JP2000208937A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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Abstract
容易にし、有機樹脂絶縁層とその上に形成される配線層
との密着強度を高くすることができる配線基板の製造方
法を提供する。 【構成】有機樹脂前駆体層を半硬化させ、粗化が容易な
半硬化の状態で有機樹脂前駆体層の粗化処理を行う。さ
らに、粗化処理を終えた後に有機樹脂前駆体層を完全に
硬化させて、有機樹脂絶縁層とする。なお、配線層をセ
ミアディティブ法またはサブトラクティブ法にて形成す
る場合は、完全硬化させるための熱処理は、無電解メッ
キ層または電解メッキ層形成後に行うとよい。
Description
無電解メッキ層および電解メッキ層からなる配線層を有
する配線基板の製造方法に関するものである。
絶縁層と配線層とを交互に積層して形成した多層配線基
板が知られている。有機樹脂絶縁層の表面に配線層を形
成する場合には、通常、無電解メッキや電解メッキによ
って配線層を形成しているが、有機樹脂絶縁層と配線層
との密着性を高めるために、有機樹脂絶縁層の表面に対
して粗化処理を行っている。
来の多層配線基板においては、有機樹脂絶縁層は粗化さ
れる前にすでに完全に硬化しているため、十分に粗化で
きないことがあった。このような十分に粗化されていな
い有機樹脂絶縁層の表面に配線層を形成しても、有機樹
脂絶縁層と配線層との十分な密着強度が得られず、配線
層が絶縁層から剥がれる等の不具合が発生し、多層配線
基板としての機能を喪失するという欠点を誘発する。
であり、その目的は有機樹脂絶縁層と配線層とを交互に
多層に積層してなる多層配線基板であって、前記有機樹
脂絶縁層と前記配線層との密着強度を強くし、外力印加
によっても有機樹脂絶縁層と前記配線層との間に剥離が
発生するのを有効に防止することによって所望する特性
が十分に発揮される多層配線基板を提供することにあ
る。
の請求項1の発明は、絶縁基板上に有機樹脂絶縁層と配
線層とを交互に積層してなる多層配線基板の製造方法で
あって、絶縁基板上に有機樹脂前駆体層を形成し、該有
機樹脂前駆体層を熱処理して半硬化させる半硬化工程
と、前記半硬化した有機樹脂前駆体層の表面を粗化する
粗化工程と、前記粗化された半硬化の有機樹脂前駆体層
を熱処理し、該粗化された半硬化の有機樹脂前駆体層を
完全に硬化させ、有機樹脂絶縁層となす完全硬化工程
と、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法を
要旨とする。
化の状態の有機樹脂前駆体層の表面を粗化するので、有
機樹脂前駆体層の表面を十分に粗化できる。半硬化の程
度とすれば、有機樹脂前駆体層が粗化処理にある程度耐
えうる程度の硬化させておけばよく、有機樹脂の材質に
応じて、所定の温度で所定の時間の加熱すればよいが、
例えば、70℃〜180℃で、0.5〜2時間の加熱す
ればよい。
有機樹脂絶縁層と配線層とを交互に積層してなる多層配
線基板の製造方法であって、絶縁基板上に有機樹脂前駆
体層を形成し、該有機樹脂前駆体層を熱処理して半硬化
させる半硬化工程と、前記半硬化した有機樹脂前駆体層
の表面を粗化する粗化工程と、前記粗化された半硬化の
有機樹脂前駆体層を熱処理し、該粗化された半硬化の有
機樹脂前駆体層を完全に硬化させ、有機樹脂絶縁層とな
す完全硬化工程と、前記有機樹脂絶縁層の上面に配線層
を形成する配線層形成工程と、を含むことを特徴とする
多層配線基板の製造方法を要旨とする。
化の状態の有機樹脂前駆体層の表面を粗化するので、有
機樹脂前駆体層の表面を十分に粗化できる。また、配線
層を形成する前に完全硬化し、半硬化の有機樹脂前駆体
層をより安定した有機樹脂絶縁層とするので、メッキ液
やエッチング液等の影響を抑制できる。
有機樹脂絶縁層と配線層とを交互に積層してなる多層配
線基板の製造方法であって、絶縁基板上に有機樹脂前駆
体層を形成し、該有機樹脂前駆体層を熱処理して半硬化
させる半硬化工程と、前記半硬化した有機樹脂前駆体層
の表面を粗化する粗化工程と、前記粗化された半硬化の
有機樹脂前駆体層の上面に無電解メッキにより無電解メ
ッキ層を形成する工程と、前記無電解メッキ層および前
記粗化された半硬化の有機樹脂前駆体層に熱処理を施
し、前記粗化された半硬化の有機樹脂前駆体層を完全に
硬化させ、有機樹脂絶縁層となす完全硬化工程と、前記
無電解メッキ層上に、所定パターンの開口部を有するメ
ッキレジスト層を形成する工程と、前記パターンの開口
部に対応した無電解メッキ層上に、電解メッキにより電
