JPH10256699A - セラミック回路基板の製造方法 - Google Patents
セラミック回路基板の製造方法Info
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- JPH10256699A JPH10256699A JP5663697A JP5663697A JPH10256699A JP H10256699 A JPH10256699 A JP H10256699A JP 5663697 A JP5663697 A JP 5663697A JP 5663697 A JP5663697 A JP 5663697A JP H10256699 A JPH10256699 A JP H10256699A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック基板の表面に２層構造のＣｕめっ
き被膜を形成する場合に、Ｃｕめっき被膜とセラミック
基板との密着強度を高める。 【解決手段】 表面を粗化したアルミナ基板１１の表面
全面に無電解Ｃｕめっきで１層目のＣｕめっき被膜１２
を薄く形成した後、これを不活性ガス雰囲気中で３００
〜４００℃で加熱処理してＣｕめっき被膜１２とセラミ
ック基板１１との密着強度を高める（一次加熱処理）。
この後、Ｃｕめっき被膜１２の不必要な部分にめっきレ
ジスト１３を塗布した後、１層目のＣｕめっき被膜１２
の露出部分に電解Ｃｕめっきで２層目のＣｕめっき被膜
１４を厚く形成する。次に、めっきレジスト１３を除去
した後、１層目のＣｕめっき被膜１２の不必要な部分を
エッチングで除去する。この後、アルミナ基板１１のＣ
ｕめっき被膜１２，１４を不活性ガス雰囲気中にて６０
０〜９５０℃で加熱処理する（二次加熱処理）。
き被膜を形成する場合に、Ｃｕめっき被膜とセラミック
基板との密着強度を高める。 【解決手段】 表面を粗化したアルミナ基板１１の表面
全面に無電解Ｃｕめっきで１層目のＣｕめっき被膜１２
を薄く形成した後、これを不活性ガス雰囲気中で３００
〜４００℃で加熱処理してＣｕめっき被膜１２とセラミ
ック基板１１との密着強度を高める（一次加熱処理）。
この後、Ｃｕめっき被膜１２の不必要な部分にめっきレ
ジスト１３を塗布した後、１層目のＣｕめっき被膜１２
の露出部分に電解Ｃｕめっきで２層目のＣｕめっき被膜
１４を厚く形成する。次に、めっきレジスト１３を除去
した後、１層目のＣｕめっき被膜１２の不必要な部分を
エッチングで除去する。この後、アルミナ基板１１のＣ
ｕめっき被膜１２，１４を不活性ガス雰囲気中にて６０
０〜９５０℃で加熱処理する（二次加熱処理）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基板の
表面にＣｕめっきで導体層を形成するセラミック回路基
板の製造方法に関するものである。
表面にＣｕめっきで導体層を形成するセラミック回路基
板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、アルミナ基板の表面にＣｕめ
っきで厚い導体層を形成する場合、セラミック基板の表
面に無電解Ｃｕめっきで１層目のＣｕめっき被膜を形成
し、更に、その上に電解Ｃｕめっきで２層目のＣｕめっ
き被膜を形成することで、Ｃｕめっき被膜の厚みを厚く
するようにしている。このような２回のＣｕめっきによ
る導体層の形成は、一般にセミアディティブ法又はサブ
トラクティブ法によって行われている。
っきで厚い導体層を形成する場合、セラミック基板の表
面に無電解Ｃｕめっきで１層目のＣｕめっき被膜を形成
し、更に、その上に電解Ｃｕめっきで２層目のＣｕめっ
き被膜を形成することで、Ｃｕめっき被膜の厚みを厚く
するようにしている。このような２回のＣｕめっきによ
る導体層の形成は、一般にセミアディティブ法又はサブ
