JPS5850016B2 - ハンドウタイキバン ノ センタクエツチングホウ - Google Patents
ハンドウタイキバン ノ センタクエツチングホウInfo
- Publication number
- JPS5850016B2 JPS5850016B2 JP49028260A JP2826074A JPS5850016B2 JP S5850016 B2 JPS5850016 B2 JP S5850016B2 JP 49028260 A JP49028260 A JP 49028260A JP 2826074 A JP2826074 A JP 2826074A JP S5850016 B2 JPS5850016 B2 JP S5850016B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- layer
- desired pattern
- main surface
- etchant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板の選択エツチング法に関する。
従来の斯種半導体基板の選択エツチング法に於ては、半
導体基板に対して直ちにフォトエツチング処理を施し、
即ち先づ半導体基板の主面上にこの半導体基板に対する
エッチャントに対して露光硬化されている場合難蝕性を
呈するフォトレジスト層を附し、次にこのフォトレジス
ト層に対して選択的露光をなしてこのフォトレジスト層
に潜像を形成し、次に現像処理を施してフォトレジスト
層の露光のなされた部を残して他を半導体基板の主面上
より溶去して半導体基板を外部に露呈せしめる所望パタ
ーンの窓を形成し、次に上記エッチャントにより半導体
基板上に残されたフォトレジスト層をマスクとしてエツ
チング処理を施して、半導体基板を所望パターンを以っ
て選択エツチングする様になされているを普通とする。
導体基板に対して直ちにフォトエツチング処理を施し、
即ち先づ半導体基板の主面上にこの半導体基板に対する
エッチャントに対して露光硬化されている場合難蝕性を
呈するフォトレジスト層を附し、次にこのフォトレジス
ト層に対して選択的露光をなしてこのフォトレジスト層
に潜像を形成し、次に現像処理を施してフォトレジスト
層の露光のなされた部を残して他を半導体基板の主面上
より溶去して半導体基板を外部に露呈せしめる所望パタ
ーンの窓を形成し、次に上記エッチャントにより半導体
基板上に残されたフォトレジスト層をマスクとしてエツ
チング処理を施して、半導体基板を所望パターンを以っ
て選択エツチングする様になされているを普通とする。
然し乍ら斯る従来の方法による場合、エッチャントによ
り半導体基板上に残されたフォトレジスト層をマスクと
してのエツチング処理を長時間なして、半導体基板を所
望パターンを以って深く選択エツチングせんとした場合
、半導体基板の主面上に残されたフォトレジスト層が半
導体基板の主面上より剥離し所望パターンを以って半導
体基板を選択エツチングし得なくなる憤れを有していた
。
り半導体基板上に残されたフォトレジスト層をマスクと
してのエツチング処理を長時間なして、半導体基板を所
望パターンを以って深く選択エツチングせんとした場合
、半導体基板の主面上に残されたフォトレジスト層が半
導体基板の主面上より剥離し所望パターンを以って半導
体基板を選択エツチングし得なくなる憤れを有していた
。
この為半導体基板に所望パターンを以って深い孔又は貫
通せる穴を穿設する場合従来は、上述せるフォトエツチ
ング処理に超音波加工等の機械的処理とか電解エツチン
グ処理とかを併用するを普通としていた。
通せる穴を穿設する場合従来は、上述せるフォトエツチ
ング処理に超音波加工等の機械的処理とか電解エツチン
グ処理とかを併用するを普通としていた。
然し乍ら斯る併用処理をなす場合全体の工程数が増して
工程管理が困難となると共に斯る併用処理によるも精度
の高い所望パターンを以ってこの孔を穿設することが困
難であった。
工程管理が困難となると共に斯る併用処理によるも精度
の高い所望パターンを以ってこの孔を穿設することが困
難であった。
依って本発明は上述せる困難なしに半導体基板に所望パ
ターンを以って深い孔又は貫通せる孔を穿設し得る新規
な半導体基板の選択エツチング法を提案するもので、以
下図面を伴って本発明の実施例を詳述する所より明らか
となるであろう。
ターンを以って深い孔又は貫通せる孔を穿設し得る新規
な半導体基板の選択エツチング法を提案するもので、以
下図面を伴って本発明の実施例を詳述する所より明らか
となるであろう。
先づ予め用意された図Ａにて符号１で示す例えばＳｉで
なる半導体基板の主面２上に、直接、図Ｂに示す如く、
加熱酸化されている場合、半導体基板１０半導体乃至そ
の酸化物に対するエッチャント例えば弗酸と硝酸とを３
対５０割合で混合せるエッチャントに対して難蝕性を呈