解メッキ層を形成する工程と、前記メッキレジスト層を
除去する工程と、前記メッキレジスト層を除去した箇所
に対応する余分な無電解メッキ層を除去することによ
り、配線層を形成するエッチング工程と、を含むことを
特徴とする多層配線基板の製造方法を要旨とする。
化の状態の有機樹脂前駆体層の表面を粗化するので、有
機樹脂前駆体層の表面を十分に粗化できる。また、半硬
化した有機樹脂前駆体層に完全に硬化させる熱処理を、
無電解メッキ層形成後に施すことにより、後のエッチン
グ工程におけるエッチング速度のバラツキがなくなり、
基板全体にわたってほぼ均一な速度でエッチングされる
ので、基板内で局部的にオーバーエッチングになった
り、あるいはエッチング残りが生じることがなくなる。
この理由は、加熱処理によって、無電解メッキ層中の金
属粒子の配列が均一になり、エッチング速度も均一化さ
れるものと推察される。
できるという効果は、半硬化した有機樹脂前駆体層に完
全に硬化させる熱処理を、無電解メッキ層形成後で、且
つ、無電解メッキ層のエッチング工程の前に行えば得る
ことができる。したがって、請求項4に記載の発明によ
っても、同様の効果を得ることができる。
基板上に有機樹脂絶縁層と配線層とを交互に積層してな
る多層配線基板の製造方法であって、絶縁基板上に有機
樹脂前駆体層を形成し、該有機樹脂前駆体層を熱処理し
て半硬化させる半硬化工程と、前記半硬化した有機樹脂
前駆体層の表面を粗化する粗化工程と、前記粗化された
半硬化の有機樹脂前駆体層の上面に無電解メッキにより
無電解メッキ層を形成する工程と、前記無電解メッキ層
上に、所定パターンの開口部を有するメッキレジスト層
を形成する工程と、前記パターンの開口部に対応した無
電解メッキ層上に、電解メッキにより電解メッキ層を形
成する工程と、前記メッキレジスト層を除去する工程
と、前記無電解メッキ層、前記電解メッキ層および前記
粗化された半硬化の有機樹脂前駆体層に熱処理を施し、
該粗化された半硬化の有機樹脂前駆体層を完全に硬化さ
せ、有機樹脂絶縁層となす完全硬化工程と、前記メッキ
レジスト層を除去した箇所に対応する余分な無電解メッ
キ層を除去することにより、配線層を形成するエッチン
グ工程と、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造
方法を要旨とする。
電解メッキ層の厚さが、0.3〜0.9μmであること
を特徴とする請求項3または4に記載の配線基板の製造
方法を要旨とする。
グ前に加熱処理が施されており、さらに、無電解メッキ
層の厚みが0.9μm以下と薄いので、わずかの時間の
エッチングを施すだけで、マスキングやガードメッキを
施さずとも、電解メッキ層を損なうことなく、速やかに
電解メッキ層を除去できる。しかも、配線基板全体にわ
たって均一なエッチング速度でエッチングされるので、
エッチング条件を厳しくコントロールしなくても、オー
バーエッチング(図2(a)参照)やエッチング残りの
恐れがないので、その点からも作業能率は大きく向上す
る。また、マスキングやガードメッキを施す必要がない
ので製造工程を単純化することができる。また、無電解
メッキ層の厚みを0.9μmと薄くしたので、無電解メ
ッキ層を形成する時間を短くすることができ、製造コス
トの低減にも寄与することができる。
μm以上であるので、無電解メッキにより、基板表面を
確実に覆うことができる。その為、後に電解メッキを行
っても、形成される配線層にピンホール(図2(b)参
照)を生じることがない。
ッチング工程の後に、前記有機樹脂絶縁層の表面をエッ
チングすることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか
に記載の配線基板の製造方法を要旨とする。
樹脂絶縁層の表面をエッチング(樹脂エッチング)する
ので、有機樹脂絶縁層の表面に残存した無電解メッキ層
が点在していても、これを有機樹脂絶縁層の表面の樹脂
と一緒に除去できる。この樹脂エッチングに用いる粗化
液は、有機樹脂前駆体層を粗化した粗化液と同じものを
用いれば、樹脂エッチング後の粗化状態を有機樹脂前駆
体層を粗化したときの状態とほぼ同様に保ことができる
ので好ましい。有機樹脂絶縁層の表面の樹脂エッチング
液は、有機樹脂絶縁層の材質に応じて、適宜選定して用
いればよいが、例えば過マンガン酸カリウム溶液などが
用いられる。
ば、ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸さ
せたガラスエポキシ樹脂や、酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体等の酸化物系セラミック、あるい