トラクティブ法によって行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、導体層とア
ルミナ基板との密着強度が低いと、導体層がアルミナ基
板が剥れやすくなり、信頼性が低下する。そのため、従
来より、密着強度を向上させるために、１層目のめっき
（無電解Ｃｕめっき）を行う前に、アルミナ基板の表面
をエッチングにより粗化して基板表面に多数の微小凹部
を形成し、それによって、無電解Ｃｕめっき時にＣｕめ
っき被膜の一部を基板表面の微小凹部に食い込ませて、
Ｃｕめっき被膜と基板表面との結合力を投錨効果（アン
カー効果）により高めるようにしている。
ルミナ基板との密着強度が低いと、導体層がアルミナ基
板が剥れやすくなり、信頼性が低下する。そのため、従
来より、密着強度を向上させるために、１層目のめっき
（無電解Ｃｕめっき）を行う前に、アルミナ基板の表面
をエッチングにより粗化して基板表面に多数の微小凹部
を形成し、それによって、無電解Ｃｕめっき時にＣｕめ
っき被膜の一部を基板表面の微小凹部に食い込ませて、
Ｃｕめっき被膜と基板表面との結合力を投錨効果（アン
カー効果）により高めるようにしている。
【０００４】しかし、投錨効果だけでは導体層の密着強
度向上に限界があり、プル強度測定法で１ｋｇｆ／ｍｍ
2 未満の密着強度しか得られず、目標値（例えば２ｋｇ
ｆ／ｍｍ2 以上）を達成できない。
度向上に限界があり、プル強度測定法で１ｋｇｆ／ｍｍ
2 未満の密着強度しか得られず、目標値（例えば２ｋｇ
ｆ／ｍｍ2 以上）を達成できない。
【０００５】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、従ってその目的は、セラミック基板の表
面に２層構造のＣｕめっき被膜を形成する場合に、Ｃｕ
めっき被膜とセラミック基板との密着強度を十分に高め
ることができるセラミック回路基板の製造方法を提供す
ることにある。
たものであり、従ってその目的は、セラミック基板の表
面に２層構造のＣｕめっき被膜を形成する場合に、Ｃｕ
めっき被膜とセラミック基板との密着強度を十分に高め
ることができるセラミック回路基板の製造方法を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のセラミック回路基板の製造方法は、セラミ
ック基板の表面を粗化した後、セラミック基板の表面に
無電解Ｃｕめっきで１層目のＣｕめっき被膜を形成し、
この無電解Ｃｕめっき工程から２層目のＣｕめっき被膜
を形成する電解Ｃｕめっき工程までの間に１層目のＣｕ
めっき被膜を加熱処理する一次加熱処理を行い、更に、
電解Ｃｕめっき工程以後に導体層（２層構造のＣｕめっ
き被膜）を加熱処理する二次加熱処理を行うようにした
ものである。
に、本発明のセラミック回路基板の製造方法は、セラミ
ック基板の表面を粗化した後、セラミック基板の表面に
無電解Ｃｕめっきで１層目のＣｕめっき被膜を形成し、
この無電解Ｃｕめっき工程から２層目のＣｕめっき被膜
を形成する電解Ｃｕめっき工程までの間に１層目のＣｕ
めっき被膜を加熱処理する一次加熱処理を行い、更に、
電解Ｃｕめっき工程以後に導体層（２層構造のＣｕめっ
き被膜）を加熱処理する二次加熱処理を行うようにした
ものである。
【０００７】この場合、一次加熱処理によりＣｕめっき
被膜の酸化層とセラミック基板とが反応して中間層が形
成され、この中間層による化学的な結合力と基板表面の
粗化処理による投錨効果（アンカー効果）との相乗効果
によってＣｕめっき被膜とセラミック基板との密着強度
が効果的に高められる。更に、２層目のＣｕめっき被膜
を形成する電解Ｃｕめっき工程以降に二次加熱処理を行
うことにより、１層目のＣｕめっき被膜と２層目のＣｕ
めっき被膜との密着強度も高められる。
被膜の酸化層とセラミック基板とが反応して中間層が形
