서 상기 표면에서 서로 접촉할 수 있도록 선택된다. 이 예의 방사 감응성 반도체 장치는 약 800
의 파장에서 동작하는 광학 기록 시스템의 경우에 적합하며, 이 경우에 침투 깊이는 약 9
이다. 상기 표면(3)으로부터의 상기 추가 pn 접합부(8, 9)의 거리(이 예에서는 약 2
)는 상기 침투 깊이보다 짧다. 모든 거리와 도핑 농도는 약 5 V의 컷오프 전압에서 실질적으로 완전한 공핍이 일어날 수 있도록 선택된다.
상기 판독 부재(10)에서, 동작 동안에 0.42 A/W의 응답성에 대응하는 광전류가 측정되고, 상기 판독 부재(11, 12, 11', 12', 22, 23)에서는 약 0.17 A/W의 응답성에 대응하는 광 전류가 측정된다. 이 실시예에 포함된 반도체 영역(16, 17)에 접속된 상기 반도체 부재(22, 23)의 전류로부터, 광학 기록 시스템의 판독 및 기록 부재에서, 수
의 대역폭을 가지고 있는 이른바 트랙킹 신호가 도출된다. 상기 반도체 본체(1)에서 서로에 대한 상기 반도체 영역(2, 4, 6, 7)들의 상대 위치로 인해, 그리고 상기 판독 부재가 접속되어 있는 상기 반도체 영역, 즉 상기 반도체 영역(2, 6, 7) 및 반도체 영역(16, 17)(존재하는 경우)의 적절한 선택에 의해, 여러 가지 이점이 얻어진다. 즉, 먼저, 반도체 영역(2)에 접속된 판독 부재(10)에서, 높은 응답성이 상기 pn 접합부(5, 8, 9)에 충분히 높은 컷오프 전압이 공급될 때 얻어진다. 정보의 광학 기록용 시스템의 판독 및 기록 부재에서, 상기 정보는 상기 높은 응답성으로 얻어진 신호로부터 판독될 수 있다. 이와 같은 이른바 데이타 신호의 주파수는 약 10
이고, 상기 신호는 이른바 광대역 증폭기에 의해 증폭될 수 있다. 또한, 예컨대 약 50
의 직경을 가지고 있는, 검출될 전자기 방사 빔의 스폿이 상기 반도체 본체(1)의 상기 표면(3)에 걸쳐서 상기 반도체 영역(6)으로부터 상기 반도체 영역(7)으로 이동하면, 상기 높은 응답성이 매우 적은 저하만이 관찰된다.
결과적으로, 양호한 초점 오류 신호가 얻어진다. 상기 반도체 영역(6, 7)에 접속된 판독 부재(11, 12)의 보다 낮은 응답성도 바람직한데, 그 이유는 비교적 낮은 주파수(약 20
)의 상기 판독 부재의 신호가 저잡음 증폭이 될 수 때문이다. 상기 판독 부재(22, 23)의 경우도 마찬가지이다. 또한, 상기 pn 접합부(20)의 극성으로부터 이탈하여 상기 pn 접합부(20)의 극성과 마찬가지인 상기 pn 접합부(8, 9)의 극성은 상기 반도체 본체에 양호하게 집적될 수 있는 npn 트랜지스터를 구비하고 있는 이른바 B 급 증폭기에의 접속에 적합하다. 마지막으로, 방사 감응성 장치용의 증폭기에는 큰 커패시터가 포함될 필요가 없으며, 이 경우는 상기 증폭기가 상기 반도체 본체에 집적될 때 특히 바람직하다.
제3도에는 예시를 위해 본 실시예의 방사 감응성 반도체 장치에 접속된 판독 부재의 접속 기술이 개략적으로 도시되어 있다. 에피택셜 층(제1도의 13)이 여기서는 공통 캐소드(55)로서 지시되어 있고, 이 공통 캐소드(55)와 함께 기판(44)(제1도의 4)은 이 기판에 대해 약 1
의 정전 용량(43)을 가지고 있는 다이오드(42)를 형성하고 있으며, 상기 표면에 위치된 추가 영역(제1도의 6, 7, 6', 7')은 약 1/4
의 정전 용량(41)을 가지고 있는 4 개의 다이오드(40)를 형성하고 있다.