は、表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム焼結体、
炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミック等の電気絶
縁材料でできている。また、金属基板の表面に絶縁樹脂
をコーティングしたものなども用いることができる。な
お、これに限らず、公知の絶縁材料も適宜用いることが
できる。
は、例えば、感光性エポキシ樹脂等の感光性樹脂が好適
である。すなわち、この感光性樹脂に対して、露光現像
等の処理を行うことにより、所望のレジストパターン、
すなわち、形成する配線パターンの周囲を形成するいわ
ゆるネガパターンを形成することができる。
法としては、感光性樹脂をスクリーン印刷やスピンコー
ト等により塗布する方法や、感光性樹脂からなる感光性
フィルムを貼り付ける方法が採用できる。
ル、金、銀等の導電性を有する金属からなる配線層が挙
げられるので、無電解メッキ層や電解メッキ層は、これ
らの配線に用いられる金属から構成されている。また、
前記無電解メッキを行う場合には、その前処理として、
無電解メッキ層を形成する場所(開口部)に対して、無
電解メッキの成長核(Pd、Au等)を付着させておく
方法が採用できる。
施形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態に係
る多層配線基板の製造方法では、図1〜図6に示すよう
に、セミアディティブ法により配線層7を形成して多層
配線基板1を製造する。まず、図1に示す被積層基板2
を予め用意する。この被積層基板2は、まず、ガラスエ
ポキシからなる略板状のコア基板11の表裏面(図中上
下面)を貫通するスルーホールを形成する。続いて、ス
ルーホール内周面およびコア基板11の表裏面に、公知
の手法を用いて、配線層12を形成した後、スルホール
内に樹脂を充填する。ついで、配線層12およびコア基
板11上に、予めフィルム状に形成したエポキシ樹脂
(日本ペイント社製プロビコート:商品名)からなる有
機樹脂前駆体層30、140貼付けることにより形成す
る。
0を80℃で15分間の加熱処理を施した後、図示しな
いマスクを配して露光し、その後、さらに80℃で45
分間の加熱処理を行って半硬化状態にする。さらに、半
硬化状態とされた有機樹脂前駆体層30、140に対
し、現像を行い、有機樹脂絶縁前駆体層30、140に
ビア導体を形成するためのビアホール13を複数形成
し、乾燥工程を経て、被積層基板2を形成する。
上側に形成された有機樹脂前駆体層30の部分拡大図で
ある。次に、図2(b)に示すように、粗化工程におい
て、過マンガン酸カリウムを含む溶液を用いて、有機樹
脂前駆体層30の表面30Aの粗化を行う。有機樹脂前
駆体層30は、完全には硬化されていない、半硬化の状
態であるので粗化が極めて良好に行える。なお、ここで
は図示しなかったが、ビアホール13の内壁も同時に粗
化される。このように半硬化状態の有機樹脂前駆体層3
0に対して粗化処理したので、後に、この上に配置され
る配線層や樹脂絶縁層とのアンカー効果による密着強度
が高くなる。
に示すように、厚さ0.7μmの無電解メッキ層4を形
成する。無電解メッキ層4の厚さは、有機樹脂前駆体層
30の表面30Aの粗度よりも十分に小さいので、無電
解メッキ層4の表面4Aでも、有機樹脂絶縁層30の表
面30Aと同程度の凹凸が得られる。なお、ここでは図
示しないが、無電解メッキ層4はビアホール13の内壁
およびビアホール13の底面に露出した配線層12の表
面にも形成される。また、無電解メッキ層の厚みは、
0.3μm以上である0.7μmとしたので、有機樹脂
前駆体層30のほぼ全面を被覆することができ、0.3
μm未満にした場合のように部分的な無電解メッキ層の
欠落(ピンホール)を生じることがない。
イフィルムを貼付け、所定のパターンを用いて露光・現
像し、図3(b)に示すように、配線層を形成しない場
所にレジスト膜5を形成する。その後、電解メッキを施
し、図3(c)に示すように、レジスト膜5から露出し
た無電解メッキ層4の表面4A上に、厚さ20μmの電
解メッキ層6を形成する。電解メッキ層6形成後、強ア
ルカリ(NaOH水溶液)でレジスト膜5を剥離する。
を施す。この加熱処理により、有機樹脂前駆体層30は
完全に硬化し、有機樹脂絶縁体層3となる(完全硬化工
程)。次に、硫酸ナトリウム系のエッチング液を、露出
した無電解メッキ層4および電解メッキ層6に噴射し
て、90秒間のエッチングを行い(クイックエッチング
工程)、図4(a)に示すように、不要な無電解メッキ
層4を除去して、配線層7、7を形成する。
下である0.7μmに十分に薄くしたため、無電解メッ