し互生導体基板１に対して犬なる付着力を呈するＴａ、
Ｚｒ等の金属層３を蒸着又はスパッタによって例えば７
００〜８００大の厚さで附し、次にこの金属層３に対し
てフォトエツチング処理を施してこの金属層３に半導体
基板１の主面を外部に露呈せしめる所望パターンの窓を
穿設せしめる。
なる半導体基板の主面２上に、直接、図Ｂに示す如く、
加熱酸化されている場合、半導体基板１０半導体乃至そ
の酸化物に対するエッチャント例えば弗酸と硝酸とを３
対５０割合で混合せるエッチャントに対して難蝕性を呈
し互生導体基板１に対して犬なる付着力を呈するＴａ、
Ｚｒ等の金属層３を蒸着又はスパッタによって例えば７
００〜８００大の厚さで附し、次にこの金属層３に対し
てフォトエツチング処理を施してこの金属層３に半導体
基板１の主面を外部に露呈せしめる所望パターンの窓を
穿設せしめる。
即ち、図Ｃに示す如く金属層３上にこの金属層に対する
エッチャントに対して露光硬化されている場合難蝕性を
呈するフォトレジスト層４を附し、次にこのフォトレジ
スト層４に対して選択的露光をなしてこのフォトレジス
ト層４に潜像を形成し、次に現像処理を施して図りに示
す如くフォトレジスト層４の露光のなされた部を残して
他を金属層３上より溶去して金属層３を外部に露呈せし
める所望パターンの窓５を形成し、次に上述せる金属層
に対するエッチャントにより金属層３上に残されたフォ
トレジスト層４（これを４′とする）をマスクとしてエ
ツチング処理を施して、図Ｅに示す如く金属層３に半導
体基板１の主面２を外部に露呈せしめる所望パターンの
窓６を穿設せしめ、然る肩囲Ｆに示す如くフォトレジス
ト層４′を金属層３上より除去せしめる。
エッチャントに対して露光硬化されている場合難蝕性を
呈するフォトレジスト層４を附し、次にこのフォトレジ
スト層４に対して選択的露光をなしてこのフォトレジス
ト層４に潜像を形成し、次に現像処理を施して図りに示
す如くフォトレジスト層４の露光のなされた部を残して
他を金属層３上より溶去して金属層３を外部に露呈せし
める所望パターンの窓５を形成し、次に上述せる金属層
に対するエッチャントにより金属層３上に残されたフォ
トレジスト層４（これを４′とする）をマスクとしてエ
ツチング処理を施して、図Ｅに示す如く金属層３に半導
体基板１の主面２を外部に露呈せしめる所望パターンの
窓６を穿設せしめ、然る肩囲Ｆに示す如くフォトレジス
ト層４′を金属層３上より除去せしめる。
次に例えば大気中で約５００℃の温度で約３時間の加熱
酸化処理によって金属層３を加熱酸化せしめて図Ｇに示
す如く金属層３の金属の酸化物でなるＴａ２０５、Ｚｒ
Ｏ２の如き金属酸化物層３′を形成し、次にこの金属酸
化物層３′をマスクとして上述せる半導体基板１の半導
体乃至その酸化物に対するエッチャントを用いて例えば
常温でエツチング処理をなして、半導体基板１を所望パ
ターンを以って選択エツチングしてこの半導体基板１に
図Ｈに示す如く所望パターンを以って孔７を穿設するも
のである。
酸化処理によって金属層３を加熱酸化せしめて図Ｇに示
す如く金属層３の金属の酸化物でなるＴａ２０５、Ｚｒ
Ｏ２の如き金属酸化物層３′を形成し、次にこの金属酸
化物層３′をマスクとして上述せる半導体基板１の半導
体乃至その酸化物に対するエッチャントを用いて例えば
常温でエツチング処理をなして、半導体基板１を所望パ
ターンを以って選択エツチングしてこの半導体基板１に
図Ｈに示す如く所望パターンを以って孔７を穿設するも
のである。
尚斯く半導体基板１を所望パターンを以って選択エツチ
ングして后、半導体基板１上に残されている金属酸化物
層３′はこれが絶縁性を有するのでこの層３′上に電子
部品を附し又は形成する為の層として残しても良く、又
金属酸化物層３１を蒸発源とする形での逆スパツタリン
グ処理によりこの層３１を半導体基板１上より除去して
も良いものである。
ングして后、半導体基板１上に残されている金属酸化物
層３′はこれが絶縁性を有するのでこの層３′上に電子
部品を附し又は形成する為の層として残しても良く、又
金属酸化物層３１を蒸発源とする形での逆スパツタリン
グ処理によりこの層３１を半導体基板１上より除去して
も良いものである。
以上で本発明に依る半導体基板の選択エツチング法が明
らかとなったが、斯る選択エツチング法に依れば、半導
体基板１に穿設する孔７の深さを犬とすべくエツチング
処理を長時間なしても、この場合のマスクが金属酸化物
層３′にて形成され、そしてこの金属酸化物層３１が半
導体基板１の主面２上に蒸着又はスパッタにて附された
、加熱酸化されている場合エッチャントに対して難蝕性
を呈し互生導体基板１に対して犬なる付着力を呈する金
属層３の金属の酸化物でなり、機械的に強固に半導体基
板１の主面２上に附されているので、半導体基板１の主
面２より剥離する慣れを有さす、依って半導体基板１に
深い孔を容易に穿設し得、又半導体基板１に貫通せる孔