캐소드(55)가 접속부(49)를 통해 광대역 증폭기(50)에 접속되어 있고, 이 광대역 증폭기를 가로질러 약 20
의 피드백 저항기(53)가 배열되어 있으며, 상기 광대역 증포기로부터 54측에서 데이타 신호가 얻어진다. 트랙킹 신호용으로 사용되는, 캐소드(56)에 접속된 다이오드(47)에는 접속부(48)를 통해 양의 전압이 공급된다. 이들 캐소드(56)와 기판(44) 사이에는 상기 다이오드(42)에 대응하는 다이오드(45)가 형성되어 있다. 상기 초점 오류 신호를 형성하는 다이오드(40), 및 상기 다이오드(47)는 순차적으로 6 개가 존재하는 B 급 증폭기(51)에 각각 접속되어 있다.
상기 방사 감응성 반도체 장치는 다음과 같이 제조될 수 있다(제4도 및 제5도 참조). 출발 재료(starting material)는 약 5
1015at/
의 도핑 농도를 가지고 있는 단결정의 p 형 실리콘 기판(14)이다. 다음에, 반도체 영역(15˝´)이 예컨대 이온 주입법에 의해 상기 반도체 기판(14)의 표면에 형성된다(제4도 참조). 다음에, 약 9
의 두께와 약 3.5
1015at/
의 도핑 농도를 가지고 있는 실리콘으로 된 n 형 에피택셜층(13)이 상기 반도체 기판(14) 상에 성장된다. 다음에, 상기 반도체 본체에 서멀(thermal) 이산화 실리콘 함유하고 있는 층(25)이 제공된다(제5도 참조). 통상적인 방식으로, 상기 영역(15˝´)에 대응하는 위치에 개구가 형성되고, 성장 공정 동안에 상기 기판(14)으로부터의 외부 확산에 의해 상기 에피택셜층(13)에 영역(15˝)이 형성된다. 다음에, 억셉터(acceptor)의 증착에 의해 영역(15')이 형성되고, 이 형성 후에 확산에 의해 접속부가 상기 영역(15')과 상기 영역(15˝) 사이에 형성된다. 다음에, 개구가 상기 절연층(25)에 형성되고, 억셉터 증착에 의해 상기 반도체 영역(6, 7, 16, 17)이 형성된다( 제1도 참조). 다음에, 세정 후에, 약 100
의 두께를 가지고 있는 질화 실리콘으로 구성된 무반사 코팅재(26)가 예컨대 스퍼터링에 의해 제공된다. 이 무반사 코팅재(26)는 반드시 필요한 것은 아니지만 유리하게 사용될 수도 있다. 다음에, 접촉 영역(30, 31, 32, 33)이 일반적인 방식으로 형성되며, 또한 이들 접촉 영역은 접속 전도체를 통해 상기 판독 부재(10, 11, 12, 22, 23)에 접속되고, 동작 상태에서 전압원에의 접속에 의해 상기 판독 부재에 상기 접촉 영역 또는 각각의 접속 전도체를 통해 충분한 컷오프 전압이 공급된다.
초점 오류 신호 및 트래킹 신호용의 증폭기로서, 특히 제3도의 설명에서 이미 언급한 바와 같이, 이른바 B 급 증폭기, 즉 B 급 조정된 전류 증폭기를 가지고 있는 증폭기가 매우 적합하다. 이들 증폭기에 관한 추가적인 상세 내용을 위해서, 1986년 8월 1일자로 출원 공개된 본원 출원인 명의의 네델란드 특허 출원 제 8500059 호를 참조할 수도 있다. 이와 같은 증폭기의 전기 회로도의 일예가 도 6에 개략적으로 도시되어 있다. 광 다이오드(60), 예컨대 제3도의 다이오드(40)가 상기 회로에 존재하며, 이 다이오드는 전류원의 기호에 표기되어, 한편으로는 지점(67)에서 저항기(도시되지 않음)를 통해 공급 접속점에 접속되어 있고, 다른 한편으로는 상기 증폭기의 입력(68)측에 접속되어 있다.