キ層4のエッチングに要する時間を短くすることができ
るため、電解メッキ層6が過度にエッチングされること
がない。したがって、配線層7の幅や厚みが極端に小さ
くなって配線層7の抵抗値が上がったり、配線層7に断
線が生じたりすることがない。
せるための加熱処理を無電解メッキ層6を形成した後で
行ったので、無電解メッキ層4も加熱処理される。これ
により、無電解メッキ層4のエッチング速度が、被積層
基板2内でほぼ均一になる。したがって、局部的にエッ
チング不足が発生することがない。さらに、上記加熱処
理は、電解メッキ層6が形成された後で行われるので、
電解メッキ層6も加熱処理される。したがって、電解メ
ッキ層6が局部的にオーバーエッチングになることもな
い。これは、加熱処理により、無電解メッキ層4および
電解メッキ層6の金属粒子(銅粒子)の配列が均一にな
るため、エッチング速度が均一化されるためと推察され
る。
程の際に、有機樹脂絶縁層3の上に残渣4Bが残る場合
がある。これを、過マンガン酸カリウムを含む樹脂エッ
チング液により、80℃で1分間の樹脂エッチングを行
い、図4(b)に示すように配線層7、7間に露出した
有機樹脂絶縁層3の表層部分を、深さ4μm樹脂エッチ
ングする。この樹脂エッチングにより、無電解メッキ層
4の残渣4Bを除去することができる。
を1μm以上の4μmとしたので、リーク不良の原因と
なる不要な無電解メッキ層4の残渣4Bを確実に除去す
ることができる。さらに、7μm以下の4μmだけ樹脂
エッチングしたので、有機樹脂絶縁層3が大きくエッチ
ングされることがないから、有機樹脂絶縁層30と配線
層7との密着強度を高く維持することができ、また、配
線層7、7間の有機樹脂絶縁層3の表面粗度が著しく低
下することがないので、有機樹脂絶縁層3と後でこの上
に積層する有機樹脂絶縁層との密着強度も高く維持する
ことができる。
エッチング液を用いているので、有機樹脂絶縁層3の表
面3Aを適度に樹脂エッチングすることができ、その調
整が容易である。また、半硬化の有機樹脂前駆体層30
を粗化した液と同じ液を用いて樹脂エッチングするの
で、樹脂エッチング後の粗化状態が、粗化前のそれに近
いので、良好な粗化状態を保つことができる。
酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、リン酸三ナトリウム
の混液により黒化処理し、図4(c)に示すように、配
線層7の表面7Aを酸化して粗化する。この粗化工程
(黒化処理)により、配線層7と後でこの上に積層する
有機樹脂絶縁層との密着強度を高くすることができる。
および有機樹脂絶縁層3の上に、有機樹脂絶縁層3と同
材質のエポキシ樹脂からなるフィルム状の有機樹脂前駆
体を貼付け、80℃で15分間加熱処理して有機樹脂前
駆体層80を形成する。なお、必要に応じて、有機樹脂
前駆体層80を所定のパターンに露光し、80℃で45
分間の加熱処理をした後、現像を行い、図示しないビア
ホールを形成する。また、このビアホールにはメッキ等
により、ビア導体を形成し、ビア導体を介して、配線層
7とその上の配線層とを電気的に接続することができ
る。
を、図5(b)に示すように、粗化する。その後、上記
工程を繰り返して、図6に示すように、配線層9を形成
し、さらに、その上にソルダーレジスト層10等を形成
して、多層配線基板1を完成させる。なお、説明を省略
したが、多層配線基板1のうち、図中下側に示す配線層
15、17、有機樹脂絶縁層16、ソルダーレジスト層
18についても、上述した手法と同様にして形成する。
また、有機樹脂前駆体層80は、上記製造過程で完全硬
化されることにより、有機樹脂絶縁層8となる。
れば、有機樹脂前駆体層が半硬化の状態で粗化されるの
で、十分に粗化され、しかも基板内での粗度にバラツキ
が少ないので、基板全体にわたって、配線層との十分な
密着強度が得られる。また、上記実施形態においては、
配線層を、いわゆるセミアディティブ法にて形成する場
合に、無電解メッキ層を形成した後で、有機樹脂前駆体
層を完全硬化させるための加熱処理を施すので、無電解
メッキ層のエッチング工程における基板内でのエッチン
グ速度のバラツキもなくすことができる。これは、加熱
処理によって、無電解メッキ層中の金属粒子の配列が均
一になり、エッチング速度も均一化されるものと推察さ
れる。
ッチングが不十分で、配線層7、7間の有機樹脂絶縁層
3上に、不要な無電解メッキ層4の残渣4Bが完全に除
去されずに残った場合でも、その後、樹脂エッチング工
程によって、これを除去できることができる。したがっ
て、配線層7、7間でリーク不良が発生することのな
い、信頼性の高い多層配線基板1を製造することができ
る(図6参照)。