を穿設する場合もこれを同様に容易に穿設し得る犬なる
特徴を有するものである。
らかとなったが、斯る選択エツチング法に依れば、半導
体基板１に穿設する孔７の深さを犬とすべくエツチング
処理を長時間なしても、この場合のマスクが金属酸化物
層３′にて形成され、そしてこの金属酸化物層３１が半
導体基板１の主面２上に蒸着又はスパッタにて附された
、加熱酸化されている場合エッチャントに対して難蝕性
を呈し互生導体基板１に対して犬なる付着力を呈する金
属層３の金属の酸化物でなり、機械的に強固に半導体基
板１の主面２上に附されているので、半導体基板１の主
面２より剥離する慣れを有さす、依って半導体基板１に
深い孔を容易に穿設し得、又半導体基板１に貫通せる孔
を穿設する場合もこれを同様に容易に穿設し得る犬なる
特徴を有するものである。
尚上述に於て金属層が半導体基板の半導体乃至その酸化
物に対するエッチャントに対して加熱酸化されている場
合難蝕性を有すると述べた。
物に対するエッチャントに対して加熱酸化されている場
合難蝕性を有すると述べた。
その「酸化物」とせる所以は、金属層が加熱酸化されて
金属酸化物層として形成される時のその加熱酸化の温度
によっては半導体基板１の主面２に例えば５ｉ０２の如
き半導体酸化物層が形成されるからで、実質的に斯る半
導体酸化物層が形成されないものとすれば「酸化物」と
せるその用語を割愛しても良いものである。
金属酸化物層として形成される時のその加熱酸化の温度
によっては半導体基板１の主面２に例えば５ｉ０２の如
き半導体酸化物層が形成されるからで、実質的に斯る半
導体酸化物層が形成されないものとすれば「酸化物」と
せるその用語を割愛しても良いものである。
図Ａ−Ｈは本発明に依る半導体基板の選択エツチング法
の順次の工程を示す路線的断面図である３図中１は半導
体基板、３は金属層、４はフォトレジスト層、５及６は
窓、３′は金属酸化物層、４１は露光硬化せるフォトレ
ジスト層、７は孔を夫々示す。
の順次の工程を示す路線的断面図である３図中１は半導
体基板、３は金属層、４はフォトレジスト層、５及６は
窓、３′は金属酸化物層、４１は露光硬化せるフォトレ
ジスト層、７は孔を夫々示す。
Claims (1)
- １ エツチングせられるべき半導体基板の主面上に、直
接、加熱酸化されている場合上記半導体基板の半導体乃
至その酸化物に対するエッチャントに対して難蝕性を呈
し且上記半導体基板に対して犬なる付着力を呈するＺｒ
又はＴａ層を蒸着又はスパッタによって付し、次に上記
Ｚｒ又はＴａ層に対してフォトエツチング処理を施して
当該Ｚｒ又はＴａ層に上記半導体基板の主面を外部に露
呈せしめる所望パターンの窓を穿設し、次に上記Ｚｒ又
はＴａ層を加熱酸化せしめて上記Ｚｒ又はＴａ層の酸化
物でなるＺｒＯ２又はＴａ２０５層を形成し、次に上記
エッチャントにより上記Ｚｒｏ２又はＴａ２０５層をマ
スクとしてエツチング処理を施して上記半導体基板を上
記所望パターンを以って選択エツチングする様にした事
を特徴とする半導体基板の選択エツチング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49028260A JPS5850016B2 (ja) | 1974-03-11 | 1974-03-11 | ハンドウタイキバン ノ センタクエツチングホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49028260A JPS5850016B2 (ja) | 1974-03-11 | 1974-03-11 | ハンドウタイキバン ノ センタクエツチングホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50120978A JPS50120978A (ja) | 1975-09-22 |
| JPS5850016B2 true JPS5850016B2 (ja) | 1983-11-08 |
Family
ID=12243586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49028260A Expired JPS5850016B2 (ja) | 1974-03-11 | 1974-03-11 | ハンドウタイキバン ノ センタクエツチングホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850016B2 (ja) |
-
1974
- 1974-03-11 JP JP49028260A patent/JPS5850016B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50120978A (ja) | 1975-09-22 |
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