상기 증폭기는 트랜지스터(61, 62)로 구성된 전류 미러(current mirror)를 가지고 있는 입력단을 구비하고 있다. 상기 전류 미러는 광 다이오드(60)에 의해 공급된 전류를 입력 전류로서 수신하여, B급 조정을 자동적으로 획득한다. 따라서, 상기 미러의 출력 트랜지스터(62)는 신호 전류 자체에 의해 조절되고, 상기 신호 전류가 제로이어서 어떤 오프셋도 나타내지 않을 때 출력 전류를 공급하지 않는다. 상기 트랜지스터(62)의 컬렉터는 상기 지점(66)과 두 트랜지스터(도시되지 않음)로 된 전류 미러를 통해 통상적인 출력단일 수도 있는 출력단(도시되지 않음)에 접속되어 있다.
전류 미러 증폭에 대해 트랜지스터(61, 62)의 조합의 증폭도를 크게 증가시키기 위해, 직류 전압 강하(E)를 가진 낮은 저항의 전압원(63)이 상기 트랜지스터(61)의 이미터 단자에 포함되어 있다. 이 전류원의 추가에 의해, 상기 증폭도는 e(qE/kT)가 되며, 여기서 q는 기본 전하이고, k는 볼쯔만 상수이며, T는 절대 온도이다.
제7도에는 본 발명에 따른 방사 감응성 반도체 장치의 일실시예가 단면도로 도시되어 있으며, 이 경우에는 제6도에 도시된 바와 같은 B 급 증폭기가 집적되어 있다. 제1도에 도시된 영역에 대응하는 영역에는 동일한 도면 부호가 부여되어 있다. 광 다이오드(60)는 사분면으로 배열된 제1도의 다이오드중 하나의 다이오드를 구성한다. 트랜지스터(61, 62)는 p 형 베이스 영역(31)과 n 형 이미터 영역(32)을 가지고 있다. 이들 트랜지스터의 컬렉터는 영역(30', 30˝, 30˝´, 30˝˝)을 구비하고 있으며, 이들 영역은 각각 얕은 영역, 깊은 영역, 외부 확산 영역 및 침하된 n+영역을 구성하고 있다. 상기 베이스, 이미터 및 컬렉터 접속부는 제6도에 도시된 바와 같다. 상기 B 급 증폭기가 제공된 본 실시예에서 나타낸 방사 감응성 반도체 장치는 다른 실시예에서 나타낸 동일한 방식으로 제조될 수 있다. n 형 반도체 영역을 구비하고 있는 컬렉터는 p 형 반도체 영역을 구비하고 있는 분리 절연체(15)와 동일한 방식으로 제조된다.
상기 반도체층은 위에서 언급한 전도형 및 도핑 농도 이외의 전도형 및 도핑 농도를 가지고 있을 수 있음을 주목해야 한다. 다른 도핑 재료가 사용될 수도 있다.
본 발명은 본 발명의 범위 내에서 다수의 수정과 변형이 당업자들에 의해 가능하기 때문에 위에서 설명한 실시예에 한정되지 않는다. 예컨대, 상기 실시예에서 언급한 반도체 재료 이외의 반도체 재료 또는 선택된 반도체 재료들의 화합물의 사용도 가능하다. 특히, 2기, 3기 또는 4기의
-
반도체 재료가 실리콘 대신에 사용될 수도 있다.