ついて、図7及び図8を参照しつつ説明する。本実施形
態では、有機樹脂前駆体層230を完全硬化するための
加熱処理を電解メッキ層26の形成前に行う点で、上記
実施形態1と異なる。また、配線層27の表面27をエ
ッチングにより粗化し、その後に樹脂エッチングを行う
点でも相違する。上記実施形態1と同様な部分は省略ま
たは簡略化する。
2と同様の被積層基板22を予め用意する。なお、有機
樹脂前駆体層230は、半硬化の状態でその表面230
Aを粗化しておく。次に、図7(a)に示すように、厚
さ0.7μmの無電解メッキ層24を形成する。その
後、150℃で120分の加熱処理を施す。この加熱処
理により、半硬化状態の有機樹脂前駆体層230は、完
全に硬化して有機樹脂絶縁層23となる(完全硬化工
程)。また、この加熱処理により、無電解メッキ層24
中の金属粒子の配列が均一になるので、後工程における
エッチング工程でのエッチング速度を均一とすることが
でき、基板内での局部的なエッチング残りを防止でき
る。
メッキ24の表面24Aの表面のうち、配線層を形成し
ない部分にレジスト膜25を形成する。続いて、図7
(c)に示すように、レジスト膜25から露出した無電
解メッキ層24の表面24A上に、厚さ20μmの電解
メッキ層26を形成する。電解メッキ層26形成後、レ
ジスト膜25を剥離し、クイックエッチングを行い、図
7(d)に示すように、不要な無電解メッキ層24を除
去して、配線層27、27を形成する。
に、上記実施形態1と同様に、無電解メッキ層24が完
全に除去できず残渣(図示しない)が配線層27、27
間に残ることがある。
70秒間処理して、図8(a)に示すように、表面をエ
ッチングすることにより、粗化する(エッチング粗化工
程)。このエッチング粗化工程により、上記実施形態1
における黒化処理と同様に、配線層27と後でこの上に
形成される有機樹脂絶縁層との密着強度を高くすること
ができる。また、蟻酸を含む粗化液を用いることによ
り、配線層27の表面27Aを起伏の激しい、良好な粗
化状態とすることができる。ただし、このエッチング粗
化処理で、配線層27からその表面の銅の微粒子が剥が
れ落ちて、配線層27、27間の有機樹脂絶縁層23の
表面23A上に付着することがある。
程において、過マンガン酸カリウムを含む樹脂エッチン
グ液により、80℃で1分間樹脂エッチングを行い、図
8(b)に示すように、配線層27、27間に露出した
有機樹脂絶縁層23の表面部分を、深さ4μm樹脂エッ
チングする。この樹脂エッチングにより、有機樹脂絶縁
層23の表面23A上に残った不要な無電解メッキの残
渣を除去することができる。また、同時に、エッチング
粗化工程の際に、配線層27の表面から剥がれ落ちた銅
の微粒子27Bをも除去することができる。
上に、フィルム上の有機樹脂前駆体を貼付け、80℃で
15分間の加熱処理を施して有機樹脂前駆体層28を形
成する。その後、露光した後で80℃で45分間の加熱
処理を施し、有機樹脂前駆体層28を半硬化させる。さ
らに、この半硬化状態の有機樹脂前駆体層28の表面を
粗化処理する。その後は、上記工程を繰り返し、配線層
と有機樹脂絶縁層とを交互に所望の数だけ積層して、多
層配線基板を完成させる。
ついて、図9および図10を参照しつつ説明する。本実
施形態では、有機樹脂前駆体層を半硬化状態で粗化処理
し、その後で完全に硬化させた後で、メッキにより配線
層を形成する点で、上記実施形態2と異なる。また、配
線層47をフルアディティブ法にて形成する点でも、相
違する。したがって、上記実施形態2と同様な部分の説
明は、省略または簡略化する。
様の被積層基板42を用意する。この被積層基板42の
うち、有機樹脂前駆体層430は、予めフィルム状に形
成した有機樹脂前駆体をコア基板に貼付けることにより
形成する。有機樹脂前駆体層430は、80℃で15分
の加熱処理を施した後、露光を行い、その後、80℃で
45分の加熱処理を行って半硬化状態とする。
ルを形成し、有機樹脂前駆体層430の表面430Aを
粗化する。有機樹脂前駆体層430が半硬化の状態にお
いて、その表面430Aを粗化するので、その表面を起
伏の激しい、良好な粗化状態とすることができる。ま
た、粗化状態を被積層基板42の全体にはたってほぼ均
一にすることができるので、後で形成される配線層47
との十分な密着強度が基板全体にわたって得られる。
施し、有機樹脂前駆体層430を完全に硬化させ、有機
樹脂絶縁層43とする。次いで、有機樹脂絶縁層43の
表面43Aに無電解銅メッキを厚付けし、図9(b)に
示すように、厚さ20μmの無電解メッキ層44を形成
する。無電解メッキ層44を形成した後、強アルカリ
(NaOH水溶液)で、レジスト膜45剥離して、図9