成され、この中間層による化学的な結合力と基板表面の
粗化処理による投錨効果（アンカー効果）との相乗効果
によってＣｕめっき被膜とセラミック基板との密着強度
が効果的に高められる。更に、２層目のＣｕめっき被膜
を形成する電解Ｃｕめっき工程以降に二次加熱処理を行
うことにより、１層目のＣｕめっき被膜と２層目のＣｕ
めっき被膜との密着強度も高められる。
【０００８】
［第１の実施形態］以下、本発明をセミアディティブ法
に適用した第１の実施形態におけるセラミック回路基板
の製造方法を図１乃至図３に基づいて説明する。
に適用した第１の実施形態におけるセラミック回路基板
の製造方法を図１乃至図３に基づいて説明する。
【０００９】まず、セラミック基板であるアルミナ基板
１１を焼成する。その後、このアルミナ基板１１の表面
をエッチング液（例えばフッ酸系溶液、フッ化アンモニ
ウム系溶液等）によってエッチングして粗化する。この
際、エッチング反応を促進するために、エッチング液を
例えば７０℃程度に加温して行うことが好ましい。この
基板表面粗化工程は、基板表面に後工程でＣｕめっき被
膜１２を形成するときに、Ｃｕめっき被膜１２の一部を
基板表面の微小凹部に食い込ませて、Ｃｕめっき被膜１
２と基板表面との結合力を投錨効果（アンカー効果）に
より高めるために実施される。
１１を焼成する。その後、このアルミナ基板１１の表面
をエッチング液（例えばフッ酸系溶液、フッ化アンモニ
ウム系溶液等）によってエッチングして粗化する。この
際、エッチング反応を促進するために、エッチング液を
例えば７０℃程度に加温して行うことが好ましい。この
基板表面粗化工程は、基板表面に後工程でＣｕめっき被
膜１２を形成するときに、Ｃｕめっき被膜１２の一部を
基板表面の微小凹部に食い込ませて、Ｃｕめっき被膜１
２と基板表面との結合力を投錨効果（アンカー効果）に
より高めるために実施される。
【００１０】この基板表面粗化工程終了後に、無電解Ｃ
ｕめっき工程に移り、アルミナ基板１１の表面全面に無
電解Ｃｕめっき用触媒の液を塗布した後、該アルミナ基
板１１を無電解Ｃｕめっき液に浸して、アルミナ基板１
１の表面全面に無電解Ｃｕめっきで１層目のＣｕめっき
被膜１２を薄く形成する。
ｕめっき工程に移り、アルミナ基板１１の表面全面に無
電解Ｃｕめっき用触媒の液を塗布した後、該アルミナ基
板１１を無電解Ｃｕめっき液に浸して、アルミナ基板１
１の表面全面に無電解Ｃｕめっきで１層目のＣｕめっき
被膜１２を薄く形成する。
【００１１】この後、一次加熱処理工程に移り、アルミ
ナ基板１１のＣｕめっき被膜１２を不活性ガス雰囲気
（例えばＮ2 雰囲気）中にて３００〜４００℃で加熱処
理する。これにより、図２に示すように、Ｃｕめっき被
膜１２の酸化層１２ａとアルミナ基板１１とが反応して
ＣｕＡｌ2 Ｏ4 の中間層１２ｂが形成され、この中間層
１２ｂによる化学的な結合力と上述した基板表面の粗化
処理による投錨効果との相乗効果によってＣｕめっき被
膜１２とアルミナ基板１１との密着強度が効果的に高め
られる。
ナ基板１１のＣｕめっき被膜１２を不活性ガス雰囲気
（例えばＮ2 雰囲気）中にて３００〜４００℃で加熱処
理する。これにより、図２に示すように、Ｃｕめっき被
膜１２の酸化層１２ａとアルミナ基板１１とが反応して
ＣｕＡｌ2 Ｏ4 の中間層１２ｂが形成され、この中間層
１２ｂによる化学的な結合力と上述した基板表面の粗化
処理による投錨効果との相乗効果によってＣｕめっき被
膜１２とアルミナ基板１１との密着強度が効果的に高め
られる。
【００１２】一次加熱処理工程終了後に、Ｃｕめっき被
膜１２の不必要な部分（つまり導体パターン部以外の部
分）にめっきレジスト１３をスクリーン印刷して、導体
パターン部以外の部分をめっきレジスト１３で被覆す
る。この後、電解Ｃｕめっき工程に移り、アルミナ基板
１１を電解Ｃｕめっき液に浸して、１層目のＣｕめっき