상기 전도형들은 모두 반대의 전도형으로 (동시에) 대체될 수도 있다. 위에서 이미 설명한 바와 같이, n 전도형의 에피택셜 층이 p 전도형의 반도체 기판 상에 제공된 실시예는 특별한 이점을 가지고 있다. 표준화된 방식으로, npn 트랜지스터가 집적될 수 있고, 이에 따라 상기 반도체 장치에서 생성된 신호 전류용의 증폭기가 형성된다. 특히, 이른바 B 급 증폭기는 상기 방사 감응성 반도체 장치에 집적될 수 있으며, 상기 B 급 증폭기들은 상기 표면으로부터 침하된 반도체 영역에 접속되어 있다. 이 경우에, p 전도형인, 마지막으로 언급한 영역의 극성이 상기 목적에 적합하다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에서와 같이, 에피택셜 층의 사용에 한정되지 않고, 또한 반도체 영역을 형성하기 위해 주입 및 확산된 분리 절연체의 상용에 한정되지 않는다. 예컨대, 상기 표면에 위치된 추가 영역은 또한, 반도체 본체와 함께 방사광에 민감한 쇼트키 접합부를 형성하고 있는 얇은 금속층을 구비하고 있을 수도 있다. 상기 표면에 위치된 추가 영역이 반도체 영역을 구비하고 있는 경우에, 상기 반도체 영역은 마스킹층에 제공된 개구에서 상기 마스킹층에 의해 피복된 반도체 본체 상의 국부적 및 또는 선택적 에피택시(epitaxy)에 의해 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제1반도체 영역 또는 다른 많은 영역은 이온 주입과 확산의 조합에 의해 얻어질 수도 있으며, 이온 주입 및 확산에 의해 얻어진 분리 절연체 대신에, 에칭된 홈에 의해 얻어진 분리 절연체가 사용될 수도 있다. 이온 주입과 같은 국부적인 산화, 또는 홈의 에칭과 산화의 조합, 또는 기타 다른 종래의 절연 방법도 사용될 수 있다.
Claims (14)
- 제1전도형의 제1반도체 영역(2)을 가지고 있는 반도체 본체(1)를 구비하고 있고, 상기 제1반도체 영역(2)은 상기 반도체 본체(1)의 표면(3)에 한쪽이 인접해 있고, 상기 반도체 본체(1) 내에서 상기 표면(3)으로부터의 특정 거리에서 상기 표면(3)에 평행하게 상기 제1전도형의 반대인 제2전도형의 제2반도체 영역(4)에 인접해 있으며, 상기 제2반도체 영역(4)과 함께 제 1 pn 접합부(5)를 형성하고 있는 방사 감응성 반도체 장치로서, 투영적으로 보았을 때, 상기 제1반도체 영역(2) 내에 제2전도형의 적어도 2 개의 추가 영역(6, 7)을 구비하고 있으며, 상기 2개의 추가 영역은 상기 표면(3)에 위치되어 있고, 상기 2개의 추가 영역은 상기 표면(3)에 평행하게 상기 표면(3)으로부터 상기 제 1 pn 접합부(5)보다 짧은 거리에서 상기 제1반도체 영역(2)과 함께 추가 pn 접합부(8, 9)를 각각 형성하고 있는 방사 감응성 반도체 장치에 있어서, 상기 제1반도체 영역(2)과 상기 적어도 2개의 추가 영역(6, 7)은 이들 영역(2, 6, 7)의 방사 전류 신호를 측정할 수 있는 판독 부재(10, 11, 12)에 접속된 것을 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1반도체 영역(2) 내에 4 개의 추가 영역(6, 6', 7, 7')이 존재하고, 상기 4 개의 추가 영역은 상기 표면(3)에 위치되어 있고 상기 제1반도체 영역(2)의 사분면에 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 추가 영역(6, 7)은 두께의 일부분에 걸쳐서 상기 표면(3)으로부터 상기 제1반도체 영역(2) 내로 침하된 제2전도형의 반도체 영역인 것을 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 추가 영역(6, 7)들의 상대 거리는 통상적인 컷오프 전압에서 공핍 영역들이 상기 표면(3)에서 서로 접촉될 수 있을 정도로 짧은 것을 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 추가 영역들의 상대 거리는 5보다 짧은 것을 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 표면(3)으로부터의 제 1 pn 접합부(5)의 거리는 측정될 전자기 방사의 침투 깊이와 적어도 동일하고, 상기 표면(3)으로부터의 추가 pn 접합부(8, 9)의 거리는 상기 침투 깊이에 비해 짧으며, 상기 거리 및 상기 반도체 영역(2, 6, 7)의 도핑 농도는 상기 반도체 영역(2, 6, 7)이 상기 pn 접합부(5, 8, 9)의 양단의 통상적인 컷오프 전압에서 상기 거리에 걸쳐서 완전하게 공핍되도록 선택된 것을 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 방사 감응성 반도체 장치는 파장이 0.7와 0.9
사이에 있는 전자기 방사광을 검출하는데 적합하고, 상기 반도체 본체(1)는 실리콘을 포함하고 있으며, 상기 표면(3)으로부터의 제 1 pn 접합부(5)의 거리는 5
내지 15
의 범위 내에 있고, 상기 표면(3)으로부터의 추가 pn 접합부(8, 9)의 거리는 2
인 것을 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 방사 감응성 반도체 장치는 파장이 0.8인 전자기 방사광을 검출하는데 적합하고, 상기 표면(3)으로부터의 제 1 pn 접합부(5)의 거리는 9