(c)に示すように、配線層47、47を形成する。
む粗化液で70秒間処理して、図10(a)に示すよう
に、配線層47の表面47Aを粗化する。上記のよう
に、蟻酸を含む粗化液を用いることで、配線層47の表
面47Aを起伏の激しい、良好な粗化状態にすることが
できる。また、上記実施形態と同様に、このエッチング
粗化工程で、配線層47から銅微粒子47Bが剥がれ落
ちて、配線層47、47間の有機樹脂絶縁層43に付着
する場合がある。
ンガン酸カリウムを含むエッチング液で、80℃、1分
間処理し、図10(b)に示すように、配線層47、4
7間に露出した有機樹脂絶縁層430の表層部分を、深
さ4μm樹脂エッチングする。この樹脂エッチングによ
り、エッチング粗化工程の際に配線層47から剥がれて
下地樹脂絶縁層43上に付着した銅微粒子47Bを除去
することができる。
上に、有機樹脂絶縁層43と同材質のフィルム状の有機
樹脂前駆体を貼付け、上記工程を繰り返して、有機樹脂
絶縁層48を形成する。その後、さらに、上記工程を繰
り返して、配線層と有機樹脂絶縁層とを交互に所望の数
だけ積層して、多層配線基板を完成させる。
樹脂前駆体層430が、完全に硬化していない、いわゆ
る半硬化の状態で、その表面430Aを粗化処理するの
で、その表面を容易に粗化でき、しかも、基板全体にお
けるその粗化状態のバラツキが生じにくい。
ついて、図11及び図12を参照しつつ説明する。本実
施形態の製造方法では、サブトラクティブ法により配線
層67を形成する点が、上記実施形態2、3と異なる。
従って、上記実施形態2、3と同様な部分の説明は省略
または簡略化する。
62を用意し、上記各実施形態と同様に、半硬化状態の
有機樹脂前駆体層630を形成した後、その表面630
Aを粗化する。次いで、図11(a)に示すように、無
電解銅メッキを全面に施し、厚さ0.7μmの無電解メ
ッキ層64を形成する。無電解メッキ層64の表面64
Aには、上記実施形態1、2と同様に、有機樹脂前駆体
層630の表面630Aと同程度の凹凸が形成される。
続いて、無電解メッキ層64の表面64A全面に、電解
銅メッキを施し、厚さ20μmの電解メッキ層66を形
成する。
行い、半硬化状態であった有機樹脂前駆体層630を完
全に硬化させ、有機樹脂前駆体層63とする。また、こ
の際には、無電解メッキ層64および電解メッキ層66
も加熱処理されるので、無電解メッキ層64および電解
メッキ層66中の金属粒子の配列が均一になり、エッチ
ング速度も均一化される。したがって、後のエッチング
工程でのエッチングバラツキを防止できる。
ライフィルムを貼付け、所定のパターンを用いて露光・
現像し、図11(b)に示すように、配線層に対応する
部分にエッチングレジスト膜65を形成する。続いて、
図11(c)に示すように、エッチングレジスト膜65
から露出した電解メッキ層66及び無電解メッキ層64
をエッチングにより除去する。電解メッキ層66及び無
電解メッキ層64は、予め加熱処理されているので、局
部的なオーバーエッチングや、局部的なエッチング残り
を発生せず、基板全体に渡り、ほぼ均一なエッチング速
度でエッチングされる。
て、図11(d)に示すように、配線層67、67を形
成する。続いて、エッチング粗化工程において、図12
(a)に示すように、蟻酸を含む粗化液にて70秒間処
理して、配線層67の表面67Aを粗化する。本実施形
態においても、蟻酸を用いることによって、配線層67
の表面67Aを起伏の激しい、良好な粗化状態にするこ
とができる。また、エッチング粗化工程で、配線層67
の表面から銅微粒子67Bが剥がれ落ちて、配線層6
7、67間の有機樹脂絶縁層63上に付着する場合があ
る。
ンガン酸カリウムを含む樹脂エッチング液で80℃、1
分間の樹脂エッチングを行い、図12(b)に示すよう
に、配線層67、67間に露出した有機樹脂絶縁層63
の表面を、深さ4μm樹脂エッチングする。この樹脂エ
ッチングにより、エッチング粗化工程の際に配線層67
から剥がれ落ちて有機樹脂絶縁層63上に付着した銅微
粒子があっても、それを有機樹脂絶縁層63の表面の樹
脂共々除去することができる。
上に、有機樹脂絶縁層63と同材質のフィルム状の有機
樹脂前駆体を貼付け、図12(c)に示すように、有機
樹脂前駆体層68を形成する。その後は、上記工程を繰
り返して、配線層と有機樹脂絶縁層とを交互に所望の数
だけ積層して、多層配線基板を完成させる。
は、半硬化の状態で粗化処理されるので、その表面63
0Aを粗化処理するので、その表面を容易に粗化でき、
しかも、基板全体におけるその粗化状態のバラツキが、
基板全体において生じにくい。また、有機樹脂前駆体層
630を完全硬化させる際に、同時に、無電解メッキ層
64及び電解メッキ層66が熱処理されているので、後
のエッチング工程において良好なエッチングが可能とな
る。
ッキ層64および電解メッキ層66の両方を形成した後
で、有機樹脂前駆体層630を完全硬化させたが、無電
解メッキ層64を形成する前、又は、電解メッキ層66
を形成する前のいずれかに、加熱処理を施してもよい。
て説明したが、本発明は上記実施形態に限定さえるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して
適用できることはいうまでもない。
ば、有機樹脂前駆体層が、完全に硬化していない、半硬
化状態において、その表面を粗化するので、良好な粗化
状態が得られる。また、基板全体にわたって、粗化状態
のバラツキを少なくすることができる。
す。
す図であり、(a)は被積層基板の有機樹脂前駆体層の
部分拡大図を示し、(b)は有機樹脂前駆体層の表面を
粗化した状態を示す。
す図であり、(a)は無電解メッキ層を形成した状態を
示し、(b)レジスト膜を形成した状態を示し、(c)
は電解メッキ層を形成した状態を示す。
す図であり、(a)は配線層を形成した状態を示し、
(b)は配線層間の有機樹脂絶縁層の表面部分をエッチ
ングした状態を示し、(c)は配線層の表面を粗化した
状態を示す。
す図であり、(a)は有機樹脂絶縁層を積層した状態を
示し、(b)は有機樹脂前駆体層の表面を粗化した状態
を示す。
す。
す図であり、(a)は有機樹脂前駆体層上に無電解メッ
キ層を形成した状態を示し、(b)はレジスト膜を形成
した状態を示し、(c)は電解メッキ層を形成した状態
を示し、(d)は配線層を形成した状態を示す。
す図であり、(a)は配線層の表面をエッチングした状
態を示し、(b)は配線層間の有機樹脂絶縁層の表層部
分を樹脂エッチングした状態を示し、(c)は有機樹脂
前駆体層を積層した状態を示す。
す図であり、(a)は有機樹脂絶縁層上にレジスト膜を
形成した状態を示し、(b)は無電解メッキ層を形成し
た状態を示し、(c)は配線層を形成した状態を示す。
示す図であり、(a)は配線層の表面をエッチング粗化
した状態を示し、(b)は配線層間の有機樹脂絶縁層の
表層部分を樹脂エッチングした状態を示し、(c)は樹
脂絶縁層を積層した状態を示す。
示す図であり、(a)は、有機樹脂前駆体層上に無電解
メッキ層及び電解メッキ層を形成した状態を示し、
(b)はエッチングレジスト膜を形成した状態を示し、
(c)は不要なメッキ層をエッチングして除去した状態
を示し、(d)は配線層を形成した状態を示す。
示す図であり、(a)は配線層の表面をエッチング粗化
した状態を示し、(b)は配線層間の有機樹脂絶縁層の
表層部分を樹脂エッチングした状態を示し、(c)は、
有機樹脂前駆体層を積層した状態を示す。
0:有機樹脂前駆体層 3、23、43、63:有機樹脂絶縁層 4、24、44、64:無電解メッキ層 6、26、66:電解メッキ層 7、27、47、67:配線層
Claims (6)
- 【請求項1】 絶縁基板上に有機樹脂絶縁層と配線層と
を交互に積層してなる多層配線基板の製造方法であっ
て、 絶縁基板上に有機樹脂前駆体層を形成し、該有機樹脂前
駆体層を熱処理して半硬化させる半硬化工程と、 前記半硬化した有機樹脂前駆体層の表面を粗化する粗化
工程と、 前記粗化された半硬化の有機樹脂前駆体層を熱処理し、
該粗化された半硬化の有機樹脂前駆体層を完全に硬化さ
せ、有機樹脂絶縁層となす完全硬化工程と、 を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項2】 絶縁基板上に有機樹脂絶縁層と配線層と
を交互に積層してなる多層配線基板の製造方法であっ
て、 絶縁基板上に有機樹脂前駆体層を形成し、該有機樹脂前
駆体層を熱処理して半硬化させる半硬化工程と、 前記半硬化した有機樹脂前駆体層の表面を粗化する粗化
工程と、 前記粗化された半硬化の有機樹脂前駆体層を熱処理し、
該粗化された半硬化の有機樹脂前駆体層を完全に硬化さ
せ、有機樹脂絶縁層となす完全硬化工程と、 前記有機樹脂絶縁層の上面に配線層を形成する配線層形
成工程と、 を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項3】 絶縁基板上に有機樹脂絶縁層と配線層と
を交互に積層してなる多層配線基板の製造方法であっ
て、 絶縁基板上に有機樹脂前駆体層を形成し、該有機樹脂前
駆体層を熱処理して半硬化させる半硬化工程と、 前記半硬化した有機樹脂前駆体層の表面を粗化する粗化
工程と、 前記粗化された半硬化の有機樹脂前駆体層の上面に無電
解メッキにより無電解メッキ層を形成する工程と、 前記無電解メッキ層および前記粗化された半硬化の有機