被膜１２の露出部分（つまり導体パターン部）に電解Ｃ
ｕめっきで２層目のＣｕめっき被膜１４を厚く形成す
る。
膜１２の不必要な部分（つまり導体パターン部以外の部
分）にめっきレジスト１３をスクリーン印刷して、導体
パターン部以外の部分をめっきレジスト１３で被覆す
る。この後、電解Ｃｕめっき工程に移り、アルミナ基板
１１を電解Ｃｕめっき液に浸して、１層目のＣｕめっき
被膜１２の露出部分（つまり導体パターン部）に電解Ｃ
ｕめっきで２層目のＣｕめっき被膜１４を厚く形成す
る。
【００１３】電解Ｃｕめっき工程終了後に、エッチング
液によってめっきレジスト１３を溶解除去した後、ソフ
トエッチング工程に移り、塩化銅系のエッチング液で１
層目のＣｕめっき被膜１２の不必要な部分（つまり導体
パターン部以外の部分）を溶解除去する。
液によってめっきレジスト１３を溶解除去した後、ソフ
トエッチング工程に移り、塩化銅系のエッチング液で１
層目のＣｕめっき被膜１２の不必要な部分（つまり導体
パターン部以外の部分）を溶解除去する。
【００１４】この後、二次加熱処理工程に移り、アルミ
ナ基板１１表面の導体層であるＣｕめっき被膜１２，１
４を不活性ガス雰囲気（例えばＮ2 雰囲気）中にて６０
０〜９５０℃で加熱処理する。これにより、１層目のＣ
ｕめっき被膜１２と２層目のＣｕめっき被膜１３との密
着強度が高められると共に、１層目のＣｕめっき被膜１
２の酸化層１２ａとアルミナ基板１１との反応（ＣｕＡ
ｌ2 Ｏ4 の中間層１２ｂが形成される反応）が更に進行
して、中間層１２ｂによる化学的な結合力が更に高めら
れる。
ナ基板１１表面の導体層であるＣｕめっき被膜１２，１
４を不活性ガス雰囲気（例えばＮ2 雰囲気）中にて６０
０〜９５０℃で加熱処理する。これにより、１層目のＣ
ｕめっき被膜１２と２層目のＣｕめっき被膜１３との密
着強度が高められると共に、１層目のＣｕめっき被膜１
２の酸化層１２ａとアルミナ基板１１との反応（ＣｕＡ
ｌ2 Ｏ4 の中間層１２ｂが形成される反応）が更に進行
して、中間層１２ｂによる化学的な結合力が更に高めら
れる。
【００１５】本発明者は、以上説明した図１の製造方法
により作成したサンプル基板（実施例）についてアルミ
ナ基板１１とＣｕめっき被膜１２との密着強度をプル強
度測定法で測定したところ、図３に示すように、目標値
である２ｋｇｆ／ｍｍ2 以上を確保できた。
により作成したサンプル基板（実施例）についてアルミ
ナ基板１１とＣｕめっき被膜１２との密着強度をプル強
度測定法で測定したところ、図３に示すように、目標値
である２ｋｇｆ／ｍｍ2 以上を確保できた。
【００１６】これに対し、加熱処理を全く行わない従来
例では、アルミナ基板とＣｕめっき被膜との密着力は、
基板表面の粗化処理による投錨効果だけであるので、導
体層の密着強度に限界があり、プル強度測定法で１ｋｇ
ｆ／ｍｍ2 未満の密着強度しか得られず、目標値を達成
できない。
例では、アルミナ基板とＣｕめっき被膜との密着力は、
基板表面の粗化処理による投錨効果だけであるので、導
体層の密着強度に限界があり、プル強度測定法で１ｋｇ
ｆ／ｍｍ2 未満の密着強度しか得られず、目標値を達成
できない。
【００１７】また、図３に示す比較例は、一次加熱処理
を行わず、最終工程でのみ加熱処理を行った例（つまり
加熱処理を１回のみ行った例）である。この比較例の密
着強度は、従来例よりも向上するが、２ｋｇｆ／ｍｍ2
未満の密着強度しか得られず、目標値を達成できない。
これは、最終工程で加熱処理を１回行っただけでは、Ｃ
ｕめっき被膜の酸化層とアルミナ基板との反応（ＣｕＡ
ｌ2 Ｏ4 の中間層が形成される反応）が十分に進行せ
ず、中間層による化学的な結合力が小さいためと考えら
れる。
を行わず、最終工程でのみ加熱処理を行った例（つまり
加熱処理を１回のみ行った例）である。この比較例の密
着強度は、従来例よりも向上するが、２ｋｇｆ／ｍｍ2
未満の密着強度しか得られず、目標値を達成できない。
これは、最終工程で加熱処理を１回行っただけでは、Ｃ
ｕめっき被膜の酸化層とアルミナ基板との反応（ＣｕＡ
ｌ2 Ｏ4 の中間層が形成される反応）が十分に進行せ
ず、中間層による化学的な結合力が小さいためと考えら
れる。
【００１８】これに対し、図１の製造方法で作製した実
施例のサンプル基板は、無電解Ｃｕめっき後に一次加熱
処理を行い、更に、電解Ｃｕめっきで２層目のＣｕめっ
き被膜１４を形成した後の最終工程で二次加熱処理を行
うようにしたので、これら２回の加熱処理によりＣｕめ
っき被膜１２の酸化層１２ａとアルミナ基板１１との反
応（ＣｕＡｌ2 Ｏ4 の中間層１２ｂが形成される反応）
を十分に進行させることができて、中間層１２ｂによる
化学的な結合力を十分に高めることができ、この化学的
な結合力と前述した基板表面の粗化処理による投錨効果
との相乗効果によってＣｕめっき被膜１２とアルミナ基
板１１との密着強度を効果的に高めることができ、目標
とする２ｋｇｆ／ｍｍ2 以上の密着強度を確保できて、
信頼性を向上できる。
施例のサンプル基板は、無電解Ｃｕめっき後に一次加熱
処理を行い、更に、電解Ｃｕめっきで２層目のＣｕめっ
き被膜１４を形成した後の最終工程で二次加熱処理を行
うようにしたので、これら２回の加熱処理によりＣｕめ
っき被膜１２の酸化層１２ａとアルミナ基板１１との反
応（ＣｕＡｌ2 Ｏ4 の中間層１２ｂが形成される反応）
を十分に進行させることができて、中間層１２ｂによる
化学的な結合力を十分に高めることができ、この化学的
な結合力と前述した基板表面の粗化処理による投錨効果
との相乗効果によってＣｕめっき被膜１２とアルミナ基
板１１との密着強度を効果的に高めることができ、目標
とする２ｋｇｆ／ｍｍ2 以上の密着強度を確保できて、
信頼性を向上できる。
【００１９】尚、図１の製造工程では、二次加熱処理を
ソフトエッチング後に行ったが、電解Ｃｕめっき工程後
に二次加熱処理を行ったり、或は、めっきレジスト除去
工程後に二次加熱処理を行うようにしても良い。また、
一次加熱処理をめっきレジスト塗布工程後に行うように
しても良い。
ソフトエッチング後に行ったが、電解Ｃｕめっき工程後
に二次加熱処理を行ったり、或は、めっきレジスト除去
工程後に二次加熱処理を行うようにしても良い。また、
一次加熱処理をめっきレジスト塗布工程後に行うように
しても良い。
【００２０】［第２の実施形態］次に、本発明をサブト
ラクティブ法に適用した第２の実施形態におけるセラミ
ック回路基板の製造方法を図４に基づいて説明する。
ラクティブ法に適用した第２の実施形態におけるセラミ
ック回路基板の製造方法を図４に基づいて説明する。
【００２１】アルミナ基板１１の焼成後、前述した図１
のセミアディティブ法と同じく、アルミナ基板１１の表
面をエッチングにより粗化して、無電解Ｃｕめっきによ
ってアルミナ基板１１の表面全面に１層目のＣｕめっき
被膜１２を薄く形成する。この後、一次加熱処理工程に
移り、アルミナ基板１１のＣｕめっき被膜１２を不活性
ガス雰囲気（例えばＮ2 雰囲気）中で３００〜４００℃
で加熱処理し、Ｃｕめっき被膜１２の酸化層１２ａとア
ルミナ基板１１とを反応させてＣｕＡｌ2 Ｏ4の中間層
１２ｂを形成する（図２参照）。
のセミアディティブ法と同じく、アルミナ基板１１の表
面をエッチングにより粗化して、無電解Ｃｕめっきによ
ってアルミナ基板１１の表面全面に１層目のＣｕめっき
被膜１２を薄く形成する。この後、一次加熱処理工程に
移り、アルミナ基板１１のＣｕめっき被膜１２を不活性
ガス雰囲気（例えばＮ2 雰囲気）中で３００〜４００℃
で加熱処理し、Ｃｕめっき被膜１２の酸化層１２ａとア
ルミナ基板１１とを反応させてＣｕＡｌ2 Ｏ4の中間層
１２ｂを形成する（図２参照）。