인 것을 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1반도체 영역(2)은 상기 제2전도형의 반도체 기판(14) 상에 설치된 제1전도형의 에피택셜 층(13)의 일부를 형성하고 있고, 제2전도형의 제3반도체 영역(15)이 존재하며, 상기 제3반도체 영역(15)은 상기 표면(3)으로부터 침하되어, 상기 반도체 기판(14)까지 도달해 있고, 투영적으로 보면, 상기 제1반도체 영역(2)을 둘러싸고 있으며, 상기 추가 영역(6, 7)은 상기 표면(3)으로부터 침하된 반도체 영역(6, 7)인 것에 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 표면(3)에 위치된 제2전도형의 다른 영역(16, 17)은 제1전도형의 다른 반도체 영역(18, 19) 내에서 상기 제1반도체 영역(2)의 바깥쪽에 존재하고, 상기 다른 영역(16, 17)은 상기 반도체 기판(1) 내에서 상기 표면(3)에 평행하게 상기 표면(3)으로부터 제 1 pn 접합부(5)보다 짧은 거리에서 상기 다른 반도체 영역(18, 19)과 함께 다른 pn 접합부(20, 21)를 형성하며, 상기 다른 영역(16, 17)은 전류를 측정할 수 있는 추가 판독 부재(22, 23)에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 제1반도체 영역(2)은 n 전도형인 것을 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 제1반도체 영역(2), 상기 추가 영역(6, 7) 또는 상기 다른 영역(16, 17)에 접속된 판독 부재(10, 11, 12, 22, 23)의 전류용의 증폭기(50, 51)가 상기 반도체 본체(1)에 포함된 것을 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 추가 영역(6, 7) 또는 상기 다른 영역(16, 17)에 접속된 판독 부재(11, 12, 22, 23)의 전류용의 증폭기(51)는 B 급 증폭기인 것을 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 제1반도체 영역(2)에 접속된 판독 부재(10)의 전류용의 증폭기(50)는 광 대역 증폭기(50)인 것을 특징으로 하는 방사 감응성 반도체 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8901629 | 1989-06-28 | ||
| NL8901629A NL8901629A (nl) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting en uitlees- of schrijfeenheid bevattende een dergelijke stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910001203A KR910001203A (ko) | 1991-01-30 |
| KR100199528B1 true KR100199528B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19854915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900009447A KR100199528B1 (ko) | 1989-06-28 | 1990-06-26 | 방사 감응성 반도체 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5097307A (ko) |
| EP (1) | EP0405670B1 (ko) |
| JP (1) | JP3060233B2 (ko) |
| KR (1) | KR100199528B1 (ko) |
| DE (1) | DE69021956T2 (ko) |
| NL (1) | NL8901629A (ko) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2705326B2 (ja) * | 1991-02-19 | 1998-01-28 | 日本電気株式会社 | 光磁気ヘッド装置 |
| US5289015A (en) * | 1991-04-25 | 1994-02-22 | At&T Bell Laboratories | Planar fet-seed integrated circuits |
| JP2793085B2 (ja) * | 1992-06-25 | 1998-09-03 | 三洋電機株式会社 | 光半導体装置とその製造方法 |
| JP2731115B2 (ja) * | 1994-07-14 | 1998-03-25 | シャープ株式会社 | 分割型受光素子 |
| JP2828244B2 (ja) * | 1995-09-26 | 1998-11-25 | シャープ株式会社 | 受光素子 |
| TW423103B (en) * | 1997-01-27 | 2001-02-21 | Sharp Kk | Divided photodiode |
| DE10223201C1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-05-28 | Fraunhofer Ges Forschung | Optikerfassungsvorrichtung |
| DE10223202A1 (de) | 2002-05-24 | 2003-12-11 | Fraunhofer Ges Forschung | Photodiode |
| JP2006505930A (ja) * | 2002-11-07 | 2006-02-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 逆さ光検出器 |
| JP5967944B2 (ja) | 2012-01-18 | 2016-08-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3786264A (en) * | 1973-01-02 | 1974-01-15 | Gen Electric | High speed light detector amplifier |
| NL8003906A (nl) * | 1980-07-07 | 1982-02-01 | Philips Nv | Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting. |
| JPH0633537Y2 (ja) * | 1984-06-30 | 1994-08-31 | ソニ−株式会社 | 感光性半導体装置 |
| JPS61154063A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