樹脂前駆体層に熱処理を施し、前記粗化された半硬化の
有機樹脂前駆体層を完全に硬化させ、有機樹脂絶縁層と
なす完全硬化工程と、 前記無電解メッキ層上に、所定パターンの開口部を有す
るメッキレジスト層を形成する工程と、 前記パターンの開口部に対応した無電解メッキ層上に、
電解メッキにより電解メッキ層を形成する工程と、 前記メッキレジスト層を除去する工程と、 前記メッキレジスト層を除去した箇所に対応する余分な
無電解メッキ層を除去することにより、配線層を形成す
るエッチング工程と、 を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項4】 絶縁基板上に有機樹脂絶縁層と配線層と
を交互に積層してなる多層配線基板の製造方法であっ
て、 絶縁基板上に有機樹脂前駆体層を形成し、該有機樹脂前
駆体層を熱処理して半硬化させる半硬化工程と、 前記半硬化した有機樹脂前駆体層の表面を粗化する粗化
工程と、 前記粗化された半硬化の有機樹脂前駆体層の上面に無電
解メッキにより無電解メッキ層を形成する工程と、 前記無電解メッキ層上に、所定パターンの開口部を有す
るメッキレジスト層を形成する工程と、 前記パターンの開口部に対応した無電解メッキ層上に、
電解メッキにより電解メッキ層を形成する工程と、 前記メッキレジスト層を除去する工程と、 前記無電解メッキ層、前記電解メッキ層および前記粗化
された半硬化の有機樹脂前駆体層に熱処理を施し、該粗
化された半硬化の有機樹脂前駆体層を完全に硬化させ、
有機樹脂絶縁層となす完全硬化工程と、 前記メッキレジスト層を除去した箇所に対応する余分な
無電解メッキ層を除去することにより、配線層を形成す
るエッチング工程と、 を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項5】 前記無電解メッキ層の厚さが、0.3〜
0.9μmであることを特徴とする請求項3または4に
記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項6】 前記エッチング工程の後に、前記有機樹
脂絶縁層の表面をエッチングすることを特徴とする請求
項3乃至5のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
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JP3784978B2 JP3784978B2 (ja) | 2006-06-14 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013135229A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-08 | Samsung Techwin Co Ltd | 多層回路基板の製造方法及びその製造方法によって製造された多層回路基板 |
JP2013219326A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-10-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法、配線基板 |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP697799A patent/JP3784978B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013135229A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-08 | Samsung Techwin Co Ltd | 多層回路基板の製造方法及びその製造方法によって製造された多層回路基板 |
US9532466B2 (en) | 2011-12-22 | 2016-12-27 | Haesung Ds Co., Ltd. | Method of manufacturing multi-layer circuit board and multi-layer circuit board manufactured by using the method |
JP2013219326A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-10-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法、配線基板 |
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