【００２２】この後、電解Ｃｕめっき工程に移り、アル
ミナ基板１１を電解Ｃｕめっき液に浸して、１層目のＣ
ｕめっき被膜１２の表面全面に電解Ｃｕめっきで２層目
のＣｕめっき被膜１４を厚く形成する。この電解Ｃｕめ
っき工程終了後に、Ｃｕめっき被膜１４の必要な部分
（つまり導体パターン部）にエッチングレジスト１５を
スクリーン印刷して、該導体パターン部をエッチングレ
ジスト１５で被覆する。尚、エッチングレジスト１５の
パターニングは写真法で行っても良い。
ミナ基板１１を電解Ｃｕめっき液に浸して、１層目のＣ
ｕめっき被膜１２の表面全面に電解Ｃｕめっきで２層目
のＣｕめっき被膜１４を厚く形成する。この電解Ｃｕめ
っき工程終了後に、Ｃｕめっき被膜１４の必要な部分
（つまり導体パターン部）にエッチングレジスト１５を
スクリーン印刷して、該導体パターン部をエッチングレ
ジスト１５で被覆する。尚、エッチングレジスト１５の
パターニングは写真法で行っても良い。
【００２３】この後、エッチング工程に移り、不要なＣ
ｕめっき被膜を溶解するエッチング液によって導体パタ
ーン部以外の部分のＣｕめっき被膜１２，１４を溶解除
去する。これにより、エッチングレジスト１５で被覆さ
れた導体パターン部のＣｕめっき被膜１２，１４のみが
残る。このエッチング終了後に、エッチングレジスト１
５を薬品を使って剥離除去し、導体パターン部のＣｕめ
っき被膜１４を露出させる。
ｕめっき被膜を溶解するエッチング液によって導体パタ
ーン部以外の部分のＣｕめっき被膜１２，１４を溶解除
去する。これにより、エッチングレジスト１５で被覆さ
れた導体パターン部のＣｕめっき被膜１２，１４のみが
残る。このエッチング終了後に、エッチングレジスト１
５を薬品を使って剥離除去し、導体パターン部のＣｕめ
っき被膜１４を露出させる。
【００２４】この後、二次加熱処理工程に移り、アルミ
ナ基板１１表面の導体層であるＣｕめっき被膜１２，１
４を不活性ガス雰囲気（例えばＮ2 雰囲気）中にて６０
０〜９５０℃で加熱処理する。これにより、１層目のＣ
ｕめっき被膜１２と２層目のＣｕめっき被膜１４との密
着強度が高められると共に、１層目のＣｕめっき被膜１
２の酸化層１２ａとアルミナ基板１１との反応（ＣｕＡ
ｌ2 Ｏ4 の中間層１２ｂが形成される反応）が更に進行
して、中間層１２ｂによる化学的な結合力が更に高めら
れる。
ナ基板１１表面の導体層であるＣｕめっき被膜１２，１
４を不活性ガス雰囲気（例えばＮ2 雰囲気）中にて６０
０〜９５０℃で加熱処理する。これにより、１層目のＣ
ｕめっき被膜１２と２層目のＣｕめっき被膜１４との密
着強度が高められると共に、１層目のＣｕめっき被膜１
２の酸化層１２ａとアルミナ基板１１との反応（ＣｕＡ
ｌ2 Ｏ4 の中間層１２ｂが形成される反応）が更に進行
して、中間層１２ｂによる化学的な結合力が更に高めら
れる。
【００２５】以上説明したサブトラクティブ法に適用し
た第２の実施形態においても、加熱処理を２回に分けて
行うので、前述したセミアディティブ法に適用した第１
の実施形態と同じく、Ｃｕめっき被膜１２の酸化層１２
ａとアルミナ基板１１との反応（ＣｕＡｌ2 Ｏ4 の中間
層１２ｂが形成される反応）を十分に進行させることが
できて、中間層１２ｂによる化学的な結合力を十分に高
めることができ、この化学的な結合力と前述した基板表
面の粗化処理による投錨効果との相乗効果によってＣｕ
めっき被膜１２とアルミナ基板１１との密着強度を効果
的に高めることができ、目標とする２ｋｇｆ／ｍｍ2 以
上の密着強度を確保できて、信頼性を向上できる。
た第２の実施形態においても、加熱処理を２回に分けて
行うので、前述したセミアディティブ法に適用した第１
の実施形態と同じく、Ｃｕめっき被膜１２の酸化層１２
ａとアルミナ基板１１との反応（ＣｕＡｌ2 Ｏ4 の中間
層１２ｂが形成される反応）を十分に進行させることが
できて、中間層１２ｂによる化学的な結合力を十分に高
めることができ、この化学的な結合力と前述した基板表
面の粗化処理による投錨効果との相乗効果によってＣｕ
めっき被膜１２とアルミナ基板１１との密着強度を効果
的に高めることができ、目標とする２ｋｇｆ／ｍｍ2 以
上の密着強度を確保できて、信頼性を向上できる。
【００２６】尚、図４の製造工程では、二次加熱処理を
エッチングレジスト除去後に行ったが、電解Ｃｕめっき
工程後に二次加熱処理を行ったり、或は、エッチングレ
ジスト塗布、エッチング、エッチングレジスト除去のい
ずれかの工程後に二次加熱処理を行うようにしても良
い。
エッチングレジスト除去後に行ったが、電解Ｃｕめっき
工程後に二次加熱処理を行ったり、或は、エッチングレ
ジスト塗布、エッチング、エッチングレジスト除去のい
ずれかの工程後に二次加熱処理を行うようにしても良
い。
【００２７】その他、本発明は、フルアディティブ法に
も適用でき、要は、セラミック基板の表面に無電解Ｃｕ
めっきで１層目のＣｕめっき被膜を形成し、更に、その
上に電解Ｃｕめっきで２層目のＣｕめっき被膜を形成す
る場合に本発明を適用できる。また、本発明を適用可能
なセラミック基板は、アルミナ基板に限定されず、窒化
アルミニウム基板等、他の種類のセラミック基板であっ
ても良い。
も適用でき、要は、セラミック基板の表面に無電解Ｃｕ
めっきで１層目のＣｕめっき被膜を形成し、更に、その
上に電解Ｃｕめっきで２層目のＣｕめっき被膜を形成す
る場合に本発明を適用できる。また、本発明を適用可能
なセラミック基板は、アルミナ基板に限定されず、窒化
アルミニウム基板等、他の種類のセラミック基板であっ
ても良い。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、セラミック基板の表面に無電解Ｃｕめっきと
電解Ｃｕめっきで２層構造のＣｕめっき被膜を形成する
セラミック回路基板の製造方法において、加熱処理を２
回に分けて行うようにしたので、Ｃｕめっき被膜とセラ
ミック基板との密着強度を十分に高めることができて、
信頼性を向上できる。
によれば、セラミック基板の表面に無電解Ｃｕめっきと
電解Ｃｕめっきで２層構造のＣｕめっき被膜を形成する
セラミック回路基板の製造方法において、加熱処理を２
回に分けて行うようにしたので、Ｃｕめっき被膜とセラ
ミック基板との密着強度を十分に高めることができて、
信頼性を向上できる。
【図１】本発明をセミアディティブ法に適用した第１の
実施形態のセラミック回路基板の製造方法を示す工程図
実施形態のセラミック回路基板の製造方法を示す工程図
【図２】加熱処理の効果を説明するための図
【図３】実施例、比較例、従来例におけるＣｕめっき被
膜とセラミック基板との密着強度を測定した結果を示す
図
膜とセラミック基板との密着強度を測定した結果を示す
図
【図４】本発明をサブトラクティブ法に適用した第２の
実施形態のセラミック回路基板の製造方法を示す工程図
実施形態のセラミック回路基板の製造方法を示す工程図
１１…アルミナ基板（セラミック基板）、１２…１層目
のＣｕめっき被膜、１２ａ…酸化層、１２ｂ…中間層、
１３…めっきレジスト、１４…２層目のＣｕめっき被
膜、１５…エッチングレジスト。
のＣｕめっき被膜、１２ａ…酸化層、１２ｂ…中間層、
１３…めっきレジスト、１４…２層目のＣｕめっき被
膜、１５…エッチングレジスト。
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミック基板の表面を粗化する工程
と、前記セラミック基板の表面に無電解Ｃｕめっきで１
層目のＣｕめっき被膜を形成する無電解Ｃｕめっき工程
と、前記１層目のＣｕめっき被膜上に電解Ｃｕめっきで
２層目のＣｕめっき被膜を形成して導体層を形成する電
解Ｃｕめっき工程とを含むセラミック回路基板の製造方
法において、 前記無電解Ｃｕめっき工程から前記電解Ｃｕめっき工程
までの間に前記１層目のＣｕめっき被膜を加熱処理する
一次加熱処理工程と、 前記電解Ｃｕめっき工程以降に前記導体層を加熱処理す
る二次加熱処理工程とを含むことを特徴とするセラミッ
ク回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5663697A JPH10256699A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | セラミック回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5663697A JPH10256699A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | セラミック回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256699A true JPH10256699A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13032825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5663697A Pending JPH10256699A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | セラミック回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256699A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110582166A (zh) * | 2019-09-04 | 2019-12-17 | 广州陶积电电子科技有限公司 | 一种dbc与dpc结合的陶瓷板加工方法及陶瓷基板 |
| CN113818061A (zh) * | 2021-09-23 | 2021-12-21 | 镇江锦兴表面工程技术有限公司 | 一种用于陶瓷制品的表面电镀工艺 |
-
1997
- 1997-03-11 JP JP5663697A patent/JPH10256699A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110582166A (zh) * | 2019-09-04 | 2019-12-17 | 广州陶积电电子科技有限公司 | 一种dbc与dpc结合的陶瓷板加工方法及陶瓷基板 |
| CN113818061A (zh) * | 2021-09-23 | 2021-12-21 | 镇江锦兴表面工程技术有限公司 | 一种用于陶瓷制品的表面电镀工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040127 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040315 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040316 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 |
|
| A072 | Dismissal of procedure |
Effective date: 20040609 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 |
|
| A072 | Dismissal of procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20040709 |