| NL8500059A (nl) * | 1985-01-11 | 1986-08-01 | Philips Nv | Inrichting voor het weergeven van informatie van een optisch uitleesbare registratiedrager. |
| NL8601719A (nl) * | 1986-07-02 | 1988-02-01 | Philips Nv | Electronisch instelbare positiegevoelige stralingsdetector, focusfoutdetectiestelsel voorzien van een dergelijke stralingsdetector, en optische lees- en/of schrijfinrichting voorzien van een dergelijk focusfoutdetectiestelsel. |
| JP2757985B2 (ja) * | 1986-10-01 | 1998-05-25 | ソニー株式会社 | 受光装置とその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-28 NL NL8901629A patent/NL8901629A/nl not_active Application Discontinuation
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2164339A patent/JP3060233B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-25 EP EP90201646A patent/EP0405670B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-25 DE DE69021956T patent/DE69021956T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-26 KR KR1019900009447A patent/KR100199528B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-06-27 US US07/545,423 patent/US5097307A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3060233B2 (ja) | 2000-07-10 |
| DE69021956T2 (de) | 1996-04-18 |
| KR910001203A (ko) | 1991-01-30 |
| EP0405670A1 (en) | 1991-01-02 |
| DE69021956D1 (de) | 1995-10-05 |
| JPH0335559A (ja) | 1991-02-15 |
| NL8901629A (nl) | 1991-01-16 |
| EP0405670B1 (en) | 1995-08-30 |
| US5097307A (en) | 1992-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6252286B1 (en) | Semiconductor device having a light-receiving element, optical pickup device and method of manufacturing a semiconductor device having a light-receiving element | |
| US4749849A (en) | Device for determining the position of a radiation beam | |
| US6049118A (en) | Circuit built-in light-receiving element | |
| US4791468A (en) | Radiation-sensitive semiconductor device | |
| EP0834925A2 (en) | Circuit-integrating light-receiving element | |
| GB2102201A (en) | Radiation detection apparatus | |
| KR100199528B1 (ko) | 방사 감응성 반도체 장치 | |
| US6376871B1 (en) | Semiconductor device having photodetector and optical pickup system using the same | |
| US5466962A (en) | Light-receiving semiconductor device with plural buried layers | |
| JP2000252507A (ja) | 光ピックアップ用半導体受光素子 | |
| US6005278A (en) | Divided photodiode | |
| KR100197772B1 (ko) | 트랜지스터 및 감광 영역을 포함하는 감광 소자가 반도체 몸체부에 제공된 반도체 장치 | |
| CN101383358B (zh) | 分割光电二极管 | |
| US4903103A (en) | Semiconductor photodiode device | |
| KR100225186B1 (ko) | 광감지반도체장치 | |
| KR20050001077A (ko) | 수광소자 및 증폭소자가 일체 형성된 반도체 장치 및 그제조방법 | |
| JPS6145862B2 (ko) | ||
| JP2957834B2 (ja) | 回路内蔵受光素子 | |
| JPH1027356A (ja) | 光ピックアップ用信号処理装置及び光ピックアップ用半導体装置 | |
| JPS6259474B2 (ko) | ||
| JPH02254767A (ja) | 光半導体装置 | |
| KR20020048342A (ko) | Ｐｉｎ 다이오드, 이를 이용한 광 검출장치 및 그제조방법 | |
| JPH10303404A (ja) | 回路内蔵受光素子 | |
| JPH05198833A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2001313413A (ja) | 集積化光検出器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |